KR20160019793A - 기판 액처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 표면 또는 이면에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서, 테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하고, 회전하는 테이블 상부면에 냉각액을 공급하여 상기 테이블을 냉각시킨다. 이에 의하면 기판의 처리 효율을높이기 위한 과정에서 승온된 테이블을 신속하게 냉각함으로써 테이블의 열적 변형을 방지할 수 있고 이에 따라 기판에 대한 균일한 액처리가 가능하다.

Description

기판 액처리 장치 및 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE AND LIQUID PROCESSING METHOD}
본 발명은 반도체용 기판의 식각 및 세정 장치에 관한 것으로, 고온에서 진행되는 기판 액처리 과정에서 기판을 지지하는 테이블을 냉각하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.
매엽식 습식 식각 및 세정 장치는 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.
한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 제거함에 있어 처리 효율을 향상시키기 위한 목적으로, 기판의 상부 또는 테이블의 하부에 히터를 설치하거나, 처리액의 온도를 고온으로 가열하여 분사하거나, 가열 후 분사 직적 처리액 혼합으로 발생하는 반응열을 이용하는 방법으로 고온에서 액처리하였다.
그러나 고온 액처리를 장시간 진행하면 기판 이외에 테이블도 온도가 상승하여 열적 변형이 발생하며, 이로 인해 기판의 식각 및 세정이 균일하게 이루어질 수 없고 테이블의 열화에 의해 장치의 수명이 단축된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 배경 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 고온의 액처리 공정이 종료된 상태뿐만 아니라 고온의 액처리 공정 진행 중에도 테이블을 신속하게 냉각할 수 있는 기판 액처리 장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 장치는, 기판의 표면 또는 이면에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서, 테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부; 상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및 회전하는 상기 테이블 상부면에 냉각액을 공급하여 상기 테이블을 냉각시키는 테이블 냉각부; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 테이블 냉각부는, 상기 테이블의 중앙 부분에 냉각액을 공급하는 1 이상의 냉각 노즐을 구비한다.
이때, 상기 냉각 노즐은, 상기 냉각액이 상기 테이블 상부면을 타고 흐르면서 외곽으로 배출되도록 냉각액을 분사하는 1 이상의 분사구를 구비한다. 상기 분사구는, 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 구성된다.
바람직하게, 상기 테이블은, 상부면이 외곽 방향으로 하향 경사지게 형성된다.
바람직하게, 상기 냉각 노즐은, 상기 테이블의 중앙 부분을 관통하여 고정 설치된다. 이때, 상기 테이블의 중앙 부분을 관통하여 고정되며, 상기 기판의 하부면을 향해 처리액을 분사하는 1 이상의 노즐이 설치된 노즐 헤드를 구비하는 처리 노즐부; 를 더 포함하고, 상기 냉각 노즐은 상기 노즐 헤드에 설치되어 상기 냉각액을 상기 테이블 상부면으로 비스듬히 분사한다.
바람직하게, 상기 냉각 노즐은 상기 노즐 헤드 외곽에 복수개 구비된다.
바람직하게, 상기 냉각 노즐은, 상기 냉각액에 불활성가스를 혼합하여 분사한다.
본 발명의 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 방법은 상술한 기판 액처리 장치를 이용하여, 상기 테이블을 회전시키는 단계; 상기 처리액을 상기 기판의 표면 또는 이면에 공급하여 액처리하는 단계; 및 상기 액처리 단계 진행 중인 상태 또는 상기 액처리 단계가 종료된 상태 중 적어도 어느 하나의 상태에서 상기 냉각액을 공급하여 상기 테이블을 냉각하는 단계; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 테이블을 냉각하는 단계에서, 상기 냉각액 이외에 불활성가스를 더 공급한다.
바람직하게, 상기 테이블을 냉각하는 단계 이후에, 상기 테이블에 불활성가스를 공급하여 상기 테이블을 건조하는 단계; 를 더 포함한다.
본 발명에 의하면 기판 액처리 효율을 향상시키기 위해 기판 또는 처리액을 가열함에 따라 승온된 테이블에 냉각액을 공급함으로써 테이블의 열변형을 방지하고, 이에 따라 기판을 신속하게 액처리할 수 있음은 물론 장치의 열화를 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 냉각 노즐에 의해 분사되는 냉각액이 테이블 상부면으로 비산되지 않고 테이블 상부면을 타고 외곽으로 배출됨으로써 기판에 대한 식각, 세정 및 건조 공정 중에도 테이블의 신속한 냉각이 가능하므로, 공정 시간을 단축할 수 있다.
