KR20170024672A - 연성 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 벤딩 센서를 연성 표시장치의 인장 변형 또는 수축 변형되는 층에 내장하여 출력 전압 크기를 증가시키는 연성 표시장치에 관한 것으로, 다수개의 필름 또는 막(층)으로 구성되는 연성 표시장치가 벤딩될 때 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층) 및/또는 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 적어도 2개의 벤딩 센서가 내장된 것이다.

Description

연성 표시장치{Flexible display device}
본 발명은 연성 표시장치에 관한 것으로, 특히 벤딩 센서를 연성 표시장치의 인장 변형 또는 수축 변형되는 층에 내장하여 벤딩 센싱의 출력 전압 크기를 증가시키는 연성 표시장치에 관한 것이다.
대량의 정보를 처리하고 이를 표시하는 디스플레이(Display) 분야가 급속도로 발전해왔고, 여러 가지 다양한 디스플레이 장치가 개발되고 있다.
디스플레이 장치의 예로서 액정 표시장치(LCD: Liquid Crystal Display device), 플라즈마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel device), 전계방출 표시장치(FED: Field Emission Display device), 전기발광 표시장치(ELD: Electro Luminescence Display Device) 등이 개발되어 왔는데, 이러한 디스플레이 장치들은 박형화, 경량화, 저소비 전력화를 추구하는 방향으로 진화하고 있다. 그러나, 상기 언급된 디스플레이 장치들은 제조 공정 중 발생하는 높은 열을 견딜 수 있도록 유리 기판을 사용하므로 경량 박형화나 유연성을 구현하는데 한계가 있었다.
따라서, 최근에는 종래의 유연성이 없는 유리 기판 대신에 플라스틱 필름 등과 같이 접고 펼 수 있는 유연성이 있는 재료를 사용하여 종이처럼 휘어지더라도 디스플레이 성능을 그대로 유지할 수 있게 제조된 연성(flexible) 표시 장치가 차세대 평판표시장치로 부상하고 있다. 이러한 플렉서블 디스플레이 장치는 얇고 가벼울 뿐만 아니라 충격에도 강하고, 휘거나 굽힐 수 있어 접거나 말아서 휴대할 수 있는 장점이 있다. 또한, 다양한 형태로 제작이 가능한 장점을 가지고 있기 때문에 앞으로도 그 활용성이 확대될 수 있다.
이러한, 연성 표시 장치 기술은 실험 단계를 거쳐 이제 대량의 양산을 목전에 두고 있다. 연성 표시에 기반한 연성(flexible) 표시 장치는 종래의 단단한(rigid) 표시 장치를 갖는 전자 기기들과는 다른 새로운 형태의 입출력 인터페이스를 제공할 것으로 예상되며, 이를 통해 더욱 새로운 사용자 경험을 제공할 것으로 기대된다.
최근에, 연성 표시장치의 가장자리에 복수의 벤딩 센서(bending sensor)들을 배치하고, 상기 배치된 복수의 벤딩 센서들로부터 연성 표시장치의 형상을 감지할 수 있는 연성 표시장치의 형상 감지 장치가 제안된 바 있다 (한국공개특허공보 10-2014-0132569호 참조).
도 1은 종래의 복수의 벤딩 센서들이 배치된 연성 표시장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 종래의 계측부의 구성을 나타내는 도면이다. 도 3a 및 도 3b는 스트레인 게이지 회로를 나타내는 도면이고, 도 4는 도 2의 마이크로 프로세서의 세부 구성을 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 연성 표시장치(100)의 가장자리(또는 테두리(edge))를 따라 일정 간격으로 연성 표시 패널의 구부러짐을 감지할 수 있는 벤딩 센서(101, 102)들이 배치된다.
상기 벤딩 센서(101, 102)는 스트레인 게이지(strain gauge)이다. 상기 스트레인 게이지는 물리적인 인장(elongation)과 수축(contraction)에 따라 단자 사이의 저항이 변화하는 특성을 갖는다. 이러한 센서를 이용하여 연성 표시장치(100)의 형상을 감지하기 위해서는 신호처리를 담당하는 계측부가 필요하며 이는 도 2와 같이 구현될 수 있다.
