KR101649296B1 - Method for manufacturing light emitting device package, light emitting device package strip and light emitting device package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지에 관한 것으로서, 기판 스트립에 복수 개의 발광 소자를 실장하는 발광 소자 실장 단계, 복수 개의 상기 발광 소자의 상방에 형광체를 형성하는 형광체 형성 단계, 상기 형광체를 둘러싸도록 반사 부재를 상기 기판 스트립에 형성하는 반사 부재 형성 단계, 상기 기판 스트립을 지지할 수 있도록 상기 기판 스트립의 하방에 지지 부재를 형성하는 지지 부재 형성 단계, 상기 기판 스트립 및 상기 반사 부재를 절단하여 단위 패키지로 싱귤레이션하는 패키지 싱귤레이션 단계를 포함할 수 있다.The present invention relates to a light emitting device package manufacturing method, a light emitting device package strip, and a light emitting device package. The light emitting device package includes a light emitting element mounting step of mounting a plurality of light emitting elements on a substrate strip, a phosphor forming step of forming a phosphor above the plurality of light emitting elements Forming a reflective member on the substrate strip so as to surround the phosphor; forming a support member below the substrate strip to support the substrate strip; And a package singulating step of cutting the reflection member and singulating the reflection member into a unit package.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package manufacturing method, a light emitting device package strip and a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device package manufacturing method, a light emitting device package strip, and a light emitting device package will be.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화 하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage. In addition, these LEDs are resistant to shock and vibration, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, so that they can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.
그러나 이러한 종래의 발광 소자 패키지 제조 방법은, 발광 소자를 하나씩 기판에 실장하고, 하나의 발광 소자에 각각 반사 부재 및 광변환 부재를 형성하는 공정으로 이루어지는데, 패키징 공정에 많은 시간과 비용이 필요하고, 발광 소자 패키지의 소형화, 초박화로 제품을 제작하기에 제품의 가격이 증대되고, 생산성이 떨어지며, 이로 인해 제조된 발광 소자 패키지들은 그 크기나 두께가 상대적으로 커서 제품을 소형화, 초박화 할 수 없었던 문제점이 있었다.However, in the conventional method of manufacturing a light emitting device package, a light emitting device is mounted on a substrate one by one and a reflective member and a light converting member are formed on one light emitting device. , The cost of the product is increased and the productivity is decreased due to the miniaturization of the light emitting device package and the manufacture of ultra thin products. The light emitting device packages thus manufactured are relatively large in size and thickness, There was a problem.
또한, 종래의 발광 소자 패키지 제조 방법은, 광학부재를 발광 소자마다 개별적으로 설치하므로, 제조되는 발광 소자 패키지 간에 성능 편차가 생기는 문제점이 있었다.In addition, in the conventional method of manufacturing a light emitting device package, since optical members are individually provided for each light emitting device, there is a problem that a performance deviation occurs between the light emitting device packages to be manufactured.
또한, 종래의 발광 소자 패키지 제조 방법은, 발광 소자 패키지 제조시 기판 스트립이 변형되는 문제점이 있었다. In addition, the conventional method of manufacturing a light emitting device package has a problem that a substrate strip is deformed when manufacturing a light emitting device package.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 패키지 제조 시 제조 방법에 따라 변형되기 쉬운 기판 스트립을 변형으로부터 보호할 수 있으며, 불량률을 감소시키고, 공정 시간 및 공정비용을 크게 절감하고, 생산성을 향상시키며, 제품을 소형화 및 초박화 할 수 있고, 제조된 제품의 성능 편차가 적은 발광 소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for protecting a substrate strip, And to provide a light emitting device package manufacturing method capable of reducing the size and thickness of a product and reducing the variation in performance of manufactured products. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법은, 기판 스트립에 복수 개의 발광 소자를 실장하는 발광 소자 실장 단계; 복수 개의 상기 발광 소자의 상방에 형광체를 형성하는 형광체 형성 단계; 상기 형광체를 둘러싸도록 반사 부재를 상기 기판 스트립에 형성하는 반사 부재 형성 단계; 상기 기판 스트립을 지지할 수 있도록 상기 기판 스트립의 하방에 지지 부재를 형성하는 지지 부재 형성 단계; 및 상기 기판 스트립 및 상기 반사 부재를 절단하여 단위 패키지로 싱귤레이션하는 패키지 싱귤레이션 단계;를 포함하고, 상기 지지 부재 형성 단계는, 상기 기판 스트립의 하방에 배선층이 형성된 절연체를 고정하는 절연체 고정 단계; 상기 절연체에 관통홀을 형성하는 관통홀 형성 단계; 및 상기 관통홀의 내면 및 상기 기판 스트립의 하면과 접촉되는 중공형의 몸체부와 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 상기 배선층의 하면과 접촉되는 플랜지부를 갖는 관통전극을 형성하는 관통전극 형성단계;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, including: mounting a plurality of light emitting devices on a substrate strip; A phosphor forming step of forming a phosphor above the plurality of light emitting elements; Forming a reflective member on the substrate strip to surround the phosphor; Forming a support member below the substrate strip to support the substrate strip; And a package singulation step of cutting the substrate strip and the reflective member into a unit package, wherein the supporting member formation step comprises: an insulator fixing step of fixing an insulator having a wiring layer formed below the substrate strip; A through hole forming step of forming a through hole in the insulator; And forming a penetrating electrode having a hollow body portion to be in contact with an inner surface of the through hole and a lower surface of the substrate strip and a flange portion bent at an open end of the body portion and in contact with a lower surface of the wiring layer; .
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법은, 기판 스트립; 상기 기판 스트립에 실장되는 복수 개의 발광 소자; 복수 개의 상기 발광 소자의 상방에 형성되는 형광체; 상기 형광체를 둘러싸도록 형성되는 반사 부재; 및 상기 기판 스트립을 지지하도록 상기 기판 스트립의 하방에 형성되는 지지 부재;를 포함하고, 상기 지지 부재는, 상기 기판 스트립의 하면에 후면 배선층을 갖고 고정되며, 상기 기판 스트립을 노출시키는 관통홀이 형성된 절연체; 및 상기 관통홀의 내면 및 상기 기판 스트립의 하면과 접촉되는 중공형의 몸체부와 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 상기 후면 배선층의 하면과 접촉되는 플랜지부를 갖는 관통전극을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package including: a substrate strip; A plurality of light emitting devices mounted on the substrate strip; A phosphor formed above the plurality of light emitting devices; A reflective member formed to surround the phosphor; And a support member formed below the substrate strip to support the substrate strip, wherein the support member is fixed with a back wiring layer on a lower surface of the substrate strip, and a through hole exposing the substrate strip is formed Insulator; And a through electrode having a hollow body portion to be in contact with an inner surface of the through hole and a bottom surface of the substrate strip, and a flange portion bent at an open end of the body portion and contacting a lower surface of the rear wiring layer.
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한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법은, 기판; 상기 기판에 실장되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 상방에 형성되는 형광체; 상기 형광체를 둘러싸도록 형성되고, 측면에는 제 1 절단면이 형성되는 반사 부재; 및 상기 기판을 지지하도록 상기 기판의 하방에 형성되는 지지 부재; 를 포함하고, 상기 지지 부재는, 상기 기판의 하면에 고정되며, 후면 배선층을 구비하고, 상기 기판을 노출시키는 관통홀이 형성된 절연체; 및 상기 관통홀의 내면 및 상기 기판의 하면과 접촉되는 중공형의 몸체부와 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 상기 후면 배선층의 하면과 접촉되는 플랜지부를 갖는 관통전극을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, A light emitting element mounted on the substrate; A phosphor formed above the light emitting device; A reflective member formed to surround the phosphor and having a first cut surface formed on a side surface thereof; And a support member formed below the substrate to support the substrate; Wherein the supporting member is fixed to a lower surface of the substrate and has a rear wiring layer, the insulating member having a through hole exposing the substrate; And a through electrode having a hollow body portion which is in contact with an inner surface of the through hole and a lower surface of the substrate, and a flange portion bent at an open end of the body portion and in contact with a lower surface of the rear wiring layer.
