KR20170044062A - 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법 - Google Patents

레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법 Download PDF

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Abstract

레이저 어닐링 처리가 적정하게 행해졌는지 아닌지의 확인 공정을 단시간에 효율적으로 행한다.
레이저 어닐링 장치(1)는, 레이저광원(2)과, 레이저광원(2)으로부터 출사된 레이저광을 처리 대상 기판(W)의 처리 영역(Sn)에 조사하는 레이저광 조사 광학계(3)와, 가시광역의 조명광을 출사하는 조명 광원(4)과, 조명 광원(4)으로부터 출사된 광을 처리 영역(Sn)에 조사하는 조명 광학계(5)와, 레이저광으로 어닐링 처리가 이루어진 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광을 검출하여, 그 분광 특성을 출력하는 분광 검출부(6)를 구비한다.

Description

레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법{LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD}
본 발명은, 기판 상의 특정 영역에 레이저광을 조사하여 어닐링 처리하는 레이저 어닐링 장치, 및 이것을 이용한 레이저 어닐링 방법에 관한 것이다.
레이저 어닐링은, 레이저광의 조사에 의한 열작용으로 반도체나 금속의 결정 격자의 이전(移轉)을 일으키는 처리 기술이며, 필요한 부분만을 국소적으로 처리할 수 있고, 또한 높은 에너지 밀도에서의 어닐링에 의하여 처리 시간의 단축화가 가능해지는 등의 이점이 있다. 이와 같은 레이저 어닐링은, 각종 용도에 적용되고 있는데, 고속화·대형화가 진행되는 액정 디스플레이의 제조 공정에 있어서는 필요 불가결한 처리 기술이 되고 있다. 현재 주류인 박막 트랜지스터(TFT) 방식 액정 디스플레이의 고정세(高精細) 패널에는, 저온 폴리실리콘(LTPS) TFT가 널리 이용되고 있는데, 레이저 어닐링은, TFT 형성 영역의 어모퍼스 실리콘막에 국소적으로 레이저광을 조사하여 폴리실리콘화하는 처리에 이용되고 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2010-283073호
레이저 어닐링 처리를 수반하는 제조 공정에서는, 그 처리가 정규(正規)로 행해졌는지 아닌지를 처리 후에 확인하는 것이 정상품을 안정적으로 공급하는 데에 필요해진다. 특히, 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이의 TFT 기판 제조 공정에서는, 기판 상에 다수 존재하는 TFT 형성 영역 전체에 있어서 결정성이 높은 폴리실리콘이 균일하게 생성되고 있을 것이 요구되고, 그 균일성에 따라 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이의 동작 성능이 크게 영향을 받게 되므로, 각 TFT 형성 영역에 있어서 레이저 어닐링 처리가 적정하게 행해졌는지 아닌지를 확인하는 공정은, 제조되는 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이의 품질 관리를 행하는 데 있어서 중요한 공정이 되고 있다.
이와 같은 레이저 어닐링 처리 후의 확인 공정은, 종래, 박막 트랜지스터의 전기 특성을 측정함으로써 행해지고 있었지만, 박막 트랜지스터로서 동작시키기 위해서는, 레이저 어닐링 처리 후에 복수 공정을 행할 필요가 있다. 따라서, 복수 공정을 거친 후에 레이저 어닐링 처리의 불량품이 검출되게 되어, 불필요한 시간이나 재료 등의 손실이 발생하는 문제가 있었다.
본 발명은, 이와 같은 문제에 대처하는 것을 과제의 일례로 하는 것이다. 즉, 레이저 어닐링 처리가 적정하게 행해졌는지 아닌지의 확인 공정을 최종 공정을 기다리지 않고 그 자리에서 행할 수 있는 것, 이것에 의하여 TFT 기판의 제조를 효율적으로 행하는 것 등이 본 발명의 목적이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법은, 이하의 구성을 구비하는 것이다.
