KR101627178B1 - Light emitting device package, backlight unit and lighting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛 및 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛 및 조명 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit, and a lighting device, and more particularly, to a light emitting device package, a backlight unit, and a lighting device.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage. In addition, these LEDs are resistant to shock and vibration, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, so that they can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.
이러한, 종래의 발광 소자 패키지는 크게 발광 소자와, 이를 지지하는 기판으로 이루어질 수 있다. The conventional light emitting device package may include a light emitting device and a substrate for supporting the light emitting device.
그러나, 이러한 종래의 발광 소자 패키지는, 리플로우시 고온의 환경이나, 발광 소자에서 발생되는 고온의 열에 의해 재질이 서로 다른 발광 소자와 기판이 서로 다른 힘으로 각각 열팽창하면서 발광 소자와 기판 사이의 본딩 매체나 발광 소자가 파괴되는 팝핑(popping) 현상이 발생되거나, 발광 소자의 발광축이 틀어지는 틸트(tilt) 현상이나, 본딩 편차 현상 등이 발생되어 외관이 불량하거나, 광량이 떨어지거나 점등이 실패하거나 비정상적으로 작동하거나 열저항이 증가하는 등 각종 문제점들이 발생했었다.However, in such a conventional light emitting device package, the light emitting device having different materials and the substrate are thermally expanded by different forces due to the high-temperature environment during reflow or by the high-temperature heat generated in the light emitting device, A popping phenomenon in which the medium or the light emitting element is broken or a tilt phenomenon in which the light emitting axis of the light emitting element is twisted or a bonding deviation phenomenon is generated and the appearance is bad, Various problems such as abnormal operation or increased heat resistance have occurred.
이러한 재질의 차이에 따른 본딩 불량 현상은 기판이 리드 프레임인 경우에서 발생되는 것은 물론, 다층으로 이루어지는 다층 기판에서도 발생되는 것으로서, 기판을 이루는 층들 간의 열팽창력이 달라서 기판의 변형이 발생되는 등 많은 문제점들이 있었다.The defective bonding phenomenon due to the difference of materials is caused not only in the case where the substrate is a lead frame but also in a multi-layer substrate composed of a multilayer. Since the thermal expansion force between the layers constituting the substrate is different, .
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 열팽창력이 비교적 작은 발광 소자와 본딩되는 기판에 관통홀부를 형성하여 열팽창력의 차이를 완화시키고, 이로 인하여 팝핑(popping) 현상, 발광축이 틀어지는 틸트(tilt) 현상, 본딩 편차 현상 등을 방지할 수 있게 하는 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛 및 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a light emitting device having a comparatively small thermal expansion force and a through hole formed in a substrate to be bonded to reduce a difference in thermal expansion force, A tilt phenomenon in which a light emitting axis is turned off, and a bonding deviation phenomenon, and a backlight unit and a lighting apparatus. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 전극분리선을 기준으로 일측에 제 1 전극이 설치되고, 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판; 및 상기 기판에 실장되는 발광 소자;를 포함하고, 상기 기판은, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 포함하는 상부 전극층; 상기 상부 전극층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층; 및 상기 기판 코어층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층;을 포함하며, 상기 기판은, 상기 상부 전극층 및 상기 기판 코어층을 관통하는 관통홀부가 형성되고, 상기 발광 소자는, 상기 관통홀부의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체에 의해 상기 기판의 상기 상부 전극층 또는 상기 하부 전극층과 전기적으로 연결되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package comprising: a substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side of the electrode separation line; And a light emitting device mounted on the substrate, wherein the substrate comprises: an upper electrode layer including the first electrode and the second electrode; A substrate core layer formed on a lower surface of the upper electrode layer and supporting the upper electrode layer; And a lower electrode layer formed on a lower surface of the substrate core layer and electrically connected to the upper electrode layer, wherein the substrate has a through hole portion penetrating the upper electrode layer and the substrate core layer, The element may be electrically connected to the upper electrode layer or the lower electrode layer of the substrate by a bonding medium filled in at least a part of the through hole portion.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 발광 소자는 하면에 패드가 형성되는 플립칩 형태의 LED일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light emitting device may be a flip chip type LED having a pad formed on a lower surface thereof.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 관통홀부는 상기 발광 소자의 패드와 대응되는 형태로 형성되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the through hole portion may be formed in a shape corresponding to a pad of the light emitting device.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 관통홀부는 적어도 사각형, 복수개의 사각형, 원형, 복수개의 원형, 타원형, 다각형 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the through hole portion may be formed by selecting at least one of a square, a plurality of rectangles, a circle, a plurality of circles, an ellipse, a polygon, and combinations thereof.