또한 본 발명은 테이블로 공급되는 냉각액이 처리액 회수부를 구성하는 컵 내부로 배출됨에 따라 별도의 컵 세정을 위한 장치를 설치할 필요 없이 컵 세정의 효과를 부수적으로 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명 기판 액처리 장치의 개략 구성도.
도 2는 본 발명을 구성하는 테이블 냉각부의 일실시예를 나타낸 부분 단면 구성도.
도 3은 본 발명을 구성하는 테이블 냉각부와 처리 노즐부의 일실시예를 나타낸 부분 평면 구성도.
도 4, 5는 본 발명을 구성하는 테이블 냉각부와 처리 노즐부의 다른 실시예를 나타낸 부분 평면 구성도.
도 6은 본 발명을 구성하는 테이블 냉각부의 다른 실시예를 나타낸 부분 단면 구성도.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. 각 실시예의 구성요소 중 동일한 기능과 작용을 하는 구성요소에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여한다.
본 발명의 기판 액처리 장치는, 도 1을 참고하여 설명하면, 크게 테이블(11) 상부에 기판(W)을 이격하여 지지하는 기판 지지부(10), 테이블을 회전시키는 회전축(21)을 구동하는 회전 구동부(20), 테이블(11) 둘레에 설치되어 기판(W)으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부(30) 및 회전하는 테이블(11) 상부면에 냉각액을 공급하여 테이블(11)을 냉각시키는 테이블 냉각부(40)로 이루어진다.
기판 지지부(10)는 테이블(11) 상부의 외곽에 설치된 복수개의 척핀(12)이 기판(W)을 내측으로 지지한다.
회전 구동부(20)는 테이블(11)을 회전시키는 회전축(21)을 구비하고, 회전축(21) 내부에는 기판(W)을 액처리하기 위한 처리액이나 불활성 가스를 공급하기 위한 중공부(22)가 형성되어 있다.
처리액 회수부(30)는 복수의 컵(31, 32)으로 이루어져, 회전하는 테이블(11)로부터 배출되는 처리액을 분리 회수 하도록 테이블(11) 둘레에 설치된다. 도면으로 나타내지는 않았지만 기판의 적재나, 처리액의 분리 회수를 위하여 회전축(21) 또는 복수의 컵(31, 32)은 상대적으로 승강되도록 설치된다.
테이블 냉각부(40)는 테이블(11)의 냉각을 위하여 테이블(11) 상부면에 상온의 탈이온수와 같은 냉각을 공급하는 냉각 노즐(41)을 구비한다.
상술한 구성요소 이외에, 본 발명은 기판(W)의 하부면을 액처리 하기 위한 처리 노즐부(50)와, 처리 노즐부(50)에 처리유체를 공급하기 위한 처리유체 저장부(60) 및 기판(W) 또는 처리액을 가열시키기 위한 히터부(70)를 구비한다.
처리 노즐부(50)는 기판(W)의 하부면을 식각, 세정 또는 건조를 위한 복수의 처리유체를 공급하는 복수의 노즐(51~53)을 구비한다. 이러한 복수의 노즐(51~53)은 테이블(11) 중앙에 회전하지 않도록 고정 설치된 노즐 헤드(54)에 구비된다. 노즐 헤드(54)는 테이블(11)보다 높게 설치할 수 있으며, 외곽은 하향의 경사면(54a)을 형성한다.
처리유체 저장부(60)는 냉각 노즐(41)에 냉각을 공급하기 위한 냉각액 저장부(61), 기판(W)의 하부면을 액처리 하기 위한 제1, 제2 약액 저장부(62, 63), 기판(W)에 형성된 액막을 제거하기 위한 불활성가스 저장부(64)를 포함하여 이루어진다. 냉각액으로는 탈이온수를 사용할 수 있고, 불활성가스로는 질소를 이용할 수 있다. 처리유체 저장부(60)는 회전축(21) 내부의 중공부(22)을 통해 처리 노즐부(50) 또는 냉각 노즐(41)에 해당 유체를 공급한다.
도 1에서의 처리 노즐부(50)와 처리유체 저장부(60)는 예시에 불과하며, 다양한 처리유체의 공급을 위한 노즐과 저장부를 추가할 수 있음은 물론이다.
