KR20160031817A - 웨이퍼 연마 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 장치로서, 상기 웨이퍼를 지지하는 한쌍의 연마 헤드, 상기 연마 헤드의 하부에 부착되면서, 웨이퍼의 후면이 접촉하는 템플레이트 어셈블리 및 상기 웨이퍼의 전면과 접촉되며 웨이퍼의 연마가 이루어지는 연마 패드를 포함하고, 상기 템플레이트 어셈블리는, 상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드와, 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드의 가장자리에 부착되는 가이드 링으로 이루어지고, 상기 연마 패드는 상기 연마 헤드에 지지된 각각의 웨이퍼의 최외각 부분과 접하도록 그 외주부가 일정부분 제거되어 가공 형성될 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 에지 영역이 접촉하는 연마 패드를 상기 웨이퍼가 소정의 시간동안 이탈하도록 연마됨으로써 웨이퍼 에지 영역의 연마량을 조절하여 웨이퍼의 전체적인 평탄도 품질을 개선할 수 있다.

Description

웨이퍼 연마 장치{Apparatus for Grinding Wafer}

본 발명은 웨이퍼 연마 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 에지 부분의 과연마를 방지하여 웨이퍼의 평탄도를 개선할 수 있는 웨이퍼 연마 장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자 등의 전자부품을 생산하기 위해 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)는 여러 단계의 과정을 거쳐 제조될 수 있다.

우선, 반응 챔버에서 도가니 내부에 폴리실리콘을 충진시키고, 상기 도가니를 회전시키면서 소정의 길이와 직경을 갖는 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다. 이어서, 성장된 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 얇게 절단하는 슬라이싱 공정(slicing)을 거치게 되는데, 절단된 웨이퍼의 표면에는 요철이 생기므로 웨이퍼의 표면을 연마하는 평탄화 공정을 실시해야 한다.

도 1은 종래의 웨이퍼 연마 장치를 나타낸 단면도이다.

도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 연마 장치는 연마 패드(17) 상에 웨이퍼를 파지하는 템플레이트 어셈블리가(15)가 배치되고, 템플레이트 어셈블리(15)의 내부에는 웨이퍼가 흡착되어 소정의 압력으로 연마 패드(17)에 접촉되고, 상기 템플레이트 어셈블리(15)의 상면은 러버 척(11)에 부착되며, 상기 러버 척(11)은 연마 헤드(12)에 결합된다.

상기 템플레이트 어셈블리(15)는 백 패드(13)라 불리는 원반형의 패드로 이루어지고, 상기 백 패드(13) 가장자리에는 가이드 링(14)이 부착되며, 상기 가이드 링(14)은 에폭시 글라스와 같은 물질이 링 형상으로 적층되어 결합된다. 에어 패드 내로 전달되는 압력이 상기 백 패드(13)로 전달되어, 웨이퍼와 연마 패드가 소정의 압력으로 접촉되어 연마가 진행된다.

도 2는 웨이퍼 연마 장치 중에서 웨이퍼의 에지 부분이 연마 패드와 접촉하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 두께보다 가이드 링(14)의 두께가 작은 경우에는, 연마 패드(14)와 웨이퍼 에지부의 압력이 증가하여 웨이퍼 에지부분의 연마량이 다른 부분에 비해 증가하게 된다.

반면에, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 두께보다 가이드 링(14)의 두께가 큰 경우에는, 웨이퍼와 가이드 링(14) 사이에 위치하는 연마 패드(17)가 부풀어 오르는 현상이 발생한다. 이러한 현상에 의해 웨이퍼의 중심 부분에 비해 상대적으로 에지 부분이 과연마되며, 가이드 링(14)이 연마 패드와 접촉되어 슬러리의 유입이 차단되고 이는 웨이퍼의 전체적인 연마량을 현저히 감소시키게 되며, 웨이퍼의 품질을 악화시키는 문제가 발생된다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 에지 부분이 다른 부분에 비해 과연마되는 것을 방지하여 웨이퍼의 ERO(Edge Roll off) 및 전체적인 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 연마 장치 및 연마 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 웨이퍼의 평탄도를 개선시킴과 동시에, 웨이퍼에 대한 전체적인 연마량을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 연마 장치 및 연마 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 실시예는 웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 장치로서, 상기 웨이퍼를 지지하는 한쌍의 연마 헤드; 상기 연마 헤드의 하부에 부착되면서, 웨이퍼의 후면이 접촉하는 템플레이트 어셈블리; 및 상기 웨이퍼의 전면과 접촉되며 웨이퍼의 연마가 이루어지는 연마 패드를 포함하고, 상기 템플레이트 어셈블리는, 상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드와, 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드의 가장자리에 부착되는 가이드 링으로 이루어지고, 상기 연마 패드는 상기 연마 헤드에 지지된 각각의 웨이퍼의 최외각 부분과 접하도록 그 외주부가 일정부분 제거되어 가공 형성될 수 있다.

