CN113001262B - 工件的磨削方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供工件的磨削方法，适当地对硬质且厚的工件进行磨削。工件的磨削方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台的平坦的保持面对该工件进行保持；以及磨削步骤，一边使磨削磨轮绕磨轮旋转轴进行旋转而使磨削磨具在环状轨迹上移动，一边使该保持工作台绕工作台旋转轴进行旋转，使磨削单元和该保持工作台相对地接近而使该磨削磨具与该工件的上表面抵接而对该工件进行磨削，在该磨削步骤中，该环状轨迹相对于该保持工作台的该保持面倾斜，按照该环状轨迹在该保持面的中心的上方与该保持面的外周的上方之间的区域中最接近该保持面的状态使该磨削磨具与该工件的该上表面抵接。

Description

工件的磨削方法

技术领域

本发明涉及利用磨削磨具对工件进行磨削而使该工件的被磨削面平坦化的工件的磨削方法。

背景技术

在制造搭载有能够进行高温动作且高耐压的功率器件或LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成电路)等器件的器件芯片时，例如使用圆板状的SiC(碳化硅)晶片。当在SiC晶片的正面上设置多个器件并将SiC晶片分割成每个器件时，得到各个器件芯片。

圆板状的SiC晶片通过将圆柱状的SiC锭(例如，六方晶单晶锭)切断的方法来制造。例如，将能够透过SiC的波长的激光束的聚光点定位于相当于要制造的晶片的厚度的深度，向SiC锭照射该激光束。于是，SiC分离为Si和C，并且裂纹沿着c面延伸，形成改质层。以该改质层为剥离起点将SiC锭切断(参照专利文献1)。

关于SiC锭，通过使SiC晶种生长而形成在前端具有生长端面的圆柱状的锭生长基台，将该锭生长基台的包含该生长端面在内的前端部切断来制造。这里，在锭生长基台的切断中例如使用线锯。而且，SiC锭在切断面和该生长端面的任意一个上都具有微小的凹凸。

因此，在为了制造SiC晶片而在该状态下向SiC锭照射激光束的情况下，激光束在具有微小的凹凸的面上紊乱，因此难以如期望那样形成改质层。因此，对从锭生长基台切断的SiC锭的该生长端面和该切断面实施以去除微小的凹凸为目的的磨削。

另外，公知有对各种工件进行磨削的磨削装置。该磨削装置具有：保持工作台，其上表面成为对工件进行保持的保持面；以及磨削单元，其配设于该保持工作台的上方。磨削单元具有安装有呈圆环状排列的磨削磨具的磨削磨轮。而且，磨削装置能够使保持工作台绕通过保持面的中心的工作台旋转轴进行旋转，并且能够使磨削磨轮进行旋转而使磨削磨具在环状轨迹上进行旋转。

在利用磨削装置对工件进行磨削时，首先，将工件载置在保持工作台上，对工件作用负压而对该工件进行吸引保持。然后，一边使保持工作台和磨削磨轮分别进行旋转，一边使磨削单元下降，使在环状轨迹上移动的磨削磨具与工件的上表面接触。于是，对工件进行磨削。这里，为了高品质且高效地对工件的上表面进行磨削，保持工作台的保持面成为稍微倾斜的圆锥面。

在磨削装置中，预先调整保持工作台和磨削单元的位置和朝向，以使保持工作台的圆锥面状的保持面的母线与该环状轨迹保持平行，并且使该环状轨迹与保持工作台的保持面的中心重叠。在该情况下，当利用保持工作台对工件进行吸引保持时，工件追随保持面的形状而变形。而且，当一边使保持工作台和磨削单元进行旋转一边使磨削单元下降时，磨削磨具在从该工件的上表面的外周部至中心的区域中与该上表面接触。

专利文献1：日本特开2016-111143号公报

在利用磨削装置对由SiC锭等硬质且厚的部件构成的工件进行磨削时，即使要利用保持工作台对该工件进行吸引保持，该工件也难以以追随保持面的形状的方式变形。因此，有时产生工件向保持工作台的吸附不良、磨削后的工件的厚度的精度恶化以及工件的上表面上的磨削强度不均匀等问题。即，不容易适当地对硬质且厚的工件进行磨削。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够适当地对硬质且厚的工件进行磨削的工件的磨削方法。

