KR20160150322A - 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 - Google Patents
레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160150322A KR20160150322A KR1020150088131A KR20150088131A KR20160150322A KR 20160150322 A KR20160150322 A KR 20160150322A KR 1020150088131 A KR1020150088131 A KR 1020150088131A KR 20150088131 A KR20150088131 A KR 20150088131A KR 20160150322 A KR20160150322 A KR 20160150322A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resist
- film
- composition
- photoresist
- formula
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물, 아민 화합물, 비이온성 계면활성제 및 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것으로, 변성 레지스트 및 입자성 불순물을 제거할 수 있으며, 레지스트 하부막에 손상을 가하지 않는 효과를 지니고 있다.
Description
본 발명은 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물, 아민 화합물, 비이온성 계면활성제 및 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
포토레지스트(photo-resist)는 포토리소그라피 공정에 필수적으로 사용되는 물질이며, 이러한 포토리소그라피 공정은 집적회로(integrated circuit, IC), 고집적회로(large scale integration, LSI), 초고집적회로(very large scale integration, VLSI) 등과 같은 반도체 장치와 액정표시장치(liquid crystal display, LCD) 및 평판표시장치(plasma display device, PDP) 등과 같은 화상 구현 장치 등을 제작하기 위해 일반적으로 사용되는 공정 중 하나이다.
상기 포토레지스트(photo-resist)는 빛에 의한 광화학적 반응을 이용하여 포토마스크(Photomask)에 미리 그려진 미세 패턴을 원하는 기판 위에 형상화할 수 있는 화학 피막으로, 포토마스크와 함께 노광기술에 적용되는 고분자 재료로서 소자의 집적도에 직접적으로 영향을 미치고 궁극적인 해상도 한계를 결정짓는 주요인자로 인식되고 있다. 일명 무어의 법칙(Moore's law; 반도체의 집적도는 2년마다 2배로 증가한다는 이론)에 따라 매년 증가하는 회로의 집적도를 한정된 크기의 반도체에 넣기 위해서는, 설계된 회로를 보다 더 작게 패터닝(patterning)하여야 하므로 반도체 집적도의 증가는 필연적으로 새로운 포토레지스트의 개발을 끊임없이 요구하고 있다.
이러한 포토레지스트를 이용하여 기판 위에 미세한 배선을 형성시키는 포토리소그래피 공정이 일반적으로 사용되고 있으며, 이는 포토레지스트의 열적, 기계적, 화학적 특성을 이용하여 기판에 포토레지스트를 도포한 후, 일정한 파장의 빛에 노광(exposure)시키고, 건식 또는 습식 식각을 수행하는 방법이다.
포토레지스트를 이용한 미세한 패터닝 기술에 있어서, 새로운 포토레지스트에 대한 개발과 함께 중요시되고 있는 분야가 레지스트 박리액(Stripper, 또는 Photoresist Remover)이다. 포토레지스트는 공정이 끝난 후 박리액(Stripper, 또는 Photoresist Remover)이라는 용제에 의해 제거되어야 하는데, 이는 식각 과정 후 불필요한 포토레지스트 층과 식각 및 워싱 과정을 통해서 기판 위에 잔류되는 금속 잔여물 또는 변질된 포토레지스트 잔류물이 반도체 제조의 수율 저하를 초래하는 등의 문제를 만들기 때문이다.
이에, 식각 잔사에 대한 제거력 및 변질된 포토레지스트 잔류물에 대해서 우수한 박리력 및 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리특성이 요구되고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2005-0094409호에는 레지스트 박리액 조성물에 관하여 기재되어 있으나, 레지스트 하부막에 손상을 유발하는 문제점이 있다.