본 발명의 실시예는 정반 상부에 배치된 한쌍의 연마 헤드에 웨이퍼가 부착되고, 상기 연마 헤드가 정반 상면에 부착된 연마 패드로 하강하여 접촉한 후에 웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 웨이퍼 연마장치를 사용하는 연마 방법으로서, 상기 각각의 웨이퍼의 최외각 지점이 상기 연마 패드 외주면의 일지점과 일치하도록 상기 연마 패드를 가공하는 단계; 일정한 거리로 이격된 연마 헤드에 웨이퍼를 파지한 상태로, 상기 웨이퍼를 정반 상면에 부착된 연마 패드와 접촉시키는 단계; 및 상기 웨이퍼의 에지 영역이 상기 연마 패드에서 이탈되도록 상기 연마 헤드를 오실레이션 구동시키는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 웨이퍼 연마 장치는 연마 패드를 상기 웨이퍼의 에지부가 소정의 시간동안 이탈하도록 연마됨으로써 웨이퍼 에지 영역의 연마량을 조절하여 웨이퍼의 전체적인 평탄도 품질을 개선할 수 있다.

본 발명의 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼를 지지하는 템플레이트 어셈블리에 구성되는 가이드 링이 상기 웨이퍼의 두께보다 작게 형성됨으로써, 웨이퍼와 연마 패드 사이로 슬러리의 유입이 원할하게 이루어지고 웨이퍼의 전체적인 연마량이 개선되어 웨이퍼의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.

도 1은 일반적인 웨이퍼 연마 장치를 나타낸 평면도
도 2는 웨이퍼 연마 장치 중에서 웨이퍼의 에지 부분이 연마 패드와 접촉하는 부분을 나타낸 단면도
도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치를 위에서 바라본 평면도
도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 단면도
도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치 중에서 웨이퍼의 에지 부분을 확대하여 나타낸 단면도
도 6은 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치로 웨이퍼를 연마하는 방법을 나타낸 도면
도 7은 다른 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 평면도
도 8은 다른 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치로 웨이퍼를 연마하는 방법을 나타낸 도면

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.

도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치를 위에서 바라본 평면도이며, 도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 단면도이다.

도 3과 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치는 정반(21) 상에 연마 패드(22)가 부착되고, 상기 연마 패드(22) 상에는 한 쌍의 웨이퍼(w)를 파지하면서 상기 웨이퍼가 연마 패드와 접촉하도록 하강하는 한 쌍의 연마 헤드(26)로 이루어질 수 있다. 상기 연마 헤드(26)는 하나의 웨이퍼에 대한 연마를 수행하며, 연마 패드 상에서 서로 소정의 거리만큼 이격되어 형성된다. 연마 헤드(26) 상부에는 각각의 연마 헤드를 고정시키는 고정 수단이 마련되며, 연마 헤드가 웨이퍼에 대해 이동할 수 있도록 구동 수단이 마련될 수 있다.

도 4를 참조하면, 웨이퍼 연마 장치에서 연마 헤드 상부에 위치하는 구성은 제외한 도면을 나타내고 있다. 본 발명에서 정반 상에 부착되는 연마 패드(22)는 연마 헤드(26)가 좌측 또는 우측 방향으로 움직임에 따라 웨이퍼의 에지 부분이 상기 연마 패드(22)를 이탈할 수 있도록 형성된다. 한쌍의 웨이퍼가 연마 패드(22)에 접촉하였을시, 연마 패드 내부에 각 웨이퍼의 표면이 모두 접촉되도록 형성될 수 있으며, 각 웨이퍼의 외주부 중에서 최외각 지점과 연마 패드의 일면이 서로 접촉되도록 형성될 수 있다.

즉, 상기와 같은 구조는 연마 패드 상에 접촉하고 있는 한 쌍의 웨이퍼가 서로 소정의 간격으로 이격된 채로 고정되어 있고, 상기 웨이퍼들을 지지하며 구동시키는 수단이 어느 한쪽으로 움직이면 상기 웨이퍼 중에서 어느 하나의 에지부가 상기 연마 패드 상에서 이탈되도록 형성된다.

