KR20170013996A - 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법 - Google Patents

웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법. 상기 장치는 내측 그루브(111)와, 진공 척(110)의 주변 에지에 형성된 외측 그루브(1113)를 갖는 진공 척(110); 상기 내측 그루브(111) 내에 배치된 내측 밀봉 링(1115); 및 상기 외측 그루브(1113) 내에 배치된 외측 밀봉 링(1116)을 구비한다. 상기 진공 척(110) 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링(1115)에 의해 둘러싸인 상기 진공 척(110)의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척(110) 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 내측 밀봉 링(1115)과 상기 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 상기 진공 척(110)의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 내측 밀봉 링(1115)과 상기 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전된다.

Description

웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING FILM ON EDGE OF BACKSIDE OF WAFER}
본 발명은 일반적으로 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 상의 막이 손상되는 것을 방지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
집적회로 제조 분야에서, 에피텍시 공정(epitaxy process)은 일반적으로 하기의 단계, 즉 결정 성장, 슬라이싱, 에지 프로파일링, 래핑, 에칭, 배면 처리, 폴리싱, 세정, 에피텍시 성장 등을 포함한다.
배면 처리의 단계는 헤비 도핑 에피텍시 공정(heavy doped epitaxy process)에 보다 통상적으로 이용된다. 헤비 도핑 웨이퍼의 제조 동안에, 웨이퍼 내의 도펀트 또는 불순물은 약 1100℃의 온도에서 에피텍셜층 내에 도입되어, 유해한 불순물의 농도가 에피텍셜층 내의 새로운 마이크로-결함을 일으키게 하거나 또는 형성하게도 한다. 따라서, 웨이퍼의 배면측 상에 박막을 형성하는 것이 필요하다. 박막은 밀봉층으로서 기능하여 도펀트 또는 불순물이 에피텍셜층 내에 도입되는 것을 방지한다. 박막의 재료는 SiO2, Si3N4, 다결정 실리콘 등 중 하나 일 수 있다. 박막, 예컨대 SiO2 박막은 CVD(화학 증착법) 등을 통해 웨이퍼의 배면측 상에 형성된다.
SiO2 박막이 웨이퍼의 배면측 상에 형성된 후에, 후속적인 공정은 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 SiO2 박막을 제거하는 것이다. SiO2 박막을 형성하는 공정에서, SiO2 박막이 웨이퍼의 배면측 상에 형성할 뿐만 아니라, 면취부, 웨이퍼의 전면 및 배면측의 에지 상에 형성한다. 면취부, 웨이퍼의 전면 및 배면측의 에지 상에 형성된 SiO2 박막은 바람직하지 못하여 제거되어야 한다. 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 SiO2 박막을 제거하기 위한 종래의 방법은 SiO2 박막을 에칭하도록 HF 용액 또는 HF 증기를 이용하고 있다. 웨이퍼의 배면측의 에지의 최외측 주변 에지로부터 약 0.5-3mm 상에 형성된 SiO2 박막은 제거될 필요가 있고, SiO2 박막의 두께는 약 0.3-3㎛이다. 현재, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 SiO2 박막을 제거하기 위한 널리 이용되는 장치는 웨이퍼의 배면측의 중심 영역으로부터 에지 영역을 격리하도록 시일 링을 채용한다. 그 다음, 웨이퍼의 배면측의 에지 영역 상에 HF 용액 또는 HF 증기가 분무되어, 그 상에 형성된 SiO2 박막을 제거한다. 그러나, 그 장치의 밀봉 효과는 거의 만족스럽지 못하여, 웨이퍼의 배면측의 에지 영역 상에 형성된 SiO2 박막이 에칭될 때에 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 상에 형성된 SiO2 박막이 제거되게 할 수 있다. 에지 영역을 제외하고 웨이퍼의 배면측의 영역은 중심 영역으로 정의된다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 상의 막이 손상되는 것을 방지하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
일 실시예에서, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치는, 내측 그루브와 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는 외측 그루브를 갖는 진공 척, 상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링, 및 상기 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링을 구비한다. 상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전된다.
다른 실시예에서, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치는, 내측 그루브와 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는 외측 그루브를 갖는 진공 척, 및 상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링을 구비한다. 상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압이 대기압을 초과하게 하도록 가압 가스로 충전된다.
일 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법은, 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계; 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계; 상기 내측 밀봉 링과 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압을 유지하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링과 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계; 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계; 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계; 상기 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 웨이퍼를 건조하는 단계; 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계; 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계를 구비한다.
