KR20170014790A - 자성 분말 및 이를 포함하는 코일 전자부품 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시형태는 금속 입자; 상기 금속 입자의 표면에 배치되며 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 상에 배치되며 인(P)을 포함하는 제2 절연층;을 포함하는 자성 분말을 제공한다.
Description
본 발명은 자성 분말 및 자성 분말을 포함하는 코일 전자부품에 관한 것이다.
수동 소자 중 코일 전자부품은 코일부 및 상기 코일부를 둘러싸는 바디를 포함할 수 있고, 상기 바디는 자성체를 포함하도록 형성할 수 있다.
이때, 바디에 포함되는 자성체는 자성 분말 형태로 포함될 수 있으며, 고주파 대역에서의 와전류 손실을 감소하기 위해서는 바디에 포함된 자성 입자 간의 절연성이 확보될 필요가 있다.
또한, 상기 자성 분말이 금속계 분말인 경우 포화 자화 값이 큰 장점이 있으나, 가용주파수가 상향되면 와전류 손실로 인한 코어손실이 증가하여 효율이 열화되는 문제가 있어 절연 특성의 향상은 더욱 중요하다.
본 발명의 일 실시 형태의 목적은 자성 분말 및 자성 분말을 포함하는 코일 전자부품을 제공하는 것이다.
자성 분말에 포함된 입자 간의 절연성의 향상을 위하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말은 자성 입자 및 상기 자성 입자 상에 배치되는 절연층을 포함하며, 상기 절연층은 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하는 제1 절연층, 및 인(P)으을 포함하는 제2 절연층을 포함하여 적어도 2층으로 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 제2 유리의 연화점은 상기 제1 유리의 연화점보다 낮을 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시형태에 의하면 상기 자성 분말의 제조 방법 및 상기 자성 분말을 포함하는 코일 전자부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 절연 특성이 개선된 자성 분말 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상기 자성 분말을 적용하여 고주파 대역에서 동작이 가능하고, 와전류 손실을 감소시킨 코일 전자부품을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명 일 실시형태에 따른 자성 분말의 일 입자를 나타내는 일부 절단 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태의 코일 전자부품에서 내부에 배치된 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 A-A' 선에 의한 단면도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태의 코일 전자부품에서 내부에 배치된 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 A-A' 선에 의한 단면도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
자성 분말 및 그 제조 방법
도 1은 본 발명 일 실시형태에 따른 자성 분말의 일 입자를 나타내는 일부 절단 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말(10)은 금속 입자(1); 및 상기 금속 입자(1) 상에 배치된 절연층(2,3)을 포함하며, 상기 절연층은 제1 절연층(2) 및 제2 절연층(3)을 포함하여 적어도 2 층으로 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 자성 분말은(10) 코일 전자부품에 사용될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니나 예를 들어 인덕터, 비즈, 필터 등에 사용될 수 있다.
상기 금속 입자(1)는 자성 특성을 갖는 입자라면 특별히 제한되지 않는다.
금속 입자로 자성 분말을 형성되는 경우, 포화 자속 밀도가 높으며, 고전류에도 L값이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 입자(1)는 철(Fe)계 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. 금속 입자(1)가 철(Fe)계 합금으로 형성되는 경우, 높은 포화자화밀도를 가질 수 있다. 상기 철(Fe)계 합금은 비정질 합금 또는 나노결정 합금일 수 있다.
철(Fe)계 합금은 철(Fe)에 철(Fe)과 다른 합금 원소를 한가지 이상 첨가하여 얻어진 것으로 금속의 성질을 가지는 것이다. 상기 합금원소는 전기저항을 높일 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 또한 상기 합금 원소는 투자율을 개선하고 고주파수에서 사용할 수 있도록 비저항을 향상시킬 수 있는 원소라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 인(P), 붕소(B), 규소(Si), 탄소(C), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
이에 제한 되는 것은 아니나, 상기 철(Fe)계 합금은 예를 들어 Fe-Si-B계 비정질 또는 Fe-Si-B계 나노결정 합금일 수 있다.
