TW201820529A - 具有邊緣環的旋轉卡盤 - Google Patents

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Abstract

一種用以處理基板的設備包含固定式板件組件，其包含在處理期間將液體引導於基板邊緣處的液體噴嘴。卡盤組件包含設置於固定式板件組件下方並在該固定式板件組件之徑向外側、且可相對該固定式板件組件旋轉的卡盤主體。邊緣環係附接至卡盤主體，且定義徑向內表面，該徑向內表面在上下穿過含基板之平面的軸向方向上延伸。沿著邊緣環的整個表面，邊緣環係位於基板之徑向外邊緣的徑向外側。複數銷可在夾持位置與閒置位置之間移動，該夾持位置係接合基板的徑向外邊緣。

Description

具有邊緣環的旋轉卡盤
本揭露內容相關於基板處理系統，且更尤其相關於含邊緣環的旋轉卡盤。
本文提供的背景描述係針對概括地呈現本揭露內容之脈絡的目的。目前所列名之發明人的工作成果(就本先前技術部分中所描述之範圍而言)、以及不可以其他方式視為申請時之先前技術的描述內容之實施態樣均不明示或暗示地被認為是相對本揭露內容的先前技術。
例如半導體晶圓的基板受到包含蝕刻、清洗、拋光、及沉積的表面處理製程。就濕式斜角應用(wet bevel application)而言，基板上的膜層在靠近基板的徑向外邊緣處受到蝕刻或清洗。
旋轉卡盤可用於濕式斜角應用。旋轉卡盤包括含氣體噴嘴及液體噴嘴的固定式板件組件。旋轉卡盤亦包含位於固定式板件之徑向外側的旋轉式卡盤組件。連接至旋轉式卡盤組件的複數銷係用以抓取基板的徑向外邊緣。固定式板件組件的氣體噴嘴將基板支撐於一氣墊上(根據伯努利原理(Bernoulli’s principle))。液體噴嘴於基板的邊緣引導蝕刻/清洗流體。旋轉式卡盤組件使基板相對於固定式板件的氣體及液體噴嘴旋轉。
為蝕刻/清洗基板的邊緣，液體噴嘴係位於基板的邊緣附近，且係定向於基板上的期望位置。當基板旋轉時，製程液體撞擊於下切區域上，且由於旋轉的離心力而被甩掉。撞擊位置、基板旋轉、流速、噴嘴角度、及其他設計參數的組合決定下切尺寸。
然而，在蝕刻/清洗期間，銷傾向於干擾下切區域附近的液體流動，並且在基板上產生銷痕跡。銷痕跡降低元件良率且增加製造成本。
一些蝕刻/清洗製程已藉由利用不同的方法接合基板而消除銷痕跡。取代利用銷抓取基板的情形，基板的背面係利用真空卡盤固持。當使用真空卡盤時，由於在基板的邊緣處無物干擾蝕刻/清洗流體流動，故銷痕跡不是問題。然而，在卡盤與基板之間形成的真空吸引刮傷基板的背面，且/或在基板中嵌入微粒。
一種用以處理基板的設備包含固定式板件組件，該固定式板件組件包含用以在處理期間將液體引導於該基板之邊緣處的液體噴嘴。卡盤組件包含設置於固定式板件組件下方並在該固定式板件組件之徑向外側、且可相對於該固定式板件組件旋轉的卡盤主體。邊緣環係附接至卡盤主體，且定義延伸於上下穿過含該基板之平面的軸向方向上的徑向內表面。沿著邊緣環的整個表面，該邊緣環係位於基板之徑向外邊緣的徑向外側。複數銷可在夾持位置與閒置位置之間移動，該夾持位置係用以接合基板的徑向外邊緣。
在其他特徵中，複數銷可相對於卡盤主體旋轉。邊緣環的徑向內表面包含複數凹口，當複數銷處於夾持位置時，該複數凹口係用以接收該複數銷的至少一部分。複數銷的每一者包含圓柱狀或棱鏡狀的抓取末端。用以接觸基板之抓取末端的表面平行於基板的旋轉軸。
在其他特徵中，複數銷的每一者包含抓取末端。邊緣環的徑向內表面包含用以接收抓取末端之至少一部分的複數弧形凹口。