본 발명은 반도체 제조 공정 중, 반도체 막을 도핑하기 위하여 주입된 이온에 의하여 생성된 입자성 불순물 및 변성된 레지스트를 제거할 수 있는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 레지스트 하부막인 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막의 손상을 최소화할 수 있는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 하기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물, 하기 화학식 2의 아민 화합물, 비이온성 계면활성제 및 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
N(R1)4 +OH-
[화학식 2]
NH2C2H4(NHC2H4)nNH2
상기 R1은 탄소수 2 내지 4의 선형 알킬기이고,
상기 n은 0 내지 2의 정수이다.
또한, 본 발명은 (1)기판 상에 반도체 막을 증착하는 단계;
(2)상기 반도체 막 상에 포토 레지스트막을 형성하는 단계;
(3)상기 포토 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(4)상기 노광 후의 포토 레지스트막을 현상하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(5)상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 반도체 막을 도핑하는 단계; 및
(6)상기 도핑에 의해 변성된 포토 레지스트를 상기 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계;를 포함하는 레지스트의 박리방법을 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 막을 도핑하기 위하여 주입된 이온에 의하여 생성된 입자성 불순물 및 변성된 레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 레지스트 하부막인 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막의 손상을 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물, 하기 화학식 2의 아민 화합물, 비이온성 계면활성제 및 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
N(R1)4 +OH-
[화학식 2]
NH2C2H4(NHC2H4)nNH2
상기 R1은 탄소수 2 내지 4의 선형 알킬기이고,
상기 n은 0 내지 2의 정수이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 제조 공정 중, 반도체 막을 도핑(n-도핑 또는 p-도핑)하기 위하여 주입된 이온에 의하여 형성된 변성 레지스트를 제거할 수 있다.
보다 자세하게는 반도체 막 상부에 레지스트를 도포하며, 이후 반도체 막을 도핑하기 위하여 이온 주입을 실시한다. 상기 이온 주입 과정에서 도핑된 물질이 레지스트에 침투되며, 그에 따라 레지스트 조성물이 가교되어 변성된 레지스트가 형성되며, 입자성 불순물도 함께 생성된다. 상기 변성된 레지스트 및 입자성 불순물에 의하여 용해가 어려워져 레지스트를 박리하는데 어려움이 따르게 된다.
또한, 종래에는 레지스트 박리액 조성물로 산화제를 포함함으로써 레지스트 박리시, 하부막인 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막에 손상이 가해지는 문제점도 발생하였다.
따라서, 본 발명에서는 상기 변성 레지스트를 제거할 수 있으며, 하부막에 손상이 발생하지 않는 레지스트 박리액 조성물을 제공하고자 하였으며, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물, 상기 화학식 2의 아민 화합물, 비이온성 계면활성제 및 물을 포함한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 하기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물은 변성된 레지스트를 분해 및 용해하는 역할을 한다.
[화학식 1]
N(R1)4 +OH-
상기 R1은 탄소수 2 내지 4의 선형 알킬기이다.
상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물은 테트라 에틸 암모늄 히드록사이드, 테트라 프로필 암모늄 히드록사이드 및 테트라 부틸 암모늄 히드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 바람직하게는 테트라 에틸 암모늄 히드록사이드 및 테트라 부틸 암모늄 히드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 20 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.2 내지 15 중량%로 포함된다.
상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면 변성된 레지스트의 제거 속도가 현저히 감소되며, 20 중량%를 초과하여 포함되면 레지스트 하부막, 즉 반도체 막의 손상이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 하기 화학식 2의 아민 화합물은 변성된 레지스트를 팽윤시켜 제거 속도를 향상시켜 주며, 생성된 입자성 불순물을 킬레이팅하여 제거하는 역할을 한다.
[화학식 2]
NH2C2H4(NHC2H4)nNH2
상기 n은 0 내지 2의 정수이다.
상기 화학식 2의 아민 화합물은 에틸렌다이아민, 다이에틸렌트리아민 및 트리에틸렌테트라아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 바람직하게는 다이에틸렌트리아민 및 트리에틸렌테트라아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 화학식 2의 아민 화합물은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 5 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.1 내지 3 중량%로 포함된다.
