KR20190005862A - 플랫 패널 디스플레이에 대한 섬유 레이저 어닐링된 다결정질 실리콘 막의 형태학적 특징을 측정하는 공정 및 시스템 - Google Patents

플랫 패널 디스플레이에 대한 섬유 레이저 어닐링된 다결정질 실리콘 막의 형태학적 특징을 측정하는 공정 및 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20190005862A
KR20190005862A KR1020187032262A KR20187032262A KR20190005862A KR 20190005862 A KR20190005862 A KR 20190005862A KR 1020187032262 A KR1020187032262 A KR 1020187032262A KR 20187032262 A KR20187032262 A KR 20187032262A KR 20190005862 A KR20190005862 A KR 20190005862A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
laser
diffraction
particles
monochromatic light
Prior art date
Application number
KR1020187032262A
Other languages
English (en)
Inventor
플로리안 후버
알렉산더 리마노프
다델젠 마이클 본
댄 페를로프
에드워드 치딜코브스키
존 힉스
Original Assignee
아이피지 포토닉스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이피지 포토닉스 코포레이션 filed Critical 아이피지 포토닉스 코포레이션
Publication of KR20190005862A publication Critical patent/KR20190005862A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4788—Diffraction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B23K26/0821—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02592—Microstructure amorphous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/063—Illuminating optical parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/10—Scanning
    • G01N2201/105—Purely optical scan

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

입자에 대해 균일한 길이(Lg) 및 폭(Wg)을 각각 갖는 나란히 위치된 입자의 적어도 1개의 열에 의해 형성되는 결정질 구조를 갖는 레이저 어닐링된 막의 형태학적 특징을 측정하는 방법이며, 열의 길이(Lr)는 입자의 누적 폭(Wg)에 대응하고 다양한 차수의 회절의 회절을 생성하고, 상기 방법은 단색광을 생성하는 단계; 0o(입사각)과 그레이징각 사이의 범위에서 변화하는 각도로 레이저 어닐링된 막의 표면에 단색광을 지향시키는 단계; 및 표면으로부터 회절된 단색광의 특성의 변동을 측정함으로써, 1개의 열의 길이(Lr)를 따른 레이저 어닐링된 막의 형태학적 특징을 측정하는 단계를 포함하는 방법.

Description

플랫 패널 디스플레이에 대한 섬유 레이저 어닐링된 다결정질 실리콘 막의 형태학적 특징을 측정하는 공정 및 시스템
본 개시내용은 플랫 패널 디스플레이의 제작에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 본 개시내용은 저온 폴리실리콘 어닐링(LTPS) 방법에 의해 제조되는 석영 기판 상의 폴리-실리콘(p-Si) 막의 광학적 균등성을 결정하는 레이저-기반 방법 및 시스템에 관한 것이다.
플랫 패널 디스플레이(FPD) 제작 환경은 세계에서 가장 경쟁적이며 기술적으로 복잡한 것 중 하나이다. 박막 트랜지스터(TFT) 기술은 도 1에 도시된 바와 같은 고해상도의 고성능 액정 디스플레이(LCD) 또는 여기에서 특히 관심이 있는 유기 발광 다이오드(OLED) 중 어느 하나일 수 있는 FPD를 위한 기초이다. TFT 디스플레이 회로는 비정질 실리콘("a-실리콘 또는 a-Si")의 얇은 반투명층 상에 형성되며 각각의 픽셀에 대응하도록 상기 층을 가로질러 백플레인에 배치된다.
업계는 a-Si보다 대략 100배 큰 캐리어 이동성을 갖는 폴리-Si를 사용하여 픽셀 크기를 실질적으로 감소시키고, 개구율을 향상시키며, 픽셀 해상도를 향상시켰다. 폴리-Si의 이들 특성의 결과로서, 휴대용/모바일 전자 기기는 이제 고해상도 플랫 패널 디스플레이를 특징으로 한다.
