CN105322933B

CN105322933B - 用于射频开关的系统和方法

Info

Publication number: CN105322933B
Application number: CN201510298149.7A
Authority: CN
Inventors: W.巴卡尔斯基; N.伊尔科夫
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2014-06-03
Filing date: 2015-06-03
Publication date: 2018-08-17
Anticipated expiration: 2035-06-03
Also published as: CN108880520B; CN108880520A; KR101712269B1; US20150349770A1; US20170085257A1; DE102015108819A1; CN105322933A; US9515645B2; US9680463B2; KR20150139452A

Abstract

本发明涉及用于射频开关的系统和方法。根据实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共RF端口之间耦合的多个开关网络，以及控制电路。多个开关网络中的每一个包括在其相应的RF端口和公共RF端口之间耦合的第一开关，并且多个开关网络中的至少一个包括在第一开关和公共RF端口之间耦合的可选择的网络，使得可选择的网络提供处于第一状态的DC路径和处于第二状态的串联电容。

Description

用于射频开关的系统和方法

技术领域

本公开通常涉及一种电子设备，并且更具体地涉及一种用于射频（RF）开关的系统和方法。

背景技术

RF开关用在各种各样的RF电路中，以实现各种功能。例如，可通过使用天线开关的网络以在不同类型的RF前端电路之间选择来实现在不同频率上使用不同信令方法的RF系统。这种电路的一个示例是多标准蜂窝电话，多标准蜂窝电话可使用诸如码分多址（CDMA）或全球移动通信系统（GSM）之类的不同标准来打电话。通过使用RF开关，为CDMA通信优化的RF前端电路可用于CDMA呼叫，而为GSM通信优化的RF前端电路可用于GSM呼叫。另外，RF开关可用于为天线和功率放大器实现可调节的匹配网络，并通过接通和断开和/或旁路无源匹配和调谐元件而为高频滤波器提供调节调谐。

RF开关性能的关键测量之一是线性，通常例如从谐波失真和/或互调失真方面表示线性。在既发送又接收的多频带系统中，可感知的失真可降低RF系统的性能。例如，发送的信号的谐波或互调失真可能落在接收的信号的相同频带中，并且干扰接收的信号。因此，RF开关经常被指定成具有非常低的失真。随着RF开关变得更加集成并且在微细的几何过程上被实现，满足高线性性能变得更具挑战性。

发明内容

根据实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共RF端口之间耦合的多个开关网络，以及控制电路。多个开关网络中的每一个包括在其相应的RF端口和公共RF端口之间耦合的第一开关，并且多个开关网络中的至少一个包括在第一开关和公共RF端口之间耦合的可选择的网络，使得可选择的网络提供处于第一状态的DC路径和处于第二状态的串联电容。

附图说明

为了更全面地理解本发明及其优点，现在对结合附图的以下描述做出参考，其中：

图1图示常规的RF开关系统；

图2图示实施例RF开关系统；

图3图示实施例RF系统；

图4图示实施例可选择的电容网络；以及

图5图示实施例方法的流程图。

在不同图中相应的数字和符号通常指相应的部件，除非另有指示。绘制该图以清楚地图示优选实施例的相关方面，并且不一定按比例绘制。为了更清楚地图示某些实施例，指示相同结构、材料或过程步骤的变化的字母可排在数字号码后面。

具体实施方式

下面详细地论述当前优选实施例的制造和使用。然而，应当理解的是：本发明提供可在各种各样的具体上下文中体现的许多适用的创造性概念。论述的具体实施例仅仅说明制造和使用该发明的具体方式，而不限制该发明的范围。

将相对于具体上下文中的优选实施例来描述本发明：用于射频（RF）开关的系统和方法。该发明还可应用到包括其它电路的其它系统和应用，其它电路利用用于诸如无线和有线通信系统、雷达系统之类的高频应用的开关，并且可应用在通常诸如振荡器、接收/发送开关、衰减器、功率放大器旁路电路、RF匹配和RF滤波器开关之类的电路中。