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또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판은 측면에 제 2 절단면을 가지고, 상기 절연체는 제 3 절단면을 가질 수 있다.Further, according to an aspect of the present invention, the substrate may have a second cut surface on a side surface, and the insulator may have a third cut surface.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 절단면은 상기 제 2 절단면, 및 상기 제 3 절단면과 동일 평면상에 위치되는 것을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first cut surface may be located on the same plane as the second cut surface and the third cut surface.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판과 상기 지지부재의 측면에 측면전극을 더 포함할 수 있다.In addition, according to an aspect of the present invention, side electrodes may further be formed on side surfaces of the substrate and the support member.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 발광 소자 패키지 제조 시 제조 방법에 따라 변형되기 쉬운 기판 스트립을 변형으로부터 보호할 수 있으며, 불량률을 감소시키고, 공정 시간 및 공정비용을 크게 절감하여 제품의 단가를 낮추어 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 가질 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, it is possible to protect the substrate strip, which is liable to be deformed according to the manufacturing method, from deformation in manufacturing the light emitting device package, reduce the defect rate, greatly reduce the process time and the process cost Thereby reducing the unit cost of the product and improving the productivity. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3 내지 도 7은 도 2의 발광 소자 패키지 제조 방법을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9 내지 도 14는 도 8의 발광 소자 패키지 제조 방법을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 15 내지 도 16은 도 8의 발광 소자 패키지 제조 방법의 또 다른 단계를 나타내는 단면도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
Figs. 3 to 7 are cross-sectional views showing steps of the method of manufacturing the light emitting device package of Fig.
8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
9 to 14 are cross-sectional views showing steps of the method of manufacturing the light emitting device package of Fig.
15 to 16 are sectional views showing still another step of the method of manufacturing the light emitting device package of FIG.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, in the figures, when the element is turned over, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements are oriented on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정 하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions illustrated herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
웨이퍼레벨 패키지(Wafer Level Packaging, WLP), 세라믹 적층 패키지, Multi-chip 패키지, 금속 패키지, COB(Chip on Board) 외에도 고출력 패키지로 각광받는 차세대 광원이 있다. 이는 칩스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)로 기존 발광 소자 패키지와 비교하여 소형이며, 높은 밀도 형성이 가능하여 비용을 낮출 수 있고, 간단한 공정과 열저항 능력 및 색상의 균일도가 높은 장점을 가지고 있다.In addition to wafer-level packaging (WLP), multilayer ceramic package, multi-chip package, metal package, and chip on board (COB) This is a chip scale package (CSP), which is small in size compared to existing light emitting device packages and can be formed in a high density, which can lower costs, has advantages of simple process, heat resistance capability and uniformity of color .
칩스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)는 칩스케일 단위의 발광 소자 패키지를 형성하는 기술로, 기판 스트립에 다량의 발광 소자를 실장하고 형광체를 일괄 도포한 후 싱귤레이션하여 패키지를 구성하는 특징을 가진다.A chip scale package (CSP) is a technique for forming a light emitting device package in a chip scale unit, in which a large number of light emitting devices are mounted on a substrate strip, a phosphor is applied in a batch, and singulated to form a package .
따라서, 칩스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)의 크기는 발광 소자와 거의 유사하거나 조금 더 큰 크기를 가진다. 이러한 패키지는 추가적인 서브 마운트 또는 기판이 필요하지 않으며, 직접적으로 보드에 연결될 수 있다.Therefore, the size of the chip scale package (CSP) is almost the same as or slightly larger than that of the light emitting device. These packages do not require additional submounts or substrates and can be connected directly to the board.
또한, 칩스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)는 PN접합을 가지는 표면 실장형 디바이스(SMD, Surface Mount Devices)로써, 단순한 본딩 패드 공간을 가져 추가적인 복잡한 공정 없이 표준 테스트(standard testing)가 가능하다.In addition, chip scale packages (CSPs) are surface mount devices (SMDs) with PN junctions, which allow simple bonding pad space for standard testing without additional complicated processes.
본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 전술된 칩스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)로 후술될 발광 소자 패키지 제조 방법에 따라 제조될 수 있다.The light emitting device package according to some embodiments of the present invention can be manufactured according to the above-described method of manufacturing a light emitting device package to be described later with a chip scale package (CSP).
