JPH09199768A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果が大きくかつ耐熱性に優れた磁
気抵抗効果膜を提供する。 【解決手段】 非磁性層５をＣｕＡｇ合金層とし，Ｃｏ
拡散防止層４，６を挟んでＮｉ含有磁性層３，７を積層
する。拡散防止層４，６にピンホールを生じても非磁性
層５中のＣｕの拡散が局限され，磁気抵抗効果の劣化が
少ない。
気抵抗効果膜を提供する。 【解決手段】 非磁性層５をＣｕＡｇ合金層とし，Ｃｏ
拡散防止層４，６を挟んでＮｉ含有磁性層３，７を積層
する。拡散防止層４，６にピンホールを生じても非磁性
層５中のＣｕの拡散が局限され，磁気抵抗効果の劣化が
少ない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，Ｃｕ又はＣｕ合金
からなる非磁性層と，Ｎｉ合金からなる磁性層とを積層
した構造を有する磁気抵抗効果素子に関し，特に熱拡散
による磁気抵抗効果の劣化が少ない磁気抵抗効果素子の
構造に関する。
からなる非磁性層と，Ｎｉ合金からなる磁性層とを積層
した構造を有する磁気抵抗効果素子に関し，特に熱拡散
による磁気抵抗効果の劣化が少ない磁気抵抗効果素子の
構造に関する。
【０００２】磁気抵抗効果素子は，磁気センサ，例えば
磁気装置のヘッドの磁気検出に用いられる。かかる磁気
抵抗効果素子は，微弱な磁気を検出できる大きな磁気抵
抗変化と，安定して製造できる高い耐熱性とが要求され
ている。
磁気装置のヘッドの磁気検出に用いられる。かかる磁気
抵抗効果素子は，微弱な磁気を検出できる大きな磁気抵
抗変化と，安定して製造できる高い耐熱性とが要求され
ている。
【０００３】しかし，大きな磁気抵抗変化を生ずるスピ
ンバルブ膜又はＧＭＲ（巨大磁気抵抗）膜は，薄い非磁
性層と薄い磁性層とを交互に積層する構造を有するた
め，磁気抵抗層の製造過程の熱処理工程中に非磁性層と
磁性層との間で熱拡散を生じ，磁気抵抗特性が劣化する
場合がある。
ンバルブ膜又はＧＭＲ（巨大磁気抵抗）膜は，薄い非磁
性層と薄い磁性層とを交互に積層する構造を有するた
め，磁気抵抗層の製造過程の熱処理工程中に非磁性層と
磁性層との間で熱拡散を生じ，磁気抵抗特性が劣化する
場合がある。
【０００４】このため，非磁性層と磁性層との積層から
生ずる大きな磁気抵抗効果を保持しつつ，さらに耐熱性
に優れた磁気抵抗効果素子が必要とされている。
生ずる大きな磁気抵抗効果を保持しつつ，さらに耐熱性
に優れた磁気抵抗効果素子が必要とされている。
【０００５】
【従来の技術】大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効
果素子の構造として，Ｃｕからなる非磁性層をＦｅＮｉ
合金からなる磁性層で挟んだスピンバブル膜，又はＣｕ
からなる非磁性層とＦｅＮｉ合金からなる磁性層とを交
互に多層に積層したＧＭＲ膜が知られている。
果素子の構造として，Ｃｕからなる非磁性層をＦｅＮｉ
合金からなる磁性層で挟んだスピンバブル膜，又はＣｕ
からなる非磁性層とＦｅＮｉ合金からなる磁性層とを交
互に多層に積層したＧＭＲ膜が知られている。
【０００６】しかし，これらの磁気抵抗効果素子は，Ｎ
ｉを含む磁性層とＣｕを含む非磁性層とが直接に接触す
るため，容易に熱拡散を生じて磁気抵抗効果が劣化す
る。このため，非磁性層と磁性層との間にＣｏ薄膜から
なる拡散防止層を設け，熱拡散を防止することで，耐熱
温度を向上させる構造が考案された。このＣｏ拡散防止
層は，耐熱性をある程度向上させる他，磁気抵抗効果を
大きくするという効果がある。
ｉを含む磁性層とＣｕを含む非磁性層とが直接に接触す
るため，容易に熱拡散を生じて磁気抵抗効果が劣化す
る。このため，非磁性層と磁性層との間にＣｏ薄膜から
なる拡散防止層を設け，熱拡散を防止することで，耐熱
温度を向上させる構造が考案された。このＣｏ拡散防止
