KR20160019465A - 표면 조도가 낮은 연마 패드 - Google Patents

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KR20160019465A
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자야크리쉬난 나이르
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캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
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Abstract

본 발명은 연마 표면을 포함하는 연마 패드 본체를 포함하며, 여기서 연마 패드 본체는 세공을 포함하고, 연마 표면은 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛의 표면 조도를 갖는 것인 연마 패드를 제공한다.

Description

표면 조도가 낮은 연마 패드 {LOW SURFACE ROUGHNESS POLISHING PAD}
본 발명은 연마 패드 및 기판의 연마 방법에 관한 것이며; 특히 본 발명은 연마 표면을 포함하는 연마 패드 본체를 포함하며, 여기서 연마 패드 본체는 세공을 포함하고, 연마 표면은 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛의 표면 조도를 갖는 것인 연마 패드에 관한 것이다.
화학-기계적 연마 ("CMP") 공정이 마이크로전자 장치의 제조에서 반도체 웨이퍼, 전계 방출 디스플레이, 및 많은 다른 마이크로전자 기판 상에 편평한 표면을 형성시키는데 사용되고 있다. 예를 들어, 반도체 장치의 제조는 일반적으로, 다양한 공정 층들을 형성하고, 이들 층 중 일부를 선택적으로 제거 또는 패턴화하고, 반도체성 기판 표면 상에 다른 추가의 공정 층들을 침착시켜 반도체 웨이퍼를 형성시키는 것을 포함한다. 공정 층은 예로서 절연 층, 게이트 산화물 층, 전도성 층, 및 금속 또는 유리의 층 등을 포함할 수 있다. 웨이퍼 처리의 특정 단계에서, 공정 층들의 최상부 표면은 후속 층의 침착을 위해 평면인 것, 즉 편평한 것이 일반적으로 바람직하다. CMP는 공정 층들을 평탄화하는데 사용되며, 여기서 후속 처리 단계를 위해 침착된 물질, 예컨대 전도성 또는 절연 물질을 연마하여 웨이퍼를 평탄화한다.
전형적인 CMP 공정에서, 웨이퍼는 CMP 도구의 캐리어 상에 거꾸로 탑재된다. 일정 힘이 연마 패드를 향해 캐리어 및 웨이퍼를 하향 가압한다. 캐리어 및 웨이퍼는 CMP 도구 연마 테이블 상의 회전하는 연마 패드 위에서 회전된다. 일반적으로, 연마 공정 동안 회전 웨이퍼와 회전하는 연마 패드 사이에 연마 조성물 (연마 슬러리로도 지칭됨)이 도입된다. 연마 조성물은 전형적으로 최상부 웨이퍼 층(들) 중 일부와 상호작용하거나 그를 용해시키는 화학물질, 및 층(들) 중 일부를 물리적으로 제거하는 연마 물질을 함유한다. 웨이퍼 및 연마 패드는, 동일 방향 또는 반대 방향으로, 어느 것이든지 특정한 연마 공정을 수행하기에 바람직하게 회전될 수 있다. 캐리어는 또한 연마 테이블 상의 연마 패드를 가로질러 진동할 수 있다.
연마 패드는 전형적으로 15 마이크로미터를 초과하는 초기 표면 조도를 갖는다. 여러 기판을 동일 패드로 연마하는 동안에, 패드 표면 상에서의 정상적인 마모는 패드의 표면 조도에 있어서 변화를 초래한다. 패드의 표면 조도가 변화함에 따라, 패드 표면과 연마되는 기판 사이의 접촉이 변화되고, 그에 따라 연마 속도가 변화될 수 있다. 결과적으로, 제조 실행 동안, 원하는 표면 특성, 예컨대 평탄성을 달성하기 위해 기판을 연마하는데 요구되는 시간의 양이 변화된다. 이에 따라, 기판들 사이의 균일성으로부터의 편차가 초래될 수 있다.
따라서, 개선된 연마 패드에 대한 필요성이 관련 기술분야에 남아있다.
