KR20170013996A - Apparatus and method for removing film on edge of backside of wafer - Google Patents
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Abstract
웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법. 상기 장치는 내측 그루브(111)와, 진공 척(110)의 주변 에지에 형성된 외측 그루브(1113)를 갖는 진공 척(110); 상기 내측 그루브(111) 내에 배치된 내측 밀봉 링(1115); 및 상기 외측 그루브(1113) 내에 배치된 외측 밀봉 링(1116)을 구비한다. 상기 진공 척(110) 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링(1115)에 의해 둘러싸인 상기 진공 척(110)의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척(110) 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 내측 밀봉 링(1115)과 상기 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 상기 진공 척(110)의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 내측 밀봉 링(1115)과 상기 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전된다.An apparatus and method for removing a film on an edge on the back side of a wafer. The apparatus comprises a vacuum chuck 110 having an inner groove 111 and an outer groove 1113 formed in the peripheral edge of the vacuum chuck 110; An inner seal ring (1115) disposed in the inner groove (111); And an outer seal ring 1116 disposed in the outer groove 1113. [ When the wafer is placed on the vacuum chuck 110, the area of the vacuum chuck 110 surrounded by the inner seal ring 1115 and the space defined by the wafer are positioned on the vacuum chuck 110, And a space defined by the wafer and a region of the vacuum chuck 110 between the inner seal ring 1115 and the outer seal ring 1116 is evacuated to the center of the back side of the wafer To ensure that the area of the vacuum chuck between the inner seal ring (1115) and the outer seal ring (1116) and the space defined by the wafer maintain a positive pressure to prevent liquid from reaching the area Gas.
Description
본 발명은 일반적으로 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 상의 막이 손상되는 것을 방지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates generally to an apparatus and method for removing a film on the edge of the rear side of a wafer and more particularly to an apparatus and a method for removing a film on an edge on the back side of a wafer, Apparatus and method.
집적회로 제조 분야에서, 에피텍시 공정(epitaxy process)은 일반적으로 하기의 단계, 즉 결정 성장, 슬라이싱, 에지 프로파일링, 래핑, 에칭, 배면 처리, 폴리싱, 세정, 에피텍시 성장 등을 포함한다.
In the field of integrated circuit fabrication, an epitaxy process generally involves the following steps: crystal growth, slicing, edge profiling, lapping, etching, backside processing, polishing, cleaning, epitaxial growth, .
배면 처리의 단계는 헤비 도핑 에피텍시 공정(heavy doped epitaxy process)에 보다 통상적으로 이용된다. 헤비 도핑 웨이퍼의 제조 동안에, 웨이퍼 내의 도펀트 또는 불순물은 약 1100℃의 온도에서 에피텍셜층 내에 도입되어, 유해한 불순물의 농도가 에피텍셜층 내의 새로운 마이크로-결함을 일으키게 하거나 또는 형성하게도 한다. 따라서, 웨이퍼의 배면측 상에 박막을 형성하는 것이 필요하다. 박막은 밀봉층으로서 기능하여 도펀트 또는 불순물이 에피텍셜층 내에 도입되는 것을 방지한다. 박막의 재료는 SiO2, Si3N4, 다결정 실리콘 등 중 하나 일 수 있다. 박막, 예컨대 SiO2 박막은 CVD(화학 증착법) 등을 통해 웨이퍼의 배면측 상에 형성된다.
The step of backside treatment is more commonly used for the heavy doped epitaxy process. During the fabrication of heavy doped wafers, dopants or impurities in the wafers are introduced into the epitaxial layer at a temperature of about 1100 DEG C, causing the concentration of harmful impurities to cause or form new micro-defects in the epitaxial layer. Therefore, it is necessary to form a thin film on the back side of the wafer. The thin film functions as a sealing layer to prevent dopants or impurities from being introduced into the epitaxial layer. The material of the thin film may be one of SiO 2 , Si 3 N 4 , polycrystalline silicon and the like. A thin film, for example, a SiO 2 thin film is formed on the back side of the wafer through CVD (chemical vapor deposition) or the like.
SiO2 박막이 웨이퍼의 배면측 상에 형성된 후에, 후속적인 공정은 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 SiO2 박막을 제거하는 것이다. SiO2 박막을 형성하는 공정에서, SiO2 박막이 웨이퍼의 배면측 상에 형성할 뿐만 아니라, 면취부, 웨이퍼의 전면 및 배면측의 에지 상에 형성한다. 면취부, 웨이퍼의 전면 및 배면측의 에지 상에 형성된 SiO2 박막은 바람직하지 못하여 제거되어야 한다. 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 SiO2 박막을 제거하기 위한 종래의 방법은 SiO2 박막을 에칭하도록 HF 용액 또는 HF 증기를 이용하고 있다. 웨이퍼의 배면측의 에지의 최외측 주변 에지로부터 약 0.5-3mm 상에 형성된 SiO2 박막은 제거될 필요가 있고, SiO2 박막의 두께는 약 0.3-3㎛이다. 현재, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 SiO2 박막을 제거하기 위한 널리 이용되는 장치는 웨이퍼의 배면측의 중심 영역으로부터 에지 영역을 격리하도록 시일 링을 채용한다. 그 다음, 웨이퍼의 배면측의 에지 영역 상에 HF 용액 또는 HF 증기가 분무되어, 그 상에 형성된 SiO2 박막을 제거한다. 그러나, 그 장치의 밀봉 효과는 거의 만족스럽지 못하여, 웨이퍼의 배면측의 에지 영역 상에 형성된 SiO2 박막이 에칭될 때에 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 상에 형성된 SiO2 박막이 제거되게 할 수 있다. 에지 영역을 제외하고 웨이퍼의 배면측의 영역은 중심 영역으로 정의된다.
After the SiO 2 thin film is formed on the back side of the wafer, a subsequent process is to remove the SiO 2 thin film formed on the edge of the back side of the wafer. In the step of forming the SiO 2 thin film, as well as SiO 2 thin film is formed on the back side of the wafer and the mounting surface, formed on the edges of the front and back side of the wafer. The SiO 2 thin films formed on the chamfered portions, the front and back side edges of the wafer are undesirably removed. The conventional method for removing the SiO 2 thin film formed on the edge of the rear side of the wafer uses HF solution or HF vapor to etch the SiO 2 thin film. The SiO 2 thin film formed on about 0.5-3 mm from the outermost peripheral edge of the edge on the rear side of the wafer needs to be removed, and the thickness of the SiO 2 thin film is about 0.3-3 탆. Currently, a widely used apparatus for removing SiO 2 thin film on the edge of the rear side of the wafer employs a sealing ring to isolate the edge region from the central region on the back side of the wafer. Then, HF solution or HF vapor is sprayed onto the edge region on the rear side of the wafer, and the SiO 2 thin film formed on the wafer is removed. However, the sealing effect of the apparatus is almost unsatisfactory, so that when the SiO 2 thin film formed on the edge region on the rear side of the wafer is etched, the SiO 2 thin film formed on the central region on the back side of the wafer can be removed. The region on the rear side of the wafer except for the edge region is defined as the center region.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 상의 막이 손상되는 것을 방지하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for preventing a film on an edge on the back side of a wafer from being damaged as well as a film on a central region on the back side of the wafer.
일 실시예에서, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치는, 내측 그루브와 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는 외측 그루브를 갖는 진공 척, 상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링, 및 상기 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링을 구비한다. 상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전된다.
In one embodiment, an apparatus for removing a film on the edge of the backside of a wafer includes a vacuum chuck having an inner groove and an outer groove positioned at a peripheral edge of the vacuum chuck, an inner seal ring disposed within the inner groove, And an outer seal ring disposed in the groove. Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring and a space defined by the wafer are evacuated to hold and position the wafer on the vacuum chuck when the wafer is placed on the vacuum chuck, Wherein the area of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring and the space formed by the wafer are such that the distance between the inner seal ring and the outer seal ring between the inner seal ring and the outer seal ring The area of the vacuum chuck and the space formed by the wafer are filled with pressurized gas to maintain a positive pressure.
다른 실시예에서, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치는, 내측 그루브와 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는 외측 그루브를 갖는 진공 척, 및 상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링을 구비한다. 상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압이 대기압을 초과하게 하도록 가압 가스로 충전된다.