상기 화학식 2의 아민 화합물이 0.01 중량% 미만으로 포함되면 변성 레지스트의 제거 속도 향상 효과가 미미하게 발생하며, 5 중량%를 초과하여 포함하면 변성 레지스트의 제거 속도가 감소하게 된다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 비이온성 계면활성제는 레지스트 하부막인 반도체 막에 대한 젖음성을 향상시켜 변성 레지스트의 제거 속도를 증가시키는 역할을 한다.
상기 비이온성 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 옥틸페닐 에테르(polyoxyethylene octyl phenyl ether), 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 뷰틸 에테르(polyoxyethylene polyoxypropylene butyl ether) 및 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테르(polyoxyethylene nonylpheyl ether)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 바람직하게는 폴리에틸렌 옥틸페닐 에테르 및 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 뷰틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
상기 비이온성 계면활성제는 본 발명의 레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 5 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%로 포함된다.
상기 비이온성 계면활성제가 0.01 중량% 미만으로 포함되면 젖음성 개선의 효과가 미미하고, 5 중량%를 초과하여 포함되면 거품이 다량 발생하는 문제가 발생한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 레지스트 박리액 조성물의 총 함량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하며, 상기 물은 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 막을 도핑하기 위한 이온 주입 과정에서 도핑된 물질이 레지스트에 침투하여 고분자들 간의 가교가 일어나 형성된 변성 레지스트 및 입자성 불순물에 대한 우수한 박리력을 제공할 수 있으며, 반도체 막의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 그 사용방법이 특별히 한정되지 않으며, 반도체 제조 공정 중 반도체 막을 도핑하기 위한 이온 주입 과정에서 형성된 변성 레지스트 및 입자성 불순물을 포함하는 반도체 막을 박리액 조성물에 침지하거나, 박리액 조성물을 기판에 도포하는 등의 방법으로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법을 제공한다. 상기의 레지스트의 박리 방법은,
(1)기판 상에 반도체 막을 증착하는 단계;
(2)상기 반도체 막 상에 포토 레지스트막을 형성하는 단계;
(3)상기 포토 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(4)상기 노광 후의 포토 레지스트막을 현상하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(5)상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 반도체 막을 도핑하는 단계; 및
(6)상기 도핑에 의해 변성된 포토 레지스트를 상기 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 막은 실리콘막, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
상기 박리 방법 중의, 레지스트막의 형성, 노광 및 현상 공정은 당업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있다.
상기 박리는 레지스트 박리액 조성물과 도핑에 의하여 변성된 레지스트가 도포된 기판이 접촉할 수 있으면 양호한 박리 결과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 박리 방법에는 침적법, 분무법 또는 침적 및 분무법를 이용할 수 있다. 침적, 분무 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 10 내지 100℃, 바람직하게는 20 내지 80℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건으로 수정될 수 있다.
상기 레지스트가 도포된 기판 상에 적용되는 박리액 조성물의 온도가 10℃ 미만이면, 변성된 레지스트막을 제거하는데 필요한 시간이 지나치게 길어질 수 있다. 또한, 레지스트 박리액 조성물의 온도가 100℃를 초과하면, 레지스트막의 하부 막층의 손상이 우려되며, 박리액의 취급에 어려움이 뒤따른다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<
레지스트
박리액
조성물 제조>
실시예
1 내지 11 및
비교예
1 내지 6.
