KR20160037830A - 내부 상태 추정 시스템 및 그 추정 방법 - Google Patents

Abstract

복수의 축전지를 포함하는 축전 시스템의 내부 상태를 축전 시스템의 충전율로서 추정하는 방법 및 그 방법을 이용한 내부 상태 추정 시스템에 관한 것이다. 전압 측정부(3)는 축전 시스템부(2)를 구성하는 모두 축전지(1)의 전압을 측정한다. 시스템 셀 전압 결정부(5)는 전압 측정부(3)에서 계측한 복수의 축전지(1)에 있어서의 전압값에 기초하여, 축전 시스템부(2)의 SOC값의 추정의 기초로 되는 시스템 셀 전압을 결정한다. 시스템 셀 전압 결정부(5)는 미리 산출한 상기 축전 시스템부(2)의 SOC값에 따라서 상기 전압값에 가중을 가하여 시스템 셀 전압으로 한다. 시스템 SOC 추정부(6)는 축전지(1)에 흐르는 전류와 시스템 셀 전압에 기초하여 축전 시스템부(2)의 SOC값의 추정을 행한다.

Description

내부 상태 추정 시스템 및 그 추정 방법{INTERNAL CONDITION ESTIMATING SYSTEM AND ESTIMATING METHOD}

본 발명의 실시 형태는, 복수의 축전지를 포함하는 축전 시스템의 내부 상태를 축전 시스템의 충전율로서 추정하는 방법 및 그 방법을 이용한 내부 상태 추정 시스템에 관한 것이다.

일반적으로, 축전지의 내부 상태 추정 방법에 있어서는, 축전지의 충전율( SOC: State of Charge)의 추정이 목적이 된다. SOC값을 추정하는 방법으로서는, 전류가 흐르지 않고 있을 때의 전압인 개회로 전압(OCV: Open Circuit Voltage)과 SOC의 관계를 기준으로 하여, 충방전 전류의 적산값을 합산함으로써 SOC를 추정하는 방법이 있다.

그러나, 풍력 발전의 출력 변동 억제 용도와 같이 항상 충방전이 행해지는 경우에는 OCV를 취득할 수 없고, 장시간 충방전이 계속되면 미소한 전류 적산 오차가 누적되어버린다. 따라서, 언젠가는 그 오차를 리셋시키기 위하여 의도적으로 충방전을 정지시켜서 OCV를 취득해야 한다. 이 문제에 대응 가능한 방법으로서 칼만 필터를 이용한 SOC 추정 방법이라고 하는 것이 있다.

일본 특허 공개 제2012-63244호 공보

칼만 필터를 이용한 SOC 추정 방법에 있어서는, 축전지에 접속된 각 검출기에 의해 검출된 전류 실측값과 전압 실측값을 계측하고, 그 계측값으로부터 칼만 필터를 사용하여 저항과 콘덴서를 포함하는 배터리 등가 회로 모델을 제작한다. 그리고 이 배터리 등가 회로 모델에 기초하여 OCV를 추정하고, OCV 추정값과 축전지의 SOC의 관계 데이터에 기초하여 SOC를 산출한다. 하나 전의 샘플링 시에 얻은 OCV 추정값으로부터 구한 콘덴서 용량을 순서대로 사용함으로써 정밀도가 높은 SOC를 얻을 수 있다.

그러나, 상술한 축전지의 내부 상태 추정 방법에서는, 축전지가 단체인 경우에는 SOC를 추정하는 것이 가능하지만, 복수의 축전지가 다병렬 다직렬로 접속된 축전 시스템의 SOC(이하, 시스템 SOC) 추정에 적용하는 경우에는, 어느 축전지의 전압을 추정에 사용하면 좋을지 분명하지 않다.

또한, 모든 축전지의 SOC를 추정하여 그 평균값을 시스템 SOC로 하는 방법도 생각할 수 있지만, 대규모 축전 시스템에 대해서는 수많은 축전지 하나하나에 대하여 연산을 행해야 하여, 계산량이 증대될 가능성이 있다.

본 발명의 실시 형태는, 상술한 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 복수의 축전값을 포함하는 축전 시스템의 내부 SOC를 효율적으로 추정하는 것이며, 축전 시스템을 구성하는 축전지의 전압값에 가중을 가함으로써 시스템 셀 전압으로 하고, 그 시스템 셀 전압에 기초하여 축전 시스템의 시스템 SOC를 추정한다. 이에 의해, 연산량을 억제한 내부 상태 추정 시스템 및 그 추정 방법을 제공한다.

본 발명의 실시 형태에 있어서의 내부 상태 추정 시스템은, 상기 목적을 달성하기 위해서, 이하의 구성을 갖는 것을 특징으로 한다.

(1) 복수의 상기 축전지에 있어서의 전압을 측정하는 전압 측정부를 구비한다.

(2) 복수의 상기 축전지에 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정부를 구비한다.

(3) 상기 전압 측정부에서 계측한 복수의 축전지에 있어서의 전압값에 기초하여, 축전 시스템부의 SOC의 추정의 기초로 되는 시스템 셀 전압을 결정하는 시스템 셀 전압 결정부를 구비한다.

(4) 상기 축전지에 흐르는 전류와 시스템 셀 전압에 기초하여 상기 축전 시스템부의 SOC의 추정을 행하는 시스템 SOC 추정부를 구비한다.

(5) 상기 시스템 셀 전압 결정부는, 미리 산출한 상기 축전 시스템부의 SOC에 따라서 상기 전압값에 가중을 가하여 시스템 셀 전압으로 한다.

또한, 복수의 축전지를 포함하는 축전 시스템부의 SOC의 추정을 행하는 내부 상태 추정 방법도 본 실시 형태의 일 형태이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 내부 상태 추정 시스템의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 내부 상태 추정 시스템의 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 축전 시스템부의 시스템 SOC와 시스템 셀 전압의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 축전 시스템부의 시스템 SOC와 시스템 셀 전압의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 축전 시스템부의 시스템 SOC와 시스템 셀 전압의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 6은 종래의 축전 시스템부의 시스템 SOC와 축전 시스템부의 최저 전압과 최고 전압의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 내부 상태 추정 시스템의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 내부 상태 추정 시스템의 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 내부 상태 추정 시스템의 구성을 도시하는 블록도이다.