在其他特徵中，複數銷的每一者包含圓柱狀的抓取末端。介於基板與邊緣環之徑向內表面之間的間隙小於或等於抓取末端的直徑。
在其他特徵中，固定式板件組件包含用以在朝向基板的向上方向上供應氣體的氣體噴嘴，用以在處理期間將基板支撐於固定式板件組件上方的懸浮高度。在處理期間，藉由液體噴嘴在基板與邊緣環之間產生液體彎液面。
在其他特徵中，基板位於固定式板件組件上方的懸浮高度係在從0.2 mm至0.5 mm的範圍內。介於固定式板件組件之上表面與邊緣環之徑向內表面之上邊緣之間的距離係在從1.3 mm至2.5 mm的範圍內。介於固定式板件組件之徑向外邊緣與邊緣環之徑向內表面之間的距離係在從0.1 mm至0.7 mm的範圍內。
在其他特徵中，介於固定式板件組件與邊緣環之徑向內表面之下邊緣之間的距離係在從-0.2 mm至1.5 mm的範圍內。介於固定式板件組件之上表面與邊緣環之徑向內表面之下邊緣之間的距離係在從0.5 mm至2.0 mm的範圍內。介於基板之上表面與邊緣環之徑向內表面之上邊緣之間的距離係在從0.5 mm至2.0 mm的範圍內。
在其他特徵中，邊緣環的徑向內表面包含凹口，且沿著不含凹口之徑向內表面的部分，該徑向內表面定義圓柱表面。邊緣環的徑向內表面與平行於卡盤組件之旋轉軸的線之夾角小於或等於+/-5°。在基板之上表面上方2.0 mm且該基板之下表面下方2.0 mm的距離以內，邊緣環的徑向內表面與平行於卡盤組件之旋轉軸的線之夾角小於或等於+/-10°。
在其他特徵中，邊緣環的徑向內表面係凹面。邊緣環的徑向內表面係凸面。
本揭露內容之應用的進一步領域將自實施方式、申請專利範圍、及附圖而變得明白。實施方式及具體範例係意圖針對僅供說明的目的，且不意圖限制本揭露內容的範疇。
本揭露內容相關於包含邊緣環的旋轉卡盤。旋轉卡盤包含具有氣體噴嘴及液體噴嘴的固定式板件組件。旋轉卡盤更包含位於固定式板件組件之徑向外側的旋轉式卡盤組件。旋轉式卡盤組件包含減少或消除銷痕跡的邊緣環。連接至旋轉式卡盤組件的複數銷接觸基板的徑向外邊緣。固定式板件組件的氣體噴嘴將基板支撐於氣體墊部上(根據伯努利原理(Bernoulli’s principle))。液體噴嘴於基板處引導蝕刻/清洗流體。旋轉式卡盤組件使基板相對於固定式板件組件的氣體及液體噴嘴旋轉。
邊緣環減少或消除銷痕跡，否則在處理之後，銷痕跡將在基板上可見。由於邊緣環的相對設置及尺寸，邊緣環模擬成具有繞基板邊緣而設置的無數銷。更具體地，邊緣環使得基板之邊緣處的干擾及不連續性最小化。因此，雖然基板係藉由銷而夾持，但根據本揭露內容的旋轉卡盤在環繞基板邊緣的全部處提供均勻的下切(無銷痕跡)。
現在參考圖1及2，其顯示根據本揭露內容的旋轉卡盤8。在圖1中，旋轉卡盤8包含旋轉式卡盤組件10，其包含選擇性地夾持及釋放基板S之徑向外邊緣的複數銷12(顯示於圖2中)。在一些範例中，使用三或更多的銷12。銷12包含位於其遠端且在基板S的處理期間接觸基板S的抓取末端14(顯示於圖2中)。在一些範例中，銷12平行於旋轉式卡盤組件10的旋轉軸而延伸。在一些範例中，銷12針對基板S提供橫向但非下方的支撐。
在一些範例中，如2011年10月4日公告、且名為「Device and Method for Liquid Treatment of Wafer-Shaped Articles」、且整體併入於此以供參考之共同受讓的美國專利第8,029,641號中所示，銷12的抓取末端14與銷12的旋轉軸偏心。抓取末端14可在夾持位置與閒置位置之間移動。雖然銷12可相對於旋轉式卡盤組件10旋轉，以夾持及鬆開基板S，但銷12亦可傾斜、徑向移動、軸向及徑向移動、且/或在任何其他方向上移動，以夾持及鬆開基板S。抓取末端14可全部或部分地為圓柱狀、棱鏡狀、或任何其他適當形狀。旋轉式卡盤組件10係配置成固持具有預定直徑的基板，例如300 mm直徑、或450 mm直徑基板(半導體晶圓)，但可使用其他尺寸的基板。