결정화(어닐링)를 통해 a-Si를 폴리-Si로 변환하기 위한 2개의 기본적으로 상이한 접근법이 존재한다. 한가지는 열 어닐링(TA) 접근법이고, 다른 것은 본 개시내용의 주제의 일부인 저온 폴리-실리콘 어닐링(LTPS) 접근법이다. 후자에서, a-Si는 처음에 열적으로 처리되어 액상 비정질 Si로 변환되고, 그 후 소정의 시간 동안 용융된 상태로 유지된다. 용융된 상태를 유지하는데 충분한 온도 범위는 처음에 형성된 다결정자(poly-crystallite)가 성장하여 결정화되는 것을 허용하도록 선택된다. LTPS 접근법은 2개의 일반적 방법 - 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing)(ELA) 및 순차 측방 고상화(SLS) - 에 기초한다. 후자는 본 개시내용의 p-Si 막을 생성하기 위해 사용되는 방법이며 그 전문이 본원에 통합되는 공동 소유 미국 출원 14790170에 상세하게 설명되어 있다.
능동형 매트릭스 유기 발광 디스플레이(AM OLED)는 컬러 유기 또는 폴리머 재료에 전기 신호를 적용함으로써 광을 출력하는 자발광 장치이다. 그에 따라, OLED는 전류 구동형 장치임에 비하여, LCD 기술은 전압 구동형이다. 능동형 매트릭스(AM) 상의 박막 트랜지스터(TFT)의 균일하고 안정적인 임계 전압(Vth) 분포는 인간 눈에의 양호한 시각적 인상을 위해 필수적이다. 그러므로, AM OLED의 수명은 발광 재료뿐만 아니라 p-Si 백플레인의 신뢰성에 의해서도 결정된다. 요구되는 고 TFT Vth 균일성은 따라서 공통적인 LCD LTPS 백플레인에 비해 더 높은 정도의 결정 균등성을 갖는 p-Si 막을 위한 필요조건이다.
유리 상에 p-Si 막을 형성하는 단계는 전체 OLED FPD 제조 공정의 가장 초기 단계 중 하나이다. 따라서, 모든 이후의 공정 단계가 완벽하게 행해지더라도, 이 기본적인 p-Si 형성 단계가 규격으로부터 벗어나면 변동으로 인해 불가피한 수율 손실이 발생할 것이다.
그러므로, p-Si 막의 불균등성을 정량적으로 결정하는 방법에 대한 필요성이 존재한다.
필요한 방법을 구현하도록 구성되는 시스템에 대한 다른 필요성이 존재한다.
본 발명 방법 및 시스템은 이하의 도면에 의해 도시된다.
도 1a는 레이저 어닐링된 p-Si 샘플의 이미지이다.
도 1b는 샘플의 저해상도 현미경 이미지이다.
도 1c는 각 열이 복수의 입자에 의해 형성되어 있는 상태의 2-열 레이저 어닐링된 p-Si 샘플의 도식도이다.
도 1d는 개별 입자의 도식적 평면도이다.
도 2는 본 발명 시스템의 광학적 개요이다.
도 3은 도 3의 본 발명 개요에 사용된 스캐닝 방향을 도시하는 샘플의 정면도이다.
도 4는 도 2의 시스템에서 사용되는 회절 각도를 결정하기 위한 시스템의 광학적 개요이다.
도 5는 0.7 mm 레이저 빔으로 도 2의 시스템에 의해 처리된 1개의 샘플의 미가공 이미지이다.
도 6은 도 5의 샘플의 처리에 사용되는 회절 격자의 강도를 도시하는 스케일이다.
도 7은 2 mm 레이저 빔으로 도 2의 시스템에 의해 처리된 다른 샘플의 미가공 이미지이다.
도 8은 도 7의 샘플의 처리에 사용되는 회절 격자의 강도를 도시하는 스케일이다.
도 9a는 0.7 mm 레이저 빔에 의해 얻어진 몇몇 열에 걸친 공간 격자 강도 분포이다.
도 9b는 0.7 mm 레이저 빔에 의해 얻어진 단일 열에 걸친 공간 격자 강도 분포이다.
도 10a는 2 mm 레이저 빔에 의해 얻어진 몇몇 열에 걸친 공간 격자 강도 분포이다.
도 10b는 2 mm 레이저 빔에 의해 얻어진 단일 열에 걸친 공간 격자 강도 분포이다.
도 11은 개시된 레이저 어닐링 시스템의 직각 모습이다.
이제 개시된 시스템에 대해서 상세하게 기재한다. 가능한 경우에는, 동일하거나 유사한 부품 또는 단계를 언급하기 위해서 도면 및 설명에서 동일하거나 유사한 참조 번호를 사용한다. "결합" 및 유사 단어는 반드시 직접적 및 즉각적 연결을 나타내는 것은 아니고 중간 요소 또는 장치를 통한 연결도 포함한다. 도면은 간략화된 형태이며 정확한 스케일은 아니다.
