KR20150129660A - 기판 상의 고순도 알루미늄 탑 코트 - Google Patents

기판 상의 고순도 알루미늄 탑 코트 Download PDF

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anodization
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제니퍼 와이. 썬
수만트 밴다
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

프로세싱 챔버를 위한 챔버 구성요소를 제조하기 위해, 알루미늄 코팅이 불순물들을 포함하는 물품 상에 형성되며, 알루미늄 코팅은 실질적으로 불순물들을 함유하지 않는다.

Description

기판 상의 고순도 알루미늄 탑 코트 {HIGH PURITY ALUMINUM TOP COAT ON SUBSTRATE}
본 발명의 구체예들은 일반적으로, 알루미늄 코팅된 물품들 및 기재 상에 알루미늄 코팅을 적용시키는 방법에 관한 것이다.
배경
반도체 산업에서, 디바이스들(devices)은 점점 더 축소되는 크기의 구조물들을 생산하는 다수의 제조 공정들에 의해 제조된다. 일부 제조 공정들은 종종 처리되고 있는 기판을 오염시키는 입자들을 생성할 수 있으며, 이것은 디바이스 결함들의 원인이 된다. 디바이스 기하구조들이 축소됨에 따라, 결함들에 대한 민감성이 증가하고, 입자 오염 요건들이 더욱 엄격하게 된다. 따라서, 디바이스 기하구조들이 축소됨에 따라, 입자 오염에 대한 허용가능한 수준들이 감소될 수 있다.
요약
일 구체예에서, 알루미늄 코팅이 물품 상에 형성되고, 알루미늄 코팅은 애노드화되어 애노드화 층(anodization layer)을 형성한다. 애노드화 층은 알루미늄 코팅 두께의 40% 내지 60% 범위의 두께를 지닐 수 있다. 애노드화 층은 또한 알루미늄 코팅 두께의 최대 2 내지 3 배의 두께를 지닐 수 있다.
일 구체예에서, 알루미늄은 고순도 알루미늄이다. 알루미늄 코팅은 약 0.8 mil 내지 약 4 mil 범위의 두께를 지닐 수 있다. 애노드화 층은 약 0.4 내지 약 4 마이크론(micron) 범위의 두께를 지닐 수 있다. 일 구체예에서, 애노드화 층의 표면 거칠기(surface roughness)는 약 40 마이크로-인치(micro-inch)이다.
일 구체예에서, 물품은 알루미늄, 구리, 마그네슘, 알루미늄 합금 (예를 들어, Al6061), 또는 세라믹 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 알루미늄 코팅은 전기도금(electroplating)에 의해 형성된다. 애노드화 층의 대략 절반이 애노드화 동안 알루미늄 코팅의 전환으로부터 형성될 수 있다.
본 발명은 예시에 의해, 그리고 비제한적으로 유사 도면부호들이 유사한 요소들을 나타내는 첨부되는 도면의 도면들로 설명된다. 본 발명에서 단수형의 구체예에 대한 상이한 언급들이 반드시 동일 구체예에 대한 것은 아니고, 이러한 언급들은 적어도 하나를 의미하는 것으로 주지되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따라, 제조 시스템(system)의 예시적인 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따라, 알루미늄에 의한 전도성 물품(conductive article)을 전기도금하기 위한 공정을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 구체예에 따라, 알루미늄 코팅된 전도성 물품을 애노드화(anodizing)하기 위한 공정을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 구체예에 따라, 알루미늄 코팅된 전도성 물품을 제조하기 위한 공정을 도시한 것이다.
도 5는 전도성 물품 상의 알루미늄 코팅의 일 구체예의 단면도를 도시한 것이다.
도 6은 전도성 물품 상의 알루미늄 코팅 및 애노드화 층의 일 구체예의 단면도를 도시한 것이다.