레이저광원과, 상기 레이저광원으로부터 출사된 레이저광을 처리 대상 기판의 처리 영역에 조사하는 레이저광 조사 광학계와, 가시광역의 조명광을 출사하는 조명 광원과, 상기 조명 광원으로부터 출사된 광을 상기 처리 영역에 조사하는 조명 광학계와 상기 레이저광으로 어닐링 처리가 이루어진 상기 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광을 검출하여 그 분광 특성을 출력하는 분광 검출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
처리 대상 기판의 처리 영역에 레이저광을 조사하여 어닐링 처리를 실시하는 처리 공정과, 상기 처리 영역에 가시광역의 조명광을 조사하여, 상기 어닐링 처리 직후에 상기 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광을 검출하여 그 분광 특성을 출력하고, 상기 처리 영역의 어닐링 처리가 적정하게 이루어져 있는지 아닌지를 그 분광 특성에 의하여 확인하는 확인 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
이와 같은 특징을 갖는 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법에 의하면, 처리 영역을 어닐링 처리한 직후에 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광의 분광 특성에 의하여 어닐링 처리가 적정하게 이루어져 있는지 아닌지를 확인할 수 있다. 이로써, 처리 대상 기판 전체에 대하여 레이저 어닐링 처리를 진행시키면서, 동시 진행으로 레이저 어닐링 처리가 적정하게 행해졌는지 아닌지의 확인을 행할 수 있고, 이 확인 공정을 단시간에 효율적으로 행할 수 있다. 또, 이와 같은 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법을 이용하여 TFT 기판의 제조를 행함으로써, TFT 기판의 생산성 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법의 동작 원리를 설명하는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치의 일례를 나타낸 설명도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치에 있어서의 레이저광원의 출력예를 나타낸 설명도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치의 다른 예를 나타낸 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법은, 레이저 어닐링 처리를 행한 직후에 그 처리 영역이 적정하게 처리되었는지 아닌지를 확인하는 시스템 혹은 공정을 포함하는 것인데, 그 시스템 혹은 공정은, 처리가 완료된 처리 영역에 있어서의 관찰 화상의 색감에 의하여 적정한 처리가 이루어졌는지 아닌지를 판단할 수 있다는 발견에 근거하여 창안된 것이다.
예를 들면, 기판 상에 성막된 어모퍼스 실리콘막의 처리 영역에 레이저광을 조사하여, 국부적으로 결정성이 높은 폴리실리콘을 생성하는 어닐링 처리에서는, 어닐링 처리 후의 영역을 가시광역의 광원(예를 들면 백색 광원) 하에서 관찰하면, 결정성의 정도를 색감의 차이에 의하여 확인할 수 있다.
그리고, 어닐링 처리 후의 영역을 가시광역의 광으로 조명하여, 그 반사광의 분광 특성을 계측하면, 도 1에 나타내는 바와 같이, 결정성이 높고 적정한 어닐링 처리가 이루어져 있는 경우에는, 도시 A로 나타내는 바와 같이, 특정의 파장역에서 높은 스펙트럼 강도를 나타내는 분광 특성이 얻어진다. 이에 대하여, 결정성이 낮고 적정한 어닐링 처리가 이루어져 있지 않은 경우에는, 도시 B로 나타내는 바와 같이, 특정의 파장역에서 높은 스펙트럼 강도를 나타내는 분광 특성이 얻어지지 않는다. 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법은, 이 분광 특성의 차이를 이용한 것이며, 가시광역의 광으로 처리 영역을 조명한 반사광의 분광 특성 데이터를 취득함으로써, 적정한 어닐링 처리가 이루어졌는지 아닌지의 확인을 행하고 있다.