또한, 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 관통홀부의 둘레에 형성되고, 상기 발광 소자 또는 본딩 매체의 위치를 정렬시키는 절연성 재질의 가이드 댐부;를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the present invention may further include a guide dam part formed around the through hole part and having an insulating material for aligning the position of the light emitting device or the bonding medium.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 가이드 댐부는, 상기 전극분리선을 가로질러서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에 전체적으로 사각형상으로 형성되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the guide dam may be formed in a rectangular shape as a whole on the first electrode and the second electrode across the electrode separation line.
또한, 상기 본딩 매체는, 솔더 패이스트일 수 있다.The bonding medium may be a solder paste.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 전극분리선을 기준으로 일측에 제 1 전극이 설치되고, 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판; 상기 기판에 실장되는 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 광경로에 설치되는 도광판;를 포함하고, 상기 기판은, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 포함하는 상부 전극층; 상기 상부 전극층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층; 및 상기 기판 코어층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층;을 포함하며, 상기 기판은, 상기 상부 전극층 및 상기 기판 코어층을 관통하는 관통홀부가 형성되고, 상기 발광 소자는, 상기 관통홀부의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체에 의해 상기 기판의 상기 상부 전극층 또는 상기 하부 전극층과 전기적으로 연결되는 것일 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a backlight unit comprising: a substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side of an electrode separation line; A light emitting element mounted on the substrate; And a light guide plate provided on an optical path of the light emitting device, wherein the substrate comprises: an upper electrode layer including the first electrode and the second electrode; A substrate core layer formed on a lower surface of the upper electrode layer and supporting the upper electrode layer; And a lower electrode layer formed on a lower surface of the substrate core layer and electrically connected to the upper electrode layer, wherein the substrate has a through hole portion penetrating the upper electrode layer and the substrate core layer, The element may be electrically connected to the upper electrode layer or the lower electrode layer of the substrate by a bonding medium filled in at least a part of the through hole portion.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 전극분리선을 기준으로 일측에 제 1 전극이 설치되고, 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판; 및 상기 기판에 실장되는 발광 소자;를 포함하고, 상기 기판은, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 포함하는 상부 전극층; 상기 상부 전극층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층; 및 상기 기판 코어층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층;을 포함하며, 상기 기판은, 상기 상부 전극층 및 상기 기판 코어층을 관통하는 관통홀부가 형성되고, 상기 발광 소자는, 상기 관통홀부의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체에 의해 상기 기판의 상기 상부 전극층 또는 상기 하부 전극층과 전기적으로 연결되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lighting apparatus comprising: a substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side of an electrode separation line; And a light emitting device mounted on the substrate, wherein the substrate comprises: an upper electrode layer including the first electrode and the second electrode; A substrate core layer formed on a lower surface of the upper electrode layer and supporting the upper electrode layer; And a lower electrode layer formed on a lower surface of the substrate core layer and electrically connected to the upper electrode layer, wherein the substrate has a through hole portion penetrating the upper electrode layer and the substrate core layer, The element may be electrically connected to the upper electrode layer or the lower electrode layer of the substrate by a bonding medium filled in at least a part of the through hole portion.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 팝핑(popping) 현상, 발광축이 틀어지는 틸트(tilt) 현상, 본딩 편차 현상 등을 방지하여 제품의 외관 불량, 광량 저하, 점등 실패, 비정상 작동, 열저항이 증가를 방지할 수 있는 등 플립칩 프로세서를 안정화시켜서 고효율, 초저가 및 고신뢰도인 양질의 제품을 생산할 수 있고, 제품의 양산 수율을 증대시켜서 제품의 단가를 절감할 수 있게 하는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, the popping phenomenon, the tilt phenomenon in which the light emitting axis is turned off, the bonding deviation phenomenon, and the like are prevented, Operation, and heat resistance can be prevented. It is possible to produce high quality products with high efficiency, ultra low price and high reliability by stabilizing the flip chip processor, and to increase the product yield and to reduce the product cost . Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 관통홀부를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 발광 소자 패키지의 관통홀부의 여러 실시예들을 나타내는 평면도들이다.