在本发明的实施例中，使用耦合在各自的端口和公共端口之间的多个串联RF开关来实现多端口开关。这些串联RF开关中的至少一个与串联电路串联耦合，该串联电路或者充当串联电容或者充当闭合的开关。在其中串联RF开关打开的情况下，将串联电路配置成闭合的开关将寄生电容耦合到公共端口，该寄生电容在闭合的开关的寄生电容的数量级上。另一方面，将串联电路配置成串联电容耦合寄生电容，该寄生电容在RF开关的寄生电容和串联电容器的电容的串联组合的数量级上。电容的该串联组合通常单独比每个电容低。在一些实施例中，当其相应的RF开关关闭时，设置该串联电路以具有串联电容，以便在公共节点处呈现低寄生电容。例如在RF开关的选择的端口处引入高频带时，可使用此设置，以便最小化衰减。另一方面，可设置串联电路以具有低阻抗，以便用打开的RF开关的寄生电容加载公共节点，以便衰减在RF开关的选择的端口处引入的较低频率的谐波。在一些实施例中，多个串联RF开关可具有与之相关联的相关联的串联电路，以相对于多少衰减被应用到特定信号的谐波提供进一步的衰减和/或灵活性。

图1图示常规的RF系统100，其中RF开关网络102、104和106用于选择和路由到天线130的端口RF1、RF2至RFx之一。正如所示，每个RF开关网络包括串联RF开关110、并联RF开关112和开关驱动器114。在操作期间，当驱动器114打开串联RF开关110并关掉并联RF开关112时，形成选择的RF路径。同样，通过关掉串联RF开关110并打开并联RF开关112，取消选定RF路径。

使用彼此串联连接的许多晶体管120来实现每个RF开关110和112。使用电阻器125偏置每个晶体管120的源极和漏极，并且每个晶体管120的栅极具有串联栅极电阻器122。当栅极电阻器122具有比栅漏电容124和栅源电容126的电容性阻抗足够大的阻抗时，当关闭晶体管120时，在所有晶体管120上方对称地分布寄生叠加电容。从而，RF开关110和112中每一个的端子之间的电容近似为栅漏电容124和栅源电容126的串联组合。

正如所示，堆叠晶体管120，以便承受高电压。例如，对于1.5V的半导体工艺，为了在24伏的峰值电压下操作，诸如在典型的GSM发送器中所见，堆叠16个晶体管。根据使用的特定半导体技术和预期的操作环境，堆叠的晶体管的数量可能不同。

假设电阻器124具有高欧姆值，用于RF开关110和112的整体寄生OFF电容可表示为：

C _off =*THROWCOUNT，

其中W是晶体管宽度，C_gs是栅/源和栅/漏叠加电容，而N是串联耦合的晶体管的数量。THROWCOUNT被定义为在实施例开关上的晶体管数量。正如能够通过以上等式所见的，整体寄生OFF电容C _off随着N的降低而增大，并且随着N的增大而减小。在一些情况下，晶体管的数量N是预期电压的函数。然而，随着串联晶体管的数量增加，在开关的导通电阻R _on上有相应的增加。因此，经常使用特定技术的特定R _on*C _off折衷来设计RF开关网络，因为当需要低导通电阻R _on和低关闭电容C _off时R _on和C _off的规格经常相互冲突。从而，当需要低插入损耗时，用于实现较低电阻的晶体管的增加的宽度导致寄生电容中相应的增加，这继而导致更高频带中更高的插入损耗。

图2图示实施例系统200，其中耦合到公共端口的寄生电容是基于选择性地可调节的。例如，在其中大的较低频信号正由RF开关交付的情形下，额外的电容可用于衰减谐波。另一方面，当较高频信号正由RF开关处理时，可应用较少电容。