종래의 계측부는 브리지(bridge) 회로(210), 증폭기(amplifier; 220), 아날로그 디지털 변환기(Analog to Digital Converter;ADC)(230) 등을 포함할 수 있다.
상기 브리지 회로(210)는 하나 이상의 스트레인 게이지로 이루어진 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)로 구현된다. 즉, 스트레인 게이지들의 저항 변화량은 대부분 매우 작기 때문에, 도 2에 도시된 바와 같이 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)를 구성하여 저항의 변화를 전압의 변화로 변환한 후 증폭기(220)를 통해 증폭시킨다.
한편, 상기 휘트스톤 브리지는 도 3a에 도시된 바와 같이 스트레인 게이지 하나의 변화를 감지하기 위한 쿼터 브리지(Quarter-bridge) 회로를 사용하거나, 도 3b에 도시된 바와 같이 인장과 수축의 변화가 반대로 일어나는 한 쌍의 스트레인 게이지의 변화를 감지하기 위한 하프 브리지(Half-bridge) 회로를 사용한다. 즉, 도 1의 연성 표시 패널(100)에서 각 벤딩 센서(101, 102)가 배치되는 배치 위치의 양면에 스트레인 게이지 센서를 하나씩 장착할 경우, 두 스트레인 게이지들은 서로 반대 방향의 인장 혹은 수축 변화를 감지하게 되어 센서의 감도가 좋아지는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도 2의 브리지 회로(210)를 도 3a에 도시된 바와 같이 쿼터 브리지 회로로 구성할 경우, R1, R2, R3 및 하나의 스트레인 게이지(330a)가 쿼터 브리지 회로(320a)를 구성할 수 있으며, 전원부(310)의 전원 공급에 의해 각 저항으로 전원이 분배되면, 스트레인 게이지(330a)의 저항 변화에 따라 브리지 회로에서 출력되는 전압의 크기가 달라지게 된다.
또한, 도 2의 브리지 회로(210)를 도 3b에 도시된 바와 같이 하프 브리지 회로로 구성할 경우, R1, R3 및 두 개의 스트레인 게이지(330b)가 하프 브리지 회로(320b)를 구성할 수 있으며, 전원부(310)의 전원 공급에 의해 각 저항으로 전원이 분배되면, 각 스트레인 게이지(330b, 330c)의 저항 변화에 따라 브리지 회로에서 출력되는 전압의 크기가 달라지게 된다. 이러한, 브리지 회로의 출력되는 전압값에 의해 연성 표시장치의 형상을 감지하게 된다.
상기 브리지 회로(210)의 출력 전압은 증폭기(220)로 입력되어 작은 전압 변화를 큰 전압 값으로 증폭되어 아날로그 디지털 변환기(230)에 입력된다. 상기 아날로그 디지털 변환기(230)는 아날로그 신호를 디지털 값으로 변환하여 마이크로 프로세서(microprocessor, 240)로 출력한다. 상기 마이크로 프로세서(240)는 상기 각 센서들로부터 센싱된 측정값으로부터 상기 연성 표시 패널(100)의 형상을 감지한다.
상기 마이크로 프로세서(microprocessor, 240)의 세부 구성은 도 4와 같다.
즉, 상기 마이크로 프로세서(microprocessor, 240)는 잡음 필터부(Noise filter; 402), 채널 보상부(Channel compensator; 403), 변곡점 검출부(Curve Point Detector; 404), 이득 조절부(VGA Gain Conrtroller; 405), 벤딩선 검출부(Bending Line Detector; 406), 기울기 보상부(Slope Compensator; 407), 특징 추출부(Feature Extractor; 408) 등을 포함하여 구성된다.
상기 잡음 필터부(402)는 연성 표시 패널(100)에서 사용자의 구부림 동작 이외의 요인에 의한 센서값의 변화를 의미있는 신호로부터 걸러내기 위한 기능을 수행한다.
상기 채널 보상부(403)는 상기 연성 표시 패널(100)에 배치된 각 센서들 간의 편차를 보상하기 위한 기능을 수행하며, 각 연성 표시 패널(100)들 마다 상이한 센서들 간의 편차를 보상할 수도 있다.
상기 변곡점 검출부(404)는 각 변(테두리)에 일렬로 배치된 센서(101, 102)들로부터 센싱된 측정값(예컨대, 전압 값)을 분석하여 각 테두리(즉, 각 외곽 영역)에 형성된 변곡점의 위치와 특징을 추출한다.