도 4는 발광 소자 패키지 스트립(100)을 나타내는 단면도이고, 도 1은 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting
먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지 스트립(100)은 기판 스트립(10)과, 발광 소자(20)와, 형광체(30)와, 반사 부재(40) 및 지지 부재(50)를 포함할 수 있다.4, the light emitting
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지 스트립(100)은, 기판 스트립(10)과, 상기 기판 스트립(10)에 실장되는 복수 개의 발광 소자(20)와, 복수 개의 상기 발광 소자(20)의 상방에 형성되는 형광체(30)와, 상기 형광체(30)를 둘러싸도록 형성되는 반사 부재(40) 및 상기 기판 스트립(10)을 지지하도록 상기 기판 스트립(10)의 하방에 형성되는 지지 부재(50)를 포함할 수 있다.4, the light emitting
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 다른 발광 소자 패키지 제조 방법은, 상기 기판 스트립(10)에 복수 개의 상기 발광 소자(20)를 실장하는 발광 소자 실장 단계(S1)와, 복수 개의 상기 발광 소자(20)의 상방에 상기 형광체(30)를 형성하는 형광체 형성 단계(S2)와, 상기 형광체(30)를 둘러싸도록 상기 반사 부재(40)를 상기 기판 스트립(10)에 형성하는 반사 부재 형성 단계(S3)와, 상기 기판 스트립(10)을 지지할 수 있도록 상기 기판 스트립(10)의 하방에 상기 지지 부재(50)를 형성하는 지지 부재 형성 단계(S4) 및 상기 기판 스트립(10) 및 상기 반사 부재(40)를 절단하여 단위 패키지로 싱귤레이션하는 패키지 싱귤레이션 단계(S5)를 포함할 수 있다.1, a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention includes the steps of mounting a plurality of
도 2는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이고, 도 3 내지 도 7은 도 2의 발광 소자 패키지 제조 방법을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention, and FIGS. 3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device package of FIG.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 지지 부재 형성 단계(S4)는, 투광성 글라스(52)를 준비하는 투광성 글라스 준비 단계(S4-1)와, 상기 기판 스트립(10)이 접착되도록 상기 기판 스트립(10) 및 상기 투광성 글라스(52)에 유브이(UV) 접착제(51)를 도포하는 유브이(UV) 접착제 도포 단계(S4-2) 및 상기 기판 스트립(10)을 상기 투광성 글라스(52)에 임시 고정하는 기판 스트립 고정 단계(S4-3)를 포함할 수 있다.2, the supporting member forming step S4 includes a transparent glass preparation step S4-1 for preparing a light-transmitting
또한, 상기 패키지 싱귤레이션 단계(S5)는, 상기 반사 부재(40)와 상기 기판 스트립(10)을 절단하는 반사 부재 및 기판 스트립 절단 단계(S5-1)와, 상기 유브이(UV) 접착제(51)의 접착력이 상실되도록 상기 투광성 글라스(52)를 통해 상기 유브이(UV) 접착제(51)에 유브이(UV)광을 조사하는 유브이(UV)광 조사 단계(S5-2) 및 상기 기판 스트립(10)을 상기 지지 부재(50)로부터 분리하는 지지 부재 분리 단계(S5-3)를 포함할 수 있다.The package singulation step S5 includes a reflective member for cutting the
또한, 도 3 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지 스트립은, 상기 기판 스트립(10)에 복수 개의 상기 발광 소자(20)를 실장하고, 복수 개의 상기 발광 소자(20)의 상방에 상기 형광체(30)를 형성하고, 상기 형광체(30)를 둘러싸도록 상기 반사 부재(40)를 상기 기판 스트립(10)에 형성하고, 상기 기판 스트립(10)을 지지할 수 있도록 상기 기판 스트립(10)의 하방에 지지 부재(50)를 형성하고, 상기 기판 스트립(10) 및 상기 반사 부재(40)를 절단하는 것을 포함할 수 있다.3 to 7, the light emitting device package strip includes a plurality of
또한, 상기 발광 소자 패키지 제조 방법은, 상기 투광성 글라스(52)를 준비하고, 상기 기판 스트립(10)이 접착되도록 상기 기판 스트립(10) 및 상기 투광성 글라스(52)에 상기 유브이(UV) 접착제(51)를 도포하고, 상기 기판 스트립(10)을 상기 투광성 글라스(52)에 임시 고정하고, 상기 반사 부재(40)와 상기 기판 스트립(10)을 절단선(L)을 따라 절단하고, 상기 유브이(UV) 접착제(51)의 접착력이 상실되도록 상기 투광성 글라스(52)를 통해 상기 유브이(UV) 접착제(51)에 유브이(UV)광을 조사하고, 상기 기판 스트립(10)을 상기 지지 부재(50)로부터 분리하는 것을 포함할 수 있다.The light emitting device package manufacturing method may further comprise preparing the
더욱 구체적으로 예를 들면, 이러한 상기 투광성 글라스는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무, 폴리이미드 수지, 폴리이소이미드, 폴리아이소이미드, 이소시아네이트계 수지, 멜라민계 수지, 에세톤계 수지, 페논계 수지, 고분자 수지, UV 경화제 등 광결합성 경화 촉진제 등 각종 열가소성 또는 열경화성 경화제 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 절연성 및 내열성을 갖는 모든 종류의 수지 재질이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the translucent glass may be an epoxy resin, an acrylic resin, a polyester resin, a urethane resin, a silicone resin, a rubber, a polyimide resin, a polyisosimide, a polyisobutyrate, Various thermoplastic or thermosetting curing agents such as a resin, an ethene-based resin, a phenone-based resin, a polymer resin, a UV curing agent, and the like, and a photocurable curing accelerator. In addition, all kinds of resin materials having insulation and heat resistance can be applied.