[1. 제1 실시 형태]

이하에는, 본 발명의 제1 실시 형태인 내부 상태 추정 시스템을 도 1 내지 도 4를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태의 내부 상태 추정 시스템은, 복수의 축전지를 포함하는 축전 시스템부의 시스템 SOC의 추정을 행한다. 내부 상태 추정 시스템은, 축전 시스템부에 있어서의 시스템 SOC의 추정을 행함으로써, 축전 시스템부의 내부 상태의 추정을 행한다. 시스템 SOC의 추정 시에는, 축전 시스템부를 구성하는 축전지의 모든 전압값을 측정하고, 그 중에서 어느 하나의 전압값을 선택하고, 선택한 전압값에 대하여 가중을 가하여 시스템 셀 전압으로 한다. 시스템 SOC를 추정하는 때에는, 이 시스템 셀 전압에 기초하여 추정을 행한다.

[1. 구성]

도 1은, 본 실시 형태의 내부 상태 추정 시스템의 개략을 도시하는 구성도이다. 본 실시 형태의 내부 상태 추정 시스템은, 복수의 축전지(1)를 포함하는 축전 시스템부(2)에 접속된다. 내부 상태 추정 시스템에서는, 축전 시스템부(2)를 구성하는 각각의 축전지(1)의 전압을 측정하고, 그 전압에 대하여 가중을 가하여 시스템 셀 전압을 결정한다. 이 결정한 시스템 셀 전압과, 각 축전지에 흐르는 전류에 기초하여 축전 시스템의 시스템 SOC를 추정한다. 내부 상태 추정 시스템은, 시스템 SOC를 추정하기 위하여 전압 측정부(3), 전류 측정부(4), 시스템 셀 전압 결정부(5), 시스템 SOC 추정부(6)를 구비한다.

추정 대상으로 되는 축전 시스템부(2)는 복수의 축전지(1)가 전기적으로 접속되고, 정격 용량 및 정격 출력을 단독의 축전지(1)보다 크게 한 것이다. 축전지(1)는 소위 이차 전지이며, 충방전을 반복하여 행하는 것이 가능한 전지이다. 축전 시스템부(2)에 있어서의 축전지(1)의 접속 방법으로서는, 복수의 축전지(1)를 직렬로 접속한 다직렬, 복수의 축전지(1)를 병렬로 접속한 다병렬 또는 축전지(1)를 다직렬로 한 복수의 그룹을 병렬로 접속한 다병렬 다직렬을 채용할 수 있다.

전압 측정부(3)에서는, 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)의 전압을 행한다. 전압 측정부(3)에서는, 임의의 방법에 의해 전압 V의 측정을 행한다. 예를 들어, 측정 대상으로 되는 축전지(1)는 축전 시스템부(2)가 m개의 축전지(1)를 포함하는 경우에는, 전압값 V1 내지 m이 측정되고, 측정된 개개의 축전지(1)의 전압값 V1 내지 m은, 시스템 셀 전압 결정부(5)에 대하여 출력된다.

전류 측정부(4)는 축전 시스템부(2) 내의 개개 축전지(1)에 흐르는 개개의 전류 측정을 행한다. 개개의 축전지(1)에 흐르는 전류의 측정 방법으로서는, 임의의 방법을 사용한다. 전류 측정부(4)로 측정된 개개의 축전지(1)의 전류 정보는, 시스템 SOC 추정부(6)에 대하여 출력된다.

시스템 셀 전압 결정부(5)는 전압 측정부(3)로부터 보내지는 축전지(1)의 전압값 V1 내지 m을 사용하여 축전 시스템부(2)의 시스템 셀 전압 Vsys를 결정한다. 시스템 셀 전압 Vsys란, 축전 시스템부(2)의 SOC의 추정에 사용하는 전압이다.

시스템 셀 전압 결정부(5)는 축전지(1)의 전압값 V1 내지 m 중 어느 하나의 값을 선택하고, 미리 산출한 축전 시스템부(2)의 시스템 SOC에 따라서 가중을 가하여 시스템 셀 전압 Vsys로 한다. 축전지(1)의 전압값 V1 내지 m 중에서 선택하는 어느 하나의 값은, 전압값 V1 내지 m에 있어서의 최대의 전압값(이하, 최대 전압 Vmax)과, 최소의 전압값(이하, 최소 전압 Vmin)으로 한다.

시스템 셀 전압 결정부(5)는 시스템 셀 전압 Vsys를 결정하기 위하여 전압값 기억부(51), 전압값 선택부(52), 결정 조건 기억부(53)를 구비한다.

전압값 기억부(51)는 전압 측정부(3)로부터 보내지는 축전지(1)의 전압값 V1 내지 m을 기억한다. 기억하는 전압값 V1 내지 m은, 시간마다의 축전 시스템부(2)의 모든 축전지(1)이며, 예를 들어, 시간 t1에 있어서의 전압값 Vt1 내지 Vtm을 기억한다.

전압값 선택부(52)는 시스템 셀 전압 Vsys를 결정할 때에 사용하는 전압값의 선택을 행한다. 시스템 셀 전압 Vsys의 결정 시에, 최대 전압 Vmax와, 최소 전압 Vmin을 사용하는 경우에는, 전압값 선택부(52)는 전압값 기억부(51)에 기억된 어떤 시간에 있어서의 전압값 중에서 최대 전압 Vmax와, 최소 전압 Vmin을 선택한다. 예를 들어, 전압값 기억부(51)에 시간 t1에 있어서의 전압값 Vt1 내지 Vtm이 기억된 경우에, 전압값 Vt1 내지 Vtm 중에서 최대가 되는 전압값을 최대 전압 Vmax로 하고, 최소가 되는 전압값을 최소 전압 Vmin으로 한다.

결정 조건 기억부(53)는 선택한 전압값에 대한 가중을 가할 때의 조건을 기억한다. 이 가중으로서는, 축전 시스템부(2)의 시스템 SOC가 고영역이면 최대 전압 Vmax가 지배적이 되고, 시스템 SOC가 저영역이면 최소 전압 Vmin이 지배적이 되는 조건이 바람직하다. 예를 들어, 최대 전압을 Vmax, 최소 전압을 Vmin이라 하면, 시스템 셀 전압 Vsys는 이하의 수학식 1에 의해 결정되는 경우, 결정 조건 기억부(53)는 이 수학식 1을 기억한다.