層は，耐熱性をある程度向上させる他，磁気抵抗効果を
大きくするという効果がある。
【０００７】このＣｏ拡散防止層を設けた構造では，Ｃ
ｏ拡散防止層を厚くすると磁気抵抗効果が小さくなる。
このため，磁気抵抗効果の観点からＣｏ拡散防止層を薄
くすることが望ましく，通常は３nm以下の厚さの拡散防
止層が用いられている。しかし，かかる薄い拡散防止層
にはピンポールが生じ易く，この拡散防止層のピンホー
ルを通して非磁性層と磁性層との間の熱拡散が起こる。
その結果，耐熱性を十分なまで向上することは困難であ
った。
ｏ拡散防止層を厚くすると磁気抵抗効果が小さくなる。
このため，磁気抵抗効果の観点からＣｏ拡散防止層を薄
くすることが望ましく，通常は３nm以下の厚さの拡散防
止層が用いられている。しかし，かかる薄い拡散防止層
にはピンポールが生じ易く，この拡散防止層のピンホー
ルを通して非磁性層と磁性層との間の熱拡散が起こる。
その結果，耐熱性を十分なまで向上することは困難であ
った。
【０００８】さらに耐熱性を向上する他の方法として，
Ｎｉを含む磁性層と接触する非磁性層をＣｕＡｇ合金と
する方法が，第１８回日本応用磁気学会学術講演概要
集，１４ｐＤ−１６（１９９４）に記載されている。Ｎ
ｉ及びＮｉ合金とＡｇとは互いに固溶度が極めて小さい
ため，Ａｇを含有するＣｕからなる非磁性層は，Ｎｉを
含む磁性層と接触させて積層しても熱拡散が小さく，従
ってこの構造は比較的高い耐熱性を有する。
Ｎｉを含む磁性層と接触する非磁性層をＣｕＡｇ合金と
する方法が，第１８回日本応用磁気学会学術講演概要
集，１４ｐＤ−１６（１９９４）に記載されている。Ｎ
ｉ及びＮｉ合金とＡｇとは互いに固溶度が極めて小さい
ため，Ａｇを含有するＣｕからなる非磁性層は，Ｎｉを
含む磁性層と接触させて積層しても熱拡散が小さく，従
ってこの構造は比較的高い耐熱性を有する。
【０００９】ここでＣｕＡｇ合金とＮｉ合金との間の熱
拡散を小さくするには，Ａｇ濃度を高くする必要があ
る。しかし，十分な耐熱性を有するまでＡｇ濃度を高く
すると，ＣｕＡｇ合金を堆積するときに凝集してしま
い，非磁性層となるＣｕＡｇ合金を一様に薄く堆積する
ことができない。磁気抵抗効果は，非磁性層が厚いほど
小さくなるから，このように非磁性層を薄く形成できな
いのでは大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
を製造することは難しい。
拡散を小さくするには，Ａｇ濃度を高くする必要があ
る。しかし，十分な耐熱性を有するまでＡｇ濃度を高く
すると，ＣｕＡｇ合金を堆積するときに凝集してしま
い，非磁性層となるＣｕＡｇ合金を一様に薄く堆積する
ことができない。磁気抵抗効果は，非磁性層が厚いほど
小さくなるから，このように非磁性層を薄く形成できな
いのでは大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
を製造することは難しい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
Ｃｕからなる非磁性層とＮｉを含む磁性層との間にＣｏ
からなる拡散防止層を介在させた構造を有する磁気抵抗
効果素子では，拡散防止層を薄くするとピンホールが発
生するため，薄くかつ十分な拡散防止効果を有する拡散
防止層を形成することが難しい。また，非磁性層にＣｕ
Ａｇ合金を用いる磁気抵抗効果素子では，非磁性層のＡ
ｇ含有量を多くして熱による拡散を小さくすると薄い非
磁性層の形成が困難になるため，薄くかつ熱拡散が小さ
な非磁性層を形成することは難しい。このため，いずれ
の磁気抵抗効果素子によっても，大きな磁気抵抗効果と
十分な耐熱性とを同時に実現することは困難であった。
Ｃｕからなる非磁性層とＮｉを含む磁性層との間にＣｏ
からなる拡散防止層を介在させた構造を有する磁気抵抗
効果素子では，拡散防止層を薄くするとピンホールが発