根据本发明的一个方式，提供一种工件的磨削方法，在磨削装置中对该工件进行磨削，该磨削装置具有：保持工作台，其在上部具有对该工件进行吸引保持的保持面，该保持工作台能够绕贯穿该保持面的中心的工作台旋转轴进行旋转；磨削单元，其配设于该保持工作台的上方，具有磨削磨轮和电动机，该磨削磨轮呈环状配设有对该保持工作台所保持的该工件进行磨削的磨削磨具，该电动机使该磨削磨轮绕磨轮旋转轴进行旋转，当通过该电动机使该磨削磨轮进行旋转时，该磨削磨具在环状轨迹上移动，该环状轨迹通过该保持工作台的该保持面的该中心的上方；以及升降单元，其使该磨削单元与该保持工作台沿着该工作台旋转轴的延伸方向相对地移动，其特征在于，该工件的磨削方法具有如下的步骤：保持步骤，利用该保持工作台的平坦的该保持面对该工件进行保持；以及磨削步骤，一边使该磨削磨轮绕该磨轮旋转轴进行旋转而使该磨削磨具在该环状轨迹上移动，一边使该保持工作台绕该工作台旋转轴进行旋转，利用该升降单元使该磨削单元与该保持工作台相对地接近并使该磨削磨具与该工件的上表面抵接而对该工件进行磨削，在该磨削步骤中，该环状轨迹相对于该保持工作台的该保持面倾斜，按照该环状轨迹在该保持面的该中心的上方与该保持面的外周的上方之间的区域中最接近该保持面的状态使该磨削磨具与该工件的该上表面抵接。

优选的是，在该磨削步骤中，该环状轨迹在该区域的该保持面的该中心的上方与该保持面的外周的上方的中间点处最接近该保持面。

在本发明的一个方式的工件的磨削方法中，使用具有保持面平坦的保持工作台的磨削装置。因此，与保持面为圆锥面的情况不同，在利用保持工作台对工件进行保持时不需要使工件变形，即使是硬质且厚的工件，也能够利用保持工作台适当地保持。

而且，在本发明的一个方式的工件的磨削方法中，使磨削磨具的环状轨迹相对于该保持面倾斜，按照该环状轨迹在该保持面的外周的一端的上方的区域与该保持面的中心的上方的区域之间的区域中最接近该保持面的状态下对工件进行磨削。于是，与保持面为圆锥面的情况相同，能够高品质且高效地对成为工件的被磨削面的上表面进行磨削。

因此，根据本发明，提供能够适当地对硬质且厚的工件进行磨削的工件的磨削方法。

附图说明

图1是示意性地示出磨削单元和升降单元的立体图。

图2是示意性地示出磨削单元和对工件进行吸引保持的保持工作台的立体图。

图3是示意性地示出磨削单元和对工件进行吸引保持的保持工作台的侧视图。

图4是示意性地示出利用磨削单元对工件进行磨削的情形的侧视图。

图5是示意性地示出磨削磨具的环状轨迹与保持工作台的位置关系的俯视图。

图6的(A)是示出工件的磨削方法的一个方式的各步骤的流程的流程图，图6的(B)是示出SiC晶片的制造方法中的各步骤的流程的流程图。

图7的(A)是示意性地示出磨削前的工件的剖视图，图7的(B)是示意性地示出磨削后的工件的剖视图。

图8的(A)是示意性地示出在工件的内部形成有改质层的情形的剖视图，图8的(B)是示意性地示出将晶片分离后的工件的剖视图。

标号说明

1：工件；1a、3a：上表面；1b、3b：下表面；3：SiC锭；2：磨削装置；4：保持工作台；6：磨削单元；8：升降单元；10：保持面；10a：中心；10b：外周；10c：中间点；12：工作台基座；14：多孔质部件；16：框体；18：工作台旋转轴；20：支承部；22：导轨；24：移动板；26：滚珠丝杠；28：脉冲电动机；30：主轴壳体；32：主轴；34：磨轮安装座；36：磨削磨轮；38：磨削磨具；38a：最低点；40：磨轮旋转轴；42：环状轨迹；44：接触区域；46：激光加工单元；48：激光束；50：聚光点；52：改质层。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式进行说明。在本实施方式的工件的磨削方法中，利用磨削装置对工件进行磨削而使其薄化。首先，对工件进行说明。在图2中包含示意性地示出工件1的立体图。