본 발명은 연마 표면을 포함하는 연마 패드 본체를 포함하며, 여기서 연마 패드 본체는 세공을 포함하고, 연마 표면은 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛의 표면 조도를 갖는 것인 연마 패드를 제공한다.
본 발명은 또한 (i) 연마할 기판을 제공하고, (ii) 기판을 상기 언급된 연마 패드 및 연마 조성물과 접촉시키고, (iii) 기판을 연마 패드와 그들 사이의 연마 조성물에 대해 이동시켜서, 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 것을 포함하는, 기판을 연마하는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시양태에 따른 연마 패드 표면의 주사 전자 현미경 화상이다.
도 2는 본 발명의 실시양태에 따른 연마 패드 표면의 주사 전자 현미경 화상이다.
도 3은 통상의 연마 패드 표면의 주사 전자 현미경 화상이다.
도 4는 통상의 연마 패드와 비교한, 본 발명의 실시양태에 따른 연마 패드를 사용하여 연마되는 웨이퍼의 수에 대비한 산화규소 제거 속도의 그래프 도시이다.
본 발명은 연마 표면을 포함하는 연마 패드 본체를 포함하며, 여기서 연마 패드 본체는 세공을 포함하고, 연마 표면은 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛의 표면 조도를 갖는 것인 연마 패드를 제공한다.
연마 패드 본체는 임의의 적합한 치수를 가질 수 있다. 통상적으로, 연마 패드 본체는 원형 형상이거나 (회전 연마 도구에 사용되는 경우), 또는 루프화된 선형 벨트 (선형 연마 도구에 사용되는 경우)로서 제조된다. 바람직하게는, 연마 패드 본체는 원형이다.
연마 패드 본체는 임의의 적합한 물질을 포함하거나, 본질적으로 그로 이루어지거나, 또는 그로 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 연마 패드 본체는 중합체 수지를 포함하거나, 본질적으로 그로 이루어지거나, 또는 그로 이루어진다. 상기 중합체 수지는 임의의 적합한 중합체 수지일 수 있다. 통상적으로, 중합체 수지는 열가소성 엘라스토머, 열경화성 중합체, 폴리우레탄 (예를 들어, 열가소성 폴리우레탄), 폴리올레핀 (예를 들어, 열가소성 폴리올레핀), 폴리카르보네이트, 폴리비닐알콜, 나일론, 엘라스토머성 고무, 엘라스토머성 폴리에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아라미드, 폴리아릴렌, 폴리아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 그의 공중합체 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 중합체 수지는 폴리우레탄, 보다 바람직하게는 열가소성 폴리우레탄이다.
연마 패드 본체는 세공을 포함한다. 세공은 2 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상, 6 ㎛ 이상, 7 ㎛ 이상, 8 ㎛ 이상, 9 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이상, 25 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이상, 35 ㎛ 이상, 40 ㎛ 이상, 45 ㎛ 이상 또는 50 ㎛ 이상의 평균 세공 직경을 가질 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 세공은 150 ㎛ 이하, 125 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이하, 60 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이하 또는 10 ㎛ 이하의 평균 세공 직경을 가질 수 있다. 따라서, 세공은 평균 세공 직경에 대해 언급된 종점들 중 임의의 2개에 의해 포괄되는 평균 세공 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 연마 패드 본체는 2 ㎛ 내지 150 ㎛, 3 ㎛ 내지 125 ㎛, 4 ㎛ 내지 100 ㎛, 5 ㎛ 내지 90 ㎛, 5 ㎛ 내지 80 ㎛, 5 ㎛ 내지 70 ㎛, 5 ㎛ 내지 60 ㎛, 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 5 ㎛ 내지 45 ㎛, 5 ㎛ 내지 40 ㎛, 5 ㎛ 내지 35 ㎛, 5 ㎛ 내지 30 ㎛, 5 ㎛ 내지 25 ㎛, 5 ㎛ 내지 20 ㎛, 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 5 ㎛ 내지 10 ㎛, 10 ㎛ 내지 50 ㎛, 10 ㎛ 내지 45 ㎛, 10 ㎛ 내지 40 ㎛, 10 ㎛ 내지 35 ㎛, 10 ㎛ 내지 30 ㎛, 10 ㎛ 내지 25 ㎛ 또는 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 평균 세공 직경을 가질 수 있다.
