KR20160037789A - 패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치 - Google Patents

패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치 Download PDF

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Abstract

패키지 및 발광 장치를 얇게 또한 간이하게 제조하는 제조 방법 및 박형의 패키지 및 발광 장치를 제공한다.
패키지의 제조 방법은, 패키지의 형성 예정 영역에, 제1 전극(10)과, 제1 전극(10)과는 상이한 제2 전극(20)을 갖는 리드 프레임(5)을 준비하는 공정과, 제1 전극(10)과 제2 전극(20)을 상하로 분할된 몰드 금형의 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워넣는 공정과, 제1 전극(10)과 제2 전극(20)이 끼워넣어진 몰드 금형 내에, 그 몰드 금형의 패키지의 형성 예정 영역의 외측이며 제1 전극(10) 옆에 형성되는 주입구로부터 제1 수지를 주입하는 공정과, 주입된 제1 수지를 경화 또는 고화하는 공정과, 제1 수지를 경화 또는 고화한 후, 제1 전극(10)의 옆으로부터 제1 수지의 주입구의 주입 흔적(155)을 절제하는 공정을 갖는다.

Description

패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치{MANUFACTURING METHOD OF PACKAGE, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING APPARATUS, PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS}
본 발명은 패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치에 관한 것이다.
종래, 리드 프레임을 구비한 패키지는, 이면측으로부터 열가소성 수지를 주입하여 제조되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 및 2 참조). 그리고, 수지를 경화한 후, 리드 프레임을 절곡하여 발광 장치를 형성하고 있다.
또한, 성형 금형의 하나의 리드 프레임 마다의 캐비티 내에 수지를 유입하여 경화시켜, 각 리드 프레임과 일체로 수지 성형체를 성형함으로써 패키지가 형성되는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조). 또한, 특허문헌 3에 기재된 패키지의 제조 방법에서는, 리드 프레임은, 성형 금형에 설치하기 전에 미리 절곡되어 있다.
일본 특허 공개 제2010-186896호 공보 일본 특허 공개 제2013-051296호 공보 일본 특허 공개 제2013-077813호 공보
특허문헌 1이나 2에 기재된 발광 장치에 있어서는, 리드 프레임의 이면측으로부터 수지를 주입하기 위해서, 패키지의 두께가 두꺼워져 있었다. 또한, 그러한 패키지를 사용한 발광 장치의 두께도 두꺼워져 있었다. 또한, 종래의 발광 장치에서는, 패키지의 리드 프레임을 절곡하는 등의 가공을 행하는 수고가 들었다.
따라서, 본 발명에 따른 실시 형태는, 패키지 및 발광 장치를 얇게 또한 간이하게 제조하는 제조 방법 및 박형의 패키지 및 발광 장치를 제공한다.
본 개시의 실시 형태에 따른 패키지의 제조 방법은, 패키지의 형성 예정 영역에, 제1 전극과, 상기 제1 전극과는 상이한 제2 전극을 갖는 리드 프레임을 준비하는 공정과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상하로 분할된 몰드 금형의 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워넣는 공정과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 끼워넣어진 상기 몰드 금형 내에, 그 몰드 금형의 패키지의 형성 예정 영역의 외측이며 상기 제1 전극 옆에 형성되는 주입구로부터 제1 수지를 주입하는 공정과, 상기 주입된 제1 수지를 경화 또는 고화하는 공정과, 상기 제1 수지를 경화 또는 고화한 후, 상기 제1 전극의 옆으로부터 상기 제1 수지의 주입구의 주입 흔적을 절제하는 공정을 갖는다.
또한, 본 개시의 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 상기 패키지의 제조 방법에 있어서의 전체 공정과, 상기 제1 수지를 경화 또는 고화한 후로서 상기 주입 흔적을 절제하는 공정 전 또는 후 중 어느 하나의 타이밍에, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 발광 소자를 실장하는 공정을 갖는다.
본 개시의 실시 형태에 따른 패키지는, 제1 전극과, 상기 제1 전극과 극성이 상이한 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 고정함과 함께 바닥면의 적어도 일부가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로 구성되는 바닥이 있는 오목부의 측벽을 구성하는 벽부와, 평면에서 보아 상기 벽부로부터 외측으로 돌출된 플랜지부를 구비하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 한쪽이, 평면에서 보아 상기 벽부로부터 외측으로 돌출된 아우터 리드부를 갖고, 상기 아우터 리드부가 선단에 제2 오목부를 갖고, 상기 플랜지부가, 평면에서 보아 상기 아우터 리드부의 양 옆에 상기 아우터 리드부와 동일한 두께로 설치되고, 상기 제2 오목부에는 상기 플랜지부가 설치되어 있지 않다.
본 개시의 실시 형태에 따른 발광 장치는, 상기 패키지와, 상기 패키지의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 한쪽에 적재된 발광 소자를 갖는다.
본 개시의 실시 형태에 따른 패키지 및 발광 장치의 제조 방법은, 수지의 주입구를 수지의 경화 또는 고화 후에 불필요하게 되는 위치에 설치하고 있으므로 수지를 주입하여 경화 또는 고화시킨 후에 절제함으로써 간이하게 박형의 패키지 및 발광 장치를 제조할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시 형태에 따른 패키지 및 발광 장치는, 종래보다도 박형으로 할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 전체를 도시하는 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 상면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 도 2의 III-III 단면 화살표도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 바닥면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 리드 프레임의 평면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 도 5의 VI-VI 단면 화살표도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 도 9의 X-X선에 대응한 위치에 있어서의 리드 프레임과 몰드 금형의 배치를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 도 9의 XI-XI선에 대응한 위치에 있어서의 리드 프레임과 몰드 금형의 배치를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워진 리드 프레임의 상면도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 제1 수지 주입 후의 도 9의 X-X 단면 화살표도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 제1 수지 주입 후의 도 9의 XI-XI 단면 화살표도이다.
도 12는 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 개략 평면도이다.
도 13은 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 도 12의 XIII-XIII 단면 화살표도이다.
도 14는 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략을 도시하는 도면이며, 발광 장치의 전체를 도시하는 사시도이다.
도 15는 다른 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 전체를 도시하는 사시도이다.
도 16은 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 리드 프레임의 평면도이다.
도 17은 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워진 리드 프레임의 상면도이다.
도 18은 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 제1 수지 주입 후의 도 17의 XVIII-XVIII 단면 화살표도이다.
도 19는 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 제1 수지 주입 후의 도 17의 XIX-XIX 단면 화살표도이다.
도 20은 다른 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략을 도시하는 도면이며, 발광 장치의 전체를 도시하는 사시도이다.
이하, 실시 형태의 일례를 도시하는 패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치를 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서 참조하는 도면은, 본 실시 형태를 개략적으로 도시한 것이기 때문에, 각 부재의 스케일이나 간격, 위치 관계 등이 과장, 또는, 부재의 일부의 도시가 생략되어 있는 경우가 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 동일한 명칭 및 부호에 대해서는 원칙적으로 동일 또는 동질의 부재를 나타내고 있어, 상세 설명을 적시 생략하기로 한다.
<패키지(100)의 구성>
도면을 사용하여 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 전체를 도시하는 사시도이다. 도 2는, 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 상면도이다. 도 3은, 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 도 2의 III-III 단면 화살표도이다. 도 4는, 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 바닥면도이다.
패키지(100)는 전체의 형상이 대략 직육면체이며, 상면에 오목부(캐비티)를 갖는 컵형으로 형성되어 있다. 또한, 패키지(100)는 제1 전극(10)과, 제2 전극(20)과, 제1 수지를 포함하는 수지 성형체(30)를 구비하고 있다.
제1 전극(10)은 제1 아우터 리드부(11)와, 제1 이너 리드부(12)를 구비하고 있다. 제1 아우터 리드부(11)는 수지 성형체(30)의 벽부(31)의 외측에 위치하는 리드 부분을 말한다. 제1 아우터 리드부(11)의 형상은 평면에서 보면 직사각형이지만, 형상은 이것에 한정되지 않고, 일부 절결이나 오목부, 관통 구멍을 형성한 것이어도 된다.
제1 이너 리드부(12)는 수지 성형체(30)의 벽부(31)의 내측 및 벽부(31) 아래에 위치하는 리드 부분을 말한다. 제1 이너 리드부(12)의 형상은 평면에서 보면 대략 직사각형이지만, 형상은 이것에 한정되지 않고, 일부 절결이나 오목부, 관통 구멍을 형성한 것이어도 된다. 패키지(100)의 이면에서 보면, 제1 수지로부터 노출되어 있는 제1 아우터 리드부(11)의 폭 W1은, 여기에서는, 제1 수지로부터 노출되어 있는 제1 이너 리드부(12)의 폭 W2보다 짧게 형성되어 있다.