工件1例如是由Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)或其他半导体等材料形成的大致圆柱状的锭等。将锭切断而形成圆板状的晶片，在晶片的正面上呈矩阵状配置多个器件，当将晶片分割成每个器件时，得到各个器件芯片。

近年来，作为在制造搭载有能够进行高温动作且高耐压的功率器件或LSI等器件的器件芯片时使用的晶片，着眼于SiC晶片。SiC晶片通过将SiC锭(例如，六方晶单晶锭)切断而形成。在制造SiC锭时，首先，使SiC晶种生长而形成在前端具有生长端面的圆柱状的锭生长基台。然后，利用线锯等将锭生长基台切断而得到圆柱状的SiC锭。

在将SiC锭切断时，向SiC锭照射对于SiC具有透过性的激光束。此时，将该激光束的聚光点定位于相当于要制造的SiC晶片的厚度的规定的深度位置，一边使该聚光点相对地水平移动一边向SiC锭照射该激光束。于是，SiC分离为Si和C，并且裂纹沿着c面延伸，在SiC锭中形成作为剥离起点的改质层。

然后，当以改质层为起点将SiC锭切断时，得到SiC晶片。然后，在剥离了SiC晶片后的SiC锭中同样地形成改质层，将SiC晶片依次从SiC锭剥离。

但是，当激光束的被照射面粗糙且形成有凹凸时，激光束在该被照射面上紊乱，无法适当地对该激光束进行聚光。因此，对通过线锯从锭生长基台切出的SiC锭或以改质层为起点剥离了SiC晶片后的SiC锭实施磨削。另外，由于在所得到的SiC晶片的切断面上残留比较小的凹凸，因此对该SiC晶片实施磨削。

在工件1(SiC锭或SiC晶片等)的磨削中使用磨削装置2。以下，对利用磨削装置2对SiC锭或SiC晶片等工件1进行磨削的情况进行说明，但本实施方式的工件的磨削方法中的工件1并不限定于此。

接着，对实施本实施方式的工件的磨削方法的磨削装置2进行说明。磨削装置2具有：保持工作台4，其对工件1进行吸引保持；磨削单元6，其对保持工作台4所保持的工件1进行磨削；以及升降单元8，其使磨削单元6和保持工作台4相对地升降。图1是示意性地示出磨削单元6和升降单元8的立体图。另外，图2是示意性地示出磨削单元6和对工件1进行吸引保持的保持工作台4的立体图。

保持工作台4载置于工作台基座12来使用。保持工作台4例如在上部具有由直径与工件1的直径对应的陶瓷等形成的多孔质部件14。多孔质部件14被收纳于具有凹部的框体16的该凹部，向保持工作台4的上方露出。在保持工作台4的框体16的内部形成有一端与多孔质部件14连通且另一端与吸引源(未图示)连通的未图示的吸引路。

多孔质部件14的露出的上表面作为对工件1进行吸引保持的保持面10而发挥功能。当将工件1载置于保持工作台4的保持面10上，使该吸引源进行动作而通过该吸引路和多孔质部件14对工件1作用负压时，工件1被保持工作台4吸引保持。另外，在保持工作台4(工作台基座12)的底部连接有电动机等旋转驱动源，保持工作台4能够绕以贯穿该保持面10的中心的方式设定的工作台旋转轴18进行旋转。

升降单元8使磨削单元6和保持工作台4沿着工作台旋转轴18的延伸方向相对地移动。在磨削装置2的后方侧竖立设置有壁状的支承部20，通过该支承部20借助升降单元8对磨削单元6进行支承。在支承部20的前表面上设置有沿着Z轴方向(铅垂方向)的一对导轨22。在各个导轨22上以能够滑动的方式安装有移动板24。

在移动板24的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示)，在该螺母部上螺合有与导轨22平行的滚珠丝杠26。滚珠丝杠26的一端部与脉冲电动机28连结。如果通过脉冲电动机28使滚珠丝杠26进行旋转，则移动板24沿着导轨22在Z轴方向上移动。