도 14는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(201)를 나타내는 단면도이고, 도 8은 본 발명에 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이며, 도 9 내지 도 13은 발광 소자 패키지 제조 방법을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.FIG. 14 is a cross-sectional view showing a light emitting device package 201 according to some embodiments of the present invention, FIG. 8 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention, 13 is a cross-sectional view showing a step of a method of manufacturing a light emitting device package.
먼저, 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(201)는, 기판(11)과, 발광 소자(20)와, 형광체(30)와, 반사 부재(41)와, 지지 부재(50)와, 절연체(54)와, 관통전극(56) 및 후면 배선층(57)을 포함할 수 있다.14, a light emitting device package 201 according to some embodiments of the present invention includes a
더욱 구체적으로 예를 들면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(201)는, 상기 기판(11)에 실장되는 발광 소자(20)와, 상기 발광 소자(20)의 상방에 형성되는 상기 형광체(30)와, 상기 형광체(30)를 둘러싸도록 형성되고, 측면에는 제 1 절단면(1)이 형성되는 반사 부재(41) 및 상기 기판(11)을 지지하도록 상기 기판(11)의 하방에 형성되는 지지 부재(50)를 포함할 수 있다.More specifically, for example, the light emitting device package 201 according to some embodiments of the present invention includes a
또한, 상기 기판(11)은 측면에 제 2 절단면(2)을 가지고, 상기 지지 부재(50)는 상기 기판(11)의 하방에 고정되고, 제 3 절단면(3)을 가지는 절연체(54)와, 제 3절단면을 가지는 상기 절연체(54)를 관통하는 관통전극(56) 및 상기 관통전극(56)과 연결되고, 제 4 절단면(4)을 가지는 후면 배선층(57)을 포함할 수 있다. 여기서, 관통전극(56)은 관통홀(55)의 내면 및 기판(11)의 하면과 접촉하는 중공형의 몸체부와, 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 후면 배선층(57)과 접촉되는 플랜지부를 가질 수 있다.The
또한, 상기 제 1 절단면(1)과, 상기 제 2 절단면(2)과, 상기 제 3 절단면(3) 및 상기 제 4 절단면(4)은 동일 평면상에 위치될 수 있다.The
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지 제조 방법은, 상기 기판 스트립(10)의 하방에 배선층(57)이 형성된 절연체(53)를 고정하는 절연체 고정 단계(S4-4)와, 상기 절연체(53)에 관통홀(55)을 형성하는 관통홀 형성 단계(S4-5) 및 상기 관통홀(55)에 관통전극(56)을 형성하는 관통전극 형성단계(S4-6)를 포함할 수 있다.8, the light emitting device package manufacturing method further includes insulator fixing step S4-4 of fixing an
또한, 도 9 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지 제조 방법은, 상기 기판 스트립(10)에 복수 개의 상기 발광 소자(20)를 실장하고, 복수 개의 상기 발광 소자(20)의 상방에 상기 형광체(30)를 형성하고, 상기 형광체(30)를 둘러싸도록 상기 반사 부재(40)를 상기 기판 스트립(10)에 형성하고, 상기 기판 스트립(10)의 하방에 상기 배선층(57)이 형성된 상기 절연체(53)를 고정하고, 상기 절연체(53)에 관통홀(55)을 형성하고, 상기 관통홀(55)에 관통전극(56)을 형성하고, 절단선(L1)을 따라 절단하는 것을 포함할 수 있다.9 to 13, the method for manufacturing a light emitting device package includes the steps of: mounting a plurality of the
또한, 상기 발광 소자 패키지는, 상기 제 1 절단면(1)이 형성되는 반사 부재(41)와, 상기 제 2 절단면(2)을 가지는 상기 기판(11)과, 상기 제 3 절단면(3)을 가지는 절연체(54)와, 상기 제 4 절단면(4)을 가지는 상기 배선층(57)을 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a
또한, 상기 제 1 절단면(1)과 상기 제 2 절단면(2)과, 상기 제 3 절단면(3) 및 상기 제 4 절단면(4)은 동일 평면상에 위치되는 것을 포함할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 관통전극 및 배선층 형성 단계(S4-6)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 복수개의 상기 관통홀(55)에 제트프린팅법 이나 실크프린팅법 등과 같은 프린팅 법으로 복수개의 상기 관통전극(56)과 상기 배선층(57)을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 12, the penetrating electrode and wiring layer forming step S4-6 may be performed by a printing method such as a jet printing method or a silk printing method on a plurality of through
따라서 동일한 제조 공법으로 상기 관통전극(56)과 상기 배선층(57)이 형성되므로 제조 공정의 단순화를 도모할 수 있다.Therefore, since the penetrating