다른 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법은, 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계; 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계; 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 대기압을 초과하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계; 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계; 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계; 상기 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 웨이퍼를 건조하는 단계; 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계; 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계를 구비한다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명은 하기의 실시예에 대한 설명을 읽음으로써 당업자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 대한 사시도,
도 2는 도 1에 도시한 장치의 평면도,
도 3은 도 1에 도시한 장치의 평면도로서, 밀봉 링 없는 도면,
도 4는 도 1에 도시한 장치의 단면도,
도 5는 도 4에 도시한 A 부분의 확대도,
도 6은 도 1에 도시한 장치의 또 다른 단면도,
도 7은 도 6에 도시한 B 부분의 확대도,
도 8은 도 1에 도시한 장치의 작동 상태에서의 사시도,
도 9는 도 1에 도시한 장치의 작동 상태에서의 단면도,
도 10은 도 9에 도시한 C 부분의 확대도,
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 대한 사시도,
도 12는 도 11에 도시한 장치의 단면도,
도 13은 도 12에 도시한 D 부분의 확대도,
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 대한 사시도,
도 15는 도 14에 도시한 장치의 단면도,
도 16은 도 15에 도시한 E 부분의 확대도.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치를 도시한다. 장치(100)는 진공 척(110), 지지 플랫폼(120), 지지 샤프트(130) 및 액추에이터(140)를 구비한다. 진공 척(110)은, 예컨대 복수의 나사(150)에 의해 지지 플랫폼(120) 상에 고정된다. 지지 플랫폼(120)은 지지 샤프트(130) 상에 배치된다. 액추에이터(140)는 지지 플랫폼(120)을 회전하게 구동하고, 지지 플랫폼(120)은 지지 플랫폼(120)과 함께 진공 척(110)을 회전하게 구동한다.
도 2 내지 7을 참조하면, 장치(100)는 대응하는 도면을 조합하여 상세하게 기술될 것이다. 도 2 및 3에 도시한 바와 같이, 장치(100)의 진공 척(110)은 그 상부면 상에 링 형상의 내측 그루브(111)를 형성한다. 구체적으로, 내측 그루브(111)의 폭은 하부로부터 상부로 점차적으로 좁아진다. 진공 척(110)의 상부면은 내측 그루브(111)에 연결되는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯(112)을 더 형성한다. 수 개의 진공 통로(113)는 진공 척(110)을 수직방향으로 통과하여 진공 슬롯(112)에 연결한다. 진공 통로(113)와 진공 슬롯(112)을 통해, 진공 척(110) 상에 웨이퍼가 놓일 때, 내측 그루브(110)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(110) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화될 수 있다.
진공 척(110) 상에 웨이퍼를 안정되고 견고하게 보유하여 위치설정하기 위해, 바람직하게, 진공 척(110)의 상부면은 (도 4에 도시된) 진공 그루브(114)를 더 형성한다. 진공 그루브(114)는 링 형상이며 진공 척(110)의 중심 지점에 근접한다. 내측 그루브(111)와 진공 그루브(114)는 동심 링이고, 진공 척(110)의 중심 지점과 내측 그루브(111) 사이의 거리는 진공 척(110)의 중심 지점과 진공 그루브(114) 사이의 거리보다 길다. 고무 등으로 제조될 수 있는 밀봉 부재(115)는 진공 척(110)의 기밀성을 개선하기 위해 진공 그루브(114) 내에 배치된다. 밀봉 부재(115)는 수평방향부와, 상기 수평방향부에 대략 수직방향으로 연결하며 상기 수평방향부로부터 외측방향으로 점차적으로 연장되는 측방향부를 갖는다. 밀봉 부재(115)의 수평방향부는 고정 부재(116) 및 복수의 나사에 의해 진공 그루브(114) 내에 고정된다. 밀봉 부재(115)의 측방향부는, 웨이퍼가 진공 흡입에 의해 진공 척(110) 상에 보유되어 위치설정될 때 진공 척(110)의 상부면에 대해 가압된다. 진공 그루브(114)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역은 진공 그루브(114)에 연결하는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯(117)과, 진공 척(110)을 수직방향으로 통과하고 진공 슬롯(117)에 연결하는 수 개의 진공 통로(118)를 형성한다. 진공 통로(118)와 진공 슬롯(117)을 통해, 밀봉 부재(115)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(110) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화될 수 있다.