도 1a 및 도 1b를 참고하면, SiO2 기판 상의 비정질 실리콘(a-Si) 박막의 레이저-어닐링은 다결정질 (p-Si) 막(10)을 생성한다. 이 막은 OLED 스크린의 생성을 위한 기초 재료로서 사용될 수 있다.
얕은 각도하에 그리고 가시선을 따라 백색광으로 막(10)을 조명함으로써, 무지개 유사 컬러 패턴이 가시화된다. 특히, 적당한 배율(Leica Z16 APO, 동축 조명) 하에 mm 폭 스트라이프에 수직인 주기적인 선이 나타나기 시작한다(도 1b). 높은 배율(Olympus BX51, 투과 및 DIC-모드)은 재용융 공정의 빔 시프트/스텝에 대응하는 0.7μm 간격의 주기적인 선의 밴드를 드러낸다. 이 패턴은 그 작동 원리가 광학 분야의 통상의 기술자에게 잘 알려져 있는 회절 격자로서 작용하는 A-A 방향의 아래에 있는 주기적인 구조를 나타낸다.
회절 격자의 존재는 형태학적 특징, 즉 p-Si 막(10)을 특징짓는 소정의 특성이 측정될 수 있음을 나타낸다. 이들 측정에 기초하여, "양호한 패널", 즉 광학적 불균등성의 원하는 허용도에 의해 특징지어 지는 패널을 분류하기 위한 허용 범위가 수립될 수 있고 대량 생산 레이저 어닐링 장치에서 사용될 수 있다. 후자는 전하 운반체의 전기적인 이동성의 균일성 및 궁극적으로는 FPD의 원하는 성능에 중요하다.
도 1b를 구체적으로 참고하면, p-Si 막(10)의 확대된 이미지의 토포그래피는 A-A 방향으로, 즉 맞닿아 있는 나란한 열(12)의 길이(Lr)를 따라 서로 맞닿는 다수의 열(12)을 포함한다. 볼 수 있는 바와 같이, 각각의 열(12)은 일반적으로 열 폭(Wr)을 갖는 균일한 직사각형 단면을 갖는다.
도 1c는 2개의 열(12)을 갖는 것으로 도시된 막(10)의 고도의 도식도이다. p-Si의 결정질 구조는 다소 이상적인 직사각형 형상을 각각 갖는 복수의 입자(14)를 갖도록 도식적으로 도시되어 있다. 실제로, 형상은 도시된 형상과 상이할 수 있다. 그러나, 이상적이든 아니든 간에, 입자(14)는 각각 도 1d의 단일 입자(14)에서 더 잘 보이는 입자 폭(Wg) 및 길이(Lg)를 갖는다.
개시된 열 및 입자 지오메트리에 대한 이러한 상세한 설명은 주기적인 구조, 즉 각 열(12)의 길이(Lr)를 형성하는 회절 격자를 설명하는데 매우 중요하다. 따라서, 도 1c를 참조하면, 열(12)의 길이(Lr)는 각 입자(14)의 폭(Wg)의 합이다. 입자의 길이(Lg)는 모든 입자에 대해 균일하다; 이는 레이저 어닐링 시스템에서 사용되는 어닐링 빔의 긴 축선에 대응하며, 따라서 각 열(12)의 폭(Wr)을 형성한다.
도 2는 p-Si 막(10)의 형태학적 특징을 측정하도록 구성되는 본 발명 시스템(20)을 도시한다. 상기 막은 인접하는 입자(14)의 맞닿아 있는 긴 변(Lg)의 적어도 1개의 열(12)에 의해 형성되는 결정질 구조에 의해 특징지어 진다. 다양한 차수의 회절은 열 길이(Lr)를 따라 생성된다. 시스템(20)은 격자의 강도를 나타내는 회절된 광의 파워를 측정할 수 있다.
