KR20150093037A - Light emitting device package module, backlight unit and lighting device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a light emitting device package module which can be used for a display or lighting, a backlight unit, and a lighting device. The light emitting device package module includes: a substrate; at least one light emitting device package mounted on the substrate; a lens installed on an optic path of the light emitting device package; a reflecting layer formed on the substrate to be able to reflect the light generated in the light emitting device package; and a light adsorption layer formed between the substrate and the lens to make the brightness of the light released through the lens uniform.

Description

발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치{Light emitting device package module, backlight unit and lighting device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package module, a backlight unit, and a lighting device,

본 발명은 발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package module, a backlight unit and a lighting device, and more particularly, to a light emitting device package module, a backlight unit and a lighting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, has a strong directivity of light, and can be driven at a low voltage. In addition, these LEDs are resistant to shock and vibration, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, so that they can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.

백라이트 유닛에서 널리 사용되는 직하형 발광 소자 패키지는, 유닛의 두께를 줄이는 동시에 도광판에 광을 균일하게 조사할 수 있도록 1차로 발광 소자 패키지에서 발생된 빛을 2차 렌즈를 통해서 넓게 분산시킬 수 있다.The direct-type light emitting device package widely used in the backlight unit can widely disperse light generated from the light emitting device package through the secondary lens so as to reduce the thickness of the unit and uniformly irradiate the light to the light guide plate.

그러나, 종래의 발광 소자 패키지는 기판에 반사된 빛들을 제어할 수 있는 수단이 없어서 부분적으로 휘도가 높은 부분, 즉 휘부가 발생되어 효율적인 면광원을 구현할 수 없었던 문제점이 있었다.However, in the conventional light emitting device package, there is no means for controlling the light reflected on the substrate, so that a part having a high luminance, that is, a whirling part is generated, and an efficient planar light source can not be realized.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 휘부 발생 현상을 방지하고, 균일한 휘도의 효율적인 면광원을 구현할 수 있게 하는 발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention provides a light emitting device package module, a backlight unit, and a lighting device, which can solve various problems including the above-described problems and which can prevent the occurrence of a hue and realize an efficient planar light source with uniform luminance. . However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 모듈은, 기판; 상기 기판에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 렌즈; 상기 발광 소자 패키지에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사층; 및 상기 렌즈를 통해 발산되는 빛의 휘도를 제어하도록 상기 기판과 상기 렌즈 사이에 형성되는 광흡수층;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package module including: a substrate; At least one light emitting device package mounted on the substrate; A lens installed in an optical path of the light emitting device package; A reflective layer formed on the substrate to reflect light emitted from the light emitting device package; And a light absorbing layer formed between the substrate and the lens to control the brightness of light emitted through the lens.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광흡수층은, 상기 반사층의 상면에 형성되고, 상기 기판의 길이방향으로 형성되는 일자 형상이며, 상기 발광 소자 패키지의 양측방향에 각각 배치될 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light absorbing layer is formed on the upper surface of the reflective layer and has a linear shape formed in the longitudinal direction of the substrate, and may be disposed on both sides of the light emitting device package.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광흡수층은, 그 폭이 상기 렌즈 직경의 5 퍼센트 내지 20 퍼센트일 수 있다.Further, according to the idea of the present invention, the light absorbing layer may have a width of 5 to 20 percent of the lens diameter.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광흡수층은, 상기 렌즈의 풋프린트(footprint) 영역 안에 형성되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light absorbing layer may be formed in a footprint region of the lens.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 렌즈는 상기 발광 소자 패키지의 둘레에 적어도 3개 이상의 지지 다리가 배치되고, 상기 광흡수층은, 상기 렌즈의 지지 다리를 모서리로 하는 내부 영역의 외부에 설치되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, at least three support legs are disposed around the light emitting device package, and the light absorbing layer is provided outside an inner region having a support leg of the lens as an edge Lt; / RTI >

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판은, 직하형 백라이트 유닛의 도광판 아래에 설치되고, 배선층이 형성되는 바(bar) 타입의 기판이고, 상기 반사층은, 상기 발광 소자 패키지가 안착되는 상기 배선층의 일부분이 노출될 수 있도록 상기 기판에 형성되는 백색 도료층이고, 상기 광흡수층은 흑색 도료층일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the substrate is a bar-type substrate provided below the light guide plate of the direct-type backlight unit and having a wiring layer formed thereon, And the light absorbing layer may be a black paint layer.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광흡수층은, 적어도 제 1 방향으로 길게 형성되는 제 1 방향 도료층, 제 2 방향으로 길게 형성되는 제 2 방향 도료층, 상기 발광 소자 패키지와 가까운 부분이 두꺼운 삼각 도료층, 상기 발광 소자 패키지와 가까운 부분이 두꺼운 전체적으로 반달 형상인 반달 도료층, 링형상으로 형성되는 링형상 도료층 및 이들의 조합 중 어느 하나를 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light absorbing layer includes a first direction paint layer formed in a long direction in at least a first direction, a second direction paint layer formed in a long direction in a second direction, A triangular paint layer, a semi-moon-shaped paint layer having a generally semi-moon-shaped portion in the vicinity of the light emitting device package, a ring-shaped paint layer formed in a ring shape, or a combination thereof.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광흡수층은, 상기 렌즈의 하면에 형성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light absorbing layer may be formed on the lower surface of the lens.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 기판; 상기 기판에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 렌즈; 상기 발광 소자 패키지에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사층; 상기 렌즈를 통해 발산되는 빛의 휘도를 제어하도록 상기 기판과 상기 렌즈 사이에 형성되는 광흡수층; 및 상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 도광판;을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a backlight unit comprising: a substrate; At least one light emitting device package mounted on the substrate; A lens installed in an optical path of the light emitting device package; A reflective layer formed on the substrate to reflect light emitted from the light emitting device package; A light absorbing layer formed between the substrate and the lens to control the brightness of light emitted through the lens; And a light guide plate installed in an optical path of the light emitting device package.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 기판; 상기 기판에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 렌즈; 상기 발광 소자 패키지에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사층; 및 상기 렌즈를 통해 발산되는 빛의 휘도를 제어하도록 상기 기판과 상기 렌즈 사이에 형성되는 광흡수층;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lighting apparatus comprising: a substrate; At least one light emitting device package mounted on the substrate; A lens installed in an optical path of the light emitting device package; A reflective layer formed on the substrate to reflect light emitted from the light emitting device package; And a light absorbing layer formed between the substrate and the lens to control the brightness of light emitted through the lens.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 모듈의 기판 또는 반사층에 부분적으로 광을 흡수할 수 있는 광흡수층을 형성하여 휘부 발생 현상을 방지하고, 균일한 휘도의 효율적인 면광원을 경제적으로 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, a light absorption layer capable of partially absorbing light can be formed on a substrate or a reflection layer of a module to prevent the occurrence of a horn portion, and an efficient planar light source with uniform luminance can be economically . Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지 모듈의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 평면도들이다.
도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
1 is an exploded perspective view of a light emitting device package module according to some embodiments of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a light emitting device package module of FIG. 1 taken along line II-II.
3 is a plan view showing the light emitting device package module of FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package module according to some other embodiments of the present invention.
5 to 9 are plan views showing a light emitting device package module according to some embodiments of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package module according to still another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(100)을 나타내는 부품 분해 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지 모듈(100)의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지 모듈(100)을 나타내는 평면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting device package module 100 according to some embodiments of the present invention. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package module 100 of FIG. 1 taken along line II-II, and FIG. 3 is a plan view of the light emitting device package module 100 of FIG.

먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(100)은, 크게 기판(10)과, 발광 소자 패키지(20)와, 렌즈(30)와, 반사층(40) 및 광흡수층(50)을 포함할 수 있다.1 to 3, a light emitting device package module 100 according to some embodiments of the present invention includes a substrate 10, a light emitting device package 20, a lens 30, A reflective layer 40, and a light absorbing layer 50.

여기서, 상기 기판(10)은, 도 11에 예시된 바와 같이, 직하형 백라이트 유닛(1000)의 도광판(60) 아래에 설치되고, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 배선층(11)이 형성되는 바(bar) 타입의 기판일 수 있다. 이러한 상기 기판(10)은 도면에 국한되지 않고, 다양한 형태 및 종류의 다양한 기판이 적용될 수 있다.11, the substrate 10 is installed below the light guide plate 60 of the direct-type backlight unit 1000, and the wiring layer 11 is formed as shown in FIGS. 1 to 3 And may be a bar type substrate formed. The substrate 10 is not limited to the drawings, and various substrates and various types of substrates may be used.

또한, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은, 상기 배선층과 연결되고 일측 단부에 외부 커넥터와 연결될 수 있는 단자(T)가 설치될 수 있고, 이외에도, 하면에 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 열을 외부로 전달하여 방열시킬 수 있도록 방열층(13)이 형성될 수 있다.1 to 3, the substrate 10 may be provided with a terminal T connected to the wiring layer and connected to an external connector at one end thereof. In addition, The heat dissipation layer 13 may be formed to transfer heat generated in the device package 20 to the outside to dissipate heat.

또한, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은 상기 발광 소자 패키지(20)를 수용할 수 있고, 상기 발광 소자 패키지(20)와 전기적으로 연결되는 것으로서, 상기 발광 소자 패키지(20)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.1 to 3, the substrate 10 can receive the light emitting device package 20 and is electrically connected to the light emitting device package 20, It may be made of a material having a suitable mechanical strength and an insulating property or a conductive material so as to support the electrode 20.

예를 들어서, 상기 기판(10)의 상기 배선층(11)은, 상기 발광 소자 패키지(20)를 외부 전원과 연결시키도록 전도성 재질로 형성될 수 있고, 상기 기판(10)은 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.For example, the wiring layer 11 of the substrate 10 may be formed of a conductive material so as to connect the light emitting device package 20 to an external power source, and the substrate 10 may include an epoxy resin sheet Or may be a printed circuit board (PCB) having a multilayer structure. The substrate 10 may be a Flexible Printed Circuit Board (FPCB) made of a flexible material.

이외에도, 상기 기판(10)은, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있고, 이외에도 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.In addition, the substrate 10 may be a synthetic resin substrate such as a resin or a glass epoxy or a ceramic substrate in consideration of a thermal conductivity. In addition, the substrate 10 may be formed of an insulating material such as aluminum, copper, zinc, tin, A metal substrate such as silver can be applied, and a plate or a lead frame substrate can be applied.

또한, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The substrate 10 may be made of at least one selected from EMC (Epoxy Mold Compound), PI (polyimide), ceramic, graphene, glass synthetic fiber and combinations thereof to improve workability have.

또한, 상기 기판(10)의 상기 배선층(11)은 각종 패턴의 형태로 설치될 수 있다. 이러한 상기 배선층(11)은 열전도성이 우수하고 비교적 저렴한 재질인 구리, 알루미늄 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the wiring layer 11 of the substrate 10 may be provided in various patterns. The wiring layer 11 may be formed of at least one selected from copper, aluminum, and combinations thereof, which are excellent in thermal conductivity and relatively inexpensive materials.

이 때, 이러한 패턴 형성 방법은 열압착 가공, 도금 가공, 접착 가공, 스퍼터링 가공이나, 기타 식각 가공, 프린팅 가공, 스프레이 가공 등의 방법이 이용될 수 있다.At this time, such a pattern forming method may be thermocompression processing, plating processing, adhesive processing, sputtering processing, other etching processing, printing processing, spray processing and the like.