연마 표면은 0.1 ㎛ 이상, 0.2 ㎛ 이상, 0.3 ㎛ 이상, 0.4 ㎛ 이상, 0.5 ㎛ 이상, 0.6 ㎛ 이상, 0.7 ㎛ 이상, 0.8 ㎛ 이상, 0.9 ㎛ 이상 또는 1 ㎛ 이상의 표면 조도를 가질 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 연마 표면은 4 ㎛ 이하, 3.8 ㎛ 이하, 3.6 ㎛ 이하, 3.5 ㎛ 이하, 3.4 ㎛ 이하, 3.2 ㎛ 이하, 3 ㎛ 이하, 2.8 ㎛ 이하, 2.6 ㎛ 이하, 2.5 ㎛ 이하, 2.4 ㎛ 이하, 2.2 ㎛ 이하, 2 ㎛ 이하, 1.8 ㎛ 이하 또는 1.6 ㎛ 이하의 표면 조도를 가질 수 있다. 따라서, 연마 표면은 표면 조도에 대해 언급된 종점들 중 임의의 2개에 의해 포괄되는 표면 조도를 가질 수 있다. 예를 들어, 연마 패드 본체는 0.1 ㎛ 내지 4 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 3.8 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 3.6 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 3.4 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 3.2 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 3 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 2.8 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 2.6 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 2.4 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 2.2 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 2 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 1.8 ㎛, 0.1 ㎛ 내지 1.6 ㎛, 0.5 ㎛ 내지 4 ㎛, 0.5 ㎛ 내지 3.5 ㎛, 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛, 0.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛, 0.5 ㎛ 내지 2 ㎛, 1 ㎛ 내지 4 ㎛, 1 ㎛ 내지 3.6 ㎛, 1 ㎛ 내지 3 ㎛, 1 ㎛ 내지 2.5 ㎛ 또는 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 표면 조도를 가질 수 있다.
표면 조도는 연마 표면의 여러 영역에서 결정시의 평균 표면 조도로 표현될 수 있다. 연마 표면 또는 그 영역의 표면 조도를 결정하는 적합한 방법의 비제한적 예는 ISO13565이다.
연마 패드 본체는 임의의 적합한 기술을 사용하여 제조될 수 있으며, 이들 중 다수가 관련 기술분야에 공지되어 있다. 예를 들어, 연마 패드는 캐스팅 및 압출과 같은 방법에 의해 형성될 수 있다. 중합체 수지는, 그것이 유동하게 되는 온도로 가열된 다음에 캐스팅 또는 압출에 의해 원하는 형상으로 성형되는 열가소성 물질일 수 있다. 중합체 수지는 그의 천연 형상에 의해 다공성 구조를 제공할 수 있다. 다른 실시양태에서, 다공성 구조는 관련 기술분야에 공지된 다양한 제조 기술 (예를 들어, 발포, 블로잉 등)의 사용을 통해 도입될 수 있다. 밀폐-셀 세공을 포함하는 세공 구조를 제공하는 대표적인 방법은 발포 공정, 예컨대 무셀(mucell) 공정, 상 반전 공정, 스피노달(spinodal) 또는 이중모드 분해 공정, 또는 가압 기체 사출 공정을 포함하며, 이들 모두는 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 개방-셀 세공을 포함하는 다공성 구조를 제공하는 대표적인 방법은 열가소성 중합체, 예컨대 폴리우레탄의 입자를 소결시켜 개방-셀 다공성 구조를 제공하는 것을 포함한다.