상기 이득 조절부(405)는 상기 변곡점 검출부(404)의 출력 값에 기반하여 각 센서(101, 102)의 출력이 정해진 기준값보다 작거나, 아날로그 디지털 변환기(230)의 입력 범위를 벗어나는 등 증폭기(220)(예컨대, 가변 이득 증폭기)의 이득 조절이 필요한 경우, 적절한 이득 조절 신호를 생성하여, 상기 증폭기(220)로 제공한다.
한편, 상기 변곡점 검출부(404)에 의해 각 외곽 영역(111, 112, 113, 114)으로부터 검출된 변곡점 정보는 벤딩선 검출부(406)로 입력되어 연성 표시 패널(100)의 형상 감지에 활용된다.
상기 기울기 보상부(407)는 벤딩선의 기울기 정보를 바탕으로 벤딩선의 구부러짐 정보를 보상하는 기능을 수행한다.
상기 특징 추출부(408)는 검출된 벤딩선들의 위치, 기울기, 각도, 두께 및 방향 등을 추출하여 상위 계층에 전달한다.
그러나, 이와 같은 종래의 연성 표시 장치의 벤딩 센싱 장치 및 벤딩 센싱 방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 종래의 연성 표시장치의 벤딩 센싱 장치는 벤딩 센서가 연성 표시장치의 표면에 부착되는 형태이므로, 연성 표시장치 전체의 변형을 정확하게 센싱할 수 없으며, 연성 표시장치 내부 각층의 응력과 변형을 정확하게 측정할 수 없고 시간 및 환경에 따른 표시장치의 열화 특성을 예측할 수 없다.
그 이유는 종래 기술에서 사용되는 스트레인 게이지(SG)의 경우, 그 두께가 75㎛(상용 제품 기준) 내외이고, 모체와 접착하기 위해서는 추가로 수십㎛의 특수 접착제가 필요하다. 연성 표시장치와 같이 그 두께가 얇아질 경우, 모체의 탄성이 주가 되지 않고, SG의 탄성이 주가 되어, 모체의 변형을 정확하게 센싱할 수 없다.
또한, 모체와 SG 사이의 특수 접착제는 모체와 탄성계수가 다르고, 탄성 특성과 더불어 점성 특성을 가지므로, 모체가 선형적으로 변형이 되더라도 SG에서 측정되는 값은 선형적이지 않기 때문이다.
둘째, 상기 브릿지 회로가, 도 3b에 도시된 바와 같이, 하프 브리지 회로로 구성될 경우, 반드시 상기 두 개의 벤딩 센서 (두 개의 스트레인 게이지)가 인장 변형 상태의 위치 및 수축 변형 상태의 위치에 위치되어야만 하는 단점이 있다. 이럴 경우, 시스템 디자인 측면에서 제약이 따를 수 있다.
셋째, 종래의 연성 표시장치의 벤딩 센싱 장치는 벤딩 센서가 연성 표시장치의 표면에 부착되므로, 각 벤딩 센서의 출력 신호를 전송하기 위한 신호 라인(routing line)들이 별도의 공정에 의해 형성되거나, FPC 등 별도로 요구되므로 생산 단가가 증가하게 된다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 적어도 2개의 벤딩 센서를 벤딩되는 부분의 연성 표시장치 내부에 인장 변형되는 층과 수축 변형되는 층에 각각 내장 배치하거나 모두 인장 변형되는 층 또는 모두 수축 변형되는 층에 배치하여 벤딩 센서의 출력 전압을 증가시킬 수 있는 연성 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 연성 표시장치는,다수개의 필름 또는 막(층)으로 구성되는 연성 표시장치가 벤딩될 때 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층) 및/또는 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 적어도 2개의 벤딩 센서가 내장됨에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 하나의 벤딩 센서가 내장되고, 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 하나의 벤딩 센서가 내장될 수 있다.
상기와 같이 구성될 경우, 상기 적어도 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고, 상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고, 상기 R1은 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R2는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R1은 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R2는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성된다.
다른 방법으로, 상기 R3은 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R3은 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성할 수 있다.
또 다른 방법으로, 상기 R1은 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R3는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R1은 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R3는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성할 수 있다.