한편, 상기 발광 소자 패키지(20)는, LED 칩 등 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지일 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 20 may be a light emitting device package including a light emitting device such as an LED chip.

이러한, 상기 발광 소자 패키지(20)는 상기 기판(10)에 적어도 하나 이상 복수개가 안착될 수 있다.In the light emitting device package 20, at least one or more light emitting device packages 20 may be mounted on the substrate 10.

여기서, 상기 발광 소자는, 도시하지 않았지만, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.Here, although not shown, the light emitting device may be formed of a semiconductor. For example, LEDs of blue, green, red, and yellow light emission, and LEDs of ultraviolet light emission, which are made of a nitride semiconductor, can be applied. The nitride semiconductor is represented by a general formula Al x Ga y In z N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? Z? 1, x + y + z = 1).

또한, 상기 발광 소자는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The light emitting element is formed by epitaxially growing a nitride semiconductor such as InN, AlN, InGaN, AlGaN, or InGaAlN on a sapphire substrate for growth or a silicon carbide substrate by a vapor phase growth method such as MOCVD can do. Further, the light emitting element can be formed using semiconductors such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, and AlInGaP in addition to the nitride semiconductor. These semiconductors can be stacked in the order of an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting layer (active layer) may be a laminated semiconductor having a multiple quantum well structure or a single quantum well structure or a laminated semiconductor having a double hetero structure. In addition, the light emitting device 20 can be selected to have an arbitrary wavelength depending on the application such as display use and illumination use.

여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO, LiAlO 2, LiGaO 2, GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.

이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.

또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.

예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.

또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.

또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.

상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.

또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.

또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.

상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.

여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Here, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.

또한, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 소자는, 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태의 발광 소자들일 수 있고, 이외에도 와이어 등의 신호전달매체를 갖는 수직형 및 수평형 등 다양한 형태의 발광 소자들이 적용될 수 있다.Further, although not shown, the light emitting element may be a flip chip type light emitting element having a signal transmitting medium such as a bump, a pad, or a solder. In addition, the light emitting element may have various forms such as a vertical type and a horizontal type May be applied.

또한, 상기 발광 소자 패키지(20)는 상술된 상기 발광 소자 이외에도 각종 기판, 리드 프레임, 반사 부재, 봉지 부재, 형광체, 충진물 등을 포함할 수 있다.The light emitting device package 20 may include various substrates, a lead frame, a reflective member, a sealing member, a fluorescent material, a filler, and the like in addition to the light emitting device described above.

이외에도, 본 발명의 상기 발광 소자 패키지(20)는 LED 칩 형태의 발광 소자만 포함하는 것일 수 있다. 즉, 이렇게 LED 칩 형태의 상기 발광 소자가 직접 상기 기판(10)에 안착된 형태를 COB(Chip on Board)라 할 수 있다.In addition, the light emitting device package 20 of the present invention may include only a light emitting device in the form of an LED chip. That is, the form in which the light emitting device of the LED chip type is directly mounted on the substrate 10 can be referred to as a COB (Chip on Board).

한편, 상기 렌즈(30)는, 상기 발광 소자 패키지(20)의 광경로에 설치되는 것으로서, 예를 들어서, 유리, 아크릴, 실리콘, 에폭시, 각종 플라스틱, 각종 폴리머 등 투광성 유리나 수지 재질로 제작될 수 있다.The lens 30 is installed in the optical path of the light emitting device package 20 and may be made of translucent glass or resin such as glass, acrylic, silicone, epoxy, various plastics and various polymers. have.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 렌즈(30)는, 상기 발광 소자 패키지(20)와 대응되는 입광면(30a)과, 상기 도광판(60)과 대응되는 출광면(30b)을 갖는 일종의 광학계인 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 입광면(30a)은 오목한 홈 형상이고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 출광면(30b)은 광을 최대한 넓게 분산시킬 수 있도록 그 단면이 갈매기 형상으로 형성되는 복합 렌즈일 수 있다.3, the lens 30 includes a light emitting surface 30a corresponding to the light emitting device package 20 and a light emitting surface 30b corresponding to the light guiding plate 60. [ As shown in FIG. 3, the light-outgoing surface 30b has a cross-section so as to disperse the light to the widest possible extent. The light-outgoing surface 30b is an optical system. More specifically, for example, the light incidence surface 30a has a concave groove shape. Or the like.

또한, 상기 렌즈(30)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지(20)의 둘레에 적어도 3개 이상이 배치되도록 그 하면에 지지 다리(31)가 형성될 수 있다. 이러한, 상기 렌즈(30)는 도면에 국한되지 않고 다양한 형태나 종류의 다양한 렌즈가 적용될 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the lens 30 may be formed with a support leg 31 on its lower surface so that at least three or more LEDs 30 are disposed around the light emitting device package 20 . The lens 30 is not limited to the drawings, and various lenses and various types of lenses may be used.

한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(40)은 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 광을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판(10)의 상면에 형성되는 것으로서, 발광 소자 패키지 안착면(12)에 대응하는 상기 배선층(11)의 일부분이 노출될 수 있도록 상기 기판(10)에 형성되는 백색 도료층일 수 있다.1 to 3, the reflective layer 40 is formed on the upper surface of the substrate 10 so as to reflect upward the light generated from the light emitting device package 20, May be a white paint layer formed on the substrate 10 such that a part of the wiring layer 11 corresponding to the device package seating surface 12 is exposed.

이외에도, 예컨데 상기 반사층(40)은 금속층, 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, for example, the reflective layer 40 may be formed of a metal layer, EMC including a reflective material, white silicon containing a reflective material, a photoimageable solder resist (PSR), or a combination thereof.

또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 반사층(40)은, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the reflective layer 40 may be formed of a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition such as a silicone-modified epoxy resin, a modified silicone resin composition such as an epoxy-modified silicone resin, a polyimide resin composition, A resin such as polyimide resin composition, polyphthalamide (PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin and PBT resin can be applied.