도 7은 도 1은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 발광 소자 패키지의 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
2 is a plan view showing a through hole portion of the light emitting device package of FIG.
3 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG.
4 to 6 are plan views showing various embodiments of the through hole portion of the light emitting device package of FIG.
FIG. 7 is a plan view showing a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention. FIG.
8 is a cross-sectional view of the light emitting device package of Fig.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions illustrated herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 부품 분해 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 관통홀부(H)를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 단면도이다.1 is a partially exploded perspective view of a light
먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 기판(10) 및 발광 소자(20)를 포함할 수 있다.1 to 3, the light
예를 들어서, 상기 기판(10)은, 전극분리선(SL)을 기준으로 일측에 제 1 전극(11)이 설치되고, 타측에 제 2 전극(12)이 형성되고, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board) 또는 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.For example, in the
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(20)를 지지하거나 수용할 수 있는 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 것으로서, 상기 제 1 전극(11) 및 상기 제 2 전극(12)을 포함하는 상부 전극층(10-1)과, 상기 상부 전극층(10-1)의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층(10-1)을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층(10-2) 및 상기 기판 코어층(10-2)의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층(10-1)과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층(10-3)을 포함할 수 있다.More specifically, for example, as shown in FIGS. 1 to 3, the
예를 들어서, 상기 기판(10)의 상기 상부 전극층(10-1) 및 상기 하부 전극층(10-3)은, 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 재질이 적용될 수 있다.For example, the upper electrode layer 10-1 and the lower electrode layer 10-3 of the
또한, 도시하지 않았지만, 반사율을 극대화할 수 있도록 그 표면이 반사도가 우수한 적어도 은(Ag), 은(Ag) 도금층, 은(Ag) 합금, 은(Ag) 합금층, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al) 합금, 알루미늄(Al) 합금층, 구리(Cu), 구리(Cu) 합금, 구리(Cu) 도금층, 구리(Cu) 합금층, 백금(Pt), 백금(Pt) 합금, 백금(Pt) 합금층, 금(Au), 금(Au) 도금층, 금(Au) 합금층, 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.(Ag), a silver (Ag) alloy, a silver (Ag) alloy layer, an aluminum (Al), an aluminum (Ag) alloy layer having excellent reflectivity on its surface so as to maximize the reflectivity (Al) alloy, an Al alloy layer, a Cu alloy, a Cu alloy layer, a Cu alloy layer, a Pt alloy, a Pt alloy, a Pt alloy, (Au), a gold (Au) plated layer, a gold (Au) alloy layer, palladium (Pd), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), and combinations thereof. .
또한, 상기 기판 코어층(10-2)은 에폭시계 수지, 레진, 글래스, 에폭시, 세라믹 등의 절연체가 적용될 수 있다.As the substrate core layer 10-2, an insulator such as an epoxy resin, a resin, a glass, an epoxy, and a ceramic may be used.
