KR20150139452A - 무선 주파수 스위치에 대한 시스템 및 방법 - Google Patents

무선 주파수 스위치에 대한 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

실시예에 따르면, 회로는, 대응하는 복수의 RF 포트들과 공통 RF 포트 사이에 연결되는 복수의 스위칭 네트워크들 및 제어 회로를 포함한다. 복수의 스위칭 네트워크들 각각은, 자신의 대응하는 RF 포트와 공통 RF 포트 사이에 연결되는 제 1 스위치를 포함하고, 복수의 스위칭 네트워크들 중 적어도 하나는 제 1 스위치와 공통 RF 포트 사이에 연결된 선택가능한 네트워크를 포함하여, 선택가능한 네트워크는 제 1 상태에서는 DC 경로를 그리고 제 2 상태에서는 직렬 캐패시턴스를 제공한다.

Description

무선 주파수 스위치에 대한 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR A RADIO FREQUENCY SWITCH}
본 개시는 전반적으로 전자 디바이스에 관한 것이고, 더 상세하게는 무선 주파수(RF) 스위치에 대한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
RF 스위치들은 다양한 기능들을 구현하기 위해 다양한 RF 회로들에서 이용된다. 예를 들어, 상이한 주파수들에 걸쳐 상이한 시그널링 방법들을 이용하는 RF 시스템은, 상이한 타입들의 RF 프론트-엔드 회로들 사이에서 선택하기 위해 안테나 스위치들의 네트워크를 이용함으로써 구현될 수 있다. 이러한 회로의 일례는, 코드 분할 다중 액세스(CDMA) 또는 모바일 통신용 범용 시스템(GSM)과 같은 상이한 표준들을 이용하여 호출할 수 있는 다중-표준 셀룰러 전화이다. RF 스위치를 이용함으로써, CDMA 통신에 최적화된 RF 프론트 엔드 회로는 CDMA 호출들에 대해 이용될 수 있는 한편, GSM 통신에 대해 최적화된 RF 프론트 엔드 회로는 GSM 호출들에 대해 이용될 수 있다. 또한, RF 스위치들은, 안테나들 및 전력 증폭기들에 대한 조정가능한 매칭 네트워크들을 구현하고, 수동 매칭 및 튜닝 엘리먼트들을 스위칭 인 및 스위칭 아웃하고 그리고/또는 이를 우회함으로써 고주파수 필터들에 대한 튜닝을 조정하는 것을 제공하기 위해 이용될 수 있다.
RF 스위치의 성능에 대한 주요한 척도들 중 하나는 선형성인데, 이는 통상적으로, 예를 들어, 고조파 왜곡 및/또는 상호 변조 왜곡의 관점에서 표현된다. 상당한 왜곡을 송신 및 수신하는 다중-대역 시스템들은 RF 시스템의 성능을 악화시킬 수 있다. 예를 들어, 송신된 신호의 고조파 또는 상호 변조 왜곡은 수신된 신호와 동일한 대역에 속할 수 있고, 수신된 신호와 간섭할 수 있다. 따라서, RF 스위치들은 종종 매우 낮은 왜곡을 갖도록 특정된다. RF 스위치들이 정교한 기하구조 프로세스들 상에 더 집적되고 구현됨에 따라, 높은 선형성 성능을 충족시키는 것은 더 곤란해지고 있다.
실시예에 따르면, 회로는, 대응하는 복수의 RF 포트들과 공통 RF 포트 사이에 연결되는 복수의 스위칭 네트워크들 및 제어 회로를 포함한다. 복수의 스위칭 네트워크들 각각은, 자신의 대응하는 RF 포트와 공통 RF 포트 사이에 연결되는 제 1 스위치를 포함하고, 복수의 스위칭 네트워크들 중 적어도 하나는 제 1 스위치와 공통 RF 포트 사이에 연결된 선택가능한 네트워크를 포함하여, 선택가능한 네트워크는 제 1 상태에서는 DC 경로를 그리고 제 2 상태에서는 직렬 캐패시턴스를 제공한다.
본 발명 및 본 발명의 이점들의 더 완전한 이해를 위해, 이제, 첨부된 도면들과 함께 고려되어 하기 설명이 참조된다.
도 1은 종래의 RF 스위치 시스템을 도시한다.
도 2는 실시예의 RF 스위치 시스템을 도시한다.
도 3은 실시예의 RF 시스템을 도시한다.
도 4는 실시예의 선택가능한 캐패시턴스 네트워크를 도시한다.
도 5는 실시예 방법의 흐름도를 도시한다.
상이한 도면들의 대응하는 수치들 및 부호들은 일반적으로, 달리 표시되지 않으면 대응하는 부분들을 지칭한다. 도면들은 선호되는 실시예들의 관련된 양상들을 명확하게 예시하기 위해 도시되고, 반드시 축척대로 도시되는 것은 아니다. 특정 실시예들을 더 명확하게 도시하기 위해, 동일한 구조, 재료, 또는 프로세스 단계의 변화들을 나타내는 문자가 도면 부호에 후속할 수 있다.
본 선호되는 실시예들의 실시 및 이용이 아래에서 상세히 논의된다. 그러나, 본 발명은 광범위한 특정 상황들에서 구현될 수 있는 많은 적용가능한 창작적 개념들을 제공하는 것이 인식되어야 한다. 논의되는 특정 실시예들은 본 발명을 실시 및 이용하기 위한 특정 방법을 단지 예시하며, 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니다.