在移动板24的前表面侧固定有实施工件1的磨削加工的磨削单元6。如果使移动板24移动，则磨削单元6能够沿Z轴方向(加工进给方向)移动。即，升降单元8具有使磨削单元6朝向保持工作台4升降的功能。

磨削单元6具有通过与基端侧连结的电动机而进行旋转的主轴32。该电动机设置在主轴壳体30内。在该主轴32的前端(下端)配设有圆板状的磨轮安装座34，在该磨轮安装座34的下表面上安装有随着该主轴32的旋转而旋转的圆环状的磨削磨轮36。

在磨削磨轮36的下表面上具有以呈圆环状排列的方式配置的磨削磨具38。磨削磨具38包含金刚石等磨粒和将该磨粒分散固定的结合材料。这里，将作为磨削磨轮36的旋转中心的轴设为磨轮旋转轴40。磨轮旋转轴40沿着主轴32的延伸方向。当通过电动机使主轴32进行旋转而使磨削磨轮36绕磨轮旋转轴40进行旋转时，磨削磨具38在环状轨迹上旋转移动。

图5是示意性地示出作为磨削磨具38的移动路径的环状轨迹42与保持工作台4的位置关系的俯视图。在对工件1进行磨削时，按照使保持工作台4的上表面的中心10a重叠于环状轨迹42的方式将对工件1进行吸引保持的保持工作台4定位于规定的位置。因此，磨削磨具38在环状轨迹42上移动，该环状轨迹42通过保持工作台4的上表面的中心10a的上方的区域。

以往，保持工作台4的保持面10成为稍微倾斜的圆锥面。工件1仿照保持面10的形状变形并且被保持工作台4吸引保持。以往，在磨削装置2中，使保持工作台4的圆锥面状的保持面10的母线与环状轨迹42保持平行，并且一边使保持工作台4和磨削磨轮36分别进行旋转一边使磨削单元6下降。然后，磨削磨具38在从保持面10的中心10a至外周部的磨削区域中与工件1的上表面接触，工件1的上表面被一致地磨削。

但是，在对由SiC锭等硬质且厚的部件形成的工件1进行磨削的情况下，在利用保持工作台4对该工件1进行吸引保持时产生了问题。由于由硬质且厚的部件形成的工件1难以变形，因此即使从保持工作台4对工件1作用负压，工件1也不会以追随保持面10的形状的方式变形，该负压从该工件1与保持面10之间的间隙泄漏。因此，产生了工件1的保持不良，因而无法适当地对工件1进行磨削，难以使工件1的上表面1a适当地平坦化。

因此，在本实施方式的工件的磨削方法中，使用具有保持工作台4的磨削装置2，该保持工作台4具有平坦的保持面10而不具有圆锥面。如果保持面10平坦，则在对工件1进行吸引保持时不需要使工件1追随圆锥面而变形。因此，在利用保持工作台4对硬质且厚的工件1进行吸引保持时，不会产生保持不良。在该情况下，例如可以考虑使工作台旋转轴18与磨轮旋转轴40相互平行。

但是，在该情况下，在工件1的作为被磨削面的上表面1a上，磨削磨具38与工件1接触的磨削区域超过预先设定的范围而扩展。即，磨削区域超过工件1的上表面1a的外周的一端与上表面1a的中心之间而扩展至上表面1a的外周的另一端。

在该情况下，使主轴32旋转的电动机的电流值增大，并且磨削磨具38的消耗量增大，因此磨削工序所花费的成本增大，工件1的加工效率降低。此外，在工件1的上表面1a上显著地出现磨削磨具38的接触痕即被称为锯痕的凸形状。该锯痕使工件1的上表面1a的品质降低，并且也成为使工件1的抗折强度的分布产生偏差的原因。

因此，在本实施方式的工件的磨削方法中，不使工作台旋转轴18与磨轮旋转轴40相互平行。例如，在工作台旋转轴18沿着Z轴方向(铅垂方向)从而平坦的保持面10成为水平面时，使主轴32从Z轴方向倾斜。

在该情况下，在使主轴32进行旋转而使磨削磨轮36绕磨轮旋转轴40进行旋转时，磨削磨具38所通过的环状轨迹42相对于保持工作台4的保持面10倾斜。即，环状轨迹42与保持面10不平行，环状轨迹42的各处与保持面10的距离不恒定。因此，在环状轨迹42上移动的磨削磨具38接近或者远离保持面10。