진공 척(110)의 상부면은 진공 척(110)의 주변 에지에 외측 그루브(1113)를 형성한다. 내측 그루브(111)와 외측 그루브(1113) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 압력이 정압으로 유지되게 하기 위해, 진공 척(110)의 상부면은 내측 그루브(111)와 외측 그루브(1113) 사이에 가스 흐름 그루브(1111)를 형성한다. 내측 그루브(111), 가스 흐름 그루브(1111) 및 외측 그루브(1113)는 동심 링이다. 복수의 제1 가스 구멍(1112)이 형성되어 가스 흐름 그루브(1111) 내에 균일하게 분포되며, 그를 통해 내측 그루브(111)와 외측 그루브(1113) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 충전하는 가압 가스를 공급하여, 그 공간을 정압으로 유지하게 한다. 일 실시예에서, 상기 정압은 대기압이다. 다른 실시예에서, 상기 정압은 대기압 초과이다. 바람직하게, 상기 정압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 복수의 제2 가스 구멍(1114)(도 5에 도시)은 외측 그루브(1113) 내에 형성된다. 제1 가스 구멍(1112) 각각과, 대응하는 제2 가스 구멍(1114) 각각은 진공 척(110) 내에 형성된 가스 통로(1121)에 연결한다.
본 발명의 실시예에는 2개의 밀봉 링이 제공된다. 웨이퍼의 배면측의 주변 에지가 처리될 때 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내로 액체가 들어가는 것을 방지하도록, 내측 밀봉 링(1115)은 내측 그루브(111) 내에 배치되고, 외측 밀봉 링(1116)은 외측 그루브(1113) 내에 배치된다. 주면 에지를 제외하고 웨이퍼의 배면측의 영역은 중심 영역으로 정의된다. 일 실시예에서, 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116)의 크로스 프로파일(cross profile)은 원형이다.
웨이퍼가 노치를 가지면, 웨이퍼의 노치를 일치시키기 위해, 외측 그루브(1113)는 노치(1117)를 형성하도록 진공 척(1110)의 중심을 향해 돌출하고, 외측 그루브(1113) 내에 그리고 노치(1117)에 대향되게 핀(1118)이 배치된다. 외측 밀봉 링(1116)이 외측 그루브(1113) 내에 배치되면, 외측 밀봉 링(1116)은 핀(1118)에 의해 노치(1117) 내에 스퀴즈되어, 웨이퍼의 노치의 위에서의 밀봉 효과가 개선된다.
바람직하게, 진공 척(110)이 고속으로 회전할 때 외측 밀봉 링(1116)이 외측 그루브(1113)로부터 배출되는 것을 회피하기 위해, 외측 그루브(1113)의 주변 에지에 유지 벽(1119)이 형성되어 외측 그루브(1113) 내에 외측 밀봉 링(1116)을 구속한다. 유지 벽(1119)의 높이는 웨이퍼의 배면측의 주변 에지에 액체가 분무될 수 있도록 외측 밀봉 링(1116)의 높이보다 낮다. 외측 그루브(1113) 외부로 드레인하는 외측 그루브(1113) 내에 모인 액체를 위해 유지 벽(1119)의 하부에는 복수의 관통 구멍(1120)이 형성된다.
내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116)은 내부식성 재료로 제조되며, 이는 웨이퍼의 배면측의 주변 에지에 분무되는 액체에 대한 내부식성을 가질 수 있는 종류의 재료를 의미한다. 상기 재료는, 예컨대 바이턴(viton) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등일 수 있다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116)이 내측 그루브(111)와 외측 그루브(113) 내에 각각 배치되면, 외측 밀봉 링(1116)의 높이는 내측 밀봉 링(1115)의 높이보다 높다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 간의 높이차는 5% 이하이다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 간의 높이차를 갖는 이점은, 진공 척(110) 상에 웨이퍼가 놓일 때, 웨이퍼가 외측 밀봉 링(1116)과 우선 접촉한 다음, 진공 척(110) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공 척(110)이 진공화됨으로써, 밀봉 효과를 개선할 수 있다는 점이다.