In another embodiment, an apparatus for removing a film on the edge of the backside of a wafer includes a vacuum chuck having an inner groove and an outer groove positioned at a peripheral edge of the vacuum chuck, and an inner seal ring disposed in the inner groove . Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring and a space defined by the wafer are evacuated to hold and position the wafer on the vacuum chuck when the wafer is placed on the vacuum chuck, A region between the groove and the inner seal ring and a space formed by the wafer are arranged in a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring to prevent liquid from reaching the center region of the backside of the wafer, So that the pressure of the gas in the space formed by the pressurized gas exceeds the atmospheric pressure.
일 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법은, 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계; 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계; 상기 내측 밀봉 링과 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압을 유지하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링과 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계; 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계; 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계; 상기 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 웨이퍼를 건조하는 단계; 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계; 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계를 구비한다.
According to one embodiment, a method of removing a film on an edge of a backside of a wafer includes placing a wafer on a vacuum chuck of the apparatus; Evacuating a space defined by the wafer and an area of the vacuum chuck surrounded by an inner seal ring disposed within an inner groove of the vacuum chuck to hold and position the wafer on the vacuum chuck; Filling the space defined by the wafer and the region of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring with a pressurized gas to form a region of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring, Supplying pressurized air to a space defined by an area between the inner seal ring and the outer seal ring disposed in the outer groove of the vacuum chuck so that the formed space maintains the static pressure, and the wafer; Driving the vacuum chuck rotating at a rotation speed; Spraying an etchant to the edge on the back side of the wafer to remove the film formed on the edge on the back side of the wafer; Cleaning the wafer; Drying the wafer; Stopping the supply of the pressurized gas to a space defined by the region of the vacuum chuck and the wafer between the inner seal ring and the outer seal ring; Releasing the wafer; And releasing the wafer from the vacuum chuck.
다른 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법은, 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계; 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계; 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 대기압을 초과하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계; 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계; 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계; 상기 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 웨이퍼를 건조하는 단계; 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계; 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계를 구비한다.
According to another embodiment, a method for removing a film on an edge on the back side of a wafer includes placing a wafer on a vacuum chuck of the apparatus; Evacuating a space defined by the wafer and an area of the vacuum chuck surrounded by an inner seal ring disposed within an inner groove of the vacuum chuck to hold and position the wafer on the vacuum chuck; A space between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer is filled with a pressurized gas so that a space between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer are atmospheric pressure Supplying pressurized air to an area between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and to a space formed by the wafer so as to exceed the outer seal groove of the vacuum chuck; Driving the vacuum chuck rotating at a rotation speed; Spraying an etchant to the edge on the back side of the wafer to remove the film formed on the edge on the back side of the wafer; Cleaning the wafer; Drying the wafer; Stopping the supply of the pressurized gas to the space between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and the space formed by the wafer; Releasing the wafer; And releasing the wafer from the vacuum chuck.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명은 하기의 실시예에 대한 설명을 읽음으로써 당업자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 대한 사시도,
도 2는 도 1에 도시한 장치의 평면도,
도 3은 도 1에 도시한 장치의 평면도로서, 밀봉 링 없는 도면,
도 4는 도 1에 도시한 장치의 단면도,
도 5는 도 4에 도시한 A 부분의 확대도,
도 6은 도 1에 도시한 장치의 또 다른 단면도,
도 7은 도 6에 도시한 B 부분의 확대도,
도 8은 도 1에 도시한 장치의 작동 상태에서의 사시도,
도 9는 도 1에 도시한 장치의 작동 상태에서의 단면도,
도 10은 도 9에 도시한 C 부분의 확대도,
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 대한 사시도,
도 12는 도 11에 도시한 장치의 단면도,
도 13은 도 12에 도시한 D 부분의 확대도,
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치에 대한 사시도,
도 15는 도 14에 도시한 장치의 단면도,
도 16은 도 15에 도시한 E 부분의 확대도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be apparent to those skilled in the art from a reading of the following description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
1 is a perspective view of an apparatus for removing a film on the back edge side of a wafer according to the first embodiment of the present invention,
Figure 2 is a top view of the device shown in Figure 1,
Fig. 3 is a plan view of the device shown in Fig. 1,
Figure 4 is a cross-sectional view of the device shown in Figure 1,
Fig. 5 is an enlarged view of the portion A shown in Fig. 4,
Figure 6 is another cross-sectional view of the device shown in Figure 1;
Fig. 7 is an enlarged view of a portion B shown in Fig. 6,
8 is a perspective view of the apparatus shown in Fig. 1 in an operating state, Fig.
9 is a sectional view of the apparatus shown in Fig. 1 in an operating state, Fig.
Fig. 10 is an enlarged view of a portion C shown in Fig. 9,
11 is a perspective view of an apparatus for removing a film on the back edge side of a wafer according to a second embodiment of the present invention,
12 is a cross-sectional view of the device shown in Fig. 11,
13 is an enlarged view of the portion D shown in Fig. 12,
14 is a perspective view of a device for removing a film on the back edge side of the wafer according to the third embodiment of the present invention,
Figure 15 is a cross-sectional view of the device shown in Figure 14,
16 is an enlarged view of the portion E shown in Fig.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치를 도시한다. 장치(100)는 진공 척(110), 지지 플랫폼(120), 지지 샤프트(130) 및 액추에이터(140)를 구비한다. 진공 척(110)은, 예컨대 복수의 나사(150)에 의해 지지 플랫폼(120) 상에 고정된다. 지지 플랫폼(120)은 지지 샤프트(130) 상에 배치된다. 액추에이터(140)는 지지 플랫폼(120)을 회전하게 구동하고, 지지 플랫폼(120)은 지지 플랫폼(120)과 함께 진공 척(110)을 회전하게 구동한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 shows an apparatus for removing a film on the back edge side of a wafer according to a first embodiment of the present invention. Fig. The
도 2 내지 7을 참조하면, 장치(100)는 대응하는 도면을 조합하여 상세하게 기술될 것이다. 도 2 및 3에 도시한 바와 같이, 장치(100)의 진공 척(110)은 그 상부면 상에 링 형상의 내측 그루브(111)를 형성한다. 구체적으로, 내측 그루브(111)의 폭은 하부로부터 상부로 점차적으로 좁아진다. 진공 척(110)의 상부면은 내측 그루브(111)에 연결되는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯(112)을 더 형성한다. 수 개의 진공 통로(113)는 진공 척(110)을 수직방향으로 통과하여 진공 슬롯(112)에 연결한다. 진공 통로(113)와 진공 슬롯(112)을 통해, 진공 척(110) 상에 웨이퍼가 놓일 때, 내측 그루브(110)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(110) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화될 수 있다.
Referring to Figures 2-7, the
진공 척(110) 상에 웨이퍼를 안정되고 견고하게 보유하여 위치설정하기 위해, 바람직하게, 진공 척(110)의 상부면은 (도 4에 도시된) 진공 그루브(114)를 더 형성한다. 진공 그루브(114)는 링 형상이며 진공 척(110)의 중심 지점에 근접한다. 내측 그루브(111)와 진공 그루브(114)는 동심 링이고, 진공 척(110)의 중심 지점과 내측 그루브(111) 사이의 거리는 진공 척(110)의 중심 지점과 진공 그루브(114) 사이의 거리보다 길다. 고무 등으로 제조될 수 있는 밀봉 부재(115)는 진공 척(110)의 기밀성을 개선하기 위해 진공 그루브(114) 내에 배치된다. 밀봉 부재(115)는 수평방향부와, 상기 수평방향부에 대략 수직방향으로 연결하며 상기 수평방향부로부터 외측방향으로 점차적으로 연장되는 측방향부를 갖는다. 밀봉 부재(115)의 수평방향부는 고정 부재(116) 및 복수의 나사에 의해 진공 그루브(114) 내에 고정된다. 밀봉 부재(115)의 측방향부는, 웨이퍼가 진공 흡입에 의해 진공 척(110) 상에 보유되어 위치설정될 때 진공 척(110)의 상부면에 대해 가압된다. 진공 그루브(114)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역은 진공 그루브(114)에 연결하는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯(117)과, 진공 척(110)을 수직방향으로 통과하고 진공 슬롯(117)에 연결하는 수 개의 진공 통로(118)를 형성한다. 진공 통로(118)와 진공 슬롯(117)을 통해, 밀봉 부재(115)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(110) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화될 수 있다.