하기의 표 1에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
| 구분 | 히드록사이드 화합물 |
아민 화합물 | 유기용매 | 비이온성 계면활성제 |
물(DIW) | |||||||
| A-1 | A-2 | A-3 | B-1 | B-2 | B-3 | B-4 | C-1 | C-2 | D-1 | D-2 | ||
| 실시예1 | 15 | - | - | 0.1 | - | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 실시예2 | - | 15 | - | 0.1 | - | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 실시예3 | 15 | - | - | 3 | - | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 실시예4 | - | 15 | - | - | 3 | - | - | - | - | - | 0.1 | 잔량 |
| 실시예5 | 15 | - | - | 0.1 | - | - | - | - | - | 1 | - | 잔량 |
| 실시예6 | - | 15 | - | - | 0.1 | - | - | - | - | - | 1 | 잔량 |
| 실시예7 | 5 | - | - | 0.5 | - | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 실시예8 | - | 5 | - | - | 0.5 | - | - | - | - | - | 0.1 | 잔량 |
| 실시예9 | 15 | - | - | - | 0.1 | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 실시예10 | 10 | - | - | 0.5 | - | - | - | - | - | - | 0.1 | 잔량 |
| 실시예11 | - | 10 | - | - | 0.5 | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 비교예1 | - | - | 15 | 0.1 | - | - | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 비교예2 | 15 | - | - | - | - | - | - | 0.1 | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 비교예3 | 15 | - | - | - | - | - | - | - | 5 | 0.1 | - | 잔량 |
| 비교예4 | 15 | - | - | - | - | 0.1 | - | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 비교예5 | 15 | - | - | - | - | - | 0.1 | - | - | 0.1 | - | 잔량 |
| 비교예6 | 15 | - | - | 0.1 | - | - | - | - | - | - | - | 잔량 |
A-1 : 테트라에틸암모늄히드록사이드
A-2 : 테트라부틸암모늄히드록사이드
A-3 : 테트라메틸암모늄히드록사이드
B-1 : 다이에틸렌트리아민
B-2 : 트리에틸렌테트라아민
B-3 : 모노에탄올아민
B-4 : 부틸아민
C-1 : 부틸아세테이트
C-2 : N-메틸피롤리돈
D-1 : 폴리에틸렌 옥틸페닐 에테르
D-2 : 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 부틸 에테르
실험예
1.
레지스트
박리액
조성물의 성능 평가
1.
세정성
평가
실리콘 웨이퍼 위에 포토 레지스트(193nm)를 도포하고, 노광과 현상을 통해 패터닝 후 이온을 주입하여 도핑된 실리콘 웨이퍼를 제조하였다.
상기 웨이퍼를 2x2cm 크기로 자르고, 상기 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 6에서 제조한 레지스트 박리액 조성물을 60℃로 승온시킨 후, 상기 웨이퍼를 2분 동안 침적시킨 후 물로 세정하였다.
세정된 웨이퍼는 주사 전자현미경(SEM, Hitachi S-4700) 및 엘립소미터(Ellipsometer, SE-MG-1000)를 이용하여 변성된 레지스트의 제거 및 입자성 불순물 제거를 관찰하였다.
평가 결과는 하기와 같으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<변성 레지스트의 제거평가>
◎ : 95% 이상 제거됨
○ : 90% 이상 95% 미만 제거됨
△ : 80% 이상 90% 미만 제거됨
Х : 80% 미만으로 제거됨
<입자성 불순물 제거평가>
◎ : 95% 이상 제거됨
○ : 90% 이상 95% 미만 제거됨
△ : 80% 이상 90% 미만 제거됨
Х : 80% 미만으로 제거됨
2.
산화막
및
질화막의
손상 평가
실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 질화막(SiN)을 2x2cm 크기로 자르고, 상기 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 6에서 제조한 레지스트 박리액 조성물을 60℃로 승온시킨 후, 상기 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 각각 5분 동안 침적시킨 후 물로 세정하였다.
세정된 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막은 주사 전자현미경(SEM, Hitachi S-4700) 및 엘립소미터(Ellipsometer, SE-MG-1000)를 이용하여 막의 손상 여부를 관찰하였다.
