KR20160009136A - 자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합과 자기 메모리 - Google Patents

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Abstract

자기터널접합을 위한 구조가 개시된다. 이는 제1수직자기이방성층과, 제2수직자기이방성층과, 제1 및 제2 수직자기이방성층 사이에 개재된 커플링층을 포함하고, 커플링층은 적어도 하나의 금속산화층을 포함한다. 커플링층은 금속산화층/금속층/금속산화층 또는 금속층/금속산화층/금속층일 수 있다. 이러한 커플링층을 포함하는 구조가 자기터널접합에서 고정층으로 적용될 때 열공정에서의 확산을 방지하고 열적 안전성이 향상시킨다.

Description

자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합과 자기 메모리 {STRUCTURE FOR MAGNETIC TUNNELING JUNCTION AND MAGNETIC TUNNELING JUNCTION AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING THEM}
본 발명은 자기터널접합 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합(MAGNETIC TUNNELING JUNCTION)과 자기 메모리(MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY)에 관한 것이다.
자기터널접합은 2층의 강자성층 사이에 절연막이 개재된 형태를 기본 구조로 가지며 자기 메모리(MRAM)에 이용된다. 자기 메모리는 자기터널접합의 저항변화를 이용하여 데이터를 저장하는 비휘발성의 메모리로서 고속 동작이 가능하다는 장점이 있다.
현재의 DRAM 및 플래쉬 메모리를 대체할 가능성이 있는 유니버설 메모리(universal memory)로서 각광을 받고 있는 차세대 비휘발성 메모리 중의 하나인 수평형 MRAM 소자는 높은 집적도와 빠른 읽기/쓰기 속도 등 여러 장점에도 불구하고 스케일 다운(scaling down)을 진행하였을 경우 단위 셀당 전력소모량이 높은 단점이 있다.
이를 대체하기 위하여 수직형 STT(spin transfer torque)을 이용한 STT-MRAM 소자들이 중점적으로 연구되고 있다. STT 방법을 사용할 경우 수평자기이방성을 가지는 물질보다 수직자기이방성을 가지는 물질이 임계전류밀도(셀당 전력소모에 관련)가 낮고 단위 셀의 형태에 영향을 받지 않으며, 열적안정성이 높다. 따라서 최근에는 수직자기이방성 (PMA : perpendicular magnetic anisotropy)을 이용한 자기터널접합 (p-MTJs : perpendicular magnetic tunnel junctions)이 활발히 연구되고 있다.
일반적으로 수직자기이방성을 이용한 자기터널접합(MTJ) 소자는 고정층으로서 인위적 반강자성체 구조를 포함한다. 이러한 고정층은 2개의 수직자기이방성층 사이에 커플링층이 삽입된 구조를 갖는다. 이를테면 근래에 일반적으로 사용되는 고정층은 CoPd, CoPt, [Co/Pd], [Co/Pt] 와 같은 수직자기이방성층들 사이에 커플링층으로서 Ru가 삽입된 L10/Ru/L10 구조이다. 현재 STT-MRAM 소자 적용을 위해서는 궁극적으로 트랜지스터와 같은 선택소자 접합이 필수적인데, 이와 같은 선택소자의 공정온도가 상술한 고정층에 문제를 일으키게 된다. 이를테면, 선택소자의 공정온도는 대략 400 ℃ 이고, 이러한 온도는 상술한 고정층과 같은 인위적 반강자성체 구조에 좋지 않은 영향을 미치는 것이다.
예를 들어, 인위적 반강자성체 결합을 형성하기 위한 Ru과 같은 삽입층의 두께가 일정한 주기를 가지고 증가하게 되는데, 이러한 삽입층이 지나치게 두꺼워지면 인위적 반강자성체 구조의 자기적 특성이 약해지게 된다. 반면에 삽입층이 얇을 경우 상기 언급한 선택소자 공정온도인 약 400 ℃ 에서 얇은 삽입층이 버티질 못하고 수직자기이방성 물질과의 계면이 무너지는 현상이 발생될 수 있다. 또한 보고된 바에 따르면 400~450 ℃ 에서 인위적 반강자성체 결합을 구성하기 위해 사용된 수직자기이방성 물질에 포함된 Pd 혹은 Pt 가 고온 고정 중에서 매우 빠르게 확산됨으로서 전체적인 소자의 특성이 저하된다.
한국특허출원 10-2000-0054157호
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 감안하여 고정층으로 적용될 수 있는 자기터널접합을 위한 구조를 제공한다.
본 발명은 열적 안정성이 뛰어난 자기터널접합을 위한 구조를 제공한다.
본 발명은 열공정에서 확산 방지 기능이 구현되는 자기터널접합을 위한 구조를 제공한다.
본 발명은 상술한 개선된 구조를 포함하는 자기터널접합을 제공한다.
본 발명은 상술한 개선된 자기터널접합을 포함하는 자기 메모리를 제공한다.
본 발명은 자기터널접합을 위한 구조를 제공하며, 이는: 제1수직자기이방성층; 제2수직자기이방성층; 및 상기 제1 및 제2 수직자기이방성층 사이에 개재된 커플링층;을 포함하고, 상가 커플링층은 적어도 하나의 금속산화층을 포함한다.
여기서 상기 금속산화층은 RuOx일 수 있다.
다른 예로서, 커플링층은 금속산화층/금속층/금속산화층의 적층구조일 수 있고, 이 경우 RuOx/Ru/RuOx의 적층구조일 수 있다.
다른 예로서, 커플링층은 금속층/금속산화층/금속층의 적층구조를 가질 수 있고, 이 경우 Ru/RuOx/Ru일 수 있다.
다른 예로서, 상기 커플링층은 CaRuOx일 수 있다.
또한 본 발명은 상술한 개선된 구조를 포함하는 자기터널접합 및 자기 메모리를 제공한다.
본 발명에 따르면, 고온 공정 중에서 필수적으로 발생하는 상부와 하부 각각의 접합에서 Pt 혹은 Pd의 열적 확산을 방지할 수 있다. 또한 전체적인 삽입층의 두께를 증가시킴으로써 열처리 안정성이 향상된다. 커플링층에 RuOx와 CaRuOx를 적용하는 경우에도 Pt 혹은 Pd의 열적 확산을 방지할 수 있다. 이들 본 발명의 커플링층의 예들은 실질적으로 인위적 반강자성체 결합을 위한 Ru의 두께는 보존시킴으로써 강한 반강자성 결합을 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 구조를 포함하는 수식자기이방성 자기터널접합의 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제1실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제2실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제3실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제4실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