구체예들의 상세한 설명
본 발명의 구체예들은 알루미늄 코팅으로 물품을 코팅하기 위한 (예를 들어, 반도체 제조에 사용하기 위한) 공정, 및 이러한 코팅 공정을 사용하여 생성된 물품에 관한 것이다. 일 구체예에서, 물품은 코팅되고, 이후 코팅의 적어도 일부가 애노드화된다. 예를 들어, 물품은 프로세싱(processing) 장비용 챔버(chamber), 예컨대 식각기(ecther), 세정기(cleaner), 노(furnace) 등의, 사우어헤드(showerhead), 캐소드 슬리브(cathode sleeve), 슬리브 라이너 도어(sleeve liner door), 캐소드 베이스(cathode base), 챔버 라이너(chamber liner), 정전 척 베이스(electrostatic chuck base) 등일 수 있다. 일 구체예에서, 챔버는 플라즈마 식각기 또는 플라즈마 세정기에 대한 것이다. 일 구체예에서, 이들 물품들은 알루미늄 합금 (예를 들어, Al 6061), 또 다른 합금, 금속, 금속 산화물, 세라믹, 또는 어떠한 다른 적합한 물질로 형성될 수 있다. 물품은 전도성 물품 (예를 들어, 알루미늄 합금) 또는 비전도성 또는 절연 물품 (예를 들어, 세라믹)일 수 있다.
애노드화를 위한 파라미터(parameter)는 물품으로부터 입자 오염을 감소시키도록 최적화될 수 있다. 알루미늄 코팅된 물품의 성능 성질들은 비교적 긴 수명, 및 낮은 웨이퍼(wafer)상 입자 및 금속 오염을 포함할 수 있다.
알루미늄 코팅된 전도성 물품들과 관련하여 본원에서 기술되는 구체예들은 플라즈마 부화 공정들을 위한 공정 챔버에서 사용되는 경우 감소된 입자 오염 및 웨이퍼상 금속 오염을 유도할 수 있다. 그러나, 본원에서 논의되는 알루미늄 코팅된 물품들은 또한 비-플라즈마 식각기들, 비-플라즈마 세정기들, 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition) (CVD) 챔버, 물리적 기상 증착(physical vapor deposition)(PVD) 챔버 등과 같은 그 밖의 공정들에 대한 공정 챔버들에서 사용되는 경우 감소된 입자 오염을 제공할 수 있는 것으로 이해해야 한다.
용어들 "약" 및 "대략"이 본원에서 사용되는 경우, 이들은 제시된 명목 값이 ±10% 내에서 정확함을 의미하는 것으로 의도된다. 본원에서 기술되는 물품들은 플라즈마에 노출되는 다른 구조물들일 수 있다.
도 1은 제조 시스템(100)의 예시적인 구조를 도시한 것이다. 제조 시스템(100)은 반도체 제조에 사용하기 위한 물품을 제조하기 위한 시스템일 수 있다. 일 구체예에서, 제조 시스템(100)은 장비 자동화층(115)에 연결된 프로세싱 장비(101)를 포함한다. 프로세싱 장비(101)는 하나 이상의 습식 세정기들(103), 알루미늄 코우터(coater)(104) 및/또는 애노드화기(anodizer)(105)를 포함할 수 있다. 제조 시스템(100)은 장비 자동화 층(115)에 연결된 하나 이상의 컴퓨팅 디바이스(computing device)(120)를 추가로 포함할 수 있다. 대안적인 구체예들에서, 제조 시스템(100)은 더 많거나 더 적은 구성요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제조 시스템(100)은 장비 자동화 층(115) 또는 컴퓨팅 디바이스(120) 없이 수동으로 작동되는(예를 들어, 오프-라인(off-line)) 프로세싱 장비(101)를 포함할 수 있다.
습식 세정기들(103)은 습식 세정 공정을 사용하여 물품들 (예를 들어, 전도성 물품들)을 세정하는 세정 장치들이다. 습식 세정기들(103)은 액체들이 채워진 습식 배쓰들(baths)을 포함하며 그러한 배쓰들에 기판을 세정하기 위해 기판이 침지된다. 습식 세정기들(103)은 세정 효율을 향상시키기 위해 세정 동안 초음파들을 사용하여 습식 배쓰를 교반시킬 수 있다. 이는 본원에서 습식 배쓰를 초음파처리하는 것으로서 언급된다.
일 구체예에서, 습식 세정기들(103)은 탈이온(DI)수의 배쓰를 사용하여 물품들을 세정하는 제 1 습식 세정기 및 아세톤 배쓰를 사용하여 물품들을 세정하는 제 2 습식 세정기를 포함한다. 습식 세정기들(103) 둘 모두는 세정 공정들 동안 배쓰들을 초음파처리할 수 있다. 습식 세정기들(103)은 프로세싱 동안 다수의 단계들로 물품을 세정할 수 있다. 예를 들어, 습식 세정기들(103)은 기판이 거칠게 된 후, 알루미늄 코팅이 기판에 적용된 후, 물품이 프로세싱에 사용된 후, 등에 물품을 세정할 수 있다.
