KR20160068917A - 지능형 액체를 사용한 포토레지스트 박리 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다중상 시스템에 기반한 신규한 세정제, 표면으로부터 포토레지스트를 제거하는 이의 용도 및 표면으로부터 포토레지스트를 제거하는 방법에 대하여 기재한다. 본 발명에 따른 다중상 시스템은 특히 표면으로부터 코팅, 포토레지스트 코팅, 폴리머막, 이물질막, 절연막 및 금속막을 제거하는데 사용된다.

Description

지능형 액체를 사용한 포토레지스트 박리 {Photoresist stripping using intelligent liquids}
본 발명은 다중상 시스템 (multiphase system)에 기반한 신규한 세정제, 표면으로부터 포토레지스트 코팅을 제거하는 이의 용도 및 표면으로부터 포토레지스트 코팅을 제거하는 방법에 대하여 기재한다.
본 발명에 따른 다중상 시스템은 특히 표면으로부터 코팅, 포토레지스트 코팅, 폴리머막, 이물질막 (dirt layer), 절연막 및 금속막을 제거하는데 사용된다.
실리콘 칩의 제조는 실리콘 단결정으로 만든 플레이트-크기인 실리콘 웨이퍼로부터 시작된다. 상기 웨이퍼는 대략 1mm 두께이다. 회로, 전선 및 전자 부품은 이 웨이퍼에 층상으로 구축된다. 상기 제조는 목적하는 특정 제품에 따라 수백 개의 공정 단계에서 발생하고, 일부 단계는 여러 번 반복된다.
웨이퍼의 실리콘 표면에 목적하는 구조를 적용하기 위하여, 처음에 표면을 증기로 산화시킨다. 산화막은 불소화학 (fluorochemistry)을 사용하여 화학적 반응에 의한 표면의 구조화를 가능하게 한다.
그 후에 포토레지스트를 적용한다. 상기 포토레지스트는 인쇄기법 (lithographic method)에 의해 마스크 (mask)를 통하여 전달된다. 포토레지스트는 미세 및 초미세 범위에서 구조를 생성하기 위한 마이크로전자 및 마이크로시스템 기술 및 프린트 배선판 제조에 사용된다. 화학적 용어에서, 이는 용매 및 감광성 성분을 포함하는 메틸 메타크릴레이트, 노볼락, 폴리메틸 글루타리미드 또는 에폭시 수지에 기반한 프리폴리머 또는 폴리머의 혼합물이다.
포토레지스트에는 두 가지 기본 유형이 있다:
● 현상 후, 조사된 영역 (illuminated area)이 남아 있도록, 조사 (illumination) 및 임의적으로 연차적인 열 안정화에 의하여 중합시키는 이른바 네거티브 레지스트가 있다. 마스크를 통하여 보호되는 비조사 영역은 용해성을 유지하며 용매 또는 알칼리 용액으로 제거된다. 상기 네거티브 포토레지스트는 미세 및 초미세 범위에서 극도로 작은 구조를 생성하는 마이크로시스템 기술에 주로 사용된다.
● 포지티브 레지스트에 있어서, 조사로 인하여 이미 중합된 코팅이 적합한 현상액에 대하여 다시 한번 부분적으로 용해 (해중합, depolymerizes)하게 된다. 노출된 장소에서 화학적 변형이 가능하지만, 포토레지스트의 나머지 부분은 변경되지 않아야 하는 실리콘 또는 실리콘 산화물 표면의 일부를 보호한다. 이렇게, 상기 실리콘 산화물은 플루오르화수소산 또는 CF4를 사용한 식각 단계를 통하여 제거되거나, 유리 실리콘 (free silicon)은 이온 충격 (ion bombardment)에 의해 도핑될 수 있다.
상기 상술한 코팅, 조사, 박리 및 식각 작업은 다른 마스크를 사용하여 종종 여러번 반복된다.
다음과 같이 습식 화학법의 적용 분야를 분류할 수 있다:
● 습식 식각 (Wet etching):
표면 전체 또는 부분적으로 도핑 및 도핑되지 않은 산화막의 제거를 의미한다.