또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.Further, a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.

아울러, 상기 반사층(40)은, 상기 렌즈(30)의 상기 지지 다리(31)를 안내하여 정렬시킬 수 있도록 상기 발광 소자 패키지 안착면(12) 주위에 삼각으로 배치되는 3개의 지지 다리 안내홀(H)이 형성될 수 있다. 이러한 상기 지지 다리 안내홀(H)의 형태는 상기 지지 다리(31)의 단부와 대응되는 것으로서, 이러한 상기 지지 다리(31)나 상기 지지 다리 안내홀(H)은 다양한 형태 및 종류로 변형되거나 수정되어 적용될 수 있다. The reflective layer 40 may include three support leg guide holes arranged in a triangular shape around the light emitting device package seating surface 12 so as to guide and align the support legs 31 of the lens 30. [ H) may be formed. The shape of the support leg guide hole H corresponds to the end of the support leg 31. The support leg 31 and the support leg guide hole H may be modified or modified into various shapes and types, .

한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광흡수층(50)은, 상기 렌즈(30)를 통해 발산되는 빛의 휘도를 균일하게 제어하도록 상기 기판(10)과 상기 렌즈(30) 사이에 형성되고, 광을 흡수할 수 있는 일종의 도료층일 수 있다.1 to 3, the light absorbing layer 50 is formed between the substrate 10 and the lens 30 so as to uniformly control the brightness of light emitted through the lens 30, And may be a kind of paint layer capable of absorbing light.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광흡수층(50)은, 상기 반사층(40)의 상면에 형성되고, 상기 기판(10)의 길이방향으로 길게 형성되는 일자 형상이며, 상기 발광 소자 패키지(20)의 양측방향에 각각 배치되는 흑색 도료층(51)일 수 있다.1 to 3, the light absorbing layer 50 may be formed on the upper surface of the reflective layer 40, and may have a length that is longer in the longitudinal direction of the substrate 10, for example, And may be a black paint layer 51 disposed on both sides of the light emitting device package 20.

여기서, 상기 광흡수층(50)은 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(40)의 상면에 형성되는 것으로서, 이에 반드시 국한되지 않고, 상기 기판(10)의 상면 또는 상기 반사층(40)의 측면에 형성될 수 있다.2, the light absorbing layer 50 is formed on the upper surface of the reflective layer 40 and is not limited to the upper surface of the reflective layer 40, As shown in FIG.

이러한 상기 흑색 도료층(51)은, 적어도 아닐린 블랙, 퍼릴렌 블랙, 티탄 블랙, 카본블랙 및 이들의 조합으로 이루어지는 흑색 안료를 포함할 수 있다.The black paint layer 51 may include at least an aniline black, a perylene black, a titanium black, a carbon black, and a black pigment composed of a combination thereof.

이외에도, 상기 흑색 도료층(51)은, 적어도 수용성 아조 안료, 불용성 아조 안료, 프타로시아닌 안료, 퀴나크리돈 안료, 이소인돌리논 안료, 이소인돌린 안료, 페리렌 안료, 페리논 안료, 디옥사진 안료, 안트라퀴논 안료, 디안트라퀴노닐 안료, 안트라피리미딘 안료, 안탄트론(anthanthrone) 안료, 인단트론(indanthrone) 안료, 프라반트론 안료, 피란트론 (pyranthrone) 안료, 디케토피로로피롤 안료 및 이들의 조합으로 이루어지는 유기 안료를 포함할 수 있다.In addition, the black paint layer 51 may be formed of at least one of a water-soluble azo pigment, an insoluble azo pigment, a phthalocyanine pigment, a quinacridone pigment, an isoindolinone pigment, an isoindoline pigment, a perylene pigment, Anthraquinone pigments, anthraquinone pigments, anthrapyrimidine pigments, anthanthrone pigments, indanthrone pigments, pravantron pigments, pyranthrone pigments, diketopyrrolopyrroles, Pigments, and combinations of these pigments.

이외에도 상기 흑색 도료층(51)은, 상술된 흑색 안료 또는 유기 안료와 함께 EMC, 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the black paint layer 51 may be formed by selecting at least one of EMC, silicone, PSR (Photoimageable Solder Resist) and a combination thereof together with the above-mentioned black pigment or organic pigment.

또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 흑색 도료층(51)은, 상술된 안료가 포함된 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the black paint layer 51 may be formed of a silicone resin composition containing a pigment as described above, a modified epoxy resin composition such as a silicone-modified epoxy resin, a modified silicone resin such as an epoxy- (PPA), a polycarbonate resin, a polyphenylene sulfide (PPS), a liquid crystal polymer (LCP), an ABS resin, a phenol resin, an acrylic resin, a PBT resin, etc. And the like can be applied.

이외에도, 광흡수층(50)은 적어도 부분적으로 광흡수 성질을 갖는 박막, 필름 등이 적용될 수도 있다.In addition, the light absorbing layer 50 may be a thin film, a film, or the like having light absorbing properties at least partially.

위에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 빛은 상기 렌즈(30)를 통해서 넓은 면적으로 분산될 수 있다.2, the light generated from the light emitting device package 20 may be dispersed over a wide area through the lens 30. In this case,

이 때, 상기 렌즈(30)의 상기 입광면(30a)을 통해 입광된 빛들 중 일부는 상기 출광면(30b)을 통하지 않고, 상기 렌즈(30)의 하면을 통해 다시 상기 기판(10)의 반사면(40)에 2차 반사되어 상방으로 방출될 수 있다.At this time, a part of the light incident through the light incidence surface 30a of the lens 30 passes through the lower surface of the lens 30 without passing through the light exiting surface 30b, It can be reflected by the slope 40 to be emitted upward.