实施例系统200包括RF开关集成电路（IC），RF开关集成电路具有从端口RF1和RF2-RFx中选择的RF开关网络204、208和210。为了简化说明，仅示出三个RF开关网络，然而，可使用任何数量的开关。正如所示，开关网络204包括串联开关210和并联开关212，串联开关210和并联开关212可包括如以上相对于图1所述的堆叠的晶体管120。正如所示，使用NMOS器件实现晶体管120，然而，晶体管120可使用PMOS器件，或使用薄膜或厚膜绝缘体上硅（SOI）的CMOS-体、CMOS-SOI中的其它晶体管类型，GaAs HEMT或其它FET晶体管类型技术来实现。在一些情况下，还可使用PIN二极管。驱动器214用于打开和关掉开关210和212。在一个实施例中，驱动器214用1.5V的导通电压驱动晶体管120的栅极，以打开开关210和212，并且用-1.5V的关闭电压驱动晶体管的栅极，以关掉开关210和212。可在芯片外使用电源或在芯片上使用诸如电荷泵250或其它类型的电压生成电路之类的电路来生成该负电压。应当理解的是：在本发明的替代实施例中，可使用除了-1.5V和1.5V以外的其它驱动电压，这取决于特定的系统及其规格，并取决于用于实现RFIC 202的特定技术。

在实施例中，RF开关网络206和208包括并联RF开关212以及串联RF开关230和232。在实施例中，串联RF开关230和232中串联晶体管的组合的数量等于开关网络204内串联RF开关210中开关的数量。在操作期间，当开关网络206或208被配置成连接节点RF2至RFx时，关掉并联开关212并且打开串联RF开关230和232。另一方面，当开关网络206和/或开关网络208被配置成从公共端口断开节点RF2和/或RFx时，打开并联开关212并关掉串联RF开关230。或者可打开或者可关闭串联RF开关232。当打开RF开关232以从公共节点到串联RF开关230创建低阻抗路径时，用由于栅漏电容124和栅源电容126而耦合到地的串联RF开关230的寄生电容来加载公共节点。另一方面，当关掉RF开关232时，用串联RF开关230和232的寄生电容的串联组合来加载公共端口。相应地，开关206和208的关闭电容在串联RF开关232导通时比在串联RF开关232关闭时高。在实施例中，开关232由Coff驱动器222驱动。驱动器214和Coff驱动器222二者可使用开关驱动电路和本领域中已知的方法来实现。在一些实施例中，驱动器214和222二者可使用相同或类似的电路拓扑来实现。类似地，串联RF开关230和232可共享相同的拓扑。

在一些实施例中，RF开关网络204还可使用两个串联RF开关来实现，诸如相对于RF开关网络206和208来完成。在其它实施例中，在RFIC 202上实现的一些RF开关可使用诸如在开关网络204中的单个RF开关来实现，而其它RF开关可使用两个或更多个串联RF开关来实现，诸如相对于RF开关网络206和208来完成。

在实施例中，做出在关掉邻接的串联RF开关230时激活或去激活串联RF开关232的决定，这取决于特定情形。例如，当在端口RF1处引入以大约824MHz的具有大约35dBm输出功率的高功率GSM信号时，可在RF开关网络206和208中关掉RF开关232，以便增加串联晶体管计数以承受高信号电平。在一些实施例中，GSM信号路径可具有前置滤波器以衰减相邻信道中的功率。

在另一个场景中，在端口RF1处引入在大约27dBm和大约30dBm之间并具有大约700MHz和大约900MHz之间的频率的较低功率的3G或LTE信号时，驱动器222可打开串联RF开关232，以增加在公共端口处所见的寄生电容。具有激活的各自的串联RF开关232的RF开关网络越多，在公共端口处所见的寄生电容越大。该寄生电容可用于衰减端口RF1处的信号谐波。因为施加到RF1的功率比GSM情况小，在该示例中，不像许多晶体管120需被堆叠以承受信号电平。在一个实施例中，700MHz信号的二次谐波被衰减达大约3dB和大约4dB之间，而三次谐波衰减达大约10dB。

在其中引入高频信号的情形中，例如在大约1.5GHz至3GHz之间，可在关掉邻接的串联RF开关230时关掉串联RF开关232，以便减少高频信号的衰减。应当理解的是：在替代实施例中，可实现其它频率、信号电平、信号类型和谐波衰减，这取决于特定的实施例及其规格。