시스템(20)은 연속파(CW), 준-CW 또는 펄스 방식으로 동작하도록 구성될 수 있는 레이저 소스(22)를 포함하며, 임의의 원하는 파장, 예를 들어 532nm에서 단색 또는 매우 좁은 대역의 광 빔(24)을 출력한다. 일례로서만 주어지지만, 빔(24)은 40μm 빔 직경을 갖는다. 빔(24)은 샘플(10)의 표면에 집속되며, 특성의 변동의 측정의 원하는 공간적인 해상도에 관련되는 풋프린트를 갖는다. 집속된 입사 빔(24)은 주기적인 구조의 리지, 즉 회절 격자에 소정 각도로 충돌한다. 리지는 동일한 열의 인접하는 입자 사이의 계면에 형성된다. 회절된 빔은 임의의 차수의 회절 피크, 예를 들어 1차 회절 피크의 각각의 강도를 결정하기 위해서 측정된다. 실험에서, 입사각은 약 50°이다. 일반적으로, 이 각도는 0°와 그레이징각 사이에서 달라질 수 있다. 바람직하게는, 각도는 유리 기판의 다중 반사에 의해 유발되는 아티팩트를 회피하도록 선택된다.
포토-센서(26)는 격자 공간 강도의 측정을 위해 사용되며, 스캐닝 계획에 따라 포토다이오드 또는 CCD로부터 선택될 수 있다. 측정에 기초한 데이터는, 중앙 처리 유닛(28)에 수집되며, 여기에서 막(10)의 광학적 불균등성의 정도를 특징 짖기 위해 저장, 처리 및 표시된다. 이어서, 이 데이터는 도 11을 참조하여 본원에서 논의된 바와 같이 레이저 어닐링 공정에 의해 대량 생산에서 사용되는 허용가능한 파라미터의 범위를 결정하는데 사용될 수 있다.
열(12)의 길이(Lr)를 형성하는 다수의 입자(14)는 도 3의 길이 방향(Y)에서의 샘플(14)의 표면을 스캐닝한 결과로서 형성된다. 시험에서, 샘플(10)은 레이저 어닐링된 막을 지지하는 2차원 병진 스테이지에 배치된다. 스테이지는 조명된 열(14)에 의해 형성되는 막(10)의 원하는 영역을 래스터-스캐닝하는 빔(24)에 대해 샘플을 변위시킨다. 그러나, 래스터-스캐닝은, 빔이 샘플에 대해 변위될 수 있게 하거나 샘플 및 빔 모두가 도 3의 Y 좌표를 따라 반대 방향으로 이동될 수 있게 하는 주지의 기술에 의해 행해질 수 있다. 공지된 스캐닝 기술은 포토다이오드(26)와 함께 갈바노미터, 스캐닝 폴리곤, 또는 음향-광학 편향기를 포함할 수 있다.
레이저-어닐링된 막의 원하는 영역은 렌즈에 의해 원하는 회절 차수에서 CCD와 같은 픽셀 검출기 상에 이미지화될 수 있다. 이렇게 함으로써, 회절 효율, 조명 어레이의 수에 대응하는 회절 각도, 및 회절 광의 편광 상태를 포함하는 회절 광의 측정된 특성의 맵이 생성된다. 위에 나열한 특성을 측정하는데 필요한 구성요소는 통상의 기술자에게 주지되어 있다.
수많은 실험에서 사용된 시스템(20)에 의해 행해지는 장치 및 공정 단계는 1차 회절 피크에서의 회절 광의 강도의 측정에 기초한다. 이것은 유리 기판의 다중 반사에 의해 유발되는 아티팩트를 회피하기 위해 약 50°의 입사각에서 행해진다. 간섭 효과를 더 줄이기 위해, 샘플의 후면을 제거가능한 페인트로 검게한다. 그 후 샘플은 샘플 평면에서 스캐닝된다.
개시된 개념은 물론 주기적인 구조를 분석하는 것을 포함한다. 특히, 도 4에 도시된 바와 같이, 도 3의 시스템(20)은 543 nm 레이저 빔의 수직 입사에 대한 반사 및 투과의 (±) 1차 회절 차수의 각도(θi)의 측정을 위해 약간 수정되었다. 격자의 간격(d)은 다음과 같이 회절과 관련된다:
Figure pct00001
여기서 계산된 격자 간격은 현미경적으로 결정된 값과 동일한 0.70μm이다.
도 5 및 도 7은 불완전하게 편평한 샘플을 야기하는 에러를 감소시키기 위해 약 1mm의 공간 차단 주파수를 갖는 고역 통과 필터를 이용함으로써 이미지를 후-처리하는 것에 관한 것이다. 특히, 도 5 및 도 7은 0.7mm(도 5) 및 2mm 빔 크기(도 7)에 의한 2개의 처리된 샘플의 각각의 미가공 이미지를 도시한다. 도시된 샘플은 각각의 격자 스케일을 나타내는 도 6 및 도 8의 각각의 스케일을 수반한다.