도 1, 4 및 5를 참조하면, 진공 척(110)을 진공화하여 진공 척(110)에 가압 가스를 공급하는 예시적인 실시예가 도입된다. 진공 척(110)은 복수의 가스 통로(1121)를 형성한다. 모든 가스 통로(1121)의 일단부는 가스 흐름 그루브(1111)와 외측 그루브(1113)에 가압 가스를 공급하도록 하나의 제1 가스 구멍(1112) 및 하나의 제2 가스 구멍(1114)에 연결한다. 모든 가스 통로(1121)의 타단부는 지지 플랫폼(120) 내에 형성된 가스 채널(121)의 단부와 연결한다. 지지 플랫폼(120)은, 그 상에 진공 척(110)을 지지하기 위한 수평방향 플랫폼(125)과, 수평방향 플랫폼(125)과 연결하는 수직방향 액슬(126)을 구비한다. 지지 플랫폼(120)의 수직방향 액슬(126)은 지지 샤프트(130) 내에 수용된다. 액추에이터(140)는 수직방향 액슬(126)에 연결하고, 회전하지 않는 지지 샤프트(130) 내에서 수직방향 액슬(126)이 회전하게 구동한다. 가스 채널(121)은 지지 플랫폼(120)의 수평방향 플랫폼(125) 및 수직방향 액슬(126)을 통과한다. 수평방향 플랫폼(125) 내에 위치된 가스 채널(121)의 단부는 하나의 가스 통로(1121)의 타단부와 연결한다. 수직방향 액슬(126) 내에 위치된 가스 채널(121)의 타단부는 지지 샤프트(130) 내에 형성된 환형 가스 챔버(131)와 연결한다. 환형 가스 챔버(131)는 지지 샤프트(130) 상에 형성된 가스 입구(132)를 통해 가압 가스원과 더 연결한다. 모든 진공 통로(113)와 진공 통로(118)는 지지 플랫폼(120) 내에 형성된 진공 채널(123)에 각각 연결된다. 진공 채널(123)은 지지 플랫폼(120)의 수평방향 플랫폼(125) 및 수직방향 액슬(126)을 통과한다. 수평방향 플랫폼(125) 내에 위치된 진공 채널(123)의 단부는 진공 통로(113)와 하나의 진공 통로(118)에 연결한다. 수직방향 액슬(126) 내에 위치된 진공 채널(123)의 타단부는 지지 샤프트(130) 내에 형성된 환형 진공 챔버(133)와 연결한다. 환형 진공 챔버(133)는 지지 샤프트(130) 상에 형성된 진공 입구(134)를 통해 진공원과 더 연결한다. 진공 누설 및 가압 가스 누설을 방지하기 위해 지지 플랫폼(120)의 수직방향 액슬(126)과 지지 샤프트(130) 사이에는 양호한 기밀성이 있다. 지지 샤프트(130) 내에 환형 가스 챔버(131)와 환형 진공 챔버(133)를 형성함으로써, 장치(100)는 회전 상태 하에서 진공 척(110)을 진공화하고 진공 척(110)에 가압 가스를 공급할 수 있다.
장치(100)를 이용하여 웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막이 제거되는 것을 개시하는 도 8 내지 10을 참조. 웨이퍼(160)는 진공 척(110)으로 이송되고, 웨이퍼(160)의 배면측은 진공 척(110)에 면한다. 웨이퍼(160)의 중심은 사전 정렬 장치를 이용하여 진공 척(110)의 중심에 정렬된다. 웨이퍼(160)의 노치는 진공 척(110)의 노치(1117)에 정렬된다. 우선, 웨이퍼(160)의 배면측은 외측 밀봉 링(1116)과 접촉한 다음, 진공 척(110) 상에 웨이퍼(160)를 보유하여 위치설정하기 위해 진공 통로(113), 진공 통로(118), 진공 채널(123), 환형 진공 챔버(133) 및 진공 입구(134)를 통해 내측 밀봉 링(1115)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간을 진공화하도록 진공원이 개방된다. 그 후, 가스 입구(132), 환형 가스 챔버(131), 가스 채널(121) 및 가스 통로(1121)를 통해 제1 가스 구멍(1112)과 제2 가스 구멍(1114)에 가압 가스를 공급하도록 가압 가스원이 개방된다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간은, 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간이 정압을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전된다. 일 실시예에서, 상기 정압은 대기압이다. 다른 실시예에서, 상기 정압은 대기압 초과이다. 바람직하게, 상기 정압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 가스는 N2 또는 CDA 등일 수 있다. 웨이퍼(160)에 액체, 예컨대 에천트를 분무하기 전에, 장치(100)의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 것이 더 좋다. 장치(100)의 기밀성을 검출하는 방법은, 진공 척(110)을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비한다. 장치(100)의 기밀성이 양호하면, 액추에이터(140)는 지지 플랫폼(120)과 진공 척(110)을 특정한 회전 속도로 회전하게 구동한다. 회전 속도는 일반적으로 약 50-1500rpm이다. 웨이퍼(160)의 전면에 에천트를 분무하도록 노즐(170)이 채용되고, 웨이퍼(160)의 에지의 역류(refluxing)에 의해 웨이퍼(160)의 배면측의 에지에 에천트가 흐른다. 에천트는 막을 제거하도록 웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막과 화학 반응을 한다. 또한, 웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하기 위해 웨이퍼(160)의 배면측의 에지에 에천트를 분무하도록 또다른 노즐이 채용될 수 있다. 공정 동안에, 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간이 정압을 유지하게 하는 이점은, 액체, 예컨대 에천트가 웨이퍼(1650)의 배면측의 중심 영역 내에 들어가는 것을 방지하는 것이다. 제2 가스 구멍(1114)에 가압 가스를 공급하는 이점은 외측 밀봉 링(1116)과 웨이퍼(160)의 접촉부에 남아 있는 에천트와 같은 액체를 회피하여, 웨이퍼(160)의 배면측의 중심 영역 내에 에천트가 침윤하는 것을 방지하도록 가스 커튼을 형성하는 것이다.
웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막이 제거된 후에, 노즐(170)은 웨이퍼(160)를 세정하기 위해 웨이퍼(160)에 탈이온수를 분무하도록 채용된다. 그 다음, 액추에이터(140)는 웨이퍼(160)를 건조시키도록 지지 플랫폼(120)과 진공 척(110)이 높은 회전 속도로 회전하게 구동한다. 회전 속도는 일반적으로 약 1000-3000rpm이다. 그 후, 바람직하게, 웨이퍼(160)를 더욱 건조시키도록 웨이퍼(160)의 표면에 N2를 분무하도록 노즐(180)이 채용된다. 마지막으로, 제1 가스 구멍(1112)과 제2 가스 구멍(1114)에 가압 가스의 공급을 중지하도록 가압 가스원이 폐쇄된다. 진공 척(110)은 웨이퍼(160)를 해제한다. 웨이퍼(160)는 진공 척(110)으로부터 벗어난다.
도 11 내지 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치를 도시한다. 장치(200)는 진공 척(210), 지지 플랫폼(220), 지지 샤프트(230) 및 액추에이터(240)를 구비한다. 진공 척(210)은 지지 플랫폼(220) 상에 고정된다. 지지 플랫폼(220)은 지지 샤프트(230) 상에 배치된다. 액추에이터(240)는 지지 플랫폼(220)을 회전하게 구동하여, 지지 플랫폼(220)과 함께 진공 척(210)을 회전하게 구동한다.
장치(100)와 비교하면, 진공 척(210)의 내측 그루브와 외측 그루브는 규칙적인 정방향 형상이다. 내측 고정 링(2122)과 외측 고정 링(2123)에 의해 내측 그루브와 외측 그루브 내에 내측 밀봉 링(2115)과 외측 밀봉 링(2116)이 각각 고정된다. 내측 밀봉 링(2115)과 외측 밀봉 링(2116)의 크로스 프로파일은 L-자형이다.
도 14 내지 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치를 도시한다. 장치(300)는 진공 척(310), 지지 플랫폼(320), 지지 샤프트(330) 및 액추에이터(340)를 구비한다. 진공 척(310)은 지지 플랫폼(320) 상에 고정된다. 지지 플랫폼(320)은 지지 샤프트(330) 상에 배치된다. 액추에이터(340)는 지지 플랫폼(320)을 회전하게 구동하여, 지지 플랫폼(320)과 함께 진공 척(310)을 회전하게 구동한다.
장치(100)와 비교하면, 진공 척(310)의 외측 그루브(3113)는 L-자형이고, 진공 척(310)의 주변 에지에 형성된다. 본 실시예에서, 외측 그루브(3113) 내에 배치된 외측 밀봉 링이 없다. 내측 그루브(311) 내에는 내측 밀봉 링(3115)만이 배치된다. 외측 밀봉 링을 생략하기 때문에, 외측 그루브(3113)에 가압 가스를 공급할 필요가 없으므로, 제2 가스 구멍이 생략된다. 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 막을 제거하도록 진공 척(310) 상에 웨이퍼가 놓이면, 내측 밀봉링(3115)에 의해 둘러싸인 진공 척(310)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(310) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화된다. 진공 척(110)의 외측 그루브(3113)와 내측 밀봉 링(3115) 사이의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(110)의 외측 그루브(3113)와 내측 밀봉 링(3115) 사이의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압이 대기압을 초과하게 하도록 가압 가스로 충전됨으로써, 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 막을 제거하기 위한 방법은 하기의 단계를 구비한다.
단계 1: 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;
단계 2: 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;
단계 3: 상기 내측 밀봉 링과 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링과 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;
단계 4: 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;
단계 5: 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;
단계 6: 상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
단계 7: 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;
단계 8: 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;
단계 9: 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및
단계 10: 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계.