다른 구체예들에서, 세정기들의 대안적인 유형들, 예컨대 건식 세정기들이 물품들을 세정하기 위해 사용될 수 있다. 건식 세정기들은 열을 가함으로써, 가스를 가함으로써, 플라즈마를 가함으로써, 등에 의해 물품들을 세정할 수 있다.
알루미늄 코우터(104)는 알루미늄 코팅을 물품의 표면에 적용시키도록 구성된 시스템이다. 일 구체예에서, 알루미늄 코우터(104)는 물품이 알루미늄을 포함하는 전기도금 배쓰에 침지되는 경우 물품에 전류를 가함으로써 물품(예를 들어, 전도성 물품) 상에 알루미늄을 도금하는 전기도금 시스템이며, 이는 하기에서 보다 상세히 기술될 것이다. 여기서, 물품의 표면들은 전도성 물품이 배쓰에 침지되기 때문에 균일하게 코팅될 수 있다. 대안적인 구체예들에서, 알루미늄 코우터(104)는 알루미늄 코팅을 적용하는 다른 기술들, 예컨대 물리적 기상 증착(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), 트윈 와이어 아크 스프레이(twin wire arc spray), 이온 기상 증착, 스퍼터링(sputtering), 및 냉간분사(coldspray)를 사용할 수 있다.
일 구체예에서, 애노드화기(anodizer)(105)는 알루미늄 코팅 상에 애노드화 층을 형성시키도록 구성된 시스템이다. 예를 들어, 물품 (예를 들어, 전도성 물품)이 예를 들어, 황산 또는 옥살산을 포함하는 애노드화 배쓰에 침지되고, 전류가 물품에 인가되어 물품은 애노드이다. 이후, 애노드화 층이 물품 상의 알루미늄 코팅 상에 형성되고, 이는 하기에서 보다 자세히 논의될 것이다.
장비 자동화 층(115)은 제조 기계들(101)의 일부 또는 전부를 컴퓨팅 디바이스들(120), 그 밖의 제조 기계들, 계측 기구들 및/또는 그 밖의 디바이스들과 상호연결시킬 수 있다. 장비 자동화 층(115)은 네트워크(network)(예를 들어, LAN(location area network)), 라우터들(routers), 게이트웨이들(gateways), 서버들(servers), 및 데이터 저장소들(data stores), 등을 포함할 수 있다. 제조 기계들(101)은 SECS/GEM(SEMI Equipment Communications Standard/Generic Equipment Model) 인터페이스(interface)를 통해, Ethernet 인터페이스를 통해, 그리고/또는 그 밖의 인터페이스들을 통해 장비 자동화 층(115)에 연결될 수 있다. 일 구체예에서, 장비 자동화 층(115)은 공정 데이터(예를 들어, 공정 실행 중 제조 기계들(101)에 의해 수집된 데이터)가 데이터 저장소(미도시됨)에 저장되게 할 수 있다. 대안적인 구체예에서, 컴퓨팅 디바이스(120)는 제조 기계들(101) 중 하나 이상에 직접 연결된다.
일 구체예에서, 일부 또는 모든 제조 기계들(101)은 공정 레시피들(process recipes)을 로딩(loading)하고, 저장하고, 실행할 수 있는 프로그램가능(programmable) 제어기를 포함한다. 프로그램가능 제어기는 제조 기계들(101)의 온도 세팅들(settings), 가스 및/또는 진공 세팅들, 시간 세팅들 등을 제어할 수 있다. 프로그램가능 제어기는 주 메모리(main memory)(예를 들어, 읽기-전용 메모리(read-only memory(ROM), 플래시 메모리(flash memory), 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory)(DRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(static random access memory)(SRAM), 등), 및/또는 부 메모리(예를 들어, 데이터 저장 디바이스, 예컨대 디스크 드라이브(disk drive))를 포함할 수 있다. 주 메모리 및/또는 부 메모리는 본원에서 기술된 열처리 공정들을 수행하기 위한 지시들을 저장할 수 있다.