또, 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 방법에 있어서의 어닐링 처리의 대상은, 레이저 어닐링 처리에 의한 결정화에 의하여 백색광의 반사광에 특정의 파장역에서 높은 스펙트럼 강도를 나타내는 재료이면 되고, 진공 성막이나 도포에 의하여 형성된 반도체막(예를 들면, 기상(氣相) 성장법으로 형성된 어모퍼스 실리콘, 스퍼터링법으로 형성된 금속 산화물 반도체, 도포에 의하여 형성된 실리콘 미립자로 이루어지는 박막, 도포에 의하여 형성된 금속 산화물로 이루어지는 박막 등) 등을 예로서 들 수 있다(여기에서의 도포는, 입자를 용매에 분산시킨 용액의 도포를 포함한다).
도 2는, 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치의 일 구성예를 나타내고 있다. 레이저 어닐링 장치(1)는, 레이저광원(2), 레이저광 조사 광학계(3), 조명 광원(4), 조명 광학계(5), 분광 검출부(6)를 구비하고 있다. 레이저광원(2)은, 레이저 어닐링 처리를 행하는 레이저광을 출사하는 광원으로서, 여기에서는, 파장 λ1(=532nm)의 펄스 레이저광원(2A)과 파장 λ2(=1064nm)의 펄스 레이저광원(2B)을 구비하고 있다. 레이저광원(2)의 출력은, TFT 기판의 TFT 형성 영역에 있어서의 어모퍼스 실리콘막을 어닐링 처리하는 경우에는, 도 3에 나타내는 바와 같은 펄스 간격 및 강도로 2개의 펄스 레이저광원을 동시 출력한다. 이 예에서는, 하나의 처리 영역에 대하여 1회의 어닐링 처리를 행할 때에, 파장 λ1의 펄스 레이저광원(2A)의 출력을 비교적 짧은 펄스 간격(20ns)으로 하여 비교적 고강도로 출력하고, 파장 λ2의 펄스 레이저광원(2B)의 출력을 비교적 긴 펄스 간(80~1300ns)으로 비교적 강도를 낮춰 출력하고 있다. 이 레이저광원(2)은, 파장이 308nm 또는 353nm인 레이저광을 일정한 반복 주기로 방사하는 엑시머 레이저여도 된다.
레이저광 조사 광학계(3)는, 레이저광원(2)으로부터 출사된 레이저광을 처리 대상 기판(예를 들면, TFT 기판)(W)의 처리 영역(예를 들면, TFT 형성 영역)(Sn)에 조사한다. 도시의 예에서는, 2개의 펄스 레이저광원(2A, 2B)으로부터 출사된 레이저광을 미러(30)와 다이크로익 미러(31)로 구성되는 합성 광학계에서 합성하여 빔호모지나이저(32)에 입사함으로써 확경(擴徑)되고 공간적으로 균일 강도를 갖는 레이저광을 얻고 있으며, 이 레이저광을 미러(33)로 편향하여 마스크(34)와 마이크로 렌즈 어레이(35)를 통하여 처리 대상 기판(W)에 조사하고 있다. 여기에서의 마스크(34)와 마이크로 렌즈 어레이(35)는, 처리 대상 기판(W) 상에 도트 매트릭스 형상으로 배열되는 복수의 처리 영역(Sn)에 대응하여 개구(34a)와 마이크로 렌즈(35a)가 배열되어 있으며, 개구(34a)와 마이크로 렌즈(35a)를 투과한 레이저광은, 처리 대상 기판(W) 상의 복수의 처리 영역(Sn)에 동시 또한 개별적으로 집광된다. 여기에서, 마스크(34)의 개구(34a)와 처리 영역(Sn)은 공역(共役) 관계(물체와 상(像)의 관계)에 있는 것이 바람직하다.
조명 광원(4)은, 가시광역의 조명광을 출사하는 광원으로서, 예를 들면, 할로젠 램프 등의 백색 광원을 이용할 수 있다. 조명 광학계(5)는, 조명 광원(4)으로부터 출사된 광을 레이저광이 조사되는 처리 영역(Sn)에 조사한다. 여기에서는, 조명 광원(4)으로부터 출사되는 광의 광축에 대하여 경사 배치되는 하프 미러(50)와 처리 영역(Sn)에 조사되는 레이저광의 광축에 대하여 경사 배치되는 하프 미러(51)에 의하여 조명 광학계(5)가 구성되어 있다.