또한, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.In order to improve workability, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 기판(10)의 상기 상부 전극층(10-1) 및 상기 기판 코어층(10-2)은, 상기 발광 소자(20)의 발광시 발생되는 상기 발광 소자(20) 및 상기 기판(10)의 열팽창을 완충시킬 수 있도록 상기 발광 소자(20)의 패드와 대응되는 부분에 적어도 하나의 관통홀부(H)가 형성될 수 있다.More specifically, for example, the upper electrode layer 10-1 and the substrate core layer 10-2 of the
또한, 상기 발광 소자(20)는, 상기 관통홀부(H)의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체(B)에 의해 상기 기판(10)의 상기 상부 전극층(10-1) 또는 상기 하부 전극층(10-3)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
예컨데, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 관통홀부(H)는 상기 발광 소자(20)의 패드(P)와 대응되는 사각형 형태로 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, the through hole portion H may be formed in a rectangular shape corresponding to the pad P of the
그러나, 이러한 상기 관통홀부(H)의 길이나, 형상이나, 개수 등은 도면에 반드시 국한되지 않고 다양한 길이나, 형상이나, 개수 등이 형성될 수 있다.However, the length, shape, number, and the like of the through hole portion H are not limited to the drawings, and various shapes, shapes, numbers, and the like can be formed.
또한, 예컨데, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 상부 전극층(10-1) 및 상기 기판 코어층(10-2)의 부피를 줄여서 열팽창력을 완화시킬 수 있도록 상기 관통홀부(H)는, 상기 상부 전극층(10-1)에서 상기 기판 코어층(10-2) 까지 형성될 수 있다.1 to 3, the through hole portion H may be formed to reduce the volume of the upper electrode layer 10-1 and the substrate core layer 10-2 to reduce the thermal expansion force, May be formed from the upper electrode layer 10-1 to the substrate core layer 10-2.
이 때, 상기 본딩 매체(B)는 상기 관통홀부(H)의 내부에 충전되어 상기 발광 소자(20)의 상기 패드(P)를 상기 하부 전극층(10-3)의 상면과 전기적으로 연결시킬 수 있다.The bonding medium B may be filled in the through hole portion H to electrically connect the pad P of the
그러나, 이러한 상기 관통홀부(H)는 도면에만 국한되지 않고, 상기 상부 전극층(10-1)과, 상기 기판 코어층(10-2) 및 상기 하부 전극층(10-3)의 부피를 줄여서 열팽창력을 더욱 완화시킬 수 있도록 상기 관통홀부(H)는, 상기 상부 전극층(10-1)에서 상기 기판 코어층(10-2)을 지나 상기 하부 전극층(10-3) 까지 형성될 수 있다.However, the through hole portion H is not limited to the drawings, and the volume of the upper electrode layer 10-1, the substrate core layer 10-2, and the lower electrode layer 10-3 may be reduced, The through hole portion H may be formed from the upper electrode layer 10-1 to the lower electrode layer 10-3 through the substrate core layer 10-2.