또 다른 방법으로, 상기 R2는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R2는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성할 수 있다.
상기와 같은 특징에서, 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 2개의 벤딩 센서가 내장될 수 있다.
이와 같이 구성된 경우, 상기 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고, 상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고, 상기 R1 및 R4가 상기 2개의 벤딩 센서로 구성되거나, 상기 R2 및 R3이 상기 2개의 벤딩 센서로 구성될 수 있다.
상기와 같은 특징에서, 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 2개의 벤딩 센서가 내장될 수 있다.
이와 같이 구성된 경우, 상기 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고, 상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고, 상기 R1 및 R4가 상기 2개의 벤딩 센서로 구성되거나, 상기 R2 및 R3이 상기 2개의 벤딩 센서로 구성될 수 있다.
상기와 같은 특징에서, 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 2개의 벤딩 센서가 내장되고, 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 적어도 2개의 벤딩 센서가 내장될 수 있다.
이와 같이 구성된 경우, 상기 4 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고, 상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고, 상기 R1 및 R4는 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되고, 상기 R2 및 R3은 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되거나, 상기 R1 및 R4는 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되고, 상기 R2 및 R3은 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성될 수 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 연성 표시장치에 있어서는 다음과 같은 효과를 갖는다.
첫째, 벤딩 센서의 작은 저항 변화를 큰 출력 전압으로 변환하므로, SNR를 향상시켜 벤딩 각도 검출력을 향상시킬 수 있다.
둘째, 동일한 방향으로 변형되는 환경에서도 하프 브리지를 구성하여 출력 전압을 증가시킬 수 있다.
셋째, 본 발명은 연성 표시장치 내부의 인장 변형이 발생되는 영역과 수축 변형이 발생되는 영역에 벤딩 센서가 내장되므로, 연성 표시장치 내부 각층의 응력과 변형을 정확하게 측정할 수 있어 시간 및 환경에 따른 표시장치의 열화 특성을 예측할 수 있다.
넷째, 본 발명은 다수의 필림(층)으로 구성되는 연성 표시장치 내부에 벤딩 센서를 내장하므로, 벤딩 센서가 내장되는 필름 또는 막(층)의 공정에서 사용된 전도성 물질로 벤딩 센서와 벤딩 센서에서 검출된 신호를 출력하는 라우팅 라인을 형성할 수 있으므로, 추가 공정이 요구되지 않고, 더불어 단가를 낮출 수 있다.
도 1은 종래의 복수의 벤딩 센서들이 배치된 연성 표시 패널을 나타내는 도면
도 2는 종래의 계측부의 구성을 나타내는 도면
도 3a 및 도 3b는 스트레인 게이지 회로를 나타낸 것으로, 도 3a는 쿼터 브리지(Quarter-bridge) 회로이고, 도 3b는 하프 브리지(Half-bridge) 회로도.
도 4는 도 2의 마이크로 프로세서의 세부 구성을 나타내는 블록도
도 5는 본 발명에 따른 연성 표시장치에서 벤딩 센싱의 원리를 설명하기 위한 설명도
도 6은 본 발명에 따른 연성 표시장치의 벤딩 영역의 일측 또는 양측에 벤딩 센서가 장착된 경우를 설명하기 위한 설명도
도 7a는 본 발명의 연성 표시장치에 내장되는 벤딩 센서의 설명도이고, 도 7b는 본 발명에 따른 벤딩 센서가 연성 표시장치내에 내장되는 위치를 설명하기 위한 설명도
도 8은 본 발명에 따른 연성 표시장치에서 벤딩 영역에서 인장과 수축 관계를 설명하기 위한 설명도
도 9a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 1 실시예의 브리지 회로 구성도이고, 도 9b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 2 실시예의 브리지 회로 구성도
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시장치를 설명하기 위한 설명도
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시장치에서 제 3 실시예의 브리지 회로 구성도
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시장치를 설명하기 위한 설명도
도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시장치에서 제 4 실시예의 브리지 회로 구성도
도 14a는 상기 도 11에서 설명한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 3 실시예의 브리지 회로를 구성하여 출력 전압을 계측하는 구성도이고, 도 14b는 종래 도 3a의 브리지 회로를 이용한 경우의 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표이고, 도 14c는 도 14a와 같이 계측한 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표
도 15a는 상기 도 13에서 설명한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 5 실시예의 브리지 회로를 구성하여 출력 전압을 계측하는 구성도이고, 도 15b는 종래 도 3a의 브리지 회로를 이용한 경우의 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표이고, 도 15c는 도 15a와 같이 계측한 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 연성 표시장치를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명에 따른 연성 표시장치의 벤딩 센싱 원리를 설명하기 위한 설명도이고, 도 6은 본 발명에 따른 연성 표시장치의 벤딩 영역의 일측 또는 양측에 벤딩 센서가 장착된 경우를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 연성 표시장치가 구부러졌을 때, 변곡점에서 스트레스(σ)와 스트레인(Strain)(ε)이 발생하고, 상기 스트레스와 스트레인은 비례관계에 있다. 연성 표시장치가 구부러졌을 때, 상기 스트레인(Strain)(ε)에 따라 상기 변곡점의 두께(t), 폭(w) 및 길이(L)의 변화가 발생한다.