生するため，薄くかつ十分な拡散防止効果を有する拡散
防止層を形成することが難しい。また，非磁性層にＣｕ
Ａｇ合金を用いる磁気抵抗効果素子では，非磁性層のＡ
ｇ含有量を多くして熱による拡散を小さくすると薄い非
磁性層の形成が困難になるため，薄くかつ熱拡散が小さ
な非磁性層を形成することは難しい。このため，いずれ
の磁気抵抗効果素子によっても，大きな磁気抵抗効果と
十分な耐熱性とを同時に実現することは困難であった。
【００１１】本発明は，非磁性層をＣｕＡｇ合金とし，
かつ非磁性層と磁性層との間にＣｏからなる拡散防止層
を設けることで，大きな磁気抵抗効果を維持しつつ，優
れた耐熱性を合わせもつ磁気抵抗効果素子を提供するこ
とを目的とする。
かつ非磁性層と磁性層との間にＣｏからなる拡散防止層
を設けることで，大きな磁気抵抗効果を維持しつつ，優
れた耐熱性を合わせもつ磁気抵抗効果素子を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例ス
ピンバルブ膜断面図であり，磁気ヘッドに用いられた磁
気抵抗効果素子のスピンバルブ膜の断面構造を表してい
る。
ピンバルブ膜断面図であり，磁気ヘッドに用いられた磁
気抵抗効果素子のスピンバルブ膜の断面構造を表してい
る。
【００１３】上記課題を解決するために，図１を参照し
て，本発明の第一の構成は，ＣｕＡｇ合金からなる非磁
性層５と，該非磁性層５に重ねて設けられたＮｉ合金か
らなる磁性層３，７と，該非磁性層５と該磁性層３，７
との間に設けられたＣｏからなる拡散防止層４，６とを
有することを特徴として構成し，及び，第二の構成は，
基板１上に，第一の磁性層３，第一の拡散防止層４，非
磁性層５，第二の拡散防止層６，及び第二の磁性層７を
順次積層した構造を有する磁気抵抗効果素子において，
該第一の磁性層３及び該第二の磁性層７のうち少なくと
も一方は，Ｎｉ又はＮｉ合金からなる磁性層であり，該
第一の拡散防止層４及び該第二の拡散防止層６のうち該
Ｎｉ又はＮｉ合金からなる磁性層と接する拡散防止層
は，Ｃｏからなり，該非磁性層５は，ＣｕＡｇ合金から
なることを特徴として構成する。
て，本発明の第一の構成は，ＣｕＡｇ合金からなる非磁
性層５と，該非磁性層５に重ねて設けられたＮｉ合金か
らなる磁性層３，７と，該非磁性層５と該磁性層３，７
との間に設けられたＣｏからなる拡散防止層４，６とを
有することを特徴として構成し，及び，第二の構成は，
基板１上に，第一の磁性層３，第一の拡散防止層４，非
磁性層５，第二の拡散防止層６，及び第二の磁性層７を
順次積層した構造を有する磁気抵抗効果素子において，
該第一の磁性層３及び該第二の磁性層７のうち少なくと
も一方は，Ｎｉ又はＮｉ合金からなる磁性層であり，該
第一の拡散防止層４及び該第二の拡散防止層６のうち該
Ｎｉ又はＮｉ合金からなる磁性層と接する拡散防止層
は，Ｃｏからなり，該非磁性層５は，ＣｕＡｇ合金から
なることを特徴として構成する。
【００１４】本発明を，本発明の実施例に係るスピンバ
ブル膜を参照して説明する。本発明の構成では，図１を
参照して，Ｃｕを含む非磁性層５とＮｉを含む磁性層
３，７とがＣｏからなる拡散防止層４，６により隔離さ
れ，加えて非磁性層５はＣｕＡｇ合金から構成される。
かかる構成を有する磁気抵抗効果膜では，非磁性層５の
Ａｇ含有量が比較的少ない場合でも，非磁性層５と磁性
層３，７との間の熱による拡散による磁気抵抗効果の劣
化が少ないことを本発明の発明者は実験により明らかに
した。以下，この実験結果を説明する。
ブル膜を参照して説明する。本発明の構成では，図１を
参照して，Ｃｕを含む非磁性層５とＮｉを含む磁性層
３，７とがＣｏからなる拡散防止層４，６により隔離さ
れ，加えて非磁性層５はＣｕＡｇ合金から構成される。
かかる構成を有する磁気抵抗効果膜では，非磁性層５の
Ａｇ含有量が比較的少ない場合でも，非磁性層５と磁性
層３，７との間の熱による拡散による磁気抵抗効果の劣