The upper surface of the
진공 척(110)의 상부면은 진공 척(110)의 주변 에지에 외측 그루브(1113)를 형성한다. 내측 그루브(111)와 외측 그루브(1113) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 압력이 정압으로 유지되게 하기 위해, 진공 척(110)의 상부면은 내측 그루브(111)와 외측 그루브(1113) 사이에 가스 흐름 그루브(1111)를 형성한다. 내측 그루브(111), 가스 흐름 그루브(1111) 및 외측 그루브(1113)는 동심 링이다. 복수의 제1 가스 구멍(1112)이 형성되어 가스 흐름 그루브(1111) 내에 균일하게 분포되며, 그를 통해 내측 그루브(111)와 외측 그루브(1113) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 충전하는 가압 가스를 공급하여, 그 공간을 정압으로 유지하게 한다. 일 실시예에서, 상기 정압은 대기압이다. 다른 실시예에서, 상기 정압은 대기압 초과이다. 바람직하게, 상기 정압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 복수의 제2 가스 구멍(1114)(도 5에 도시)은 외측 그루브(1113) 내에 형성된다. 제1 가스 구멍(1112) 각각과, 대응하는 제2 가스 구멍(1114) 각각은 진공 척(110) 내에 형성된 가스 통로(1121)에 연결한다.
The upper surface of the
본 발명의 실시예에는 2개의 밀봉 링이 제공된다. 웨이퍼의 배면측의 주변 에지가 처리될 때 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내로 액체가 들어가는 것을 방지하도록, 내측 밀봉 링(1115)은 내측 그루브(111) 내에 배치되고, 외측 밀봉 링(1116)은 외측 그루브(1113) 내에 배치된다. 주면 에지를 제외하고 웨이퍼의 배면측의 영역은 중심 영역으로 정의된다. 일 실시예에서, 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116)의 크로스 프로파일(cross profile)은 원형이다.
In the embodiment of the present invention, two sealing rings are provided. The
웨이퍼가 노치를 가지면, 웨이퍼의 노치를 일치시키기 위해, 외측 그루브(1113)는 노치(1117)를 형성하도록 진공 척(1110)의 중심을 향해 돌출하고, 외측 그루브(1113) 내에 그리고 노치(1117)에 대향되게 핀(1118)이 배치된다. 외측 밀봉 링(1116)이 외측 그루브(1113) 내에 배치되면, 외측 밀봉 링(1116)은 핀(1118)에 의해 노치(1117) 내에 스퀴즈되어, 웨이퍼의 노치의 위에서의 밀봉 효과가 개선된다.
The
바람직하게, 진공 척(110)이 고속으로 회전할 때 외측 밀봉 링(1116)이 외측 그루브(1113)로부터 배출되는 것을 회피하기 위해, 외측 그루브(1113)의 주변 에지에 유지 벽(1119)이 형성되어 외측 그루브(1113) 내에 외측 밀봉 링(1116)을 구속한다. 유지 벽(1119)의 높이는 웨이퍼의 배면측의 주변 에지에 액체가 분무될 수 있도록 외측 밀봉 링(1116)의 높이보다 낮다. 외측 그루브(1113) 외부로 드레인하는 외측 그루브(1113) 내에 모인 액체를 위해 유지 벽(1119)의 하부에는 복수의 관통 구멍(1120)이 형성된다.
A
내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116)은 내부식성 재료로 제조되며, 이는 웨이퍼의 배면측의 주변 에지에 분무되는 액체에 대한 내부식성을 가질 수 있는 종류의 재료를 의미한다. 상기 재료는, 예컨대 바이턴(viton) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등일 수 있다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116)이 내측 그루브(111)와 외측 그루브(113) 내에 각각 배치되면, 외측 밀봉 링(1116)의 높이는 내측 밀봉 링(1115)의 높이보다 높다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 간의 높이차는 5% 이하이다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 간의 높이차를 갖는 이점은, 진공 척(110) 상에 웨이퍼가 놓일 때, 웨이퍼가 외측 밀봉 링(1116)과 우선 접촉한 다음, 진공 척(110) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공 척(110)이 진공화됨으로써, 밀봉 효과를 개선할 수 있다는 점이다.
The
도 1, 4 및 5를 참조하면, 진공 척(110)을 진공화하여 진공 척(110)에 가압 가스를 공급하는 예시적인 실시예가 도입된다. 진공 척(110)은 복수의 가스 통로(1121)를 형성한다. 모든 가스 통로(1121)의 일단부는 가스 흐름 그루브(1111)와 외측 그루브(1113)에 가압 가스를 공급하도록 하나의 제1 가스 구멍(1112) 및 하나의 제2 가스 구멍(1114)에 연결한다. 모든 가스 통로(1121)의 타단부는 지지 플랫폼(120) 내에 형성된 가스 채널(121)의 단부와 연결한다. 지지 플랫폼(120)은, 그 상에 진공 척(110)을 지지하기 위한 수평방향 플랫폼(125)과, 수평방향 플랫폼(125)과 연결하는 수직방향 액슬(126)을 구비한다. 지지 플랫폼(120)의 수직방향 액슬(126)은 지지 샤프트(130) 내에 수용된다. 액추에이터(140)는 수직방향 액슬(126)에 연결하고, 회전하지 않는 지지 샤프트(130) 내에서 수직방향 액슬(126)이 회전하게 구동한다. 가스 채널(121)은 지지 플랫폼(120)의 수평방향 플랫폼(125) 및 수직방향 액슬(126)을 통과한다. 수평방향 플랫폼(125) 내에 위치된 가스 채널(121)의 단부는 하나의 가스 통로(1121)의 타단부와 연결한다. 수직방향 액슬(126) 내에 위치된 가스 채널(121)의 타단부는 지지 샤프트(130) 내에 형성된 환형 가스 챔버(131)와 연결한다. 환형 가스 챔버(131)는 지지 샤프트(130) 상에 형성된 가스 입구(132)를 통해 가압 가스원과 더 연결한다. 모든 진공 통로(113)와 진공 통로(118)는 지지 플랫폼(120) 내에 형성된 진공 채널(123)에 각각 연결된다. 진공 채널(123)은 지지 플랫폼(120)의 수평방향 플랫폼(125) 및 수직방향 액슬(126)을 통과한다. 수평방향 플랫폼(125) 내에 위치된 진공 채널(123)의 단부는 진공 통로(113)와 하나의 진공 통로(118)에 연결한다. 수직방향 액슬(126) 내에 위치된 진공 채널(123)의 타단부는 지지 샤프트(130) 내에 형성된 환형 진공 챔버(133)와 연결한다. 환형 진공 챔버(133)는 지지 샤프트(130) 상에 형성된 진공 입구(134)를 통해 진공원과 더 연결한다. 진공 누설 및 가압 가스 누설을 방지하기 위해 지지 플랫폼(120)의 수직방향 액슬(126)과 지지 샤프트(130) 사이에는 양호한 기밀성이 있다. 지지 샤프트(130) 내에 환형 가스 챔버(131)와 환형 진공 챔버(133)를 형성함으로써, 장치(100)는 회전 상태 하에서 진공 척(110)을 진공화하고 진공 척(110)에 가압 가스를 공급할 수 있다.