즉, 이렇게 2차 반사되어 상방으로 방출되는 빛의 일부분, 특히 상기 반사층(40)의 상면 중 상기 발광 소자 패키지(20)의 양측부분에서 반사되는 빛들은 휘부를 형성할 수 있으나, 본 발명의 상기 광흡수층(50)은 휘부를 발생시킬 수 있는 광을 흡수하여 휘부 발생을 방지할 수 있다.That is, a part of the light that is secondarily reflected and emitted upward, in particular, the light reflected from both sides of the light emitting device package 20 in the upper surface of the reflective layer 40 may form a depression. However, The light absorbing layer 50 absorbs light capable of generating a depressed portion to prevent the occurrence of the depressed portion.

여기서, 상기 광흡수층(50)의 면적이 넓을 수록 휘부 발생을 줄일 수 있으나, 그 대신 너무 많은 빛들을 흡수하여 광효율이 떨어질 수 있다.Here, the larger the area of the light absorbing layer 50 is, the less the occurrence of the hill can be reduced, but the light efficiency may be lowered by absorbing too much light.

따라서, 휘부 발생을 줄이면서 광효율을 그대로 유지할 수 있도록 상기 광흡수층(50)은 상기 렌즈(40)의 직경이나 상기 기판(10)의 크기 등에 의해 최적화되어 설계될 수 있다. 경험적으로 실험한 결과, 상기 광흡수층(50)은, 그 폭(W)이 상기 렌즈(30) 직경(D)의 5 퍼센트 내지 20 퍼센트일 때, 휘부 발생을 최대한 방지하면서 최적의 광효율을 유지할 수 있었다.Therefore, the light absorption layer 50 can be designed to be optimized by the diameter of the lens 40, the size of the substrate 10, and the like so that the light efficiency can be maintained while reducing the occurrence of the whitening. Experimental results have shown that when the width W of the light absorbing layer 50 is 5 to 20 percent of the diameter D of the lens 30, the optimal light efficiency can be maintained there was.

또한, 광효율을 유지하기 위해 상기 렌즈(30)의 하방에 상기 광흡수층(50)이 형성될 수 있다.In addition, the light absorbing layer 50 may be formed below the lens 30 to maintain the light efficiency.

즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광흡수층(50)은, 그 길이(L)는 적어도 상기 렌즈(30)의 직경(30) 보다 작은 것으로서, 상기 렌즈(30)의 풋프린트(footprint) 영역(A) 안에 형성되고, 상기 렌즈(30)의 지지 다리(31)를 모서리로 하는 내부 영역(B)의 외부에 설치될 수 있다.3, the length L of the light absorbing layer 50 is at least smaller than the diameter 30 of the lens 30, so that the footprint of the lens 30 can be reduced, And may be provided outside the inner region B formed in the region A and having the support leg 31 of the lens 30 as an edge.

그러므로, 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 빛들 중 상방으로 발산되는 빛은 최대한 흡수하지 않고, 그 대신, 상기 렌즈(20)의 하방으로 특히 불규칙하게 반사되는 빛들 중 휘부를 발생시킬 수 있는 상기 반사층(40)의 양측 테두리부분의 빛들만 흡수하여 최적의 광효율을 얻을 수 있다.Therefore, the light emitted from the light emitting device package 20 is not absorbed as much as possible, and instead of the light emitted from the light emitting device package 20, It is possible to absorb only the light of both side edges of the reflection layer 40 to obtain the optimum light efficiency.

도 4는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(200)을 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package module 200 according to some other embodiments of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(200)의 광흡수층(50)은, 상기 반사층(40)의 측면에 형성되고, 상기 기판(10)의 길이방향으로 길게 형성되는 일자 형상이며, 상기 발광 소자 패키지(20)의 양측방향에 각각 배치되는 흑색 도료층(52)일 수 있다. 즉, 상기 흑색 도료층(52)은 상기 기판(10)의 상면에 형성될 수 있다.4, the light absorption layer 50 of the light emitting device package module 200 according to some other embodiments of the present invention is formed on the side surface of the reflective layer 40, May be a black paint layer 52 formed in a long shape in the longitudinal direction and disposed in both side directions of the light emitting device package 20. That is, the black paint layer 52 may be formed on the upper surface of the substrate 10.

여기서, 상기 흑색 도료층(52)은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(40)의 측면 및 상기 기판(10)의 상면에 형성되는 것으로서, 이에 반드시 국한되지 않고, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(40)의 상면에 형성될 수 있다.The black paint layer 52 is formed on the side surface of the reflective layer 40 and the upper surface of the substrate 10 as shown in FIG. 4, and is not limited to the black paint layer 52, And may be formed on the upper surface of the reflective layer 40 as well.

따라서, 도 2의 상기 흑색 도료층(51)은 상기 반사층(40)을 형성한 다음에 상기 반사층(40)의 상면에 형성할 수 있고, 도 4의 상기 흑색 도료층(52)은 상기 반사층(40)을 형성하지 않더라도 상기 기판(10)의 상면에 형성할 수 있다.2 may be formed on the reflective layer 40 after the reflective layer 40 is formed and the black paint layer 52 of FIG. 4 may be formed on the reflective layer 40 40 may be formed on the upper surface of the substrate 10.

여기서, 이러한 상기 흑색 도료층(51)(52)의 형성 방법은, 전사 방식, 스템핑(stamping) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 스텐실 프린팅(stencil printing) 방식, 스퀴즈 프린팅(squeeze printing) 방식, 스프레이 방식, 스크린 프린트, 그라비아 프린트, 등 각종 인쇄법이나 각종 코팅법이나 각종 전사법 등이 적용될 수 있다.The method of forming the black paint layers 51 and 52 may be a transfer method, a stamping method, an inkjet printing method, a stencil printing method, a squeeze printing method, A printing method, a spray method, a screen printing method, a gravure printing method, various coating methods, various coating methods, and various transfer methods can be applied.