化が少ないことを本発明の発明者は実験により明らかに
した。以下，この実験結果を説明する。
【００１５】図２は本発明の効果説明図であり，図１に
示す構造のスピンバルブ膜の磁気抵抗効果の熱処理温度
依存性を，抵抗変化率により表している。抵抗変化率
は，スピンバルブ膜を形成し，６０分間の熱処理をした
後，磁気抵抗変化を測定して求めた。図２（ａ）は，非
磁性層５をＣｕとし，拡散防止層４，６をＣｏとした従
来例のスピンバルブ膜の磁気抵抗効果を，図２（ｂ）
は，非磁性層５を９．３原子％のＡｇを含有するＣｕ合
金とし拡散防止層４，６をＣｏとする，本発明を適用し
たスピンバルブ膜の磁気抵抗効果を表している。図２
（ａ）及び（ｂ）の試料とされたスピンバブル膜の他の
構成は両者とも同一である。なお，磁性層３，７はとも
にＦｅＮｉ合金である。
示す構造のスピンバルブ膜の磁気抵抗効果の熱処理温度
依存性を，抵抗変化率により表している。抵抗変化率
は，スピンバルブ膜を形成し，６０分間の熱処理をした
後，磁気抵抗変化を測定して求めた。図２（ａ）は，非
磁性層５をＣｕとし，拡散防止層４，６をＣｏとした従
来例のスピンバルブ膜の磁気抵抗効果を，図２（ｂ）
は，非磁性層５を９．３原子％のＡｇを含有するＣｕ合
金とし拡散防止層４，６をＣｏとする，本発明を適用し
たスピンバルブ膜の磁気抵抗効果を表している。図２
（ａ）及び（ｂ）の試料とされたスピンバブル膜の他の
構成は両者とも同一である。なお，磁性層３，７はとも
にＦｅＮｉ合金である。
【００１６】非磁性層５をＣｕとする場合は，図２
（ａ）を参照して，熱処理温度が２３０℃を超えると抵
抗変化率は熱処理前の５０％程度まで急激に低減する。
これに対して，非磁性層５をＣｕＡｇ合金とする場合
は，図２（ｂ）を参照して，２６０℃の熱処理温度によ
っても抵抗変化率の低減は２０％程度にすぎない。この
ように，非磁性層５をＣｕＡｇ合金としたスピンバルブ
膜の耐熱性はＣｕを非磁性層５とするものより，大きく
改善される。
（ａ）を参照して，熱処理温度が２３０℃を超えると抵
抗変化率は熱処理前の５０％程度まで急激に低減する。
これに対して，非磁性層５をＣｕＡｇ合金とする場合
は，図２（ｂ）を参照して，２６０℃の熱処理温度によ
っても抵抗変化率の低減は２０％程度にすぎない。この
ように，非磁性層５をＣｕＡｇ合金としたスピンバルブ
膜の耐熱性はＣｕを非磁性層５とするものより，大きく
改善される。
【００１７】この実験で用いた非磁性層５は，９．３原
子％のＡｇを含有するＣｕ合金である。この程度のＡｇ
含有量では，非磁性層５とＦｅＮｉからなる磁性層３，
７との間での拡散の速さに大きな変化はない。従って，
単に拡散速度から考察したのでは，Ｃｏの拡散防止層
４，６を設けたとしても，９．３原子％のＡｇを含有す
るＣｕ合金からなる非磁性層を有するスピンバルブ膜の
磁気抵抗変化率は，図２（ａ）に示すＣｕからなる非磁
性層を有するスピンバルブ膜の磁気抵抗変化率と大差な
いものと予想され，図２（ｂ）について説明したような
優れた耐熱性を説明することができない。本発明の発明
者は，非磁性層と磁性層とは拡散防止層のピンホールを
通して拡散するために，初期の拡散によりピンホールの
開口近傍の非磁性層中のＡｇ濃度が上昇し，その後にピ
ンホールを通して起こる拡散を抑制するためと考察して
いる。
子％のＡｇを含有するＣｕ合金である。この程度のＡｇ
含有量では，非磁性層５とＦｅＮｉからなる磁性層３，
７との間での拡散の速さに大きな変化はない。従って，
単に拡散速度から考察したのでは，Ｃｏの拡散防止層
４，６を設けたとしても，９．３原子％のＡｇを含有す
るＣｕ合金からなる非磁性層を有するスピンバルブ膜の
磁気抵抗変化率は，図２（ａ）に示すＣｕからなる非磁
性層を有するスピンバルブ膜の磁気抵抗変化率と大差な
いものと予想され，図２（ｂ）について説明したような
優れた耐熱性を説明することができない。本発明の発明