분광 검출부(6)는, 분광기(6A)와 검출기(6B)를 구비하고 있으며, 레이저광으로 어닐링 처리가 이루어진 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광을 검출하여 그 분광 특성을 출력한다. 처리 영역(Sn)에 조사되는 레이저광의 광축에 대하여 경사 배치되는 하프 미러(51)가 반사광을 분광 검출부(6)에 유도하는 검출 광학계(7)를 겸용하고 있다.
이와 같은 구성을 구비하는 레이저 어닐링 장치(1)는, 레이저광 조사 광학계(3)를 통하여 레이저광원(2)으로부터 출사된 레이저광을 처리 대상 기판(W)의 처리 영역(Sn)에 조사함으로써, 처리 영역(Sn)에 레이저 어닐링 처리를 실시한다. 도시한 바와 같이, 레이저광 조사 광학계(3)가, 빔호모지나이저(32), 마스크(34), 마이크로 렌즈 어레이(35)를 구비하는 것에서는, 처리 대상 기판(W)의 복수의 처리 영역(Sn)에 동시 또한 개별적으로 레이저광이 조사되어, 각각의 처리 영역(Sn)에서 레이저 어닐링 처리가 이루어진다.
이에 대하여, 레이저광이 조사되는 처리 영역(Sn)에는 조명 광원(4)으로부터 출사된 조명광이 조명 광학계(5)를 통하여 조사되고 있다. 그리고, 처리 영역(Sn)에 레이저광이 조사되어 레이저 어닐링 처리가 이루어진 직후에 그 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광이 검출 광학계(7)를 통하여 분광 검출부(6)에서 검출된다. 도시한 바와 같이, 레이저광 조사 광학계(3)가 마이크로 렌즈 어레이(35)를 구비하는 것에서는, 마이크로 렌즈 어레이(35)를 통하여 레이저광이 조사되는 모든 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광이 분광 검출부(6)에서 검출되게 된다.
이와 같은 레이저 어닐링 장치(1)를 이용한 레이저 어닐링 방법에 의하면, 처리 대상 기판(W)의 처리 영역(Sn)에 레이저광을 조사하여 어닐링 처리를 실시하는 처리 공정 직후에, 그 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광을 분광 검출부(6)에서 검출하여 그 반사광의 분광 특성을 출력할 수 있다. 이로써, 처리 영역(Sn)에 레이저광을 조사하여 어닐링 처리를 실시하는 처리 공정 직후에, 그 처리 영역(Sn)의 어닐링 처리가 적정하게 이루어졌는지 아닌지를 반사광의 분광 특성에 의하여 확인하는 확인 공정을 실행할 수 있다.
또, 레이저광 조사 광학계(3)와 검출 광학계(7)에서 마스크(34)와 마이크로 렌즈 어레이(35)를 공용함으로써, 확인 공정의 대상이 되는 영역이 레이저광의 처리 영역(Sn)과 동일해지는 점에서, 레이저광이 조사되지 않는(결정화되지 않는) 영역으로부터의 반사광이 분광 검출부에 입사하지 않는다. 따라서, 분광 검출부에서 특별한 처리를 행하지 않아도 분광 특성에 대한 노이즈의 혼입을 방지할 수 있으며, 장치의 구성을 간소화시킬 수 있다. 또한 어닐링 장치와 검사 장치의 일체화에 의한 공간 절약화가 가능해진다.
도 2에 나타낸 예는, 마이크로 렌즈 어레이(35)를 통하여 복수의 처리 영역(Sn)을 동시 또한 개별적으로 어닐링 처리하는 경우에는, 복수의 처리 영역(Sn)을 일괄하여 어닐링 처리한 직후에 이 복수의 처리 영역(Sn)에서 적정한 처리가 행해졌는지 아닌지를 일괄하여 분광 검출부(6)의 출력으로 확인할 수 있다. 이때의 분광 검출부(6)의 출력은, 일괄하여 어닐링 처리된 복수의 처리 영역(Sn) 전체의 분광 특성이며, 그 중의 개개의 처리 영역(Sn)에 대한 확인을 행하는 것은 아니다.