단계 1에서, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비한다.
단계 3에서, 상기 정압은 대기압이거나 또는 상기 정압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 가스는 N2 또는 CDA 등일 수 있다.
웨이퍼에 액체, 예컨대 에천트를 분무하기 전에, 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 것이 더 좋다. 장치의 기밀성을 검출하는 방법은, 진공 척을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비한다.
단계 4에서, 회전 속도는 일반적으로 약 50-1500rpm이다.
단계 6에서, 웨이퍼를 세정하도록 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비한다.
단계 7에서, 웨이퍼를 건조시키도록 진공 척을 높은 회전 속도로 회전시키는 단계를 더 구비한다. 회전 속도는 일반적으로 약 1000-3000rpm이다. 그 후, 웨이퍼를 건조시키도록 웨이퍼의 표면에 N2를 분무한다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법은 하기의 단계를 구비한다.
단계 20: 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;
단계 21: 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;
단계 22: 상기 내측 밀봉 링과 외측 그루브 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 대기압을 초과하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;
단계 23: 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;
단계 24: 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;
단계 25: 상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
단계 26: 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;
단계 27: 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;
단계 28: 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및
단계 29: 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계.
단계 20에서, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비한다.
단계 22에서, 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 가스는 N2 또는 CDA 등일 수 있다.
웨이퍼에 액체, 예컨대 에천트를 분무하기 전에, 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 것이 더 좋다. 장치의 기밀성을 검출하는 방법은, 진공 척을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비한다.
단계 23에서, 회전 속도는 일반적으로 약 50-1500rpm이다.
단계 25에서, 웨이퍼를 세정하도록 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비한다.
단계 26에서, 웨이퍼를 건조시키도록 진공 척을 높은 회전 속도로 회전시키는 단계를 더 구비한다. 회전 속도는 일반적으로 약 1000-3000rpm이다. 그 후, 웨이퍼를 건조시키도록 웨이퍼의 표면에 N2를 분무한다.
본 발명의 전술한 설명은 예시 및 기술을 위해 제공되었다. 본 발명은 개시된 정확한 형태로 제한되거나 또는 배제하도록 의도되지 않고, 상기한 교시로부터 다수의 변경 및 수정이 가능하다. 당업자에게 명백할 수 있는 이러한 변경 및 수정은 첨부한 청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 내에 포함되도록 의도된다.

Claims (57)

  1. 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 있어서,
    내측 그루브와 외측 그루브를 갖는 진공 척으로서, 상기 내측 그루브는 상기 웨이퍼의 중심 영역에 대응하는 위치에 위치설정되고, 상기 외측 그루브는 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는, 상기 진공 척;
    상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링; 및
    상기 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링
    을 포함하며,
    상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전되는,
    막 제거 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정압은 대기압인,
    막 제거 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 정압은 대기압 초과인,
    막 제거 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 정압은 1-1.5 기압인,
    막 제거 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 정압은 1.2 기압인,
    막 제거 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스는 N2 또는 CDA인,
    막 제거 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브 사이에 가스 흐름 그루브를 더 갖고, 상기 가스 흐름 그루브 내에 복수의 제1 가스 구멍이 균일하게 형성되고, 상기 가압 가스는 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하도록 상기 제1 가스 구멍을 통해 공급되는,
    막 제거 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가스 흐름 그루브, 상기 내측 그루브 및 상기 외측 그루브는 동심원인,
    막 제거 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링의 크로스 프로파일(cross profile)은 원형인,
    막 제거 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링은 내부식성 재료로 제조되는,
    막 제거 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링은 바이턴(viton) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌으로 제조되는,
    막 제거 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 외측 밀봉 링의 높이는 상기 내측 밀봉 링의 높이보다 높은,
    막 제거 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이의 높이차는 5% 이하인,
    막 제거 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 외측 그루브 내의 상기 외측 밀봉 링을 구속하도록 상기 외측 그루브의 주변 에지에 형성된 유지 벽(retaining wall)을 더 포함하는,
    막 제거 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 유지 벽의 높이는, 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 액체가 분무될 수 있도록 상기 외측 밀봉 링의 높이보다 낮은,
    막 제거 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 외측 그루브 내에 모인 액체를 상기 외측 그루브 외부로 드레인하도록 상기 유지 벽의 하부에 형성된 복수의 관통 구멍을 더 포함하는,