Referring to Figures 1, 4 and 5, an exemplary embodiment is introduced in which the
장치(100)를 이용하여 웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막이 제거되는 것을 개시하는 도 8 내지 10을 참조. 웨이퍼(160)는 진공 척(110)으로 이송되고, 웨이퍼(160)의 배면측은 진공 척(110)에 면한다. 웨이퍼(160)의 중심은 사전 정렬 장치를 이용하여 진공 척(110)의 중심에 정렬된다. 웨이퍼(160)의 노치는 진공 척(110)의 노치(1117)에 정렬된다. 우선, 웨이퍼(160)의 배면측은 외측 밀봉 링(1116)과 접촉한 다음, 진공 척(110) 상에 웨이퍼(160)를 보유하여 위치설정하기 위해 진공 통로(113), 진공 통로(118), 진공 채널(123), 환형 진공 챔버(133) 및 진공 입구(134)를 통해 내측 밀봉 링(1115)에 의해 둘러싸인 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간을 진공화하도록 진공원이 개방된다. 그 후, 가스 입구(132), 환형 가스 챔버(131), 가스 채널(121) 및 가스 통로(1121)를 통해 제1 가스 구멍(1112)과 제2 가스 구멍(1114)에 가압 가스를 공급하도록 가압 가스원이 개방된다. 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간은, 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간이 정압을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전된다. 일 실시예에서, 상기 정압은 대기압이다. 다른 실시예에서, 상기 정압은 대기압 초과이다. 바람직하게, 상기 정압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 가스는 N2 또는 CDA 등일 수 있다. 웨이퍼(160)에 액체, 예컨대 에천트를 분무하기 전에, 장치(100)의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 것이 더 좋다. 장치(100)의 기밀성을 검출하는 방법은, 진공 척(110)을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비한다. 장치(100)의 기밀성이 양호하면, 액추에이터(140)는 지지 플랫폼(120)과 진공 척(110)을 특정한 회전 속도로 회전하게 구동한다. 회전 속도는 일반적으로 약 50-1500rpm이다. 웨이퍼(160)의 전면에 에천트를 분무하도록 노즐(170)이 채용되고, 웨이퍼(160)의 에지의 역류(refluxing)에 의해 웨이퍼(160)의 배면측의 에지에 에천트가 흐른다. 에천트는 막을 제거하도록 웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막과 화학 반응을 한다. 또한, 웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하기 위해 웨이퍼(160)의 배면측의 에지에 에천트를 분무하도록 또다른 노즐이 채용될 수 있다. 공정 동안에, 내측 밀봉 링(1115)과 외측 밀봉 링(1116) 사이에서의 진공 척(110)의 영역 및 웨이퍼(160)에 의해 형성된 공간이 정압을 유지하게 하는 이점은, 액체, 예컨대 에천트가 웨이퍼(1650)의 배면측의 중심 영역 내에 들어가는 것을 방지하는 것이다. 제2 가스 구멍(1114)에 가압 가스를 공급하는 이점은 외측 밀봉 링(1116)과 웨이퍼(160)의 접촉부에 남아 있는 에천트와 같은 액체를 회피하여, 웨이퍼(160)의 배면측의 중심 영역 내에 에천트가 침윤하는 것을 방지하도록 가스 커튼을 형성하는 것이다.
See FIGS. 8-10, which illustrate using the
웨이퍼(160)의 배면측의 에지 상에 형성된 막이 제거된 후에, 노즐(170)은 웨이퍼(160)를 세정하기 위해 웨이퍼(160)에 탈이온수를 분무하도록 채용된다. 그 다음, 액추에이터(140)는 웨이퍼(160)를 건조시키도록 지지 플랫폼(120)과 진공 척(110)이 높은 회전 속도로 회전하게 구동한다. 회전 속도는 일반적으로 약 1000-3000rpm이다. 그 후, 바람직하게, 웨이퍼(160)를 더욱 건조시키도록 웨이퍼(160)의 표면에 N2를 분무하도록 노즐(180)이 채용된다. 마지막으로, 제1 가스 구멍(1112)과 제2 가스 구멍(1114)에 가압 가스의 공급을 중지하도록 가압 가스원이 폐쇄된다. 진공 척(110)은 웨이퍼(160)를 해제한다. 웨이퍼(160)는 진공 척(110)으로부터 벗어난다.
After the film formed on the edge of the back side of the
도 11 내지 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치를 도시한다. 장치(200)는 진공 척(210), 지지 플랫폼(220), 지지 샤프트(230) 및 액추에이터(240)를 구비한다. 진공 척(210)은 지지 플랫폼(220) 상에 고정된다. 지지 플랫폼(220)은 지지 샤프트(230) 상에 배치된다. 액추에이터(240)는 지지 플랫폼(220)을 회전하게 구동하여, 지지 플랫폼(220)과 함께 진공 척(210)을 회전하게 구동한다.
11 to 13 show an apparatus for removing a film on the edge on the back side of the wafer according to the second embodiment of the present invention. The
장치(100)와 비교하면, 진공 척(210)의 내측 그루브와 외측 그루브는 규칙적인 정방향 형상이다. 내측 고정 링(2122)과 외측 고정 링(2123)에 의해 내측 그루브와 외측 그루브 내에 내측 밀봉 링(2115)과 외측 밀봉 링(2116)이 각각 고정된다. 내측 밀봉 링(2115)과 외측 밀봉 링(2116)의 크로스 프로파일은 L-자형이다.
Compared with the
도 14 내지 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 장치를 도시한다. 장치(300)는 진공 척(310), 지지 플랫폼(320), 지지 샤프트(330) 및 액추에이터(340)를 구비한다. 진공 척(310)은 지지 플랫폼(320) 상에 고정된다. 지지 플랫폼(320)은 지지 샤프트(330) 상에 배치된다. 액추에이터(340)는 지지 플랫폼(320)을 회전하게 구동하여, 지지 플랫폼(320)과 함께 진공 척(310)을 회전하게 구동한다.
Figs. 14 to 16 show an apparatus for removing a film on the back edge side of the wafer according to the third embodiment of the present invention.
장치(100)와 비교하면, 진공 척(310)의 외측 그루브(3113)는 L-자형이고, 진공 척(310)의 주변 에지에 형성된다. 본 실시예에서, 외측 그루브(3113) 내에 배치된 외측 밀봉 링이 없다. 내측 그루브(311) 내에는 내측 밀봉 링(3115)만이 배치된다. 외측 밀봉 링을 생략하기 때문에, 외측 그루브(3113)에 가압 가스를 공급할 필요가 없으므로, 제2 가스 구멍이 생략된다. 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 막을 제거하도록 진공 척(310) 상에 웨이퍼가 놓이면, 내측 밀봉링(3115)에 의해 둘러싸인 진공 척(310)의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(310) 상에 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화된다. 진공 척(110)의 외측 그루브(3113)와 내측 밀봉 링(3115) 사이의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 진공 척(110)의 외측 그루브(3113)와 내측 밀봉 링(3115) 사이의 영역 및 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압이 대기압을 초과하게 하도록 가압 가스로 충전됨으로써, 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지할 수 있다.
In comparison with the
본 발명의 일 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 막을 제거하기 위한 방법은 하기의 단계를 구비한다.According to an embodiment of the present invention, a method for removing a film on an edge of a back side of a wafer includes the following steps.
단계 1: 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;Step 1: placing the wafer on a vacuum chuck of the apparatus;
단계 2: 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;Step 2: Vacuuming the space defined by the wafer and the region of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring disposed in the inner groove of the vacuum chuck to hold and position the wafer on the vacuum chuck;
단계 3: 상기 내측 밀봉 링과 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링과 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;Step 3: filling the area of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring and the space formed by the wafer with a pressurized gas to form a region of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring, Supplying pressurized air to a space defined by an area between an inner seal ring and an outer seal ring disposed in an outer groove of the vacuum chuck such that a space formed by the wafer maintains a positive pressure;
단계 4: 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;Step 4: driving the vacuum chuck rotating at a rotation speed;
단계 5: 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;Step 5: spraying an etchant to the edge on the back side of the wafer to remove the film formed on the edge on the back side of the wafer;
단계 6: 상기 웨이퍼를 세정하는 단계;Step 6: cleaning the wafer;
단계 7: 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;Step 7: drying the wafer;
단계 8: 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;Step 8: stopping the supply of the pressurized gas to a space defined by the region of the vacuum chuck and the wafer between the inner seal ring and the outer seal ring;
단계 9: 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및Step 9: releasing the wafer; And
단계 10: 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계.
Step 10: deviating the wafer from the vacuum chuck.
단계 1에서, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비한다.
Aligning the center of the wafer with the center of the vacuum chuck in step 1 and aligning the notch of the wafer with the notch of the vacuum chuck.
단계 3에서, 상기 정압은 대기압이거나 또는 상기 정압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 가스는 N2 또는 CDA 등일 수 있다.