레이저 어닐링 장치(1)는, 처리 대상 기판(W) 상의 처리 영역(Sn)의 위치를 주사하는 처리 영역 주사부(8)를 구비하고 있다. 도시의 예에서는, 처리 영역 주사부(8)는 처리 대상 기판(W)을 처리 영역(Sn)에 조사되는 레이저광의 광축에 교차하는 2차원 평면 내에서 이동시키고 있지만, 이것에 한정하지 않고, 처리 대상 기판(W)을 고정하여 레이저광 조사 광학계(3) 및 조명 광학계(5)를 이동시켜 처리 영역(Sn)에 조사되는 레이저광 및 조명광을 처리 대상 기판(W)에 대하여 주사하는 것이어도 된다. 또, 처리 영역 주사부(8)의 주사는 연속적인 주사여도 되며, 처리 대상 기판(W) 상의 처리 영역(Sn)의 위치를 1회의 어닐링 처리마다 시프트시키는 간헐적인 주사여도 된다. 처리 영역 주사부(8)의 주사에 의하여 처리 대상 기판(W)의 전체에 배치되는 처리 영역(Sn)이 수시로 어닐링 처리되게 된다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치를 나타내고 있다. 도 2에 나타낸 예와 공통되는 부위에는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략한다. 이 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치(1A)는, 검출 광학계(7)에 있어서 결상 광학계(70)와 선택 광투과부(블라인드)(71)를 구비하고 있다. 결상 광학계(70)는, 마이크로 렌즈 어레이(35)와 협동하여 처리 대상 기판(W)의 처리 영역(Sn)의 상을 선택 광투과부(71)가 배치되는 분광 검출부(6)의 전방 위치에 결상 하고 있다. 또, 선택 광투과부(71)는, 여기에 결상되는 복수의 처리 영역(Sn)의 상 중 특정의 처리 영역(Sn)만의 상에 대응한 개구부를 마련하여 선택적으로 반사광을 투과시키고 있다.
이와 같은 레이저 어닐링 장치(1A)에 의하면, 도 2에 나타낸 예와 마찬가지로, 레이저광원(2)으로부터 출사된 레이저광을 처리 대상 기판(W)의 처리 영역(Sn)에 조사함으로써, 처리 영역(Sn)에 레이저 어닐링 처리를 실시하고, 그 처리 영역(Sn)에 조명 광원(4)으로부터 출사된 조명광을 조사하여, 레이저 어닐링 처리가 이루어진 직후에 그 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광을 분광 검출부(6)에서 검출함으로써, 어닐링 처리가 적정하게 행해져 있는지 아닌지의 확인을 행한다.
그때에, 도 4에 나타낸 레이저 어닐링 장치(1A)에서는, 분광 검출부(6)가, 마이크로 렌즈 어레이(35)를 통하여 레이저광이 조사되는 모든 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광으로부터, 특정의 처리 영역(Sn)에서 반사된 광을 선택적으로 검출한다. 이로써, 마이크로 렌즈 어레이(35)를 통하여 복수의 처리 영역(Sn)을 일괄하여 어닐링 처리하는 경우에도, 개개의 처리 영역(Sn)의 어닐링 처리가 적정하게 행해져 있는지 아닌지를 개별적으로 확인하는 것이 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 관한 레이저 어닐링 장치(1, 1A) 및 레이저 어닐링 방법에 의하면, 처리 영역(Sn)을 어닐링 처리한 직후에 처리 영역(Sn)에서 반사된 가시광역의 광의 분광 특성에 의하여 어닐링 처리가 적정하게 이루어져 있는지 아닌지를 확인할 수 있다. 이로써, 처리 대상 기판(W) 전체에 대하여 레이저 어닐링 처리를 진행시키면서, 동시 진행으로 레이저 어닐링 처리가 적정하게 행해졌는지 아닌지의 확인을 행할 수 있고, 이 확인 공정을 단시간에 효율적으로 행할 수 있다. 또, 이와 같은 레이저 어닐링 장치(1, 1A) 및 레이저 어닐링 방법을 이용하여 TFT 기판의 제조를 행함으로써, TFT 기판의 생산성 향상을 도모할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명해 왔지만, 구체적인 구성은 이들 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위의 설계의 변경 등이 있어도 본 발명에 포함된다. 또, 상술의 각 실시형태는, 그 목적 및 구성 등에 특별히 모순이나 문제가 없는 한, 서로의 기술을 유용(流用)하여 조합하는 것이 가능하다.