在图3中包含示意性地示出磨轮旋转轴40相对于工作台旋转轴18倾斜并且环状轨迹42相对于保持面10倾斜的状态下的磨削单元6的侧视图。此外，在图3中包含示意性地示出该状态下的保持工作台4的剖视图。

调整保持工作台4和磨削单元6的相对位置并且调整主轴32的倾斜度，以使环状轨迹42在保持面10的中心10a的上方与保持面10的外周10b的上方之间的区域中最接近保持面10。此时，在环状轨迹42上移动的磨削磨具38的最低点38a被定位于该区域。而且，在本实施方式的工件的磨削方法中，在该状态下使磨削单元6下降而使磨削磨具38与工件1的上表面抵接。

这里，对使磨削磨具38所通过的环状轨迹42相对于保持工作台4的保持面10倾斜的方法进行说明。例如，在将磨削单元6向图1所示的升降单元8的移动板24进行固定时，可以考虑在使磨轮旋转轴40倾斜的状态下将磨削单元6固定于移动板24。另外，磨削单元6也可以以磨轮旋转轴40的方向可变的方式安装于移动板24。

此外，也可以不调整磨轮旋转轴40的朝向而调整工作台旋转轴18的朝向，从而使环状轨迹42相对于保持面10倾斜。例如，利用三个轴从下方对保持工作台4进行支承，调整三个轴中的至少两个轴的长度，从而使保持面10的朝向(工作台旋转轴18的朝向)变化。

在图4中包含示意性地示出对工件1进行磨削的磨削单元6的侧视图。此外，在图4中包含示意性地示出对所磨削的工件1进行吸引保持的保持工作台4的剖视图。在对工件1进行磨削时，首先，磨削磨具38在最低点38a接触工件1的上表面1a。

当使磨削单元6进一步下降时，磨削磨具38与该上表面1a的抵接区域(即，磨削区域)沿着环状轨迹42扩展。而且，磨削磨具38在保持面10的外周10b的上方与保持面10的中心10a的上方之间的区域中与工件1的上表面1a接触。另一方面，在该区域的外部，磨削磨具38不与该上表面1a接触。

因此，即使在保持面10平坦而不是圆锥面的情况下，磨削磨具38与工件1的上表面1a的抵接区域(磨削区域)也与保持面10是圆锥面的情况相同。因此，能够与以往同样地对工件1的上表面1a的整个区域进行磨削。

以下，对本实施方式的工件的磨削方法的各步骤进行说明。图6是示出本实施方式的工件的磨削方法的一例的各步骤的流程的流程图。在该磨削方法中，首先，实施利用保持工作台4的平坦的保持面10对工件1进行保持的保持步骤S10。接着，实施对保持工作台4所保持的工件1进行磨削的磨削步骤S20。

首先，对保持步骤S10进行说明。在保持步骤S10中，将工件1搬送到保持工作台4的保持面10上。此时，使工件1的作为被磨削面的上表面1a朝向上方并且使下表面1b朝向下方，使下表面1b与保持面10对置。然后，使保持工作台4的吸引源进行动作而经由多孔质部件14对工件1作用负压，利用保持面10对工件1进行吸引保持。

这里，由于保持面10是平坦的，因此即使是SiC锭等硬质且厚的难以变形的工件1，也能够适当地实施吸引保持，不会产生工件1的吸引不良等问题。但是，在本实施方式的工件的磨削方法中，工件1并不限定于SiC锭等硬质且厚的部件。

例如，工件1也可以是在正面形成有多个器件的晶片。在该情况下，将未形成有器件的背面作为上表面1a，将形成有器件的该正面作为下表面1b。而且，为了保护形成于该正面的器件，也可以在该正面上粘贴保护带。

接着，对磨削步骤S20进行说明。在磨削步骤S20中，首先，使磨削磨轮36绕磨轮旋转轴40进行旋转并使磨削磨具38在环状轨迹42上移动，并且使保持工作台4绕工作台旋转轴18进行旋转。然后，利用升降单元8使磨削单元6和保持工作台4相对地接近，使磨削磨具38与工件1的上表面1a抵接而对工件1进行磨削。