流體分佈歧管20在處理期間係固定式且係定位於銷12的徑向內側及基板S下方。流體分佈歧管20包含固定式板件組件25，該固定式板件組件25包含氣體噴嘴22、24。在一些範例中，氣體噴嘴22、24係形成為單一連續環狀噴嘴，或形成為圓形序列的弧形噴嘴。
液體噴嘴組件26、30係可移除式附接至流體分佈歧管20及固定式板件組件25。液體噴嘴組件26、30包含液體排放孔28、31，其沿著基板S的徑向外邊緣將製程液體向上及/或徑向向外排放於基板S的面向下表面上。根據本揭露內容的邊緣環100係藉由可選式固定件102及/或可選式間隔件104而連接至旋轉式卡盤組件10，但亦可使用其他附接方法。或者，邊緣環100可與卡盤主體整合(說明如下)。
在圖2中，旋轉式卡盤組件10包含卡盤主體，其包含剛性連接的下卡盤部11及上卡盤部13。卡盤主體係安裝用於繞固定式中心柱50旋轉，該固定式中心柱50係安裝於支撐框架36上。定子32係安裝於支撐框架36上。轉子34及定子32使旋轉式卡盤組件10旋轉。
包含固定式板件組件25的流體分佈歧管20剛性地安裝至固定式中心柱50。旋轉式卡盤組件10圍繞流體分佈歧管20。旋轉式卡盤組件10亦包含位於下卡盤部11及上卡盤部13之間的環齒輪15。環齒輪15包含與旋轉式卡盤組件10同軸、且與形成於銷12基部處之互補齒接合的向外突出的齒部。藉由卡盤主體與環齒輪15相對彼此的旋轉使銷12旋轉。
固定式中心柱50包含供應有來自製程液體源之製程液體的液體導管56及57。液體導管56、57分別與在流體分佈歧管20中所形成的液體導管27及29連通。液體導管27及29與圖1中之液體噴嘴組件26及30連通。
固定式中心柱50亦包含連接至氣體源的氣體導管54。在一些範例中，氣體包含分子氮(N2 )，但可使用其他氣體。氣體導管54在其下游末端處開放進入形成於流體分佈歧管20中的腔室23。腔室23與氣體噴嘴24連通。在一些範例中，氣體噴嘴24包含形成於固定式板件組件25中、從徑向內部入口傾斜延伸至徑向外部出口的孔。
固定式中心柱50包含同樣連接至氣體源的氣體導管52。在一些範例中，氣體包含分子氮(N2 )，但可使用其他氣體。氣體導管52在其下游末端處開放進入形成於流體分佈歧管20中的腔室21。腔室21與氣體噴嘴22連通，如圖2中所示，該氣體噴嘴22包含形成於固定式板件組件25中、軸向地延伸通過固定式板件組件25的孔。
液體分配器45將液體分配至基板S之面向上的表面上。例如，液體分配器45可採取臂的形式，其使向下垂懸的排放噴嘴在待處理基板S的上表面上方沿著弧形移動。
在處理期間，加熱器40可用以加熱基板S。在一些範例中，加熱器40包含輻射加熱組件。在一些範例中，加熱器40包含藉由窗部44而與製程環境隔開的LED加熱元件42，該窗部44係由可供加熱器40所發射之輻射通過的材料製成。在一些範例中，窗部44係由例如石英或藍寶石的材料製成，但可使用其他材料。
使用狀態中，氣體係通過氣體噴嘴22、及/或24而供應，以提供用於基板S的氣墊。基板S係定位於固定式板件組件25上方且與該固定式板件組件25平行。根據伯努利原理，將通過氣體噴嘴22、及/或24之氣體的流速調整成使得基板S受到支撐。當製程流體在下切區域受引導時，旋轉式卡盤組件10使基板旋轉。