1, 1A: 레이저 어닐링 장치
2: 레이저광원
2A, 2B: 펄스 레이저광원
3: 레이저광 조사 광학계
30, 33: 미러
31: 다이크로익 미러
32: 빔호모지나이저
34: 마스크
35: 마이크로 렌즈 어레이
4: 조명 광원(백색 광원)
5: 조명 광학계
50, 51: 하프 미러
6: 분광 검출부
6A: 분광기
6B: 검출기
7: 검출 광학계
70: 결상 광학계
71: 선택 광투과부(블라인드)
8: 처리 영역 주사부
W: 처리 대상 기판
Sn: 처리 영역

Claims (13)

  1. 레이저광원과,
    상기 레이저광원으로부터 출사된 레이저광을 처리 대상 기판의 처리 영역에 조사하는 레이저광 조사 광학계와,
    가시광역의 조명광을 출사하는 조명 광원과,
    상기 조명 광원으로부터 출사된 광을 상기 처리 영역에 조사하는 조명 광학계와,
    상기 레이저광으로 어닐링 처리가 이루어진 상기 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광을 검출하여, 그 분광 특성을 출력하는 분광 검출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 레이저광 조사 광학계는, 복수의 상기 처리 영역에 동시 또한 개별적으로 상기 레이저광을 집광하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 분광 검출부는, 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통하여 상기 레이저광이 조사되는 모든 상기 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광을 검출하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 분광 검출부는, 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통하여 상기 레이저광이 조사되는 모든 상기 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광으로부터 특정의 처리 영역에서 반사된 광을 선택적으로 검출하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 분광 검출부의 전방에는, 상기 분광 검출부의 전방 위치에 상기 처리 영역의 상을 결상하는 결상 광학계와, 상기 전방 위치에서 상기 특정의 처리 영역에서 반사된 광만을 투과시키는 선택 광투과부를 마련한 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 대상 기판 상의 상기 처리 영역의 위치를 주사하는 처리 영역 주사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 장치.
  7. 처리 대상 기판의 처리 영역에 레이저광을 조사하여 어닐링 처리를 실시하는 처리 공정과,
    상기 처리 영역에 가시광역의 조명광을 조사하여, 상기 어닐링 처리 직후에 상기 처리 영역에서 반사된 가시광역의 광을 검출하여, 그 분광 특성을 출력하고, 상기 처리 영역의 어닐링 처리가 적정하게 이루어져 있는지 아닌지를 그 분광 특성에 의하여 확인하는 확인 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    어닐링 처리의 대상이 진공 성막에 의하여 형성된 반도체막인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 반도체막이 기상 성장법으로 형성된 어모퍼스 실리콘인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 반도체막이 스퍼터링법으로 형성된 금속 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    어닐링 처리의 대상이 도포에 의하여 형성된 반도체막인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    레이저 어닐링의 대상이 도포에 의하여 형성된 실리콘 미립자로 이루어지는 박막인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    레이저 어닐링의 대상이 도포에 의하여 형성된 금속 산화물로 이루어지는 박막인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 방법.
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