제2 전극(20)은 제2 아우터 리드부(21)와, 제2 이너 리드부(22)를 구비하고 있다. 제2 아우터 리드부(21)는 수지 성형체(30)의 벽부(31)의 외측에 위치하는 리드 부분을 말한다. 제2 아우터 리드부(21)의 형상은 평면에서 보면 직사각형이지만, 형상은 이것에 한정되지 않고, 일부 절결이나 오목부, 관통 구멍을 형성한 것이어도 된다.
제2 이너 리드부(22)는 수지 성형체(30)의 벽부(31)의 내측 및 벽부(31) 아래에 위치하는 리드 부분을 말한다. 제2 이너 리드부(22)의 형상은 평면에서 보면 대략 직사각형이지만, 형상은 이것에 한정되지 않고, 일부 절결이나 오목부, 관통 구멍을 형성한 것이어도 된다. 패키지(100)의 이면에서 보면, 제1 수지로부터 노출되어 있는 제2 아우터 리드부(21)의 폭 W1은, 여기에서는, 제1 수지로부터 노출되어 있는 제2 이너 리드부(22)의 폭 W2보다 짧게 형성되어 있다.
제1 전극(10)과 제2 전극(20)은, 패키지(100)의 바닥면에 있어서, 외측에 노출되어서 형성되어 있다. 패키지(100)의 바닥면의 외측은, 외부의 기판에 실장 되는 측의 면이다. 제1 전극(10)과 제2 전극(20)은, 이격시켜서 배치되어 있고, 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에는 수지 성형체(30)가 개재하고 있다. 발광 장치로서 사용될 때, 제1 전극(10)과 제2 전극(20)은, 애노드 전극, 캐소드 전극에 각각 상당하고, 각각 도전성이 상이한 것을 의미한다.
제1 전극(10) 및 제2 전극(20)의 길이, 폭, 두께는 특별히 한정되지 않고 목적 및 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 제1 전극(10), 제2 전극(20)의 재질은, 예를 들어 구리나 구리 합금이 바람직하고, 그 최표면은, 예를 들어, 은이나 알루미늄 등의 반사율이 높은 금속 재료로 피복되어 있는 것이 바람직하다.
수지 성형체(30)는 벽부(31)와, 플랜지부(32)를 구비하고 있다. 벽부(31)는 직사각형이 되는 4변이, 제1 전극(10) 및 제2 전극(20) 상에 형성되어 있다. 또한, 벽부(31)는 직사각형이 대향하는 2변에 의해, 제1 전극(10)을 끼워넣도록 형성됨과 함께, 제2 전극(20)을 끼워넣도록 형성되어 있다. 이에 의해, 벽부(31)는 제1 전극(10) 및 제2 전극(20)을 고정할 수 있다.
벽부(31)는 평면에서 보아 직사각형의 오목부를 구성하도록 형성되고, 그 형상은 평면에서 보면 직사각형의 환형으로 형성되어 있다. 이 벽부(31)의 높이, 길이, 폭은 특별히 한정되지 않고 목적 및 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
플랜지부(32)는 제1 아우터 리드부(11) 또는 제2 아우터 리드부(21)에 인접하여 형성되고, 평면에서 보아, 여기에서는 4개의 플랜지부(32)가 형성되어 있다. 플랜지부(32)는 벽부(31)로부터 측방으로 각각 돌출되고, 제1 아우터 리드부(11) 및 제2 아우터 리드부(21)와 동일한 길이 동일한 두께로 형성되어 있다. 제1 아우터 리드부(11) 및 제2 아우터 리드부(21)와 플랜지부(32)는 양면 모두 동일면으로 형성되어 있다. 후기하겠지만, 본 실시 형태에서는 제1 수지의 주입구를 제1 수지의 경화 또는 고화 후에 불필요하게 되는 위치인 제1 전극(10) 옆에 설치하고 있으므로, 제1 수지를 주입하여 경화 또는 고화시킨 후에 절제하면 제1 전극(10) 옆에 1개의 플랜지부(32)가 남게 된다. 수지 성형체(30)는 4개의 플랜지부(32)를 구비하지만, 그 개수는 1개 이상이면 된다. 플랜지부를 설치하지 않은 경우에는 벽부(31)의 외측면이 상면부터 바닥면에 걸쳐서 평면적으로 형성되어 있다.
수지 성형체(30)의 재질로서는, 예를 들어 열가소성 수지나 열경화성 수지를 들 수 있다.
열가소성 수지의 경우, 예를 들어, 폴리프탈아미드 수지, 액정 폴리머(또는 중합체), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 불포화 폴리에스테르 등을 사용할 수 있다.
열경화성 수지의 경우, 예를 들어, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다.
수지 성형체(30)의 벽부(31)의 내주면에 있어서 광을 효율적으로 반사하기 위해서, 수지 성형체(30)에 광 반사 부재가 함유되어 있어도 상관없다. 광 반사 부재는, 예를 들어, 산화티타늄, 유리 필러, 실리카, 알루미나, 산화아연 등의 백색 필러 등의 광 반사율이 높은 재료이다. 반사율은 가시광의 반사율이 70％ 이상, 또는 80％ 이상이 바람직하다. 특히, 발광 소자가 출사하는 파장 영역에 있어서 반사율이 70％ 이상, 또는 80％ 이상이 바람직하다. 산화티타늄 등의 배합량은 5중량％ 이상, 50중량％ 이하이면 되고, 10중량％ 내지 30중량％가 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 패키지(100)는 수지의 주입구를 수지의 경화 또는 고화 후에 불필요하게 되는 위치에 설치하고 있으므로 패키지의 두께를 얇게 할 수 있다. 특히, 패키지 이면측의 두께, 즉, 수지 성형체(30)의 플랜지부(32), 제1 전극(10) 및 제2 전극(20) 등의 두께를 종래보다도 얇게 할 수 있다. 이로 인해, 패키지(100)에 탑재하는 발광 소자 등의 동작 시의 방열성을 향상시킬 수 있다.
<패키지(100)의 제조 방법>
다음으로 패키지(100)의 제조 방법에 대해서, 도 5부터 도 13을 참조하여 설명한다. 도 5는 리드 프레임의 평면도이다. 도 6은 도 5의 VI-VI 단면 화살표도이다. 도 7은 도 9의 X-X선에 대응한 위치에 있어서의 리드 프레임과 몰드 금형의 배치를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 8은 도 9의 XI-XI선에 대응한 위치에 있어서의 리드 프레임과 몰드 금형의 배치를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 9는 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워진 리드 프레임의 상면도이다. 도 10은 제1 수지 주입 후의 도 9의 X-X 단면 화살표도이다. 도 11은, 제1 수지 주입 후의 도 9의 XI-XI 단면 화살표도이다. 도 12는 패키지의 개략 평면도이다. 도 13은 도 12의 XIII-XIII 단면 화살표도이다.
본 실시 형태의 패키지 제조 방법은, 하기 (1)부터 (5)의 공정을 갖는다.
(1) 리드 프레임을 준비한다.
이 (1)의 공정에서는, 일부를 절결한 평판 상의 리드 프레임(5)을 준비한다. 리드 프레임(5)은 패키지의 형성 예정 영역(600)에, 제1 전극(10)과, 제1 전극(10)과는 상이한 제2 전극(20)을 갖고 있으며, 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 간극을 형성하고 있다. 이 간극은 리드 프레임(5)의 두께와 동등 또는 그것보다도 넓은 폭을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제1 전극(10)과 제2 전극(20)은 대략 사각형의 부분을 갖고, 또한, 제1 전극(10)의 폭, 제2 전극(20)의 폭보다도 좁은 부분을 갖고, 또한 패키지의 형성 예정 영역(600)의 외측에 연결되어 있다. 이 리드 프레임(5)의 절결은 펀칭, 에칭 등으로 형성할 수 있다. 여기서, 패키지의 형성 예정 영역(600)이란, 리드 프레임(5)으로부터 분리된, 성형 후의 패키지(100)의 바닥면 외주가 되는 영역이다. 또한, 리드 프레임(5)에 있어서의 제1 전극(10)이란, 성형 후의 제1 전극(10)에 상당하는 부분을 의미하고, 개편화하기 전의 상태를 말한다. 마찬가지로, 리드 프레임(5)에 있어서의 제2 전극(20)이란, 성형 후의 제2 전극(20)에 상당하는 부분을 의미하고, 개편화하기 전의 상태를 말한다. 또한, 간단화를 위하여, 리드 프레임(5)은 1개의 패키지의 형성 예정 영역(600)을 구비하는 것으로서 설명하지만, 그 개수는 복수여도 된다.