히터부(70)는 기판(W)의 처리 효율을 향상시키기 위하여 도 1과 같이, 기판(W)의 이면에 대한 액처리를 위해 기판(W) 상부에 히터를 설치할 수 있다. 도면으로 나타내지는 않았지만 기판의 표면을 상부에서 액처리하기 위해 테이블 하부에 히터를 설치하거나, 기판에 약액을 공급하기 전 약액의 혼합에 의한 발열반응을 이용하여 고온의 약액을 기판에 직접 공급하는 방식을 단독 또는 복합적으로 채용할 수도 있다. 이러한 히터 또는 약액의 발열반응을 이용하는 경우 필연적으로 테이블 온도 상승이 수반된다.
테이블(11)의 냉각을 위한 본 발명에 의한 테이블 냉각부(40)의 일실시예는 도 2에 도시된 바와 같이, 테이블(11)의 중앙 부분에 냉각액을 공급하는 냉각 노즐(41)을 구비한다. 냉각 노즐(41)은 냉각액이 회전하는 테이블(11)의 원심력에 의하여 테이블(11) 상부면을 타고 흐르면서 외곽으로 배출되도록 냉각액을 분사하는 1 이상의 분사구(42)를 구비한다. 테이블(11) 외곽으로 배출되는 냉각액은 처리액 회수부(30)를 구성하는 복수의 컵(31, 32)에 선택적으로 공급되어 회수된다.
분사구(42)는 도 3과 같이 1개의 홀로 구성하거나, 도 4와 같이 복수의 홀로 구성할 수 있다. 그 외에 분사구(42)를 도 5와 같이 슬릿 형태로 구성함으로써 냉각액의 분사 면적을 확장시킴으로써 냉각 속도를 높일 수 있다.
이때, 냉각 노즐(41)은 도 2에 도시된 바와 같이, 노즐 헤드(54) 상에 설치하고, 냉각액 저장부(61)와 연결된 냉각액 공급관(43)을 통해 냉각액을 공급받고 노즐 헤드(54) 외곽의 경사면(54a)을 따라 테이블(11) 상부면을 향하여 비스듬히 냉각액을 분사한다. 이에 의해 공급된 냉각액 전부가 테이블(11) 상부로 비산되지 않은 채 테이블(11) 상부면을 따라 외곽으로 그대로 배출된다. 따라서, 본 발명의 테이블 냉각부(40)에 의하면, 기판(W)의 식각, 세정 및 건조 공정을 진행하지 않는 상태뿐만 아니라 공정 진행 중에도 테이블(11)의 신속한 냉각이 가능하다.
한편, 테이블(11) 상부면으로 공급된 냉각액이 상부면을 타고 흐르면서 외곽으로 원활하게 배출되도록, 테이블(11)의 상부면이 중앙 부분으로부터 외곽 방향으로 완만하게 하향 경사지도록 구성할 수 있다.
본 발명은 냉각액으로 탈이온수를 사용함으로써 테이블(11)을 냉각시킬 수 있음은 물론, 테이블(11) 외곽으로 배출되는 탈이온수가 처리액 회수부(30)를 구성하는 복수의 컵(31, 32) 내부로 비산됨에 따라 컵(31, 32) 세정 효과를 부수적으로 얻을 수 있다. 즉, 처리액 회수부(30)를 구성하는 어느 하나의 컵(31, 32)을 선택적으로 세정하기 위해서, 세정이 필요한 컵(31 또는 32) 내측으로 테이블(11)이 위치하도록 테이블(11) 또는 처리액 회수부(30)를 승하강시킨 상태에서, 냉각액을 공급함으로써 테이블(11) 냉각과 동시에 해당 컵(31 또는 32)에 대한 세정을 동시에 수행할 수 있다.
한편 본 발명의 다른 실시예에 의한 냉각 노즐은 도 6에 도시된 바와 같이, 냉각액 공급관(43)으로부터 공급되는 냉각액과, 불활성가스 공급관(44)으로부터 공급되는 불활성가스를 혼합하여 분사하는 2유체 노즐로서 사용할 수도 있다. 이때, 상기 냉각 노즐(41)로 공급되는 냉각액과 불활성가스는 이를 혼합하여 2유체로 공급하는 이외에 선택적으로도 공급 가능하도록 하는 것이 바람직하다. 도 6에 도시된 냉각 노즐(41)은 은 2유체가 혼합 공급되는 상태를 보여주기 위한 개략 구성도에 불과하면, 통상적으로 사용되는 2유체 노즐의 사용도 가능함은 물론이다.