결정 조건 기억부(53)에 기억하는 가중의 조건은, 설치하는 축전 시스템부(2)의 구성이나 설치 장소 등에 대응하여 변경하는 경우도 있다. 그로 인해, 결정 조건 기억부(53)에 시스템 셀 전압 Vsys를 결정하기 위한 조건을 복수 기억해 둘 수도 있고, 예를 들어 이하의 조건을 기억해 둘 수도 있다. 결정 조건 기억부(53)에 기억하는 가중의 패턴은 이하와 같다.

(1) 패턴 1: 충방전하는 SOC 영역이 저SOC 영역인 경우에는 최소 전압을 지배적으로 채용하고, 고SOC 영역인 경우에는 최대 전압을 지배적으로 채용한다.

이 패턴에서는, 미리 산출한 시스템 SOC에 따라서 최소 전압값 및 최대 전압값에 대하여 가중을 행한다. 이 경우에는, Vsys는, 이하의 식으로 나타낼 수 있다.

(2) 패턴 2: 충방전하는 SOC 영역이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 A 이상인 경우에는 최대 전압을 채용한다.

이 패턴에서는, 미리 산출한 축전 시스템부(2)의 시스템 SOC값에 따라, 시스템 셀 전압 Vsys로서 채용하는 전압값을 최소 전압값으로부터 최대 전압값으로 또는 최대 전압값으로부터 최소 전압값으로 전환한다. 즉, SOC값이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 A 이상인 경우에는 최대 전압을 채용한다. 이 경우, Vsys는, 이하의 식으로 나타낼 수 있다.

상기 수학식 3에 있는 바와 같이, 역치 A는 0％ 내지 100％의 범위에서 자유롭게 설정할 수 있다. 단, 축전 시스템부(2)의 충방전 시에 있어서는, SOC가 축전 시스템부(2)의 충전말이나 방전말의 근방의 0 부근 또는 100 부근에서는, 축전지 전압의 증가 또는 감소가 심해진다. 한편, 충전말이나 방전말 이외에는, 축전지 전압의 증가 또는 감소는 비교적 완만해진다. 축전지 전압의 증가 또는 감소가 심해지면, 각 축전 시스템부(2) 내의 축전지(1)끼리에서 전압값의 격차가 커지기 때문에, 그 값을 기초로 산출되는 시스템 셀 전압 Vsys의 값도 크게 변화한다. 그로 인해, 역치 A를 그 축전지 전압의 증가 또는 감소가 비교적 완만한 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 3 내지 6에 있어서는, 20％ 내지 80％의 범위이다. 이 범위는 어디까지나 예시이며, 축전지(1)의 종류에 따라서는, 축전지 전압의 증가 또는 감소가 비교적 완만한 범위가 30％ 내지 60％로 되는 것도 있는데, 그 경우에는, 축전 시스템부(2)에 사용하는 축전지(1)의 종류에 따라 역치 A의 설정을 행하는 것이 바람직하다.

(3) 패턴 3: 충방전하는 SOC 영역이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 B 이상인 경우에는 최대 전압을 채용하고, 그 사이의 영역은 평균 전압을 채용한다.

이 패턴에서는, 축전 시스템부(2)의 SOC에 따라서 채용하는 전압 정보값을 3가지로 전환한다. 즉, 시스템 셀 전압 Vsys로서, 축전 시스템부(2)의 SOC가 최솟값 부근이면 최소 전압값을 채용하고, 축전 시스템부(2)의 SOC가 중앙 부근이면 평균 전압값을 채용하고, 축전 시스템부(2)의 SOC가 최댓값 부근이면 최대 전압값을 채용한다. 이 경우, Vsys는, 이하의 식으로 나타낼 수 있다.

상기 수학식 4에 있는 바와 같이, 역치 A는 역치 B보다 작은 값이라면, 0％ 내지 100％의 범위에서 자유롭게 설정할 수 있다. 산출되는 시스템 셀 전압 Vsys의 값의 변화를 적게 하기 위해서, 패턴 1과 마찬가지로 역치 A 및 역치 B는, 축전지 전압의 증가 또는 감소가 비교적 완만한 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 역치 A와 역치 B의 간격은, 일정 간격을 두고 설정되는 것이 바람직하다.

이상과 같은 패턴 1 내지 3 중 어느 하나의 방법에 의해 결정된 시스템 셀 전압 Vsys는, 시스템 셀 전압 결정부(5)와 접속하는 시스템 SOC 추정부(6)에 대하여 전송된다.

시스템 SOC 추정부(6)는 입력하는 시스템 셀 전압 Vsys와, 전류 측정부(4)로 측정된 개개의 축전지(1)의 전류값에 기초하여, 축전 시스템부(2)에 있어서의 SOC의 추정을 행한다. 축전 시스템부(2)에 있어서의 SOC의 추정은, 축전지(1)가 다병렬 다직렬인 경우, 1직렬에 흐르는 전류값으로부터 1직렬분의 SOC를 산출하고, 각 직렬의 SOC의 평균값을 축전 시스템부(2)에 있어서의 SOC로 한다. 이것뿐만 아니라, 다병렬에 흐르는 전류의 평균값을 사용하여 축전 시스템부(2)에 있어서의 SOC의 추정을 채용해도 된다.

여기서 추정되는 시스템 SOC는, 축전 시스템부(2)의 내부 상태를 나타내는 값이 된다. 이 시스템 SOC 추정부(6)에 있어서의 시스템 SOC의 추정 방법은, 임의의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, (특허문헌 1)과 같이, 저항과 콘덴서를 포함하는 배터리 등가 회로 모델을 이용하거나, OCV와 SOC의 관계 데이터에 기초하여 SOC를 산출하는 것처럼, 축전지의 특성 데이터를 사용하여 SOC를 산출한다.

[1-2. 작용]

이상과 같은 구성을 갖는 도 1의 내부 상태 추정 시스템의 동작의 개략은 다음과 같다. 도 2는, 내부 상태 추정 시스템에 있어서의 축전 시스템부(2)의 내부 상태의 추정 시의 공정을 도시하는 흐름도이다.

내부 상태의 추정이 개시되면, 가상의 시스템 SOC의 산출을 행한다(S101).

본 실시 형태에서는, 시스템 SOC의 추정에, 미리 산출된 시스템 SOC가 필요하다. 이미 시스템 SOC의 추정이 행하여져 있으면, 추정한 시스템 SOC를 사용하는 것이 가능하지만, 시스템의 가동 개시 시점에서는, 시스템 SOC를 추정하고 있지 않다. 따라서, 다른 방법을 사용하여, 내부 상태의 추정 개시 시점에 있어서의 시스템 SOC를 산출한다.