리드 프레임(5)은 판형의 부재이며, 제1 전극(10) 및 제2 전극(20)의 주위에 소정 형상의 간극부를 갖고, 제1 전극(10)과 제2 전극(20)은 대면하는 부분이 이격되어 있다. 리드 프레임(5)은 제1 전극(10) 및 제2 전극(20)의 주위를 둘러싸는 프레임형의 리드 지지부(7)와, 현수 리드(8, 9)를 구비하고 있다.
제1 전극(10)은 성형 후의 제1 아우터 리드부(11)에 상당하는 부분이 현수 리드(8)에 의해 리드 지지부(7)와 접속되어 있다. 리드 프레임(5)에는, 간극부로서 제1 공간(6a)과 제2 공간(6b)이 현수 리드(8)의 양 옆에 형성되어 있다. 제1 공간(6a)과 제2 공간(6b)은, 제1 전극(10)의 양 옆에 형성되어 있다. 또한, 후기하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는 제1 공간(6a)으로부터 제1 수지를 주입하고 있다.
제2 전극(20)은 성형 후의 제2 아우터 리드부(21)에 상당하는 부분이 현수 리드(9)에 의해 리드 지지부(7)와 접속되어 있다. 리드 프레임(5)에는, 간극부로서 제3 공간(6c)과 제4 공간(6d)이 현수 리드(9)의 양 옆에 형성되어 있다. 제3 공간(6c)과 제4 공간(6d)은, 제2 전극(20)의 양 옆에 형성되어 있다.
(2) 리드 프레임을 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워넣는다.
이 공정에서는, 리드 프레임(5)의 제1 전극(10)과 제2 전극(20)을 상하로 분할된 몰드 금형(500)의 상부 금형(550)과 하부 금형(560) 사이에 끼워넣는다. 또한, 설명의 사정상, 리드 프레임(5)의 하면과 하부 금형(560)이 이격된 상태에서 도시하였지만, 리드 프레임(5)은 하부 금형(560)에 고정된다.
몰드 금형(500)의 상부 금형(550)은 제1 전극(10) 및 제2 전극(20) 상에 형성하는 수지 성형체(30)의 벽부(31)에 상당하는 오목부(501)를 갖고 있다. 또한, 상부 금형(550)에 설치한 오목부(501)에 제1 수지를 주입하기로 하였다. 이 상부 금형(550)의 오목부(501)는 링형으로 연결되어 있다. 그 오목부(501)와는 다른 위치, 평면에서 보아 오목부(501)의 외측에 게이트(555)가 되는 관통 구멍이 상부 금형(550)에 형성되어 있다. 리드 프레임(5)과 상부 금형(550), 하부 금형(560)과의 간극에 제1 수지가 인입하지 않을 정도로 견고하게 끼워넣어져 있다. 리드 프레임(5)과 상부 금형(550), 하부 금형(560)과의 간극에 제1 수지가 인입하고, 발광 소자의 실장 영역의 리드 프레임(5)의 표면에 제1 수지가 피착하면, 디버링의 공정이 필요해진다.
(3) 금형에 제1 수지를 주입한다.
몰드 금형(500)의 상부 금형(550)은 패키지의 형성 예정 영역(600)의 외측에 게이트(주입구)(555)를 구비하고 있다. 상부 금형(550)의 게이트(555)가 상당하는 부분에 리드 프레임(5)의 절결 부분이 배치되어 있다. 게이트(555)는 제1 전극(10)의 외측이 되는 한쪽의 리드 지지부(7)측에 형성되어 있다. 여기서, 게이트(555)로부터 주입되는 제1 수지에는, 광 반사 부재가 미리 혼합되어 있다.
이 공정에서는, 리드 프레임(5)을 상부 금형(550)과 하부 금형(560) 사이에 끼워넣은 몰드 금형(500) 내에, 평면에서 보아, 제1 전극(10)(제1 아우터 리드부(11))의 옆이 되는 게이트(555)로부터 제1 수지를 주입하고 있다.
게이트(555)로부터 주입된 제1 수지는 리드 프레임(5)의 절결을 통하여, 상부 금형(550)의 오목부(501)에 주입된다. 여기에서는, 게이트(555)를 1개로 설명하고 있지만, 복수개, 상부 금형(550)에 설치할 수 있다. 또한, 상부 금형(550)에 게이트(555)를 설치하고 있지만, 하부 금형(560)에 게이트를 설치하고, 하부 금형(560)측으로부터 제1 수지를 주입할 수도 있다.
제1 수지의 주입 공정은, 사출 성형이나 트랜스퍼 몰드, 압출 성형 등 공지된 성형 방법을 이용할 수 있다.
(4) 주입된 제1 수지를 경화 또는 고화한다.
본 실시 형태에서는, 일례로서, 제1 수지가 예를 들어 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지인 것으로 한다. 이 경우, 제1 수지를 주입하는 공정은, 트랜스퍼 몰드인 것으로 한다. 트랜스퍼 몰드에서는, 미리, 상부 금형(550)에 연결되는 소정의 용기에, 소정의 크기를 갖는 펠릿형의 열경화성 수지(태블릿)를 넣어 둔다. 트랜스퍼 몰드의 경우에 대해서, 상기 (2)의 공정, 상기 (3)의 공정 및 (4)의 공정에 대하여 이하에 개략을 설명한다.
트랜스퍼 몰드의 경우, 상기 (2)의 공정에서는, 리드 프레임(5)은 가열된 하부 금형(560)에 고정되어서, 마찬가지로 가열된 상부 금형(550)과 하부 금형(560) 사이에 끼워넣어진다. 상기 (3)의 공정에서는, 상부 금형(550)에 연결되는 소정의 용기에 예를 들어 피스톤에 의해 압력을 가함으로써, 소정의 용기로부터, 게이트(555)를 통하여 상부 금형(550)의 오목부(501)에, 용융 상태의 열경화성 수지(제1 수지)가 주입된다. (4)의 공정에서는, 충전된 열경화성 수지(제1 수지)를 가열한다. 그리고, 가열에 의해 경화(가경화)한 열경화성 수지가 수지 성형체(30)가 된다.
또한, 제1 수지가 예를 들어 폴리프탈아미드 수지와 같은 열가소성 수지인 경우, 사출 성형으로 성형할 수 있다. 이 경우, 열가소성 수지를 고온으로 하여 용융시키고, 저온의 금형에 넣어서 냉각에 의해 고화시키면 된다.
이렇게 주입된 제1 수지는 경화 또는 고화되어, 상하로 분할된 몰드 금형(500)의 상부 금형(550)이 갖는 오목부(501)에 상당하는 벽부(31)가 형성된다.
(5) 제1 수지의 주입구의 주입 흔적을 절제한다.
제1 수지를 경화 또는 고화한 후, 제1 수지의 주입구의 주입 흔적을 절제한다. 또한 제1 수지와 리드 프레임(5)을 절단하고, 패키지(100)를 개편화한다. 여기서, 현수 리드(8, 9)를 절단하는 지그는, 예를 들어 리드 커터를 사용할 수 있다. 패키지의 형성 예정 영역(600)의 직사각형 중 좌우의 짧은 변은, 리드 프레임(5)의 현수 리드(8, 9) 및 수지 성형체(30)에 대응한다. 절단되는 위치의 리드 프레임(5)에는, 원형, 타원 형상, 다각형, 대략 다각형 등의 절결 또는 관통 구멍을 형성하여, 절단되는 리드 프레임(5)의 면적을 저감시킬 수도 있다.
본 실시 형태에서는, 리드 프레임(5)으로부터 패키지(100)를 개편화할 때에 패키지의 형성 예정 영역(600)의 짧은 변에 맞추어서 현수 리드(8, 9)를 절단한다. 제1 수지의 주입 및 경화 또는 고화 후에는, 상부 금형(550)의 오목부(501) 부분에 수지 성형체(30)가 충전되어 있으므로, 수지 성형체(30)의 단부분도 동시에 절단되게 된다.
상기와 같이 현수 리드(8, 9)를 절단함으로써, 제1 전극(10)의 옆으로부터 제1 수지의 게이트 흔적(주입 흔적)(155)을 절제할 수 있다. 이에 의해, 패키지(100)의 표면에는 게이트 흔적이 남지 않는다. 이 절단을 행하는 타이밍은, 발광 소자를 실장하기 전이어도 되고, 발광 소자를 실장한 후여도 된다. 상기 (1)부터 (5)의 공정에 의해 패키지(100)를 제조할 수 있다.
또한, 종래 방법에서는 패키지 이면측으로부터 수지를 주입하고 있었지만, 본 실시 형태의 패키지 제조 방법에 의하면, 패키지의 형성 예정 영역(600)의 외측이며 제1 전극(10)의 옆으로부터 수지를 주입하고, 그 게이트 흔적을 절제하므로, 패키지의 두께를 얇게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 패키지 제조 방법에 의하면, 종래의 패키지 제조 방법에 있어서의 리드를 구부리는 공정이 필요없으므로, 절곡하는 가공을 행하는 수고를 줄일 수 있다.