現在參考圖3，其顯示邊緣環100之範例、固定式板件組件25、及旋轉式卡盤組件10。邊緣環100包含徑向內表面120。徑向內表面120延伸於基板S之上表面及下表面的上方及下方二者處(圖3未顯示)。邊緣環100更包含界定於徑向內表面120中的複數凹口124，用以接收銷12之抓取末端14。徑向內表面120在不包含凹口124之徑向內表面120的表面部分中界定大致上為圓柱形的表面(例如，平行於旋轉式卡盤組件10的旋轉軸)。
在一些範例中，複數凹口124隔開360°/N，其中N係凹口124的數目，但可使用不均勻的間隔。在一些範例中，N＝6，但可使用額外的或較少的銷。凹口124提供用以接收抓取末端14之全部或部分的空隙。僅舉例而言，複數凹口124可為「C」狀、槽狀、弧形狀、或部分圓形狀，但可使用其他形狀。
現在參考圖4，其顯示邊緣環100的弧形部分。邊緣環100的徑向內表面120定義處理期間位於基板S之上表面上方的上邊緣150。徑向內表面120的下邊緣156在處理期間係位於基板S的下表面下方。在此範例中，徑向內表面120沿著不包含凹口124之徑向內表面120的整個表面定義平行於旋轉式卡盤組件10之旋轉軸的圓柱形表面。換言之，徑向內表面120可定義圓柱形表面。然而，徑向內表面與平行於旋轉式卡盤組件10之旋轉軸之線的夾角可在小於或等於+/- 5°或10°的範圍內改變。在一些範例中，下邊緣156亦位於固定式板件組件25之頂部表面下方。
除了凹口124以外的徑向內表面120提供處理期間被製程液體撞擊的連續表面。在一些範例中，製程液體係藉由離心力而徑向向外地射向徑向內表面120，且在朝向基板S的方向上彈回。形成液體彎液面。此外，可產生流體駐波。因此，可在不留下銷痕跡的情況下執行徑向外邊緣的處理。
現在參考圖5~6，邊緣環100係顯示具有設置於諸多位置的抓取末端14。在圖5中，當基板不位於固定式板件組件25上時，邊緣環100係顯示具有設置於閒置位置中的抓取末端14。在圖6中，當基板S位於固定式板件組件25上時，邊緣環100係顯示具有設置於抵向基板S之夾持位置中的抓取末端14。
現在參考圖7A~7E，儘管邊緣環在圖3及4中係顯示具有特定的橫剖面，但仍可使用其他橫剖面。例如，在圖7A及7B中，可使用矩形或具斜角的橫剖面。該等範例中之邊緣環100的徑向內表面120係平行於卡盤的旋轉軸。在圖7C~7E中，邊緣環100的徑向內表面120可具有一些弧度。可使用凸面或凹面。
在圖7C中，徑向內表面120為凸面。 在徑向內表面120之上邊緣150處與邊緣環100的徑向內表面120呈切線的線LT與平行於旋轉軸的線LP形成小於預定角度的角A。在一些範例中，預定角度在基板S之上表面及/或下表面之小於或等於2 mm的距離內係小於或等於 +/- 5°或10°。
現在參考圖8，其顯示諸多元件之間之尺寸的範例。在一些範例中，基板S位於固定式板件組件25上方的懸浮高度d1係在從0.2 mm至0.5 mm範圍內。在一些範例中，基板S位於固定式板件組件25上方的懸浮高度d1係在從0.25 mm至0.35 mm範圍內。在一些範例中，基板S位於固定式板件組件25上方的懸浮高度d1係0.3 mm。
在一些範例中，固定式板件組件25的上表面與邊緣環100之徑向內表面120的上邊緣150之間的軸向距離d2係在從1.3 mm至2.5 mm的範圍內。在一些範例中，固定式板件組件25的上表面與邊緣環100之徑向內表面120的上邊緣150之間的軸向距離d2係在從1.6 mm至2 mm的範圍內。在一些範例中，固定式板件組件25與邊緣環100之徑向內表面120的上邊緣150之間的軸向距離d2係1.8 mm。