도 15는 본 발명에 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광소자 패키지 스트립을 나타낸 단면도 이고, 도 16은 발광 소자 패키지(301)를 나타내는 단면도이다.FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package strip according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 301.
먼저 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자 패키지 스트립은 복수개의 상기 발광 소자(20)와, 상기 형광체(30)와, 상기 반사 부재(40)와, 상기 관통전극(56) 및 상기 후면 배선층(57)을 포함한 상기 기판 스트립(10)은, 절단선(L2)을 따라 절단될 수 있다.15, the light emitting device package strip includes a plurality of the
또한, 도 16에 도시 된 바와 같이, 상기 발광소자 패키지 스트립은, 상기 기판(11)과 상기 지지부재(50)의 측면에 측면전극(59)을 포함하는, 발광 소자 패키지(301)를 포함할 수 있다.16, the light emitting device package strip may include a light emitting device package 301 including the
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 발광 소자(20)는, 상기 기판(10)과 본딩 매체를 이용하여 각각 전기적으로 연결되는 플립칩(flip chip) 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.More specifically, for example, the
또한, 상기 배선층(57)은 구리, 니켈, 알루미늄, 크롬, 철, 텅스텐 및 이들의 합금과 같은 전기적으로 전도성 물질을 포함할 수 있다. The
한편, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(20)는 범프나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태일 수 있고, 이외에도, 단자에 본딩 와이어가 적용되거나, 부분적으로 본딩 와이어가 적용되는 발광 소자나, 수평형, 수직형 발광 소자 등이 모두 적용될 수 있다.Although not shown, the
또한, 상기 기판 스트립(10)은 복수개의 상기 기판(11)으로 이루어져 있고, 다양한 형상으로 변형될 수 있다. In addition, the
또한, 상기 발광 소자(20)는, 상기 기판 스트립(10)에 복수개가 설치될 수 있다.A plurality of the
이러한, 상기 발광 소자(20)는 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다.The
또한, 상기 발광 소자(20)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The
여기서, 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive, or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4 , MgO, LiAlO 2 , LiGaO 2 , GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체 층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴은 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The pattern may be structured in order to improve light extraction efficiency in a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 열전도 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지 기판을 추가로 형성하여 사용한다.Since the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered by absorbing light generated from the GaN-based semiconductor, the Si (silicon) substrate may be removed, if necessary, and Si, Ge, SiAl, Or a support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판 상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.The buffer layer may be made of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, or InGaNAlN. If necessary, a material such as ZrB 2 , HfB 2 , ZrN, HfN, or TiN may be used. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
한편, 상기 기판(11)은, 상기 발광 소자(20)가 안착될 수 있도록 안착면이 형성되는 금속 재질의 기판일 수 있다.Meanwhile, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 기판(11)은, 상기 발광 소자(20)를 지지하거나 수용할 수 있는 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.More specifically, for example, the
예를 들어서, 상기 기판(11)은, 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 재질이 적용될 수 있으며, 천공되거나 절곡된 플레이트 형태일 수 있다.For example, the
또한, 반사율을 극대화할 수 있도록 그 표면이 반사도가 우수한 적어도 은(Ag), 은(Ag) 도금층, 은(Ag) 합금, 은(Ag) 합금층, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al) 합금, 알루미늄(Al) 합금층, 구리(Cu), 구리(Cu) 합금, 구리(Cu) 도금층, 구리(Cu) 합금층, 백금(Pt), 백금(Pt) 합금, 백금(Pt) 합금층, 금(Au), 금(Au) 도금층, 금(Au) 합금층, 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In order to maximize the reflectance, at least a silver (Ag) plating layer, a silver (Ag) alloy, a silver (Ag) alloy layer, an aluminum (Al) (Al) alloy layer, a copper (Cu) alloy, a copper (Cu) alloy layer, a copper (Cu) alloy layer, a platinum (Pt) alloy, a platinum (Au), gold (Au) plated layer, gold (Au) alloy layer, palladium (Pd), ruthenium (Ru), rhodium (Rh) and combinations thereof.