In step 3, the positive pressure is atmospheric or the positive pressure is 1-1.5 atmospheres, and 1.2 atmospheres are better. The gas may be N 2 or CDA.
웨이퍼에 액체, 예컨대 에천트를 분무하기 전에, 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 것이 더 좋다. 장치의 기밀성을 검출하는 방법은, 진공 척을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비한다.
Before spraying a liquid, such as an etchant, onto the wafer, it is better to detect whether the airtightness of the device meets the requirement. The method for detecting the airtightness of the apparatus includes the steps of observing whether the vacuum pressure is changed by making the vacuum chuck vacuum and observing whether the pressure of the pressurized gas is changed by increasing the pressure of the pressurized gas .
단계 4에서, 회전 속도는 일반적으로 약 50-1500rpm이다.
In step 4, the rotational speed is generally about 50-1500 rpm.
단계 6에서, 웨이퍼를 세정하도록 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비한다.
In step 6, there is further provided a step of spraying deionized water on the wafer to clean the wafer.
단계 7에서, 웨이퍼를 건조시키도록 진공 척을 높은 회전 속도로 회전시키는 단계를 더 구비한다. 회전 속도는 일반적으로 약 1000-3000rpm이다. 그 후, 웨이퍼를 건조시키도록 웨이퍼의 표면에 N2를 분무한다.
In step 7, the method further comprises rotating the vacuum chuck at a high rotational speed to dry the wafer. The rotational speed is generally about 1000-3000 rpm. Then, N 2 is sprayed on the surface of the wafer to dry the wafer.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 웨이퍼의 배면측의 에지 상의 막을 제거하는 방법은 하기의 단계를 구비한다.According to another embodiment of the present invention, a method for removing a film on an edge on the back side of a wafer includes the following steps.
단계 20: 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;Step 20: placing the wafer on a vacuum chuck of the apparatus;
단계 21: 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;Step 21: Vacuuming the space defined by the wafer and the region of the vacuum chuck surrounded by an inner seal ring disposed in the inner groove of the vacuum chuck to hold and position the wafer on the vacuum chuck;
단계 22: 상기 내측 밀봉 링과 외측 그루브 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 대기압을 초과하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;Step 22: filling the area of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer groove and the space formed by the wafer with a pressurized gas to form an area between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring, Supplying pressurized air to a space formed by the wafer and an area between the outer seal ring and the inner seal ring of the vacuum chuck such that the formed space exceeds atmospheric pressure;
단계 23: 회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;Step 23: driving the vacuum chuck rotating at a rotation speed;
단계 24: 상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;Step 24: spraying an etchant to the edge on the back side of the wafer to remove the film formed on the edge on the back side of the wafer;
단계 25: 상기 웨이퍼를 세정하는 단계;Step 25: cleaning the wafer;
단계 26: 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;Step 26: drying the wafer;
단계 27: 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;Step 27: stopping the supply of the pressurized gas to the space between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and the space formed by the wafer;
단계 28: 상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및Step 28: releasing the wafer; And
단계 29: 상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계.
Step 29: Deviating the wafer from the vacuum chuck.
단계 20에서, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비한다.
Aligning the center of the wafer with the center of the vacuum chuck in step 20 and aligning the notch of the wafer with the notch of the vacuum chuck.
단계 22에서, 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1-1.5 기압이고, 1.2 기압이 더 좋다. 가스는 N2 또는 CDA 등일 수 있다.
In step 22, the gas pressure in the region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and the space formed by the wafer is 1-1.5 atm, and 1.2 atm is better. The gas may be N 2 or CDA.
웨이퍼에 액체, 예컨대 에천트를 분무하기 전에, 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 것이 더 좋다. 장치의 기밀성을 검출하는 방법은, 진공 척을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비한다.
Before spraying a liquid, such as an etchant, onto the wafer, it is better to detect whether the airtightness of the device meets the requirement. The method for detecting the airtightness of the apparatus includes the steps of observing whether the vacuum pressure is changed by making the vacuum chuck vacuum and observing whether the pressure of the pressurized gas is changed by increasing the pressure of the pressurized gas .
단계 23에서, 회전 속도는 일반적으로 약 50-1500rpm이다.
In step 23, the rotation speed is generally about 50-1500 rpm.
단계 25에서, 웨이퍼를 세정하도록 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비한다.
In step 25, there is further provided a step of spraying deionized water on the wafer to clean the wafer.
단계 26에서, 웨이퍼를 건조시키도록 진공 척을 높은 회전 속도로 회전시키는 단계를 더 구비한다. 회전 속도는 일반적으로 약 1000-3000rpm이다. 그 후, 웨이퍼를 건조시키도록 웨이퍼의 표면에 N2를 분무한다.
In step 26, the method further comprises rotating the vacuum chuck at a high rotational speed to dry the wafer. The rotational speed is generally about 1000-3000 rpm. Then, N 2 is sprayed on the surface of the wafer to dry the wafer.
본 발명의 전술한 설명은 예시 및 기술을 위해 제공되었다. 본 발명은 개시된 정확한 형태로 제한되거나 또는 배제하도록 의도되지 않고, 상기한 교시로부터 다수의 변경 및 수정이 가능하다. 당업자에게 명백할 수 있는 이러한 변경 및 수정은 첨부한 청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 내에 포함되도록 의도된다.
The foregoing description of the invention has been presented for purposes of illustration and description. The present invention is not intended to be limited or excluded from the precise form disclosed, and many modifications and variations are possible in light of the above teachings. These changes and modifications which may be apparent to those skilled in the art are intended to be included within the scope of the present invention as defined by the appended claims.
Claims (57)
내측 그루브와 외측 그루브를 갖는 진공 척으로서, 상기 내측 그루브는 상기 웨이퍼의 중심 영역에 대응하는 위치에 위치설정되고, 상기 외측 그루브는 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는, 상기 진공 척;
상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링; 및
상기 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링
을 포함하며,
상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 가압 가스로 충전되는,
막 제거 장치.
An apparatus for removing a film on an edge on the back side of a wafer,
A vacuum chuck having an inner groove and an outer groove, wherein the inner groove is positioned at a position corresponding to a center region of the wafer, and the outer groove is positioned at a peripheral edge of the vacuum chuck;
An inner sealing ring disposed within the inner groove; And
An outer seal ring disposed in the outer groove,
/ RTI >
Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring and a space defined by the wafer are evacuated to hold and position the wafer on the vacuum chuck when the wafer is placed on the vacuum chuck, Wherein the area of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring and the space formed by the wafer are such that the distance between the inner seal ring and the outer seal ring between the inner seal ring and the outer seal ring Wherein the area of the vacuum chuck and the space defined by the wafer are filled with pressurized gas to maintain a positive pressure,
Film removal device.
상기 정압은 대기압인,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the positive pressure is atmospheric pressure,
Film removal device.
상기 정압은 대기압 초과인,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the positive pressure is atmospheric pressure,
Film removal device.
상기 정압은 1-1.5 기압인,
막 제거 장치.
The method of claim 3,
Wherein the static pressure is 1-1.5 atm,
Film removal device.
상기 정압은 1.2 기압인,
막 제거 장치.
5. The method of claim 4,
The static pressure is 1.2 atm,
Film removal device.
상기 가스는 N2 또는 CDA인,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gas is N 2 or CDA,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브 사이에 가스 흐름 그루브를 더 갖고, 상기 가스 흐름 그루브 내에 복수의 제1 가스 구멍이 균일하게 형성되고, 상기 가압 가스는 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하도록 상기 제1 가스 구멍을 통해 공급되는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the vacuum chuck further comprises a gas flow groove between the inner groove and the outer groove, wherein a plurality of first gas holes are uniformly formed in the gas flow groove, the pressurizing gas being passed through the inner seal ring and the outer seal ring And a space formed by the wafer is supplied through the first gas hole to fill the space with the pressurized gas,
Film removal device.
상기 가스 흐름 그루브, 상기 내측 그루브 및 상기 외측 그루브는 동심원인,
막 제거 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the gas flow groove, the inner groove, and the outer groove are concentric,
Film removal device.
상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링의 크로스 프로파일(cross profile)은 원형인,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a cross profile of the inner seal ring and the outer seal ring is circular,
Film removal device.