프로그램가능 제어기는 또한 지시들을 실행하기 위해 주 메모리 및/또는 부 메모리에 (예를 들어, 버스(bus)를 통해) 결합된 프로세싱 디바이스를 포함할 수 있다. 프로세싱 디바이스는 범용 프로세싱 디바이스, 예컨대, 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙처리장치(central processing unit) 등일 수 있다. 프로세싱 디바이스는 또한 특수-목적용 프로세싱 디바이스(special-purpose processing device), 예컨대 주문형 집적 회로(application specific integrated circuit) (ASIC), 현장 프로그램가능 게이트 어레이(field programmable gate array) (FPGA), 디지털 시그널 프로세서(digital signal processor)(DSP), 또는 네트워크 프로세서(network processor), 등일 수 있다. 일 구체예에서, 프로그램가능 제어기는 프로그램가능 로직 제어기(programmable logic controller)(PLC)이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따라 물품(예를 들어, 전도성 물품)을 알루미늄으로 전기도금하기 위한 공정을 도시한 것이다. 전기도금은 99.99의 순도를 지닌 알루미늄 층을 생성할 수 있다. 전기도금은 전류를 사용하여 용해된 금속 양이온들을 감소시켜서 전극, 예를 들어 물품(203) 상에 금속 코팅을 형성시키는 공정이다. 물품(203)은 캐소드이고, 알루미늄 바디(body)(205)(예를 들어, 고순도 알루미늄)는 애노드이다. 두 구성요소들 모두가 하나 이상의 용해된 금속 염들 뿐만 아니라 전기 흐름을 허용하는 그 밖의 이온들을 함유하는 전해질 용액을 포함하는 알루미늄 도금 배쓰(201) 중에 침지된다. 전류 공급장치(current supplier) (207)(예를 들어, 배터리 또는 그 밖의 전력 공급장치(power supply))는 물품(203)에 직류를 공급하여 알루미늄 바디(205)의 금속 원자들을 산화시켜서, 금속 원자들을 용액 중에 용해시킨다. 전해질 용액 중의 용해된 금속 이온들은 용액과 물품(203) 간의 계면에서 환원되어 물품(203) 상에 도금되고, 알루미늄 도금 층을 형성한다. 알루미늄 도금은 전형적으로 매끄럽다. 예를 들어, 알루미늄 도금의 표면 거칠기 (Ra)는 약 20 마이크로-인치 내지 약 200 마이크로-인치일 수 있다.
일 구체예에서, 알루미늄 도금 층 두께는 비용 절감 및 애노드화를 위한 적당한 두께 둘 모두를 위해 최적화된다. 애노드화 층 두께의 절반은 알루미늄 도금 층 두께의 소비에 기초할 수 있다. 일 구체예에서, 애노드화 층은 알루미늄 층 전부를 소비한다. 따라서, 알루미늄 층의 두께는 애노드화 층의 목표 두께의 절반일 수 있다. 또 다른 구체예에서, 알루미늄 도금 층은 애노드화 층의 요망하는 두께의 두배인 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 알루미늄 도금 층의 그 밖의 두께들이 사용될 수 있다. 일 구체예에서, 알루미늄 도금 층의 두께는 5 mil이다. 일 구체예에서, 알루미늄 도금 층의 두께는 약 0.8 mil 내지 약 4 mil 범위 내에 있다. 전기도금 이외의 다른 알루미늄 코팅 공정들이 또한 다른 구체예들에서 사용될 수 있음을 유의하라.
도 3은 일 구체예에 따라 알루미늄 코팅된 물품(303)을 애노드화하기 위한 공정을 도시한 것이다. 일부 구체예들에서, 애노드화는 수행되지 않음을 유의하라. 예를 들어, 물품(303)은 도 2의 물품(203)일 수 있다. 애노드화는 물품(303) 표면의 미시적 텍스처(microscopic texture)를 변화시킨다. 애노드화 공정에 앞서, 물품(303)은 질산 배쓰에서 세정되거나, 산들의 혼합물로 증백될 수 있다. 즉, 애노드화 전에 화학적 처리(예를 들어, 탈산화)로 처리될 수 있다.