연마 표면은 임의의 적합한 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 한 실시양태에서, 연마 표면은 연마 패드 본체를 스카이빙(skiving)하는 것에 의해 제조된다.
연마 패드 본체는 5 MPa 이상, 10 MPa 이상, 20 MPa 이상, 30 MPa 이상, 40 MPa 이상, 50 MPa 이상, 60 MPa 이상, 70 MPa 이상, 80 MPa 이상, 90 MPa 이상, 100 MPa 이상, 200 MPa 이상, 300 MPa 이상, 400 MPa 이상 또는 500 MPa 이상의 30℃에서의 저장 탄성률(storage modulus of elasticity)을 가질 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 연마 패드 본체는 600 MPa 이하, 550 MPa 이하, 500 MPa 이하, 450 MPa 이하, 400 MPa 이하, 350 MPa 이하 또는 300 MPa 이하의 30℃에서의 저장 탄성률을 가질 수 있다. 따라서, 연마 패드 본체는 30℃에서의 저장 탄성률에 대해 언급된 종점들 중 임의의 2개에 의해 포괄되는 30℃에서의 저장 탄성률을 가질 수 있다. 예를 들어, 연마 패드 본체는 5 MPa 내지 600 MPa, 20 MPa 내지 600 MPa, 30 MPa 내지 600 MPa, 40 MPa 내지 550 MPa, 50 MPa 내지 500 MPa, 60 MPa 내지 450 MPa, 70 MPa 내지 400 MPa, 80 MPa 내지 350 MPa, 90 MPa 내지 300 MPa, 5 MPa 내지 500 MPa, 10 MPa 내지 500 MPa, 20 MPa 내지 400 MPa 또는 20 MPa 내지 300 MPa의 30℃에서의 저장 탄성률을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 연마 패드는 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 임의로 다중층 적층된 연마 패드의 1개의 층으로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 연마 패드는 서브패드(subpad)와 조합되어 사용될 수 있다. 서브패드는 임의의 적합한 서브패드일 수 있다. 적합한 서브패드는 폴리우레탄 발포체 서브패드, 함침 펠트 서브패드, 미세다공성 폴리우레탄 서브패드 또는 소결된 우레탄 서브패드를 포함한다. 서브패드는 전형적으로 본 발명의 연마 패드보다 더 연질이며, 그에 따라 연마 패드보다 더 압축성이다. 일부 실시양태에서, 서브패드는 연마 패드보다 더 경질이며, 덜 압축성이다. 임의로, 서브패드는 홈, 채널, 중공 구획 등을 포함한다. 본 발명의 연마 패드가 서브패드와 조합되어 사용되는 경우에는, 전형적으로, 연마 패드 및 서브패드와 동일크기로 연장되며 그들 사이에 있는 중간 백킹 층, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 존재한다.
한 실시양태에서, 연마 패드는 백킹 물질의 2개의 층 사이에 연마 패드 본체를 샌드위치함으로써 제조된다. 이어서, 생성되는 샌드위치된 연마 패드 본체는 스카이빙되어 2개의 연마 패드가 제조될 수 있다. 일부 실시양태에서, 샌드위치된 연마 패드 본체는 2개의 백킹 층 사이의 예비중합체, 예를 들어 열가소성 폴리우레탄을 경화시킴으로써 제조될 수 있다. 백킹 물질은 임의의 적합한 백킹 물질일 수 있으며, 중합체 시트를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 백킹 물질은 본원에 기재된 바와 같은 서브패드를 포함할 수 있다. 이러한 실시양태에서, 샌드위치된 연마 패드는 연장된 시트의 형태로 제조되며, 이는 이어서 연속 공정에서 스카이빙되고 분절로 절단되어 연마 패드가 형성될 수 있다.
도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 연마 패드의 표면은 연마 패드 본체의 스카이빙에 의한 연마 표면의 형성으로 인한 개방 세공을 포함한다. 연마 표면의 표면 조도는 세공을 제외한 연마 표면의 표면 조도를 지칭한다. 도 3은 비교 목적을 위한 통상의 연마 패드의 표면을 도시한다.