在一些範例中，基板S邊緣與邊緣環100之徑向內表面120之間的徑向距離d3係在從0.1 mm至0.7 mm的範圍內。在一些範例中，基板S邊緣與邊緣環100之徑向內表面120之間的徑向距離d3係在從0.2 mm至0.4 mm的範圍內。在一些範例中，基板S邊緣與邊緣環100之徑向內表面120之間的徑向距離d3係0.3 mm。在一些範例中，固定式板件組件25之邊緣與邊緣環100之徑向內表面120之間的徑向距離d3a係在從0.1 mm至0.7 mm的範圍內。在一些範例中，固定式板件組件25之邊緣與邊緣環100之徑向內表面120之間的徑向距離d3a係在從0.2 mm至0.4 mm的範圍內。在一些範例中，固定式板件組件25之邊緣與邊緣環100之徑向內表面120之間的徑向距離d3a係0.3 mm。
在一些範例中，固定式板件組件25之上表面與邊緣環之徑向內表面120之下邊緣156之間的軸向距離d4係在從-0.2 mm至1.5 mm的範圍內。在一些範例中，固定式板件組件25之上表面與邊緣環之徑向內表面120之下邊緣156之間的軸向距離d4係在從0.3 mm至0.5 mm的範圍內。在一些範例中，固定式板件組件25與邊緣環之徑向內表面120之下邊緣156之間的軸向距離d4係0.4 mm。
在一些範例中，下基板S表面與邊緣環之徑向內表面120的下邊緣之間的距離d5係在從0.5 mm至2.0 mm的範圍內。在一些範例中，下基板S表面與邊緣環之徑向內表面120的下邊緣之間的距離d5係在從0.6 mm至0.8 mm的範圍內。在一些範例中，下基板S表面與邊緣環之徑向內表面120的下邊緣之間的距離d5係0.7 mm。
在一些範例中，基板S之上表面與邊緣環100之徑向內表面120之上邊緣150之間的軸向距離d6係在從0.5 mm至2.0 mm的範圍內。在一些範例中，基板S之上表面與邊緣環100之徑向內表面120之上邊緣150之間的軸向距離d6係在從0.6 mm至0.8 mm的範圍內。在一些範例中，基板S之上表面與邊緣環100之徑向內表面120之上邊緣150之間的軸向距離d6係0.7 mm。
前述描述內容本質上僅係說明性的，且絕不意圖限制本揭露內容、其應用、或使用。本揭露內容之廣義教示可以各種形式實施。因此，儘管本揭露內容包含特定的範例，但本揭露內容的真正範疇不應該被如此所限制，因為其他修正將在研究圖式、說明書、及隨後之申請專利範圍時變得明白。應理解，方法內一或更多的步驟可在不改變本揭露內容之原理的情況下以不同的順序(或同時地)執行。進一步講，儘管每一實施例於以上係被描述為具有某些特徵，但相關本揭露內容任一實施例而描述之該等特徵的任何一或更多者可在任何其他實施例中實施，並且/或者可與任何其他實施例的特徵進行組合，即使該組合並未明確地描述亦然。換句話說，所描述的實施例並非係互相排斥，且一或更多實施例之間互相的置換仍屬於本揭露內容的範疇。
複數元件之間(例如，複數模組、複數電路元件、複數半導體覆層等之間)空間或功能的關係係使用諸多用語而描述，包含「連接」、「嚙合」、「耦接」、「鄰近」、「接近」、「在頂部上」、「之上」、「之下」、及「設置」。除非明確地描述成係「直接」的，否則當在以上揭露內容中描述第一及第二元件之間的關係時，該關係可為在第一及第二元件之間沒有其他中間元件出現的直接關係，也可為在第一及第二元件之間存在一或更多中間元件(空間上、或功能上)的間接關係。如本文中所使用，詞組「A、B、及C之至少一者」應被解釋成意指使用非排除性邏輯「或」的邏輯(A或B或C)，並且不應被解釋成意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