내부 상태의 추정 개시 시점에 있어서의 시스템 SOC의 산출 방법은, 기지의 방법을 사용하여 행할 수 있다. 예를 들어, 상기 축전 시스템부(2)에 있어서의 개회로 전압과 SOC값의 관계에 기초하여 추정한 SOC를 사용해도 된다.

이어서, 내부 상태 추정 시스템은, 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)의 전압값 정보를 취득한다(S102). 소득한 전압 정보는, 축전지(1)의 전압값으로서 시스템 셀 전압 결정부(5) 내의 전압값 기억부(51)에 보내진다. 전압값 기억부(51)에서는 시간마다의 각 축전지(1)의 전압값으로서 기억한다. 또한, 내부 상태 추정 시스템은, 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)에 흐르는 전류 정보를 취득한다(S103). 소득한 전류 정보는, 축전지(1)의 전류값으로서 시스템 SOC 추정부(6)에 보내진다.

그리고, 시스템 셀 전압 결정부(5)에서는, 미리 산출한 상기 축전 시스템부(2)의 SOC에 따라, 전압값 기억부(51)에 기억한 전압값에 가중을 가한다. 그 때에 가중을 가하는 전압으로서, 시간마다의 각 축전지(1)의 전압값 중에서 최대 전압값과 최소 전압값을 선택한다(S104). 또한, 시스템 셀 전압 결정부(5)에서는, 선택한 전압값에 대한 가중의 조건에 기초하여, 최대 전압값과 최소 전압값에 대하여 가중을 가함으로써, 시스템 셀 전압 Vsys를 결정한다(S105).

그 후, 결정한 시스템 셀 전압 Vsys와, 축전 시스템부(2)에 흐르는 전류값에 기초하여 축전 시스템부(2)에 있어서의 시스템 SOC의 추정을 행한다(S106).

내부 상태의 추정을 계속할 경우에는(S107의 "아니오")에는, S106에서 추정한 시스템 SOC에 기초하여, 전압값 기억부(51)에 기억한 전압값에 가중을 가함으로써 시스템 셀 전압 Vsys를 결정하고, 그 시스템 셀 전압 Vsys와 축전 시스템부(2)에 흐르는 전류 정보에 기초하여 축전 시스템부(2)에 있어서의 시스템 SOC의 추정을 행한다. 이 S104 내지 S106을 반복하여, 추정 종료(S107의 "예")까지 시스템 SOC를 연속적으로 추정한다.

본 실시 형태에서는, 이상과 같은 공정을 거침으로써, 축전 시스템의 시스템 SOC의 추정을 가능하게 한다. 또한, 시스템 셀 전압 Vsys의 결정에는, 패턴마다 가중의 조건을 변경하는 것이 가능하다. 이하에서는, 가중의 조건의 차이에 따른 시스템 셀 전압 결정부(5)의 동작에 대하여 설명한다.

(패턴 1의 경우)

결정 조건 기억부(53)에 기억되는 패턴 1의 가중 조건에서는, 미리 산출한 시스템 SOC에 따라서 최소 전압값 및 최대 전압값에 대하여 가중을 행함으로써, 축전 시스템부(2)의 SOC가 저SOC 영역에 있다고 추정되는 경우에는 상기 최소 전압에 대한 가중을 크게 하고, 축전 시스템부(2)의 SOC가 고SOC 영역에 있다고 추정되는 경우에는 상기 최대 전압에 대한 가중을 크게 한다.

도 3은, 패턴 1의 가중 조건에 기초하여 결정한 시스템 셀 전압 Vsys를 도시하는 그래프이다. 도 3 중에서, 시스템 SOC가 0인 경우에는, 시스템 셀 전압 Vsys는 최소 전압 Vmin과 일치한다. 이때, 최소 전압 Vmin은, 방전 시종 전압과 일치한다.

이 상태로부터 시스템 SOC를 크게 하면, 최소 전압 Vmin에 대한 가중이 작아지는 한편, 최대 전압 Vmax에 대한 가중이 커진다. 예를 들어, 시스템 SOC가 20[％]가 된 경우에는, 시스템 셀 전압 Vsys는, 이하의 식으로 표시된다.

즉, 시스템 SOC=20[％]의 경우의 시스템 셀 전압 Vsys는, 최대 전압 Vmax에는 20％의 가중이 이루어지고, 최소 전압 Vmin에 대해서는 80[％]의 가중이 이루어진다. 도 3의 시스템 SOC가 20[％]인 경우에는, 시스템 셀 전압 Vsys를 나타내는 선은 최소 전압 Vmin에 가까운 위치에 위치한다.

또한, 시스템 SOC가 20[％]보다 높아짐에 따라, 시스템 셀 전압 Vsys는 최소 전압 Vmin측으로부터 벗어나서, 최대 전압 Vmax측으로 시프트한다. 시스템 SOC가 70[％]가 되면, 최대 전압 Vmax에는 70[％]의 가중이 이루어지고, 최소 전압 Vmin에 대해서는 30[％]의 가중이 이루어진다. 도 3의 시스템 SOC가 70[％]인 경우에는, 시스템 셀 전압 Vsys를 나타내는 선은, 최대 전압 Vmax에 가까운 위치에 위치한다.

그리고, 시스템 SOC가 100이 되면 최대 전압 Vmax에는 100[％]의 가중이 이루어지고, 시스템 셀 전압 Vsys는, 최대 전압 Vmax와 일치한다. 이때, 최대 전압 Vmax는 충전 종지 전압과 일치한다.

이와 같이 수학식 2에 나타내는 가중의 조건에 의해, 축전 시스템부(2)의 SOC가 저SOC 영역에 있다고 추정되는 경우에는 상기 최소 전압에 대한 가중을 크게 하고, 축전 시스템부(2)의 SOC가 고SOC 영역에 있다고 추정되는 경우에는 상기 최대 전압에 대한 가중을 크게 한다.

(패턴 2의 경우)

결정 조건 기억부(53)에 기억되는 패턴 2의 가중 조건에서는, 충방전하는 SOC 영역이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 A 이상인 경우에는 최대 전압을 채용한다.

도 4는, 역치 A를 35[％]로 한 경우의 패턴 2의 가중 조건에 기초하여 결정한 시스템 셀 전압 Vsys를 도시하는 그래프이다. 도 4 중에서, 시스템 SOC가 0인 경우에는, 시스템 셀 전압 Vsys는 최소 전압 Vmin과 일치한다. 이때, 최소 전압 Vmin은 방전 시종 전압과 일치한다.