표면 조도는 광학 유형 표면 조도 시험기, 예컨대 3차원 표면 프로파일러, 레이저 주사 현미경, 전자 빔 표면 프로파일러, 접촉 유형 표면 조도 시험기, 예컨대 접촉 스타일러스가 구비된 표면 조도 시험기 등을 사용하여 측정될 수 있다. 바람직하게는, 표면 조도는 ISO 13565에 따라 결정된다.
본 발명은 또한 (i) 연마할 기판을 제공하고, (ii) 기판을 본원에 기재된 본 발명의 연마 패드 및 연마 조성물과 접촉시키고, (iii) 기판을 연마 패드와 그들 사이의 연마 조성물에 대해 이동시켜서, 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 것을 포함하는, 기판을 연마하는 방법을 제공한다.
연마 조성물은 임의의 적합한 연마 조성물일 수 있다. 연마 조성물은 전형적으로 수성 담체, pH 조절제 및 임의로 연마제를 포함한다. 연마되는 기판 (작업편)의 유형에 따라, 연마 조성물은 임의로 1종 이상의 산화제, 유기 산, 착화제, pH 완충제, 계면활성제, 부식 억제제, 소포제, 살생물제 등을 추가로 포함할 수 있다.
실시예
본 실시예는 본 발명의 연마 패드로 연마된 기판 수의 함수로서 그에 의해 구현된 산화규소의 제거 속도를 입증한다.
테트라에틸오르토실리케이트로부터 유래된 산화규소 바탕 층을 포함하는 유사한 기판들을 연마 조성물과 함께 본 발명의 실시양태에 따른 연마 패드 및 통상의 연마 패드로 연마하였다. 본 발명의 연마 패드는 열가소성 폴리우레탄 수지 (오하이오주 윅클리프 소재의 루브리졸(Lubrizol)로부터의 87A 열가소성 폴리우레탄 수지)를 사용하여 제조하였으며, 42D의 쇼어(Shore) D 경도, 25-45 ㎛의 평균 세공 직경, 공초점 현미경에 의해 측정시 1.4 ㎛의 평균 표면 조도, 및 하기 표에 나타낸 바와 같은 저장 탄성률 (E')을 가졌다.
<표>
Figure pct00001
비교 연마 패드는 밀링된 표면 및 공초점 현미경에 의해 측정시 5.6 ㎛의 평균 표면 조도를 갖는 시판 열가소성 폴리우레탄 패드였다.
기판의 연마 후, 각각의 기판에 대해 제거 속도를 결정하고, 결과를 도 4에 그래프로 도시하였다.
도 4에 도시된 데이터로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 연마 패드는 대략 40개의 기판을 연마한 후에 대략 530 Å/min에서 안정화된 산화규소 제거 속도를 나타내었다. 비교 연마 패드는 연속적인 기판의 연마 동안 증가되어 200개를 초과하는 기판을 연마 후에 대략 370 Å/min에 도달하는 산화규소 제거 속도를 나타내었다.
본원에 인용된 간행물, 특허 출원 및 특허를 비롯한 모든 참고문헌은, 각각의 참고문헌이 개별적으로 구체적으로 참조로 포함되는 것을 나타내며 그 전문이 본원에 제시된 것과 동일한 정도로, 본원에 참조로 포함된다.