본 발명은, 특정 상황, 즉, 무선 주파수(RF) 스위치에 대한 시스템 및 방법에서 선호되는 실시예들에 대해 설명될 것이다. 본 발명은 또한, 무선 및 유선 통신 시스템들, 레이더 시스템들 및 회로들, 예를 들어, 일반적으로, 오실레이터들, 수신/송신 스위치들, 감쇠기들, 전력 증폭기 우회 회로들, RF 매칭 및 RF 필터 스위칭과 같은 고주파수 애플리케이션들에 대한 스위치들을 활용하는 다른 회로들을 포함하는 다른 시스템들 및 애플리케이션들에 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 다중-포트 스위치는 각각의 포트들과 공통 포트 사이에 연결되는 복수의 직렬 RF 스위치들을 이용하여 구현된다. 이러한 직렬 RF 스위치들 중 적어도 하나는, 직렬 캐패시턴스 또는 폐쇄 스위치로서 기능하는 직렬 회로와 직렬로 연결된다. 직렬 RF 스위치가 개방되는 상황들에서, 직렬 회로를 폐쇄 스위치로서 구성하는 것은, 폐쇄 스위치의 기생 캐패시턴스 정도인 기생 캐패시턴스를 공통 포트에 연결시킨다. 한편, 직렬 회로를 직렬 캐패시턴스로서 구성하는 것은, RF 스위치의 기생 캐패시턴스 및 직렬 캐패시터의 캐패시턴스의 직렬 결합 정도인 기생 캐패시턴스를 연결시킨다. 이러한 캐패시턴스의 직렬 결합은 일반적으로 각각의 캐패시턴스 각각보다 더 낮다. 몇몇 실시예들에서, 직렬 회로는, 공통 노드에서 낮은 기생 캐패시턴스를 제공하기 위해, 자신의 대응하는 RF 스위치가 오프되는 경우 직렬 캐패시턴스를 갖도록 설정된다. 이러한 세팅은, 예를 들어, 감쇠를 최소화하기 위해 RF 스위치의 선택된 포트에 고주파수 대역이 도입되는 경우 이용될 수 있다. 한편, 직렬 회로는, RF 스위치의 선택된 포트에 도입되는 더 낮은 주파수의 고조파들을 감쇠시키기 위해 개방된 RF 스위치의 기생 캐패시턴스로 공통 노드를 로딩(load)하기 위해 낮은 임피던스를 갖도록 설정된다. 몇몇 실시예들에서, 다수의 직렬 RF 스위치들은, 특정 신호들의 고조파들에 얼마나 많은 감쇠가 적용되는지에 대해 유연성 및/또는 추가의 감쇠를 제공하기 위해, 자신과 연관된 직렬 회로를 가질 수 있다.
도 1은, 종래의 RF 시스템(100)을 도시하고, 여기서 포트들 RF1, RF2 내지 RFx 중 하나를 선택하여 안테나(130)에 라우팅하기 위해 RF 스위칭 네트워크(102, 104 및 106)가 이용된다. 도시된 바와 같이, 각각의 RF 스위칭 네트워크는 직렬 RF 스위치(110), 션트 RF 스위치(112) 및 스위치 드라이버(114)를 포함한다. 동작 동안, 드라이버(114)가 직렬 RF 스위치(110)를 턴 온시키고 션트 RF 스위치(112)를 턴 오프시키는 경우, 선택된 RF 경로가 형성된다. 유사하게, 직렬 RF 스위치(110)를 턴 오프시키고 션트 RF 스위치(112)를 턴 온시킴으로써 RF 경로가 선택해제된다.
각각의 RF 스위치(110 및 112)는 서로 직렬로 접속된 다수의 트랜지스터들(120)을 이용하여 구현된다. 각각의 트랜지스터(120)의 소스 및 드레인은 저항기(125)를 이용하여 바이어싱되고, 각각의 트랜지스터(120)의 게이트는 직렬 게이트 저항기(122)를 갖는다. 게이트 저항기들(122)이 게이트 드레인 캐패시턴스(124) 및 게이트 소스 캐패시턴스(126)의 용량성 임피던스들보다 충분히 더 큰 임피던스를 갖는 경우, 트랜지스터들(120)이 셧오프될 때, 기생 중첩 캐패시턴스들은 모든 트랜지스터들(120)에 걸쳐 대칭적으로 확산된다. 따라서, RF 스위치들(110 및 112) 각각의 단자들 사이의 캐패시턴스는 대략적으로, 게이트 드레인 캐패시턴스들(124) 및 게이트 소스 캐패시턴스들(126)의 직렬 결합이다.
도시된 바와 같이, 트랜지스터들(120)은 높은 전압들에 대항하기 위해 적층된다. 예를 들어, 1.5V 반도체 프로세스의 경우, 통상적인 GSM 송신기에서 보이는 바와 같이 24V 피크 전압 하에서 동작하기 위해, 16개의 트랜지스터들이 적층된다. 적층된 트랜지스터들의 수는, 이용되는 특정 반도체 기술 및 예상되는 동작 환경에 따라 변할 수 있다.
저항기(124)가 높은 옴 값을 갖는다고 가정하면, RF 스위치들(110 및 112)에 대한 전체 기생 OFF-캐패시턴스는,
Figure pat00001
로서 표현될 수 있고, 여기서 W는 트랜지스터 폭이고, Cgs는 게이트/소스 및 게이트/드레인 중첩 캐패시턴스이고, N은 직렬로 연결된 트랜지스터들의 수이다. THROWCOUNT는 실시예 스위치 상의 트랜지스터들의 수로서 정의된다. 상기 수식에서 볼 수 있는 바와 같이, 전체 기생 OFF-캐패시턴스 Coff는 N이 감소됨에 따라 증가하고 N이 증가됨에 따라 감소한다. 몇몇 경우들에서, 트랜지스터들의 수 N은 예상되는 전압의 함수이다. 그러나, 직렬 트랜지스터들의 수가 증가함에 따라, 스위치의 온 저항 Ron에서 대응하는 증가가 존재한다. 따라서, RF 스위칭 네트워크들은 종종 특정 기술의 특정한 Ron*Coff 트레이드오프를 이용하여 설계되는데, 이는, 낮은 온 저항 Ron 및 낮은 오프 캐패시턴스 Coff가 요구되는 경우 Ron 및 Coff의 사양이 종종 서로 충돌하기 때문이다. 따라서, 낮은 삽입 손실이 요구되는 경우, 더 낮은 저항을 달성하기 위해 이용되는 트랜지스터의 증가된 폭은 기생 캐패시턴스에서의 대응하는 증가를 초래하고, 그 다음, 이것은 더 높은 대역들에서 더 높은 삽입 손실들을 초래한다.