● 웨이퍼 세정 (Wafer cleaning):
실리콘 표면의 입자, 유기 금속 물질 및 자연 산화막은 반드시 연속적으로 제거되어야 한다.
● 코팅 제거 (Coating removal):
코팅 하부 구조를 식각 공정에서 제거한 후 또는 주입 공정 동안 코팅이 마스크막 (masking layer)으로서 사용된 후에, 상기 코팅은 반드시 제거되어야 한다.
● 금속 리프트-오프 (Metal lift-off):
코팅 제거의 특별한 형태가 있는 것 외에, 코팅에 적용되는 금속막 또한 반드시 제거되어야 한다.
● 배면 처리 (Backside treatment):
오븐 공정 중에 웨이퍼 배면 상에 생성되는 막의 제거를 의미한다.
● 폴리머 제거 (Polymer removal):
플라즈마 식각 동안 발생되고 웨이퍼 디스크에서 회수되는 부산물의 제거를 의미한다.
따라서, 세정 작업은 마이크로칩 제조에 필수적이다. 그러나, 현재까지 앞서 상술한 세정의 유형의 전반적인 범위는 문제를 해결하는 접근법에서 언급되지 않았다.
가장 중요한 것은, 지속적으로 반복되는 세정 작업 중 하나가 포토레지스트의 제거라는 점이다. 포토레지스트는 마스크막으로서 사용된 후에 반드시 제거되어야 한다.
이는 종래 기술에서 두 가지 상이한 방법으로 이루어진다. 예를 들어 아세톤과 같은 인화성 용매의 도움으로 인한 코팅의 드라이 플라즈마 에싱 또는 습식 화학 박리가 있다. 그러나, 공정 안정성의 일부로서, 인화점 문제에 특히 고려하여, 아세톤과 같은 속도로 포토레지스트를 제거할 수 있는 투입 물질에 대한 조사가 계속 증가되고 있다. 용매의 인화점이 높을수록, 포토레지스트의 제거가 느려진다는 사실에 어려움이 있다. 또 다른 문제는 조금 가교된 포토레지스트만이 이 방법으로 제거될 수 있다는 것이다. 코팅의 용해도는 가교가 증가함에 따라 급격히 감소한다.
높게 가교되거나 구현된 포토레지스트 (도핑 후) 조차 용매를 박리 단계 또는 플라즈마 에싱에 의해 반드시 제거해야 한다는 점에서 어려움이 있다. 그러나, 플라즈마 에싱은 불완전한 레지스트 제거라는 유익하지 않은 결과를 야기한다. 즉, 에싱 후, 또한 이에 추가적으로, 습식 화학 세정 단계가 일반적으로 수행된다. 또한, 높은 온도에서 일어나는 에싱은 상이한 팽창 계수를 갖는 다른 재료로 만든 복잡한 구성 요소의 변형 (deformation), 열응력 (thermal stress) 등과 같은 물질 응력 (material stress)을 야기한다. 게다가, 라디칼 연소 부산물은 공격성 라디칼 (aggressive radical) 재결합 전에 기판 표면을 공격할 수 있다. 그 결과, 작은 구조의 파괴가 발생할 수 있다.
라디칼 생성을 위한 복잡한 공정 기술, 필요한 제어 공정 관리 및 재료의 처리 또한 높은 비용을 야기한다.
금속 리프트-오프 또한, 기판으로부터 막을 박리하는 것이 어렵다. 이 방법은 마이크로전자 부품, 센서 또는 레이저의 제조에서의 표준 공정 방법이다. 포토레지스트 코팅 이외에, 연속적인 금속막 또한 박리되어야 한다.
자동화 정도 (degree of automation)는 상대적으로 높다. 일반 기계는 시간당 80단위의 웨이퍼 처리량을 달성한다. 배치 (batch) 이외에도 단일 웨이퍼 공정이 있다. 또한, 이 둘의 조합이 있으며, 이는 시장에서 독점적이다. 스트리퍼는 가열 가능한 유역에서 목적하는 온도 (예를 들어, NMP 85℃)로 하게 된다. 포토레지스트는 지정된 체류 시간 (soaking time) (약 10 내지 30분) 동안 가용화, 용해 또는 박리된다. 후속 단계에서, 각각의 웨이퍼는 개별적으로 배쓰로부터 배출되고, 단일 웨이퍼 공정이 실시된다. 포토레지스트, 스트리퍼 및 금속막의 잔류물이 배출된다. 표면 순도는 예를 들어 IPA, 탈염수 등을 이용한 추가의 세척 단계 (rinsing step)에서 증가된다.