종래의 제조 방법에서는, 예를 들어, 준비하는 판형의 리드 프레임에 있어서, 패키지의 형성 예정 영역을 2차원 어레이 형상으로 복수 갖는 경우, 그들의 간격은, 리드를 구부리는 것을 고려한 소정 길이로 하고 있다. 이에 비해, 본 실시 형태의 패키지 제조 방법에 의하면, 리드를 구부릴 필요가 없으므로, 구부리는 것을 고려한 리드의 길이를 확보할 필요가 없어진다. 즉, 구부리는 것을 고려하지 않는 분만큼 패키지 간격을 좁힐 수 있고, 그로 인해, 동일한 판형의 리드 프레임으로부터 취출할 수 있는 패키지의 개수를 종래보다도 증가시켜, 프레임(재료)을 유효하게 이용할 수 있게 된다.
<발광 장치(1)의 구성>
이어서, 도 14를 참조하여 발광 장치(1)의 구성에 대하여 설명한다. 도 14는 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략을 도시하는 도면이며, 발광 장치의 전체를 도시하는 사시도이다.
발광 장치(1)는 패키지(100)와, 발광 소자(200)와, 와이어(250)와, 제2 수지를 포함하는 밀봉 부재(300)를 구비하고 있다. 발광 소자(200)는 패키지(100)의 제2 전극(20) 상에 실장되어 있다. 여기에서 사용되는 발광 소자(200)는 형상이나 크기 등이 특별히 한정되지 않는다. 발광 소자(200)의 발광색으로서는, 용도에 따라서 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다. 예를 들어, 청색(파장 430 내지 490nm의 광)의 발광 소자로서는, GaN계나 InGaN계를 사용할 수 있다. InGaN계로서는, InXAlYGa1-X-YN(0≤X≤1, 0≤Y≤1, X+Y≤1) 등을 사용할 수 있다.
와이어(250)는 발광 소자(200)나 보호 소자 등의 전자 부품과, 제1 전극(10)이나 제2 전극(20)을 전기적으로 접속하기 위한 도전성 배선이다. 와이어(250)의 재질로서는, Au(금), Ag(은), Cu(구리), Pt(백금), Al(알루미늄) 등의 금속 및 그들의 합금을 사용한 것을 들 수 있는데, 특히, 열전도율 등이 우수한 Au를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 와이어(250)의 굵기는 특별히 한정되지 않고 목적 및 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
밀봉 부재(300)는 패키지(100) 중에 실장된 발광 소자(200) 등을 피복하는 것이다. 밀봉 부재(300)는 발광 소자(200) 등을, 외력, 먼지, 수분 등으로부터 보호함과 함께, 발광 소자(200) 등의 내열성, 내후성, 내광성을 양호한 것으로 하기 위하여 설치되어 있다. 밀봉 부재(300)의 재질로서는, 열경화성 수지, 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레아 수지 등의 투명한 재료를 들 수 있다. 이러한 재료 외에, 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 형광체나 광 반사율이 높은 물질 등의 필러를 함유시킬 수도 있다.
밀봉 부재(300)는 예를 들어 형광체를 혼합함으로써, 발광 장치(1)의 색조 조정을 용이하게 할 수 있다. 또한, 형광체로서는, 밀봉 부재(300)보다도 비중이 크고, 발광 소자(200)로부터의 광을 흡수하여, 파장 변환하는 것을 사용할 수 있다. 형광체는, 밀봉 부재(300)보다도 비중이 크면, 제1 전극(10) 및 제2 전극(20) 측으로 침강하므로 바람직하다.
구체적으로는, 예를 들어, YAG(Y3Al5O12:Ce)나 실리케이트 등의 황색 형광체, 또는, CASN(CaAlSiN3:Eu)이나 KSF(K2SiF6: Mn) 등의 적색 형광체를 들 수 있다.
밀봉 부재(300)에 함유시키는 필러로서는, 예를 들어, SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2, MgO 등의 광 반사율이 높은 물질을 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 원하는 것 외의 파장을 커트할 목적으로, 예를 들어, 유기나 무기의 착색 염료나 착색 안료를 사용할 수 있다.
<발광 장치(1)의 제조 방법>
(제1 제조 방법)
발광 장치(1)의 제1 제조 방법으로는, 패키지(100)를 제조하기 위한 전체 공정 중 상기한 (1)부터 (4)의 공정 후, (5)의 공정 전에, 패키지(100) 중에 발광 소자(200)를 실장한다. 즉, 리드 프레임(5)으로부터 분리되어 있지 않은 패키지(100)의 제2 전극(20) 상에 발광 소자(200)를 실장한다.
발광 소자(200)는 상면에 한 쌍의 n 전극 및 p 전극이 형성된 편면 전극 구조의 소자이다. 이 경우, 발광 소자(200)는 그 이면이 절연성의 다이본드 부재로 제2 전극(20)에 접합되고, 상면의 한쪽 전극이 와이어(250)에 의해 제1 전극(20)에 접속되고, 상면의 다른 쪽 전극이 와이어(250)에 의해 제2 전극(20)에 접속된다.
계속해서, 패키지(100)의 수지 성형체(30)의 벽부(31)에 둘러싸인 오목부 내에 밀봉 부재(300)를 도포하고, 발광 소자(200)를 밀봉한다. 이때, 밀봉 부재(300)를 수지 성형체(30)의 오목부의 상면까지 적하한다. 수지 성형체(30)의 오목부 내에 밀봉 부재(300)를 충전하는 방법은, 예를 들어, 사출, 압축이나 압출 등을 사용할 수도 있다. 단, 적하에 의하면, 수지 성형체(30)의 오목부 내에 잔존하는 공기를 효과적으로 배출할 수 있으므로, 적하에 의해 충전하는 것이 바람직하다.
(발광 장치의 제2 제조 방법)
또한, 발광 장치(1)의 제1 제조 방법에서는, 미리 발광 소자(200)를 패키지(100) 중에 실장한 후에 개편화하여 제조했지만, 제2 제조 방법에서는, 미리 개편화한 패키지(100)를 제조하는 전체 공정 후에, 패키지(100)에 발광 소자(200)를 실장해도 된다. 즉, 개편화된 패키지(100)에 발광 소자(200)를 실장한다.
[변형예 1]
도 5에 도시하는 리드 프레임(5)에는, 현수 리드(8)의 양 옆에 제1 공간(6a)과 제2 공간(6b)이 형성되어 있는 것으로 했지만, 제1 수지를 주입하기 위한 공간이 1개 있으면 되므로, 제1 공간(6a)과 제2 공간(6b)의 한쪽만 설치할 수도 있다.
도 9에 도시하는 몰드 금형(500)의 상부 금형(550)에 있어서, 1개의 게이트(555)가 형성되어 있는 것으로 했지만, 제1 전극(10)의 양 옆의 위치에 2개의 게이트를 형성하고, 2개의 게이트로부터 제1 수지를 주입해도 된다.
또한, 제1 전극(10)의 옆뿐만 아니라, 제2 전극(20)의 한쪽 옆 또는 양 옆에 상당하는 위치에도 게이트를 설치하고, 제1 수지를 주입할 수도 있다.
[변형예 2]
도 5에 도시하는 리드 프레임(5)의 형상은 일례이며, 예를 들어, 제1 전극(10)과 제2 전극(20)의 사이즈를 동등하게 해도 되고, 서로 다른 형상으로 해도 된다.
도 5에 직사각형의 가상선으로 도시하는 패키지의 형성 예정 영역(600) 중 좌우의 짧은 변의 중앙에 관통 구멍을 형성해도 된다. 이렇게 구성한 경우, 현수 리드(8, 9)를 절단하면, 관통 구멍의 개소가 절단되어서 캐스털레이션으로 된다. 그로 인해, 패키지를 외부의 실장 기판에 예를 들어 땜납 접합했을 때에, 필릿을 관찰할 수 있다. 추가로, 현수 리드(8, 9)를 절단하는 공정에 있어서, 예를 들어 리드 커터의 블레이드 수명을 연장시킬 수도 있다.
[변형예 3]
도 1에 도시하는 패키지(100)를 가령 2개 준비한 것으로 하고, 수지 성형체(30)의 플랜지부(32)가 없는 측면으로부터 서로 접속한 형상을 갖는 더블사이즈의 더블캐비티패키지를 제조해도 된다. 이 경우, 성형 후의 패키지는 평면에서 보아 상하 방향으로 2개의 오목부(캐비티)를 갖게 된다. 이 더블캐비티패키지는, 패키지(100)를 밀하게 배열한 높은 광출력을 실현할 수 있다.