도 2는 실시예 시스템(200)을 도시하고, 이 실시예 시스템(200)에 기초하여, 공통 포트에 연결된 기생 캐패시턴스가 선택적으로 조정가능하다. 예를 들어, RF 스위치들에 의해 크고 더 낮은 주파수 신호가 처리되고 있는 상황들에서, 고조파들을 감쇠시키기 위해 과도한 캐패시턴스가 이용될 수 있다. 한편, 더 높은 주파수 신호들이 RF 스위치들에 의해 처리되고 있는 경우, 더 낮은 캐패시턴스가 적용될 수 있다.
실시예 시스템(200)은, 포트들 RF1 및 RF2-RFx 중에서 선택하는 RF 스위칭 네트워크들(204, 208 및 210)을 갖는 RF 스위칭 집적 회로(IC)를 포함한다. 설명의 단순함을 위해 오직 3개의 RF 스위칭 네트워크들이 도시되지만, 임의의 수의 스위치들이 이용될 수 있다. 도시된 바와 같이, 스위칭 네트워크(204)는 직렬 스위치(210) 및 션트 스위치(212)를 포함하고, 이들은 도 1에 대해 앞서 설명된 바와 같이 적층된 트랜지스터들(120)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 트랜지스터(120)는 NMOS 디바이스를 이용하여 구현되지만, 트랜지스터(120)는, PMOS 디바이스, 또는 박막 또는 후막 SOI(silicon on insulator), GaAs-HEMT들 또는 다른 FET 트랜지스터 타입 기술을 이용하는 CMOS-Bulk, CMOS-SOI의 다른 트랜지스터 타입을 이용하여 구현될 수 있다. 몇몇 경우들에서, PIN 다이오드들이 또한 이용될 수 있다. 스위치들(210 및 212)을 턴 온 및 턴 오프시키기 위해 드라이버(214)가 이용된다. 일 실시예에서, 드라이버(214)는, 스위치들(210 및 212)을 턴 온시키기 위해 1.5V의 온 전압으로 트랜지스터들(120)의 게이트들을 구동시키고, 스위치들(210 및 212)을 턴 오프시키기 위해 -1.5V의 오프 전압으로 트랜지스터들의 게이트들을 구동시킨다. 이러한 음의 전압은, 전원을 이용하여 오프-칩으로, 또는 전하 펌프(250) 또는 다른 타입의 전압 생성 회로와 같은 회로를 이용하여 온-칩으로 생성될 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 특정 시스템 및 시스템의 사양들에 따라 그리고 RFIC(202)를 구현하는데 이용되는 특정 기술에 따라, -1.5V 및 1.5V 이외의 다른 구동 전압들이 이용될 수 있음을 인식해야 한다.
실시예에서, RF 스위칭 네트워크들(206 및 208)은 션트 RF 스위치(212) 및 직렬 RF 스위치들(230 및 232)을 포함한다. 실시예에서, 직렬 RF 스위치들(230 및 232)에서 직렬 트랜지스터들의 결합된 수는 스위칭 네트워크(204) 내의 직렬 RF 스위치(210)의 스위치들의 수와 동일하다. 동작 동안, 스위칭 네트워크(206 또는 208)가 노드 RF2를 RFx에 접속시키도록 구성되는 경우, 션트 스위치(212)는 턴 오프되고, 직렬 RF 스위치들(230 및 232)은 턴 온된다. 한편, 스위칭 네트워크(206) 및/또는 스위칭 네트워크(208)가 노드들 RF2 및/또는 RFx를 공통 포트로부터 접속해제시키도록 구성되는 경우, 션트 스위치(212)는 턴 온되고, 직렬 RF 스위치(230)는 턴 오프된다. 직렬 RF 스위치(232)는 턴 온 또는 턴 오프될 수 있다. RF 스위치(232)가 턴 온되어 공통 노드로부터 직렬 RF 스위치(230)로의 낮은 임피던스 경로를 생성하는 경우, 공통 노드는, 게이트 드레인 캐패시턴스들(124) 및 게이트 소스 캐패시턴스들(126)로 인해, 접지로 연결된 직렬 RF 스위치(230)의 기생 캐패시턴스로 로딩된다. 한편, RF 스위치(232)가 턴 오프되는 경우, 공통 포트는, 직렬 RF 스위치들(230 및 232)의 기생 캐패시턴스들의 직렬 결합으로 로딩된다. 따라서, 스위치들(206 및 208)의 오프 캐패시턴스는, 직렬 RF 스위치(232)가 오프인 경우보다 직렬 RF 스위치(232)가 온인 경우에 더 높다. 실시예에서, 스위치(232)는 Coff 드라이버(222)에 의해 구동된다. 드라이버들(214) 및 Coff 드라이버(222) 둘 모두는 공지된 스위치 드라이버 회로들 및 방법들을 이용하여 구현될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 드라이버들(214 및 222) 둘 모두는 동일하거나 유사한 회로 토폴로지를 이용하여 구현될 수 있다. 유사하게, 직렬 RF 스위치들(230 및 232)은 동일한 토폴로지를 공유할 수 있다.
몇몇 실시예들에서, RF 스위칭 네트워크(204)는 또한, RF 스위칭 네트워크들(206 및 208)에 대해 행해진 것과 같이 2개의 직렬 RF 스위치들을 이용하여 구현될 수 있다. 다른 실시예들에서, RFIC(202) 상에 구현된 몇몇 RF 스위치들은 스위칭 네트워크(204)에서와 같이 단일 RF 스위치를 이용하여 구현될 수 있는 한편, 다른 RF 스위치들은 RF 스위칭 네트워크들(206 및 208)에 대해 행해진 것과 같이 둘 이상의 직렬 RF 스위치들을 이용하여 구현될 수 있다.