그러므로, 마이크로전자 분야 내에 세정 공정에서, 환경, 건강 및 기판을 더욱 보호하는 보다 효과적인 세정제에 대한 중대한 필요성이 있다.
이에 따라, 본 발명의 목적은 이러한 제제 및 이러한 제제의 용도, 예를 들어 표면으로부터 포토레지스트 코팅을 제거하기 위한 용도를 제공하는 것이다.
상기 제제는 매우 공격적이고, 따라서 중요한 세정제에 대한 대체품으로 사용되도록 의도된다. 생분해적, 독물학적 및 피부과적으로 허용 가능한 성분의 용도 또한 폐기 및 작업 보호 분야에서 비용 절감을 야기할 것이다. 안전 관련 양태에 더하여, 본 목적은 시간 및 절차에 관한 공정 최적화를 달성하기 위한 신규의 세정제에 대한 것이다. 따라서, 공정 단계, 예를 들어 플라즈마 에싱 후에 습식 단계를 생략할 수 있다는 점에서 유리하다.
하나의 액체가 물 또는 물과 유사한 물질이고, 또 다른 액체가 물에서 4g/L 미만의 용해도를 가지는 비수용성 물질인 두 가지의 비혼합 액체 (immiscible liquids)와 추가적으로 하나 이상의 계면활성제, 계면활성제와 연관있는 물질 이외의 양친매성 물질 (amphiphiles) 및 임의적으로 첨가제 및/또는 보조제를 포함하는 다중상 시스템에 의해 본 발명의 목적이 달성되고, 상기 다중상 시스템은 0보다 크고 200NTU보다 작거나 동일한 탁도값 (200NTU)을 가지는 것을 특징으로 한다.
네펠로베트릭 탁도 단위 (Nephelometric Turbidity Unit,NTU)는 액체의 탁도를 측정하기 위한 수처리 (water treatment)에서 사용되는 단위이다. 이는 보정된 탁도계로 측정되는 액체의 탁도 단위이다.
본 발명의 일 실시형태에 따라, 사용된 계면활성제는 비이온 (nonionic), 양이온 (cationic), 음이온 (anionic) 또는 양쪽성이온 (amphoteric) 계면활성제이다.
본 발명에 규정되어 있는 계면활성제는 액체의 표면 장력 또는 두 가지 상 사이의 계면 장력을 낮추고, 분산제/에멀젼 (dispersions/emulsions)의 형성을 가능 또는 용이하게 하거나, 가용화제로 작용하는 물질이다. 계면활성제의 작용하에서, 오일 및 물과 같이 실제로 서로 혼합되는 않는 두 가지의 액체가 잘 혼합 (분산)될 수 있다. 계면활성제는 전형적인 미쉘 (micelle) 구조를 형성한다. 즉, 일정 농도 이상에서 계면활성제는 상당히 크고 느슨한 구조를 형성하고, 이를 본 문맥에서는 "구조 형성 (structure-forming)"이라 나타낸다. 본 발명에 규정되어 있는 계면활성제는 지향 구조 (oriented structure)를 가지며, 여기서 일부는 일반적으로 발수성 탄소 잔기 (water-repellent carbon moiety)인 소수성으로 구성되고, 다른 일부는 분자의 내수성 (water-tolerant) 부분인 친수성으로 구성된다.