8‧‧‧卡盤
10‧‧‧旋轉式卡盤組件
11‧‧‧下卡盤部
12‧‧‧銷
13‧‧‧上卡盤部
14‧‧‧抓取末端
15‧‧‧環齒輪
20‧‧‧流體分佈歧管
21‧‧‧腔室
22‧‧‧氣體噴嘴
23‧‧‧腔室
24‧‧‧氣體噴嘴
25‧‧‧固定式板件組件
26‧‧‧液體噴嘴組件
27‧‧‧液體導管
28‧‧‧排放孔
29‧‧‧液體導管
30‧‧‧液體噴嘴組件
31‧‧‧排放孔
32‧‧‧定子
34‧‧‧轉子
36‧‧‧支撐框架
40‧‧‧加熱器
42‧‧‧加熱元件
44‧‧‧窗部
45‧‧‧液體分配器
50‧‧‧中心柱
52‧‧‧氣體導管
54‧‧‧氣體導管
56‧‧‧液體導管
57‧‧‧液體導管
100‧‧‧邊緣環
102‧‧‧固定件
104‧‧‧間隔件
120‧‧‧徑向內表面
124‧‧‧凹口
150‧‧‧上邊緣
156‧‧‧下邊緣
d1‧‧‧懸浮高度
d2‧‧‧軸向距離
d3‧‧‧徑向距離
d3a‧‧‧徑向距離
d4‧‧‧軸向距離
d5‧‧‧距離
d6‧‧‧軸向距離
A‧‧‧角度
LP‧‧‧線
LT‧‧‧線
S‧‧‧基板
本揭露內容將自實施方式及附圖而變得更充分地理解，其中：
圖1係根據本揭露內容之旋轉卡盤組件的範例的立體圖；
圖2係根據本揭露內容之旋轉卡盤組件的範例的示意性側面橫剖面圖；
圖3係根據本揭露內容之邊緣環、固定式板件組件、及卡盤組件的範例的部分立體圖；
圖4係根據本揭露內容之邊緣環的範例的側面部分立體圖；
圖5係舉例說明邊緣環、銷凹口、及位於閒置位置之銷的部分立體圖；
圖6係舉例說明邊緣環、銷凹口、及位於夾持位置之銷的部分立體圖；
圖7A~7E係邊緣環輪廓之額外範例的側面橫剖面圖；以及
圖8係說明例示性尺寸的側面橫剖面圖。
在圖示中，參考數字可重複使用，以指示類似及/或相同的元件。

Claims (19)

  1. 一種用以處理基板的設備，其包含： 一固定式板件組件，其包含用以在處理期間於該基板之一邊緣處引導液體的液體噴嘴；以及 一卡盤組件，其包含： 一卡盤主體，其係設置於該固定式板件組件的下方並在該固定式板件組件的徑向外側，且可相對於該固定式板件組件旋轉； 一邊緣環，其係附接至該卡盤主體，且定義一徑向內表面，該徑向內表面在上下穿過含該基板之一平面的一軸向方向上延伸，其中沿著邊緣環的整個表面，該邊緣環係位於該基板之一徑向外邊緣的徑向外側；以及 複數銷，其可在一夾持位置與一閒置位置之間移動，該夾持位置係用以接合該基板的該徑向外邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該複數銷可相對於該卡盤主體旋轉。
  3. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該邊緣環的該徑向內表面包含複數凹口，當該複數銷係處於該夾持位置時，該複數凹口係用以接收該複數銷的至少一部分。
  4. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該複數銷的每一者包含圓柱狀或棱鏡狀的一抓取末端，且其中用以接觸該基板之該抓取末端的一表面平行於該基板的一旋轉軸。
  5. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該複數銷的每一者包含一抓取末端，且其中該邊緣環的該徑向內表面包含用以接收該抓取末端之至少一部分的複數弧形凹口。