이 때, 인장 변형일 경우에는 폭(w) 및 두께(t)가 감소하고 길이(L)는 증가하므로 저항이 증가한다. 또한, 수축 변형일 경우에는 폭(w) 및 두께(t)는 증가하고 길이(L)는 감소하므로 저항이 감소한다.
본 발명의 연성 표시장치는, 도 6에 도시한 바와 같이, 연성 표시 장치의 벤딩 영역의 일측 또는/및 양측에 벤딩 센서(bending sensor)를 내장한 것이다.
도 7a는 본 발명의 연성 표시장치에 내장되는 벤딩 센서의 설명도이고, 도 7b는 본 발명에 따른 벤딩 센서가 연성 표시장치내에 내장되는 위치를 설명하기 위한 설명도이다.
본 발명에 따른 벤딩 센서는, 도 7a에 도시한 바와 같이, 전기 저항을 갖는 전도성 물질로 형성되어 구부러진 정도(벤딩 각도)에 따라 저항 값이 가변되는 센서이다.
또한, 본 발명에 따른 연성 표시장치는, 도 7b에 도시한 바와 같이, 백 플레이트(Back plate), 픽셀 어레이(TFT+Encap), 터치 센서(Touch) 및 커버 플레이트(Cover +Pol) 등, 다수개의 필름 또는 막(층)으로 구성된다.
따라서, 상기와 같이, 연성 표시장치가 다수개의 필름 또는 막(층)으로 형성되기 때문에, 벤딩 영역의 다수개의 필름 또는 막(층)에서 인장 변형과 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)이 다르다. 이와 같이 벤딩 영역에서 필름 또는 막(층)의 위치에 따라 인장 변형과 수축 변형이 발생되므로, 본 발명에 따른 벤딩 센서는 벤딩 영역에 내장되고, 도 7b의 픽셀 어레이(TFT+Encap) 층, 터치 센서(Touch) 층 및 커버 플레이트(Cover +Pol)층에 내장되게 된다. 이를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 8은 본 발명에 따른 연성 표시장치에서 벤딩 영역에서 인장과 수축 관계를 설명하기 위한 설명도이다.
먼저, 연성 표시 장치가 상술한 바와 같이, 다수개의 필름 또는 막(층)으로 구성된 것으로 간주하고, 도 8에서는 4개의 필름(U1, U2, U3, U4)로 구성됨을 예시하고 있다. 이와 같은 연성 표시 장치가 구부러졌을 때, 벤딩 영역에서도 두께 방향으로 인장 변형이 발생하는 깊이와 수축 변형이 발생하는 깊이가 다르다.
[제 1 실시예의 연성 표시 장치]
도 8에서는, 제 1 필름(U1)쪽으로 연성 표시장치가 구부러졌을 경우에, 제 3 필름(U3)에서 수축 변형이 발생하고, 제 2 필름(U2)에서 인장 변형이 발생하였다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예의 연성 표시 장치는, 도 6에 도시된 벤딩 영역의 일측에 2개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 내장하거나 벤딩 영역의 양측에 각각 1 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 내장한다. 이 때, 하나의 벤딩 센서는 도 8에서 설명한 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장하고, 다른 하나의 벤딩 센서는 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장한다.
