KR100909473B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

비접촉시 히팅 장치를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판, 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 기판과 기판 지지 부재 사이에서, 기판과 일정 간격 이격되어 위치하며, 다수의 관통홀들이 형성된 플레이트 및 플레이트 하부에 설치되어 다수의 관통 홀을 통해 기판 후면으로 고온의 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함한다.

비접촉식, 히팅, 가스 공급 장치

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비접촉식 히팅 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자는 기판 상에 사진(photo), 확산(diffusion), 증착(deposition), 식각(etching) 및 세정(cleaning) 등과 같은 공정들을 반복하여 제조한다.

이와 같은 각 공정들을 진행할 때, 공정 조건 상 기판을 고온으로 유지시킬 필요가 있다. 따라서, 각 공정을 진행하는 장비들 내에는 기판을 가열하는 히팅 장치가 구비된다.

종래의 히팅 장치는 핫 플레이트(hot plate) 방식의 히터를 사용하여 기판을 가열하고 있다. 즉, 기판을 고온의 플레이트와 직접 접촉시켜 고온으로 유지시키고 있다. 따라서 플레이트의 온도를 조절함으로써 기판의 온도를 조절할 수 있다. 그런데, 핫 플레이트에 기판을 직접 접촉시켜 기판을 가열할 경우, 기판 후면이 손상되거나 파티클이 발생할 수 있다.

본 발명은 상기와 같은 점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판과 접촉하지 않으면서 기판을 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판, 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 기판과 기판 지지 부재 사이에서, 기판과 일정 간격 이격되어 위치하며, 다수의 관통홀들이 형성된 플레이트 및 플레이트 하부에 설치되어 다수의 관통 홀을 통해 기판 후면으로 고온의 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함한다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 후면으로 고온의 가스를 분사함과 동시에, 고온의 플레이트에 의해 가열된 공기 입자들을 통해 기판을 가열할 수 있다. 이에 따라 기판이 히팅 장치와 접촉하지 않으면서 고온으로 가열될 수 있다. 그러므로, 기판이 고온의 플레이트와 접촉하면서 발 생하는 파티클이나 표면 손상을 방지할 수 있다.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 특허청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법을 상세히 설명하기로 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 스핀 헤드(10), 구동부(20), 노즐(30), 바울(40) 및 히팅 장치(50) 등을 포함한다.

스핀 헤드(10)는 기판(W)을 지지하며, 구동부(20)에 의해 회전할 수 있다. 구동부(20)는 스핀 헤드(10)의 중심에 연결된 회전축(22)과 회전측(122)을 회전 시키는 모터(미도시) 등의 동력 전달 장치로 구성될 수 있다. 이때, 기판(W)은 고정 척(chuck)(12)과 같이 기판(W)의 가장 자리를 고정하는 고정 장치에 의해 스핀 헤드(10)와 고정될 수 있다.

노즐(30)은 기판(W) 상부에 위치하여 기판(W)을 향하여 기판(W) 처리를 위한 약액 또는 순수(DI)를 공급한다. 노즐(30)을 통해 기판(W)의 중심을 향하여 분사된 약액은 기판(W)의 회전에 의해 원심력으로 기판(W)의 가장자리로 이동을 하면서 기판(W)을 처리하게 되며, 최종적으로 기판(W)을 이탈하여 바울(40)로 유입될 수 있다.

바울(40)은 스핀 헤드(10)의 원주 방향으로 감싸도록 구비되고, 약액이 흘러내리는 바울(40)의 통로는 아래로 연장된다. 바울(40)은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)으로부터 비산하는 약액을 회수한다. 이와 같은 바울(40)은 스핀 헤드(10)의 높이에 따라 서로 다른 용액을 회수할 수 있는 다단 구조의 바울(40)일 수 있다.

히팅 장치(50)는 스핀 헤드(10)와 기판(W) 사이에 설치되어 기판(W)을 가열한다. 히팅 장치(50)에 대해서는 도 2를 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비된 히팅 장치를 나타낸 도면이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 히팅 장치(50)는 플레이트(52) 및 가스 공급 장치(56)를 포함한다. 여기서, 플레이트(52)는 기판(W)을 효율적으로 가열하기 위해 기판(W)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 즉, 원판 형태의 플레이트(52)가 구비될 수 있다.