상기 철(Fe)계 합금이 비정질 또는 나노결정 합금으로 형성되는 경우, 금속 입자의 비저항이 증가하여 전자부품 적용 시 고주파 대역에서의 사용이 용이하다.
이에 제한되는 것은 아니나, 상기 금속 입자(1)의 입경은 1μm 내지 100μm일 수 있다. 절연층에 관하여는 후술하겠으나, 본 발명의 일 실시형태에 의하면, 자성입자가 2층 이상의 절연층을 포함하여 금속 입자(1)가 1μm 내지 100μm 수준의 작은 입경을 갖더라도, 절연특성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 금속 입자(1)의 표면에는 제1 절연층(2)이 배치되며, 상기 제1 절연층 상에는 제2 절연층(3)이 배치된다.
상기 제1 절연층(2)은 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하고, 상기 제2 절연층(3)은 인(P)을 포함한다. 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제1 절연층은 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하여 금속 입자와 결합력이 높다. 또한 제2 절연층은 인(P)을 포함함으로써 상기 제1 절연층에 포함된 실리콘(Si)과 인(P)의 조합으로 절연성을 추가로 확보할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시형태에 의하면 제1 및 제2 절연층에 포함된 실리콘(Si)과 인(P)의 조합에 의해 절연층의 두께를 두껍게 하지 않더라도 절연성을 확보할 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시형태에 의하면 제1 절연층(2) 및 제2 절연층(3) 각각의 두께는 30nm 이하로 형성될 수 있으며, 이 경우 자성입자의 절연저항은 1011Ω 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 제1 절연층(2) 및 제2 절연층(3)은 유리로 형성될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 절연층(2)은 제1 유리를 포함하고, 상기 제2 절연층(3)은 제2 유리를 포함하며, 상기 제1 유리와 제2 유리는 서로 구분되는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 절연층이 유리로 형성되는 경우, 상기 제1 유리는 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하고, 상기 제2 유리는 실리콘(Si) 및 산소(O)에 추가하여 인(P)을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 제1 절연층(2)과 상기 제2 절연층(3)은 서로 다른 비저항 값을 가질 수 있다.
상기와 같이, 제1 절연층(2)과 제2 절연층(3)이 서로 다른 비저항 값을 갖는 물질로 형성되는 경우 자성 분말의 비저항을 용이하게 조절할 수 있는 장점이 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말의 제조 방법은 금속 입자를 마련하는 단계(S1), 상기 금속 입자의 표면에 제1 절연층을 형성하는 단계(S2) 및 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계(S3)을 포함한다.
이에 제한되는 것은 아니나 상기 제1 및 제2 절연층의 형성은 스프레이 공법, 디핑 공법 등을 이용할 수 있다.
또한 이에 제한되는 것은 아니나 상기 제1 및 제2 절연층이 유리(glass)로 형성되는 경우, 상기 제1 및 제2 절연층은 건식 코팅 장치를 이용해 수행될 수 있다.
예를 들어, 건식 코팅 장치는 챔버, 챔버내에 배치되고 샤프트를 축으로 고속회전하는 마찰부 및 블레이드를 포함하며, 챔버 내에 금속 입자 분말과 유리 분말이 투입되는 경우, 고속회전에 의한 분말들 간의 마찰열에 의해 유리 분말이 연화되면서 금속 입자의 표면에 흡착하여 절연층을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 절연층을 형성하는 단계는 제1 유리로 구성되는 제1 유리 분말을 기계적 마찰에 의해 발생하는 열로 연화한 다음, 연화된 제1 유리가 금속 입자의 표면에 코팅되도록 하여 형성될 수 있다.