도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치 중에서 웨이퍼의 에지 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.

도 5를 참조하면, 웨이퍼의 전면은 연마 패드(22)에 접촉되고 후면은 백 패드(24)에 접촉된다. 상기 백 패드(24)의 외주부에는 웨이퍼의 연마 가공시 웨이퍼가 연마 헤드(26)에서 이탈되는 것을 방지하기 위하여 가이드 링(23)이 소정의 두께 만큼 적층되어 형성될 수 있다. 본 실시예에서 상기 가이드 링(23)은 웨이퍼(w)의 두께보다 작게 설정되어 형성될 수 있고, 에폭시 글라스와 같은 물질이 여러겹 적층되어 형성될 수 있다.

즉, 본 실시예에서는 가이드 링(23)의 두께가 웨이퍼의 두께보다 작게 설정됨으로써, 연마 공정 중에 웨이퍼와 연마 패드(22) 사이로 슬러리와 같은 연마재가 용이하게 침투할 수 있다. 그리고, 가이드 링(23) 하부에 연마 패드(22)가 존재하지 않는 영역이 형성되므로, 연마 패드(22)와 가이드 링(23)이 흡착되는 문제 또한 방지할 수 있다.

도 6은 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치로 웨이퍼를 연마하는 방법을 나타낸 도면이다. 도 6을 참조하면, (a) 단계에서 한 쌍의 연마 헤드(26)는 하나의 웨이퍼를 파지한 상태로 연마 패드 상에서 소정의 거리로 이격되어 있다.

즉, 웨이퍼에 대한 연마가 수행되기 전 단계로서, 웨이퍼가 연마 패드에 접촉하였을시 각 웨이퍼의 최외각 부분이 연마 패드 외주면의 일지점에 일치하도록 연마 패드의 외주부가 소정의 영역만큼 가공될 수 있다.

(b) 단계에서는 연마 헤드(26)가 연마 패드의 중심을 기준으로 좌측으로 a 만큼 이동하여 연마가 이루어진다. 한 쌍의 연마 헤드는 하나의 구동수단에 고정되어 있어, 연마 패드 내에서 동일한 거리만큼 이동하게 된다.

(c) 단계에서는 연마 헤드(26)가 연마 패드의 중심을 기준으로 우측으로 a 만큼 이동하여 연마가 이루어진다.

(d) 단계에서는 연마 헤드(26)가 (a)와 같이 초기 위치로 원상 복귀하며, 다시 (b) 단계의 연마가 반복된다. 즉, 웨이퍼는 연마 패드 상에서 좌우로 오실레이션(Oscillation)되며 각 단계의 위치로 이동하는 동안 연마는 연속적으로 이루어진다. 특히 (b) 단계 및 (c) 단계에서는 어느 한쪽의 웨이퍼 에지 부분이 소정의 시간동안 연마 패드를 이탈한 채로 웨이퍼의 연마가 이루어진다. 상기와 같은 연마 헤드의 오실레이션 구동에 의해서 웨이퍼는 연마 패드와 미접촉하는 구간이 형성되며, 미접촉 구간은 웨이퍼 직경의 5% 이하가 되도록 오실레이션 구동을 제어하는 것이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다.

상술한 바와 같은 웨이퍼 연마 방법에 의해서, 웨이퍼 에지 부분이 소정의 시간동안 연마 패드에서 이탈한 채로 연마가 수행되므로 웨이퍼 에지 부분이 과연마 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 일정 부분이 연마 패드를 이탈하게 되면 웨이퍼와 연마 패드의 접촉면이 작아져 웨이퍼에 가해지는 압력이 커지게 되고, 웨이퍼에 대한 전체적인 연마량이 증가하게 된다.

따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마 장치는 연마 패드 상에서 웨이퍼의 에지 영역이 소정의 시간동안 이탈한 채로 연마됨으로써 웨이퍼 에지 영역의 연마량을 조절하여 웨이퍼의 전체적인 평탄도 품질을 개선할 수 있다.

도 7은 다른 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 평면도이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예는 도 3에 개시된 실시예에 비해서 연마 패드가 상이하게 형성될 수 있다.