본 발명에 규정되어 있는 계면활성제의 예시로는 고급 알코올, 특히 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데탄올, 운데칸올 및 도데칸올의 n- 및 이소- 이성질체와 같은 친수성-친유성 분자 일부 또는 분자의 소수성 및/또는 친수성 부분 내에 이의 변형된 유도체를 갖는 고급 알코올을 포함하지만, 이들로 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 장쇄 지방산의 알칼리 또는 암모늄염, 알킬(벤젠) 설포네이트, 파라핀 설포네이트, 비스(2-에틸헥실)설포숙시네이트 및 알킬 설포네이트, 주로 소듐 도데실 설페이트를 음이온 계면활성제로 사용할 수 있고, 예를 들어, 부식 보호를 포함하는 특별하게 적용되는 부분에 있어서, 때때로 알킬 포스페이트 (예를 들어, Phospholan® PE 65, Akzo Nobel)가 사용될 수 있다.
폴리알킬렌 산화물-변성 지방 알코올, 예를 들어 Berol® 타입 (Akzo-Nobel) 및 Hoesch® T 타입 (Julius Hoesch), 알킬에톡실레이트, 특히 C9-C13 n-알킬-에톡실레이트 또는 C9-C19 i-알킬-에톡실레이트로부터 선택되며, 또한 옥틸 페놀 (트리톤 타입) 또는 노닐 페놀 (후자는 환경에 다량으로 공개되지 않음을 제공)에 상응하는 폴리알킬렌 산화불-변성 지방 알코올을 비이온 계면활성제로서 사용할 수 있다. 하나의 특별한 적용 분야에서, 헵타메틸트리실록산 (예를 들어, Silwet® 타입, GE Silicones)은 액체의 확산 특성을 크게 증가시키거나 계면 장력을 크게 감소시키기 위한 제제로 사용될 수 있다.
예를 들어, 코코 비스(2-하이드록시에틸)메틸암모늄 클로라이드 또는 폴리옥시에틸렌-변형 탈크 메틸암모늄 클로라이드를 양이온 계면활성제로 사용할 수 있다. 다양한 양쪽성이온 계면활성제의 사용 또한 가능하다. 만약 넓은 pH 범위가 보장된다면, 코코 디메틸 아민 산화물 (Aormox® MCD, Akzo-Nobel)이 적합한 것으로 입증된다.
본 발명에 따른 다중상 시스템에서 계면활성제는 다중상 시스템의 전체 무게를 기반으로 바람직하게는 2 내지 20중량%의 양을 함유한다.
본 발명에 따라, 비수용성 물질은 4g/L 미만, 바람직하게는 2g/L 미만의 물에서 용해도를 가진다. 상기 물질은 바람직하게 팽윤 및/또는 용해 특징을 가져야 한다. 예시로는 알칸 (가솔린) 및 사이클로알칸 (바람직하게는 사이클로헥산)을 포함한다. 방향족, 예컨데 톨루엔, 크실렌 또는 기타 알킬벤젠과 나프탈렌 또한 적합하다. 장쇄 알칸산 에스테르 예컨데, 지방유 및 지방산 메틸 에스테르 (바이오디젤)가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 오일, 예를 들어 에스테르, 숙신산 에스테르, 아디프산 에스테르, 글루타르산 에스테르뿐 아니라 디-n-아세틸에테르, 석유 에테르 및 p-멘탄이 있다. 본 발명에 따라, 벤질 아세테이트 또한 사용되는 비수용성 물질에 포함된다. 그러나, 테르펜, 예를 들어 사이클로헥산 백본을 갖는 모노사이클릭 모노테르펜 또한 사용될 수 있다. 감귤류의 과일로부터의 테르펜, 예컨데 스트러스 테르펜 및/또는 오렌지 테르펜 또는 여기에 함유된 리모넨이 특히 바람직하다. 비수용성 물질은 다중상 시스템에 1.5-30중량%의 양으로 함유되는 것이 바람직하다.
일 실시형태에 따라, 다중상 시스템은 이산화탄소, 특히 초임계 CO2의 형태를 가지지 않을 때 바람직하다.
