JP2010192902A - アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この記憶素子には、第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分が更に設けられており、これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタを介して電流が流れるように構成されている。ここで開示した記憶素子の電気消費量は、従来のMRAM記憶素子よりも少ない。
【選択図】 図2b
Description
2 磁気トンネル接合部
21 基準層
22 絶縁層
23 記憶層
3 第一の選択用トランジスタ
3’ 第二の選択用トランジスタ
32 加熱電流
4 ビットライン
5 フィールドライン
51 磁界
52 フィールド電流
53 スピン偏極書込電流
7 第一のストラップ部分
7’ 第二のストラップ部分
8 第一のコンタクトエリアスタッド
8’ 第二のコンタクトエリアスタッド
RA 抵抗・面積積
TMR トンネル磁気抵抗
Z 接合部に沿った位置
Claims (12)
- 磁気記憶層と、基準層と、基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層とから成る磁気トンネル接合部と、
磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分と、
を有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記憶素子であって、
この記憶素子には、第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分が更に設けられており、
これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタを介して電流が流れるように構成されている、
記憶素子。 - 請求項1に記載の記憶素子において、当該の第一と第二のストラップ部分に流れる電流が、磁気トンネル接合部を高い方の温度閾値にまで加熱するための加熱電流である記憶素子。
- 請求項1に記載の記憶素子おいて、当該の記憶層の少なくとも一部が、第一と第二のストラップ部分内に構成されている記憶素子。
- 請求項2に記載の記憶素子において、当該の第一と第二のストラップ部分に流れる電流には、更に、記憶層の磁化をフィールド電流の向きに応じて変更するための磁界を発生させるように調整されたフィールド電流が含まれる記憶素子。
- 請求項2に記載の記憶素子において、当該の第一と第二のストラップ部分に流れる電流が、記憶層の磁化をフィールド電流の向きに応じて変更するための磁界を発生させるように調整されたフィールド電流である記憶素子。
- 請求項2に記載の記憶素子において、記憶層の磁化をフィールド電流の向きに応じて変更するためのフィールド電流を流すように構成されたフィールドラインが更に配備されている記憶素子。
- 請求項2に記載の記憶素子において、記憶層の磁化をスピン偏極書込電流が流れる向きに応じて変更するために、磁気トンネル接合部の他方の端と接続されるとともに、選択用トランジスタの中の少なくとも一つを介して磁気トンネル接合部にスピン偏極書込電流を流すように構成されたビットラインが更に配備されている記憶素子。
- 磁気記憶層と、基準層と、基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層とから成る磁気トンネル接合部と、
磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分と、
第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分と、
を有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の複数の記憶素子から成るマトリックスで構成された磁気記憶装置であって、
これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタを介して電流が流れるように構成されている、
磁気記憶装置。 - 磁気記憶層と、基準層と、基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層とから成る磁気トンネル接合部と、
磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分と、
第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分と、
を有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記憶素子の書込方法において、
書込手順の間に、
当該の磁気トンネル接合部を高い方の温度閾値にまで加熱するために、当該の第一と第二の選択用トランジスタを介して、第一と第二のストラップ部分に加熱電流を流す工程と、
磁気トンネル接合部が高い方の温度閾値に到達した後、記憶層の磁化を切り換える工程と、
を有する方法。 - 請求項9に記載の方法において、当該の記憶層の磁化を切り換える工程が、当該の第一と第二の選択用トランジスタを介して第一と第二のストラップ部分にフィールド電流を流す工程で構成される方法。
- 請求項9に記載の方法において、当該の記憶素子がフィールドラインを更に有し、当該の記憶層の磁化を切り換える工程が、そのフィールドラインにフィールド電流を流す工程で構成される方法。
- 請求項9に記載の方法において、当該の記憶素子が、磁気トンネル接合部の他方の端と接続されたビットラインを更に有し、当該の記憶層の磁化を切り換える工程が、選択用トランジスタの中の少なくとも一つを介して磁気トンネル接合部にスピン偏極書込電流を流す工程で構成される方法。
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