이외에도, 상기 기판(11)은 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)이 적용될 수 있다. 또한, 상기 기판(11)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.In addition, the
이외에도, 상기 기판(11) 대신, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있다.Instead of the
또한, 상기 기판(11)은, 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The
또한, 상기 반사 부재(40)는 상기 기판 스트립(10)에 형성되고, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 열을 외부로 방열시킬 수 있도록 상기 기판 스트립(10)에 설치되는 방열 금속층을 포함 할 수 있다.The
이러한 상기 반사 부재(40)는 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 재질이 적용될 수 있다.The
또한, 상기 반사 부재(40)는 반사율을 극대화할 수 있도록 그 표면이 반사도가 우수한 적어도 은(Ag), 은(Ag) 도금층, 은(Ag) 합금, 은(Ag) 합금층, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al) 합금, 알루미늄(Al) 합금층, 구리(Cu), 구리(Cu) 합금, 구리(Cu) 도금층, 구리(Cu) 합금층, 백금(Pt), 백금(Pt) 합금, 백금(Pt) 합금층, 금(Au), 금(Au) 도금층, 금(Au) 합금층, 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The
그러나, 이러한 상기 반사 부재(40)는 금속 재질로 반드시 국한되지 않고, 상기 발광 소자(20)에서 발산되는 빛을 반사할 수 있도록 금형을 이용하여 상기 기판 스트립(10)에 일체로 몰딩 성형될 수 있다.However, the
예컨데, 상기 반사 부재(40)는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(Bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.For example, the
또한, 상기 반사 부재(40)는, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.Further, a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 기판 스트립
11: 제 2절단면을 가지는 기판
20: 발광 소자
30: 형광체
40: 반사 부재
101, 201, 301: 발광 소자 패키지10: substrate strip
11: A substrate having a second cut surface
20: Light emitting element
30: Phosphor
40: reflective member
101, 201, and 301: Light emitting device package
Claims (9)
복수 개의 상기 발광 소자의 상방에 형광체를 형성하는 형광체 형성 단계;
상기 형광체를 둘러싸도록 반사 부재를 상기 기판 스트립에 형성하는 반사 부재 형성 단계;
상기 기판 스트립을 지지할 수 있도록 상기 기판 스트립의 하방에 지지 부재를 형성하는 지지 부재 형성 단계; 및
상기 기판 스트립 및 상기 반사 부재를 절단하여 단위 패키지로 싱귤레이션하는 패키지 싱귤레이션 단계;를 포함하고,
상기 지지 부재 형성 단계는,
상기 기판 스트립의 하방에 배선층이 형성된 절연체를 고정하는 절연체 고정 단계;
상기 절연체에 관통홀을 형성하는 관통홀 형성 단계; 및
상기 관통홀의 내면 및 상기 기판 스트립의 하면과 접촉되는 중공형의 몸체부와 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 상기 배선층의 하면과 접촉되는 플랜지부를 갖는 관통전극을 형성하는 관통전극 형성단계;를 포함하는, 발광 소자 패키지 제조 방법.A light emitting element mounting step of mounting a plurality of light emitting elements on a substrate strip;
A phosphor forming step of forming a phosphor above the plurality of light emitting elements;
Forming a reflective member on the substrate strip to surround the phosphor;
Forming a support member below the substrate strip to support the substrate strip; And
And a package singulation step of cutting the substrate strip and the reflective member into a unit package,
Wherein the supporting member forming step comprises:
An insulator fixing step of fixing an insulator having a wiring layer formed below the substrate strip;
A through hole forming step of forming a through hole in the insulator; And
A through-hole electrode forming step of forming a through-hole electrode having a hollow body portion to be in contact with an inner surface of the through-hole and a bottom surface of the substrate strip, and a flange portion bent at an open end of the body portion to be in contact with a lower surface of the wiring layer Gt; a < / RTI > light emitting device package.