물품(303)은 캐소드 바디(305)와 함께 산 용액을 포함하는 애노드화 배쓰(301)에 침지된다. 사용될 수 있는 캐소드 바디들의 예들로는 알루미늄 합금들, 예컨대 Al6061 및 Al3003 및 카본 바디들(carbon bodies)을 포함한다. 애노드화 층은 전류 공급장치(307)(예를 들어, 배터리 또는 그 밖의 전력 공급장치)를 통해 전해질 용액에 전류를 통과시킴으로써 물품(303) 상에서 성장되며, 이때 물품은 애노드(양극)이다. 전류는 캐소드 바디, 예를 들어, 음극에서 수소를 방출시키고, 물품(303)의 표면에서 산소를 방출시켜서 알루미늄 산화물을 형성시킨다. 일 구체예에서, 여러 용액들을 사용하여 애노드화를 가능하게 하는 전압은 일 구체예에서 1 내지 300 V 범위, 또는 또 다른 구체예에서 15 내지 21 V의 범위일 수 있다. 애노드화 전류는 애노드화되는 알루미늄 바디(305)의 면적에 따라 달라지며, 30 내지 300 암페어/미터²(2.8 내지 28 암페어/ft²)의 범위일 수 있다.
산 용액은 물품 (예를 들어, 알루미늄 코팅)의 표면을 용해시켜(즉, 소비 또는 전환시켜) 원주형 나노기공들(columnar nanopores)의 코팅을 형성시키고, 애노드화 층은 이러한 나노기공들의 코팅으로부터 계속 성장한다. 원주형 나노기공들은 직경이 10 내지 150 nm일 수 있다. 산 용액은 옥살산, 황산, 또는 옥살산과 황산의 조합물일 수 있다. 옥살산에 대해, 물품 소비 대 애노드화 층 성장의 비는 약 1:1이다. 황산에 대해, 물품 소비 대 애노드화 층 성장의 비는 약 2:1이다. 전해질 농도, 산성, 용액 온도, 및 전류는 일관된 알루미늄 산화물 애노드화 층을 형성하도록 조절된다. 일 구체예에서, 애노드화 층의 두께는 4 mil 이하일 수 있다. 일 구체예에서, 애노드화 층의 최소 두께는 0.4 mil이다. 일 구체예에서, 애노드화 층의 두께는 알루미늄 코팅 두께의 40% 내지 60% 범위이다. 일 구체예에서, 애노드화 층의 두께는 알루미늄 코팅 두께의 30% 내지 70% 범위이지만, 애노드화 층의 두께는 알루미늄 코팅의 다른 백분율들일 수 있다. 일 구체예에서, 알루미늄 층 전부가 애노드화된다. 따라서, 애노드화 층의 두께는 알루미늄 코팅 두께(옥살산을 사용하여 수행된 애노드화에 대해)의 2배이거나, 알루미늄 코팅 두께(황산을 사용하여 수행된 애노드화에 대해)의 대략 1.5 배일 수 있다.
일례에서, 애노드화를 수행하는데 옥살산이 사용되는 경우, 알루미늄 코팅은 초기에 4 mil 두께이고, 형성되는 애노드화 층은 4 mil 두께일 수 있고, 애노드화 후 형성되는 알루미늄 코팅은 2 mil 두께일 수 있다. 또 다른 예에서, 애노드화를 수행하는데 황산이 사용되는 경우, 알루미늄 코팅은 초기에 4 mil 두께이고, 형성되는 애노드화 층은 3 mil 두께일 수 있고, 애노드화 후 형성되는 알루미늄 코팅은 2 mil 두께일 수 있다. 일 구체예에서, 애노드화에 황산이 사용되는 경우, 보다 두꺼운 알루미늄 코팅이 사용된다.
일 구체예에서, 전류 밀도는 초기에 높아 애노드화 층의 매우 치밀한 배리어 층(barrier layer) 부분을 성장시키고, 이후 전류 밀도는 감소되어 애노드화 층의 다공성 원주형 층 부분을 성장시킨다. 옥살산이 애노드화 층을 형성시키는데 사용되는 일 구체예에서, 다공성은 약 40% 내지 약 50%의 범위 내에 있으며, 기공들의 직경은 약 20nm 내지 약 30 nm의 범위이다. 황산이 애노드화 층을 형성시키는데 사용되는 일 구체예에서, 다공성은 약 70% 이하일 수 있다.
일 구체예에서, 애노드화 층의 표면 거칠기 (Ra)는 물품의 거칠기와 유사한 약 40 마이크로-인치이다. 일 구체예에서, 표면 거칠기는 황산으로의 애노드화 후 20-30% 증가한다.