在实施例中，RF开关网络204、206和208的状态可使用数字接口220来控制，控制接口220可以是串行接口，诸如SPI接口、I2C接口、MIPI/RFFE或本领域已知的其它串行接口。在本发明的替代实施例中，数字接口220还可使用并行接口来实现。数字接口220耦合到引脚CLK和DATA，以接收和/或发送时钟和数据。还可根据特定的接口标准使用其它数字接口引脚。

图3图示根据该发明的实施例的RF系统300，RF系统300包括以上相对于图2所述的实施例RFIC，该RFIC经由功率放大器（PA）312、314和316以及各自的滤波器320、322和324而耦合到收发器RF IC 306。收发器RF IC 306可提供实现一个或多个RF通信标准的前端和信号处理电路，并且PA 312、314和316可用于放大收发器RFIC 306的输出，而滤波器320、322和324可用于滤波PA 312、314和316的输出。在替代实施例中，可省略滤波器320、322和324以及PA 312、314和316中的一个或多个，这取决于特定的系统及其规格。此外，在替代实施例中，可实现比三个端口RF1、RF2和RF3更多或更少的端口。耦合到RFIC 202的公共端口的可选匹配网络304提供RFIC 202和天线130之间的阻抗匹配。可经由数字总线DBUS、经由端子CLK和DATA来读取和写入对RFIC 202的设置。应当理解的是：图3中所示的RF系统300仅仅是可与本文所述的实施例开关一起使用的许多实施例系统之一。

图4图示可代替图3中所示的串联RF开关232使用的实施例可选择的电容网络400。可开关控制的电容网络400包括在端子406和408之间耦合的一个或多个串联电容器404。电容器404中的每一个可由相应的开关402旁路。在操作期间，当激活相应的RF信号路径时或当更高的电容性负载耦合到公共节点时，关闭开关402。另一方面，当较低的电容性负载耦合到公共节点时，打开开关402。在实施例中，开关402可使用开关晶体管来实现，所述开关晶体管诸如是NMOS、PMOS或双极性器件。开关402还可使用本领域中已知的二极管或其它开关器件来实现。电容器404可使用各种已知的电容结构来实现，包括但不限于：金属——绝缘体——金属（MIM）电容器、栅极电容器、多晶硅电容器或其组合。在一些实施例中，可确定串联电容器的数量和串联电容器中每一个的尺寸，以便跨过可选择的电容网络400内的各种电容器并在诸如图3中所示的开关230之类的相邻串联RF开关的串联开关晶体管之间均匀地分布信号功率。

图5图示根据本发明的实施例的实施例方法500的流程图。在实施例中，将方法500指向操作电路的方法，该电路包括：在第一端口和公共端口之间耦合的第一串联RF开关，在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关，以及在第三端口和公共端口之间耦合的第三串联RF开关。在步骤502中，该方法确定是否在第一端口和公共端口之间提供第一RF路径。如果确定提供第一RF路径，在步骤504中激活第一RF开关，在步骤506中去激活第二RF开关，并在步骤508中去激活第三RF开关。

该方法在步骤510中进一步确定是否将较高的电容耦合到公共节点。可能在这种确定中权衡的因素包括但不限于：正通过RF开关系统递送的RF信号的功率、RF信号的频率、特定的频率计划以及衰减谐波的必要性。如果选择更高的电容，在步骤514中，在第二串联RF开关和公共端口之间耦合电阻。如果否，在步骤512中，在第二串联RF开关和公共端口之间耦合电容。这种电容和电阻例如可通过使用RF开关、通过使用可开关控制的电容网络来实现，所述RF开关具有多个串联晶体管，诸如图3中所示的串联RF开关232，所述可开关控制的电容网络诸如图4中所示的可选择的电容网络400。可替代地，其它电路和方法可用于实现步骤512和514。