평가 결과는 하기와 같으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<실리콘 산화막(SiOx) 손상 평가>
◎ : 실리콘 산화막 식각 속도 < 1 A/min
○ : 1 A/min ≤ 실리콘 산화막 식각 속도 < 5 A/min
△ : 5 A/min ≤ 실리콘 산화막 식각 속도 < 10 A/min
Х : 실리콘 산화막 식각 속도 ≥ 10 A/min
< 실리콘 질화막(SiN) 손상 평가>
◎ : 실리콘 질화막 식각 속도 < 1 A/min
○ : 1 A/min ≤ 실리콘 질화막 식각 속도 < 5 A/min
△ : 5 A/min ≤ 실리콘 질화막 식각 속도 < 10 A/min
Х : 실리콘 질화막 식각 속도 ≥ 10 A/min
3. 안정성 평가
상기 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 6에서 제조한 레지스트 박리액 조성물의 색 변화 발생 여부를 육안으로 관찰하였다.
평가 결과는 하기와 같으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<용해도>
○ : 색 변화
X : 색 변화 없음
| 구분 | 변성 레지스트 제거 |
입자성 불순물 제거 |
SiOx 손상 | SiN 손상 | 색변화 |
| 실시예1 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예3 | ○ | ○ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예4 | ○ | ○ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예5 | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예6 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예7 | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예8 | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예9 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예10 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 실시예11 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | Х |
| 비교예1 | ◎ | ◎ | ○ | △ | Х |
| 비교예2 | Х | Х | ◎ | ◎ | ○ |
| 비교예3 | △ | △ | ◎ | ◎ | ○ |
| 비교예4 | △ | ○ | ◎ | ◎ | X |
| 비교예5 | △ | ○ | ◎ | ◎ | X |
| 비교예6 | △ | ○ | ◎ | ◎ | X |
상기 표 2의 결과를 통하여, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 실시예 1 내지 11은 변성 레지스트 및 입자성 불순물의 제거가 우수하며, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막에 손상을 가하지 않으며, 안정한 것을 확인할 수 있었다.
반면, 상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물에 해당하지 않은 히드록사이드 화합물을 사용한 비교예 1의 레지스트 박리액 조성물은 불안정하여 색변화가 나타났으며, 상기 화학식 2의 아민 화합물을 사용하지 않고, 유기 용매를 사용한 비교예 2 및 3의 레지스트 박리액 조성물은 변성 레지스트 및 입자성 불순물을 효과적으로 제거하지 못하였다.
상기 화학식 2의 아민 화합물에 해당되지 않은 아민 화합물을 사용한 비교예 4 및 5의 레지스트 박리액 조성물은 변성 레지스트를 효과적으로 제거하지 못하였다.
또한, 비이온성 계면활성제를 포함하지 않은 비교예 6의 레지스트 박리액 조성물은 변성 레지스트를 효과적으로 제거하지 못하였다.
따라서, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 막을 도핑하기 위한 이온 주입 과정에서 도핑된 물질이 레지스트에 침투하여 고분자들 간의 가교가 일어나 형성된 변성 레지스트 및 입자성 불순물에 대한 우수한 박리력을 나타내며, 레지스트 하부막에 손상을 가하지 않으며, 안정한 것을 실험을 통하여 확인할 수 있었다.
Claims (7)
- 하기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물, 하기 화학식 2의 아민 화합물, 비이온성 계면활성제 및 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물.