이 더블캐비티패키지는, 2개의 서로 다른 사양의 패키지(100)를 밀하게 배열한 것과 등가의 패키지로 할 수 있다. 예를 들어 수지 성형체의 한쪽 오목부에는 형광체를 함유시키고, 다른 쪽 오목부에는 형광체를 함유시키지 않을 수도 있다. 또는, 수지 성형체의 한쪽 오목부에는 제1 형광체를 함유시키고, 다른 쪽 오목부에는 제2 형광체를 함유시킬 수도 있다. 이러한 더블캐비티패키지를 제조하기 위해서는, 다음과 같은 리드 프레임을 준비하면 된다.
즉, 도 5에 도시한 리드 프레임(5)에 있어서, 간극부의 패턴 형상을 변경하고, 제1 전극(10) 및 제2 전극(20)을 포함하는 패키지 요소의 조를 상하 방향으로 2조 준비하고, 2개의 현수 리드(8)의 사이에 제1 공간(6a)이 배치되고, 2개의 현수 리드(9)의 사이에 제3 공간(6c)이 배치되도록 한다. 이때에, 도 5에 직사각형의 가상선으로 도시하는 패키지의 형성 예정 영역(600)을 상하 방향으로 확대하여 패키지 요소의 2조를 갖는 영역을 더블캐비티패키지의 형성 예정 영역으로 한다. 이 경우, 도 7 및 도 8에 도시하는 몰드 금형(500)의 상부 금형(550)이 갖는 오목부(501)에 대해서는, 더블캐비티패키지의 수지 성형체의 벽부에 대응하도록 변형된다.
[변형예 4]
변형예 3의 더블캐비티패키지에 있어서, 수지 성형체의 2개의 오목부의 사이의 벽부를 제거하여 더블사이즈의 단일 캐비티 패키지를 제조해도 된다. 이 경우, 성형 후의 패키지는, 수지 성형체의 1개의 오목부(캐비티)를 갖고, 이 오목부 중에 4개의 이너 리드부를 갖는다. 따라서, 예를 들어 3개의 이너 리드부를 캐소드 전극(제2 전극)으로 하여, 각 캐소드 전극에 RGB에 각각 대응한 발광 소자를 실장하고, 나머지 1개의 이너 리드부를 애노드 전극(제1 전극)으로 할 수 있다. 또한, 발광 소자를 실장하고 있지 않은 이너 리드부에 보호 소자를 실장해도 된다. 이러한 단일 캐비티 패키지를 제조하기 위해서는, 도 7 및 도 8에 도시하는 몰드 금형(500)의 상부 금형(550)이 갖는 오목부(501)를 단일 캐비티 패키지의 수지 성형체의 벽부에 대응하도록 변형하면 된다.
[기타의 변형예]
발광 소자(200)는 예를 들어, n 전극(또는 p 전극)이 소자 기판의 이면에 형성된 대향 전극 구조(양면 전극 구조)의 소자여도 된다. 또한, 발광 소자(200)는 페이스업형에 한하지 않고, 페이스다운형이어도 된다. 페이스다운형의 발광 소자를 사용하면 와이어가 불필요하게 할 수 있다.
발광 소자(200)는 제2 전극(20) 대신 제1 전극(10) 상에 실장할 수도 있다. 발광 장치(1)가 예를 들어 2개의 발광 소자(200)를 구비하는 경우, 제1 전극(10) 및 제2 전극(20) 상에 각각 발광 소자(200)를 실장할 수도 있다. 발광 소자를 실장하고 있지 않은 이너 리드부에 보호 소자를 실장해도 된다.
패키지(100)의 수지 성형체(30)의 벽부(31)의 평면에서 본 형상은, 도 1에 예시한 직사각형의 환형에는 한정되지 않고, 예를 들어, 벽부(31)의 형상은 평면에서 보면 원환형이나 타원의 환형이어도 된다.
<패키지(100B)의 구성>
상기 변형예 2의 패키지에 대하여 도면을 사용하여 설명한다. 도 15는, 다른 실시 형태에 따른 패키지의 개략을 도시하는 도면이며, 패키지의 전체를 도시하는 사시도이다. 또한, 도 1의 패키지(100)와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절히 생략한다.
패키지(100B)는, 상방으로 개구한 바닥이 있는 오목부(110), 제1 외측면(이하, 특별한 언급이 없는 한 「외측면」이라 한다)(101), 제1 외측면(101)과 인접하는 제2 외측면(102), 제2 외측면(102)과 인접하고 제1 외측면(101)과 대향하는 제3 외측면(103), 제1 외측면(101)과 제3 외측면(103)과 인접하는 제4 외측면(104) 및 바닥면(105)을 갖고 있다. 여기서, 바닥면(105)은 패키지(100B)의 실장면이 된다. 이 패키지(100B)는, 제1 전극(10B)과, 제1 전극(10B)과 극성이 다른 제2 전극(20B)과, 수지 성형체(30B)를 구비하고, 이들 부재로 바닥면(105)이 구성되어 있다.
제1 전극(10B)은, 평면에서 보아 벽부(31)로부터 외측(이하, 특별한 언급이 없는 한 「외측」이라고 한다)으로 돌출된 제1 아우터 리드부(11)를 갖고 있다. 제1 아우터 리드부(11)는 패키지(100B)의 제1 외측면(101)으로부터 돌출되어 있다. 상기한 바와 같이, 제1 아우터 리드부(11)에는, 일부 절결이나 오목부, 관통 구멍을 형성한 것이어도 된다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 제1 아우터 리드부(11)는 선단에 제2 오목부(50)를 갖고 있다. 제2 오목부(50)는 패키지(100B)를 측면에서 본 것이다. 이에 의해, 제2 오목부(50)를 외부의 실장 기판에 예를 들어 땜납 접합했을 때에, 필릿을 형성할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 제2 전극(20B)은, 평면에서 보아 벽부(31)로부터 외측으로 돌출된 제2 아우터 리드부(21)를 갖고 있다. 제2 아우터 리드부(21)는 패키지(100B)의 제3 외측면(103)으로부터 돌출되어 있다. 상기한 바와 같이, 제2 아우터 리드부(21)에는, 일부 절결이나 오목부, 관통 구멍을 형성한 것이어도 된다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 제2 아우터 리드부(21)는 선단에 제2 오목부(50)를 갖고 있다. 또한, 패키지(100B)에 있어서, 어느 한쪽 전극만 제2 오목부(50)를 갖도록 해도 되고, 또는, 어느 한쪽 전극만 아우터 리드부를 갖도록 해도 된다.
상기한 바와 같이, 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)의 최표면은, 예를 들어, 은이나 알루미늄 등의 반사율이 높은 금속 재료로 피복되어 있는 것이 바람직하다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 패키지(100B)를 제조하기 위하여 준비하는 리드 프레임에 관통 구멍 등의 간극부를 설치한 후에, 이 리드 프레임에 예를 들어, 은, 알루미늄, 구리 및 금 등의 도금이 실시된다. 따라서, 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)에는 도금이 실시되어 있다.
여기서, 제1 전극(10B)에 있어서, 제1 아우터 리드부(11)는 선단면이 제2 오목부(50)의 측면(51)을 제외하고 도금되어 있지 않다. 도금되어 있지 않은 이유로서, 제1 아우터 리드부(11)의 측면(43)은 패키지(100B)를 개편화했을 때에 드러난 절단면이기 때문이다.
한편, 제1 아우터 리드부(11)는 상면(41)과 하면(42) 및 제2 오목부(50)의 측면(51)이 도금되어 있기 때문에, 땜납 등의 도전성 부재와의 접합 강도가 증가한다.
마찬가지로, 제2 전극(20B)에 있어서, 제2 아우터 리드부(21)는 상면(41)과 하면(42) 및 제2 오목부(50)의 측면(51)이 도금되어 있고, 선단면이 제2 오목부(50)의 측면(51)을 제외하고 도금되어 있지 않다.
또한, 패키지(100B)는, 제1 전극(10B)의 제1 이너 리드부(12)와, 제2 전극(20B)의 제2 이너 리드부(22)에는 도금이 실시되어 있으므로, 패키지(100B)의 바닥이 있는 오목부(110)에 발광 소자를 실장하여 발광 장치를 구성했을 때에, 이 발광 소자로부터의 광의 반사율을 높일 수 있다.
수지 성형체(30B)는, 벽부(31)와, 플랜지부(32)를 구비하고 있다. 벽부(31)와 플랜지부(32)는, 동일 재료로 일체적으로 형성되어 있다. 이렇게 일체 성형하고 있기 때문에, 벽부(31)와 플랜지부(32)의 강도를 높일 수 있다.