者は，非磁性層と磁性層とは拡散防止層のピンホールを
通して拡散するために，初期の拡散によりピンホールの
開口近傍の非磁性層中のＡｇ濃度が上昇し，その後にピ
ンホールを通して起こる拡散を抑制するためと考察して
いる。
【００１８】上述したように本発明の構成では，非磁性
層にＡｇ濃度の低いＣｕＡｇ合金を用い，かつ拡散防止
層にピンホールが生じる程の薄いＣｏ薄膜を用いても，
磁性層との間の拡散は十分に抑制される。従って，非磁
性層を薄くかつ一様な膜厚で堆積するために非磁性層の
Ａｇ濃度を低くしても，十分な耐熱性を保持することが
できる。このため，本構成の磁気抵抗効果素子は，薄い
Ｃｏ膜からなる拡散防止層及び薄い非磁性層を用いるこ
とから生ずる大きな磁気抵抗効果を有し，同時に優れた
耐熱性を有する。
層にＡｇ濃度の低いＣｕＡｇ合金を用い，かつ拡散防止
層にピンホールが生じる程の薄いＣｏ薄膜を用いても，
磁性層との間の拡散は十分に抑制される。従って，非磁
性層を薄くかつ一様な膜厚で堆積するために非磁性層の
Ａｇ濃度を低くしても，十分な耐熱性を保持することが
できる。このため，本構成の磁気抵抗効果素子は，薄い
Ｃｏ膜からなる拡散防止層及び薄い非磁性層を用いるこ
とから生ずる大きな磁気抵抗効果を有し，同時に優れた
耐熱性を有する。
【００１９】なお，本発明の構成を実施例に基づいて説
明したが，本発明の第一の構成は，拡散防止層を挟んで
非磁性層と磁性層とが設けられている構造を有する磁気
抵抗効果素子に適用され，各層がそれぞれ１層のもので
あっても，又は磁性層，拡散防止層，非磁性層を多層に
積層したものであっても適用されることは当然である。
また，第二の構成は，図２を参照して，第一及び第二の
磁性層３，７がＮｉを含む合金からなり，第一及び第二
の拡散防止層４，６がＣｏからなり，非磁性層５がＣｕ
Ａｇ合金からなるものであってもよい。
明したが，本発明の第一の構成は，拡散防止層を挟んで
非磁性層と磁性層とが設けられている構造を有する磁気
抵抗効果素子に適用され，各層がそれぞれ１層のもので
あっても，又は磁性層，拡散防止層，非磁性層を多層に
積層したものであっても適用されることは当然である。
また，第二の構成は，図２を参照して，第一及び第二の
磁性層３，７がＮｉを含む合金からなり，第一及び第二
の拡散防止層４，６がＣｏからなり，非磁性層５がＣｕ
Ａｇ合金からなるものであってもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明を，磁気ヘッド用として，
スピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子の実施例を参
照して説明する。
スピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子の実施例を参
照して説明する。
【００２１】図１を参照して，（１００）面を主面とす
るＳｉ基板１上に，スパッタ法により，Ｔａからなる厚
さ５nmの下地層２，ＮｉＦｅからなる厚さ６nmの磁性層
３，Ｃｏからなる厚さ２nmの拡散防止層４，２０原子％
のＡｇを含むＣｕＡｇ合金からなる厚さ４nmの非磁性層
５，Ｃｏからなる厚さ２nmの拡散防止層６，ＮｉＦｅか
らなる厚さ４nmの磁性層７，及びＦｅＭｎからなる厚さ
２０nmの反強磁性層８をこの順で堆積する。ついで，レ
ジストマスクを用いてこの積層をパターニングし，周知
のスピンバルブ膜を形成した。なお，スパッタは全て３
０Ｏｅの磁界を基板１の主面に平行に印加し，磁性層
３，７及び反強磁性層８に磁化容易軸を付与した。ま
た，非磁性層５のＡｇ濃度は，高濃度である程熱処理時
の抵抗変化率の低下は少なく５原子％以上であることが
耐熱性の観点からは好ましく，一方薄く一様に堆積する
ためには３０原子％以下が好ましい。
るＳｉ基板１上に，スパッタ法により，Ｔａからなる厚