도 5 내지 도 9는 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(300)(400)(500)(600)(700)들을 나타내는 평면도들이다.5 to 9 are plan views illustrating light emitting device package modules 300, 400, 500, 600, and 700 according to some embodiments of the present invention.

도 5에 된 바와 같이, 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(300)의 광흡수층(50)은, 제 1 방향으로 길게 형성되는 제 1 방향 도료층(51-1) 및 제 2 방향으로 길게 형성되는 제 2 방향 도료층(51-2)을 포함할 수 있다. 따라서, 다양한 각도에서 발생되는 휘부를 선택적으로 방지할 수 있다.5, the light absorbing layer 50 of the light emitting device package module 300 according to some embodiments of the present invention includes a first direction paint layer 51-1 and a second direction paint layer 51-1, And a second direction paint layer 51-2 formed to be elongated in the second direction. Therefore, it is possible to selectively prevent the occurrence of angles at various angles.

여기서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 방향 도료층(51-1) 및 상기 제 2 방향 도료층(51-2)은 그 길이 방향들이 서로 90도 각도이고, 상기 제 1 방향 도료층(51-1)의 길이 방향과 상기 기판(10)의 길이 방향이 서로 일치될 수 있다.5, the first direction paint layer 51-1 and the second direction paint layer 51-2 are formed such that their longitudinal directions are at an angle of 90 degrees with respect to each other, The longitudinal direction of the substrate 51 and the longitudinal direction of the substrate 10 may coincide with each other.

도 6에 된 바와 같이, 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(400)의 광흡수층(50)은, 제 1 방향으로 길게 형성되는 제 1 방향 도료층(51-1) 및 제 2 방향으로 길게 형성되는 제 2 방향 도료층(51-2)을 포함할 수 있다. 따라서, 다양한 각도에서 발생되는 휘부를 선택적으로 방지할 수 있다.6, the light absorbing layer 50 of the light emitting device package module 400 according to some embodiments of the present invention includes a first direction paint layer 51-1 and a second direction paint layer 51-1, And a second direction paint layer 51-2 formed to be elongated in the second direction. Therefore, it is possible to selectively prevent the occurrence of angles at various angles.

여기서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 방향 도료층(51-1) 및 상기 제 2 방향 도료층(51-2)은 그 길이 방향들이 서로 90도 각도이고, 상기 제 1 방향 도료층(51-1)의 길이 방향과 상기 기판(10)의 길이 방향은 45도 각도를 이루도록 교차될 수 있다.As shown in FIG. 6, the first direction paint layer 51-1 and the second direction paint layer 51-2 are formed such that their longitudinal directions are 90 degrees from each other, The longitudinal direction of the substrate 51 and the longitudinal direction of the substrate 10 may be crossed at an angle of 45 degrees.

이외에도, 도 7에 된 바와 같이, 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(500)의 광흡수층(50)은, 상기 발광 소자 패키지(20)와 가까운 부분이 두꺼운 삼각 도료층(51-3)일 수 있다.7, the light absorbing layer 50 of the light emitting device package module 500 according to some embodiments of the present invention has a thick triangular paint layer (a portion near the light emitting device package 20) 51-3).

따라서, 발생될 수 있는 휘부의 형태에 따라 상기 발광 소자 패키지(20)와 가까운 부분이 두꺼운 삼각 도료층(51-3)을 이용하여 발광축에서 가까운 중심부분의 광을 보다 많이 흡수하여 휘부를 방지할 수 있다. 이러한 상기 광흡수층(50)의 형태는 발생될 수 있는 휘부의 예상 형태에 따라 달라질 수 있다.Therefore, depending on the shape of the generated portion, the portion near the light emitting device package 20 absorbs more light in the central portion near the light emitting axis by using the thick triangular paint layer 51-3, can do. The shape of the light absorbing layer 50 may vary depending on the expected shape of the formed portion.

이외에도, 도 8에 된 바와 같이, 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(600)의 광흡수층(50)은, 상기 발광 소자 패키지(20)와 가까운 부분이 두꺼운 전체적으로 반달 형상인 반달 도료층(51-4)일 수 있다.8, the light absorbing layer 50 of the light emitting device package module 600 according to some embodiments of the present invention is formed such that a portion close to the light emitting device package 20 is thick, Moon paint layer 51-4.

따라서, 발생될 수 있는 휘부의 형태에 따라 상기 발광 소자 패키지(20)와 가까운 부분이 두꺼운 반달 도료층(51-4)을 이용하여 발광축에서 가까운 중심부분의 광을 보다 많이 흡수하여 휘부를 방지할 수 있다. 이러한 상기 광흡수층(50)의 형태는 발생될 수 있는 휘부의 예상 형태에 따라 달라질 수 있다.Accordingly, depending on the shape of the generated portion, the portion near the light emitting device package 20 absorbs more light in the central portion near the light emitting axis by using the thick band-shaped paint layer 51-4, can do. The shape of the light absorbing layer 50 may vary depending on the expected shape of the formed portion.

이외에도, 도 9에 된 바와 같이, 본 발명의 일부 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(700)의 광흡수층(50)은, 링형상으로 형성되는 링형상 도료층(51-5)일 수 있다.9, the light absorbing layer 50 of the light emitting device package module 700 according to some embodiments of the present invention may be a ring shaped paint layer 51-5 formed in a ring shape, have.

따라서, 발생될 수 있는 휘부의 형태에 따라 링형상으로 형성되는 링형상 도료층(51-5)을 이용하여 링형상으로 형성될 수 있는 휘부를 방지할 수 있다. 이러한 상기 광흡수층(50)의 형태는 발생될 수 있는 휘부의 예상 형태에 따라 달라질 수 있다.Therefore, the ring-shaped paint layer 51-5 formed in a ring shape according to the shape of the generated portion can be used to prevent the formation of a ring-shaped portion. The shape of the light absorbing layer 50 may vary depending on the expected shape of the formed portion.