일 실시형태에 따라, 하나 이상의 양친매성 물질은
a) 화학식 I의 디올:
R1R2COH-(CH2)n-COHR1R2 [화학식 I]
여기서
n은 0, 1, 2, 3 또는 4일 수 있고,
각각의 경우에서 R1 및 R2는 독립적으로 수소이거나, 비분지형 또는 분지형 Cl-C3 알킬이며, 이 때 n=0을 만족하고, R1은 수소일 수 없고, 디올은 2-메틸-2,4-펜탄디올이 아니거나;
1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 2,3-부탄디올, 2,4-펜탄디올 또는 2,5-디메틸-2,5-헥산디올로부터 선택된다.
b) 화학식 II의 아세토아세테이트:
C(R3)3-CO-CH2-CO-O-R4 [화학식 II]
여기서
각각의 경우에서 R3은 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C2 알킬이며, R4는 분지형이거나 비분지형 C1 내지 C4 알킬이거나;
화학식 III의 아세토아세테이트:
CH3-CO-CH2-CO-O-R5 [화학식 III]
여기서 R5는 C1 내지 C4 알킬이거나;
에틸 아세토아세테이트, 이소프로필 아세토아세테이트, 메틸 아세토아세테이트, n-부틸 아세토아세테이트, n-프로필 아세토아세테이트 또는 터트-부틸 아세토아세테이트로부터 선택된다.
c) 화학식 IV의 디온:
CH3-(CH2)p-CO-(CH2)q-CO-(CH2)r-CH3 [화학식 IV]
여기서
p, q, r은 독립적으로 0, 1 또는 2일 수 있으며, 이때 p, q 및 r의 총합은 2를 만족하고, 화학식 IV에 따른 화합물은 또한 사이클릭 (사이클로헥산디온)일 수 있거나;
2,3-부탄디온 (디아세틸), 2,4-펜탄디온 (아세틸아세톤), 3,4-헥산디온, 2,5-헥산디온, 2,3-펜탄디온, 2,3-헥산디온, 1,4-사이클로헥산디온 또는 1,3-사이클로헥산디온으로부터 선택된다.
d) 화학식 V의 에스테르
R6-CO-O-R7 [화학식 V]
여기서
R6은 R7, CH3 또는 COCH3에 결합하는 고리이며,
R7은 R6에 결합하는 (CH2)2-O- 고리 또는 R6에 결합하는 (CH2)2-O-(CH2)3-CH3, CH2-CH3 또는 CH2-CH(CH3)-O- 고리이거나;
(1-메톡시-2-프로필) 아세테이트, (2-부톡시에틸) 아세테이트, 에틸렌 카보네이트, 에틸 피루베이트 (2-옥소프로피온산 에틸 에스터) 또는 프로필렌 카보네이트로부터 선택된다.
e) 화학식 VI의 말레산 또는 푸마르산 아미드:
R8-HN-CO-C=C-CO-O-R9 [화학식 VI]
여기서
R8은 수소, 분지형이거나 비분지형인 Cl-C4 알킬 또는 분지형, 비분지형, 선형 또는 고리형 Cl-C6 알킬이며, 여기서 Cl-C6 알킬은 OH, NH2, COOH, CO, SO3H, OP(OH)2에서 선택되는 하나 이상의 기로 치환되며, R9는 수소 또는 분지형이거나 비분지형인 Cl-C4 알킬이거나;
N-메틸 말레아미드; N-에틸 말레아미드; N-(n-프로필) 말레아미드; N-(이소프로필) 말레아미드; N-(n-부틸) 말레아미드; N-(이소부틸 말레아미드); N-(터트-부틸 말레아미드) 푸마르산 아미드에 상응하는 말레산 아미드 및 메틸, 에틸, 프로필 및 이의 부틸 에스테르로부터 선택된다.
f) 2,2-디메톡시프로판, 피루브산 알데히드-1,1-디메틸아세탈, 디아세톤알코올 (2-메틸-2-펜탄올-4-온), 2-부탄올, 2-아세틸-감마-부틸로락톤, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 감마-부틸로락톤, 니코틴아미드, 아스코르브산, N-아세틸아미노산, 특히, N-아세틸글리신, -알라닌, -시스테인, -발린 또는 -아르기닌, 트리에틸 포스페이트, n-부틸 아세테이트, 디메틸설폭사이드 또는 2,2,2-트리플루오로에탄올로부터 선택된다.