일 구체예에서, 알루미늄 코팅은 약 100% 애노드화된다. 일 구체예에서, 알루미늄 코팅은 애노드화되지 않는다.
표 A는 Al6061 물품, 애노드화된 Al6061 물품, Al6061 물품 상에 알루미늄 도금 층을 포함하는 알루미늄 코팅, 및 Al6061 물품 상에 알루미늄 도금 층을 포함하는 애노드화된 알루미늄 코팅 중 금속성 불순물들을 검출하기 위해 사용된 레이저 삭마 유도 결합 플라즈마 질량 분석(laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry)(ICPMS)의 결과들을 나타낸다. 이 예에서, 알루미늄 도금 층은 전기도금을 통해 적용되고, 애노드화가 옥살산 배쓰에서 일어난다. Al6061 물품 상의 애노드화된 알루미늄 도금 층은 가장 낮은 수준들의 불순물들을 나타낸다.
Figure pct00001
도 4는 본 발명의 구체예들에 따라 알루미늄 코팅된 물품을 제조하기 위한 방법(400)을 나타내는 흐름도이다. 공정(400)의 작동들은 도 1에서 제시되는 다양한 제조 기계들에 의해 수행될 수 있다. 공정(400)은 어떠한 물품을 알루미늄 코팅하기 위해 적용될 수 있다.
블록(block)(401)에서, 물품 (예를 들어, 적어도 전도성 부분을 지닌 물품)이 제공된다. 예를 들어, 물품은 알루미늄 합금 (예를 들어, Al 6061), 또 다른 합금, 금속, 금속 산화물, 또는 세라믹으로 형성된 전도성 물품일 수 있다. 물품은 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 사우어 헤드, 캐소드 슬리브, 슬리브 라이너 도어, 캐소드 베이스, 챔버 라이너, 정전 척 베이스 등일 수 있다.
블록(403)에서, 물품은 일 구체예에 따라 코팅을 위해 제조된다. 물품의 표면은 표면을 거칠게 하거나, 평활시키거나, 세정함으로써 변경될 수 있다.
블록(405)에서, 물품은 알루미늄으로 코팅된다(예를 들어, 도금된다). 예를 들어, 물품은 도 2와 관련하여 유사하게 기술되는 바와 같이 알루미늄으로 전기도금될 수 있다. 그 밖의 예들에서, 코팅은 물리적 기상 증착(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), 트윈 와이어 아크 스프레이, 이온 기상 증착, 스퍼터링, 및 냉간분사에 의해 적용될 수 있다.
블록(407)에서, 알루미늄 코팅을 지닌 물품이 일 구체예에 따라 세정된다. 예를 들어, 물품은 질산 중에 물품을 침지시킴으로써 세정되어 표면 산화를 제거할 수 있다.
블록(409)에서, 알루미늄 코팅을 지닌 물품이 일 구체예에 따라 애노드화된다. 예를 들어, 물품은 도 3과 관련하여 유사하게 기술되는 바와 같이 옥살산 또는 황산의 배쓰에서 애노드화될 수 있다.
도 5는 보여지는 50 마이크론 규모로 대략 1000배 배율로 전기도금을 통해 적용되는 알루미늄 코팅(503)을 지닌 Al6061 물품(501)의 단면도의 주사 전자 현미경사진(500)을 나타낸다. 알루미늄 도금 층의 두께는 약 70 마이크론이다.
도 6은 보여지는 20 마이크론 규모로 약 800배 배율로 전기도금을 통해 적용된 알루미늄 코팅(603) 및 옥살산 배쓰에서 형성된 애노드화 층(605)을 지닌 Al6061 물품(601)의 단면도에 대한 주사 전자 현미경사진(600)을 도시한 것이다. 알루미늄 도금 층의 두께는 약 55 마이크론이고, 애노드화 층의 두께는 약 25 마이크론이다.