벽부(31)는 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)을 고정함과 함께 바닥이 있는 오목부(110)의 측벽을 구성하고 있다. 바닥이 있는 오목부(110)는 개구 방향으로 넓어지는 형상으로 되어 있다. 바닥이 있는 오목부(110)는 바닥면(110a)의 적어도 일부가, 제1 전극(10B)의 제1 이너 리드부(12) 및 제2 전극(20B)의 제2 이너 리드부(22)로 구성되어 있다.
플랜지부(32)는 평면에서 보아 벽부(31)로부터 외측으로 돌출되어 있다. 플랜지부(32)는 패키지(100B)의 제1 외측면(101)으로부터 돌출되어 있다. 상기한 바와 같이, 플랜지부(32)는 평면에서 보아 제1 아우터 리드부(11)의 양 옆에, 제1 아우터 리드부(11)와 동일한 두께 T로 설치되어 있다. 이 플랜지부(32)는 제1 아우터 리드부(11)의 제2 오목부(50)에는 설치되어 있지 않다.
본 실시 형태에서는, 다른 플랜지부(32)는 패키지(100B)의 제3 외측면(103)으로부터 돌출되고, 평면에서 보아 제2 아우터 리드부(21)의 양 옆에, 제2 아우터 리드부(21)와 동일한 두께로 설치되어 있다. 이 플랜지부(32)는 제2 아우터 리드부(21)의 제2 오목부(50)에는 설치되어 있지 않다. 또한, 어느 한쪽 아우터 리드부의 양 옆에만 플랜지부를 갖도록 해도 된다.
패키지(100B)에 있어서, 제1 외측면(101)에는 제1 전극(10B)이 돌출되고, 제3 외측면(103)에는 제2 전극(20B)이 돌출되어 있지만, 제2 외측면(102) 및 제4 외측면(104)에는, 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)이 노출되어 있지 않다. 즉, 제2 외측면(102) 전부 및 제4 외측면(104) 전부는, 벽부(31)와 동일한 재료로 형성되어 있다. 그로 인해, 패키지(100B)를 외부의 실장 기판에 예를 들어 땜납 접합했을 때에, 제2 외측면(102) 및 제4 외측면(104)에의 땜납 누설을 저감할 수 있다.
패키지(100B)에 있어서, 제2 외측면(102) 및 제4 외측면(104)은 일부가 오목하게 되어 있다. 제1 오목부(33)는 제2 외측면(102)의 하단부에 형성되어 있고, 바닥면(105)에 연통하고 있다. 또한, 또한 하나의 제1 오목부(33)는 제4 외측면(104)의 하단부에 형성되어 있고, 바닥면(105)에 연통하고 있다. 이 제1 오목부(33)는 패키지(100B)의 제조에 사용하는 리드 프레임에 미리 형성되어 있는 2개의 행거 리드의 흔적이다. 패키지(100B)의 제조에, 예를 들어 도 16에 도시하는 리드 프레임(705)을 사용한 경우, 제1 오목부(33)의 평면에서 본 형상은, 도 16에 도시하는 행거 리드(711, 712)의 형상과 마찬가지로 사다리꼴 형상이 된다. 이 사다리꼴의 높이와, 제1 오목부(33)의 깊이 방향의 길이는 동등하다.
또한, 제1 오목부(33)는 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)와 동일한 두께이다. 즉, 패키지(100B)의 상하 방향에 있어서의 제1 오목부(33)의 길이(높이 H)는 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)의 두께 T와 동일하다.
<패키지(100B)의 제조 방법>
이하, 패키지(100B)의 제조 방법에 대해서, 도 16부터 도 19를 참조하여 설명한다. 도 16은, 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 리드 프레임의 평면도이다. 도 17은, 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워진 리드 프레임의 상면도이다. 도 18은, 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 제1 수지 주입 후의 도 17의 XVIII-XVIII 단면 화살표도이다. 도 19는, 다른 실시 형태에 따른 패키지의 제조 공정의 개략을 도시하는 도면이며, 제1 수지 주입 후의 도 17의 XIX-XIX 단면 화살표도이다.
패키지(100B)의 제조 방법에서는, 준비하는 리드 프레임과, 상부 금형이 패키지(100)의 제조에 사용한 것과 상이하다. 본 실시 형태의 패키지 제조 방법은, 하기 (1B) 내지 (5B)의 공정을 갖는다.
(1B) 리드 프레임을 준비한다.
이 (1B)의 공정에서는, 일부를 절결한 평판 상의 리드 프레임(705)을 준비한다.
리드 프레임(705)을 준비하는 공정은, 판형 부재에 대하여 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)이 되는 영역의 주위에 관통 구멍(713, 714)을 포함하는 복수의 간극부를 형성하는 공정과, 복수의 간극부가 형성된 판형 부재를 도금하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 간극부를 형성하는 공정에서는, 판형 부재에, 펀칭, 에칭 등으로 간극부를 형성할 수 있다.
도금하는 공정에서는, 관통 구멍 등의 간극부를 설치한 리드 프레임에 도금을 실시한다. 구체적으로는, 리드 프레임에 예를 들어 Ag를 전해 도금에 의해 부착시킨다.
상기 도금이 실시된 리드 프레임(705)은 패키지의 형성 예정 영역(600B)에, 제1 전극(10B)과, 제2 전극(20B)을 갖고 있으며, 제1 전극(10B)과 제2 전극(20B) 사이에 간극을 형성하고 있다. 여기서, 패키지의 형성 예정 영역(600B)이란, 리드 프레임(705)으로부터 분리된, 성형 후의 패키지(100B)의 바닥면(105)의 외주가 되는 영역이다. 또한, 리드 프레임(705)에 있어서의 제1 전극(10B)이란, 성형 후의 제1 전극(10B)에 상당하는 부분을 의미하고, 개편화하기 전의 상태를 말한다. 마찬가지로, 리드 프레임(705)에 있어서의 제2 전극(20B)이란, 성형 후의 제2 전극(20B)에 상당하는 부분을 의미하고, 개편화하기 전의 상태를 말한다. 또한, 간단화를 위하여, 리드 프레임(705)은 1개의 패키지의 형성 예정 영역(600B)을 구비하는 것으로서 설명하지만, 그 개수는 복수여도 된다.
리드 프레임(705)에 있어서, 패키지의 형성 예정 영역(600B)은, 평면에서 보아 직사각형이며, 대향하여 배치되는 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B) 중 제1 전극(10B)의 측의 외측 테두리인 제1 테두리부(601), 제1 테두리부(601)와 인접하는 제2 테두리부(602), 제2 테두리부(602)와 인접하고 제1 테두리부(601)와 대향하는 제3 테두리부(603) 및 제1 테두리부(601)와 제3 테두리부(603)와 인접하는 제4 테두리부(604)를 갖고 있다.
리드 프레임(705)은 판형의 부재이며, 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)의 주위에 소정 형상의 간극부를 갖고, 제1 전극(10B)과 제2 전극(20B)은 대면하는 부분이 이격되어 있다. 리드 프레임(705)은 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)의 주위를 둘러싸는 프레임형의 리드 지지부(707)와, 현수 리드(708, 709)와, 행거 리드(711, 712)를 구비하고 있다.
리드 지지부(707)는 현수 리드(708, 709)와, 행거 리드(711, 712)를 지지하기 위한 부위이다.
현수 리드(708, 709)는, 성형 후의 패키지(100B)를, 일방향(도 16에 있어서 수평 방향)에 있어서의 양측으로부터 접속된 상태에서 지지하기 위한 부위이며, 개편화할 때에 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)으로부터 분리되는 것이다.
행거 리드(711, 712)는, 성형 후의 패키지(100B)를, 상기 1 방향과 직교하는 방향(도 16 냄새 수직 방향)에 있어서의 양측으로부터 끼워서 지지하기 위한 부위이며, 절단되는 것이 아니다. 즉, 행거 리드(711, 712)는, 리드 프레임(705)으로부터 분리된 패키지(100B)의 구성 요소가 아니다.
구체적으로는, 제1 전극(10B)은, 성형 후의 제1 아우터 리드부(11)에 상당하는 부분이 현수 리드(708)에 의해 리드 지지부(707)와 접속되어 있다. 리드 프레임(705)에는, 간극부로서 제1 공간(706a)과 제2 공간(706b)이 현수 리드(708)의 양 옆에 형성되어 있다. 제1 공간(706a)과 제2 공간(706b)은, 제1 전극(10B)의 양 옆에 형성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 제1 공간(706a)으로부터 제1 수지를 주입하고 있다.
제2 전극(20B)은, 성형 후의 제2 아우터 리드부(21)에 상당하는 부분이 현수 리드(709)에 의해 리드 지지부(707)와 접속되어 있다. 리드 프레임(705)에는, 간극부로서 제3 공간(706c)과 제4 공간(706d)이 현수 리드(709)의 양 옆에 형성되어 있다. 제3 공간(706c)과 제4 공간(706d)은, 제2 전극(20B)의 양 옆에 형성되어 있다.