도 9a 내지 도 9b 및 도 10a 내지 도 10b는 각각의 도 5 및 도 7에 도시된 샘플의 공간 격자 강도 분포의 가시화를 제공한다. 도 9a를 구체적으로 참조하면, 도 5의 샘플의 이미지는, 0.7 mm 레이저 빔으로 도 5의 다수의 열(14)을 포함하는 막의 원하는 영역을 스캐닝하는 동안 얻어진 결과에 대응한다. 도 9b는 동일한 0.7 mm 빔에 의한 단일 열(14)의 래스터-스캐닝에 기초한 결과를 도시한다. 도 10a 및 도 10b는 도 7 및 도 8의 이미지에 대응하는 2 mm 레이저 빔에 의한 다중-열 스캐닝된 영역 및 단일 열 영역의 각각의 결과를 도시한다. 도 2, 도 7 및 도 9a 내지 도 10b의 개시된 처리된 샘플의 상기 개시된 단계는 도 5 및 도 7의 각각의 샘플의 격자 강도를 비교할 때 정량적 측정을 나타내는 다음의 표에 요약되어 있다.
Figure pct00002
여기서, p-p는 피크 대 피크(peak to peak)이고, a.u는 임의 단위이다.
이제 도 11을 참조하면, 상기 개시된 방법 및 시스템은 미국 특허 출원 번호 .....에 상세하게 개시된 레이저 어닐링 시스템(50)에 의해 어닐링된 p-Si 막의 형태학적 특징을 결정하기 위한 독립형 장치로서 기능할 수 있다. 대안적으로, 시스템 (20) 및 그 변형은 시스템(50)에 통합될 수 있다. 후자는 펄스 빔을 출력하는 레이저 소스(도시하지 않음)를 포함한다. 빔은 몇몇 광학 유닛을 통한 빔 경로를 따라 안내되며, 그 중 일부는 간략히 개시된다. 먼저, 빔은 그 짧은 축선과 긴 축선을 따라 펄스 광 빔을 순차적으로 시준하도록 동작하는 시준 유닛을 통해 안내된다. 그 후, 시준된 빔은 마스크 직전의 마스크 평면에서 지향되고 집속되는 균일한 선형 빔을 제공하도록 동작하는 유닛에서 균등화된다. p-Si로 변환될 a-Si의 막은 빔과 막 사이의 상대적인 변위를 제공하는 스테이지에 배치된다.
본 발명 시스템(20)으로 되돌아가면, 그것은 막에 대향하는 비정질의 제거된/결정화된 부분에 레이저 빔(24)(도 3)의 결합을 제공하는 위치일 수 있다. 이 체계는 수립된 규격이나 범위 내에 있지 않은 이미 결정화된 부품의 소정의 특성을 검출할 수 있게 한다. 전체 막의 작은 부분이 규격을 벗어난 특성을 갖는 것으로 결정되면, 어닐링 시스템의 구성요소에 피드백을 제공하고 기본적으로 실시간으로 "불량" 특성을 조정할 수 있다. 이러한 접근법은 나머지 "양호한" 막이 FPD를 제조하는 공정에서 더 사용될 수 있게 한다. 그러나, 전체 막의 더 큰 부분이 불만족스럽다고 결정되면, 이 막은 FPD 제조의 나머지 부분이 얼마나 잘 수행되는지에 관계없이 손실이 발생하지 않도록 전체적으로 폐기될 수 있다. 대안적으로, 시스템(50)은 전형적으로 정기적으로 조정되는 것이 알려져 있다. 이 경우, 시스템(20)에 의해 처리된 교정 샘플은 시스템(50)의 파라미터를 조정하는데 사용된다.
요약하면, 광학적 불균등성은 인접한 입자(14) 사이의 피크-대-피크 변동을 감소시킴으로써 그리고/또는 아마도 스텝 크기를 무작위화함으로써 구조의 주기성을 파괴함으로써 잠재적으로 최소화될 수 있다.