양친매성 물질은 특히 바람직하게는 화학식 III의 아세토아세테이트로부터 선택된다:
CH3-CO-CH2-CO-O-R5 [화학식 III]
여기서
R5는 Cl 내지 C4 알킬이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 상술한 바와 같이, 표면으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 다중상 시스템의 용도에 관한 것이다. 상기 표면은 금속 표면, 바람직하게는 실리콘 웨이퍼이며, 칩 제조에서 알려진 바와 같다. 특히, 상기 표면은 비금속 표면, 바람직하게는 실리콘 또는 유리 웨이퍼 및/또는 이의 금속 표면, 바람직하게는 구리 또는 알루미늄이다. 상기 포토레지스트는 바람직하게는 가교된 포토레지스트이다. 포토레지스트에서 가교 가능한 군들에 기반하여, 가교도 (degree of crosslinking)는 바람직하게는 0.5%보다 크고, 더욱 바람직하게는 1%보다 크며, 더욱 더 바람직하게는 5%보다 크며, 더욱 더 바람직하게는 10%보다 크며, 가장 바람직하게는 25%보다 크다. 많은 경우에 금속막은 포토레지스트에 적용된다. 특히, 이는 높은 전도성 금속, 예를 들어 금을 포함한다.
본 발명에 따른 다중상 시스템의 사용에 의해, 포토레지스트에 더블어 금속막 역시 동시에 용이하게 박리된다. 금속막이 금속 표면, 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 직접적으로 접촉하는 부위에는 박리가 일어나지 않는다. 따라서, 금속막은 금속 표면에 남아있게 된다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 상술한 바와 같이 조성물이 사용되는 표면으로부터 포토(레지스트) 코팅을 제거하기 위한 방법에 관한 것이다.
상기 표면은 비금속 또는 금속 표면, 바람직하게는 실리콘 또는 유리 웨이퍼이며, 칩 제조에서 알려진 바와 같다. 상기 금속 표면은 구리 또는 알루미늄을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트는 바람직하게는 가교된 포토레지스트이다. 포토레지스트에서 가교 가능한 군들에 기반하여, 가교도는 바람직하게는 0.5%보다 크고, 더욱 바람직하게는 1%보다 크며, 더욱 더 바람직하게는 5%보다 크며, 더욱 더 바람직하게는 10%보다 크며, 가장 바람직하게는 25%보다 크다. 많은 경우에 금속막은 포토레지스트에 적용된다. 이는 높은 전도성 금속막, 예를 들어 금막을 포함한다.
본 발명에 따른 다중상 시스템의 사용에 의해, 포토레지스트에 추가적으로, 금속막 또한 동시에 용이하게 박리된다. 금속막이 금속 표면, 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 직접적으로 접촉하는 부위에는 박리가 일어나지 않는다. 따라서, 금속막은 금속 표면에 남아있게 된다.
상기 방법은 처리될 표면에 다중상 시스템을 적용하고, 30초 내지 5시간의 시간 동안 처리하도록 허용하여 수행된다. 이어서, 상기 다중상 시스템을 제거한다.
본 발명에 따른 제제의 세정 작용은 종종 도료층 및 금속막의 분열 (fragmentation) 및 기초 표면으로부터 이의 박리에 의해 수반되는 도료층 및 금속막의 침투 (infiltration)에 있으며, 여기서 종래 기술과 비교하여, 막의 화학적 분해가 전적으로 필요하지 않은 대신에 유리하게 방지될 수 있다. 또한, 물리적 용출 (physical dissolution)을 방지하거나 크게 방지할 수 있다. 이는 본 발명에 따른 다중상 시스템에 의해 가능하게 된다.
그러므로, 본 발명에 따른 다중상 시스템은 종래 알려진 매우 공격적이고, 따라서 중요한 세정제에 대한 대체품으로 적합하다. 생분해적, 독물학적 및 피부과적으로 허용 가능한 성분의 용도 또한 폐기 및 작업 보호 분야에서 비용 절감을 야기한다. 안전 관련 양태에 더하여, 시간 및 절차에 관한 공정 최적화는 신규의 세정제를 사용하여 달성될 수 있다. 공정 단계, 예를 들어 플라즈마 에싱 후에 습식 단계를 생략할 수 있다.