상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링은 내부식성 재료로 제조되는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the inner seal ring and the outer seal ring are made of a corrosion-
Film removal device.
상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링은 바이턴(viton) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌으로 제조되는,
막 제거 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the inner seal ring and the outer seal ring are made of viton or polytetrafluoroethylene,
Film removal device.
상기 외측 밀봉 링의 높이는 상기 내측 밀봉 링의 높이보다 높은,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
The height of the outer seal ring is higher than the height of the inner seal ring,
Film removal device.
상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이의 높이차는 5% 이하인,
막 제거 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein a difference in height between the inner seal ring and the outer seal ring is 5%
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 외측 그루브 내의 상기 외측 밀봉 링을 구속하도록 상기 외측 그루브의 주변 에지에 형성된 유지 벽(retaining wall)을 더 포함하는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the vacuum chuck further comprises a retaining wall formed at a peripheral edge of the outer groove to constrain the outer seal ring in the outer groove,
Film removal device.
상기 유지 벽의 높이는, 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 액체가 분무될 수 있도록 상기 외측 밀봉 링의 높이보다 낮은,
막 제거 장치.
15. The method of claim 14,
The height of the retaining wall is lower than the height of the outer seal ring so that liquid can be sprayed onto the edge of the backside of the wafer,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 외측 그루브 내에 모인 액체를 상기 외측 그루브 외부로 드레인하도록 상기 유지 벽의 하부에 형성된 복수의 관통 구멍을 더 포함하는,
막 제거 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the vacuum chuck further comprises a plurality of through holes formed in a lower portion of the holding wall to drain the liquid collected in the outer groove to the outside of the outer groove,
Film removal device.
상기 외측 그루브는 노치를 형성하도록 상기 진공 척의 중심을 향해 돌출하고, 상기 노치 내의 상기 외측 밀봉 링을 스퀴징하도록 상기 외측 그루브 내에 그리고 상기 노치의 반대편에는 핀이 배치되는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
The outer groove projecting toward the center of the vacuum chuck to form a notch and a pin disposed within the outer groove and opposite the notch to squeegee the outer seal ring in the notch,
Film removal device.
상기 내측 그루브의 폭은 하부로부터 상부로 점차적으로 좁아지는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the width of the inner groove gradually narrows from the bottom to the top,
Film removal device.
상기 진공 척은,
상기 내측 그루브에 연결된 수 개의 상호연결된 진공 슬롯; 및
상기 진공 척을 수직방향으로 통과하고 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로
를 포함하며,
상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
The vacuum chuck comprises:
A plurality of interconnected vacuum slots connected to said inner grooves; And
A plurality of vacuum passages vertically passing the vacuum chuck and connecting to the vacuum slots,
/ RTI >
Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring and a space defined by the wafer are evacuated through the vacuum passageway and the vacuum slot to retain and position the wafer on the vacuum chuck,
Film removal device.
상기 진공 척은 진공 그루브를 포함하고, 상기 진공 그루브는 링 형상이며 상기 진공 척의 중심 지점에 근접하고, 상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역은 상기 진공 그루브에 연결하는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯과, 상기 진공 척을 수직방향으로 통과하며 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로를 형성하며,
상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the vacuum chuck comprises a vacuum groove, the vacuum groove is ring-shaped and close to the center point of the vacuum chuck, the area of the vacuum chuck surrounded by the vacuum groove comprises a number of interconnected vacuum slots A plurality of vacuum passages vertically passing through the vacuum chuck and connected to the vacuum slots,
Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the vacuum groove and a space defined by the wafer are evacuated through the vacuum passageway and the vacuum slot to retain and position the wafer on the vacuum chuck,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 진공 그루브 내에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하며, 상기 밀봉 부재는 수평방향부와, 상기 수평방향부에 대략 수직방향으로 연결하며 상기 수평방향부로부터 외측방향으로 점차적으로 연장되는 측방향부를 갖고, 상기 밀봉 부재의 수평방향부는 고정 부재에 의해 상기 진공 그루브 내에 고정되며, 상기 밀봉 부재의 측방향부는 상기 진공 척의 상부면에 대해 가압되는,
막 제거 장치.
21. The method of claim 20,
Wherein the vacuum chuck further comprises a sealing member disposed in the vacuum groove, wherein the sealing member has a horizontal portion, a side which is connected in a substantially vertical direction to the horizontal portion and gradually extends outwardly from the horizontal portion, Wherein the horizontal portion of the sealing member is fixed in the vacuum groove by a fixing member and the lateral portion of the sealing member is pressed against the upper surface of the vacuum chuck,
Film removal device.
지지 플랫폼, 지지 샤프트 및 액추에이터를 더 포함하며,
상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 지지하는 수평방향 플랫폼과, 상기 수평방향 플랫폼과 연결하며 상기 지지 샤프트 내에 수용되는 수직방향 액슬을 구비하고, 상기 액추에이터는 상기 수직방향 액슬에 연결하며 상기 지지 샤프트 내에서 회전하는 상기 수직방향 액슬을 구동하며, 상기 지지 플랫폼과 함께 상기 진공 척을 더욱 구동하는,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a support platform, a support shaft, and an actuator,
Wherein the support platform comprises a horizontal platform supporting the vacuum chuck and a vertical axle connected to the horizontal platform and received in the support shaft, the actuator being connected to the vertical axle, Driving the rotating vertical axle, further driving the vacuum chuck together with the support platform,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하기 위해 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스를 공급하도록 복수의 가스 통로를 형성하는,
막 제거 장치.
23. The method of claim 22,
Wherein the vacuum chuck is disposed between the inner seal ring and the outer seal ring and between the inner seal ring and the outer seal ring to fill a space defined by the wafer and the area of the vacuum chuck with the pressurized gas. And forming a plurality of gas passages to supply the pressurized gas to a space formed by the wafer,
Film removal device.
모든 가스 통로는 상기 지지 플랫폼 내에 형성된 가스 채널의 단부와 연결하고, 상기 가스 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 가스 채널의 단부는 상기 가스 통로와 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 가스 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 가스 챔버와 연결하고, 상기 환형 가스 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 가스 입구를 통해 가압 가스원과 연결되는,
막 제거 장치.
24. The method of claim 23,
All gas passages connect to the ends of the gas channels formed in the support platform, the gas channels pass through the vertical axle of the support platform and the horizontal platform, and the end of the gas channel located within the horizontal platform The other end of the gas channel located in the vertical axle is connected to an annular gas chamber formed in the support shaft and the annular gas chamber is connected to the pressurized gas through a gas inlet formed on the support shaft, In connection with the circle,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 외측 그루브 내에 복수의 제2 가스 구멍을 형성하고, 상기 제2 가스 구멍은 상기 가스 통로에 연결되는,
막 제거 장치.
24. The method of claim 23,
Wherein the vacuum chuck forms a plurality of second gas holes in the outer groove, and the second gas hole is connected to the gas passage,
Film removal device.
상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 진공화하는 진공 채널을 형성하고, 상기 진공 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 진공 채널의 단부는 상기 진공 척과 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 진공 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 진공 챔버와 연결하고, 상기 환형 진공 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 진공 입구를 통해 진공원과 연결되는,
막 제거 장치.
23. The method of claim 22,
Wherein the support platform defines a vacuum channel for evacuating the vacuum chuck, the vacuum channel passing through a vertical axle of the support platform and the horizontal platform, and an end of the vacuum channel located within the horizontal platform The other end of the vacuum channel located in the vertical axle is connected to an annular vacuum chamber formed in the support shaft and the annular vacuum chamber is connected to a vacuum source through a vacuum inlet formed on the support shaft, Connected,
Film removal device.
상기 진공 척의 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브는 규칙적인 정방형 형상이고, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링의 크로스 프로파일은 L-자형인,
막 제거 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the inner groove of the vacuum chuck and the outer groove are regular square shapes and the cross profile of the inner seal ring and the outer seal ring is L-
Film removal device.
상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링은 내측 고정 링과 외측 고정 링에 의해 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브 내에 각각 고정되는,
막 제거 장치.
28. The method of claim 27,
Wherein the inner seal ring and the outer seal ring are fixed in the inner groove and the outer groove, respectively, by an inner fixed ring and an outer fixed ring,
Film removal device.