본 발명의 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 방법은, 상술한 기판 액처리 장치를 이용하여 회전축(21)에 연결된 테이블(11)을 회전시키면서, 처리액을 기판(W)의 표면 또는 이면에 공급하여 액처리를 진행하는 중이거나 액처리가 종료된 후 냉각액을 테이블에 공급하여 테이블을 냉각한다. 이때, 냉각액 이외에 상술한 도 6과 같은 2유체 노즐을 이용하여 불활성가스를 냉각액과 혼합하여 공급할 수 있다.
테이블(11)이 목표한 온도로 냉각되면, 냉각액 또는 냉각액과 불활성가스가 혼합된 2유체의 공급을 중지하고, 테이블(11)의 회전을 유지한 상태에서 불활성가스만을 테이블(11) 상부면에 공급하여 테이블(11)에 잔존하는 냉각액을 건조시킴으로써 기판 액처리 장치 내부의 습도를 균일하게 유지할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 본 발명의 권리범위는 실시예에 한정되지 않고 특허청구범위에 기재된 기술적 사상을 중심으로 파악되어야 한다. 또한 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 구성요소에 대한 변형물 또는 균등물에까지 미침은 자명하다 할 것이다.
10 : 기판 지지부 11 : 테이블
20 : 회전 구동부 21 : 냉각 노즐
30 : 처리액 회수부 40 : 테이블 냉각부
41 : 냉각 노즐 42 : 분사구
50 : 처리 노즐부 54 : 노즐 헤드
60 : 처리유체 공급부 70 : 히터부

Claims (12)

  1. 기판의 표면 또는 이면에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서,
    테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부;
    상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부;
    상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및
    회전하는 상기 테이블 상부면에 냉각액을 공급하여 상기 테이블을 냉각시키는 테이블 냉각부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 테이블 냉각부는, 상기 테이블의 중앙 부분에 냉각액을 공급하는 1 이상의 냉각 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 노즐은, 상기 냉각액이 상기 테이블 상부면을 타고 흐르면서 외곽으로 배출되도록 냉각액을 분사하는 1 이상의 분사구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 분사구는, 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 테이블은, 상부면이 외곽 방향으로 하향 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 노즐은, 상기 테이블의 중앙 부분을 관통하여 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 테이블의 중앙 부분을 관통하여 고정되며, 상기 기판의 하부면을 향해 처리액을 분사하는 1 이상의 노즐이 설치된 노즐 헤드를 구비하는 처리 노즐부; 를 더 포함하고,
    상기 냉각 노즐은 상기 노즐 헤드에 설치되어 상기 냉각액을 상기 테이블 상부면으로 비스듬히 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 노즐은 상기 노즐 헤드 외곽에 복수개 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  9. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 노즐은, 상기 냉각액에 불활성가스를 혼합하여 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  10. 청구항 1의 기판 액처리 장치를 이용한 기판 액처리 방법에 있어서,
    상기 테이블을 회전시키는 단계;
    상기 처리액을 상기 기판의 표면 또는 이면에 공급하여 액처리하는 단계; 및
    상기 액처리 단계 진행 중인 상태 또는 상기 액처리 단계가 종료된 상태 중 적어도 어느 하나의 상태에서 상기 냉각액을 공급하여 상기 테이블을 냉각하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 테이블을 냉각하는 단계에서,
    상기 냉각액 이외에 불활성가스를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 테이블을 냉각하는 단계 이후에,
    상기 테이블에 불활성가스를 공급하여 상기 테이블을 건조하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980026259A (ko) * 1996-10-08 1998-07-15 김광호 스퍼터링 챔버의 웨이퍼 냉각장치
JP2008231513A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center プラズマｃｖｄ装置
KR100923268B1 (ko) * 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
JP2013098178A (ja) * 2011-10-27 2013-05-20 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法および記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980026259A (ko) * 1996-10-08 1998-07-15 김광호 스퍼터링 챔버의 웨이퍼 냉각장치
JP2008231513A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center プラズマｃｖｄ装置
KR100923268B1 (ko) * 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
JP2013098178A (ja) * 2011-10-27 2013-05-20 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法および記憶媒体

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