在步骤516中，该方法确定是否在第二端口和公共端口之间提供第二RF路径。如果确定提供第二RF路径，在步骤518中去激活第一RF开关，在步骤520中激活第二RF开关，在步骤522中去激活第三RF开关，并且在步骤524中，电阻耦合在第二串联RF开关和公共端口之间。另一方面，在步骤526中，该方法确定是否在第三端口和公共端口之间提供第三RF路径。如果确定提供第三RF路径，在步骤528中去激活第一RF开关，在步骤530中去激活第二RF开关，在步骤532中激活第三RF开关，并且在步骤534中，电容耦合在第二串联RF开关和公共端口之间。

根据实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共RF端口之间耦合的多个开关网络，以及控制电路。多个开关网络中的每一个包括在其相应的RF端口和公共RF端口之间耦合的第一开关，并且多个开关网络中的至少一个包括在第一开关和公共RF端口之间耦合的可选择的网络，使得可选择的网络提供处于第一状态的DC路径和处于第二状态的串联电容。该控制电路被配置成通过下述方式建立RF路径：激活多个开关网络之一的第一开关，并且去激活剩余多个开关网络的第一开关，并且当控制电路在第一模式下操作时，将剩余多个开关网络之一中的可选择的网络置于第一状态，并且当控制电路在第二模式下操作时，将剩余多个开关网络之一中的可选择的网络置于第二状态。在一些实施例中，多个开关网络被布置在集成电路上。

在实施例中，第一开关包括第一多个串联连接的晶体管。可选择的网络可包括第二多个串联连接的晶体管。此外，可选择的网络在打开第二多个串联连接的晶体管时处于第一状态，并在关掉第二多个串联连接的晶体管时处于第二状态。

在实施例中，串联电容包括第二多个串联连接的晶体管的栅——漏和栅——源电容。在其它实施例中，可选择的网络包括与开关并联耦合的电容器。

在实施例中，与第一开关网络中的第一开关串联的可选择的网络被配置成在第一模式中衰减在第二开关网络中传播的信号的三次谐波。可选择的网络可进一步包括在相应的RF端口和参考节点之间耦合的并联开关。

在实施例中，该电路进一步包括：耦合到公共RF端口的天线，以及耦合到多个RF端口中的至少一个的功率放大器。匹配网络可进一步耦合在公共RF端口和天线之间。

根据进一步的实施例，操作电路的方法包括：通过激活在第一端口和公共端口之间耦合的第一串联RF开关、去激活在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关、去激活在第三端口和公共端口之间耦合的第三串联RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电阻，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径。该方法进一步包括：通过激活第二串联RF开关、去激活第一RF开关和第三RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电阻，提供从第二端口到公共端口的第二RF路径，并且通过激活第三串联RF开关、去激活第一串联RF开关和第二串联RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电容，提供从第二端口到公共端口的第三RF路径。

在实施例中，激活第一串联RF开关包括激活第一多个串联连接的晶体管，激活第二串联RF开关包括激活第二多个串联连接的晶体管，并且激活第三串联RF开关包括激活第三多个串联连接的晶体管。在实施例中，在第一节点和公共端口之间耦合电容包括去激活在第一节点和公共端口之间耦合的第四多个串联连接的晶体管，并且在第一节点和公共端口之间耦合电阻包括激活第四多个串联连接的晶体管。可替代地，在第一节点和公共端口之间耦合电容包括关掉旁路开关，该旁路开关与在第一节点和公共端口之间耦合的电容器并联耦合，并且在第一节点和公共端口之间耦合电阻包括打开旁路开关。

在实施例中，提供第一RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电阻，提供第二RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电容，并且提供第三RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电阻。

该方法可进一步包括：向第一RF路径提供第一频率，并向第三RF路径提供第二频率，其中第二频率大于第一频率。在实施例中，提供第一RF路径进一步包括：使用第二串联RF开关的电容和寄生电容的串联组合来衰减第一频率的谐波。该方法可进一步包括：通过激活第一串联RF开关、去激活第二RF开关和第三RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电容，为低电容提供从第一端口到公共端口的第一RF路径。