이 때, 상기 본딩 매체(B)는 상기 관통홀부(H)의 내부에 충전되어 상기 발광 소자(20)의 상기 패드(P)를 상기 하부 전극층(10-3)의 측면과 전기적으로 연결시킬 수 있다.The bonding medium B is filled in the through hole portion H to electrically connect the pad P of the
따라서, 상기 관통홀부(H)에 의해서 상기 발광 소자(20)의 패드(P)에 가해지는 상기 기판(10)의 열팽창력을 줄일 수 있고, 열팽창력이 가해지더라도 상기 관통홀부(H)의 형상이 변형되면서 대부분의 열적 변형을 흡수하여 상기 발광 소자(20)의 패드(P)에 가해지는 상기 발광 소자(20)의 열팽창력과 상기 기판(10)의 열팽창력의 차이를 완화할 수 있다. 여기서, 상기 본딩 매체(B)의 열팽창력은 상기 기판(10)의 그것에 비하여 현저하게 낮고, 유연성을 갖는 솔더 패이스트일 수 있다.Therefore, the thermal expansion force of the
한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(20)는, 상기 본딩 매체(B)를 이용하여 상기 기판(10)의 상기 하부 전극층(10-3)에 안착되고, 그 하면에 패드(P)를 갖는 플립칩 형태의 LED일 수 있다.1 to 3, the
여기서, 상기 발광 소자(20)는 상기 기판의 상기 하부 전극층(10-3)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 상부 전극층(10-1)과는 연결되지 않거나 또는 상기 본딩 매체(B)에 의해 연결될 수 있다.Here, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 발광 소자(20)는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the
또한, 상기 발광 소자(20)는 플립칩 형태의 LED일 수 있다. 그러나, 상기 발광 소자(20)는 플립칩 형태의 LED에만 반드시 국한되지 않고, 수평형 또는 수직형 LED가 적용될 수 있다.In addition, the
여기서, 상기 발광 소자(20)가 수평형 또는 수직형 LED인 경우, 상기 발광 소자(20)가 안착되는 안착면의 둘레에 상술된 상기 관통홀부(H)가 형성될 수 있다.In the case where the
또한, 상기 발광 소자(20)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4 , MgO, LiAlO 2 , LiGaO 2 , GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 열전도 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.Since the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered by absorbing light generated from the GaN-based semiconductor, the Si (silicon) substrate may be removed, if necessary, and Si, Ge, SiAl, Or a support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.The buffer layer may be made of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, or InGaNAlN. If necessary, a material such as ZrB 2 , HfB 2 , ZrN, HfN, or TiN may be used. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
한편, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)에는 1개의 상기 발광 소자(20)가 안착될 수 있고, 이외에도 복수개의 발광 소자들이 안착될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 1 to 3, one
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 작동 과정을 설명하면, 상기 본딩 매체(B)의 본딩 후, 리플로우 과정시 주변에 고온의 환경이 형성되거나, 상기 발광 소자(20)에 전원이 인가되어 상기 발광 소자(20)로부터 고온의 열이 상기 기판(10)에 전달되면, 상대적으로 열팽창계수가 낮은 상기 발광 소자(20)에 비하여 상대적으로 열팽창계수가 높은 금속 재질인 상기 기판(10)의 상기 상부 전극층(10-1)에 의한 열팽창력(F1)이 작용할 수 있다.2, the operation of the light emitting
이러한 상기 열팽창력(F1)은 상기 기판(10)의 상기 전극분리선(SL)을 기준으로 상기 분리홈부(10b)가 형성되지 않은 상단 및 하단에서는 좌우방향으로 누적되어 큰 힘으로 작용할 수 있다.The thermal expansion force F1 may accumulate in the left and right directions at the upper and lower ends of the
그러나, 상기 관통홀부(H)가 형성된 부근에서는 상기 기판(10)이 좌우방향으로 단절되고, 분리된 작은 힘(F2)(F3)들로 분산되어 작용할 수 있다.However, in the vicinity of the through hole portion H, the
그러므로, 열팽창력이 비교적 작은 상기 발광 소자(20)와 본딩되는 상기 기판(10)의 상기 본딩 매체(B) 인근에 상기 관통홀부(H)를 형성하여 열팽창력의 차이를 완화시키고, 이로 인하여 팝핑(popping) 현상, 발광축이 틀어지는 틸트(tilt) 현상, 본딩 편차 현상 등을 방지할 수 있다.Therefore, the through hole portion H is formed near the bonding medium (B) of the
도 4 내지 도 6은 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 관통홀부(H)의 여러 실시예들을 나타내는 평면도들이다.4 to 6 are plan views showing various embodiments of the through hole portion H of the light emitting
예컨데, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 관통홀부(H)는 도 1 내지 도 3의 사각형(H1)에만 국한되지 않고, 도 4의 복수개의 사각형(H2), 도 5의 복수개의 원형(H3), 도 6의 타원형(H4) 등 이외에도 원형, 다각형 및 각종 기하학적인 형상이 적용될 수 있다.4 to 6, the through hole portion H is not limited to the square H1 of FIGS. 1 to 3, but may include a plurality of squares H2 of FIG. 4, a plurality of A circular shape H3, an oval shape H4 of FIG. 6, and the like, a circular shape, a polygon shape, and various geometric shapes may be applied.