  6. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該複數銷的每一者包含圓柱狀的一抓取末端，且其中介於該基板與該邊緣環之該徑向內表面之間的一間隙小於或等於該抓取末端的一直徑。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該固定式板件組件包含用以在朝向該基板的一向上方向上供應氣體的氣體噴嘴，用以在處理期間將該基板支撐於該固定式板件組件上方的一懸浮高度。
  8. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中在處理期間，藉由該等液體噴嘴在該基板與該邊緣環之間產生一液體彎液面。
  9. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該基板位於該固定式板件組件上方的一懸浮高度係在從0.2 mm至0.5 mm的範圍內。
  10. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中介於該固定式板件組件與該邊緣環之該徑向內表面之一上邊緣之間的一距離係在從1.3 mm至2.5 mm的範圍內。
  11. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中介於該固定式板件組件之一徑向外邊緣與該邊緣環之該徑向內表面之間的一距離係在從0.1 mm至0.7 mm的範圍內。
  12. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中介於該固定式板件組件與該邊緣環之該徑向內表面之一下邊緣之間的一距離係在從-0.2 mm至1.5 mm的範圍內。
  13. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中介於該固定式板件組件之一上表面與該邊緣環之該徑向內表面之一下邊緣之間的一距離係在從0.5 mm至2.0 mm的範圍內。
  14. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中介於該基板之一上表面與該邊緣環之該徑向內表面之一上邊緣之間的一距離係在從0.5 mm至2.0 mm的範圍內。
  15. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該邊緣環的該徑向內表面包含複數凹口，且其中沿著不含該複數凹口之該徑向內表面的部分，該徑向內表面定義一圓柱表面。
  16. 如申請專利範圍第1項之用以處理基板的設備，其中該邊緣環的該徑向內表面與平行於該卡盤組件之一旋轉軸的一線之夾角小於或等於+/-5°。
  17. 如申請專利範圍第16項之用以處理基板的設備，其中在該基板之一上表面上方2.0 mm且該基板之一下表面下方2.0 mm的距離以內，該邊緣環的該徑向內表面與平行於該卡盤組件之一旋轉軸的一線之夾角小於或等於+/-10°。
  18. 如申請專利範圍第16項之用以處理基板的設備，其中該邊緣環的該徑向內表面係凹面。
  19. 如申請專利範圍第16項之用以處理基板的設備，其中該邊緣環的該徑向內表面係凸面。
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