본 발명을 기재하는 문맥 (특히 하기 청구범위의 문맥)에서의 "a" 및 "an" 및 "the" 및 "1종 이상"이라는 용어 및 유사 언급의 사용은 본원에 달리 나타내거나 문맥상 명백하게 모순되지 않는 한, 단수 및 복수 모두를 포괄하는 것으로 간주되어야 한다. 1종 이상 항목의 목록이 후속하는 "1종 이상"이라는 용어의 사용 (예를 들어 "A 및 B 중 1종 이상)은 본원에 달리 나타내거나 문맥상 명백하게 모순되지 않는 한, 열거된 항목에서 선택된 1종의 항목 (A 또는 B), 또는 열거된 항목 중 2종 이상의 임의의 조합 (A 및 B)를 의미하는 것으로 간주되어야 한다. "포함하는", "갖는", "비롯한" 및 "함유하는"이라는 용어는 달리 나타내지 않는 한, 개방형 용어 (즉 "포함하나, 이에 제한되지는 않는 것")로 간주되어야 한다. 본원에서 값 범위의 언급은 본원에 달리 나타내지 않는 한, 단순히 범위 내에 속하는 각 개별 값을 개별적으로 언급하는 것의 약식 방법으로 사용하고자 하는 것이며, 각각의 개별 값은 그것이 본원에 개별적으로 언급된 것처럼 본 명세서에 포함된다. 본원에 기재된 모든 방법은 본원에 달리 나타내거나 문맥상 명백하게 모순되지 않는 한, 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다. 본원에 제공된 임의의 모든 예 또는 예시적 언어 (예를 들어 "예컨대")의 사용은 단순히 본 발명을 더 잘 예시하려는 것이며, 달리 주장되지 않는 한, 본 발명의 범주에 제한을 두는 것은 아니다. 본 명세서의 어떠한 언어도 임의의 청구되지 않은 요소를 본 발명의 실시에 필수적인 것으로 나타내는 것으로서 간주되어서는 안 된다.
본 발명을 수행함에 있어서 본 발명자들이 알고있는 최선의 양태를 비롯한 본 발명의 바람직한 실시양태가 본원에 기재되어 있다. 상기 설명을 읽으면, 바람직한 실시양태의 변형이 통상의 기술자에게 명백해질 수 있다. 본 발명자들은 통상의 기술자가 적절한 경우에 이러한 변형을 사용할 것으로 예상하며, 본 발명자들은 본 발명이 본원에 구체적으로 기재된 것과 달리 실시될 수 있음을 의도한다. 따라서, 본 발명은 적용 법령에 의해 허용되는 바와 같이, 본원에 첨부된 청구범위에 언급된 주제의 모든 변형 및 등가물을 포함한다. 또한, 본원에 달리 나타내거나 문맥상 명백하게 모순되지 않는 한, 그의 모든 가능한 변형으로의 상기 기재된 요소의 임의의 조합이 본 발명에 의해 포괄된다.

Claims (9)

  1. 연마 표면을 포함하는 연마 패드 본체를 포함하며, 여기서 연마 패드 본체는 세공을 포함하고, 연마 표면은 0.1 ㎛ 내지 4 ㎛의 표면 조도를 갖는 것인 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 연마 표면이 0.5 ㎛ 내지 2 ㎛의 표면 조도를 갖는 것인 연마 패드.
  3. 제1항에 있어서, 세공이 2 ㎛ 내지 150 ㎛의 평균 세공 직경을 갖는 것인 연마 패드.
  4. 제1항에 있어서, 5 MPa 내지 600 MPa의 30℃에서의 저장 탄성률을 갖는 연마 패드.
  5. 제1항에 있어서, 연마 패드 본체가 열가소성 폴리우레탄을 포함하는 것인 연마 패드.
  6. 제1항에 있어서, 패드 기판을 추가로 포함하는 연마 패드.
  7. 제6항에 있어서, 연마 패드 본체가 연마 표면에 대향하는 비-연마 표면을 가지며, 패드 기판이 비-연마 표면에 접합되는 것인 연마 패드.
  8. 제1항에 있어서, 연마 표면으로부터 연마 표면에 대향하는 표면까지 연장되어 있는 광학적으로 투과성인 영역을 추가로 포함하는 연마 패드.
  9. (i) 연마할 기판을 제공하고,
    (ii) 기판을 제1항에 따른 연마 패드 및 연마 조성물과 접촉시키고,
    (iii) 기판을 연마 패드와 그들 사이의 연마 조성물에 대해 이동시켜서, 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 것
    을 포함하는, 기판을 연마하는 방법.
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