또한, 예를 들어, 상기 제2 절연층을 형성하는 단계는 제2 유리로 구성되는 제2 유리 분말을 기계적 마찰에 의해 발생하는 열로 연화한 다음, 연화된 제2 유리가 금속 입자의 제1 절연층 상에 코팅되도록 하여 형성될 수 있다.
그 외 자성 분말의 제조방법에 관한 설명 중 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말의 특징과 동일한 부분에 대해서는 설명의 중복을 피하기 위해 여기서 생략하도록 한다.
코일 전자부품 및 그 제조방법
도 3은 본 발명의 일 실시형태의 코일 전자부품에서 내부에 배치된 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 A-A' 선에 의한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 코일 전자부품의 일 예로써 전원 공급 회로의 전원 라인에 사용되는 인덕터가 개시되지만 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품은 인덕터 이외에도 비즈(beads), 필터(filter) 등으로 적절하게 응용될 수 있다.
또한, 인덕터의 일 예로 박막형 인덕터를 예로 설명하지만, 이에 제한되는 것이 아니고 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품은 적층형 인덕터, 권선형 인덕터로 적절히 적용될 수 있다.
상기 코일 전자부품(100)은 바디(50) 및 외부전극(80)을 포함하고, 상기 바디(50)는 코일부(40)를 포함한다.
상기 바디(50)는 대략적인 육면체 형상일 수 있으며, 도 1에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향, 두께 방향을 나타낸다.
이에 제한되는 것은 아니나, 상기 바디(50)는 두께 방향으로 대향하는 제1면 및 제2면, 길이 방향으로 대향하는 제3면 및 제4면, 폭 방향으로 대향하는 제5면 및 제6면을 포함할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 상기 바디(50)는 길이 방향의 길이가 폭 방향의 길이보다 큰 직육면체의 형상을 가질 수 있다.
바디(50)는 코일 전자부품(100)의 외관을 이루며, 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말을 포함한다.
상기 자성 분말은, 금속 입자, 상기 금속 입자의 표면에 배치되며 실리콘(Si) 및 산소(O)를 제1 절연층 및 상기 제1 절연층 상에 배치되며 인(P)을 포함하는 제2 절연층을 포함한다.
그 외 바디에 포함되는 자성 분말에 관한 설명 중 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말의 특징과 동일한 부분에 대해서는 설명의 중복을 피하기 위해 여기서 생략하도록 한다.
상기 자성 분말은 에폭시(epoxy) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 등의 고분자 상에 분산되어 상기 바디(50)에 포함될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 바디(50)의 내부에는 코일부(40)가 배치될 수 있다. 상기 코일부(40)는 기재층(20) 및 상기 기재층(20)의 적어도 일면에 배치되는 코일 패턴(41, 42)을 포함할 수 있다.
상기 기재층(20)은 예를 들어, 폴리프로필렌글리콜(PPG), 페라이트 또는 금속계 연자성 재료 등을 포함할 수 있다.
상기 기재층(20)의 중앙부에는 관통 홀이 형성될 수 있으며, 상기 관통 홀은 바디(50)에 포함된 자성 분말로 충진되어 코어부(55)를 형성할 수 있다. 상기 관통 홀에 자성 분말을 충진하여 코어부(55)를 형성함에 따라 인덕터의 인덕턴스(L)를 향상시킬 수 있다.
상기 기재층(20)의 일면에는 코일 형상을 갖는 제1 코일 패턴(41)이 형성될 수 있으며, 상기 기재층(20)의 일면과 대향하는 상기 기재층(20)의 타면에는 코일 형상의 제2 코일 패턴(42)이 형성될 수 있다.
상기 코일 패턴(41, 42)은 스파이럴(spiral) 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 기재층(20)의 일면과 타면에 각각 형성되는 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)은 상기 기재층(20)에 형성되는 비아 전극(미도시)을 통해 전기적으로 접속될 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나 상기 기재층(20)의 일면에 배치되는 제1 코일 패턴(41)의 일 단부는 바디(50)의 길이 방향의 일 면으로 노출될 수 있으며, 기재층(20)의 타면에 배치되는 제2 코일 패턴(42)의 일 단부는 바디(50)의 길이 방향의 타 면으로 노출될 수 있다.