도 9a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 1 실시예의 브리지 회로 구성도이고, 도 9b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 2 실시예의 브리지 회로 구성도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 1 실시예의 브리지 회로 구성은, 도 9a에 도시한 바와 같이, 두 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)와 두 개의 저항(R3, R4)로 구성된다.
즉, 도 8에서 설명한 바와 같이, 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 도 9a에서는 R2로 표현하였고, 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 도 9a에서는 R1으로 표현하였다.
즉, 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와 R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드에 출력단(AB)이 형성되는 브리지 회로에 있어서, 상기 R1을 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R2를 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)로 구성한 것이다.
상기 도 9a와 같이 브리지 회로를 구성하면, AB단자 간의 전압 값(VAB)은 다음과 같다.
[수학식 1]
VAB = [R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs
여기서,R1은 인장 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로 저항이 증가하고, R2는 수축 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로 저항이 감소한다. 따라서 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 2배로 증가한다.
상기 도 9a의 브리지 회로에서, 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 R1로 구성하고, 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R2로 구성하여도 무방하다.
또한, 상기 도 9a의 브리지 회로에서, 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 R3로 구성하고, 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R4로 구성하여도 무방하고, 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 R4로 구성하고, 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R3로 구성하여도 무방하다.
즉, 상기 저항 R3 및 R4가 가변되므로, [수학식 1]의 VAB = [ R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs가 되어 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 2배로 증가한다.
한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 2 실시예의 브리지 회로 구성은, 도 9b에 도시한 바와 같이, 두 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)와 두 개의 저항(R2, R4)로 구성된다.
즉, 도 8에서 설명한 바와 같이, 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 도 9b에서는 R3로 표현하였고, 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 도 9b에서는 R1으로 표현하였다.
상기 도 9b와 같이 브리지 회로를 구성하면, AB단자의 출력 전압(VAB)은 상기 [수학식 1]과 같다.
VAB = [R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs
그러나, 여기서, R3는 수축 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로 저항이 감소하고, R1은 인장 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로 저항이 증가한다. 따라서, 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 2배로 증가한다.
상기 도 9b의 브리지 회로에서, 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 R1로 구성하고, 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R3로 구성하여도 무방하다.
또한, 상기 도 9b의 브리지 회로에서, 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 R2로 구성하고, 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R4로 구성하여도 무방하고, 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 하나의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 R4로 구성하고, 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 다른 하나의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R2로 구성하여도 무방하다.
즉, 상기 저항 R2 및 R4가 가변되므로, [수학식 1]의 VAB = [R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs가 되어 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 2배로 증가한다.
[제 2 실시예의 연성 표시 장치]
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시장치를 설명하기 위한 설명도이고, 도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시장치에서 제 3 실시예의 브리지 회로 구성도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시장치는, 도 6에 도시된 벤딩 영역의 일측에 2개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 내장하거나 벤딩 영역의 양측에 각각 1 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 내장한다. 이 때, 도 10에 도시한 바와 같이, 두 개 모두의 벤딩 센서를 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장한다.
그리고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 3 실시예의 브리지 회로 구성은, 도 11에 도시한 바와 같이, 두 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)와 두 개의 저항(R2, R3)으로 구성된다.
즉, 도 10에서 설명한 바와 같이, 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 두 개의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 도 11에서는 R1 및 R4로 표현하였다.
상기 도 11과 같이 브리지 회로를 구성하면, AB단자의 출력 전압(VAB)은 상기 [수학식 1]과 같다.
VAB = [R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs
그러나, R1 및 R4는 모두 인장 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로, R1 및 R4의 저항이 모두 증가한다. 따라서, 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 2배로 증가한다.
상기 도 11의 브리지 회로에서, 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 두 개의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R2 및 R3로 구성하여도 무방하다.
즉, 상기 저항 R2 및 R3가 가변되므로, [수학식 1]의 VAB = [ R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs가 되어 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 2배로 증가한다.
도면에는 도시되지 않았지만, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 브리지 회로 구성은, 도 10에서, 두 개 모두의 벤딩 센서를 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장하여 구성할 수 있다.
이와 같이, 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 상기 두 개 모두의 벤딩 센서를 내장할 경우에도, 도 11에 도시한 바와 같이 브리지 회로를 구성할 수 있고, 상기 도 11의 브리지 회로에서, 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 두 개의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 R2 및 R3로 구성할 수 있다.