    막 제거 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 외측 그루브는 노치를 형성하도록 상기 진공 척의 중심을 향해 돌출하고, 상기 노치 내의 상기 외측 밀봉 링을 스퀴징하도록 상기 외측 그루브 내에 그리고 상기 노치의 반대편에는 핀이 배치되는,
    막 제거 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 내측 그루브의 폭은 하부로부터 상부로 점차적으로 좁아지는,
    막 제거 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 진공 척은,
    상기 내측 그루브에 연결된 수 개의 상호연결된 진공 슬롯; 및
    상기 진공 척을 수직방향으로 통과하고 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로
    를 포함하며,
    상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
    막 제거 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 진공 척은 진공 그루브를 포함하고, 상기 진공 그루브는 링 형상이며 상기 진공 척의 중심 지점에 근접하고, 상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역은 상기 진공 그루브에 연결하는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯과, 상기 진공 척을 수직방향으로 통과하며 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로를 형성하며,
    상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
    막 제거 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 진공 그루브 내에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하며, 상기 밀봉 부재는 수평방향부와, 상기 수평방향부에 대략 수직방향으로 연결하며 상기 수평방향부로부터 외측방향으로 점차적으로 연장되는 측방향부를 갖고, 상기 밀봉 부재의 수평방향부는 고정 부재에 의해 상기 진공 그루브 내에 고정되며, 상기 밀봉 부재의 측방향부는 상기 진공 척의 상부면에 대해 가압되는,
    막 제거 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    지지 플랫폼, 지지 샤프트 및 액추에이터를 더 포함하며,
    상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 지지하는 수평방향 플랫폼과, 상기 수평방향 플랫폼과 연결하며 상기 지지 샤프트 내에 수용되는 수직방향 액슬을 구비하고, 상기 액추에이터는 상기 수직방향 액슬에 연결하며 상기 지지 샤프트 내에서 회전하는 상기 수직방향 액슬을 구동하며, 상기 지지 플랫폼과 함께 상기 진공 척을 더욱 구동하는,
    막 제거 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하기 위해 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스를 공급하도록 복수의 가스 통로를 형성하는,
    막 제거 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    모든 가스 통로는 상기 지지 플랫폼 내에 형성된 가스 채널의 단부와 연결하고, 상기 가스 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 가스 채널의 단부는 상기 가스 통로와 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 가스 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 가스 챔버와 연결하고, 상기 환형 가스 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 가스 입구를 통해 가압 가스원과 연결되는,
    막 제거 장치.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 외측 그루브 내에 복수의 제2 가스 구멍을 형성하고, 상기 제2 가스 구멍은 상기 가스 통로에 연결되는,
    막 제거 장치.
  26. 제22항에 있어서,
    상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 진공화하는 진공 채널을 형성하고, 상기 진공 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 진공 채널의 단부는 상기 진공 척과 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 진공 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 진공 챔버와 연결하고, 상기 환형 진공 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 진공 입구를 통해 진공원과 연결되는,
    막 제거 장치.
  27. 제1항에 있어서,
    상기 진공 척의 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브는 규칙적인 정방형 형상이고, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링의 크로스 프로파일은 L-자형인,
    막 제거 장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링은 내측 고정 링과 외측 고정 링에 의해 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브 내에 각각 고정되는,
    막 제거 장치.
  29. 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 있어서,
    내측 그루브와 외측 그루브를 갖는 진공 척으로서, 상기 내측 그루브는 상기 웨이퍼의 중심 영역에 대응하는 위치에 위치설정되고, 상기 외측 그루브는 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는, 상기 진공 척; 및
    상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링
    을 포함하며,
    상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압이 대기압을 초과하게 하도록 가압 가스로 충전되는,
    막 제거 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 진공 척의 상기 외측 그루브는 L-자형인,
    막 제거 장치.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1-1.5 기압인,
    막 제거 장치.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1.2 기압인,
    막 제거 장치.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브 사이에 가스 흐름 그루브를 더 갖고, 상기 가스 흐름 그루브 내에 복수의 제1 가스 구멍이 균일하게 형성되고, 상기 가압 가스는 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하도록 상기 제1 가스 구멍을 통해 공급되는,
    막 제거 장치.
  34. 제29항에 있어서,
    상기 진공 척은,
    상기 내측 그루브에 연결된 수 개의 상호연결된 진공 슬롯; 및
    상기 진공 척을 수직방향으로 통과하고 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로
    를 포함하며,
    상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
    막 제거 장치.