실시예에서, 인접한 직렬 RF 스위치(230)가 턴 오프되는 경우 직렬 RF 스위치들(232)을 활성화시킬지 또는 비활성화시킬지에 대한 판단은 특정 상황에 좌우된다. 예를 들어, 약 35 dBm의 출력 전력을 갖는 약 824 MHz의 고전력 GSM 신호가 포트 RF1에 도입되는 경우, RF 스위치들(232)은, 높은 신호 레벨에 대항하도록 직렬 트랜지스터 카운트를 증가시키기 위해 RF 스위칭 네트워크들(206 및 208)에서 턴 오프될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, GSM 신호 경로는 인접한 채널들의 전력을 감쇠시키기 위한 프리-필터를 가질 수 있다.
다른 시나리오에서, 약 700 MHz 내지 약 900 MHz의 주파수를 갖고 약 27 dBm 내지 약 30 dBm인 더 낮은 전력의 3G 또는 LTE 신호가 포트 RF1에 도입되는 경우, 드라이버(222)는 공통 포트에서 보여지는 기생 캐패시턴스를 증가시키기 위해 직렬 RF 스위치(232)를 턴 온할 수 있다. 각각의 직렬 RF 스위치(232)를 갖는 더 많은 RF 스위칭 네트워크들이 활성화될수록, 공통 포트에서 보여지는 기생 캐패시턴스는 더 커진다. 이러한 기생 캐패시턴스는 포트 RF1에서 신호의 고조파들을 감쇠시키기 위해 이용될 수 있다. 이러한 예에서, RF1에 적용되는 전력이 GSM의 경우보다 더 낮기 때문에, 신호 레벨에 대항하기 위해 그렇게 많은 트랜지스터들(120)이 적층될 필요는 없다. 일 실시예에서, 700 MHz 신호의 제 2 고조파는 약 3 dB 내지 약 4 dB만큼 감쇠되는 한편, 제 3 고조파는 약 10 dB만큼 감쇠된다.
예를 들어, 약 1.5 GHz 내지 3 GHz의 고주파수 신호들이 도입되는 상황들에서, 직렬 RF 스위치(232)는, 인접 직렬 RF 스위치(230)가 턴 오프되는 경우, 고주파수 신호의 감쇠를 감소시키기 위해 턴 오프될 수 있다. 대안적인 실시예들에서, 특정 실시예 및 특정 실시예의 사양들에 따라 다른 주파수들, 신호 레벨들, 신호 타입들 및 고조파 감쇠가 달성될 수 있음을 이해해야 한다.
실시예에서, RF 스위칭 네트워크들(204, 206 및 208)의 상태는, SPI 인터페이스, I2C 인터페이스, MIPI/RFFE 또는 공지된 다른 직렬 인터페이스와 같은 직렬 인터페이스일 수 있는 디지털 인터페이스(220)를 이용하여 제어될 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 디지털 인터페이스(220)는 또한 병렬 인터페이스를 이용하여 구현될 수 있다. 디지털 인터페이스(220)는 클럭 및 데이터를 수신 및/또는 송신하기 위해 핀들 CLK 및 DATA에 연결된다. 특정 인터페이스 표준에 따라 다른 디지털 인터페이스 핀들이 또한 이용될 수 있다.
도 3은, 각각의 필터들(320, 322 및 324) 및 전력 증폭기들(PA들)(312, 314 및 316)을 통해 트랜시버 RF IC(306)에 연결되는, 도 2에 대해 앞서 설명된 실시예의 RFIC를 포함하는, 본 발명의 실시예에 따른 RF 시스템(300)을 도시한다. 트랜시버 RF IC(306)는, 하나 이상의 RF 통신 표준들을 구현하는 프론트 엔드 및 신호 프로세싱 회로를 제공할 수 있고, PA들(312, 314 및 316)은 트랜시버 RFIC(306)의 출력을 증폭시키기 위해 이용될 수 있고, 필터들(320, 322 및 324)은 PA들(312, 314 및 316)의 출력을 필터링하기 위해 이용될 수 있다. 대안적인 실시예들에서, PA들(312, 314 및 316) 뿐만 아니라 필터들(320, 322 및 324) 중 하나 이상은 특정 시스템 및 특정 시스템의 사양들에 따라 생략될 수 있다. 아울러, 대안적인 실시예들에서, 3개의 포트들 RF1, RF2 및 RF3보다 더 많거나 더 적은 포트들이 구현될 수 있다. RFIC(202)의 공통 포트에 연결된 선택적인 매칭 네트워크(304)는 RFIC(202)와 안테나(130) 사이에 임피던스 매칭을 제공한다. RFIC(202)에 대한 세팅들은 단자들 CLK 및 DATA를 통한 디지털 버스 DBUS를 통해 판독 및 기록될 수 있다. 도 3에 도시된 RF 시스템(300)은, 본 명세서에서 설명된 실시예의 스위치들과 함께 이용될 수 있는 많은 실시예 시스템들 중 단지 하나임을 인식해야 한다.