另外，当使磨削磨具38与工件1接触而对工件1进行磨削时，从工件1和磨削磨具38产生磨削屑，并且产生热因而工件1等的温度上升。因此，为了从工件1等迅速地去除磨削屑和热，在利用磨削磨具38对工件1进行磨削时，向工件1等提供被称为磨削水的液体。磨削水例如是纯水。

磨削装置2也可以具有对被磨削的工件1的厚度进行测量的厚度测量单元(未图示)。该厚度测量单元例如具有与工件1的上表面1a接触的探针。如果使用该测量单元，则在实施磨削步骤S20的期间，能够测量并监视逐渐薄化的工件1的厚度。而且，如果使用该厚度测量单元，则能够检测工件1成为规定的厚度的情况。

对磨削步骤S20中的成为磨削磨具38的移动路径的环状轨迹42与保持工作台4的保持面10的关系进行详细叙述。图5是示意性地示出保持工作台4的保持面10与环状轨迹42的关系的俯视图。在图5中包含示意性地示出在使磨削磨轮36绕磨轮旋转轴40进行旋转时成为磨削磨具38的移动路径的环状轨迹42的俯视图。

在磨削步骤S20中，在环状轨迹42上移动的磨削磨具38在保持工作台4的保持面10的中心10a的上方的区域和保持面10的外周10b的上方的区域中通过。而且，如上所述，磨削磨具38的环状轨迹42相对于保持工作台4的保持面10倾斜。而且，在磨削步骤S20中，按照环状轨迹42在保持面10的外周10b的上方与保持面10的中心10a的上方之间的区域中最接近保持面10的状态使磨削磨具38与工件1的上表面1a抵接。

优选的是，在磨削步骤S20中，设定主轴32的位置和磨轮旋转轴40的倾斜度，以使环状轨迹42在保持面10的外周10b的上方与保持面10的中心10a的上方的中间点10c处最接近保持面10。在该情况下，能够将磨削磨具38与工件1的上表面1a的接触区域(磨削区域)44设定在保持面10的中心10a的上方与保持面10的外周10b的上方之间。

这意味着在磨削步骤S20中能够实现与以往的利用保持面10为圆锥面的保持工作台4对工件1进行保持而对工件1进行磨削的情况相同的接触区域44。即，在磨削步骤S20中，高品质且高效地对工件1的整个上表面1a进行磨削。

另外，以往，在保持工作台4的保持面10为圆锥面的情况下，工作台旋转轴18和磨轮旋转轴40彼此不平行，如果将两者延长则交叉。与此相对，在本实施方式的工件的磨削方法中，工作台旋转轴18和磨轮旋转轴40彼此不平行，即使将两者延长也不会相交。

在图4中包含在磨削步骤S20中被磨削的工件1的剖视图。当利用一边改变高度一边在环状轨迹42上移动的磨削磨具38对工件1的上表面1a进行磨削时，在工件1的上表面1a的中央和外周之间的区域中形成环状的凹部。环状轨迹42与保持面10所成的角度(磨轮旋转轴40从铅垂方向的倾斜度)越大，形成于工件1的上表面1a的凹部越深。

另外，如果该角度过大，则工件1的厚度的偏差过大。另一方面，如果该角度过小而两者大致平行，则磨削区域超出工件1的上表面1a的外周的一端与上表面1a的中心之间而扩展至上表面1a的外周的另一端，产生问题。即，该角度存在优选的范围。

这里，例如利用在环状轨迹42上移动的磨削磨具38最接近保持面10时和最远离保持面10时的磨削磨具38与保持面10的距离之差来表现该角度的大小。而且，在使用直径为200mm的磨削磨轮36的情况下，优选该距离之差为5μm以上且50μm以下。特别优选该距离之差为20μm。

另外，在图4等中，为了便于说明，按照强调磨削磨轮36上所安装的磨削磨具38的环状轨迹与保持工作台4的保持面10的倾斜度并强调形成于工件1的上表面1a的环状的凹部的形状的方式示出。即，该环状轨迹与保持面10的倾斜度以及环状的凹部的形状并不限定于各图。