  35. 제29항에 있어서,
    상기 진공 척은 진공 그루브를 포함하고, 상기 진공 그루브는 링 형상이며 상기 진공 척의 중심 지점에 근접하고, 상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역은 상기 진공 그루브에 연결하는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯과, 상기 진공 척을 수직방향으로 통과하며 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로를 형성하며,
    상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
    막 제거 장치.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 진공 그루브 내에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하며, 상기 밀봉 부재는 수평방향부와, 상기 수평방향부에 대략 수직방향으로 연결하며 상기 수평방향부로부터 외측방향으로 점차적으로 연장되는 측방향부를 갖고, 상기 밀봉 부재의 수평방향부는 고정 부재에 의해 상기 진공 그루브 내에 고정되며, 상기 밀봉 부재의 측방향부는 상기 진공 척의 상부면에 대해 가압되는,
    막 제거 장치.
  37. 제29항에 있어서,
    지지 플랫폼, 지지 샤프트 및 액추에이터를 더 포함하며,
    상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 지지하는 수평방향 플랫폼과, 상기 수평방향 플랫폼과 연결하며 상기 지지 샤프트 내에 수용되는 수직방향 액슬을 구비하고, 상기 액추에이터는 상기 수직방향 액슬에 연결하며 상기 지지 샤프트 내에서 회전하는 상기 수직방향 액슬을 구동하며, 상기 지지 플랫폼과 함께 상기 진공 척을 더욱 구동하는,
    막 제거 장치.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 진공 척은 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하기 위해 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스를 공급하도록 복수의 가스 통로를 형성하는,
    막 제거 장치.
  39. 제38항에 있어서,
    모든 가스 통로는 상기 지지 플랫폼 내에 형성된 가스 채널의 단부와 연결하고, 상기 가스 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 가스 채널의 단부는 상기 가스 통로와 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 가스 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 가스 챔버와 연결하고, 상기 환형 가스 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 가스 입구를 통해 가압 가스원과 연결되는,
    막 제거 장치.
  40. 제37항에 있어서,
    상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 진공화하는 진공 채널을 형성하고, 상기 진공 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 진공 채널의 단부는 상기 진공 척과 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 진공 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 진공 챔버와 연결하고, 상기 환형 진공 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 진공 입구를 통해 진공원과 연결되는,
    막 제거 장치.
  41. 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법에 있어서,
    장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;
    상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;
    상기 내측 밀봉 링과 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링과 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;
    회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;
    상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;
    상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
    상기 웨이퍼를 건조하는 단계;
    상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;
    상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계
    를 포함하는,
    막 제거 방법.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계는, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비하는,
    막 제거 방법.
  43. 제41항에 있어서,
    상기 정압은 대기압인,
    막 제거 방법.
  44. 제41항에 있어서,
    상기 정압은 대기압 초과인,
    막 제거 방법.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 정압은 1-1.5 기압인,
    막 제거 방법.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 정압은 1.2 기압인,
    막 제거 방법.
  47. 제41항에 있어서,
    상기 웨이퍼에 액체를 분무하기 전에 상기 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 단계를 더 포함하는,
    막 제거 방법.
  48. 제47항에 있어서,
    상기 장치의 기밀성을 검출하는 단계는, 상기 진공 척을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 상기 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비하는,
    막 제거 방법.
  49. 제41항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 세정하는 단계는, 상기 웨이퍼를 세정하도록 상기 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비하는,
    막 제거 방법.
  50. 제41항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 건조하는 단계는, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 높은 회전 속도로 상기 진공 척을 회전시킨 후에, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 상기 웨이퍼의 표면에 N2를 분무하는 단계를 더 구비하는,
    막 제거 방법.
  51. 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법에 있어서,
    장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;
    상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;
    상기 내측 밀봉 링과 외측 그루브 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 대기압을 초과하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;
    회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;
    상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;
    상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
    상기 웨이퍼를 건조하는 단계;
    상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;
    상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계
    를 포함하는,
    막 제거 방법.
  52. 제51항에 있어서,
    상기 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계는, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비하는,
    막 제거 방법.
  53. 제51항에 있어서,
    상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1-1.5 기압인,
    막 제거 방법.
  54. 제53항에 있어서,
    상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1.2 기압인,
    막 제거 방법.
  55. 제51항에 있어서,
    상기 웨이퍼에 액체를 분무하기 전에 상기 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 단계를 더 포함하는,
    막 제거 방법.
  56. 제51항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 세정하는 단계는, 상기 웨이퍼를 세정하도록 상기 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비하는,
    막 제거 방법.
  57. 제51항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 건조하는 단계는, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 높은 회전 속도로 상기 진공 척을 회전시킨 후에, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 상기 웨이퍼의 표면에 N2를 분무하는 단계를 더 구비하는,
    막 제거 방법.
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