이하, 본 발명은 실시형태를 참조하여 설명되며, 이에 의해 보호의 범위가 제한되도록 해석되는 것은 아니다.
실시예 1:
Figure pct00001
실시예 2:
Figure pct00002
실시예 3:
Figure pct00003
모든 다중상 시스템은 0보다 크고 200NTU보다 작거나 동일한 범위 내에서 탁도값을 보인다.
상기 탁도값은 10 내지 95℃의 넓은 온도 범위에서 유지될 수 있다. 탁도값의 결정은 탁도계, 예를 들어, Hach 2100 탁도계로 매우 쉽게 수행될 수 있으며, 이는 통상의 지식을 가진 자에게 있어 자명하다.

Claims (20)

  1. 하나의 액체가 물 또는 물과 유사한 물질이고, 또 다른 액체가 물에서 4g/L 미만의 용해도를 가지는 비수용성 물질인 두 가지의 비혼합 액체 (immiscible liquids) 와 추가적으로 하나 이상의 계면활성제 및 임의적으로 첨가제 및/또는 보조제를 포함하는 다중상 시스템 (multiphase system)으로써, 상기 다중상 시스템이 0보다 크고 200NTU보다 작거나 동일한 탁도값을 가지는 것을 특징으로 하는 다중상 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    계면활성제는 양이온 (cationic), 음이온 (anionic), 비이온 (nonionic) 또는 양쪽성이온 (amphoteric) 계면활성제인 것을 특징으로 하는 다중상 시스템.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    비수용성 물질은 알칸, 사이클로알칸, 방향족, 장쇄 알칸산 에스테르, 디- 또는 트리카복실산의 에스테르, 테르펜 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다중상 시스템.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 양친매성 물질 (amphiphiles)이 추가로 다중상 시스템에 포함되는 것을 특징으로 하는 다중상 시스템.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 양친매성 물질이 아래의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다중상 시스템:
    a) 화학식 I의 디올:
    R1R2COH-(CH2)n-COHR1R2 [화학식 I]
    여기서
    n은 0, 1, 2, 3 또는 4일 수 있고,
    각각의 경우에서 R1 및 R2는 독립적으로 수소이거나, 비분지형 또는 분지형 Cl-C3 알킬이며, 이 때 n=0을 만족하고, R1은 수소일 수 없고, 디올은 2-메틸-2,4-펜탄디올이 아니거나;
    1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 2,3-부탄디올, 2,4-펜탄디올 또는 2,5-디메틸-2,5-헥산디올로부터 선택되며,
    b) 화학식 II의 아세토아세테이트:
    C(R3)3-CO-CH2-CO-O-R4 [화학식 II]
    여기서
    각각의 경우에서 R3은 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C2 알킬이며, R4는 분지형이거나 비분지형 C1 내지 C4 알킬이거나;
    화학식 III의 아세토아세테이트:
    CH3-CO-CH2-CO-O-R5 [화학식 III]
    여기서 R5는 C1 내지 C4 알킬이거나;
    에틸 아세토아세테이트, 이소프로필 아세토아세테이트, 메틸 아세토아세테이트, n-부틸 아세토아세테이트, n-프로필 아세토아세테이트 또는 터트-부틸 아세토아세테이트로부터 선택되며,
    c) 화학식 IV의 디온:
    CH3-(CH2)p-CO-(CH2)q-CO-(CH2)r-CH3 [화학식 IV]
    여기서
    p, q, r은 독립적으로 0, 1 또는 2일 수 있으며, 이때 p, q 및 r의 총합은 2를 만족하고, 화학식 IV에 따른 화합물은 또한 사이클릭 (사이클로헥산디온)일 수 있거나;
    2,3-부탄디온 (디아세틸), 2,4-펜탄디온 (아세틸아세톤), 3,4-헥산디온, 2,5-헥산디온, 2,3-펜탄디온, 2,3-헥산디온, 1,4-사이클로헥산디온 또는 1,3-사이클로헥산디온에서 선택되며,
    d) 화학식 V의 에스테르
    R6-CO-O-R7 [화학식 V]
    여기서
    R6은 R7, CH3 또는 COCH3에 결합하는 고리이며,
    R7은 R6에 결합하는 (CH2)2-O- 고리 또는 R6에 결합하는 (CH2)2-O-(CH2)3-CH3, CH2-CH3 또는 CH2-CH(CH3)-O- 고리이거나;