리드 프레임(705)에 있어서, 제1 공간(706a), 제2 공간(706b), 제3 공간(706c) 및 제4 공간(706d)은 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)의 주위의 간극부와 연통하고 있다.
리드 프레임(705)은 평면에서 보아, 제2 테두리부(602)로부터 패키지의 형성 예정 영역(600B) 내까지 돌출된 행거 리드(712)와, 제4 테두리부(604)로부터 패키지의 형성 예정 영역(600B) 내까지 돌출된 행거 리드(711)를 갖고 있다.
행거 리드(711, 712)의 두께는, 리드 프레임(705)의 두께와 동등하다. 즉, 행거 리드(711, 712)의 두께는, 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)의 두께 T와 동등하다. 이로 인해, 패키지(100B)의 제1 오목부(33)의 높이 H는, 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)의 두께 T와 같아진다.
상기 (5)의 공정(주입 흔적을 절제하는 공정)의 설명에서 설명한 바와 같이, 리드 프레임의 절단되는 위치에는, 원형, 타원 형상, 다각형, 대략 다각형 등의 관통 구멍을 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 리드 프레임(705)은 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B) 중 적어도 한쪽에 있어서 패키지의 형성 예정 영역(600B)의 외측 테두리에 걸치는 위치에 관통 구멍(713, 714)을 갖고 있다.
구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 리드 프레임(705)은 패키지의 형성 예정 영역(600B)의 제1 테두리부(601)에, 제1 테두리부(601)를 따른 방향으로 긴 타원형의 관통 구멍(713)을 갖고 있다. 또한, 리드 프레임(705)은 패키지의 형성 예정 영역(600B)의 제3 테두리부(603)에, 제3 테두리부(603)를 따른 방향으로 긴 타원형의 관통 구멍(714)을 갖고 있다. 이 관통 구멍(713, 714)의 내주면에도 도금이 실시되어 있다. 또한, 관통 구멍(713, 714)은, 독립한 것이며, 제1 공간(706a) 등에 연통한 것이 아니다.
(2B) 리드 프레임을 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워넣는다.
이 공정에서는, 리드 프레임(705)의 제1 전극(10B)과 제2 전극(20B)을, 상하로 분할된 몰드 금형(500)의 상부 금형(550B)과 하부 금형(560) 사이에 끼워넣는다. 상부 금형(550B)은, 수지 성형체(30B)의 벽부(31)에 상당하는 오목부(501B)와 이 오목부(501B)에 인접한 평탄부를 갖고 있다. 오목부(501B)는 링형으로 연결되어 있다. 리드 프레임(705)은 패키지의 형성 예정 영역(600B)이 상부 금형(550B)의 오목부(501B) 아래에 위치함과 함께, 관통 구멍(713, 714)이 오목부(501B)의 외측에 위치하도록 배치된다.
또한, 상부 금형(550B)에는, 리드 프레임(705)과 위치 정렬했을 때에 패키지의 형성 예정 영역(600B)의 외측에서 제1 공간(706a)이 설치된 위치에 게이트(555B)가 되는 관통 구멍이 형성되어 있다.
그리고, 이렇게 위치 정렬하고, 상부 금형(550B)의 오목부(501B)에 인접한 평탄부를, 리드 지지부(707)의 적어도 일부, 현수 리드(708, 709) 및 성형 후의 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)에 상당하는 부분에 접촉시킨다. 이때, 리드 프레임(705)과 상부 금형(550B), 하부 금형(560)의 간극에 제1 수지가 인입하지 않을 정도로 견고하게 끼워넣고 있다.
(3B) 금형에 제1 수지를 주입한다.
이 공정에서는, 리드 프레임(705)을 상부 금형(550B)과 하부 금형(560) 사이에 끼워넣은 몰드 금형(500) 내에, 평면에서 보아, 제1 전극(10B)(제1 아우터 리드부(11))의 옆이 되는 게이트(555B)로부터 제1 수지를 주입하고 있다. 게이트(555B)로부터 주입된 제1 수지는, 리드 프레임(5)의 제1 공간(706a)을 통하여, 상부 금형(550B)의 오목부(501B)에 주입된다. 또한, 제1 수지는, 리드 프레임(705)의 제1 공간(706a)과 연통한 제2 공간(706b), 제3 공간(706c) 및 제4 공간(706d)에 주입된다.
이때, 상기한 바와 같이, 리드 프레임(705)은 그 관통 구멍(713, 714)이, 상부 금형(550B)의 오목부(501B)의 외측에 위치하도록 배치되어 있다. 또한, 상부 금형(550B)의 오목부(501B)에 인접한 평탄부를, 성형 후의 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)에 상당하는 부분에 접촉시키도록, 리드 프레임(705)을 상부 금형(550B)과 하부 금형(560) 사이에 끼워넣고 있다. 또한, 관통 구멍(713, 714)은, 제1 공간(706a) 등에 연통한 것이 아니다. 따라서, 리드 프레임(705)의 관통 구멍(713, 714)에는 제1 수지가 인입될 일은 없다.
(4B) 주입된 제1 수지를 경화 또는 고화한다.
리드 프레임(705)의 관통 구멍(713, 714) 이외의 간극부와, 상부 금형(550B)이 갖는 오목부(501B)에 의해, 수지 성형체(30B)의 벽부(31) 및 플랜지부(32)가 형성된다. 이때, 성형 후의 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)에 상당하는 부분의 양측에 인접하여, 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)와 동일한 두께로, 성형 후의 플랜지부(32)에 상당하는 부분이 형성된다. 또한, 이 시점에서는 플랜지부(32)는 게이트(555B)까지 연속하고 있지만, 패키지(100B)를 개편화할 때에, 게이트(555B)로부터 플랜지부(32)가 분리된다.
(5B) 제1 수지의 주입구의 주입 흔적을 절제한다.
여기에서는, 제1 수지를 경화 또는 고화한 후, 제1 수지의 주입구의 주입 흔적을 절제한다. 또한 제1 수지와 리드 프레임(705)을 절단하고, 패키지(100B)를 개편화한다. 그 때에, 리드 프레임(705)의 패키지 형성 예정 영역(600B)의 외측 테두리(제1 테두리부(601) 및 제3 테두리부(603))로 현수 리드(708, 709)를 절단한다. 이에 의해, 리드 프레임(705)의 관통 구멍(713, 714)이 절단되어서 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)에 제2 오목부(50)가 형성된다. 또한, 개편화 시에, 리드 프레임(705)으로부터 제1 전극(10B) 및 제2 전극(20B)을 분리해도, 행거 리드(711, 712)로 패키지(100B)를 끼워넣고 있기 때문에, 패키지(100B)가 발출될 일이 없다.
상기 (1B)부터 (5B)의 공정에 의해 패키지(100B)를 제조할 수 있다.
상기 구성의 패키지(100B)에서는, 플랜지부(32)는 평면에서 보아 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)의 양 옆에, 제1 및 제2 아우터 리드부(11, 21)와 동일한 두께 T로 설치되어 있다. 또한, 제1 아우터 리드부(11) 및 제2 아우터 리드부(21)에 제2 오목부(50)를 구비하고 있다.
이 제2 오목부(50)는 준비된 리드 프레임(705)을 관통 구멍(713, 714)을 통과하는 위치에서 절단함으로써 형성된다. 리드 프레임(705)의 절단에 의해 나타나는 단부면은 도금되어 있지 않으므로, 땜납 등의 도전성 부재가 부착되지 않아, 접합에 기여하지 않는다.
한편, 제조 시에 제1 수지를 주입하는 공정에서는 리드 프레임(705)의 관통 구멍(713, 714)에 제1 수지가 인입될 일은 없어, 관통 구멍(713, 714)의 내주면 도금이 그대로 남아있다. 따라서, 패키지(100B)의 제2 오목부(50)에는 플랜지부(32)가 설치될 일은 없다. 그리고, 제2 오목부(50)의 측면(51)에는 도금이 실시되어 있으므로, 땜납 등의 도전성 부재가 부착되어, 접합에 기여한다. 따라서, 패키지(100B)는, 제2 오목부(50)가 없는 경우에 비하여, 땜납 등의 도전성 부재의 접합 강도를 높일 수 있다.
또한, 패키지(100B)는, 제2 오목부(50)의 측면(51)이 도금되어 있으므로, 상기한 바와 같이 외부의 실장 기판에 패키지(100B)의 제2 오목부(50)를 예를 들어 땜납 접합했을 때에, 필릿을 관찰할 수 있다.