시스템 SOC를 0[％]로부터 증가시키면, 그에 수반하여 최소 전압 Vmin도 증가한다. 또한, 역치 A 미만에서는 시스템 셀 전압 Vsys는 최소 전압 Vmin과 일치하기 때문에, 최소 전압 Vmin이 증가하면 시스템 셀 전압 Vsys도 증가한다.

또한, 시스템 SOC가 증가하여 역치인 SOC=35[％]를 초과하면, 시스템 셀 전압 Vsys는 최대 전압 Vmax와 일치한다. 도 4 중에 있어서, 시스템 셀 전압 Vsys를 나타내는 선은, 역치인 SOC=35[％] 미만에서는 최소 전압 Vmin과 일치하고, SOC=35[％]에서는 최대 전압 Vmax와 일치하고 있다.

그리고, 시스템 SOC가 100이어도, 시스템 셀 전압 Vsys는 최대 전압 Vmax와 일치한다. 이때, 최대 전압 Vmax는 충전 종지 전압과 일치한다.

(패턴 3의 경우)

결정 조건 기억부(53)에 기억되는 패턴 3의 가중 조건에서는, 충방전하는 SOC 영역이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 B 이상인 경우에는 최대 전압을 채용하고, 그 사이의 영역은 평균 전압을 채용한다.

도 5는, 역치 A를 35[％], 역치 B를 70[％]로 한 경우의 패턴 3의 가중 조건에 기초하여 결정한 시스템 셀 전압 Vsys를 도시하는 그래프이다. 도 5 중에서, 시스템 SOC가 0인 경우에는, 시스템 셀 전압 Vsys는 최소 전압 Vmin과 일치한다. 이때, 최소 전압 Vmin은, 방전 시종 전압과 일치한다.

시스템 SOC를 0[％]로부터 증가시키면, 그에 수반하는 최소 전압 Vmin도 증가한다. 또한, 역치 A 미만에서는 시스템 셀 전압 Vsys는 최소 전압 Vmin과 일치하기 때문에, 최소 전압 Vmin이 증가하면 시스템 셀 전압 Vsys도 증가한다.

또한, 시스템 SOC가 증가하여 역치인 SOC=35[％]를 초과하면, 시스템 셀 전압 Vsys는, 최대 전압 Vmax와 최소 전압 Vmin의 평균 전압으로 한다. 그리고, 시스템 SOC가 증가하여 역치인 SOC=70[％]를 초과하면, 시스템 셀 전압 Vsys는 최대 전압 Vmax와 일치한다. 도 5 중에 있어서, 시스템 셀 전압 Vsys를 나타내는 선은, 역치인 SOC=35[％] 미만에서는 최소 전압 Vmin과 일치하고, SOC=35[％] 이상 또한 SOC=70[％] 미만에서는 평균 전압과 일치하고, SOC=70[％] 이상에서는 최대 전압 Vmax와 일치한다.

그리고, 시스템 SOC가 100이어도, 시스템 셀 전압 Vsys는 최대 전압 Vmax와 일치한다. 이때, 최대 전압 Vmax는 충전 종지 전압과 일치한다.

[1-3. 효과]

이상과 같은 구성 및 작용을 갖는 본 실시 형태에 따르면, 이하와 같은 효과를 발휘한다.

(1) 일반적으로 축전지에는 자기 방전이 있고, 그 양은 개개의 축전지에 따라 상이하기 때문에, 축전 시스템을 구성하는 축전지(1)의 전압에는 편차가 발생하고, 최대 전압과 최소 전압을 취득할 수 있다. 어느 한쪽을 사용하여 추정한 SOC를 시스템 SOC로 하는 방법은 있지만, 그 경우이면 방전말 또는 충전말에 추정 오차가 커질 가능성이 있다.

예를 들어, 도 6을 사용하여 설명하면 최대 전압을 추정에 사용하는 경우, 충전말 근방의 거동은 최대 전압이 먼저 충전 종지 전압에 도달하므로 문제 없지만, 방전말 근방에서의 거동은 최소 전압이 먼저 방전 종지 전압에 도착한다. 축전 시스템은 과방전을 피하기 위하여 시스템 SOC를 0[％]로 하는 것이 일반적이지만, 최대 전압은 아직 방전 종지 전압에 달하고 있지 않기 때문에 갭이 발생한다.

그 최대 전압을 사용하면 추정되는 시스템 SOC는 보다 오차를 포함하는 것이 생각된다. 한편, 최소 전압을 추정에 사용하는 경우도 마찬가지로 갭은 발생해버린다. 또한, 모든 축전지(1)의 SOC를 추정하여 그 평균값을 시스템 SOC로 하는 방법도 생각할 수 있지만, 대규모 축전 시스템에 대해서는 수많은 축전지(1) 하나하나에 대하여 연산을 행해야 하여, 계산량이 증대될 가능성이 있다.

본 실시 형태에서는, 미리 산출한 상기 축전 시스템부(2)의 시스템 SOC값에 따라서 계측한 축전 시스템부(2)의 축전지(1)의 전압값에 가중을 가하여 시스템 셀 전압 Vsys로 한다. 가중에 의해 방전말 근방에서는 최소 전압을 지배적으로 사용하고, 충전말 근방에서는 최대 전압을 지배적으로 사용하는 시스템 셀 전압 Vsys를 결정한다. 이에 의해, 축전 시스템의 상태에 의거한 전압값을 시스템 SOC의 추정에 사용하는 것이 가능하게 됨과 함께, 과방전이나 과충전을 방지할 수 있다.

(2) 또한, 축전 시스템의 시스템 SOC 추정에 있어서는, 축전지(1)의 수가 방대하기 때문에, 어느 축전지(1)의 전압을 추정에 사용하면 좋을지가 과제였다. 본 실시 형태에서는, 축전 시스템의 시스템 SOC 추정에는 시스템 셀 전압 Vsys를 사용한다. 이 시스템 셀 전압 Vsys는, 축전 시스템을 구성하는 축전지(1)의 전압값의 최대 전압과, 최소 전압에 대하여 가중을 함으로써 구해지는 것이다. 그로 인해, 복수의 데이터로부터 최댓값과 최솟값을 선택하는 작업과, 선택한 최대 전압값과 최소 전압값의 2개의 데이터로부터 시스템 셀 전압 Vsys를 산출하는 것이 가능하고, 적은 연산량으로 시스템 SOC의 추정을 행하는 것이 가능해진다.