    (1-메톡시-2-프로필) 아세테이트, (2-부톡시에틸) 아세테이트, 에틸렌 카보네이트, 에틸 피루베이트 (2-옥소프로피온산 에틸 에스터) 또는 프로필렌 카보네이트로부터 선택되며,
    e) 화학식 VI의 말레산 또는 푸마르산 아미드:
    R8-HN-CO-C=C-CO-O-R9 [화학식 VI]
    여기서
    R8은 수소, 분지형이거나 비분지형인 Cl-C4 알킬 또는 분지형, 비분지형, 선형 또는 고리형 Cl-C6 알킬이며, 여기서 Cl-C6 알킬은 OH, NH2, COOH, CO, SO3H, OP(OH)2에서 선택되는 하나 이상의 기로 치환되며, R9는 수소 또는 분지형이거나 비분지형인 Cl-C4 알킬이거나;
    N-메틸 말레아미드; N-에틸 말레아미드; N-(n-프로필) 말레아미드; N-(이소프로필) 말레아미드; N-(n-부틸) 말레아미드; N-(이소부틸 말레아미드); N-(터트-부틸 말레아미드) 푸마르산 아미드에 상응하는 말레산 아미드 및 메틸, 에틸, 프로필 및 이의 부틸 에스테르로부터 선택되며,
    f) 산 및 암모늄염 및 이의 아민염 및 이의 아미드, 특히 신남산 및 신남산염으로부터 선택되며,
    g) 2,2-디메톡시프로판, 피루브산 알데히드-1,1-디메틸아세탈, 디아세톤알코올 (2-메틸-2-펜탄올-4-온), 2-부탄올, 2-아세틸-감마-부틸로락톤, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 감마-부틸로락톤, 니코틴아미드, 아스코르브산, N-아세틸아미노산, 특히, N-아세틸글리신, -알라닌, -시스테인, -발린 또는 -아르기닌, 트리에틸 포스페이트, n-부틸 아세테이트, 디메틸설폭사이드 또는 2,2,2-트리플루오로에탄올.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    양친매성 물질은 화학식 III의 아세토아세테이트로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다중상 시스템:
    CH3-CO-CH2-CO-O-R5 [화학식 III]
    여기서
    R5는 Cl 내지 C4 알킬이다.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 다중상 시스템에 있어서,
    표면으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 다중상 시스템의 용도.
  8. 제 7항에 있어서,
    표면이 비금속 표면, 바람직하게는 실리콘 또는 유리 웨이퍼 및/또는 이의 금속 표면, 바람직하게는 구리 또는 알루미늄인 용도.
  9. 제 7항 또는 제 8항에 있어서,
    포토레지스트는 가교된 포토레지스트인 용도.
  10. 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    금속막이 포토레지스트에 적용되는 용도.
  11. 제 10항에 있어서,
    포토레지스트상에 존재하는 금속막을 다중상 시스템을 사용하여 박리 (stripped)시키는 용도.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    금속막이 금속 표면에 남아 있는 용도.
  13. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 조성물에 있어서,
    표면으로부터 포토레지스트 코팅을 제거하는 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    표면은 금속 표면이고, 바람직하게는 실리콘 웨이퍼인 방법.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    포토레지스트는 가교된 포토레지스트인 방법.
  16. 제 13항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    금속막이 포토레지스트에 적용되는 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    포토레지스트상에 존재하는 금속막을 다중상 시스템을 사용하여 박리시키는 방법.
  18. 제 16항 또는 제 17항에 있어서,
    금속막이 금속 표면에 남아 있는 방법.
  19. 제 13항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리될 표면에 다중상 시스템을 적용하고, 30초 내지 5시간의 시간 동안 처리하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    다중상 시스템을 제거하는 방법.
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