도 4는, 도 3에 도시된 직렬 RF 스위치들(232) 대신에 이용될 수 있는 실시예의 선택가능한 캐패시턴스 네트워크(400)를 도시한다. 스위칭가능한 캐패시턴스 네트워크(400)는 단자들(406 및 408) 사이에 연결된 하나 이상의 직렬 캐패시터들(404)을 포함한다. 캐패시터들(404) 각각은 대응하는 스위치(402)에 의해 우회될 수 있다. 동작 동안, 스위치들(402)은, 대응하는 RF 신호 경로가 활성화되는 경우 또는 더 높은 용량성 로드가 공통 노드에 연결되는 경우 폐쇄된다. 한편, 스위치들(402)은, 더 낮은 용량성 로드가 공통 노드에 연결되는 경우 개방된다. 실시예에서, 스위치들(402)은 NMOS, PMOS 또는 바이폴라 디바이스들과 같은 스위칭 트랜지스터들을 이용하여 구현될 수 있다. 스위치들(402)은 또한 다이오드들 또는 공지된 다른 스위칭 디바이스들을 이용하여 구현될 수 있다. 캐패시터들(404)은, 금속-절연체-금속(MIM) 캐패시터들, 게이트 캐패시터들, 폴리실리콘 캐패시터들 또는 이들의 조합을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아닌 다양한 공지된 캐패시턴스 구조들을 이용하여 구현될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 직렬 캐패시터들의 수 및 직렬 캐패시터들 각각의 크기는, 선택가능한 캐패시턴스 네트워크(400) 내의 다양한 캐패시터들에 걸쳐 그리고 도 3에 도시된 스위치들(230)과 같은 인접 직렬 RF 스위치들의 직렬 스위칭 트랜지스터들 사이에 신호 전력을 균등하게 분배하도록 결정될 수 있다.
도 5는, 본 발명의 실시예에 따른 실시예 방법(500)의 흐름도를 도시한다. 실시예 방법(500)은, 제 1 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 1 직렬 RF 스위치, 제 2 포트와 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 직렬 RF 스위치 및 제 3 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 3 직렬 RF 스위치를 포함하는 회로 동작 방법에 관한 것이다. 단계(502)에서, 방법은, 제 1 포트와 공통 포트 사이에 제 1 RF 경로를 제공할지를 결정한다. 제 1 RF 경로를 제공하는 것으로 결정되면, 제 1 RF 스위치가 단계(504)에서 활성화되고, 제 2 RF 스위치가 단계(506)에서 비활성화되고, 제 3 RF 스위치가 단계(508)에서 비활성화된다.
방법은, 단계(510)에서 더 높은 캐패시턴스를 공통 노드에 연결할지 여부를 추가로 결정한다. 이러한 결정에서 가중할 수 있는 팩터들은, RF 스위칭 시스템을 통해 전달되고 있는 RF 신호의 전력, RF 신호의 주파수, 특정한 주파수 계획, 및 고조파들을 감쇠시킬 필요성을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다. 더 높은 캐패시턴스가 선택되면, 단계(514)에서 제 2 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 저항이 연결된다. 그렇지 않으면, 단계(512)에서 제 2 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 캐패시턴스가 연결된다. 이러한 캐패시턴스 및 저항은, 예를 들어, 도 4에 도시된 선택가능한 캐패시턴스 네트워크(400)와 같은 스위칭가능한 캐패시턴스 네트워크를 이용함으로써, 도 3에 도시된 직렬 RF 스위치(232)와 같은 복수의 직렬 트랜지스터들을 갖는 RF 스위치를 이용함으로써 구현될 수 있다. 대안적으로, 단계들(512 및 514)을 구현하기 위해 다른 회로들 및 방법들이 이용될 수 있다.
단계(516)에서, 방법은 제 2 포트와 공통 포트 사이에 제 2 RF 경로를 제공할지를 결정한다. 제 2 RF 경로를 제공하는 것으로 결정되면, 제 1 RF 스위치는 단계(518)에서 비활성화되고, 제 2 RF 스위치는 단계(520)에서 활성화되고, 제 3 RF 스위치는 단계(522)에서 비활성화되고, 단계(524)에서 제 2 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 저항이 연결된다. 한편, 단계(526)에서, 방법은 제 3 포트와 공통 포트 사이에 제 3 RF 경로를 제공할지를 결정한다. 제 3 RF 경로를 제공하는 것으로 결정되면, 제 1 RF 스위치는 단계(528)에서 비활성화되고, 제 2 RF 스위치는 단계(530)에서 비활성화되고, 제 3 RF 스위치는 단계(532)에서 활성화되고, 단계(534)에서, 제 2 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 캐패시턴스가 연결된다.
실시예에 따르면, 회로는, 대응하는 복수의 RF 포트들과 공통 RF 포트 사이에 연결된 복수의 스위칭 네트워크들, 및 제어 회로를 포함한다. 복수의 스위칭 네트워크들 각각은, 자신의 대응하는 RF 포트와 공통 RF 포트 사이에 연결되는 제 1 스위치를 포함하고, 복수의 스위칭 네트워크들 중 적어도 하나는 제 1 스위치와 공통 RF 포트 사이에 연결된 선택가능한 네트워크를 포함하여, 선택가능한 네트워크는 제 1 상태에서는 DC 경로를 그리고 제 2 상태에서는 직렬 캐패시턴스를 제공한다. 제어 회로는, 복수의 스위칭 네트워크들 중 하나의 제 1 스위치를 활성화하고, 나머지 복수의 스위칭 네트워크들의 제 1 스위치들을 비활성화하고, 제어 회로가 제 1 모드에서 동작하는 경우 나머지 복수의 스위칭 네트워크들 중 하나의 선택가능한 네트워크를 제 1 상태로 배치하고, 제어 회로가 제 2 모드에서 동작하는 경우 나머지 복수의 스위칭 네트워크들 중 하나의 선택가능한 네트워크를 제 2 상태로 배치함으로써 RF 경로를 확립하도록 구성된다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 스위칭 네트워크들은 집적 회로 상에 배치된다.
실시예에서, 제 1 스위치는 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함한다. 선택가능한 네트워크는 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 게다가, 선택가능한 네트워크는, 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들이 턴 온되는 경우 제 1 상태이고, 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들이 턴 오프되는 경우 제 2 상태이다.
실시예에서, 직렬 캐패시턴스는 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들의 게이트-드레인 캐패시턴스 및 게이트-소스 캐패시턴스를 포함한다. 다른 실시예들에서, 선택가능한 네트워크는 스위치와 병렬로 연결된 캐패시터를 포함한다.