먼저 간략하게 설명하면, 본 발명은 예를 들어 STT-MRAM 소자의 고정층에 적용되는 인위적 반강자성체 결합 구조의 열처리 안정성을 향상시키고, 나아가 인위적 반강자성체 결합 구조에 사용되는 수직자기이방성 물질에 포함된 Pt 혹은 Pd 의 고온 공정에서의 확산을 방지하기 위한 기술이다. 이를 위해, 본 발명의 실시예들에서는 고정층의 커플링층 또는 스페이서층에 금속산화층을 포함한다. 이를테면, 기존에 단독으로 커플링층으로 사용되고 있는 Ru 소재 대신 RuOx를 포함하는 층을 커플링층으로 적용한다. 예로서, 고정층을 L10/RuOx/Ru/RuOx/L10 혹은 L10/Ru/RuOx/Ru/L10와 같은 접합을 만들게 되면 고온 공정 중에서 필수적으로 발생하는 상부와 하부 각각의 접합에서 Pt 혹은 Pd 의 고온에서 열적 확산을 막을 수 있고, 전체적인 삽입층의 두께를 증가시킴으로써 열처리 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한 예로서, 커플링층에 RuOx와 CaRuOx를 적용하여 Pt 혹은 Pd의 열적 확산을 방지할 수 있다. 이들 본 발명의 커플링층의 예들은 실질적으로 인위적 반강자성체 결합을 위한 Ru의 두께는 보존시킴으로써 강한 반강자성 결합을 기대할 수 있다. 이에 덧붙여, RuOx 물질은 전도성이 매우 좋은 산화물이기에 전체 구조에 있어서 저항 값을 높이지 않은 채로 상기와 같은 효과들을 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 구조를 포함하는 수식자기이방성 자기터널접합의 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명이 적용될 수 있는 수직자기이방성 자기터널접합은 고정층(1)과 터널층(2)과 자유층(3)을 포함한다. 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조는 예를 들어 도 1의 고정층(1)에 적용될 수 있다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 실시예들을 도시한 도면이다. 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조는 제1수직자기이방성층(11)과, 제2수직자기이방성층(12)과 그들 사이에 개재된 커플링층(13, 23, 33, 43)을 포함한다. 여기서 커플링층(13, 23, 33, 43)은 적어도 하나의 금속산화층을 포함한다.
이하에서는 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조에 대한 실시예들을 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제1실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제1실시예는 제1수직자기이방성층(11), 제2수직자기이방성층(12), 및 그들 사이에 개재된 커플링층(13)으로서 금속산화층(132)/금속층(131)/금속산화층(134)의 적층구조를 포함한다.
제1실시예의 커플링층(13)은 예를 들어, RuOx/Ru/RuOx일 수 있다. 제1수직자기이방성층(11)과 제2수직자기이방성층(12)이 예컨대 CoPd, CoPt, [Co/Pd], [Co/Pt] 등을 포함할 때, Ru의 양측의 금속산화층 RuOx가 열처리 과정에서 제1수직자기이방성층(11)과 제2수직자기이방성층(12)으로부터의 Pd 또는 Pt가 확산되는 것을 방지함으로써 전체 인위적 반강자성체 구조의 열적 안정성을 향상시키게 된다.
도 3은 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제2실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 제2실시예의 구조는 제1수직자기이방성층(11), 제2수직자기이방성층(12), 및 그들 사이에 개재된 금속층(231)/금속산화층(232)/금속층(233)으로 이루어진 적층구조의 커플링층(23)을 포함한다.
예를 들어, 제2실시예의 구조에 포함되는 커플링층(23)은 Ru/RuOx/Ru의 적층 구조를 가질 수 있다. 이러한 제2실시예에 포함되는 커플링층(23)은 전체 Ru 삽입층의 두께를 증가시킴으로써 고온 열처리에 대한 안정성이 향상시키고, 또한 RuOx 층은 Pt 또는 Pb의 확산을 방지하는 확산 방지막 역할을 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제3실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
제3실시예의 구조는 제1수직자기이방성층(11), 제2수직자기이방성층(12), 및 그들 사이에 개재된 금속산화층의 커플링층(33)을 포함한다.
예를 들어, 제3실시예의 구조에 포함되는 커플링층(33)은 RuOx일 수 있고, 이러한 RuOx층 자체가 Pt 및 Pd에 대한 확산방지층 역할을 하게 된다.
위에서 설명한 실시예 1 내지 실시예 3의 경우, 금속층과 금속산화층에 대하여 Ta과 TaOx가 각각 적용될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 자기터널접합을 위한 구조의 제4실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
제4실시예는 제1수직자기이방성층(11), 제2수직자기이방성층(12), 및 그들 사이에 개재된 CaRuOx의 커플링층(43)을 포함한다. 이와 같이 Ca가 삽입된 RuOx층은 RuOx 보다도 전도성이 우수하고, 또한 확산 방지막의 역할을 수행한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제1실시예 내지 제4실시예의 고정층은, 도 1에 도시한 바와 같은 자기터널접합에 적용될 수 있는 이를테면, 고정층(1), 터널층(2), 및 자유층(3)을 포함하는 자기터널접합에서 고정층으로 바람직하게 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상술한 개선된 고정층을 포함하는 자기터널접합 및 자성 메모리를 포함한다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
1: 고정층 2: 터널층
3: 자유층 11: 제1수직자기이방성층
12: 제2수직자기이방성층 13, 23, 33, 43: 커플링층
131, 231: 금속층 132, 134, 232: 금속산화층