상기 기판 스트립에 실장되는 복수 개의 발광 소자;
복수 개의 상기 발광 소자의 상방에 형성되는 형광체;
상기 형광체를 둘러싸도록 형성되는 반사 부재; 및
상기 기판 스트립을 지지하도록 상기 기판 스트립의 하방에 형성되는 지지 부재;를 포함하고,
상기 지지 부재는,
상기 기판 스트립의 하면에 후면 배선층을 갖고 고정되며, 상기 기판 스트립을 노출시키는 관통홀이 형성된 절연체; 및
상기 관통홀의 내면 및 상기 기판 스트립의 하면과 접촉되는 중공형의 몸체부와 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 상기 후면 배선층의 하면과 접촉되는 플랜지부를 갖는 관통전극을 포함하는, 발광 소자 패키지 스트립.Substrate strip;
A plurality of light emitting devices mounted on the substrate strip;
A phosphor formed above the plurality of light emitting devices;
A reflective member formed to surround the phosphor; And
And a support member formed below the substrate strip to support the substrate strip,
Wherein the support member comprises:
An insulator having a rear wiring layer on a lower surface of the substrate strip and having through holes exposing the substrate strips; And
And a through electrode having a hollow body portion that is in contact with the inner surface of the through hole and the bottom surface of the substrate strip, and a flange portion bent at an open end of the body portion and in contact with a lower surface of the rear wiring layer.
상기 기판에 실장되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상방에 형성되는 형광체;
상기 형광체를 둘러싸도록 형성되고, 측면에는 제 1 절단면이 형성되는 반사 부재; 및
상기 기판을 지지하도록 상기 기판의 하방에 형성되는 지지 부재; 를 포함하고,
상기 지지 부재는,
상기 기판의 하면에 고정되며, 후면 배선층을 구비하고, 상기 기판을 노출시키는 관통홀이 형성된 절연체; 및
상기 관통홀의 내면 및 상기 기판의 하면과 접촉되는 중공형의 몸체부와 상기 몸체부의 개방단에서 절곡되어 상기 후면 배선층의 하면과 접촉되는 플랜지부를 갖는 관통전극을 포함하는, 발광 소자 패키지Board;
A light emitting element mounted on the substrate;
A phosphor formed above the light emitting device;
A reflective member formed to surround the phosphor and having a first cut surface formed on a side surface thereof; And
A support member formed below the substrate to support the substrate; Lt; / RTI >
Wherein the support member comprises:
An insulator fixed to a lower surface of the substrate, the insulator having a rear wiring layer and a through hole exposing the substrate; And
And a through electrode having a hollow body portion to be in contact with an inner surface of the through hole and a bottom surface of the substrate, and a flange portion bent at an open end of the body portion and in contact with a lower surface of the rear wiring layer,
상기 기판은 측면에 제 2 절단면을 가지고,
상기 절연체는 제 3 절단면을 가지는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 6,
Wherein the substrate has a second cut surface at a side,
And the insulator has a third cut surface.
상기 제 1 절단면은 상기 제 2 절단면, 및 상기 제 3 절단면과 동일 평면상에 위치되는, 발광 소자 패키지.8. The method of claim 7,
And the first cut surface is located on the same plane as the second cut surface and the third cut surface.
상기 기판과 상기 지지부재의 측면에 측면전극을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 6,
Further comprising side electrodes on side surfaces of the substrate and the support member.
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