이러한 플레이트(52)의 상부에는 상면으로부터 소정 간격 이격된 기판(W)이 위치한다. 그리고 플레이트(52) 하부에는 플레이트(52)를 통해 기판(W) 후면으로 고온의 가스를 공급하는 가스 공급 장치(56)가 설치된다. 따라서, 플레이트(52)에는 하부에서 공급되는 가스가 플레이트(52)를 관통하여 기판(W)으로 공급될 수 있도록 다수의 관통 홀(54)이 형성되어 있다.

또한, 플레이트(52)는 내부에 발열 부재를 구비하고 있어, 발열 부재에 의해 자체가 고온으로 유지된다. 이에 따라 플레이트(52) 주위의 공기를 가열시켜 기판(W)의 온도를 상승시킬 수 있다.

가스 공급 장치(56)는 플레이트(52)의 하부에 설치되어 기판(W)의 후면으로 고온의 가스를 공급한다. 이러한 가스 공급 장치(56)는 내부에 고온의 가스를갖는 일종의 배관으로 형성될 수 있으며, 외부에서 배관 내로 고온의 가스가 공급된다. 그리고 가스 공급 장치(56) 내부의 고온 가스가 플레이트(52)의 관통 홀(54)로 공급될 수 있도록 플레이트(52)를 향해 다수의 홀(58)들이 형성되어 있다.

이러한 가스 공급 장치(56)는 플레이트(52)와 소정 간격 이격되어 설치될 수 있다. 이와 달리, 고온 가스의 보다 효과적인 공급을 위해 플에이트(52)에 형성된 관통 홀(54)과 가스 공급 장치(560에 형성될 홀(58)이 대응될 수 있도록 플레이트(52) 후면에 가스 공급 장치(56)가 직접 장착될 수도 있다.

이와 같은 가스 공급 장치(56)를 통해 고온의 가스가 플레이트(52)의 관통 홀(54)을 통과하여 기판(W)의 후면으로 직접 공급될 수 있다. 따라서, 플레이 트(52)와 이격되어 위치하는 기판(W)이 플레이트(52)로부터의 복사열과, 고온의 가스를 통해 이중으로 가열되어 고온으로 유지될 수 있다.

이와 같이, 기판(W)의 후면으로 고온의 가스를 분사함과 동시에, 고온의 플레이트(52)에 의해 가열된 공기 입자들을 통해 기판(W)을 가열할 수 있다. 이에 따라 기판(W)이 히팅 장치(50)와 접촉하지 않으면서 고온으로 가열될 수 있다. 그러므로, 기판(W)이 고온의 플레이트(52)와 접촉하면서 발생하는 파티클이나 표면 손상을 방지할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비된 히팅 장치의 개략적인 단면도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

10: 스핀 헤드 20: 구동부

22: 회전축 30: 노즐

40: 바울 50: 히팅 장치

52: 플레이트 54: 관통 홀

56: 가스 공급 장치 58: 홀

Claims (4)

1. 기판;

   상기 기판을 지지하는 기판 지지 부재;

   상기 기판과 상기 기판 지지 부재 사이에서, 상기 기판과 일정 간격 이격되어 위치하며, 다수의 관통홀들이 형성되고 내부에 구비된 발열 부재에 의해 고온으로 가열되는 된 플레이트; 및

   상기 플레이트 하부에 설치되어 상기 다수의 관통 홀을 통해 상기 기판 후면으로 고온의 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 기판 처리 장치.
2. 기판;

   상기 기판을 지지하는 기판 지지 부재;

   상기 기판과 상기 기판 지지 부재 사이에서, 상기 기판과 일정 간격 이격되어 위치하며, 다수의 관통홀들이 형성된 플레이트; 및

   상기 플레이트 하부에 설치되어 상기 다수의 관통 홀을 통해 상기 기판 후면으로 고온의 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하되,

   상기 플레이트의 관통 홀과 상기 가스 공급 장치의 홀이 대응되도록 설치된 기판 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 가스 공급 장치는 상기 플레이트를 향해 다수의 홀들이 형성된 기판 처리 장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 가스 공급 장치는 상기 플레이트의 관통 홀과 상기 가스 공급 장치의 홀이 대응되도록 설치된 기판 처리 장치.

Images