根据进一步的实施例，一种电路包括：在相应的多个RF端口和公共端口之间耦合的多个RF开关网络，使得多个RF开关网络中的每一个包括：在相应的RF端口和公共端口之间耦合的第一开关部分；以及在第一开关部分和公共端口之间耦合的第二开关部分。该电路还包括控制电路，该控制电路被配置成：通过激活多个RF开关网络之一的相应的第一开关部分和第二开关部分而建立从多个RF端口之一到公共端口的RF路径，并且去激活剩余多个RF开关网络的第一开关部分。在第一模式中，控制电路去激活剩余多个RF开关网络的第二开关部分，而在第二模式中，控制电路激活剩余多个RF开关网络中的至少一个的第二开关部分。

第一开关部分可包括第一多个串联连接的晶体管，而第二开关部分可包括第二多个串联连接的晶体管。在实施例中，第二模式被配置成通过用剩余多个RF开关网络中第一开关部分的寄生电容来电容性地加载公共端口而衰减RF信号的谐波。

在实施例中，该电路进一步包括：耦合到公共端口的天线，以及耦合到多个RF端口中的至少一个的功率放大器。

根据进一步的实施例，一种电路包括：在第一端口和公共端口之间耦合的第一串联RF开关，在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关，在第三端口和公共端口之间耦合的第三串联RF开关，以及在第一节点和公共端口之间耦合的开关串联电容电路，其中该开关串联电容电路被配置成是处于电容性状态的电容器和处于电阻性状态的电阻器。该电路还包括控制电路，该控制电路被配置成：通过激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关、去激活第三串联RF开关并将开关串联电容电路置于电阻性状态，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径。通过激活第二串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激活第三RF开关并将开关串联电容电路置于电阻性状态，该控制电路进一步提供从第二端口到公共端口的第二RF路径。通过激活第三串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激活第二RF开关并将开关串联电容电路置于电容性状态，还由控制电路提供从第三端口到公共端口的第三RF路径。第一串联RF开关、第二串联RF开关、第三串联RF开关和开关串联电容电路可被布置在集成电路上。该电路可进一步包括在进一步的端口和公共节点之间耦合的进一步的串联RF开关。

在实施例中，第一串联RF开关包括第一多个串联连接的晶体管，第二串联RF开关包括第二多个串联连接的晶体管，而第三RF开关包括第三多个串联连接的晶体管。开关串联电容电路可包括第四多个串联连接的晶体管，当关掉第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于电容性状态，而当打开第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于电阻性状态。

在实施例中，开关串联电容的电容包括第四多个开关晶体管的栅——漏和栅——源电容。在实施例中，第一多个晶体管多于第二多个晶体管。开关串联电容电路可包括与开关并联耦合的电容器。

在实施例中，开关串联电容电路和第二串联RF开关被配置成：当第一RF路径是活动的时，衰减由第一RF路径传播的信号的三次谐波。该电路可进一步包括：在第一端口和参考节点之间耦合的第一并联RF开关，在第二端口和参考节点之间耦合的第二并联RF开关，以及在第三端口和参考节点之间耦合的第三并联RF开关。在一些实施例中，该电路进一步包括在第三RF开关和公共端口之间耦合的进一步的开关串联电容电路。

在实施例中，该控制电路被进一步配置成：当提供第一RF路径且当提供第三RF路径时，将进一步的开关串联电容电路置于电阻性状态，并且当提供第二RF路径时，将进一步的开关串联电容电路置于电容性状态。

一些实施例的优点包括在RF开关系统中实现高线性而不使用额外的滤波组件的能力。进一步的优点包括允许RF开关在高电压击穿性能和滤波之间权衡。进一步的优点包括对感性负载（诸如在失谐天线中发现的那些）的电容性预匹配。

虽然已经参考说明性实施例描述了本发明，但并不旨在以限制性意义解释该描述。在参考该描述时，说明性实施例的各种修改和组合以及该发明的其它实施例将对本领域技术人员显而易见。