상기 연마 패드(22)의 중심부는 소정의 직경(B)을 갖는 원형의 영역이 제거되도록 가공될 수 있으며, 외주부 또한 소정의 폭만큼 제거되도록 가공될 수 있다. 즉, 상기 연마 패드의 외주면과 상기 웨이퍼의 외주면은 적어도 한지점에서 일치하도록 형성되며, 상기 연마 패드의 중심부에는 소정의 직경을 갖는 원형의 관통부가 마련되고, 상기 관통부는 상기 각 웨이퍼와 일지점에서 접촉하게 된다.

따라서, 상기와 같이 가공된 연마 패드(22)는 A의 폭을 갖는 링 형상의 가공면이 형성되며, 상기 A의 폭에 해당하는 부분에 웨이퍼의 표면이 접촉하게 된다. 웨이퍼의 직경(A)에 따라 상기 B의 직경이 결정될 수 있다.

연마 패드의 비가공 영역의 폭인 B는 A보다 작게 형성될 수 있으나, 이는 웨이퍼의 직경에 따라 달라질 수 있다. 즉, 실시예는 연마 헤드의 움직임에 따라 웨이퍼(w)의 에지 영역과 연마 패드(22) 사이에 서로 접촉하지 않는 영역이 형성되도록 가공될 수 있다.

도 8은 다른 실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치로 웨이퍼를 연마하는 방법을 나타낸 도면이다.

도 8을 참조하면, (a) 단계에서 한 쌍의 연마 헤드(26)는 각각 하나의 웨이퍼를 파지한 상태로 연마 패드 상에서 소정의 거리로 이격되어 있으며, 상기 웨이퍼를 정반 상부에 부착된 연마 패드와 접촉시킨다. 그리고, 상기 연마 패드의 외주면과 상기 웨이퍼의 최외각 부분의 한지점에서 일치하도록 상기 연마 패드의 외주면을 가공할 수 있다.

그리고, 연마 패드(22)의 중심부는 각 웨이퍼의 최내각 부분과 접하거나 더 작은 원형으로 연마 패드가 가공될 수 있다. 상기와 같은 초기 위치에서 웨이퍼와 연마 패드 간의 연마가 시작된다.

(b) 단계에서는 연마 헤드(26)가 연마 패드의 중심을 기준으로 좌측으로 a 만큼 이동하여 연마가 이루어진다. 한 쌍의 연마 헤드는 하나의 구동수단에 고정되어 있어, 연마 패드 내에서 동일한 거리만큼 이동하게 된다. 이 때, 좌측에 위치한 웨이퍼는 연마 패드와 좌측단이 일치하므로, a 만큼 연마 패드에서 이탈하여 연마가 진행되며, 우측에 위치한 웨이퍼는 연마 패드가 좌측 방향으로 더 길게 연장 형성되어 있어 b 만큼 연마 패드에서 이탈하여 연마가 진행된다.

(c) 단계에서는 연마 헤드(26)가 연마 패드의 중심을 기준으로 우측으로 a 만큼 이동하여 연마가 이루어지며, 우측에 위치한 웨이퍼는 a 만큼 연마 패드에서 이탈하여 연마가 진행되며, 좌측에 위치한 웨이퍼는 b 만큼 연마 패드에서 이탈하여 연마가 진행된다.

(d) 단계에서는 연마 헤드(26)가 (a) 단계와 같이 초기 위치로 원상 복귀하며, 다시 (b) 단계의 연마가 반복된다. 즉, 웨이퍼는 연마 패드 상에서 좌우로 오실레이션(Oscillation)되며 각 단계의 위치로 이동하는 동안 연마는 연속적으로 이루어진다.

도 6과는 달리 도 8에 개시된 실시예는 연마 헤드가 어느 한쪽의 방향으로 이동시에, 모든 웨이퍼의 에지부의 일부가 연마 패드 상에서 이탈하는 구간이 발생하게 된다.

특히 (b) 단계 및 (c) 단계에서는 웨이퍼 에지 부분이 소정의 시간동안 연마 패드를 이탈한 채로 웨이퍼의 연마가 이루어진다. 상기와 같은 연마 헤드의 오실레이션 구동에 의해서 웨이퍼는 연마 패드와 미접촉하는 구간이 형성되며, 미접촉 구간은 웨이퍼 직경의 5% 이하가 되도록 오실레이션 구동을 제어하는 것이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다.

실시예에서는 연마 패드의 중심부에 웨이퍼가 접촉되지 않는 영역이 추가적으로 형성됨으로써, 웨이퍼 에지 영역의 연마량을 더욱 정밀하게 제어할 수 있다.