여기서, 상기 관통홀부(H)의 형성 가능한 폭이 한정적일 경우, 도 5의 상기 사각형(H3)이 최대의 부피를 제거할 수 있으나, 모서리부분에서 크랙이 발생할 수 있기 때문에 도 5의 복수개의 원형(H3)이나 도 6의 타원형(H4)이 유리할 수 있다.When the width of the through hole portion H is limited, the maximum volume of the quadrangle H3 of FIG. 5 can be removed. However, since cracks may occur at the corner portions, (H3) of FIG. 6 and the ellipse (H4) of FIG. 6 may be advantageous.
이렇게 형상에 따라서 장점과 단점을 살려 열적, 기계적인 완충 효과를 크게 하고, 제작 비용 및 제작 시간을 줄일 수 있도록 상기 관통홀부(H)의 형상을 최적화하여 설계할 수 있다.By optimizing the shapes of the through holes H so as to increase the thermal and mechanical buffer effect by making use of advantages and disadvantages according to the shape, and to reduce the manufacturing cost and the manufacturing time, the shape of the through holes H can be designed.
도 7은 도 1은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 나타내는 평면도이고, 도 8은 도 7의 발광 소자 패키지(200)의 단면도이다.FIG. 7 is a plan view showing a light emitting
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)는, 상기 관통홀부(H)의 둘레에 형성되고, 상기 발광 소자(20) 또는 본딩 매체(B)의 위치를 정렬시키는 절연성 재질의 가이드 댐부(G)를 더 포함할 수 있다.7 and 8, the light emitting
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 가이드 댐부(G)는, 상기 전극분리선(SL)을 가로질러서 상기 제 1 전극(11)과 상기 제 2 전극(12) 상에 전체적으로 사각띠 형상으로 형성될 수 있다.7 and 8, the guide dam G is disposed between the
따라서, 상기 가이드 댐부(G)를 이용하여 상기 발광 소자(20)의 안착시, 상기 발광 소자(20) 또는 본딩 매체(B)의 위치를 정렬시켜서 발광축을 정확하게 정렬시킬 수 있다.Accordingly, when the
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)(200)는, 상술된 상기 기판(10) 및 상기 발광 소자(20) 이외에도 각종 반사 부재, 봉지재, 투명 봉지재, 형광체 또는 양자점 등의 광변환물질, 렌즈층 등이 추가로 설치될 수 있다.Although not shown, the light emitting
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 전극분리선(SL)을 기준으로 일측에 제 1 전극(11)이 설치되고, 타측에 제 2 전극(12)이 형성되는 기판(10)과, 상기 기판(10)에 실장되는 발광 소자(20) 및 상기 발광 소자(20)의 광경로에 설치되는 도광판(110)을 포함하고, 상기 기판(10)은, 상기 제 1 전극(11) 및 상기 제 2 전극(12)을 포함하는 상부 전극층(10-1)과, 상기 상부 전극층(10-1)의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층(10-1)을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층(10-2) 및 상기 기판 코어층(10-2)의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층(10-1)과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층(10-3)을 포함하는 PCB 기판 또는 FPCB 기판이고, 상기 기판(10)은, 상기 상부 전극층(10-1) 및 상기 기판 코어층(10-2)을 관통하는 관통홀부(H)가 형성되며, 상기 발광 소자(20)는, 상기 관통홀부(H)의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체(B)에 의해 상기 기판(10)의 상기 상부 전극층(10-1) 또는 상기 하부 전극층(10-3)과 전기적으로 연결되는 것일 수 있다. 3, the
여기서, 상기 기판(10)과, 상기 발광 소자(20)는, 도 1 내지 도 8에 도시된 본 발명의 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)(200)들의 구성 요소들과 그 구성 및 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Herein, the
또한, 상기 도광판(110)은, 상기 발광 소자(20)에서 변환된 빛을 유도할 수 있도록 투광성 재질로 제작될 수 있는 광학 부재일 수 있다.In addition, the
이러한, 상기 도광판(110)은, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛의 광경로에 설치되어 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The
이러한, 상기 도광판(110)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(110)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The
여기서, 도시하지 않았지만, 상기 도광판(110)의 상방에는 각종 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다. 또한, 상기 도광판(110)의 상방에는 LCD 패널 등 각종 디스플레이 패널이 설치될 수 있다.Although not shown, various diffusion sheets, prism sheets, filters, and the like may be additionally provided above the