상기 바디(50)의 외부면에는 상기 코일 패턴(41, 42)의 노출된 단부와 접속하도록 외부전극(80)이 형성될 수 있다. 상기 코일 패턴(41, 42)의 노출된 단부가 바디(50)의 길이 방향의 양면으로 노출되는 경우 상기 외부전극은 상기 바디의 길이 방향의 양면에 배치될 수 있다.
상기 코일 패턴(41, 42), 비아 전극(미도시) 및 외부전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 상기 코일 패턴(41, 42), 비아 전극(미도시) 및 외부전극(80)은 서로 동일하거나 다른 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 코일 패턴(41, 42)은 절연층(30)으로 커버될 수 있다. 절연층(30)은 스크린 인쇄법, 포토레지스트(Photo Resist, PR)의 노광, 현상을 통한 공정, 스프레이(spray) 도포 공정 등 공지의 방법으로 형성할 수 있다. 코일 패턴(41, 42)은 절연층(30)으로 커버되어 바디(50)에 포함된 자성 재료와 직접 접촉되지 않을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품의 제조 방법은 기재층의 적어도 일면에 코일 패턴을 형성하여 코일부를 마련하는 단계(S4) 및 상기 코일부의 상측 및 하측에 자성체를 적층하고 압착하여 바디를 형성하는 단계(S5)를 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품의 제조 방법은 바디를 형성하는 단계 이후, 상기 바디의 외면에 외부전극을 형성하는 단계(S6)을 더 포함할 수 있다.
상기 코일부를 형성하는 단계(S4)는 기재층(20) 상에 코일 패턴 형성용 개구부를 갖는 도금 레지스트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 도금 레지스트는 통상의 감광성 레지스트 필름으로서, 드라이 필름 레지스트 등을 사용할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
코일 패턴 형성용 개구부에 전기 도금 등의 공정을 적용하여 전기 전도성 금속을 충진함으로써 코일 패턴(41, 42)을 형성할 수 있다.
상기 코일 패턴(41, 42)은 전기 전도성이 뛰어난 금속으로 형성할 수 있으며 예를 들어, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금 등으로 형성할 수 있다.
코일 패턴(41, 42) 형성 후 화학적 에칭 등의 공정을 적용하여 도금 레지스트를 제거하면, 기재층(20) 상에 코일 패턴(41, 42)형성된 코일부(40)를 형성할 수 있다.
상기 기재층(20)의 일부에는 홀을 형성하고 전도성 물질을 충진하여 비아 전극(미도시)을 형성할 수 있으며, 상기 비아 전극을 통해 기재층(20)의 일면과 타면에 형성되는 코일 패턴(41, 42)을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
상기 기재층(20)의 중앙부에는 드릴, 레이저, 샌드 블래스트, 펀칭 가공 등을 수행하여 기재층을 관통하는 홀을 형성할 수 있다.
선택적으로, 코일 패턴(41, 42)을 형성한 후 상기 코일 패턴(41, 42)을 커버하는 절연층(30)을 형성할 수 있다. 상기 절연층(30)은 스크린 인쇄법, 포토레지스트(photo resist, PR)의 노광, 현상을 통한 공정, 스프레이(spray) 도포 공정 등 공지의 방법으로 형성할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.
다음으로, 코일 패턴(41, 42)이 형성된 기재층(20)의 상측 및 하측에 자성체를 배치하여 바디(50)를 형성한다.
상기 자성체는 자성체 층의 형태로 상기 기재층의 상측 및 하측에 배치될 수 있다. 상기 자성체 층은 복수의 층으로 기재층의 상측 및 하측에 배치될 수 있고, 또는 기재층의 상측 및 하측에 각각 단일 층으로 배치될 수 있다.