실시예에서, 제 1 스위칭 네트워크에서 제 1 스위치와 직렬인 선택가능한 네트워크는 제 1 모드에서 제 2 스위칭 네트워크에서 전파되는 신호의 제 3 고조파를 감쇠시키도록 구성된다. 선택가능한 네트워크는 대응하는 RF 포트와 기준 노드 사이에 연결된 션트 스위치를 더 포함할 수 있다.
실시예에서, 회로는, 공통 RF 포트에 연결된 안테나, 및 복수의 RF 포트들 중 적어도 하나에 연결된 전력 증폭기를 더 포함한다. 매칭 네트워크가 공통 RF 포트와 안테나 사이에 추가로 연결될 수 있다.
추가의 실시예에 따르면, 회로 동작 방법은, 제 1 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 2 포트와 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 제 3 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 저항을 연결함으로써 제 1 포트로부터 공통 포트로의 제 1 RF 경로를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은, 제 2 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 1 RF 스위치 및 제 3 RF 스위치를 비활성화하고, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 저항을 연결함으로써 제 2 포트로부터 공통 포트로의 제 2 RF 경로를 제공하는 단계, 및 제 3 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 1 직렬 RF 스위치 및 제 2 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 캐패시턴스를 연결함으로써 제 2 포트로부터 공통 포트로의 제 3 RF 경로를 제공하는 단계를 더 포함한다. 실시예에서, 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하는 것은, 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함하고, 제 2 직렬 RF 스위치를 활성화하는 것은, 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함하고, 제 3 직렬 RF 스위치를 활성화하는 것은, 제 3 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함한다. 실시예에서, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 캐패시턴스를 연결시키는 것은, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 연결된 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 비활성화하는 것을 포함하고, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 저항을 연결시키는 것은, 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함한다. 대안적으로, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 캐패시턴스를 연결시키는 것은, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 연결된 캐패시터와 병렬로 연결된 우회 스위치를 턴 오프시키는 것을 포함하고, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 저항을 연결시키는 것은 우회 스위치를 턴 온시키는 것을 포함한다.
실시예에서, 제 1 RF 경로를 제공하는 것은, 제 3 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 추가의 저항을 연결시키는 것을 더 포함하고, 제 2 RF 경로를 제공하는 것은, 제 3 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 추가의 캐패시턴스를 연결시키는 것을 더 포함하고, 제 3 RF 경로를 제공하는 것은, 제 3 직렬 RF 스위치와 공통 포트 사이에 추가의 저항을 연결시키는 것을 더 포함한다.
방법은, 제 1 RF 경로에 제 1 주파수를 제공하는 단계, 및 제 3 RF 경로에 제 2 주파수를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있고, 제 2 주파수는 제 1 주파수보다 크다. 실시예에서, 제 1 RF 경로를 제공하는 것은, 제 2 직렬 RF 스위치의 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스의 직렬 결합을 이용하여 제 1 주파수의 고조파를 감쇠시키는 것을 더 포함한다. 방법은, 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 2 RF 스위치 및 제 3 RF 스위치를 비활성화하고, 제 1 노드와 공통 포트 사이에 캐패시턴스를 연결함으로써 제 1 포트로부터 공통 포트로의 제 1 RF 경로에 낮은 캐패시턴스를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
추가의 실시예에 따르면, 회로는, 대응하는 복수의 RF 포트들과 공통 포트 사이에 연결된 복수의 RF 스위칭 네트워크들을 포함하고, 복수의 RF 스위칭 네트워크들 각각은, 대응하는 RF 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 1 스위칭 부분, 및 제 1 스위칭 부분과 공통 포트 사이에 연결된 제 2 스위칭 부분을 포함한다. 회로는 또한, 복수의 RF 스위칭 네트워크들 중 하나의 대응하는 제 1 스위칭 부분 및 제 2 스위칭 부분을 활성화시킴으로써 복수의 RF 포트들 중 하나로부터 공통 포트로의 RF 경로를 확립하고, 나머지 복수의 RF 스위칭 네트워크들의 제 1 스위칭 부분을 비활성화시키도록 구성되는 제어 회로를 포함한다. 제 1 모드에서, 제어 회로는, 나머지 복수의 RF 스위칭 네트워크들의 제 2 스위칭 부분들을 비활성화하고, 제 2 모드에서, 제어 회로는, 나머지 복수의 RF 스위칭 네트워크들 중 적어도 하나의 제 2 스위칭 부분들을 활성화시킨다.
제 1 스위칭 부분은 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함할 수 있고, 제 2 스위칭 부분은 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 실시예에서, 제 2 모드는, 나머지 복수의 RF 스위칭 네트워크들의 제 1 스위칭 부분들의 기생 캐패시턴스로 공통 포트를 용량적으로 로딩함으로써, RF 신호의 고조파들을 감쇠시키도록 구성된다.
실시예에서, 회로는, 공통 포트에 연결된 안테나, 및 복수의 RF 포트들 중 적어도 하나에 연결된 전력 증폭기를 더 포함한다.
추가의 실시예에 따르면, 회로는, 제 1 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 1 직렬 RF 스위치, 제 2 포트와 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 직렬 RF 스위치, 제 3 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 3 직렬 RF 스위치, 및 제 1 노드와 공통 포트 사이에 연결된 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 포함하고, 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는, 용량성 상태에서는 캐패시터로 그리고 저항성 상태에서는 저항기로 구성된다. 회로는 또한, 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 2 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 저항성 상태로 배치함으로써, 제 1 포트로부터 공통 포트로의 제 1 RF 경로를 제공하도록 구성되는 제어 회로를 포함한다. 제어 회로는, 제 2 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 1 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 제 3 RF 스위치를 비활성화하고, 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 저항성 상태로 배치함으로써, 제 2 포트로부터 공통 포트로의 제 2 RF 경로를 추가로 제공한다. 제 3 포트로부터 공통 포트로의 제 3 RF 경로는 또한, 제 3 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 제 1 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 제 2 RF 스위치를 비활성화하고, 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 용량성 상태로 배치함으로써 제어 회로에 의해 제공된다. 제 1 직렬 RF 스위치, 제 2 직렬 RF 스위치, 제 3 직렬 RF 스위치 및 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는 집적 회로 상에 배치될 수 있다. 회로는 추가의 포트와 공통 노드 사이에 연결된 추가의 직렬 RF 스위치를 더 포함할 수 있다.