또한, 패키지(100B)에 있어서, 제1 아우터 리드부(11) 및 제2 아우터 리드부(21)는 상면(41) 및 하면(42)이 도금되어 있으므로, 땜납 등의 도전성 부재는, 제2 오목부(50)의 측면(51)부터 상면(41) 및 하면(42)까지 접합하여, 캐스털레이션 전극을 형성할 수 있다.
<발광 장치(1C)의 구성>
이어서, 도 20을 참조하여 발광 장치(1C)의 구성에 대하여 설명한다. 도 20은, 다른 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략을 도시하는 도면이며, 발광 장치의 전체를 도시하는 사시도이다.
발광 장치(1C)는, 패키지(100C)를 사용한 점이 도 14의 발광 장치(1)와 상이하다. 도 14의 발광 장치(1)와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
패키지(100C)는, 수지 성형체(30C)의 형상이 패키지(100B)와 상이하다.
수지 성형체(30C)는, 벽부(31)와, 플랜지부(32)를 구비하고 있고, 벽부(31)의 정점의 하나에 절결부(120)를 구비하고 있다. 이 절결부(120)는 제1 전극(10B)의 극성을 나타내는 것이며, 캐소드 마크 또는 애노드 마크로서 이용된다. 절결부(120)의 형상이나 크기는 임의이다. 여기에서는, 절결부(120)는 예를 들어 역 삼각형의 형상이며, 제1 외측면(101)과 제2 외측면(102)에 걸쳐서 형성되어 있다.
패키지(100C)의 제조 방법은, 패키지(100B)의 제조 방법과 마찬가지이므로 설명을 생략한다. 절결부(120)에 대해서는, 패키지(100B)를 제조하기 위한 몰드 금형(500)에 있어서, 예를 들어 도 17의 상부 금형(550B)의 오목부(501B)의 형상을, 수지 성형체(30C)의 벽부(31)에 맞춰서 변형하면 제조할 수 있다.
발광 장치(1C)의 제조 방법은, 발광 장치(1)의 제조 방법과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
도 20의 패키지(100C)에 있어서, 예를 들어, 절결부(120)의 단부점(121)을 벽부(31)와 플랜지부(32)의 교점(122)까지 연장하여 절결부(120)를 크게 하여 두드러지도록 해도 된다.
또한, 발광 장치(1C)에 있어서, 패키지(100C) 대신 패키지(100B)를 사용해도 된다.
본 발명에 따른 실시 형태의 발광 장치는, 조명용 장치, 차량 탑재용 발광 장치 등에 이용할 수 있다.

Claims (22)

  1. 패키지의 형성 예정 영역에, 제1 전극과, 상기 제1 전극과는 상이한 제2 전극을 갖는 리드 프레임을 준비하는 공정과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상하로 분할된 몰드 금형의 상부 금형과 하부 금형 사이에 끼워넣는 공정과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 끼워넣어진 상기 몰드 금형 내에, 그 몰드 금형의 패키지의 형성 예정 영역의 외측이며 상기 제1 전극 옆에 형성되는 주입구로부터 제1 수지를 주입하는 공정과,
    주입된 상기 제1 수지를 경화 또는 고화하는 공정과,
    상기 제1 수지를 경화 또는 고화한 후, 상기 제1 전극의 옆으로부터 상기 제1 수지의 주입구의 주입 흔적을 절제하는 공정을 갖는 패키지의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 준비된 상기 리드 프레임에는, 상기 제1 전극 옆에 제1 공간이 형성되어 있고, 상기 제1 공간으로부터 상기 제1 수지를 주입하는 패키지의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 준비된 상기 리드 프레임은, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 이격되어 있는 패키지의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 주입 흔적을 절제하는 공정은, 상기 리드 프레임과 상기 제1 수지를 동시에 절단하는 패키지의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 몰드 금형은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 형성하는 벽부에 상당하는 오목부를 갖고, 상기 오목부에 상기 제1 수지를 주입하는 패키지의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 몰드 금형을 사용하여 성형되는 제1 수지는,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 고정함과 함께 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 바닥면의 적어도 일부가 구성되는 바닥이 있는 오목부에 있어서의 측벽을 구성하는 벽부와,
    상기 벽부로부터 외측으로 돌출된 플랜지부를 갖고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 한쪽은, 상기 벽부로부터 외측으로 돌출된 아우터 리드부를 갖고,
    상기 플랜지부는, 평면에서 보아 상기 아우터 리드부의 양 옆에 상기 아우터 리드부와 동일한 두께로 형성되는 패키지의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 수지를 주입하는 공정은, 트랜스퍼 몰드인 패키지의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 수지에는, 광 반사 부재가 혼합되어 있는 패키지의 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 준비된 상기 리드 프레임은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 한쪽에 있어서 상기 패키지의 형성 예정 영역의 외측 테두리에 걸치는 위치에 관통 구멍을 갖고 있으며,
    상기 주입 흔적을 절제하는 공정에 있어서, 상기 패키지의 형성 예정 영역의 외측 테두리에서 상기 리드 프레임을 절단하는 패키지의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 리드 프레임을 준비하는 공정은,
    판형 부재에 대하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 되는 영역의 주위에 상기 관통 구멍을 포함하는 복수의 간극부를 형성하는 공정과,
    상기 복수의 간극부가 형성된 판형 부재를 도금하는 공정을 포함하는 패키지의 제조 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패키지의 형성 예정 영역은, 평면에서 보아 직사각형이며, 대향하여 배치되는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 상기 제1 전극 측의 외측 테두리인 제1 테두리부, 상기 제1 테두리부와 인접하는 제2 테두리부, 상기 제2 테두리부와 인접하고 상기 제1 테두리부와 대향하는 제3 테두리부 및 상기 제1 테두리부와 상기 제3 테두리부와 인접하는 제4 테두리부를 갖고,
    준비된 상기 리드 프레임은, 평면에서 보아 상기 제2 테두리부 및 상기 제4 테두리부로부터 상기 패키지의 형성 예정 영역 내까지 돌출된 행거 리드를 갖고 있는 패키지의 제조 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 따른 상기 패키지의 제조 방법에 있어서의 전체 공정과,
    상기 제1 수지를 경화 또는 고화한 후로서 상기 주입 흔적을 절제하는 공정 전 또는 후 중 어느 하나의 타이밍에, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 발광 소자를 실장하는 공정을 갖는 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 발광 소자를 실장하는 공정 후, 제2 수지를 도포하고, 상기 발광 소자를 밀봉하는 공정을 더 갖는 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제1 전극과,
    상기 제1 전극과 극성이 상이한 제2 전극과,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 고정함과 함께 바닥면의 적어도 일부가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로 구성되는 바닥이 있는 오목부의 측벽을 구성하는 벽부와,
    평면에서 보아 상기 벽부로부터 외측으로 돌출된 플랜지부를 구비하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 한쪽은, 평면에서 보아 상기 벽부로부터 외측으로 돌출된 아우터 리드부를 갖고,
    상기 아우터 리드부는 선단에 제2 오목부를 갖고,
    상기 플랜지부는, 평면에서 보아 상기 아우터 리드부의 양 옆에 상기 아우터 리드부와 동일한 두께로 설치되고,
    상기 제2 오목부에는 상기 플랜지부가 설치되어 있지 않은 패키지.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 모두가, 상기 제2 오목부를 갖는 아우터 리드부를 갖고,
    아우터 리드부 모두 평면에서 보아 양 옆에 상기 플랜지부를 갖고,
    상기 제2 오목부에 상기 플랜지부를 갖지 않은 패키지.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 패키지는, 제1 외측면, 상기 제1 외측면과 인접하는 제2 외측면, 상기 제2 외측면과 인접하고 상기 제1 외측면과 대향하는 제3 외측면 및 상기 제1 외측면과 상기 제3 외측면과 인접하는 제4 외측면을 갖고,
    상기 제1 외측면으로부터 상기 제1 전극의 아우터 리드부가 돌출되고,
    상기 제1 전극에 대향하여 상기 제3 외측면 측에 상기 제2 전극을 구비하고,
    상기 제2 외측면 및 상기 제4 외측면은 일부가 오목하게 되어 있는 패키지.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2 외측면 및 상기 제4 외측면의 일부의 제1 오목부는, 상기 아우터 리드부와 동일한 두께인, 패키지.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제2 외측면 및 상기 제4 외측면에, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 노출되어 있지 않은 패키지.
  19. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 벽부와 상기 플랜지부는 동일 재료로 일체적으로 형성되어 있는 패키지.
  20. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 아우터 리드부는, 상면과 하면 및 상기 제2 오목부의 측면이 도금되어 있고, 선단면이 상기 제2 오목부의 측면을 제외하고 도금되어 있지 않은 패키지.
  21. 제14항 또는 제15항에 따른 패키지와,
    상기 패키지의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 한쪽에 적재된 발광 소자를 갖는 발광 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 발광 소자가 제2 수지로 덮인 발광 장치.
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