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 상기 발광 소자 패키지(100)(200)를 포함하는 조명 장치 또는 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치 또는 디스플레이 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Meanwhile, although not shown, the present invention may include a lighting device or a display device including the above-described light emitting device package 100 (200). Here, the components of the illumination device or the display device according to some embodiments of the present invention may have the same configuration and function as those of the above-described light emitting device package of the present invention. Therefore, detailed description is omitted.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 기판
11: 제 1 전극
12: 제 2 전극
H: 관통홀부
H1: 사각형
H2: 복수개의 사각형
H3: 복수개의 원형
H4: 타원형
10-1: 상부 전극층
10-2: 기판 코어층
10-3: 하부 전극층
SL: 전극분리선
20: 발광 소자
B: 본딩 매체
P: 패드
G: 가이드 댐부
100: 발광 소자 패키지
110: 도광판
1000: 백라이트 유닛10: substrate
11: first electrode
12: Second electrode
H: Through hole part
H1: Rectangle
H2: Multiple squares
H3: Multiple prototypes
H4: Oval
10-1: upper electrode layer
10-2: substrate core layer
10-3: Lower electrode layer
SL: Electrode separation line
20: Light emitting element
B: bonding medium
P: Pad
G: Guide dam
100: Light emitting device package
110: light guide plate
1000: Backlight unit
Claims (9)
상기 기판에 실장되는 발광 소자;를 포함하고,
상기 기판은,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 포함하는 상부 전극층;
상기 상부 전극층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층; 및
상기 기판 코어층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층;을 포함하며,
상기 기판은, 상기 상부 전극층 및 상기 기판 코어층을 관통하는 관통홀부가 형성되고,
상기 발광 소자는, 상기 관통홀부의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체에 의해 상기 기판의 상기 상부 전극층 또는 상기 하부 전극층과 전기적으로 연결되고,
상기 상부 전극층은 상기 발광 소자 보다 높은 열팽창계수를 갖는 금속 재질로 이루어진, 발광 소자 패키지.
A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side of the electrode separation line; And
And a light emitting element mounted on the substrate,
Wherein:
An upper electrode layer including the first electrode and the second electrode;
A substrate core layer formed on a lower surface of the upper electrode layer and supporting the upper electrode layer; And
And a lower electrode layer formed on a lower surface of the substrate core layer and electrically connected to the upper electrode layer,
Wherein the substrate has a through hole portion penetrating the upper electrode layer and the substrate core layer,
Wherein the light emitting element is electrically connected to the upper electrode layer or the lower electrode layer of the substrate by a bonding medium filled in at least a part of the through hole,
Wherein the upper electrode layer is made of a metal material having a thermal expansion coefficient higher than that of the light emitting element.
상기 발광 소자는 하면에 패드가 형성되는 플립칩 형태의 LED인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting element is a flip chip type LED having a pad formed on a lower surface thereof.
상기 관통홀부는 상기 발광 소자의 패드와 대응되는 형태로 형성되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the through hole portion is formed in a shape corresponding to a pad of the light emitting element.