(3) 또한, 본 실시 형태에서는, 복수의 가중의 조건을 사용하여 시스템 셀 전압 Vsys를 결정할 수 있다. 그로 인해, 축전 시스템부(2)의 구성이나, 배치 장소 등에 따라 최적의 가중의 선택을 행함으로써, 더 정밀도가 높은 시스템 SOC의 추정을 행할 수 있다.

(4) 가중의 조건으로서, 축전 시스템부(2)의 충방전이 저SOC 영역에서 행해지는 경우에는 상기 최소 전압에 대한 가중을 크게 하고, 충방전이 고SOC 영역에서 행해지는 경우에는 상기 최대 전압에 대한 가중을 크게 한다. 그로 인해, 산출되는 시스템 셀 전압 Vsys는 연속한 값이 된다. 이에 의해 추정되는 시스템 SOC의 값도 연속한 값으로 할 수 있다.

(5) 가중의 조건으로서, 충방전하는 SOC 영역이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 A 이상인 경우에는 최대 전압을 채용한다. 1개의 역치 A로 최소 전압과 최대 전압을 전환하여 시스템 셀 전압 Vsys로 함으로써, 계산량을 억제할 수 있어, 간편한 시스템에 있어서도, 시스템 SOC를 고정밀도로 추정하는 것이 가능해진다.

(6) 가중의 조건으로서, 충방전하는 SOC 영역이 역치 A 미만인 경우에는 최소 전압을 채용하고, 역치 B 이상인 경우에는 최대 전압을 채용하고, 그 사이의 영역은 평균 전압을 채용한다. 최소 전압과 최대 전압과 그들의 평균 전압을 2개의 역치로 전환함으로써 (5)의 효과 외에, 전환 시의 시스템 셀 전압 Vsys의 변화를 작게 억제하는 것이 가능해진다.

[2. 제2 실시 형태]

[2-1. 구성]

내부 상태 추정 시스템의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태에서는, 시스템 SOC를 추정할 때에 축전 시스템의 온도에 입각한 시스템 셀 온도 Tsys를 채용함으로써, 보다 정확한 시스템 SOC의 추정을 행하는 것이다. 또한, 제1 실시 형태와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.

도 7은, 본 실시 형태에 따른 내부 상태 추정 시스템의 구성을 도시하는 블록도이다. 본 실시 형태의 내부 상태 추정 시스템은, 상기 실시 형태의 구성 외에 온도 측정부(7)와, 시스템 셀 온도 결정부(8)를 구비한다.

온도 측정부(7)는 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)의 온도를 측정한다. 온도 측정부(7)는 임의의 방법에 의해 축전지(1)의 온도 측정을 행한다. 예를 들어, 측정 대상으로 되는 축전지(1)는 축전 시스템부(2)가 m개의 축전지(1)를 포함하는 경우에는, 온도 T1 내지 m이 측정되고, 측정된 개개의 축전지(1)의 온도 T1 내지 m은, 시스템 셀 온도 결정부(8)에 대하여 출력된다.

시스템 셀 온도 결정부(8)는 온도 측정부(7)로부터 보내지는 축전지(1)의 온도 T1 내지 m을 사용하여 축전 시스템부(2)의 시스템 셀 온도 Tsys를 결정한다. 시스템 셀 온도 Tsys란, 축전 시스템부(2)의 SOC값의 추정에 사용하는 온도이다.

시스템 셀 온도 결정부(8)는 최저 온도 또는 평균 온도를 시스템 셀 온도 Tsys로서 결정한다. 시스템 셀 온도 결정부(8)는 온도 기억부(81), 온도 선택부(82)를 구비한다.

온도 기억부(51)는 온도 측정부(7)로부터 보내지는 축전지(1)의 온도값 T1 내지 m을 기억한다. 기억하는 온도 T1 내지 m은, 시간마다의 축전 시스템부(2)의 모든 축전지(1)의 온도이며, 예를 들어, 시간 t1에 있어서의 온도값 Tt1 내지 Ttm을 기억한다.

온도 선택부(82)는 시스템 셀 온도 Tsys로서 채용하는 온도에 따라서 온도 기억부(51)에 기억된 온도값 Tt1 내지 Ttm 중에서 최저 온도 Tmin 또는 평균 Tave를 선택한다.

[2-2. 작용]

이상과 같은 구성을 갖는 도 7의 내부 상태 추정 시스템의 동작의 개략은 다음과 같다. 도 8은, 내부 상태 추정 시스템에 있어서의 축전 시스템부(2)의 내부 상태의 추정 시의 공정을 도시하는 흐름도이다.

상기 실시 형태와 마찬가지로 내부 상태의 추정이 개시되면, 가상의 시스템 SOC의 산출을 행하고, 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)의 전압값 및 전류값을 계측하는(S201 내지 S203) 점은 마찬가지이다. 내부 상태 추정 시스템은, 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)의 온도를 취득한다(S204). 그리고, 조건에 따른 시스템 셀 온도 Tsys를 결정한다(S205). 결정한 시스템 셀 온도 Tsys는, 축전지(1)의 온도로서 시스템 SOC 추정부(6)에 보내진다.

그리고, 시스템 셀 전압 결정부(5)에서는, 가중을 가하는 전압으로서 최대 전압값과 최소 전압값을 선택하고, 최대 전압값과 최소 전압값에 대하여 가중을 가함으로써, 시스템 셀 전압 Vsys를 결정한다(S206 내지 S207).

그 후, 시스템 셀 전압 Vsys와, 시스템 셀 온도 Tsys 및 축전 시스템부(2)에 흐르는 전류값에 기초하여 축전 시스템부(2)에 있어서의 시스템 SOC의 추정을 행한다(S208).

내부 상태의 추정을 계속하는 경우(S209의 "아니오")에는, S208에서 추정한 시스템 SOC에 기초하여, 전압값 기억부(51)에 기억한 전압값에 가중을 가함으로써 시스템 셀 전압 Vsys를 결정하고, 그 시스템 셀 전압 Vsys와 시스템 셀 온도 Tsys와 축전 시스템부(2)에 흐르는 전류 정보에 기초하여 축전 시스템부(2)에 있어서의 시스템 SOC의 추정을 행한다. 이 S206 내지 S209를 반복하고, 추정 종료(S209의 "예")까지 시스템 SOC를 연속적으로 추정한다.

