KR20150090160A - 비선형 결정체 성능 개선을 위한 공진 공동 조절 - Google Patents

비선형 결정체 성능 개선을 위한 공진 공동 조절 Download PDF

Info

Publication number
KR20150090160A
KR20150090160A KR1020157016703A KR20157016703A KR20150090160A KR 20150090160 A KR20150090160 A KR 20150090160A KR 1020157016703 A KR1020157016703 A KR 1020157016703A KR 20157016703 A KR20157016703 A KR 20157016703A KR 20150090160 A KR20150090160 A KR 20150090160A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
purge gas
flow
moisture
resonant cavity
laser
Prior art date
Application number
KR1020157016703A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102162371B1 (ko
Inventor
이고르 게르만엔코
마크 시라키
스티븐 프리버그
Original Assignee
케이엘에이-텐코 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이-텐코 코포레이션 filed Critical 케이엘에이-텐코 코포레이션
Publication of KR20150090160A publication Critical patent/KR20150090160A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102162371B1 publication Critical patent/KR102162371B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
    • G02F1/3505—Coatings; Housings; Supports
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

공진 공동에서 비선형 결정체의 성능을 개선하는 시스템 및 방법이 제공된다. 비선형 결정체를 포함한 레이저 기반 조명원의 공진 공동에는 습윤성 퍼지 가스가 공급된다. 저장 또는 동작 중에 비선형 결정체의 과도한 건조를 방지하기 위해 깨끗한 건조 퍼지 가스에 소량의 수증기가 추가된다. 일부 실시형태에 있어서, 습기 주입 시스템은 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한다. 하나의 유동로는 습기 주입기를 포함하고, 다른 유동로는 습기 주입을 포함하지 않는다. 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양은 적어도 부분적으로 상기 병렬 유동로 사이에서의 상대적 유속에 의해 결정된다. 일부 실시형태에 있어서, 상기 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양은 공진 공동 내 습도 측정치에 기초하여 조절된다.