실시예에서, 제 1 직렬 RF 스위치는 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함하고, 제 2 직렬 RF 스위치는 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함하고, 제 3 RF 스위치는 제 3 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함한다. 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함할 수 있고, 스위칭된 직렬 캐패시턴스는, 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들이 턴 오프되는 경우 용량상 상태이고, 스위칭된 직렬 캐패시턴스는, 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들이 턴 온되는 경우 저항성 상태이다.
실시예에서, 스위칭된 직렬 캐패시턴스의 캐패시턴스는, 제 4 복수의 스위칭 트랜지스터들의 게이트-드레인 캐패시턴스 및 게이트-소스 캐패시턴스를 포함한다. 실시예에서, 제 1 복수의 트랜지스터들은 제 2 복수의 트랜지스터들보다 크다. 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는 스위치와 병렬 연결된 캐패시터를 포함할 수 있다.
실시예에서, 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로 및 제 2 직렬 RF 스위치는, 제 1 RF 경로가 활성인 경우 제 1 RF 경로에 의해 전파되는 신호의 제 3 고조파를 감쇠시키도록 구성된다. 회로는, 제 1 포트와 기준 노드 사이에 연결된 제 1 션트 RF 스위치, 제 2 포트와 기준 노드 사이에 연결된 제 2 션트 RF 스위치, 및 제 3 포트와 기준 노드 사이에 연결된 제 3 션트 RF 스위치를 더 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 회로는 제 3 RF 스위치와 공통 포트 사이에 연결된 추가의 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 더 포함한다.
실시예에서, 제어 회로는, 제 1 RF 경로를 제공하는 경우 및 제 3 RF 경로를 제공하는 경우, 추가의 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 저항성 상태로 배치하고, 제 2 RF 경로를 제공하는 경우, 추가의 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 용량성 상태로 배치하도록 추가로 구성된다.
몇몇 실시예들의 이점들은, 과도한 필터링 컴포넌트들을 사용하는 것 없이 RF 스위칭 시스템에서 높은 선형성을 달성하는 능력을 포함한다. 추가의 이점은, RF 스위치가 높은 전압 파괴 성능과 필터링 사이에서 트레이드오프하도록 허용하는 것을 포함한다. 추가의 이점들은, 튜닝해제된 안테나들에서 발견되는 것과 같은 유도성 로드들에 대한 용량성 프리매치(prematch)를 포함한다.
본 발명은 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이러한 설명은 제한적인 관점에서 해석되도록 의도되지 않는다. 예시적인 실시예들 뿐만 아니라 본 발명의 다른 실시예들의 다양한 변형들 및 결합들은, 본 설명을 참조할 때 당업자들에게 자명할 것이다.

Claims (26)

  1. 대응하는 복수의 RF 포트와 공통 RF 포트 사이에 연결된 복수의 스위칭 네트워크 - 상기 복수의 스위칭 네트워크의 각각은 자신의 대응하는 RF 포트와 상기 공통 RF 포트 사이에 연결된 제 1 스위치를 포함하고, 상기 복수의 스위칭 네트워크 중 적어도 하나는 상기 제 1 스위치와 상기 공통 RF 포트 사이에 연결된 선택가능한 네트워크를 포함하고, 상기 선택가능한 네트워크는 제 1 상태에서는 DC 경로를 그리고 제 2 상태에서는 직렬 캐패시턴스를 제공함 - 와,
    제어 회로를 포함하고, 상기 제어 회로는,
    상기 복수의 스위칭 네트워크 중 하나의 제 1 스위치를 활성화하고, 나머지 복수의 스위칭 네트워크의 제 1 스위치를 비활성화하고,
    상기 제어 회로가 제 1 모드에서 동작하는 경우, 상기 나머지 복수의 스위칭 네트워크 중 하나의 상기 선택가능한 네트워크를 제 1 상태로 배치하고,
    상기 제어 회로가 제 2 모드에서 동작하는 경우, 상기 나머지 복수의 스위칭 네트워크 중 하나의 상기 선택가능한 네트워크를 제 2 상태로 배치함으로써
    RF 경로를 수립하도록 구성되는
    회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터를 포함하는
    회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선택가능한 네트워크는 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터를 포함하고,
    상기 선택가능한 네트워크는 상기 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터가 턴 온되는 경우 상기 제 1 상태에 있고,
    상기 선택가능한 네트워크는 상기 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터가 턴 오프되는 경우 상기 제 2 상태에 있는
    회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 직렬 캐패시턴스는 상기 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터의 게이트-드레인 캐패시턴스 및 게이트-소스 캐패시턴스를 포함하는
    회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택가능한 네트워크는 스위치와 병렬로 연결된 캐패시터를 포함하는
    회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    제 1 스위칭 네트워크에서 상기 제 1 스위치와 직렬인 상기 선택가능한 네트워크는, 상기 제 1 모드에서 제 2 스위칭 네트워크에서 전파되는 신호의 제 3 고조파(harmonic)를 감쇠시키도록 구성되는
    회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택가능한 네트워크는 대응하는 RF 포트와 기준 노드 사이에 연결된 션트 스위치(a shunt switch)를 더 포함하는
    회로.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 스위칭 네트워크는 집적 회로 상에 배치되는
    회로.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 RF 포트에 연결된 안테나와,
    상기 복수의 RF 포트 중 적어도 하나에 연결된 전력 증폭기를 더 포함하는
    회로.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 공통 RF 포트와 상기 안테나 사이에 연결된 매칭 네트워크를 더 포함하는
    회로.