상기 관통홀부는 적어도 사각형, 복수개의 사각형, 원형, 복수개의 원형, 타원형, 다각형 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the through hole portion is formed by selecting at least one of a quadrangle, a plurality of quadrangles, a circle, a plurality of circles, an ellipse, a polygon, and a combination thereof.
상기 관통홀부의 둘레에 형성되고, 상기 발광 소자 또는 본딩 매체의 위치를 정렬시키는 절연성 재질의 가이드 댐부;
를 더 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
A guide dam portion formed around the through hole portion and having an insulating material for aligning the position of the light emitting device or the bonding medium;
Emitting device package.
상기 가이드 댐부는, 상기 전극분리선을 가로질러서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에 전체적으로 사각형상으로 형성되는 것인, 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the guide dam portion is formed in a rectangular shape as a whole on the first electrode and the second electrode across the electrode separation line.
상기 본딩 매체는, 솔더 패이스트인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the bonding medium is a solder paste.
상기 기판에 실장되는 발광 소자; 및
상기 발광 소자의 광경로에 설치되는 도광판;를 포함하고,
상기 기판은,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 포함하는 상부 전극층;
상기 상부 전극층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층; 및
상기 기판 코어층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층;을 포함하며,
상기 기판은, 상기 상부 전극층 및 상기 기판 코어층을 관통하는 관통홀부가 형성되고,
상기 발광 소자는, 상기 관통홀부의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체에 의해 상기 기판의 상기 상부 전극층 또는 상기 하부 전극층과 전기적으로 연결되고,
상기 상부 전극층은 상기 발광 소자 보다 높은 열팽창계수를 갖는 금속 재질로 이루어진, 백라이트 유닛.
A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side of the electrode separation line;
A light emitting element mounted on the substrate; And
And a light guide plate provided on an optical path of the light emitting device,
Wherein:
An upper electrode layer including the first electrode and the second electrode;
A substrate core layer formed on a lower surface of the upper electrode layer and supporting the upper electrode layer; And
And a lower electrode layer formed on a lower surface of the substrate core layer and electrically connected to the upper electrode layer,
Wherein the substrate has a through hole portion penetrating the upper electrode layer and the substrate core layer,
Wherein the light emitting element is electrically connected to the upper electrode layer or the lower electrode layer of the substrate by a bonding medium filled in at least a part of the through hole,
Wherein the upper electrode layer is made of a metal material having a thermal expansion coefficient higher than that of the light emitting device.
상기 기판에 실장되는 발광 소자;를 포함하고,
상기 기판은,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 포함하는 상부 전극층;
상기 상부 전극층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층을 지지하는 절연성 재질의 기판 코어층; 및
상기 기판 코어층의 하면에 형성되고, 상기 상부 전극층과 전기적으로 연결될 수 있는 하부 전극층;을 포함하며,
상기 기판은, 상기 상부 전극층 및 상기 기판 코어층을 관통하는 관통홀부가 형성되고,
상기 발광 소자는, 상기 관통홀부의 적어도 일부에 충전된 본딩 매체에 의해 상기 기판의 상기 상부 전극층 또는 상기 하부 전극층과 전기적으로 연결되고,
상기 상부 전극층은 상기 발광 소자 보다 높은 열팽창계수를 갖는 금속 재질로 이루어진, 조명 장치.A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side of the electrode separation line; And
And a light emitting element mounted on the substrate,
Wherein:
An upper electrode layer including the first electrode and the second electrode;
A substrate core layer formed on a lower surface of the upper electrode layer and supporting the upper electrode layer; And
And a lower electrode layer formed on a lower surface of the substrate core layer and electrically connected to the upper electrode layer,
Wherein the substrate has a through hole portion penetrating the upper electrode layer and the substrate core layer,
Wherein the light emitting element is electrically connected to the upper electrode layer or the lower electrode layer of the substrate by a bonding medium filled in at least a part of the through hole,
Wherein the upper electrode layer is made of a metal material having a thermal expansion coefficient higher than that of the light emitting element.
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