[제 3 실시예의 연성 표시 장치]
한편, 도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시장치를 설명하기 위한 설명도이고, 도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시장치에서 제 4 실시예의 브리지 회로 구성도이다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시장치는, 도 6에서 설명한 바와 같이, 벤딩 영역의 양측에 각각 2개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 내장하되, 도 12에 도시한 바와 같이, 두 개의 벤딩 센서를 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장하고, 나머지 두 개의 벤딩 센서를 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장한다.
그리고, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 5 실시예의 브리지 회로 구성은, 도 13에 도시한 바와 같이, 4 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)로 구성된다. 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장되는 두 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 도 13에서는 R2 및 R3로 표현하고, 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장되는 두 개의 벤딩 센서 (스트레인 게이지)를 도 13에서는 R1 및 R4로 표현하였다.
상기 도 13과 같이 브리지 회로를 구성하면, AB단자의 출력 전압전압(VAB)은 상기 [수학식 1]과 같다.
VAB = [R3 / (R1 + R3) - R4 / (R2 + R4)] × Vs
그러나, R1 및 R4는 인장 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로, R1 및 R4의 저항이 모두 증가하고, 상기 R2 및 R3은 수축 변형을 센싱하는 벤딩 센서이므로 R2 및 R3의 저항은 모두 감소한다. 따라서, 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로보다 본 발명에 따른 브리지 회로의 출력 전압은 4배로 증가한다.
상기 도 13의 브리지 회로에서, 상기 R2 및 R3로 표현되는 두 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 상기 인장 변형이 발생하는 제 2 필름(U2)에 내장하고, 상기 R1 및 R4로 표현되는 상기 두 개의 벤딩 센서(스트레인 게이지)를 상기 수축 변형이 발생하는 제 3 필름(U3)에 내장하여도 무방하다.
즉, 상기 인장 변형을 검출하는 벤딩 센서와 상기 수축 변형을 검출하는 벤딩 센서는 상관된 저항으로 바뀔 수 있으며, 저항의 위치도 서로 대칭적으로 바뀔 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 각 실시예에서, 벤딩 센서가 내장되는 필름 또는 막(층)의 공정에서 사용된 전도성 물질로 벤딩 센서와 벤딩 센서에서 검출된 신호를 출력하는 라우팅 라인을 형성할 수 있다.
예를들면, 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)이 픽셀 어레이(TFT+Encap)층이고, 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)이 터치 센서(Touch)층이라고 가정하면, 픽셀 어레이를 구성하는 트랜지스터의 게이트 전극, 데이터 전극, 스캔 라인 및 데이터 라인 형성 물질로 벤딩 센서 및 라우팅 라인을 형성할 수 있고, 터치를 감지하기 위한 X축 전극, Y 전극 및 라우팅 라인 형성 물질로 벤딩 센서 및 라우팅 라인을 형성할 수 있다.
상기에서 비교한 바와 같이, 종래의 도 3a에 도시한 바와 같은 브리지 회로와 본 발명의 각 실시예에 따른 브리지 회로의 출력 전압을 구체적으로 비교하면 다음과 같다.
도 14a는 상기 도 11에서 설명한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 3 실시예의 브리지 회로를 구성하여 출력 전압을 계측하는 구성도이고, 도 14b는 종래 도 3a의 브리지 회로를 이용한 경우의 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표이고, 도 14c는 도 14a와 같이 계측한 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표이다.
상기 도 14b는 R1을 벤딩 센서(스트레인 게이지)로 구성한 것이다.
상기 도 14에 도시한 바와 같이, 벤딩 각도를 -180 내지 180도 범위에서, 벤딩 센서(스트레인 게이지)의 저항 값 가변에 따라, 증폭부에서 증폭된, 종래의 도 3a와 같은 브리지 회로의 출력 전압 변화는 1.93V(-0.96V에서 0.97V까지)를 나타내었고, 본 발명의 도 11에서 설명한 제 3 실시예의 브리지 회로의 출력 전압 변화는 3.85V(-1.91V에서 1.94V까지)를 나타내었다. 따라서, 종래의 브리지 회로에 비해 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예의 브리지 회로는 출력 전압의 변화량이 2배 증가함을 알 수 있다.