这样，在本实施方式的工件的磨削方法中，由于在作为工件1的被磨削面的上表面1a上形成有环状的凹部，因此上表面1a不完全平坦。但是，通过磨削磨具38与上表面1a接触而进行磨削，能够将存在于上表面1a的微小的凹凸去除。换言之，当实施本实施方式的工件的磨削方法时，工件1的具有微小的凹凸的上表面1a成为表面粗糙度较小的面。在本说明书中，有时将去除被磨削面的该微小的凹凸称为平坦化。

当上表面1a为表面粗糙度较小的面时，在向上表面1a照射激光束并聚光于工件1的规定的深度时，该激光束不容易在该上表面1a上紊乱。例如，在工件1是SiC锭的情况下，能够通过将激光束聚光于SiC锭的规定的深度位置来如期望那样形成改质层。而且，能够高精度地形成从SiC锭剥离SiC晶片时的剥离面。

如以上说明的那样，根据本实施方式的工件的磨削方法，即使在作为磨削对象的工件1为硬质且厚的情况下，也能够在不产生吸引不良的情况下利用保持工作台4对工件1进行保持，从而能够高品质且高效地均匀磨削上表面1a。但是，对工件1没有限制，即使在工件1并不硬质且较薄的情况下，也能够实现高品质的磨削。

接着，对使用磨削装置2对SiC锭(六方晶单晶锭)进行磨削并将SiC锭在规定的深度切断来制造SiC晶片的方法进行说明。图6的(B)是示出SiC晶片的制造方法的各步骤的流程的流程图。

在图6的(B)所示的SiC晶片的制造方法中，从利用线锯等将从SiC晶种生长的在前端具有生长端面的圆柱状的锭生长基台的前端部切断而得到的圆柱状的SiC锭制造圆板状的SiC晶片。在该SiC晶片的制造方法中，将激光束聚光于SiC锭的规定的深度，在SiC锭的内部形成伴有裂纹的改质层，在该改质层等处将SiC锭切断，得到SiC晶片。

在该SiC晶片的制造方法中，首先，对作为工件的SiC锭3进行磨削而去除微小的凹凸。图7的(A)是示意性地示出在上表面3a上具有微小的凹凸的SiC锭3的剖视图。在该SiC晶片的制造方法中，与上述工件的磨削方法相同，实施保持步骤S10和磨削步骤S20。已经对保持步骤S10和磨削步骤S20的详细情况进行了说明，因此这里省略。

在不仅磨削SiC锭3的上表面3a侧还磨削下表面3b侧的情况下，在对SiC锭3的上表面1a侧进行了磨削之后使SiC锭3上下翻转，再次实施保持步骤S10和磨削步骤S20。

图7的(B)是示意性地示出上表面3a被磨削而去除了微小的凹凸的SiC锭3的剖视图。如图7的(B)所示，虽然在SiC锭3的上表面3a的中央与外周之间的区域中形成有环状的凹部，但产生后述的激光束的紊乱的微小的凹凸已被去除。

在该SiC晶片的制造方法中，接着实施激光束照射步骤S30。图8的(A)是示意性地示出实施激光束照射步骤S30的情形的剖视图。在激光束照射步骤S30中，向SiC锭3照射对于SiC具有透过性的波长(能够透过SiC的波长)的激光束。

在激光束照射步骤S30中，例如使用具有激光加工单元46的激光加工装置，该激光加工单元46能够将以Nd：YAG为介质而振荡出的波长为1064nm的激光束48聚光于SiC锭3的规定的深度位置。

在激光束照射步骤S30中，在相当于要形成的SiC晶片的厚度的深度将激光束48的聚光点50定位于SiC锭3的内部。然后，一边向SiC锭3照射激光束48一边将SiC锭3和激光加工单元46沿水平方向相对地进行加工进给。当这样使激光束48在SiC锭3上扫描时，在SiC锭3的规定的深度形成作为剥离起点的改质层52。

这里，在使激光束48聚光于聚光点50时，如果在成为激光束48的被照射面的SiC锭3的上表面3a上形成有微小的凹凸且该上表面3a的表面粗糙度较大，则激光束48会在上表面3a上紊乱。在该情况下，无法适当地将激光束48以规定的强度聚光于SiC锭3的规定的深度位置，从而无法在SiC锭3上形成期望的改质层52。