이외에도 본 발명의 상술된 상기 광흡수층(50)의 형태 및 종류는 제품의 규격이나 사용 환경이나 부품의 특성 등에 따라 매우 다양할 수 있다.In addition, the shape and type of the light absorbing layer 50 of the present invention described above may vary widely depending on the specifications of the product, the use environment, the characteristics of the components, and the like.

도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(800)을 나타내는 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package module 800 according to still another embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(800)의 광흡수층(50)은, 상기 렌즈(30)의 하면에 형성되고, 상기 기판(10)의 길이방향으로 길게 형성되는 흑색 도료층(53)일 수 있다.10, the light absorbing layer 50 of the light emitting device package module 800 according to another embodiment of the present invention is formed on the lower surface of the lens 30, The black paint layer 53 may be a long black paint layer.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 흑색 도료층(53)은 상기 렌즈(30)의 하면에 형성될 수 있다.That is, as shown in FIG. 10, the black paint layer 53 may be formed on the lower surface of the lens 30.

따라서, 도 10의 상기 흑색 도료층(53)은 상기 반사층(40)과 관계 없이 상기 렌즈(30)의 하면에 전사 방식, 스템핑(stamping) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 스텐실 프린팅(stencil printing) 방식, 스퀴즈 프린팅(squeeze printing) 방식, 스프레이 방식, 스크린 프린트, 그라비아 프린트, 등 각종 인쇄법이나 각종 코팅법이나 각종 전사법 등의 방법으로 형성할 수 있다.10 may be formed on the lower surface of the lens 30 regardless of the reflective layer 40 by a transfer method, a stamping method, an inkjet printing method, a stencil printing method a stencil printing method, a squeeze printing method, a spray method, a screen printing method, a gravure printing method, various coating methods and various transfer methods.

도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)을 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 기판(10)과, 상기 기판(10)에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(20)와, 상기 발광 소자 패키지(20)의 광경로에 설치되는 렌즈(30)와, 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판(10)에 형성되는 반사층(40)과, 상기 렌즈(30)를 통해 발산되는 빛의 휘도를 균일하게 하도록 상기 기판(10)과 상기 렌즈(30) 사이에 형성되고, 광을 흡수하는 광흡수층(50) 및 상기 발광 소자 패키지(20)의 광경로에 설치되는 도광판(60)을 포함할 수 있다.11, a backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention includes a substrate 10, at least one light emitting device package 20 mounted on the substrate 10, A lens 30 mounted on an optical path of the light emitting device package 20, a reflective layer 40 formed on the substrate 10 to reflect light generated from the light emitting device package 20, (50) formed between the substrate (10) and the lens (30) so as to uniformize the luminance of light emitted through the light emitting device package (30) And a light guide plate 60 provided on the light guide plate.

여기서, 상기 기판(10)과, 상기 발광 소자 패키지(20)와, 상기 렌즈(30)와, 상기 반사층(40) 및 상기 광흡수층(50)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상술된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(100)의 구성 요소들과 그 역할 및 구성이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.1 to 3, the substrate 10, the light emitting device package 20, the lens 30, the reflective layer 40, and the light absorbing layer 50 are formed on the substrate 10, The functions and configurations of the light emitting device package module 100 may be the same as those of the light emitting device package module 100 according to some embodiments of the present invention described above. Therefore, detailed description is omitted.

또한, 상기 도광판(60)은, 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 빛을 유도할 수 있도록 투광성 재질로 제작될 수 있는 광학 부재일 수 있다.In addition, the light guide plate 60 may be an optical member that can be made of a light-transmitting material to guide light generated from the light emitting device package 20.

이러한, 상기 도광판(60)은, 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자 패키지(20)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The light guide plate 60 may be installed in a path of light generated from the light emitting device package 20 to transmit light generated from the light emitting device package 20 over a wider area.

이러한, 상기 도광판(60)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(60)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The light guide plate 60 may be made of polycarbonate, polysulfone, polyacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polynorbornene, polyester, or the like , And various light transmitting resin materials may be applied. The light guide plate 60 may be formed by various methods such as forming fine patterns, fine protrusions, diffusion films, or the like on the surface, or forming fine bubbles therein.

여기서, 도시하지 않았지만, 상기 도광판(60)의 상방에는 각종 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다. 또한, 상기 도광판(60)의 상방에는 LCD 패널 등 각종 디스플레이 패널이 설치될 수 있다.Although not shown, various diffusion sheets, prism sheets, filters, and the like may be additionally provided above the light guide plate 60. In addition, various display panels such as an LCD panel may be provided above the light guide plate 60. [

한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 상기 발광 소자 패키지 모듈(100)를 포함하는 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지 모듈의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Although not shown, the present invention may include a lighting device including the light emitting device package module 100 described above. Here, the components of the lighting device according to some embodiments of the present invention may have the same configuration and function as those of the above-described light emitting device package module of the present invention. Therefore, detailed description is omitted.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 기판
11: 배선층
12: 안착면
13: 방열층
20: 발광 소자 패키지
30: 렌즈
31: 지지 다리
H: 지지 다리 안내홀
40: 반사층
50: 광흡수층
51, 52, 53: 흑색 도료층
60: 도광판
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: 발광 소자 패키지 모듈
1000: 백라이트 유닛
10: substrate
11: wiring layer
12: Seat face
13:
20: Light emitting device package
30: Lens
31: Support leg
H: Supporting leg guide hole
40: reflective layer
50: light absorbing layer
51, 52, 53: black paint layer
60: light guide plate
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800:
1000: Backlight unit

Claims (10)