첨부된 도면을 참조하여 본 개시내용의 바람직한 실시형태 중 적어도 하나를 설명하였지만, 본 개시내용은 이들 정확한 실시형태로 한정되지 않으며, 첨부된 청구항에 규정된 바와 같은 본 개시내용의 범위 또는 사상 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변경, 변형 및 적응이 달성될 수 있다는 것을 이해해야 한다.

Claims (18)

  1. 입자에 대해 균일한 길이(Lg) 및 폭(Wg)을 각각 갖는 나란히 위치된 입자의 적어도 1개의 열에 의해 형성되는 결정질 구조를 갖는 레이저 어닐링된 막의 형태학적 특징을 측정하는 방법이며, 열의 길이(Lr)가 입자의 누적 폭(Wg)에 대응하고 다양한 차수를 갖는 회절을 생성하며, 상기 방법은,
    단색광을 생성하는 단계;
    단색광을 0o(입사각)과 그레이징각 사이의 범위에서 변화하는 각도로 레이저 어닐링된 막의 표면에 지향시키는 단계; 및
    표면으로부터 회절된 단색광의 특성의 변동을 측정함으로써, 1개의 열의 길이(Lr)를 따른 레이저 어닐링된 막의 형태학적 특징을 측정하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 막은 폴리실리콘(p-Si) 막이며, 상기 레이저 어닐링된 막의 원하는 영역을 누적적으로 형성하고 열 폭(Wr) 및 열 길이(Lr)에서 인접하는 하나 및 추가의 열의 어레이를 갖는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 특성의 변동의 측정의 원하는 공간적인 해상도에 관련된 풋프린트를 갖는 지향된 단색광으로 레이저 어닐링된 막의 원하는 영역을 래스터-스캐닝하는 단계를 더 포함하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 원하는 회절 차수로 픽셀 검출기 상에 이미지화되는 레이저-어닐링된 막의 원하는 영역을 조명함으로써, 변동을 측정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 원하는 영역을 조명하는 단계는 상기 지향된 단색광의 회절 차수의 이미지화를 포함하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 회절 광의 측정된 특성의 맵을 생성하는 단계를 더 포함하며, 상기 특성은 회절 효율, 조명 어레이의 수에 대응하는 회절 각도, 및 회절 광의 편광 상태를 포함하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회절 광의 측정된 특성의 공차 범위를 결정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 복수의 레이저 어닐링된 열의 분포된 불균등성(MURA)을 결정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    레이저 어닐링 공정 동안의 레이저 어닐링된 막의 측정된 특성을 공차 범위와 비교하는 단계, 및
    회절 광의 측정된 특성 중 임의의 것이 공차 범위 외인 경우 레이저 어닐링 공정을 중단하는 제어 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    나머지 막이 어닐링되고 있는 동안에, p-Si 막으로 변환된 비정질 실리콘 막의 일부의 레이저 어닐링 공정 동안, 측정된 특성을 공차 범위와 비교하는 단계,
    측정된 특성 중 임의의 것이 공차 범위 외인 경우 실시간으로 제어 신호를 생성하는 단계, 및
    상기 특성이 상기 범위 내에 오도록 레이저 어닐링 공정의 파라미터를 조정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  11. 입자에 대해 균일하고, 열의 폭(Wr)을 형성하는 길이(Lg)를 각각 갖는 나란히 위치된 입자의 적어도 1개의 열에 의해 형성되는 결정질 구조를 갖는 레이저 어닐링된 막의 형태학적 특징을 측정하는 시스템이며, 열의 길이(Lr)가 입자의 누적 폭(Wg)에 대응하고 다양한 회절 차수의 회절을 형성하며, 상기 시스템은,
    단색광의 레이저 소스;
    단색광을 소정의 각도로 레이저 어닐링된 막의 표면에 지향시키는 안내 광학계;
    회절된 단색광의 특성의 변동을 측정하고 신호를 생성하도록 구성되는 센서; 및
    센서로부터의 신호를 수신하고 1개의 열을 따른 입자의 불균등성을 결정하도록 동작하는 처리 유닛을 포함하는 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 레이저 소스는 원하는 영역을 누적적으로 형성하는 열의 어레이를 제공하도록 상기 막을 레이저-어닐링하도록 동작하며, 상기 열은 열 폭(Wr) 및 열의 길이(Lr)에서 인접하는 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 특성의 변동의 측정의 원하는 공간적인 해상도에 관련된 풋프린트를 갖는 지향된 단색광으로 레이저 어닐링된 막의 원하는 영역을 래스터-스캐닝하도록 동작하는 스캐너를 더 포함하는 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 스캐너는 갈바노미터, 스캐닝 폴리곤, 또는 음향-광학 편향기를 포함하며, 상기 센서는 포토다이오드인 시스템.
  15. 제11항에 있어서, 스캐너는 이미지화 시스템을 포함하고, 상기 이미지화 시스템은 레이저 어닐링된 막으로부터 이격되어 있는 픽셀 검출기를 포함하는 센서, 및 단색광으로 조명되는 원하는 영역과 조명된 원하는 영역을 픽셀 검출기에 이미지화하는 렌즈 사이의 이미지화 렌즈로 구성되며, 픽셀 검출기는 전하 결합 장치(CCD)인 시스템.
  16. 제11항에 있어서, 회절 광의 측정된 특성은 회절 효율의 측정된 불균등성, 회절 각도(조명 어레이의 수) 및 회절 광의 편광 상태를 포함하는 시스템.
  17. 제11항에 있어서, 처리 유닛은 상기 회절 광의 특성의 측정된 불균등성의 공차 범위를 결정하도록 동작하는 시스템.
  18. 유리 기판 상의 비정질 실리콘(a-Si) 막을 어닐링하는 레이저 어닐링 시스템이며,
    a-Si 막 아래에 있는 지지부;
    펄스 광 빔을 출력하는 섬유 레이저 소스;
    펄스 광 빔을 짧은 축선과 긴 축선을 따라 순차적으로 시준하도록 동작하는 시준 유닛;
    마스크 평면에 지향되는 균일한 선형 펄스 빔을 제공하기 위해 시준된 레이저 빔을 처리하도록 동작하는 균등화 유닛;
    균일한 선형 빔을 막에 대향하는 마스크 평면에 집속하도록 동작하는 집속 유닛;
    a-Si 막을, 입자에 대해 균일한 길이(Lg) 및 폭(Wg)을 각각 갖는 나란히 위치된 입자의 적어도 1개의 열에 의해 형성되는 다결정질 실리콘(p-Si) 결정질 구조의 막으로 변환하도록, p-Si 막을 갖는 지지부와 균일한 선형 빔을 서로에 대해 변위시키도록 동작하는 액추에이터로서, 열의 길이(Lr)가 입자의 누적 폭(Wg)에 대응하고 다양한 회절 차수의 회절을 형성하는, 액추에이터; 및
    제11항 내지 제17항에서 언급된 바와 같은 p-Si 막의 불균등성을 정량적으로 결정하도록 동작하는 시스템을 포함하는 레이저 어닐링 시스템.
KR1020187032262A 2016-05-11 2017-05-08 플랫 패널 디스플레이에 대한 섬유 레이저 어닐링된 다결정질 실리콘 막의 형태학적 특징을 측정하는 공정 및 시스템 KR20190005862A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662334881P 2016-05-11 2016-05-11
US62/334,881 2016-05-11
PCT/US2017/031574 WO2017196737A1 (en) 2016-05-11 2017-05-08 Process and system for measuring morphological characteristics of fiber laser annealed polycrystalline silicon films for flat panel display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190005862A true KR20190005862A (ko) 2019-01-16

Family

ID=60267515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187032262A KR20190005862A (ko) 2016-05-11 2017-05-08 플랫 패널 디스플레이에 대한 섬유 레이저 어닐링된 다결정질 실리콘 막의 형태학적 특징을 측정하는 공정 및 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200321363A1 (ko)
EP (1) EP3433601A4 (ko)
JP (1) JP2019521321A (ko)
KR (1) KR20190005862A (ko)
CN (1) CN109154562A (ko)
WO (1) WO2017196737A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7366150B2 (ja) * 2019-04-16 2023-10-20 アペラム 材料の表面上に虹色効果を生み出すための方法および該方法を実施するためのデバイス

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308009A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非単結晶膜、非単結晶膜付き基板、その製造方法及びその製造装置並びにその検査方法及びその検査装置並びにそれを用いた薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置
US20030017658A1 (en) * 2000-02-15 2003-01-23 Hikaru Nishitani Non-single crystal film, substrate with non-single crystal film, method and apparatus for producing the same, method and apparatus for inspecting the same, thin film trasistor, thin film transistor array and image display using it
DE60143347D1 (de) * 2000-03-22 2010-12-09 Axela Inc Verfahren und vorrichtung zur bestimmung mehrerer analyten
JP5091378B2 (ja) * 2001-08-17 2012-12-05 株式会社ジャパンディスプレイセントラル レーザアニール方法及びレーザアニール条件決定装置
US20040097103A1 (en) * 2001-11-12 2004-05-20 Yutaka Imai Laser annealing device and thin-film transistor manufacturing method
CN1238708C (zh) * 2003-01-15 2006-01-25 友达光电股份有限公司 一种监测激光再结晶制程的方法
DE102004025331B4 (de) * 2004-05-19 2006-08-24 Georg Andreas Huber Arbeitsgerät zum Verbinden von Zuschnitten aus Flachmaterial
JP2006330071A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Fujifilm Holdings Corp 線状ビーム生成光学装置
JP5520431B2 (ja) * 2005-09-02 2014-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7700463B2 (en) * 2005-09-02 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7573584B2 (en) * 2006-09-25 2009-08-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
KR101161630B1 (ko) * 2008-06-12 2012-07-02 가부시키가이샤 아이에이치아이 레이저 어닐링 방법 및 레이저 어닐링 장치
JP5444053B2 (ja) * 2010-03-15 2014-03-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 多結晶シリコン薄膜検査方法及びその装置
JP2012119512A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Hitachi High-Technologies Corp 基板の品質評価方法及びその装置
JP2012243929A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Hitachi High-Technologies Corp 多結晶シリコン薄膜検査方法及びその装置
US20130341310A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-26 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Monitoring method and apparatus for excimer laser annealing process
JP2014063941A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Hitachi High-Technologies Corp 多結晶シリコン膜の検査方法及びその装置
JP5947248B2 (ja) * 2013-06-21 2016-07-06 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の選択方法
TW201512644A (zh) * 2013-09-16 2015-04-01 Ind Tech Res Inst 光學檢測方法及其系統
EP3164885B1 (en) * 2014-07-03 2021-08-25 IPG Photonics Corporation Process and system for uniformly recrystallizing amorphous silicon substrate by fiber laser

Also Published As

Publication number Publication date
EP3433601A4 (en) 2019-11-20
JP2019521321A (ja) 2019-07-25
US20200321363A1 (en) 2020-10-08
WO2017196737A1 (en) 2017-11-16
CN109154562A (zh) 2019-01-04
EP3433601A1 (en) 2019-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100364037C (zh) 半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置
US7326623B2 (en) Method of manufacturing display device
US7247813B2 (en) Crystallization apparatus using pulsed laser beam
KR102154495B1 (ko) 엑시머 레이저 어닐링 제어를 위한 모니터링 방법 및 장치
JP4618360B2 (ja) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
TWI481136B (zh) 控制雷射源能量之照明裝置及方法
US8404498B2 (en) Method of inspecting semiconductor thin film by transmission imaging and inspection device for the same
KR20060043822A (ko) 레이저 결정화장치 및 레이저 결정화방법
KR20170044062A (ko) 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법
KR101352702B1 (ko) 다결정 실리콘 박막 검사 방법 및 그 장치
US7157677B2 (en) Method of picking up sectional image of laser light
CN111052311A (zh) 结晶化监视方法、激光退火装置、及激光退火方法
KR20190005862A (ko) 플랫 패널 디스플레이에 대한 섬유 레이저 어닐링된 다결정질 실리콘 막의 형태학적 특징을 측정하는 공정 및 시스템
US9976969B1 (en) Monitoring method and apparatus for excimer-laser annealing process
CN109478505A (zh) 激光退火加工装置、半导体装置的制造方法及非晶硅的结晶化方法
US20100197050A1 (en) Method of forming semiconductor thin film and inspection device of semiconductor thin film
CN101071758A (zh) 半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置
US20080105825A1 (en) Laser scanning apparatus and method using diffractive optical elements
CN213366530U (zh) 激光退火装置
JP2006093662A (ja) レ−ザ光の断面像の撮像方法及び方法
JP2006032835A (ja) 結晶化状態測定方法および結晶化状態測定装置
JP2010141036A (ja) 結晶化装置用位相シフタ、結晶化装置及び結晶化方法
KR20060085328A (ko) 레이저 장치와 그 검사방법
JP2005072313A (ja) 結晶膜の検査方法および検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application