Claims

1.一种操作电路的方法，该电路包括：在第一端口和公共端口之间耦合的第一串联RF开关，在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关，以及在第三端口和公共端口之间耦合的第三串联RF开关，该方法包括：

通过激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关和第三串联RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电阻，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径；

通过激活第二串联RF开关、去激活第一串联RF开关和第三串联RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电阻，提供从第二端口到公共端口的第二RF路径；以及

通过激活第三串联RF开关、去激活第一串联RF开关和第二串联RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电容，提供从第二端口到公共端口的第三RF路径。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

激活第一串联RF开关包括激活第一多个串联连接的晶体管；

激活第二串联RF开关包括激活第二多个串联连接的晶体管；以及

激活第三串联RF开关包括激活第三多个串联连接的晶体管。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

在第一节点和公共端口之间耦合电容包括去激活在第一节点和公共端口之间耦合的第四多个串联连接的晶体管；以及

在第一节点和公共端口之间耦合电阻包括激活第四多个串联连接的晶体管。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

在第一节点和公共端口之间耦合电容包括关掉旁路开关，该旁路开关与在第一节点和公共端口之间耦合的电容器并联耦合；以及

在第一节点和公共端口之间耦合电阻包括打开旁路开关。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

提供第一RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电阻；

提供第二RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电容；以及

提供第三RF路径进一步包括在第三串联RF开关和公共端口之间耦合进一步的电阻。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

向第一RF路径提供第一频率；以及

向第三RF路径提供第二频率，其中第二频率大于第一频率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中提供第一RF路径进一步包括：使用第二串联RF开关的电容和寄生电容的串联组合来衰减第一频率的谐波。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：通过激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关和第三串联RF开关并在第一节点和公共端口之间耦合电容，为低电容提供从第一端口到公共端口的第一RF路径。

9.一种电路，包括：

在第一端口和公共端口之间耦合的第一串联RF开关；

在第二端口和第一节点之间耦合的第二串联RF开关；

在第三端口和公共端口之间耦合的第三串联RF开关；

在第一节点和公共端口之间耦合的开关串联电容电路，其中该开关串联电容电路被配置成是处于电容性状态的电容器和处于电阻性状态的电阻器；以及

控制电路，被配置成：

通过激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关、去激活第三串联RF开关并将开关串联电容电路置于电阻性状态，提供从第一端口到公共端口的第一RF路径；

通过激活第二串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激活第三串联RF开关并将开关串联电容电路置于电阻性状态，提供从第二端口到公共端口的第二RF路径；以及

通过激活第三串联RF开关、去激活第一串联RF开关、去激活第二串联RF开关并将开关串联电容电路置于电容性状态，提供从第三端口到公共端口的第三RF路径。

10.根据权利要求9所述的电路，其中：

第一串联RF开关包括第一多个串联连接的晶体管；

第二串联RF开关包括第二多个串联连接的晶体管；以及

第三串联RF开关包括第三多个串联连接的晶体管。

11.根据权利要求10所述的电路，其中：

开关串联电容电路包括第四多个串联连接的晶体管；

当关掉第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于电容性状态；以及

当打开第四多个串联连接的晶体管时，开关串联电容处于电阻性状态。

12.根据权利要求11所述的电路，其中开关串联电容的电容包括第四多个开关晶体管的栅——漏和栅——源电容。

13.根据权利要求11所述的电路，其中第一多个晶体管多于第二多个晶体管。

14.根据权利要求10所述的电路，其中开关串联电容电路包括与开关并联耦合的电容器。

15.根据权利要求9所述的电路，进一步包括：在第三串联RF开关和公共端口之间耦合的进一步的开关串联电容电路，其中控制电路被进一步配置成：

当提供第一RF路径且当提供第三RF路径时，将进一步的开关串联电容电路置于电阻性状态；以及

当提供第二RF路径时，将进一步的开关串联电容电路置于电容性状态。

16.根据权利要求9所述的电路，进一步包括：在进一步的端口和公共端口之间耦合的进一步的串联RF开关。