기판;
상기 기판에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지;
상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 렌즈;
상기 발광 소자 패키지에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사층; 및
상기 렌즈를 통해 발산되는 빛의 휘도를 제어하도록 상기 기판과 상기 렌즈 사이에 형성되는 광흡수층;
를 포함하는, 발광 소자 패키지 모듈.
Board;
At least one light emitting device package mounted on the substrate;
A lens installed in an optical path of the light emitting device package;
A reflective layer formed on the substrate to reflect light emitted from the light emitting device package; And
A light absorbing layer formed between the substrate and the lens to control the brightness of light emitted through the lens;
Emitting device package module.
제 1 항에 있어서,
상기 광흡수층은, 상기 반사층의 상면에 형성되고, 상기 기판의 길이방향으로 형성되는 일자 형상이며, 상기 발광 소자 패키지의 양측방향에 각각 배치되는 발광 소자 패키지 모듈.
The method according to claim 1,
The light emitting device package module according to claim 1, wherein the light absorbing layer is formed on a top surface of the reflective layer and is formed in a longitudinal direction of the substrate, the light absorbing layer being disposed on both sides of the light emitting device package.
제 2 항에 있어서,
상기 광흡수층은, 그 폭이 상기 렌즈 직경의 5 퍼센트 내지 20 퍼센트인, 발광 소자 패키지 모듈.
3. The method of claim 2,
Wherein the light absorbing layer has a width of 5 to 20 percent of the lens diameter.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광흡수층은, 상기 렌즈의 풋프린트(footprint) 영역 안에 형성되는 것인, 발광 소자 패키지 모듈.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the light absorbing layer is formed in a footprint region of the lens.
제 4 항에 있어서,
상기 렌즈는 상기 발광 소자 패키지의 둘레에 적어도 3개 이상의 지지 다리가 배치되고,
상기 광흡수층은, 상기 렌즈의 지지 다리를 모서리로 하는 내부 영역의 외부에 설치되는 것인, 발광 소자 패키지 모듈.
5. The method of claim 4,
Wherein at least three support legs are disposed around the light emitting device package,
Wherein the light absorbing layer is provided outside an inner region having a support leg of the lens as an edge.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은, 직하형 백라이트 유닛의 도광판 아래에 설치되고, 배선층이 형성되는 바(bar) 타입의 기판이고,
상기 반사층은, 상기 발광 소자 패키지가 안착되는 상기 배선층의 일부분이 노출될 수 있도록 상기 기판에 형성되는 백색 도료층이고,
상기 광흡수층은 흑색 도료층인, 발광 소자 패키지 모듈.
The method according to claim 1,
The substrate is a bar type substrate provided under the light guide plate of the direct type backlight unit and having a wiring layer formed thereon,
Wherein the reflective layer is a white paint layer formed on the substrate so that a part of the wiring layer on which the light emitting device package is mounted is exposed,
Wherein the light absorption layer is a black paint layer.
제 1 항에 있어서,
상기 광흡수층은, 적어도 제 1 방향으로 길게 형성되는 제 1 방향 도료층, 제 2 방향으로 길게 형성되는 제 2 방향 도료층, 상기 발광 소자 패키지와 가까운 부분이 두꺼운 삼각 도료층, 상기 발광 소자 패키지와 가까운 부분이 두꺼운 전체적으로 반달 형상인 반달 도료층, 링형상으로 형성되는 링형상 도료층 및 이들의 조합 중 어느 하나를 선택하여 이루어지는 것인, 발광 소자 패키지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the light absorbing layer comprises a first direction paint layer extending in at least a first direction, a second direction paint layer extending in a second direction, a triangular paint layer thicker near the light emitting device package, A ring-shaped coating layer formed in a ring shape, and a combination thereof, wherein the semi-moon-shaped coating layer, the ring-shaped coating layer, and the ring-
제 1 항에 있어서,
상기 광흡수층은, 상기 렌즈의 하면에 형성되는, 발광 소자 패키지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the light absorbing layer is formed on the lower surface of the lens.
기판;
상기 기판에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지;
상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 렌즈;
상기 발광 소자 패키지에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사층;
상기 렌즈를 통해 발산되는 빛의 휘도를 제어하도록 상기 기판과 상기 렌즈 사이에 형성되는 광흡수층; 및
상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 도광판;
을 포함하는, 백라이트 유닛.
Board;
At least one light emitting device package mounted on the substrate;
A lens installed in an optical path of the light emitting device package;
A reflective layer formed on the substrate to reflect light emitted from the light emitting device package;
A light absorbing layer formed between the substrate and the lens to control the brightness of light emitted through the lens; And
A light guide plate installed in an optical path of the light emitting device package;
. ≪ / RTI >
기판;
상기 기판에 안착되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지;
상기 발광 소자 패키지의 광경로에 설치되는 렌즈;
상기 발광 소자 패키지에서 발생된 광을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사층; 및
상기 렌즈를 통해 발산되는 빛의 휘도를 제어하도록 상기 기판과 상기 렌즈 사이에 형성되는 광흡수층;
를 포함하는, 조명 장치.
Board;
At least one light emitting device package mounted on the substrate;
A lens installed in an optical path of the light emitting device package;
A reflective layer formed on the substrate to reflect light emitted from the light emitting device package; And
A light absorbing layer formed between the substrate and the lens to control the brightness of light emitted through the lens;
.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220137374A (en) * 2021-04-02 2022-10-12 엘지전자 주식회사 Display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013183129A (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Asahi Glass Co Ltd Substrate for mounting light emitting element and light emitting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220137374A (en) * 2021-04-02 2022-10-12 엘지전자 주식회사 Display device
CN114217479A (en) * 2022-02-09 2022-03-22 深圳创维-Rgb电子有限公司 Optical assembly, backlight module and display device
CN114217479B (en) * 2022-02-09 2024-05-07 深圳创维-Rgb电子有限公司 Optical assembly, backlight module and display device

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