[2-3. 효과]

이상과 같은 구성 및 작용을 갖는 본 실시 형태에 따르면, 이하와 같은 효과를 발휘한다.

(1) 시스템 SOC 추정부(6)에 의한 시스템 SOC의 추정에서는, 일반적으로 축전지의 특성은 온도에도 의존하기 때문에, 폭넓은 환경 온도 영역에서 사용되는 축전지에 있어서 온도의 영향을 고려하는 것은 필수적이다. 예로서, 배터리 등가 회로 모델을 구성하고 있는 저항에 대하여 말하면, 온도가 높을수록 축전지의 화학 반응이 빨라지기 때문에 저항값은 작아지고, 반대로, 온도가 낮으면 저항값은 커진다.

본 실시 형태에 따르면, 축전 시스템부(2)의 온도의 변화에 따라서 시스템 셀 온도 Tsys도 변화한다. 그로 인해, 시스템 SOC 추정부(6)에 의한 시스템 SOC의 추정에 있어서, 저항을 온도의 함수로 하는 등 하여 온도 의존성을 갖게 함으로써, 온도 변화에 대응한 시스템 SOC 추정을 위하여 채용할 수 있다.

(2) 또한, 축전 시스템부(2)는 복수의 축전지(1)를 포함하고 있다. 그로 인해, 축전 시스템에 대한 축전지의 위치나 냉각 장치의 위치 등에 따라 개개의 축전지 온도는 편차를 가지면, 최고 온도, 최저 온도, 평균 온도를 취득할 수 있다.

고온의 축전지와 저온의 축전지를 동일한 SOC로부터 일정 전류로 방전하는 경우, 저온의 축전지쪽이 전압 강하는 현저하게 드러나기 때문에, 먼저 방전말에 도달해버린다. 즉, 최저 온도를 시스템 셀 온도 Tsys로서 채용함으로써 방전 가능한 최저한의 SOC를 제시하는 것이 가능해진다.

또한, 최고 온도나 최저 온도 또는 임의의 축전지의 온도를 시스템 셀 온도 Tsys로 할 경우에 열전대의 고장 등의 이유로 그들의 온도가 이상치(異常値)를 나타내는 경우, 그 값을 사용하여 SOC를 산출해야 하기 때문에, 결과적으로, 산출된 SOC는 큰 오차를 수반하게 된다. 평균 온도를 시스템 셀 온도 Tsys로서 채용하는 경우에는, 온도의 이상치에 의한 영향을 억제할 수 있어, 안정적이고 고정밀도의 SOC 추정을 행하는 것이 가능해진다.

최저 온도 또는 평균 온도를 시스템 셀 온도 Tsys로서 채용함으로써, 축전지(1)의 온도는 편차를 가진 경우에 있어서도, 고정밀도로 시스템 SOC를 추정하는 것이 가능해진다.

(3) 온도 측정부(7)는 축전 시스템부(2)를 구성하는 모든 축전지(1)의 온도를 측정으로 했지만, 모든 축전지에 온도 계측 수단을 설치하여, 직접 축전지의 온도를 측정할 필요는 없다. 예를 들어, 축전 시스템부(2)의 축전지(1)가 배치되는 장소를 복수의 블록으로 분할하고, 그 블록의 온도를 측정함으로써 간접적으로 축전지(1)의 온도를 측정해도 된다.

[3. 제3 실시 형태]

[3-1. 구성]

내부 상태 추정 시스템의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 제3 실시 형태에서는, 축전 시스템의 전류 측정 방법을 상기 각 실시 형태로부터 변경한 것이다. 또한, 상기 각 실시 형태와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.

도 9는, 본 실시 형태에 따른 내부 상태 추정 시스템의 구성을 도시하는 블록도이다. 본 실시 형태의 내부 상태 추정 시스템은, 축전 시스템의 입출력단에 1개의 전류 계측부(4)인 전류 센서(4)를 설치한다.

[3-2. 작용·효과]

이상과 같은 구성을 갖는 본 실시 형태의 내부 상태 추정 시스템에서는, 축전 시스템의 입출력단의 전류를 측정하고, 계측한 전류를 기초로 축전 시스템 내의 축전지(1)에 흐르는 전류를 산출하고 있다. 즉, 축전 시스템부(2)에 있어서의 축전지(1)가 다병렬 다직렬로 접속되는 경우에는, 계측한 전류값을 병렬수로 제산함으로써 각 축전지(1)에 흐르는 전류값을 산출하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 각 실시 형태의 효과 외에, 전류 센서 점수 저감, 데이터 통신의 번잡함 저감, 연산용 CPU의 연산량 저감 등이 가능해진다.

또한, 복수의 축전지 시스템을 다수 병렬로 접속하고, 대용량의 축전지 시스템으로서 이용하는 것도 생각된다. 이 경우, 각각의 축전지 시스템에 설치된 전류 측정부(4)로부터의 전류 정보에 기초하여, 축전지 시스템을 구성하는 모든 축전지(1)에 흐르는 전류값을 산출하면, 대용량의 축전지 시스템을 구성하는 축전지 시스템 수의 전류 측정부(4)가 필요하게 된다. 축전지(1)에 흐르는 전류값의 산출을 전류 측정부(4)에서 행하지 않고, 다른 장소에 설치되는 제어 장치 등으로 행하는 경우에는, 전류 측정부(4)부터 제어 장치에 대하여 전송하기 위하여 필요한 배선이나, 전송하는 전류값의 양이 많아진다.

이러한 대용량의 축전지 시스템에 대해서도, 본 실시 형태를 적용함으로써 전류 센서 점수 저감, 데이터 통신의 번잡함 저감, 연산용 CPU의 연산량 저감을 도모하는 것이 가능해진다. 즉, 본 실시 형태에서는, 축전 시스템의 입출력단에 전류 계측부를 설치했지만, 대용량의 축전지 시스템의 입출력단에 전류 계측부를 설치함으로써, 상술한 바와 같이 문제를 해결하는 것이 가능해진다.

[4. 다른 실시 형태]

본 명세서에 있어서는, 본 발명에 따른 복수의 실시 형태를 설명했지만, 이들 실시 형태는 예로서 제시한 것으로서, 발명의 범위를 한정하는 것을 의도하고 있지 않다. 구체적으로는, 발명의 범위를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략이나 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되는 것과 마찬가지로, 청구범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함되는 것이다.