因此，难以适当地从SiC锭3剥离SiC晶片。另外，即使能够从SiC锭3剥离SiC晶片，SiC晶片和SiC锭3的剥离面也会大幅粗糙。因此，必须以较高的强度对各个剥离面实施磨削，大量的SiC作为加工屑而损失，因此SiC晶片的制造效率降低。

与此相对，当在实施激光束照射步骤S30之前实施磨削步骤S20时，SiC锭3的上表面3a的微小的凹凸被预先去除，因此不容易在上表面3a上产生激光束48的紊乱。因此，能够在SiC锭3中形成期望的品质的改质层52，从而能够适当地剥离SiC晶片。

在该SiC晶片的制造方法中，接着实施剥离步骤S40。在剥离步骤S40中，以改质层52为起点将SiC锭3分割，从SiC锭3剥离SiC晶片(未图示)。这样，制造SiC晶片。在该SiC晶片的制造方法中，由于能够在SiC锭3的规定的深度位置形成期望的改质层52，因此能够高效地制造SiC晶片。

图8的(B)是示意性地示出剥离了SiC晶片而残留的SiC锭3的剖视图。剩余的SiC锭3用于接下来的SiC晶片的制造。但是，剩余的SiC锭3的新向上方露出的上表面3a有时会残留由形成于SiC锭3的改质层52导致的微小的凹凸。因此，在接着从SiC锭3制造SiC晶片时，可以进一步实施保持步骤S10和磨削步骤S20，对上表面3a进行磨削。

另外，本发明并不限定于上述实施方式的记载，能够进行各种变更来实施。例如，在上述实施方式中，以工件1为SiC锭(六方晶单晶锭)的情况为例进行了说明，但工件1并不限定于此。工件1并不限定于硬质且厚的部件。

例如，也可以将利用线锯切断SiC锭而得到的比较薄的SiC晶片作为工件1。由于在利用线锯切断而形成的切断面上形成有微小的凹凸，因此在该状态下SiC晶片的抗折强度有时会变低。另外，在SiC晶片上形成器件时，如果形成器件的面具有微小的凹凸，则无法适当地形成器件。

因此，也可以将未伴随激光束的照射而制造的SiC晶片作为工件1来实施本发明的一个方式的工件的磨削方法。当对利用线锯切断SiC锭而得到的SiC晶片进行磨削时，能够去除该微小的凹凸。

上述实施方式的构造、方法等能够在不脱离本发明的目的的范围内进行适当变更来实施。

Claims (2)

1.一种工件的磨削方法，在磨削装置中对该工件进行磨削，

该磨削装置具有：

保持工作台，其在上部具有对该工件进行吸引保持的保持面，该保持工作台能够绕贯穿该保持面的中心的工作台旋转轴进行旋转；

磨削单元，其配设于该保持工作台的上方，具有磨削磨轮和电动机，该磨削磨轮呈环状配设有对该保持工作台所保持的该工件进行磨削的磨削磨具，该电动机使该磨削磨轮绕磨轮旋转轴进行旋转，当通过该电动机使该磨削磨轮进行旋转时，该磨削磨具在环状轨迹上移动，该环状轨迹通过该保持工作台的该保持面的该中心的上方；以及

升降单元，其使该磨削单元与该保持工作台沿着该工作台旋转轴的延伸方向相对地移动，

其特征在于，

该工件的磨削方法具有如下的步骤：

保持步骤，利用该保持工作台的平坦而不是圆锥面的该保持面对该工件进行保持；以及

磨削步骤，一边使该磨削磨轮绕该磨轮旋转轴进行旋转而使该磨削磨具在该环状轨迹上移动，一边使该保持工作台绕该工作台旋转轴进行旋转，利用该升降单元使该磨削单元与该保持工作台相对地接近并使该磨削磨具与该工件的上表面抵接而对该工件进行磨削，

在该磨削步骤中，该环状轨迹相对于该保持工作台的该保持面倾斜，按照该环状轨迹在该保持面的该中心的上方与该保持面的外周的上方之间的区域中最接近该保持面的状态使该磨削磨具与该工件的该上表面抵接。

2.根据权利要求1所述的工件的磨削方法，其特征在于，

在该磨削步骤中，该环状轨迹在该区域的该保持面的该中心的上方与该保持面的外周的上方的中间点处最接近该保持面。