상술된 기재는 본 발명의 여러 구체예들을 잘 이해하도록 다수의 특정 세부사항들, 예컨대, 특정 시스템들, 구성요소들, 방법들 등의 예들을 기재한다. 그러나, 본 발명의 적어도 일부 구체예들은 이들 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있음이 당업자들에게는 자명할 것이다. 다른 예들에서, 널리 공지되어 있는 구성요소들 또는 방법들은 본 발명을 불필요하게 불분명하게 하는 것을 피하기 위해 상세히 기술되지 않거나 단순한 블록도 포맷(blcok diagram format)으로 제시된다. 따라서, 기재된 특정 세부사항들은 단지 예시적인 것이다. 특정 실행예들은 이들 예시적인 세부사항들로부터 달라질 수 있으며, 여전히 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주될 수 있다.
본 명세서 전반에 "일 구체예" 또는 "구체예"에 대한 언급은 그러한 구체예와 관련하여 기술된 특정 특징, 구조 또는 특성이 적어도 하나의 구체예에 포함됨을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반 여러 곳들에서의 어구 " 일 구체예에서" 또는 "구체예에서"의 출현은 반드시 전부 동일 구체예를 언급하는 것은 아니다. 또한, 용어 "또는"은 배타적인 "또는"이 아닌 포괄적인 "또는"을 의미하는 것으로 의도된다.
본원에서 방법들의 작동들이 특정 순서로 도시되고, 기술되어 있지만, 각 방법의 작동들의 순서는 특정 작동들이 역순으로 수행될 수 있거나, 특정 작동이 적어도 부분적으로 수행되거나 다른 작동들과 동시에 수행될 수 있도록 변경될 수 있다. 또 다른 구체예에서, 개별 작동들의 지시들 또는 서브-작동들(sub-operations)이 간헐적 방식 및/또는 교대 방식으로 있을 수 있다.
상기 기재는 예시적인 것이지 제한하려는 것은 아닌 것으로 이해해야 한다. 다수의 그 밖의 구체예들이 상기 기재를 숙지하고 이해한 당업자들에게 자명할 것이다. 이에 따라 본 발명의 범위는 청구범위의 자격이 주어지는 전 범위의 등가물들과 함께 첨부되는 청구범위를 참조하여 정해져야 한다.

Claims (15)

  1. 프로세싱 챔버(processing chamber)용 챔버 구성요소를 제조하는 방법으로서,
    불순물들을 포함하는 물품 상에 알루미늄 코팅(coating)을 형성시키는 것을 포함하며,
    알루미늄 코팅은 불순물들을 실질적으로 함유하지 않는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 알루미늄 코팅의 두께가 약 0.8 mil 내지 약 5 mil 범위 내인 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 알루미늄 코팅을 애노드화(anodizing)하여 애노드화 층(anodization layer)을 형성시키는 것을 추가로 포함하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 애노드화 층의 두께가 알루미늄 코팅 두께의 약 30% 내지 약 70% 범위 내인 방법.
  5. 제 3항에 있어서, 애노드화 층의 표면 거칠기(surface roughness)가 약 40 마이크로-인치(micro-inch)인 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 물품이 알루미늄, 구리, 또는 마그네슘 중 적어도 하나의 합금을 포함하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 알루미늄 코팅을 형성시키는 것이 전기도금(electroplating)을 수행하는 것을 포함하는 방법.
  8. 프로세싱 챔버용 챔버 구성요소로서,
    불순물들을 포함하는 물품; 및
    물품 상의 알루미늄 코팅을 포함하며,
    알루미늄 코팅이 불순물을 실질적으로 함유하지 않는, 챔버 구성요소.
  9. 제 8항에 있어서, 알루미늄 코팅의 두께가 약 0.8 mil 내지 약 5 mil 범위 내인, 챔버 구성요소.
  10. 제 8항에 있어서, 애노드화 층의 두께가 약 0.4 mil 내지 약 4 mil 범위 내인, 챔버 구성요소.
  11. 제 8항에 있어서, 애노드화 층의 표면 거칠기가 약 40 마이크로-인치인, 챔버 구성요소.
  12. 제 10항에 있어서, 애노드화 층의 대략 절반이 애노드화 동안 알루미늄 코팅의 전환으로부터 형성되는, 챔버 구성요소.
  13. 제 8항에 있어서, 물품이 알루미늄, 구리, 또는 마그네슘 중 적어도 하나의 합금을 포함하는, 챔버 구성요소.
  14. 제 8항에 있어서, 물품이 세라믹 물질을 포함하는, 챔버 구성요소.
  15. 제 8항에 있어서, 알루미늄 코팅이 물품 상에 전기도금되는, 챔버 구성요소.
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