[화학식 1]
N(R1)4 +OH-
[화학식 2]
NH2C2H4(NHC2H4)nNH2
상기 R1은 탄소수 2 내지 4의 선형 알킬기이고,
상기 n은 0 내지 2의 정수이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물은 테트라 에틸 암모늄 히드록사이드, 테트라 프로필 암모늄 히드록사이드 및 테트라 부틸 암모늄 히드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 아민 화합물은 에틸렌다이아민, 다이에틸렌트리아민 및 트리에틸렌테트라아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 비이온성 계면활성제는 폴리에틸렌 옥틸페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 뷰틸 에테르 및 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여, 상기 화학식 1의 테트라 알킬 암모늄 히드록사이드 화합물 0.1 내지 20 중량%, 상기 화학식 2의 아민 화합물 0.01 내지 5 중량%, 비이온성 계면활성제 0.01 내지 5 중량% 및 레지스트 박리액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
- (1)기판 상에 반도체 막을 증착하는 단계;
(2)상기 반도체 막 상에 포토 레지스트막을 형성하는 단계;
(3)상기 포토 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(4)상기 노광 후의 포토 레지스트막을 현상하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(5)상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 반도체 막을 도핑하는 단계; 및
(6)상기 도핑에 의해 변성된 포토 레지스트를 상기 청구항 1 내지 5항 중 어느 한 항의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계;를 포함하는 레지스트의 박리방법 - 청구항 6에 있어서, 상기 반도체 막은 실리콘막, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150088131A KR102397091B1 (ko) | 2015-06-22 | 2015-06-22 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150088131A KR102397091B1 (ko) | 2015-06-22 | 2015-06-22 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160150322A true KR20160150322A (ko) | 2016-12-30 |
| KR102397091B1 KR102397091B1 (ko) | 2022-05-12 |
Family
ID=57737392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150088131A KR102397091B1 (ko) | 2015-06-22 | 2015-06-22 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102397091B1 (ko) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037177A (ko) * | 2001-11-02 | 2003-05-12 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 포토레지스트용 수계 박리액 |
| KR20050094409A (ko) | 2002-12-20 | 2005-09-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 포토레지스트 제거 |
| KR20080044643A (ko) * | 2006-11-17 | 2008-05-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물, 이를 이용한 박리방법, 및 그조성물의 재생 방법 |
| WO2012081865A2 (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 |
| WO2012134226A2 (ko) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 |
-
2015
- 2015-06-22 KR KR1020150088131A patent/KR102397091B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037177A (ko) * | 2001-11-02 | 2003-05-12 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 포토레지스트용 수계 박리액 |
| KR20050094409A (ko) | 2002-12-20 | 2005-09-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 포토레지스트 제거 |
| KR20080044643A (ko) * | 2006-11-17 | 2008-05-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물, 이를 이용한 박리방법, 및 그조성물의 재생 방법 |
| WO2012081865A2 (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 |
| WO2012134226A2 (ko) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102397091B1 (ko) | 2022-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
| KR100700998B1 (ko) | 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법 | |
| US6440326B1 (en) | Photoresist removing composition | |
| KR100786606B1 (ko) | 기판으로부터 포토레지스트 및/또는 에칭 잔류물을제거하기 위한 조성물 및 이의 용도 | |
| US7816312B2 (en) | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping | |
| US9327966B2 (en) | Semi-aqueous polymer removal compositions with enhanced compatibility to copper, tungsten, and porous low-K dielectrics | |
| KR20060115896A (ko) | 레지스트, ｂａｒｃ 및 갭 필 재료 스트리핑 케미칼 및방법 | |
| JP2002184743A (ja) | ストリッピング組成物 | |
| KR20100076999A (ko) | 포토레지스트 박리를 위한 화합물 | |
| KR20120024714A (ko) | 레지스트 스트리핑 조성물 및 전기 소자의 제조 방법 | |
| KR100793241B1 (ko) | 실리콘 고분자 및 포토레지스트 제거용 조성물, 이를이용한 막 제거 방법 및 패턴 형성 방법 | |
| KR100554685B1 (ko) | 레지스트박리제 조성물 | |
| US20040220066A1 (en) | Stripper | |
| JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
| CN114651317A (zh) | 蚀刻组合物 | |
| KR100378552B1 (ko) | 레지스트 리무버 조성물 | |
| KR102397091B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
| KR100893280B1 (ko) | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 | |
| KR100862988B1 (ko) | 포토레지스트 리무버 조성물 | |
| KR100742119B1 (ko) | 포토레지스트 리무버 조성물 | |
| KR100378551B1 (ko) | 레지스트 리무버 조성물 | |
| KR20160109645A (ko) | 포토레지스트 제거용 세정액 조성물 | |
| KR20070019604A (ko) | 중합체-스트리핑 조성물 | |
| CN116794943A (zh) | 一种集成电路用去胶液及其制备方法 | |
| KR20160111649A (ko) | 금속 식각액 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |