KR20160112072A - 패턴 검사 방법 및 그를 사용하는 기판 제조 장치 - Google Patents

패턴 검사 방법 및 그를 사용하는 기판 제조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 패턴 검사 방법, 기판 제조 방법 및 그에 사용되는 기판 제조 장치를 개시한다. 그의 방법은, 기판 상의 패턴에 대응되는 실측 이미지를 검출하는 단계와 상기 패턴의 불량인 상기 실측 이미지의 고스트 이미지에 대응되는 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계와, 상기 제 1 핫 스팟 보다 넓은 면적을 갖는 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

패턴 검사 방법 및 그를 사용하는 기판 제조 장치{method for detecting patternsand substrate manufacturing apparatus using the same}
본 발명은 기판 제조 방법 및 그의 장치에 관한 것으로, 상세하게는 패턴을 검사하는 패턴 검사 방법, 기판 제조 방법, 및 그를 사용하는 기판 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 다수의 단위 공정들을 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 또는 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중의 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정이다. 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 임계 치수(CD)를 결정하는 중요한 공정이다. 때문에, 포토레지스트 패턴의 불량은 주기적으로 검사되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 패턴의 불량을 자동으로 검사할 수 있는 패턴 검사 방법 및 기판 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 과제는 패턴 검사를 자동으로 수행할 수 있는 기판 제조 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 패턴 검사 방법을 개시한다. 그의 방법은, 기판 상의 패턴에 대응되는 실측 이미지를 검출하는 단계; 상기 패턴의 불량인 상기 실측 이미지의 고스트 이미지에 대응되는 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계; 및 상기 제 1 핫 스팟 보다 넓은 면적을 갖는 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 패턴 검사 방법은 실측 카운투어 라인을 타깃 카운투어 라인으로 블록킹하여 핫 스팟을 검출하고, 상기 핫 스팟을 실측 이미지의 고스트 이미지에 기록하는 방법을 포함할 수 있다. 패턴의 불량은 핫 스팟에 의해 자동적으로 검사될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 제조 방법에 따른 기판 상의 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 제조 방법을 구현하기 위한 기판 제조 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 4는 도 3의 스피너에 의해 형성되는 포토레지스트를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 3의 스피너를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 3의 노광기를 나타내는 측면도이다.
도 7은 도 3의 검사기의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7의 계측 부의 일 예를 나타내는 부분 측면도이다.
도 9는 도 8의 검출기를 통해 획득되는 실측 패턴 이미지를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 실측 이미지에 대응되는 타깃 이미지를 나타내는 도면이다.
도 11은 도 1의 패턴을 검사하는 단계를 설명하는 플로우 챠트이다.
도 12는 도 11의 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 13 내지 도 16은 도 12의 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계에서의 제 1 실측 단색 이미지와 제 1 타깃 단색 이미지를 나타내는 도면들이다.
도 17은 도 16의 제 1 핫 스팟이 표시된 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
도 18은 도 11의 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 19 내지 도 22는 도 18의 제 2 핫 스팟)을 검출하는 단계에서의 제 2 실측 단색 이미지와 타깃 단색 이미지를 나타내는 도면들이다.
도 23은 도 22의 제 2 핫 스팟이 표시된 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
도 24는 도 11의 제 3 핫 스팟을 검출하는 단계를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 25 내지 도 30은 도 24의 제 3 핫 스팟을 검출하는 단계에서의 제 3 실측 단색 이미지와 제 3 타깃 단색 이미지를 나타내는 도면들이다.
도 31은 도 30의 제 3 핫 스팟이 표시된 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
도 32는 도 7의 계측 부의 다른 예를 나타내는 부분 측면도이다.
도 33은 도32의 카메라를 통해 획득되는 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
도 34는 도 16의 제 1 핫 스팟이 표시되는 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
도 35는 도 22의 제 2 핫 스팟이 표시된 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
도 36은 도 30의 제 3 핫 스팟이 표시된 실측 이미지를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 기판, 패턴, 이미지, 실측(real), 타깃(target), 및 레퍼런스는 일반적인 반도체 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 기판 제조 방법의 일 예를 보여준다. 도 2는 도 1의 기판 제조 방법에 따른 기판(10) 상의 패턴(20)을 보여준다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 제조 방법은, 기판(10) 상에 패턴(20)을 형성하는 단계(S10), 패턴(20)을 검사하는 단계(S20), 패턴(20)의 불량을 판단하는 단계(S30) 및 패턴(20)을 제거하는 단계(S40)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 기판(10)은 실리콘 웨이퍼 또는 글래스를 포함할 수 있다. 패턴(20)은 종류에 따라 그의 형성 방법이 다를 수 있다. 패턴(20)은 포토레지스트, 유전체, 또는 도전체을 포함할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트의 패턴(20)를 형성하는 단계(S10)는 포토리소그래피 방법을 포함할 수 있다.
패턴(20)을 검사하는 단계(S20)는 패턴(20)의 상부 표면(21)을 검사하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 패턴(20)의 상부 표면(21)은 전기적 검사 방법 또는 광학적 검사 방법으로 계측될 수 있다. 상부 표면(21)에 홈(22)이 형성될 경우, 예를 들어, 상부 표면(21)의 홈(22)은 패턴(20)의 불량으로 계측될 수 있다. 불량은 패턴(20)의 형성 시 예측되지 않기 때문일 수 있다. 홈(22)은 피쳐 프린팅(feature printing), 사이드 슬롭(side slop), 또는 스큠(scum)에 의해 생성될 수 있다.
패턴(20)의 불량을 판단하는 단계(S30)는 패턴(20)을 정성적(qualitative) 및 정량적(quantitative)으로 확인하는 단계일 수 있다. 패턴(20)의 불량이 작거나 없을 경우, 패턴(20)은 양품으로 식별(identification)되고 상기 패턴(20)에 대한 기판 제조 공정은 종료될 수 있다.
패턴(20)의 불량이 정해진 크기 또는 수량 이상으로 발생되면, 패턴(20)은 기판(10) 상에서 제거될 수 있다(S40). 이후, 패턴(20)을 형성하는 단계(S10), 패턴(20)을 검사하는 단계(S20), 및 패턴(20)의 불량을 판단하는 단계(S30)는 반복적으로 수행될 수 있다.
도 3은 도 1의 기판 제조 방법을 구현하기 위한 기판 제조 장치(100)의 일 예를 보여 준다. 도 4는 도 3의 스피너(200)에 의해 형성되는 포토레지스트(24)를 보여준다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 제조 장치(100)는 포토리소그래피 장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판 제조 장치(100)는 스피너(200), 노광기(300), 및 검사기(400)를 포함할 수 있다. 스피너(200)는 기판(10) 상에 포토레지스트(24)를 형성할 수 있다. 노광기(300)는 포토레지스트(24)를 감광시킬 수 있다. 스피너(200)는 감광된 포토레지스트(24)를 현상하여 패턴(20)을 형성할 수 있다. 검사기(400)는 패턴(20)을 검사할 수 있다.
도 5는 도 3의 스피너(200)를 보여준다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 스피너(200)는 로더(210), 스핀 코터(220), 베이커(230), 현상기(240), 및 언로더(250)를 포함할 수 있다. 로더(210), 스핀 코터(220), 및 베이커(230)는 순차적으로 배치될 수 있다. 로더(210)는 기판(10)을 스핀 코터(220)에 제공할 수 있다. 스핀 코터(220)는 기판(10) 상에 포토레지스트(24)를 도포할 수 있다. 예를 들어, 스핀 코터(220)는 기판(10)을 회전시켜 포토레지스트를 도포할 수 있다. 베이커(230)는 기판(10)을 가열하여 포토레지스트(24) 내의 솔벤트를 제거할 수 있다. 예를 들어, 베이커(230)는 핫 플레이트를 포함할 수 있다. 이후, 기판(10)은 노광기(300)에 제공될 수 있다. 현상기(240)는 노광기(300)에서 노광된 포토레지스트(24)를 현상하여 패턴(20)을 형성할 수 있다. 언로더(250)는 기판(10)을 현상기(240)에서 검사기(400)로 반송할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 기판 제조 장치(100)는 패턴(20) 또는 포토레지스트(24)를 세정하는 세정기(미도시)를 더 포함할 수 있다. 세정기는 검사기(400)와 로더(210) 사이에 배치될 수 있다. 세정기는 불량이 발생된 패턴(20)을 제거할 수 있다. 패턴(20)이 제거된 기판(10)은 로더(210)로 다시 제공될 수 있다.
도 6은 도 3의 노광기(300)를 보여준다.
도 6을 참조하면, 노광기(300)는 스테이지(310), 광원(320), 오버젝터(330), 및 레티클(340)를 포함할 수 있다. 스테이지(310)는 기판(10)을 지지할 수 있다. 광원(320)은 자외선 광(350)을 생성할 수 있다. 자외선 광(350)은 레티클(340) 및 오버젝터(330)에 제공될 수 있다. 오버젝터(330)는 자외선 광(350)을 포토레지스트에 집중(focusing)할 수 있다. 레티클(340)은 오버젝터(330)와 광원(320) 사이에 배치될 수 있다. 레티클(340)은 타깃 패턴(미도시)를 가질 수 있다. 자외선 광(350)은 타깃 패턴을 따라 포토레지스트(24)를 감광시킬 수 있다.
도 7은 도 3의 검사기(400)의 일 예를 보여준다.
도 7을 참조하면, 검사기(400)는 계측 부(410), 제어 부(420), 스토리지 부(430) 및 표시 부(440)를 포함할 수 있다. 계측 부(410)는 기판(10) 상의 패턴(20)을 계측하여 기판(10) 및 패턴(20)에 대응하는 데이터를 획득할 수 있다. 제어 부(420)는 계측 부(410), 스토리지 부(430) 및 표시 부(440)를 제어할 수 있다. 스토리지 부(430)는 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지 데이터를 포함할 수 있다. 제어 부(420)는 스토리지 부(430)에 이미지 데이터를 입력 또는 출력할 수 있다. 표시 부(440)는 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지를 표시할 수 있다.
도 8은 도 7의 계측 부(410)의 일 예를 보여준다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 계측 부(410)는 전자현미경(SEM)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 계측 부(410)는 전자 건(412) 및 검출기(414)를 포함할 수 있다. 전자 건(412)은 전자 빔(411)을 기판(10) 및 패턴(20)에 조사할 수 있다. 조사된 전자 빔(411)은 패턴(20) 및 기판(10) 상에 이차 전자(413)를 발생시킬 수 있다. 검출기(414)는 전자 건(412)에 인접하여 배치될 수 있다. 검출기(414)는 이차 전자(413)를 검출할 수 있다. 검출기(414)는 패턴(20)의 이미지에 대응되는 데이터를 제어 부(420)에 제공할 수 있다. 전자 건(412)과 검출기(414)는 기판(10)보다 패턴(20)에 가깝게 배치될 수 있다. 검출기(414)는 기판(10)에서보다 패턴(20)에 대해 다량의 이차 전자(413)를 검출할 수 있다. 제어 부(420)는 이차 전자(413)의 검출 량에 따라 명암의 차이(contrast)를 갖는 데이터를 표시 부(440)에 출력할 수 있다. 표시 부(440)는 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지를 명암의 차이에 따라 표시할 수 있다. 예를 들어, 표시 부(440)는 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지를 약 256개의 명암으로 표시할 수 있다.
제어 부(420)는 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지 데이터를 획득, 연산, 비교, 및 기록할 수 있다. 이하, 제어 부(420)가 이미지를 획득, 표시, 기록, 및 오버랩하는 것으로 설명하여 데이터 처리에 대한 내용 설명을 간결하게 정리할 것이다.
도 9는 도 8의 검출기(414)를 통해 획득되는 실측 패턴 이미지(30)의 일 예를 보여준다.
도 1, 도 2, 도 8, 및 도 9을 참조하면, 실측 이미지(26)는 검출기(414)에서 검출되는 이미지일 수 있다. 실측 이미지(26)는 실시간으로 획득되는 기판(10)과 패턴(20)의 이미지에 대응될 수 있다. 예를 들어, 실측 이미지(26)는 실측 기판 이미지(16)와 실측 패턴 이미지(30)을 포함할 수 있다. 실측 패턴 이미지(30)는 실측 기판 이미지(16)보다 어두울 수 있다. 이와 달리, 실측 패턴 이미지(30)는 실측 기판 이미지(16)보다 밝을 수 있다. 실측 패턴 이미지(30)는 실측 카운투어 라인(32)과 실측 내부 영역(34)을 포함할 수 있다. 실측 카운투어 라인(32)은 실측 내부 영역(34)을 둘러쌀 수 있다. 실측 카운투어 라인(32)은 라운드진 모서리(36)를 가질 수 있다. 실측 카운투어 라인(32)은 패턴(20)의 상부 표면(21)의 가장자리에 대응될 수 있다. 이와 달리, 실측 카운투어 라인(32)은 패턴(20)과 기판(10)의 경계에 대응될 수 있다. 실측 내부 영역(34)은 패턴(20)의 상부 표면(21)에 대응될 수 있다.
일반적으로, 전자현미경의 계측 부(410)에 의해 획득되는 실측 카운투어 라인(32)은 실측 기판 이미지(16)에 대해 실측 내부 영역(34)보다 월등히 높은 명암 비를 가질 수 있다. 실측 카운투어 라인(32)은 실측 기판 이미지(16) 및 실측 내부 영역(34)보다 선명할 수 있다. 때문에, 실측 카운투어 라인(32)은 패턴(20)을 검사하는 단계(S20) 및 패턴(20)의 불량을 판단하는 단계(S30)에서 유용하게 사용될 수 있다.
한편, 실측 패턴 이미지(30)는 고스트 이미지(40)를 가질 수 있다. 고스트 이미지(40)는 패턴(20)의 형성 시에 예측되지 않는 이미지일 수 있다. 즉, 고스트 이미지(40)는 패턴(20) 상의 홈(22)에 대응되는 불량 이미지일 수 있다. 고스트 이미지(40)는 실측 패턴 이미지(30)의 내부 또는 가장자리에 나타날 수 있다. 일 예에 따르면, 고스트 이미지(40)는 카운투어 고스트 이미지(42) 및 내부 고스트 이미지(44)를 포함할 수 있다. 카운투어 고스트 이미지(42)는 실측 카운투어 라인(32)에서 검출될 수 있다. 내부 고스트 이미지(44)는 실측 내부 영역(34)에 검출될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 카운투어 고스트 이미지(42) 및 내부 고스트 이미지(44)는 실측 이미지(26) 내에서 매우 작게 나타날 수 있다. 제어 부(420)는 카운투어 고스트 이미지(42) 및 내부 고스트 이미지(44)를 실측 패턴 이미지(30)로부터 직접적으로 판별하지 못할 수 있다. 때문에, 제어 부(420)는 실측 카운투어 라인(32)를 타깃 카운투어 라인(도 10의 28)과 오버랩한 후에, 카운투어 고스트 이미지(42) 및 내부 고스트 이미지(44)의 위치를 기록할 수 있다.
도 10은 도 9의 실측 이미지(26)에 대응되는 타깃 이미지(28)를 보여준다.
도 6, 도 9 및 도 10을 참조하면, 타깃 이미지(28)는 기판 제조 방법으로 형성하고자 하는 기판(10)과 패턴(20)의 이미지일 수 있다. 타깃 이미지(28)는 실측 이미지(26)의 레퍼런스 이미지일 수 있다. 타깃 이미지(28)는 스토리지 부(430)에 저장될 수 있다. 타깃 이미지(28)는 타깃 패턴 이미지(50) 및 타깃 베어 이미지(18)를 포함할 수 있다. 타깃 패턴 이미지(50)는 레티클(340)의 전사 패턴(미도시)에 대응될 수 있다. 예를 들어, 타깃 패턴 이미지(50)는 레티클(340)의 전사 패턴에 대해 약 1/4배의 크기를 가질 수 있다. 타깃 패턴 이미지(50)는 타깃 카운투어 라인(52) 및 타깃 내부 영역(54)을 포함할 수 있다. 타깃 카운투어 라인(52)은 기판 제조 방법으로 형성하고자 하는 패턴(20)의 경계에 대응될 수 있다. 타깃 카운투어 라인(52)은 각진 모서리(56)를 가질 수 있다. 타깃 카운투어 라인(52)은 실측 카운투어 라인(32)와 비교될 수 있다. 타깃 내부 영역(54)은 타깃 카운투어 라인(52)에 의해 둘러싸인 영역일 수 있다. 타깃 베어 이미지(18)는 레티클의 전사 패턴을 제외한 부분에 대응될 수 있다.
도 11은 도 1의 패턴(20)을 검사하는 단계(S20)를 설명하는 플로우 챠트이다.
도 1, 도 2, 도 7, 및 도 11을 참조하면, 제어 부(420)는 패턴(20)을 검사하는 단계(S20)를 수행할 수 있다. 일 예에 따르면, 패턴(20)을 검사하는 단계(S20)는 실측 이미지(26)를 획득하는 단계(S210), 제 1 내지 제 3 핫 스팟들을 확인하는 단계들(S220-S240), 및 제 1 내지 제 3 핫 스팟들의 확인을 종료하는지를 판단하는 단계(S250)를 포함할 수 있다. 실측 이미지(26)를 획득하는 단계(S210)는 실측 패턴 이미지(30)와 실측 기판 이미지(16)를 획득하는 단계일 수 있다. 실측 패턴 이미지(30)와 실측 기판 이미지(16)는 계측 부(410)로부터 검출될 수 있다. 제 1 내지 제 3 핫 스팟들을 확인하는 단계들(S220-S240)은 카운투어 고스트 이미지(42) 및 내부 고스트 이미지(44)를 확인하는 단계일 수 있다. 제 1 내지 제 3 핫 스팟들의 검출을 종료하는지를 판단하는 단계(S250)는 고스트 이미지(40)의 검출을 계속할지를 판단하는 단계일 수 있다.
도 12는 도 11의 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계(S220)의 일 예를 보여준다. 도 13 내지 도 16은 도 12의 제 1 핫 스팟(40a)을 검출하는 단계(S220)에서의 제 1 실측 단색 이미지(72)와 제 1 타깃 단색 이미지(82)를 보여준다. 도 17은 도 16의 제 1 핫 스팟(40a)이 표시된 실측 이미지(26)를 보여준다.
도 12 내지 도 16을 참조하면, 제 1 핫 스팟(40a)을 확인하는 단계(S220)는 제 1 실측 단색 이미지(72) 및 제 1 타깃 단색 이미지(82)를 획득하는 단계(S222), 제 1 실측 단색 이미지(72)와 제 1 타깃 단색 이미지(82)를 오버랩하는 단계(S224), 제 1 핫 스팟(40a)을 검출하는 단계(S226), 및 제 1 핫 스팟(40a)을 기록하는 단계(S228)를 포함할 수 있다.
먼저 도 9, 도12, 및 도 13을 참조하면, 제 1 실측 단색 이미지(72)는 실측 이미지(26)의 이진화(binarization)에 의해 획득될 수 있다(S222). 실측 이미지(26)는 인텐서티의 차이(contrast)에 따라 이진화될 수 있다. 제 1 실측 단색 이미지(72)는 제 1 실측 단색 베어 이미지(16a), 제 1 실측 카운투어 라인(32a), 및 제 1 핫 스팟(40a)을 포함할 수 있다. 제 1 실측 단색 베어 이미지(16a)는 제 1 실측 카운투어 라인(32a), 및 제 1 핫 스팟(40a)보다 밝을 수 있다. 제 1 실측 단색 베어 이미지(16a)는 실측 기판 이미지(16)와 실측 패턴 이미지(30)의 실측 내부 영역(34)에 대응될 수 있다. 이와 달리, 실측 단색 베어 이미지(16a)는 제 1 실측 카운투어 라인(32a), 및 제 1 핫 스팟(40a)보다 어두울 수 있다. 제 1 실측 카운투어 라인(32a)은 제 1 라운드진 모서리(36a)를 가질 수 있다. 제 1 실측 카운투어 라인(32a)은 실측 카운투어 라인(32)에 대응될 수 있다. 제 1 핫 스팟(40a)은 고스트 이미지(40)에 대응될 수 있다. 제 1 핫 스팟(40a)은 제 1 카운투어 핫 스팟(42a) 및 제 1 내부 핫 스팟(44a)을 포함할 수 있다. 제 1 카운투어 핫 스팟(42a)은 제 1 실측 카운투어 라인(32a) 상에 배치될 수 있다. 제 1 카운투어 핫 스팟(42a)은 카운투어 고스트 이미지(42)에 대응될 수 있다. 제 1 내부 핫 스팟(44a)은 제 1 실측 카운투어 라인(32a) 내에 배치될 수 있다. 제 1 내부 핫 스팟(44a)은 내부 고스트 이미지(44)에 대응될 수 있다.
도 12 및 도 14를 참조하면, 제 1 타깃 단색 이미지(82)는 도 10의 타깃 이미지(28)의 이진화에 의해 획득될 수 있다(S222). 이와 달리, 제 1 타깃 단색 이미지(82)는 스토리지 부(46)에서 제공될 수 있다. 제 1 타깃 단색 이미지(82)는 제 1 타깃 단색 베어 이미지(18a) 및 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)을 포함할 수 있다. 제 1 타깃 단색 베어 이미지(18a)는 타깃 베어 이미지(18) 및 타깃 패턴 이미지(50)의 타깃 내부 영역(54)에 대응될 수 있다. 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)은 제 1 각진 모서리(56a)를 가질 수 있다. 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)은 타깃 카운투어 라인에 대응될 수 있다. 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)의 폭은 타깃 카운투어 라인(52)의 폭보다 클 수 있다.
다음 도 12 및 도 15를 참조하면, 제 1 실측 단색 이미지(72)는 제 1 타깃 단색 이미지(82)에 오버랩될 수 있다(S224). 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)은 제 1 실측 카운투어 라인(32a)을 블록킹할 수 있다. 제 1 핫 스팟(40a)의 제 1 카운투어 핫 스팟(42a) 및 제 1 내부 핫 스팟(44a)은 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)으로부터 노출될 수 있다.
그 다음 도 12 및 도 16을 참조하면, 제어 부(420)는 제 1 실측 단색 이미지(72)가 제 1 핫 스팟(40a)을 갖는지를 확인한다(S226). 제 1 실측 카운투어 라인(32a)이 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)에 의해 블록킹 되면, 제 1 핫 스팟(40a)은 제 1 실측 단색 이미지(72) 내에 제 1 실측 카운투어 라인(32a)없이 표시될 수 있다. 이와 달리, 제 1 핫 스팟(40a)이 제 1 실측 단색 이미지(72) 내에 존재하지 않는다면, 제어 부(420)는 패턴(20)이 정상적으로 형성된 것으로 판단할 수 있다.
그리고 도 17을 참조하면, 제 1 핫 스팟(40a)은 실측 이미지(26)에 기록될 수 있다(S228). 제 1 실측 단색 이미지(72)는 실측 이미지(26)에 대응될 수 있다. 제 1 핫 스팟(40a)은 실측 이미지(26)의 고스트 이미지(40)에 표시될 수 있다. 이와 달리, 제 1 핫 스팟(40a)은 고스트 이미지(40)를 대신하여 실측 이미지(26)에 기록될 수 있다.
도 18은 도 11의 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계(S230)를 보여준다. 도 19 내지 도 22는 도 18의 제 2 핫 스팟(40b)을 검출하는 단계(S230)에서의 제 2 실측 단색 이미지(74)와 제 2 타깃 단색 이미지(84)를 보여준다. 도 23은 도 22의 제 2 핫 스팟(40b)이 표시된 실측 이미지를 보여준다.
도 18 내지 도 22를 참조하면, 제 2 핫 스팟(40b)를 검출하는 단계(S230)는 제 2 실측 단색 이미지(74) 및 제 2 타깃 단색 이미지(84)를 획득하는 단계(S232), 제 2 실측 단색 이미지(74) 및 제 2 타깃 단색 이미지(84)를 오버랩하는 단계(S234), 제 2 핫 스팟(40b)을 검출하는 단계(S236), 및 제 2 핫 스팟(40b)을 기록하는 단계(S238)를 포함할 수 있다.
먼저 도 13, 도18, 및 도 19를 참조하면, 제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 1 실측 단색 이미지(72)의 인텐서티의 미분에 의해 획득될 수 있다(S232). 제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 2 실측 단색 베어 이미지(16b), 제 2 실측 카운투어 라인들(32b), 및 제 2 핫 스팟(40b)을 포함할 수 있다. 제 2 실측 단색 베어 이미지(16b)는 제 2 실측 카운투어 라인들(32b), 및 제 2 핫 스팟(40b)보다 밝을 수 있다. 제 2 실측 단색 베어 이미지(16b)는 제 1 실측 단색 베어 이미지(16a)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이와 달리, 제 2 실측 단색 베어 이미지(16b)는 제 2 실측 카운투어 라인들(32b), 및 제 2 핫 스팟(40b)보다 어두울 수 있다. 제 2 실측 카운투어 라인들(32b)은 외부 카운투어 라인(33)과 내부 카운투어 라인(35)을 포함할 수 있다. 외부 카운투어 라인(33)과 내부 카운투어 라인(35)은 제 1 실측 카운투어 라인(32a)의 외측 가장자리 및 내측 가장자리에 각각 대응될 수 있다. 외부 카운투어 라인(33)과 내부 카운투어 라인(35) 사이의 거리는 제 1 실측 카운투어 라인(32a)의 폭보다 클 수 있다. 내부 카운투어 라인(35)은 외부 카운투어 라인(33)의 내에 배치될 수 있다. 외부 카운투어 라인(33)과 내부 카운투어 라인(35)은 제 2 라운드진 모서리(36b)를 가질 수 있다. 제 2 핫 스팟(40b)은 제 2 카운투어 핫 스팟(42b)과 제 2 내부 핫 스팟(44b)을 포함할 수 있다. 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 상에 배치될 수 있다. 제 2 카운투어 핫 스팟(42b)은 제 1 카운투어 핫 스팟(42a)에 대응될 수 있다. 제 2 내부 핫 스팟(44b)은 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 내에 배치될 수 있다. 제 2 내부 핫 스팟(44b)은 제 1 내부 핫 스팟(44a)에 대응될 수 있다. 제 2 내부 핫 스팟(44b)는 외부 핫 스팟(43)과 내부 핫 스팟(45)을 포함할 수 있다. 내부 핫 스팟(45)은 외부 핫 스팟(43) 내에 배치될 수 있다. 내부 핫 스팟(45)은 제 1 내부 핫 스팟(44a)보다 작을 수 있다. 외부 핫 스팟(43)은 제 1 내부 핫 스팟(44a)보다 클 수 있다.
도 14, 도 18, 및 도 20을 참조하면, 제 2 타깃 단색 이미지(84)는 제 1 타깃 단색 이미지(82)의 확장(dilatation)에 의해 획득될 수 있다(S232). 이와 달리, 제 2 타깃 단색 이미지(84)는 스토리지 부(430)에서 제공될 수 있다. 제 2 타깃 단색 이미지(84)는 제 2 타깃 단색 베어 이미지(18b) 및 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)을 포함할 수 있다. 제 2 타깃 단색 베어 이미지(18b)는 제 1 타깃 단색 베어 이미지(18a) 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)은 제 1 타깃 카운투어 라인(52a)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)는 제 2 각진 모서리(56b)를 가질 수 있다.
다음 도 18 및 도 21을 참조하면, 제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 2 타깃 단색 이미지(84)에 오버랩될 수 있다(S234). 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)은 제 2 실측 카운투어 라인들(32b)을 블록킹할 수 있다. 제 2 카운투어 핫 스팟(42b)과 제 2 내부 핫 스팟(44b)은 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)으로부터 노출될 수 있다.
그 다음 도 18 및 도 22를 참조하면, 제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 2 핫 스팟(40b)을 갖는지 확인될 수 있다(S236). 제 2 실측 카운투어 라인들(32b)이 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)에 의해 블록킹 되면, 제 2 핫 스팟(40b)은 제 2 실측 단색 이미지(74) 내에 제 2 실측 카운투어 라인들(32b)없이 표시될 수 있다. 이와 달리, 제 2 핫 스팟(40b)이 제 2 실측 단색 이미지(74) 내에 존재하지 않는다면, 제어 부(420)는 패턴(20)이 정상적으로 형성된 것으로 판단할 수 있다.
그리고 도 18 및 도 23을 참조하면, 제 2 핫 스팟(40b)은 실측 이미지(26)에 기록될 수 있다(S238). 제 2 실측 단색 이미지(74)는 실측 이미지(26)에 대응될 수 있다. 제 2 핫 스팟(40b)은 실측 이미지(26)의 고스트 이미지(40)에 표시될 수 있다. 이와 달리, 제 2 핫 스팟(40b)은 고스트 이미지(40)를 대신하여 실측 이미지(26)에 기록될 수 있다. 제 2 내부 핫 스팟(44b)은 내부 고스트 이미지(44) 보다 넓은 면적으로 표시될 수 있다. 제어 부(420)는 제 2 카운투어 핫 스팟(42b) 또는 제 2 내부 핫 스팟(44b)이 일정한 면적 이상으로 클 때, 패턴(20)의 불량이 발생된 것으로 판단할 수 있다(S30).
도 24는 도 11의 제 3 핫 스팟을 검출하는 단계(S240)를 보여준다. 도 25 내지 도 30은 도 24의 제 3 핫 스팟(40c)을 검출하는 단계(S240)에서의 제 3 실측 단색 이미지(76)와 제 3 타깃 단색 이미지(86)를 보여준다. 도 31은 도 30의 제 3 핫 스팟(40c)이 표시된 실측 이미지(26)를 보여준다.
도 24 내지 도 30을 참조하면, 제 3 핫 스팟(40c)을 검출하는 단계(S240)는 제 3 실측 단색 이미지(76) 및 제 3 타깃 단색 이미지(86)를 획득하는 단계(S242), 제 3 실측 단색 이미지(76) 및 제 3 타깃 단색 이미지(86)을 오버랩하는 단계(S244), 제 3 핫 스팟(40c)을 검출하는 단계(S246), 및 제 3 핫 스팟(40c)을 기록하는 단계(S248)를 포함할 수 있다. 제 3 실측 단색 이미지(76) 및 제 3 타깃 단색 이미지(86)를 획득하는 단계(S242)는 실측 중심 라인(60) 및 타깃 중심 라인(미도시)을 획득하는 단계(S241)와 실측 중심 라인(60)을 확장(dilatation)하는 단계(S243)를 포함할 수 있다.
먼저 도 19, 도 24, 및 도 25를 참조하면, 제 3 더미 실측 단색 이미지(76d)는 더미 실측 단색 베어 이미지(16d), 제 2 실측 카운투어 라인들(32b), 제 2 핫 스팟(40b), 실측 중심 라인(60)을 포함할 수 있다. 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 및 제 2 핫 스팟(40b)은 도 19와 동일하다. 더미 실측 단색 베어 이미지(16d)는 제 2 실측 단색 베어 이미지(16b)에 대응될 수 있다. 실측 중심 라인(60)은 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 및 제 2 핫 스팟(40b) 각각의 중심에서 획득될 수 있다(S241). 실측 중심 라인(60)은 카운투어 중심 라인(33d)과 핫 스팟 중심 라인(40d)을 포함할 수 있다. 카운투어 중심 라인(33d)은 외부 카운투어 라인(33)과 내부 카운투어 라인(35)의 중심에 배치될 수 있다. 핫 스팟 중심 라인(40d)은 카운투어 핫 스팟 중심 라인(42d) 및 내부 핫 스팟 중심 라인(44d)을 포함할 수 있다. 카운투어 핫 스팟 중심 라인(42d)은 제 2 실측 카운투어 라인들(32b)의 가장자리의 중심에 배치될 수 있다. 내부 핫 스팟 중심 라인(44d)은 외부 핫 스팟(43)과 내부 핫 스팟(45)의 중심에 배치될 수 있다.
도 26을 참조하면, 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 및 제 2 핫 스팟(40b)은 제 2 실측 단색 이미지(74)에 의해 블록킹 될 수 있다. 중심 라인(60)은 더미 실측 단색 이미지(76d) 내에 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 및 제 2 핫 스팟(40b)없이 표시될 수 있다.
이후 도 24, 도 26, 및 도 27을 참조하면, 실측 중심 라인(60)은 폭 방향 및 길이 방향으로 확장(dilatation)되어(S243) 제 3 실측 단색 이미지(76)으로 획득될 수 있다(S242). 제 3 실측 단색 이미지(76)는 제 3 실측 단색 베어 이미지(16c), 제 3 실측 카운투어 라인(32c), 및 제 3 핫 스팟(40c)을 포함할 수 있다. 제 3 실측 단색 베어 이미지(16c)는 더미 실측 단색 베어 이미지(16d)보다 작아질 수 있다. 제 3 실측 카운투어 라인(32c)은 카운투어 중심 라인(33d)의 확장에 의해 획득될 수 있다. 제 3 실측 카운투어 라인(32c)은 제 3 각진 모서리(36c)를 가질 수 있다. 제 3 핫 스팟(40c)은 핫 스팟 중심 라인(40d)의 확장에 의해 획득될 수 있다. 제 3 핫 스팟(40c)은 제 3 카운투어 핫 스팟(42c) 및 제 3 내부 핫 스팟(44c)을 포함할 수 있다. 제 3 카운투어 핫 스팟(42c)은 카운투어 핫 스팟 중심 라인(42d)의 확장에 의해 획득될 수 있다. 카운투어 핫 스팟 중심 라인(42d)은 제 1 카운투어 핫 스팟(42a) 및 제 2 카운투어 핫 스팟(42b)과 동일한 길이를 가질 수 있다. 카운투어 핫 스팟 중심 라인(42d)은 폭 방향뿐만 아니라 길이 방향으로 확장될 수 있다. 따라서, 제 3 카운투어 핫 스팟(42c)은 카운투어 핫 스팟 중심 라인(42d), 제 1 카운투어 핫 스팟(42a) 및 제 2 카운투어 핫 스팟(42b)보다 길 수 있다.
도 14, 도 20, 도 24, 및 도 28을 참조하면, 제 3 타깃 단색 이미지(86)는 제 1 타깃 단색 이미지(82) 또는 제 2 타깃 단색 이미지(84)로부터 획득될 수 있다(S242). 제 3 타깃 단색 이미지(86)는 제 3 타깃 단색 베어 이미지(18c) 및 제 3 타깃 카운투어 라인(52c)을 포함할 수 있다. 제 3 타깃 단색 이미지(86)는 제 1 타깃 단색 이미지(82) 또는 제 2 타깃 단색 이미지(84)와 동일할 수 있다. 제 3 타깃 단색 베어 이미지(18c)는 제 1 타깃 단색 베어 이미지(18a) 또는 제 2 타깃 단색 베어 이미지(18b)와 동일할 수 있다. 제 3 타깃 카운투어 라인(52c)은 제 3 각진 모서리(56c)를 가질 수 있다. 제 3 타깃 카운투어 라인(52c)은 제 1 타깃 카운투어 라인(52a) 또는 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)와 동일할 수 있다. 제 1 타깃 카운투어 라인(52a) 또는 제 2 타깃 카운투어 라인(52b) 내의 중심 라인(미도시)이 획득된 후 확장 될 경우, 제3 타깃 카운투어 라인(52c)은 제 1 타깃 카운투어 라인(52a) 또는 제 2 타깃 카운투어 라인(52b)으로 다시 계산될 수 있기 때문이다. 이와 달리, 제 3 타깃 단색 이미지(86)는 스토리지 부(430)에서 제공될 수 있다.
다음 도 24 및 도 29를 참조하면, 제 3 실측 단색 이미지(76)는 제 3 타깃 단색 이미지(86)에 오버랩 될 수 있다(S244). 제 3 실측 카운투어 라인들(32c)은 제 3 타깃 카운투어 라인(52c)에 의해 블로킹 될 수 있다. 제 3 핫 스팟(40c)은 제 3 타깃 카운투어 라인(52c)으로부터 노출될 수 있다.
그 다음 도 24 및 도 30을 참조하면, 도 7의 제어 부(420)는 제 3 실측 단색 이미지(76) 내의 제 3 핫 스팟(40c)을 확인할 수 있다(S246). 제 3 실측 카운투어 라인(32c)가 제 3 타깃 카운투어 라인(52c)에 의해 블록킹 되면, 제 3 핫 스팟(40c)은 제 3 실측 단색 이미지(76) 내에 제 3 실측 카운투어 라인(32c)없이 표시될 수 있다. 이와 달리, 제 3 핫 스팟(40c)이 제 3 실측 단색 이미지(76) 내에 존재하지 않는다면, 제어 부(420)는 패턴(20)이 정상적으로 형성된 것으로 판단할 수 있다.
도 24 및 도 31을 참조하면, 제 3 핫 스팟(40c)은 실측 이미지(26)에 기록될 수 있다(S248). 제 3 실측 단색 이미지(76)는 실측 이미지(26)에 대응될 수 있다. 제 3 핫 스팟(40c)은 실측 이미지(26)의 고스트 이미지(40)에 표시될 수 있다. 제 3 핫 스팟(40c)은 고스트 이미지(40)를 대신하여 실측 이미지(26)에 기록될 수 있다. 제 3 카운투어 핫 스팟(42c)은 카운투어 고스트 이미지(42)보다 길게 표시될 수 있다. 제어 부(420)는 제 3 카운투어 핫 스팟(42c)가 일정한 길이 이상일 때, 패턴(20)의 불량이 발생된 것으로 판단할 수 있다(D30).
도 32는 도 7의 계측 부(410)의 다른 예를 보여 준다.
도 7 및 도 32를 참조하면, 계측 부(410)는 광학 현미경을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 계측 부(410)는 조명(416)과 카메라(418)를 포함할 수 있다. 조명(416)은 기판(10) 및 패턴(20)에 입사광(415)을 제공할 수 있다. 카메라(49)는 기판(10) 및 패턴(20)에서 반사광(417)을 검출할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 카메라(49)는 패턴(20)을 확대하는 렌즈를 가질 수 있다. 조명(416)은 패턴(20)의 그림자를 발생시키지 않도록 기판(10)에 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 조명(416)은 전면의 기판(10)에 대해 입사광(415)을 제공할 수 있다. 이와 달리, 입사광(415)과 반사광(417)은 광학계(미도시)에 의해 기판(10)에 수직한 방향으로 진행할 수도 있다. 제어 부(420)는 카메라(418)에서 검출되는 반사광(417)의 파장에 따라 기판(10) 및 패턴(20)에 대해 다양한 색상의 이미지를 획득할 수 있다. 표시 부(440)는 다양한 색상의 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지를 표시할 수 있다. 예를 들어, 표시 부(440)는 기판(10) 및 패턴(20)의 이미지를 약 256개의 색상으로 표시할 수 있다.
도 33은 도32의 카메라(49)를 통해 획득되는 실측 이미지(126)를 보여준다.
도 11 및 도 33을 참조하면, 실측 이미지(126)의 실측 기판 이미지(116)는 실측 패턴 이미지(130) 및 고스트 이미지(140)보다 밝게 표시될 수 있다. 실측 기판 이미지(116)는 실측 베어 영역에 대응될 수 있다. 이와 달리 실측기판 이미지(116)는 실측 패턴 이미지(130) 및 고스트 이미지(140)보다 어둡게 표시될 수 있다. 실측 패턴 이미지(130)의 실측 카운투어 라인(132)은 실측 내부 영역(134)보다 선명하지 않게 표시될 수 있다. 계측 부(410)는 패턴(20)의 그림자 없이 실측 이미지(126)를 검출하기 때문이다. 마찬가지로, 고스트 이미지(140)는 실측 내부 영역(134)보다 선명하지 않게 표시될 수 있다. 카운투어 고스트 이미지(142) 및 내부 고스트 이미지(144)는 실측 내부 영역(134)와 작은 인텐서티의 차이(contrast)를 가질 수 있다. 카운투어 고스트 이미지(142)는 실측 카운투어 라인(132)의 라운드진 모서리(136)에서 거의 표시되지 않을 수 있다. 제어 부(420)는 고스트 이미지(140)을 직접적으로 파악하지 못할 수 있다. 따라서, 제어 부(420)는 도 11의 패턴(20)을 검사하는 단계(S20)를 통해 패턴(20)의 불량을 판단할 수 있다. 패턴(20)을 검사하는 단계(S20)는 실측 이미지(126)를 획득하는 단계(S210), 제 1 내지 제 3 핫 스팟들을 확인하는 단계들(S220-S240), 및 제 1 내지 제 3 핫 스팟들의 확인을 종료하는지를 판단 단계(S250)를 포함할 수 있다.
도 12 내지 도 17을 참조하면, 제 1 핫 스팟(40a)을 확인하는 단계(S220)는 제 1 실측 단색 이미지(72) 및 제 1 타깃 단색 이미지(82)를 획득하는 단계(S222), 제 1 실측 단색 이미지(72)와 제 1 타깃 단색 이미지(82)를 오버랩하는 단계(S224), 제 1 핫 스팟(40a)를 검출하는 단계(S226), 및 제 1 핫 스팟(40a)을 기록하는 단계(S228)를 포함할 수 있다.
다시 도 12, 도 13, 및 도 33을 참조하면, 제 1 실측 단색 이미지(72)는 실측 이미지(126)의 인텐서티에 대한 미분에 의해 획득될 수 있다(S222). 실측 이미지(126)의 인텐서티의 차이가 있을 때, 제 1 실측 단색 이미지(72)는 0이 아닌 미분 값을 가질 수 있다. 제 1 실측 단색 이미지(72)는 제 1 실측 단색 베어 이미지(16a), 제 1 실측 카운투어 라인(32a), 및 제 1 핫 스팟(40a)을 포함할 수 있다. 제 1 실측 카운투어 라인(32a)은 실측 기판 이미지(116)와 실측 내부 영역(134)의 경계에 대응될 수 있다. 즉, 제 1 실측 카운투어 라인(32a)은 실측 카운투어 라인(132)에 대응될 수 있다. 제 1 실측 카운투어 라인(32a)은 실측 카운투어 라인(132)보다 선명하게 표시될 수 있다. 실측 내부 영역(134)은 제 1 실측 단색 이미지(72) 내에 표시되지 않기 때문일 수 있다. 제 1 타깃 단색 이미지(82)는 타깃 이미지(28)의 이진화에 의해 획득될 수 있다(S222).
도 12, 도 15, 및 도 16을 참조하면, 제 1 실측 단색 이미지(72)는 제 1 타깃 단색 이미지(82)에 오버랩될 수 있다(S224). 제 1 실측 단색 이미지(72)가 제 1 핫 스팟(40a)을 갖는지를 확인한다(S226).
도 34는 도 16의 제 1 핫 스팟(40a)이 표시되는 실측 이미지(126)를 보여준다.
도 12, 도 16 및 도 34를 참조하면, 제 1 실측 단색 이미지(72) 내에 제 1 핫 스팟(40a)이 존재하면, 제 1 핫 스팟(40a)은 실측 이미지(126)에 기록될 수 있다(S228). 제 1 실측 단색 이미지(72)는 실측 이미지(126)에 대응될 수 있다. 제 1 핫 스팟(40a)은 실측 이미지(126)의 고스트 이미지(140)에 표시될 수 있다. 이와 달리, 제 1 핫 스팟(40a)은 고스트 이미지(140)를 대신하여 실측 이미지(126)에 기록될 수 있다.
이와 달리, 제 1 핫 스팟(40a)이 제 1 실측 단색 이미지(72) 내에 존재하지 않는다면, 제어 부(420)는 패턴(20)이 정상적으로 형성된 것으로 판단할 수 있다.
도 18 내지 도 23을 참조하면, 제 2 핫 스팟(40b)를 검출하는 단계(S230)는 제 2 실측 단색 이미지(74) 및 제 2 타깃 단색 이미지(84)를 획득하는 단계(S232), 제 2 실측 단색 이미지(74) 및 제 2 타깃 단색 이미지(84)를 오버랩하는 단계(S234), 제 2 핫 스팟(40b)을 검출하는 단계(S236), 및 제 2 핫 스팟(40b)을 기록하는 단계(S238)를 포함할 수 있다.
제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 1 실측 단색 이미지(72)의 인텐서티의 미분에 의해 획득될 수 있다(S232). 제 2 타깃 단색 이미지(84)는 제 1 타깃 단색 이미지(82)의 확장(dilatation)에 의해 획득될 수 있다(S232).
도 18 및 도 21을 참조하면, 제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 2 타깃 단색 이미지(84)에 오버랩될 수 있다(S234).
그 다음 도 18 및 도 22를 참조하면, 제 2 실측 단색 이미지(74)는 제 2 핫 스팟(40b)을 갖는지 확인될 수 있다(S236)
도 35는 도 22의 제 2 핫 스팟(40b)이 표시된 실측 이미지(126)를 보여준다.
도 18, 도 22 및 도 35를 참조하면, 제 2 핫 스팟(40b)은 제 2 실측 단색 이미지(74) 내에 존재할 경우, 실측 이미지(126)에 기록될 수 있다(S238). 제 2 실측 단색 이미지(74)는 실측 이미지(126)에 대응될 수 있다 제 2 핫 스팟(40b)은 실측 이미지(126)의 고스트 이미지(140)에 표시될 수 있다. 제어 부(420)는 제 2 카운투어 핫 스팟(42b) 또는 제 2 내부 핫 스팟(44b)이 일정한 면적 이상으로 클 때, 패턴(20)의 불량이 발생된 것으로 판단할 수 있다(S30).
이와 달리, 제 2 핫 스팟(40b)이 제 2 실측 단색 이미지(74) 내에 존재하지 않는다면, 제어 부(420)는 패턴(20)이 정상적으로 형성된 것으로 판단할 수 있다.
도 24 내지 도 31을 참조하면, 제 3 핫 스팟(40c)을 검출하는 단계(S240)는 제 3 실측 단색 이미지(76) 및 제 3 타깃 단색 이미지(86)를 획득하는 단계(S242), 제 3 실측 단색 이미지(76) 및 제 3 타깃 단색 이미지(86)을 오버랩하는 단계(S244), 제 3 핫 스팟(40c)을 검출하는 단계(S246), 및 제 3 핫 스팟(40c)을 기록하는 단계(S248)를 포함할 수 있다. 제 3 실측 단색 이미지(76) 및 제 3 타깃 단색 이미지(86)를 획득하는 단계(S242)는 실측 중심 라인(60) 및 타깃 중심 라인(미도시)을 획득하는 단계(S241)와 실측 중심 라인(60)을 확장(dilatation)하는 단계(S243)를 포함할 수 있다.
도 24 내지 도 28을 참조하면, 실측 중심 라인(60)은 제 2 실측 카운투어 라인들(32b) 및 제 2 핫 스팟(40b) 각각의 중심에서 획득될 수 있다(S241). 실측 중심 라인(60)은 폭 방향 및 길이 방향으로 확장(dilatation)되어(S243) 제 3 실측 단색 이미지(76)으로 획득될 수 있다(S242). 제 3 타깃 단색 이미지(86)는 제 1 타깃 단색 이미지(82) 또는 제 2 타깃 단색 이미지(84)로부터 획득될 수 있다(S242).
도 24 및 도 29를 참조하면, 제 3 실측 단색 이미지(76)는 제 3 타깃 단색 이미지(86)에 오버랩 될 수 있다(S244).
도 24 및 도 30을 참조하면, 제 3 실측 단색 이미지(76)는 제 3 핫 스팟(40c)을 갖는지 확인될 수 있다(S246).
도 36은 도 30의 제 3 핫 스팟(40c)이 표시된 실측 이미지(126)를 보여준다.
도 24, 도 30, 및 도 36을 참조하면, 제 3 핫 스팟(40c)은 제 3 실측 단색 이미지(76) 내에 존재 할 경우, 실측 이미지(126)에 기록될 수 있다(S248). 제 3 실측 단색 이미지(76)는 실측 이미지(126)에 대응될 수 있다. 제 3 핫 스팟(40c)은 실측 이미지(126)의 고스트 이미지(140)에 표시될 수 있다. 제 3 카운투어 핫 스팟(42c)은 카운투어 고스트 이미지(142)보다 길게 표시될 수 있다. 제어 부(420)는 제 3 카운투어 핫 스팟(42c)가 일정한 길이 이상일 때, 패턴(20)의 불량이 발생된 것으로 판단할 수 있다(S30).
이와 달리, 제 3 핫 스팟(40c)이 제 3 실측 단색 이미지(76) 내에 존재하지 않는다면, 제어 부(420)는 패턴(20)이 정상적으로 형성된 것으로 판단할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 기판 상의 패턴에 대응되는 실측 이미지를 검출하는 단계;
    상기 패턴의 불량인 상기 실측 이미지의 고스트 이미지에 대응되는 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계; 및
    상기 제 1 핫 스팟 보다 넓은 면적을 갖는 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계는 상기 실측 이미지를 이진화하여 제 1 실측 카운투어 라인을 갖는 제 1 실측 단색 이미지를 획득하는 단계를 포함하되,
    상기 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계는 상기 제 1 실측 단색 이미지를 인텐서티로 미분하여 상기 제 1 실측 카운투어 라인의 내측 및 외측에 대응되는 복수개의 제 2 실측 카운투어 라인들을 갖는 제 2 실측 단색 패턴 이미지를 획득하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계는:
    상기 제 1 실측 단색 이미지를 제 1 타깃 단색 이미지에 오버랩하는 단계;
    상기 제 1 실측 단색 이미지가 상기 제 1 핫 스팟 없이 정상적인지를 판단하는 단계; 및
    상기 제 1 실측 단색 이미지가 상기 제 1 핫 스팟을 포함하고 있을 경우, 상기 제 1 핫 스팟을 상기 고스트 이미지에 기록하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 타깃 단색 이미지는 제 1 타깃 카운투어 라인을 포함하되,
    상기 제 1 실측 단색 이미지를 제 1 타깃 단색 이미지에 오버랩하는 단계는 상기 제 1 실측 카운투어 라인을 상기 제 1 타깃 카운투어 라인으로 블록킹하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계는:
    상기 제 2 실측 단색 이미지를 제 2 타깃 단색 이미지에 오버랩하는 단계;
    상기 제 2 실측 단색 이미지가 상기 제 2 핫 스팟 없이 정상적인지를 판단하는 단계; 및
    상기 제 2 실측 단색 이미지가 상기 제 2 핫 스팟을 포함하고 있을 경우, 상기 제 2 핫 스팟을 상기 고스트 이미지에 기록하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 타깃 단색 이미지는 제 2 타깃 카운투어 라인을 포함하되,
    상기 제 2 실측 단색 이미지를 제 2 타깃 단색 이미지에 오버랩하는 단계는 상기 제 2 실측 카운투어 라인들을 상기 제 2 타깃 카운투어 라인으로 블록킹하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 핫 스팟 보다 긴 길이를 갖는 제 3 핫 스팟을 검출하는 단계를 더 포함하는 패턴 검사 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 핫 스팟을 검출하는 단계는:
    상기 제 2 실측 카운투어 라인들 사이의 카운투어 중심 라인을 갖는 더미 실측 단색 이미지를 획득하는 단계;
    상기 카운투어 중심 라인을 확장하여 제 3 실측 카운투어 라인을 갖는 제 3 실측 단색 이미지를 획득하는 단계;
    상기 제 3 실측 단색 이미지를 제 3 타깃 단색 이미지에 오버랩하는 단계;
    상기 제 3 실측 단색 이미지가 상기 제 3 핫 스팟 없이 정상적인지를 판단하는 단계; 및
    상기 제 3 실측 단색 이미지가 상기 제 제 3 핫 스팟을 가질 경우, 상기 제 3 핫 스팟을 상기 고스트 이미지에 기록하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 3 타깃 단색 이미지는 제 3 타깃 카운투어 라인을 포함하되,
    상기 제 3 실측 단색 이미지를 제 3 타깃 단색 이미지에 오버랩하는 단계는 상기 제 3 실측 카운투어 라인을 상기 제 3 타깃 카운투어 라인으로 블록킹하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 핫 스팟을 검출하는 단계는 상기 실측 이미지를 인텐서티로 미분하여 제 1 실측 카운투어 라인을 갖는 제 1 실측 단색 이미지를 획득하는 단계를 포함하되,
    상기 제 2 핫 스팟을 검출하는 단계는 상기 제 1 실측 단색 이미지를 인텐서티로 다시 미분하여 상기 제 1 실측 카운투어 라인의 내측 및 외측에 대응되는 복수개의 제 2 실측 카운투어 라인들을 갖는 제 2 실측 단색 패턴 이미지를 획득하는 단계를 포함하는 패턴 검사 방법.
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