さ５nmの下地層２，ＮｉＦｅからなる厚さ６nmの磁性層
３，Ｃｏからなる厚さ２nmの拡散防止層４，２０原子％
のＡｇを含むＣｕＡｇ合金からなる厚さ４nmの非磁性層
５，Ｃｏからなる厚さ２nmの拡散防止層６，ＮｉＦｅか
らなる厚さ４nmの磁性層７，及びＦｅＭｎからなる厚さ
２０nmの反強磁性層８をこの順で堆積する。ついで，レ
ジストマスクを用いてこの積層をパターニングし，周知
のスピンバルブ膜を形成した。なお，スパッタは全て３
０Ｏｅの磁界を基板１の主面に平行に印加し，磁性層
３，７及び反強磁性層８に磁化容易軸を付与した。ま
た，非磁性層５のＡｇ濃度は，高濃度である程熱処理時
の抵抗変化率の低下は少なく５原子％以上であることが
耐熱性の観点からは好ましく，一方薄く一様に堆積する
ためには３０原子％以下が好ましい。
【００２２】本実施例では，スピンバルブ膜を形成後，
ライトヘッドコイルを絶縁するための絶縁層としてレジ
スト層を，２５０℃で６０分間ベーキングしたが，磁気
抵抗効果素子の磁気検出特性の劣化は問題とならない程
度であった。なお，磁気抵抗変化率のＡｇ添加による劣
化は，薄いＣｏ拡散防止層及び薄い非磁性層の実現によ
り回復された。
ライトヘッドコイルを絶縁するための絶縁層としてレジ
スト層を，２５０℃で６０分間ベーキングしたが，磁気
抵抗効果素子の磁気検出特性の劣化は問題とならない程
度であった。なお，磁気抵抗変化率のＡｇ添加による劣
化は，薄いＣｏ拡散防止層及び薄い非磁性層の実現によ
り回復された。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば，薄い非磁性層と薄いＣ
ｏ膜の拡散防止膜とを用いて大きな磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗効果素子を実現すると同時に，非磁性層をＣ
ｕＡｇ合金とすることで優れた耐熱性を有する磁気抵抗
効果素子とすることができるから，大きな磁気抵抗効果
を有しかつ耐熱性に優れた磁気抵抗効果素子を提供する
ことができ，磁気ヘッドを含む磁気センサの性能向上に
寄与するところが大きい。
ｏ膜の拡散防止膜とを用いて大きな磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗効果素子を実現すると同時に，非磁性層をＣ
ｕＡｇ合金とすることで優れた耐熱性を有する磁気抵抗
効果素子とすることができるから，大きな磁気抵抗効果
を有しかつ耐熱性に優れた磁気抵抗効果素子を提供する
ことができ，磁気ヘッドを含む磁気センサの性能向上に
寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の実施例スピンバルブ膜断面図
【図２】 本発明の効果説明図
１ 基板 ２ 下地層 ３ 磁性層 ４ 拡散防止層 ５ 非磁性層 ６ 拡散防止層 ７ 磁性層 ８ 反強磁性層
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣｕＡｇ合金からなる非磁性層と，該非
磁性層に重ねて設けられたＮｉ合金からなる磁性層と，
該非磁性層と該磁性層との間に設けられたＣｏからなる
拡散防止層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項２】 基板上に，第一の磁性層，第一の拡散防
止層，非磁性層，第二の拡散防止層，及び第二の磁性層
を順次積層した構造を有する磁気抵抗効果素子におい
て，該第一の磁性層及び該第二の磁性層のうち少なくと
も一方は，Ｎｉ又はＮｉ合金からなる磁性層であり，該
第一の拡散防止層及び該第二の拡散防止層のうち該Ｎｉ
又はＮｉ合金からなる磁性層と接する拡散防止層は，Ｃ
ｏからなり，該非磁性層は，ＣｕＡｇ合金からなること
を特徴とする磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8007702A JPH09199768A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8007702A JPH09199768A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199768A true JPH09199768A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11673094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8007702A Withdrawn JPH09199768A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199768A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067828A1 (fr) * | 1998-06-22 | 1999-12-29 | Sony Corporation | Dispositif a effet tunnel magnetique, procede de fabrication de ce dernier et tete magnetique |
| US6195240B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Spin valve head with diffusion barrier |
| KR101596584B1 (ko) * | 2014-07-15 | 2016-02-24 | 한양대학교 산학협력단 | 자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합과 자기 메모리 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8007702A patent/JPH09199768A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067828A1 (fr) * | 1998-06-22 | 1999-12-29 | Sony Corporation | Dispositif a effet tunnel magnetique, procede de fabrication de ce dernier et tete magnetique |
| US6452892B1 (en) | 1998-06-22 | 2002-09-17 | Sony Corporation | Magnetic tunnel device, method of manufacture thereof, and magnetic head |
| US6195240B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Spin valve head with diffusion barrier |
| SG84539A1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-11-20 | Ibm | Spin valve head with diffusion barrier |
| KR101596584B1 (ko) * | 2014-07-15 | 2016-02-24 | 한양대학교 산학협력단 | 자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합과 자기 메모리 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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