Claims (9)

  1. 자기터널접합을 위한 구조로서:
    제1수직자기이방성층;
    제2수직자기이방성층; 및
    상기 제1 및 제2 수직자기이방성층 사이에 개재된 커플링층;을 포함하고,
    상기 커플링층은 적어도 하나의 금속산화층을 포함하는 것인, 자기터널접합을 위한 구조.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속산화층은 RuOx인, 자기터널접합을 위한 구조.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 커플링층은 금속산화층/금속층/금속산화층의 적층구조를 가지는 것인, 자기터널접합을 위한 구조.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 커플링층은 RuOx/Ru/RuOx의 적층구조인, 자기터널접합을 위한 구조.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 커플링층은 금속층/금속산화층/금속층의 적층구조를 가지는 것인, 자기터널접합을 위한 구조.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 커플링층은 Ru/RuOx/Ru인, 자기터널접합을 위한 구조.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 커플링층은 CaRuOx인, 자기터널접합을 위한 구조.
  8. 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나를 고정층으로 포함하는 자기터널접합.
  9. 상기 청구항 9의 자기터널접합을 포함하는 자기 메모리.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110692144A (zh) * 2017-07-21 2020-01-14 应用材料公司 适于高温热处理的磁性隧道结

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000054157A (ko) 2000-05-24 2000-09-05 민병무 컴퓨터 통신망을 이용한 경쟁적 상거래 방법
JP2003031867A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 酸化物磁性層と金属磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子
KR20120001617A (ko) * 2010-06-29 2012-01-04 소니 주식회사 기억 소자, 기억 소자의 제조 방법 및 메모리
KR20130041216A (ko) * 2010-07-16 2013-04-24 퀄컴 인코포레이티드 고정층들에 기능층을 포함하는 자기 저장 엘리먼트 및 그 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199768A (ja) * 1996-01-19 1997-07-31 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子
JP3177184B2 (ja) * 1996-04-30 2001-06-18 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
JP2007158369A (ja) * 2002-11-01 2007-06-21 Nec Corp 磁気抵抗デバイス及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000054157A (ko) 2000-05-24 2000-09-05 민병무 컴퓨터 통신망을 이용한 경쟁적 상거래 방법
JP2003031867A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 酸化物磁性層と金属磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子
KR20120001617A (ko) * 2010-06-29 2012-01-04 소니 주식회사 기억 소자, 기억 소자의 제조 방법 및 메모리
KR20130041216A (ko) * 2010-07-16 2013-04-24 퀄컴 인코포레이티드 고정층들에 기능층을 포함하는 자기 저장 엘리먼트 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110692144A (zh) * 2017-07-21 2020-01-14 应用材料公司 适于高温热处理的磁性隧道结
CN110692144B (zh) * 2017-07-21 2024-01-30 应用材料公司 适于高温热处理的磁性隧道结

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