또한, 아날로그/디지털 변환기의 출력은, 종래의 도 3a와 같은 브리지 회로에서 394를 나타내었고, 본 발명의 도 11에서 설명한 제 3 실시예의 브리지 회로에서 789를 나타내었다. 따라서, 종래의 브리지 회로에 비해 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예의 브리지 회로는 SNR비가 높아지므로 벤딩 센싱의 신뢰도가 향상된다.
한편, 도 15a는 상기 도 13에서 설명한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연성 표시 장치에서 제 5 실시예의 브리지 회로를 구성하여 출력 전압을 계측하는 구성도이고, 도 15b는 종래 도 3a의 브리지 회로를 이용한 경우의 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표이고, 도 15c는 도 15a와 같이 계측한 벤딩 각에 따른 각 저항의 저항 변화 및 출력 전압을 나타낸 표이다.
상기 도 15b는 R1을 벤딩 센서(스트레인 게이지)로 구성한 것이다.
상기 도 15에 도시한 바와 같이, 벤딩 각도를 -180 내지 180도 범위에서, 벤딩 센서(스트레인 게이지)의 저항 값 가변에 따라, 증폭부에서 증폭된, 종래의 도 3a와 같은 브리지 회로의 출력 전압 변화는 1.93V(-0.96V에서 0.97V까지)를 나타내었고, 본 발명의 도 13에서 설명한 제 5 실시예의 브리지 회로의 출력 전압 변화는 3.85V(-1.91V에서 1.94V까지)를 나타내었다. 단, 도 14에서는 증폭기의 게인(Gain)이 50인 반면, 도 15에서는 증폭기의 게인(Gain)이 25임을 감안하면, 종래의 브리지 회로에 비해 본 발명의 제 5 실시예의 브리지 회로는 출력 전압의 변화량이 4배 증가함을 알 수 있고, 종래의 브리지 회로에 비해 본 발명의 제 5 실시예의 브리지 회로는 SNR비가 높아지므로 벤딩 센싱의 신뢰도가 향상된다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (12)

  1. 다수개의 필름 또는 막(층)으로 구성되는 연성 표시장치가 벤딩될 때 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층) 및/또는 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 적어도 2개의 벤딩 센서가 내장된 연성 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 하나의 벤딩 센서가 내장되고, 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 하나의 벤딩 센서가 내장되는 연성 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R1은 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R2는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R1은 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R2는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하는 연성 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R3은 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R3은 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하는 연성 표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R1은 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R3는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R1은 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R3는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하는 연성 표시장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R2는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하거나, 상기 R2는 상기 수축 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 적어도 하나의 벤딩 센서로 구성하고, 상기 R4는 상기 인장 변형이 발생하는 필름 또는 막(층)에 내장되는 하나의 벤딩 센서로 구성하는 연성 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 2개의 벤딩 센서가 내장되는 연성 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R1 및 R4가 상기 2개의 벤딩 센서로 구성되거나, 상기 R2 및 R3이 상기 2개의 벤딩 센서로 구성되는 연성 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 2개의 벤딩 센서가 내장되는 연성 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 2 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R1 및 R4가 상기 2개의 벤딩 센서로 구성되거나, 상기 R2 및 R3이 상기 2개의 벤딩 센서로 구성되는 연성 표시장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 2개의 벤딩 센서가 내장되고, 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 적어도 2개의 벤딩 센서가 내장되는 연성 표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 4 개의 벤딩 센서에 의해 검출된 신호는 브리지 회로를 통해 출력되고,
    상기 브리지 회로는 전원의 양단 사이에 R1과 R3가 제 1 로드를 통해 직렬 연결되는 제 1 연결부와, R2과 R4가 제 2 로드를 통해 직렬 연결되는 제 2 연결부를 구비하고, 상기 제 1 연결부와 제 2 연결부는 서로 병렬 연결되고, 상기 제 1 로드와 제 2 로드 사이에 출력단(AB)이 구비되고,
    상기 R1 및 R4는 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되고, 상기 R2 및 R3은 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되거나, 상기 R1 및 R4는 상기 수축 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되고, 상기 R2 및 R3은 상기 인장 변형이 발생되는 필름 또는 막(층)에 내장된 2개의 벤딩 센서로 구성되는 연성 표시장치.
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