상술한 바와 같은 웨이퍼 연마 방법에 의해서, 웨이퍼 에지 부분이 연마 헤드의 움직임에 따라 소정의 시간동안 연마 패드를 이탈하게 되므로, 웨이퍼 에지 부분이 과연마 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 실시예는 연마 헤드에 지지된 두개의 웨이퍼가 모두 일정 부분이 연마 패드를 이탈하게 되므로, 웨이퍼의 에지 영역의 과연마를 조절하여 웨이퍼의 평탄도 품질을 향상시킬 수 있다.

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

21: 정반
22: 연마 패드
23: 가이드 링
24: 백 패드
25: 템플레이트 어셈블리
26: 연마 헤드

Claims (10)

1. 웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 장치로서,
   상기 웨이퍼를 지지하는 한쌍의 연마 헤드;
   상기 연마 헤드의 하부에 부착되면서, 웨이퍼의 후면이 접촉하는 템플레이트 어셈블리; 및
   상기 웨이퍼의 전면과 접촉되며 웨이퍼의 연마가 이루어지는 연마 패드를 포함하고,
   상기 템플레이트 어셈블리는,
   상기 웨이퍼의 후면과 접촉하는 백 패드와,
   상기 웨이퍼를 둘러싸도록 상기 백 패드의 가장자리에 부착되는 가이드 링으로 이루어지고,
   상기 연마 패드는 상기 연마 헤드에 지지된 각 웨이퍼의 최외각 지점과 접하도록 그 외주부가 소정의 폭만큼 제거되어 가공 형성되는 웨이퍼 연마 장치.
2. 제 1항에 있어서,
   상기 가이드 링의 두께는 상기 웨이퍼의 두께보다 작도록 형성되는 웨이퍼 연마 장치.
3. 제 1항에 있어서,
   상기 연마 패드의 외주면과 상기 웨이퍼의 외주면은 적어도 한지점에서 일치하도록 형성되는 웨이퍼 연마 장치.
4. 제 1항에 있어서,
   상기 웨이퍼는 상기 연마 헤드가 일방향으로 움직임에 따라 에지 영역이 상기 연마 패드 상에서 소정의 시간동안 이탈하는 웨이퍼 연마 장치.
5. 제 1항에 있어서,
   상기 연마 패드의 중심부에는 소정의 직경을 갖는 원형의 관통부가 마련되며, 상기 관통부는 상기 각 웨이퍼와 일지점에서 접촉하는 웨이퍼 연마 장치.
6. 제 1항에 있어서,
   상기 연마 헤드가 고정되는 고정 수단과 상기 고정 수단을 소정의 방향으로 움직이도록 구동시키는 구동 수단을 포함하는 웨이퍼 연마 장치.
7. 정반 상부에 배치된 한쌍의 연마 헤드에 웨이퍼가 부착되고, 상기 연마 헤드가 정반 상면에 부착된 연마 패드로 하강하여 접촉한 후에 웨이퍼에 대한 연마를 수행하는 웨이퍼 연마장치를 사용하는 연마 방법으로서,
   상기 각각의 웨이퍼의 최외각 지점이 상기 연마 패드 외주면의 일지점과 접촉하도록 상기 연마 패드를 가공하는 단계;
   일정한 거리로 이격된 연마 헤드에 웨이퍼를 파지한 상태로, 상기 웨이퍼를 정반 상면에 부착된 연마 패드와 접촉시키는 단계; 및
   상기 웨이퍼의 에지 영역이 상기 연마 패드에서 이탈되도록 상기 연마 헤드를 오실레이션 구동시키는 단계;
   를 포함하는 웨이퍼 연마 방법.
8. 제 7항에 있어서,
   상기 연마 패드를 가공하는 단계는,
   상기 연마 패드 중심부에 상기 각 웨이퍼의 최내각 지점과 일치하는 원의 영역을 제거하여 관통부를 형성하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 연마 방법.
9. 제 7항에 있어서,
   상기 연마 헤드가 일정한 방향으로 구동함에 따라, 어느 하나의 웨이퍼의 에지 영역이 상기 연마 패드 상에서 이탈된채로 소정의 시간동안 연마되는 웨이퍼 연마 방법.
10. 제 8항에 있어서,
    상기 연마 헤드가 일정한 방향으로 구동함에 따라, 상기 한쌍의 웨이퍼는 상기 관통부와 상기 외주면을 지나면서 각각 에지 영역의 일부가 이탈된 채로 소정의 시간동안 연마되는 웨이퍼 연마 방법.

Images