  11. 제 1 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 1 직렬 RF 스위치, 제 2 포트와 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 직렬 RF 스위치, 및 제 3 포트와 상기 공통 포트 사이에 연결된 제 3 직렬 RF 스위치를 포함하는 회로 동작 방법으로서,
    상기 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 제 2 직렬 RF 스위치 및 상기 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 저항을 연결함으로써, 상기 제 1 포트로부터 상기 공통 포트로의 제 1 RF 경로를 제공하는 단계와,
    상기 제 2 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 제 1 직렬 RF 스위치 및 상기 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 상기 저항을 연결함으로써, 상기 제 2 포트로부터 상기 공통 포트로의 제 2 RF 경로를 제공하는 단계와,
    상기 제 3 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 제 1 직렬 RF 스위치 및 상기 제 2 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 캐패시턴스를 연결함으로써, 상기 제 2 포트로부터 상기 공통 포트로의 제 3 RF 경로를 제공하는 단계를 포함하는
    회로 동작 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하는 것은, 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함하고,
    상기 제 2 직렬 RF 스위치를 활성화하는 것은, 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함하고,
    상기 제 3 직렬 RF 스위치를 활성화하는 것은, 제 3 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함하는
    회로 동작 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 상기 캐패시턴스를 연결시키는 것은, 상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 연결된 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 비활성화하는 것을 포함하고,
    상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 상기 저항을 연결시키는 것은, 상기 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 활성화하는 것을 포함하는
    회로 동작 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 상기 캐패시턴스를 연결시키는 것은, 상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 연결된 캐패시터와 병렬로 연결되는 우회 스위치를 턴 오프시키는 것을 포함하고,
    상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 상기 저항을 연결시키는 것은, 상기 우회 스위치를 턴 온시키는 것을 포함하는
    회로 동작 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 경로를 제공하는 단계는 상기 제 3 직렬 RF 스위치와 상기 공통 포트 사이에 추가의 저항을 연결시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 2 RF 경로를 제공하는 단계는 상기 제 3 직렬 RF 스위치와 상기 공통 포트 사이에 추가의 캐패시턴스를 연결시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 3 RF 경로를 제공하는 단계는, 상기 제 3 직렬 RF 스위치와 상기 공통 포트 사이에 상기 추가의 저항을 연결시키는 단계를 더 포함하는
    회로 동작 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 경로에 제 1 주파수를 제공하는 단계와,
    상기 제 3 RF 경로에 제 2 주파수를 제공하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 2 주파수는 상기 제 1 주파수보다 큰
    회로 동작 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 경로를 제공하는 단계는, 상기 제 2 직렬 RF 스위치의 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스의 직렬 결합을 이용하여 상기 제 1 주파수의 고조파를 감쇠시키는 단계를 더 포함하는
    회로 동작 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 직렬 제 2 RF 스위치 및 상기 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 상기 캐패시턴스를 연결함으로써, 상기 제 1 포트로부터 상기 공통 포트로의 낮은 캐패시턴스의 제 1 RF 경로를 제공하는 단계를 더 포함하는
    회로 동작 방법.
  19. 제 1 포트와 공통 포트 사이에 연결된 제 1 직렬 RF 스위치와,
    제 2 포트와 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 직렬 RF 스위치와,
    제 3 포트와 상기 공통 포트 사이에 연결된 제 3 직렬 RF 스위치와,
    상기 제 1 노드와 상기 공통 포트 사이에 연결된 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로 ―상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는 용량성 상태에서는 캐패시터로 저항성 상태에서는 저항기로 구성됨― 와,
    제어 회로를 포함하고,
    상기 제어 회로는,
    상기 제 1 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 제 2 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 상기 저항성 상태로 배치함으로써, 상기 제 1 포트로부터 상기 공통 포트로의 제 1 RF 경로를 제공하고,
    상기 제 2 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 제 1 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 3 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 상기 저항성 상태로 배치함으로써, 상기 제 2 포트로부터 상기 공통 포트로의 제 2 RF 경로를 제공하고,
    상기 제 3 직렬 RF 스위치를 활성화하고, 상기 제 1 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 제 2 직렬 RF 스위치를 비활성화하고, 상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 상기 용량성 상태로 배치함으로써, 상기 제 3 포트로부터 상기 공통 포트로의 제 3 RF 경로를 제공하도록 구성되는
    회로.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 직렬 RF 스위치는 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 제 2 직렬 RF 스위치는 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 제 3 직렬 RF 스위치는 제 3 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함하는
    회로.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는, 상기 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들이 턴 오프되는 경우 상기 용량성 상태이고,
    상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는, 상기 제 4 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들이 턴 온되는 경우 상기 저항성 상태인
    회로.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스의 캐패시턴스는 상기 제 4 복수의 스위칭 트랜지스터들의 게이트-드레인 캐패시턴스 및 게이트-소스 캐패시턴스를 포함하는
    회로.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들은 상기 제 2 복수의 직렬 접속된 트랜지스터들보다 큰
    회로.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로는 스위치와 병렬로 연결된 캐패시터를 포함하는
    회로.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 3 직렬 RF 스위치와 상기 공통 포트 사이에 연결된 추가의 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 더 포함하고,
    상기 제어 회로는,
    상기 제 1 RF 경로를 제공하는 경우와 상기 제 3 RF 경로를 제공하는 경우에, 상기 추가의 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 상기 저항성 상태로 배치하고,
    상기 제 2 RF 경로를 제공하는 경우에 상기 추가의 스위칭된 직렬 캐패시턴스 회로를 상기 용량성 상태로 배치하도록 추가로 구성되는
    회로.
  26. 제 19 항에 있어서,
    추가의 포트와 상기 공통 포트 사이에 연결된 추가의 직렬 RF 스위치를 더 포함하는
    회로.
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