내측 그루브와 외측 그루브를 갖는 진공 척으로서, 상기 내측 그루브는 상기 웨이퍼의 중심 영역에 대응하는 위치에 위치설정되고, 상기 외측 그루브는 상기 진공 척의 주변 에지에 위치설정되는, 상기 진공 척; 및
상기 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링
을 포함하며,
상기 진공 척 상에 웨이퍼가 놓일 때, 상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 진공화되고, 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 웨이퍼의 배면측의 중심 영역 내에 액체가 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압이 대기압을 초과하게 하도록 가압 가스로 충전되는,
막 제거 장치.
An apparatus for removing a film on an edge on the back side of a wafer,
A vacuum chuck having an inner groove and an outer groove, wherein the inner groove is positioned at a position corresponding to a center region of the wafer, and the outer groove is positioned at a peripheral edge of the vacuum chuck; And
And an inner sealing ring disposed in the inner groove
/ RTI >
Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring and a space defined by the wafer are evacuated to hold and position the wafer on the vacuum chuck when the wafer is placed on the vacuum chuck, A region between the groove and the inner seal ring and a space formed by the wafer are arranged in a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring to prevent liquid from reaching the center region of the backside of the wafer, Is filled with the pressurized gas so that the gas pressure in the space formed by the pressurized gas exceeds the atmospheric pressure.
Film removal device.
상기 진공 척의 상기 외측 그루브는 L-자형인,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
Wherein the outer groove of the vacuum chuck is L-
Film removal device.
상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1-1.5 기압인,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
Wherein a gas pressure in a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer is 1-1.5 atm,
Film removal device.
상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1.2 기압인,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
Wherein a gas pressure in a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer is 1.2 atm,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 내측 그루브와 상기 외측 그루브 사이에 가스 흐름 그루브를 더 갖고, 상기 가스 흐름 그루브 내에 복수의 제1 가스 구멍이 균일하게 형성되고, 상기 가압 가스는 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하도록 상기 제1 가스 구멍을 통해 공급되는,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
Wherein the vacuum chuck further comprises a gas flow groove between the inner groove and the outer groove, wherein a plurality of first gas holes are uniformly formed in the gas flow groove, the pressurized gas is introduced into the outer groove of the vacuum chuck, And a space between the seal rings and a space formed by the wafer is filled with the pressurized gas.
Film removal device.
상기 진공 척은,
상기 내측 그루브에 연결된 수 개의 상호연결된 진공 슬롯; 및
상기 진공 척을 수직방향으로 통과하고 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로
를 포함하며,
상기 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
The vacuum chuck comprises:
A plurality of interconnected vacuum slots connected to said inner grooves; And
A plurality of vacuum passages vertically passing the vacuum chuck and connecting to the vacuum slots,
/ RTI >
Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the inner seal ring and a space defined by the wafer are evacuated through the vacuum passageway and the vacuum slot to retain and position the wafer on the vacuum chuck,
Film removal device.
상기 진공 척은 진공 그루브를 포함하고, 상기 진공 그루브는 링 형상이며 상기 진공 척의 중심 지점에 근접하고, 상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역은 상기 진공 그루브에 연결하는 수 개의 상호연결된 진공 슬롯과, 상기 진공 척을 수직방향으로 통과하며 상기 진공 슬롯에 연결하는 수 개의 진공 통로를 형성하며,
상기 진공 그루브에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간은 상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 통로와 상기 진공 슬롯을 통해 진공화되는,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
Wherein the vacuum chuck comprises a vacuum groove, the vacuum groove is ring-shaped and close to the center point of the vacuum chuck, the area of the vacuum chuck surrounded by the vacuum groove comprises a number of interconnected vacuum slots A plurality of vacuum passages vertically passing through the vacuum chuck and connected to the vacuum slots,
Wherein an area of the vacuum chuck surrounded by the vacuum groove and a space defined by the wafer are evacuated through the vacuum passageway and the vacuum slot to retain and position the wafer on the vacuum chuck,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 진공 그루브 내에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하며, 상기 밀봉 부재는 수평방향부와, 상기 수평방향부에 대략 수직방향으로 연결하며 상기 수평방향부로부터 외측방향으로 점차적으로 연장되는 측방향부를 갖고, 상기 밀봉 부재의 수평방향부는 고정 부재에 의해 상기 진공 그루브 내에 고정되며, 상기 밀봉 부재의 측방향부는 상기 진공 척의 상부면에 대해 가압되는,
막 제거 장치.
36. The method of claim 35,
Wherein the vacuum chuck further comprises a sealing member disposed in the vacuum groove, wherein the sealing member has a horizontal portion, a side which is connected in a substantially vertical direction to the horizontal portion and gradually extends outwardly from the horizontal portion, Wherein the horizontal portion of the sealing member is fixed in the vacuum groove by a fixing member and the lateral portion of the sealing member is pressed against the upper surface of the vacuum chuck,
Film removal device.
지지 플랫폼, 지지 샤프트 및 액추에이터를 더 포함하며,
상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 지지하는 수평방향 플랫폼과, 상기 수평방향 플랫폼과 연결하며 상기 지지 샤프트 내에 수용되는 수직방향 액슬을 구비하고, 상기 액추에이터는 상기 수직방향 액슬에 연결하며 상기 지지 샤프트 내에서 회전하는 상기 수직방향 액슬을 구동하며, 상기 지지 플랫폼과 함께 상기 진공 척을 더욱 구동하는,
막 제거 장치.
30. The method of claim 29,
Further comprising a support platform, a support shaft, and an actuator,
Wherein the support platform comprises a horizontal platform supporting the vacuum chuck and a vertical axle connected to the horizontal platform and received in the support shaft, the actuator being connected to the vertical axle, Driving the rotating vertical axle, further driving the vacuum chuck together with the support platform,
Film removal device.
상기 진공 척은 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 상기 가압 가스로 충전하기 위해 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스를 공급하도록 복수의 가스 통로를 형성하는,
막 제거 장치.
39. The method of claim 37,
Wherein the vacuum chuck comprises a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring for filling the space between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and the space formed by the wafer with the pressurized gas, A plurality of gas passages are formed to supply the pressurized gas to a space formed by the plurality of gas passages,
Film removal device.
모든 가스 통로는 상기 지지 플랫폼 내에 형성된 가스 채널의 단부와 연결하고, 상기 가스 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 가스 채널의 단부는 상기 가스 통로와 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 가스 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 가스 챔버와 연결하고, 상기 환형 가스 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 가스 입구를 통해 가압 가스원과 연결되는,
막 제거 장치.
39. The method of claim 38,
All gas passages connect to the ends of the gas channels formed in the support platform, the gas channels pass through the vertical axle of the support platform and the horizontal platform, and the end of the gas channel located within the horizontal platform The other end of the gas channel located in the vertical axle is connected to an annular gas chamber formed in the support shaft and the annular gas chamber is connected to the pressurized gas through a gas inlet formed on the support shaft, In connection with the circle,
Film removal device.
상기 지지 플랫폼은 상기 진공 척을 진공화하는 진공 채널을 형성하고, 상기 진공 채널은 상기 지지 플랫폼의 수직방향 액슬 및 상기 수평방향 플랫폼을 통과하고, 상기 수평방향 플랫폼 내에 위치된 상기 진공 채널의 단부는 상기 진공 척과 연결하고, 상기 수직방향 액슬 내에 위치된 상기 진공 채널의 타단부는 상기 지지 샤프트 내에 형성된 환형 진공 챔버와 연결하고, 상기 환형 진공 챔버는 상기 지지 샤프트 상에 형성된 진공 입구를 통해 진공원과 연결되는,
막 제거 장치.
39. The method of claim 37,
Wherein the support platform defines a vacuum channel for evacuating the vacuum chuck, the vacuum channel passing through a vertical axle of the support platform and the horizontal platform, and an end of the vacuum channel located within the horizontal platform The other end of the vacuum channel located in the vertical axle is connected to an annular vacuum chamber formed in the support shaft and the annular vacuum chamber is connected to a vacuum source through a vacuum inlet formed on the support shaft, Connected,
Film removal device.