자성체 층을 코일 패턴(41, 42)이 형성된 기재층(20)의 양면에 적층하고 라미네이트법이나 정수압 프레스법을 통해 압착하여 바디(50)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 홀이 자성체로 충진될 수 있도록 하여 코어부(55)를 형성할 수 있다.
이때, 상기 자성체 층은 코일 전자부품용 자성체 페이스트 조성물을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 코일 전자부품용 자성체 페이스트 조성물은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 자성 분말을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태의 코일 전자부품의 제조방법에 대한 설명 중 상술한 코일 전자부품에 포함되는 자성 분말에 대한 설명은 동일하게 적용될 수 있으므로 설명을 중복을 피하기 위해 상세한 설명은 이하 생략하도록 한다.
다음으로, 상기 바디(50)의 적어도 일 면으로 노출되는 코일 패턴(41, 42)의 단부와 접속되도록 외부전극(80)을 형성할 수 있다.
상기 외부 전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하는 페이스트를 사용하여 형성할 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등을 포함하는 전도성 페이스트일 수 있다. 외부전극(80)을 형성하는 방법은 외부 전극(80)의 형상에 따라 프린팅 뿐만 아니라 딥핑(dipping)법 등을 수행하여 형성할 수 있다.
그 외 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 코일 전자부품의 특징과 동일한 부분에 대해서는 설명의 중복을 피하기 위해 여기서 생략하도록 한다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
1 : 금속 입자
2, 3 : 제1 및 제2 절연층
10 : 자성 입자
100 : 코일 전자부품
20 : 기재층
40 : 코일부
41, 42 : 제1 및 제2 코일 패턴
50 : 바디
55 : 코어부
80 : 외부전극
2, 3 : 제1 및 제2 절연층
10 : 자성 입자
100 : 코일 전자부품
20 : 기재층
40 : 코일부
41, 42 : 제1 및 제2 코일 패턴
50 : 바디
55 : 코어부
80 : 외부전극
Claims (14)
- 금속 입자;
상기 금속 입자의 표면에 배치되며 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하는 제1 절연층; 및
상기 제1 절연층 상에 배치되며 인(P)을 포함하는 제2 절연층; 을 포함하는 자성 분말.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 입자는 철(Fe) 또는 철(Fe)계 합금인 자성 분말. - 제2항에 있어서,
상기 금속 입자와 상기 제1 절연층의 계면에는 Fe-Si-O 결합이 존재하는 자성 분말.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 절연층의 두께는 30nm 이하인 자성 분말.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 절연층의 두께는 30nm 이하인 자성 분말.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 입자의 입경은 1 내지 100μm 인 자성 분말.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 서로 다른 비저항 값을 갖는 자성 분말.
- 내부에 코일부가 배치된 바디; 및
상기 코일부와 연결되는 외부전극; 을 포함하며,
상기 바디는 자성 분말을 포함하며,
상기 자성 분말은,
금속 입자, 상기 금속 입자의 표면에 배치되며 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함하는 제1 절연층 및 상기 제1 절연층 상에 배치되며 인(P)을 포함하는 제2 절연층을 포함하는 코일 전자부품.
- 제8항에 있어서,
상기 금속 입자는 철(Fe) 또는 철(Fe)계 합금인 코일 전자부품.
- 제9항에 있어서,
상기 금속 입자와 상기 제1 절연층의 계면에는 Fe-Si-O 결합이 존재하는 코일 전자부품.
- 제8항에 있어서,
상기 제1 절연층의 두께는 30nm 이하인 코일 전자부품.
- 제8항에 있어서,
상기 제2 절연층의 두께는 30nm 이하인 코일 전자부품.
- 제8항에 있어서,
상기 금속 입자의 입경은 1 내지 100μm 인 코일 전자부품.
- 제8항에 있어서,
상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 서로 다른 비저항 값을 갖는 코일 전자부품.
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