예를 들어, 각 실시 형태에 있어서 전압 측정부(3)에서는, 축전 시스템부(2) 내의 모든 전압값을 측정했지만, 전압값의 데이터에 어느 축전지(1)의 전압인가를 나타내는 정보를 부가시켜 둘 수도 있다. 이에 의해, 시스템 셀 전압 결정부(5)에서 시스템 셀 전압 Vsys를 결정할 때에 채용한 최대 전압 또는 최소 전압을 나타내는 축전지(1)가 어느 위치에 배치되어 있는지를 알 수 있다. 그리고, 그 배치 장소의 온도를 고려하여 시스템 SOC를 산출함으로써, 보다 고정밀도의 SOC를 제시하는 것이 가능하다.

1: 축전지
2: 축전 시스템부
3: 전압 측정부
4: 전류 측정부
5: 시스템 셀 전압 결정부
51: 전압값 기억부
52: 전압값 선택부
53: 결정 조건 기억부
6: 시스템 SOC 추정부
7: 온도 계측부
8: 시스템 셀 온도 결정부
81: 온도 기억부
82: 온도 선택부

Claims (11)

1. 복수의 축전지를 포함하는 축전 시스템부의 시스템 SOC의 추정을 행하는 내부 상태 추정 시스템에 있어서,
   복수의 상기 축전지에 있어서의 전압을 측정하는 전압 측정부와,
   복수의 상기 축전지에 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정부와,
   상기 전압 측정부에서 계측한 복수의 축전지에 있어서의 전압값에 기초하여, 축전 시스템부의 SOC의 추정의 기초로 되는 시스템 셀 전압을 결정하는 시스템 셀 전압 결정부와,
   상기 축전지에 흐르는 전류와 시스템 셀 전압에 기초하여 상기 축전 시스템부의 SOC의 추정을 행하는 시스템 SOC 추정부
   를 구비하고,
   상기 시스템 셀 전압 결정부는, 미리 산출한 상기 축전 시스템부의 SOC에 따라서 상기 전압값에 가중을 가하여 시스템 셀 전압으로 하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 시스템 셀 전압 결정부는,
   전압 측정부에서 측정한 복수의 축전지의 시간마다의 전압값을 기억하는 전압값 기억부와,
   전압값 기억부에 기억한 전압값 중에서 최대 전압값과 최소 전압값을 선택하는 전압값 선택부와,
   상기 최대 전압값과 상기 최소 전압값에 가하는 가중의 조건을 기억하는 결정 조건 기억부
   를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
3. 제2항에 있어서, 상기 결정 조건 기억부는,
   상기 축전 시스템부의 충방전이 저SOC 영역에서 행해지는 경우에는 상기 최소 전압에 대한 가중을 크게 하고,
   충방전이 고SOC 영역에서 행해지는 경우에는 상기 최대 전압에 대한 가중을 크게 하는 가중 조건을 기억하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
4. 제2항에 있어서, 상기 결정 조건 기억부는,
   상기 축전 시스템부의 SOC에 있어서의 제1 역치를 기억하고,
   상기 축전 시스템부의 SOC가 상기 제1 역치 미만인 경우에는 상기 최소 전압이 시스템 셀 전압이 되고, 상기 축전 시스템부의 SOC값이 상기 제1 역치 이상인 경우에는 상기 최대 전압이 시스템 셀 전압이 되는 가중의 조건을 기억하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
5. 제2항에 있어서, 상기 결정 조건 기억부는,
   상기 축전 시스템부의 SOC에 있어서의 제1 및 제2 역치를 기억하고,
   상기 축전 시스템부의 SOC가 상기 제1 역치 미만인 경우에는 상기 최소 전압을 시스템 셀 전압으로 하고,
   상기 축전 시스템부의 SOC가 상기 제1 역치 이상, 또한 제2 역치 미만인 경우에는 복수의 축전지에 있어서의 전압값의 평균값인 평균 전압을 시스템 셀 전압으로 하고,
   상기 축전 시스템부의 SOC가 상기 제2 역치 이상인 경우에는 상기 최대 전압을 시스템 셀 전압으로 하는 가중의 조건을 기억하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제1 역치 및/또는 제2 역치는, 상기 축전 시스템부의 충방전 곡선에 있어서의 기울기가 완만한 영역에 설정되는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 상기 축전지의 온도를 측정하는 온도 측정부와,
   축전 시스템부의 SOC의 추정의 기초로 되는 시스템 셀 온도를 결정하는 시스템 셀 온도 결정부
   를 더 구비하고,
   상기 시스템 SOC 추정부는, 상기 축전지에 흐르는 전류, 시스템 셀 전압 및 시스템 셀 온도에 기초하여 상기 축전 시스템부의 SOC의 추정을 행하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류 측정부는, 상기 축전 시스템부의 1군데에 설치되고,
   설치 장소에서 계측되는 전류값에 기초하여, 상기 전류 측정부를 구성하는 상기 축전지에 흐르는 전류값을 산출하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 미리 산출한 상기 축전 시스템부의 SOC로서, 시스템 SOC 추정부에서 추정한 상기 축전 시스템부의 SOC를 사용하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 미리 산출한 상기 축전 시스템부의 SOC로서, 상기 축전 시스템부에 있어서의 개회로 전압과 SOC의 관계에 기초하여 추정한 SOC를 사용하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 시스템.
11. 복수의 축전지를 포함하는 축전 시스템부의 SOC의 추정을 행하는 내부 상태 추정 방법에 있어서,
    복수의 상기 축전지에 있어서의 전압을 측정하는 전압 측정 공정과,
    복수의 상기 축전지에 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정 공정과,
    계측한 복수의 축전지에 있어서의 전압값에 기초하여, 축전 시스템부의 SOC의 추정의 기초로 되는 시스템 셀 전압을 결정하는 시스템 셀 전압 결정 공정과,
    상기 축전지에 흐르는 전류와 시스템 셀 전압에 기초하여 상기 축전 시스템부의 SOC의 추정을 행하는 시스템 SOC 추정 공정
    을 포함하고,
    상기 시스템 셀 전압 결정 공정에서는, 미리 산출한 상기 축전 시스템부의 SOC에 따라서 상기 전압값에 가중을 가하여 시스템 셀 전압으로 하는 것을 특징으로 하는 내부 상태 추정 방법.

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