장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;
상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;
상기 내측 밀봉 링과 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 정압(positive pressure)을 유지하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브 내에 배치된 외측 밀봉 링과 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;
회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;
상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;
상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
상기 웨이퍼를 건조하는 단계;
상기 내측 밀봉 링과 상기 외측 밀봉 링 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;
상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및
상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계
를 포함하는,
막 제거 방법.
A method for removing a film on an edge on the back side of a wafer,
Placing a wafer on a vacuum chuck of the apparatus;
Evacuating a space defined by the wafer and an area of the vacuum chuck surrounded by an inner seal ring disposed within an inner groove of the vacuum chuck to hold and position the wafer on the vacuum chuck;
Filling the space defined by the wafer and the region of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring with a pressurized gas to form a region of the vacuum chuck between the inner seal ring and the outer seal ring, Supplying pressurized air to a space defined by the area between the inner seal ring and the inner seal ring disposed in the outer groove of the vacuum chuck so that the formed space maintains a positive pressure;
Driving the vacuum chuck rotating at a rotation speed;
Spraying an etchant to the edge on the back side of the wafer to remove the film formed on the edge on the back side of the wafer;
Cleaning the wafer;
Drying the wafer;
Stopping the supply of the pressurized gas to a space defined by the region of the vacuum chuck and the wafer between the inner seal ring and the outer seal ring;
Releasing the wafer; And
Releasing the wafer from the vacuum chuck
/ RTI >
Film removal method.
상기 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계는, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비하는,
막 제거 방법.
42. The method of claim 41,
Wherein placing the wafer on a vacuum chuck of the apparatus further comprises aligning the center of the wafer at the center of the vacuum chuck and aligning the notch of the wafer with the notch of the vacuum chuck.
Film removal method.
상기 정압은 대기압인,
막 제거 방법.
42. The method of claim 41,
Wherein the positive pressure is atmospheric pressure,
Film removal method.
상기 정압은 대기압 초과인,
막 제거 방법.
42. The method of claim 41,
Wherein the positive pressure is atmospheric pressure,
Film removal method.
상기 정압은 1-1.5 기압인,
막 제거 방법.
45. The method of claim 44,
Wherein the static pressure is 1-1.5 atm,
Film removal method.
상기 정압은 1.2 기압인,
막 제거 방법.
46. The method of claim 45,
The static pressure is 1.2 atm,
Film removal method.
상기 웨이퍼에 액체를 분무하기 전에 상기 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 단계를 더 포함하는,
막 제거 방법.
42. The method of claim 41,
Further comprising detecting whether the airtightness of the apparatus meets the requirement before spraying the liquid onto the wafer.
Film removal method.
상기 장치의 기밀성을 검출하는 단계는, 상기 진공 척을 진공되게 하여 진공 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계와, 상기 가압 가스의 압력을 증가시켜서 상기 가압 가스의 압력이 변하는지의 여부를 관찰하는 단계를 구비하는,
막 제거 방법.
49. The method of claim 47,
Wherein the step of detecting the airtightness of the apparatus comprises the steps of observing whether the vacuum pressure is changed by evacuating the vacuum chuck and observing whether the pressure of the pressurized gas is changed by increasing the pressure of the pressurized gas .
Film removal method.
상기 웨이퍼를 세정하는 단계는, 상기 웨이퍼를 세정하도록 상기 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비하는,
막 제거 방법.
42. The method of claim 41,
Wherein cleaning the wafer further comprises spraying deionized water to the wafer to clean the wafer.
Film removal method.
상기 웨이퍼를 건조하는 단계는, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 높은 회전 속도로 상기 진공 척을 회전시킨 후에, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 상기 웨이퍼의 표면에 N2를 분무하는 단계를 더 구비하는,
막 제거 방법.
42. The method of claim 41,
Wherein the step of drying the wafer further comprises the step of spraying N2 onto the surface of the wafer to dry the wafer after rotating the vacuum chuck at a high rotational speed to dry the wafer,
Film removal method.
장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계;
상기 진공 척 상에 상기 웨이퍼를 보유하여 위치설정하도록 상기 진공 척의 내측 그루브 내에 배치된 내측 밀봉 링에 의해 둘러싸인 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 진공화하는 단계;
상기 내측 밀봉 링과 외측 그루브 사이에서의 상기 진공 척의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간을 가압 가스로 충전하여, 상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간이 대기압을 초과하게 하도록 상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 가압 공기를 공급하는 단계;
회전 속도로 회전하는 상기 진공 척을 구동하는 단계;
상기 웨이퍼의 배면측의 에지 상에 형성된 막을 제거하도록 상기 웨이퍼의 배면측의 에지에 에천트를 분무하는 단계;
상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
상기 웨이퍼를 건조하는 단계;
상기 진공 척의 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간에 상기 가압 가스의 공급을 중지하는 단계;
상기 웨이퍼를 해제하는 단계; 및
상기 웨이퍼를 상기 진공 척으로부터 벗어나게 하는 단계
를 포함하는,
막 제거 방법.
A method for removing a film on an edge on the back side of a wafer,
Placing a wafer on a vacuum chuck of the apparatus;
Evacuating a space defined by the wafer and an area of the vacuum chuck surrounded by an inner seal ring disposed in an inner groove of the vacuum chuck to hold and position the wafer on the vacuum chuck;
A space formed by the wafer and a region between the inner seal ring and the outer groove is filled with a pressurized gas so that a space between the outer seal groove and the inner seal ring and a space defined by the wafer Supplying pressurized air to an area between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer to exceed the atmospheric pressure;
Driving the vacuum chuck rotating at a rotation speed;
Spraying an etchant to the edge on the back side of the wafer to remove the film formed on the edge on the back side of the wafer;
Cleaning the wafer;
Drying the wafer;
Stopping the supply of the pressurized gas to the space between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and the space formed by the wafer;
Releasing the wafer; And
Releasing the wafer from the vacuum chuck
/ RTI >
Film removal method.
상기 장치의 진공 척 상에 웨이퍼를 놓는 단계는, 상기 진공 척의 중심에 상기 웨이퍼의 중심을 정렬하는 단계와, 상기 진공 척의 노치에 상기 웨이퍼의 노치를 정렬하는 단계를 더 구비하는,
막 제거 방법.
52. The method of claim 51,
Wherein placing the wafer on a vacuum chuck of the apparatus further comprises aligning the center of the wafer at the center of the vacuum chuck and aligning the notch of the wafer with the notch of the vacuum chuck.
Film removal method.
상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1-1.5 기압인,
막 제거 방법.
52. The method of claim 51,
Wherein a gas pressure in a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer is 1-1.5 atm,
Film removal method.
상기 진공 척의 상기 외측 그루브와 상기 내측 밀봉 링 사이의 영역 및 상기 웨이퍼에 의해 형성된 공간의 가스압은 1.2 기압인,
막 제거 방법.
54. The method of claim 53,
Wherein a gas pressure in a region between the outer groove of the vacuum chuck and the inner seal ring and a space formed by the wafer is 1.2 atm,
Film removal method.
상기 웨이퍼에 액체를 분무하기 전에 상기 장치의 기밀성이 요건을 충족하는지의 여부를 검출하는 단계를 더 포함하는,
막 제거 방법.
52. The method of claim 51,
Further comprising the step of detecting whether the airtightness of the device meets the requirement before spraying the liquid onto the wafer.
Film removal method.
상기 웨이퍼를 세정하는 단계는, 상기 웨이퍼를 세정하도록 상기 웨이퍼에 탈이온수를 분무하는 단계를 더 구비하는,
막 제거 방법.
52. The method of claim 51,
Wherein cleaning the wafer further comprises spraying deionized water to the wafer to clean the wafer.
Film removal method.
상기 웨이퍼를 건조하는 단계는, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 높은 회전 속도로 상기 진공 척을 회전시킨 후에, 상기 웨이퍼를 건조시키도록 상기 웨이퍼의 표면에 N2를 분무하는 단계를 더 구비하는,
막 제거 방법.
52. The method of claim 51,
Wherein the step of drying the wafer further comprises the step of spraying N2 onto the surface of the wafer to dry the wafer after rotating the vacuum chuck at a high rotational speed to dry the wafer,
Film removal method.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20210066346A (en) * | 2019-11-28 | 2021-06-07 | 한국생산기술연구원 | Sealing structure for rotary vaccum process chamber |
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