Description

비선형 결정체 성능 개선을 위한 공진 공동 조절{RESONANT CAVITY CONDITIONING FOR IMPROVED NONLINEAR CRYSTAL PERFORMANCE}
관련 출원에 대한 교차 참조
이 특허 출원은 "DUV 레이저 응용을 위한 비선형 결정체의 성능을 개선하는 방법 및 장치"의 명칭으로 2012년 11월 29일자 출원한 미국 가특허 출원 제61/731,421호를 35 U.S.C §119에 따라 우선권 주장하며, 상기 가특허 출원의 전체 내용은 인용에 의해 본원에 통합된다.
기술 분야
본 발명은 레이저 공동(laser cavity)을 조절하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
논리 소자 및 메모리 소자 등의 반도체 소자는 전형적으로 기판 또는 웨이퍼에 적용되는 일련의 처리 단계에 의해 제조된다. 반도체 소자의 각종 특징 및 복수의 구조적 레벨은 이러한 처리 단계에 의해 형성된다. 예를 들면, 다른 무엇보다도 특히 리소그래피는 반도체 웨이퍼에 패턴을 생성하는 단계를 수반하는 하나의 반도체 제조 공정이다. 반도체 제조 공정의 추가적인 예는, 비제한적인 예를 들자면, 화학기계 연마, 에칭, 증착 및 이온 주입을 포함한다. 복수의 반도체 소자는 단일 반도체 웨이퍼에서 제조되고, 그 다음에 개별 반도체 소자로 분리될 수 있다.
검사 공정은 웨이퍼의 결함들을 검출하여 고수율을 촉진하기 위해 반도체 제조 공정 중의 각종 단계에서 사용된다. 반도체 웨이퍼와 같은 경면 또는 준경면을 검사할 때, 패턴화 웨이퍼 검사 및 결함 재검토를 수행하기 위해 명시야(bright field, BF) 및 암시야(dark field, DF) 양식(modality)의 임의 조합을 사용할 수 있다. 일반적으로, 검사 시스템의 결함 감도는 조명 광의 파장을 대물렌즈의 NA에 의해 나눈 것에 비례한다. NA의 추가적인 개선이 없으면, 현재 검사 도구의 전체 결함 감도는 조명원의 파장에 의해 제한된다. 또한, 실행 가능한 검사 시스템은 시스템의 결함 감도를 최대화하기 위해 고광휘 조명을 필요로 한다.
현재의 웨이퍼 검사 시스템은 전형적으로 높은 개구수(NA)와 함께 260 나노미터 정도로 짧은 파장을 가진 극자외(deep ultraviolet, DUV) 복사선의 조명원을 이용한다. 일부 예에서, 조명 광은 아크 램프에 의해 제공될 수 있다. 예를 들면, 전극 기반형의 비교적 고강도 방전 아크 램프가 검사 시스템에서 사용된다. 그러나, 이러한 광원은 다수의 단점을 갖고 있다. 예를 들면, 전극 기반형의 비교적 고강도 방전 아크 램프는 전극으로부터의 전류 밀도에서의 정전 제약에 기인하는 광위 제한 및 전력 제한, 흑체 방사체로서 가스의 제한된 방사율, 캐소드에 비교적 높은 전류 밀도가 존재하는 것에 기인하는 내화성 물질로 제조된 전극의 비교적 급속한 부식, 및 필요한 방사 전류에서 비교적 긴 시구간 동안 도펀트의 제어 불능성(이것은 내화 캐소드의 동작 온도를 낮출 수 있다)을 갖는다.
일부 다른 예에서, 조명 광은 레이저에 의해 제공된다. 바람직한 단파장 방사를 실현하기 위한 하나의 접근법은 장파장 소스의 고조파 상향 변환(upconversion)이었다. 그러나, 신뢰성 있게 유지될 수 있는 평균 전력은 제한되었다. 중대한 신뢰성 문제는 비교적 높은 평균 전력에서 동작하는 고조파 발생기에서 사용되는 비선형 결정체(nonlinear crystal)의 고장에 있다.
미래의 반도체 처리 응용을 위해 필요한 광휘, 평균 전력 및 신뢰성을 가진 단파장 조명원이 요구된다. 특히, 고조파 상향 변환을 이용하는 비교적 높은 평균 전력 레이저의 결정체 요소들의 신뢰성 개선이 요망된다.
공진 공동(resonant cavity)에서 비선형 결정체의 성능을 개선하는 시스템 및 방법이 제시된다.
일 양태에 있어서, 비선형 결정체를 포함한 레이저 기반 조명원의 공진 공동에는 습윤성 퍼지 가스(purge gas)가 공급된다. 저장 또는 동작 중에 비선형 결정체의 과도한 건조를 방지하기 위해 깨끗한 건조 퍼지 가스에 소량의 수증기가 추가된다. 일부 실시형태에 있어서, 퍼지 가스원은 습기 주입 시스템에 퍼지 가스의 흐름을 공급한다. 습기 주입 시스템은 퍼지 가스의 흐름에 소정 양의 수증기를 주입하여, 비선형 결정체를 포함한 공진 공동에 공급되는 습윤성 퍼지 가스의 흐름을 발생한다. 일 예에 있어서, 상기 습윤성 퍼지 가스 흐름은 바륨 보레이트(Barium Borate) 결정체를 포함한 제4 고조파 발생기에 공급된다. 상기 제4 고조파 발생기는 200 밀리와트 이상의 평균 전력을 가진 266 나노미터 파장 방사를 생성하도록 구성된다.
다른 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 퍼지 가스원으로부터 비선형 결정체를 포함한 공진 공동으로의 단일 유동로에 습기 주입기를 포함한다.
또 다른 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 적어도 2개의 유동로를 병렬로 포함한다. 적어도 하나의 유동로는 습기 주입기를 포함하고, 적어도 하나의 다른 유동로는 습기 주입을 포함하지 않는다. 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양은 적어도 부분적으로 습기 주입기를 포함한 하나 이상의 유동로와 습기 주입을 포함하지 않은 하나 이상의 유동로 간의 상대적 유속에 의해 결정된다.
또 다른 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 수동으로 제어된다. 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양은 시간에 맞춰 고정 상태로 유지되는 시스템의 상태(예를 들면, 유속, 확산율, 밸브 세팅 등)에 의해 지시된다. 일부 예에 있어서, 일부 요소(예를 들면, 밸브 세팅 또는 오리피스 크기)는 원하는 성능을 달성하기 위해 손으로 조율될 수 있다.
또 다른 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 공진 공동 내의 습도 측정치에 기초하여 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양을 조절하도록 자동으로 제어되는 적어도 하나의 능동 요소를 포함한다. 일부 실시형태에 있어서, 유동 제어 밸브의 상태는 공진 공동 내 습도 측정치에 기초하여 조정된다.
전술한 내용은 요약이고, 따라서 필요에 따라 세부의 단순화, 일반화 및 생략을 포함한다. 따라서, 이 기술에 숙련된 사람이라면 상기 요약은 단순히 예시한 것이고 어떻게든 제한하는 것이 아님을 인식할 것이다. 여기에서 설명하는 장치 및/또는 프로세스의 다른 양태, 발명적 특징 및 장점들은 뒤에서 설명하는 비제한적인 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다.
도 1은 공진 광학 공동(150)에 공급되는 습윤성 퍼지 가스(130B)를 발생하도록 구성된 습기 주입 시스템(140)을 보인 도이다.
도 2는 하나의 예시적인 실시형태에서 비선형 결정체 성능을 개선하기 위해 습기 주입 시스템(140)을 이용하는 레이저 기반 조명 시스템(100)을 보인 도이다.
도 3은 다른 실시형태에서의 습기 주입기(210)를 보인 도이다.
도 4는 다른 실시형태에서의 습기 주입기(220)를 보인 도이다.
도 5는 다른 실시형태에서의 습기 주입기(230)를 보인 도이다.
도 6은 다른 실시형태에서의 습기 주입기(240)를 보인 도이다.
도 7은 일 실시형태에서 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한 습기 주입 시스템(160)을 보인 도이다.
도 8은 다른 실시형태에서 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한 습기 주입 시스템(170)을 보인 도이다.
도 9는 다른 실시형태에서 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한 습기 주입 시스템(180)을 보인 도이다.
도 10은 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기 양의 자동 제어를 포함한 습기 주입 시스템(190)의 일 실시형태를 보인 도이다.
도 11은 도 10의 컴퓨팅 시스템(250)을 더 구체적으로 보인 도이다.
도 12는 적어도 하나의 신규 양태에서 공진 공동 내 비선형 결정체 성능을 개선하는 하나의 예시적인 방법(300)을 보인 흐름도이다.
도 13은 적어도 하나의 신규 양태에서 공진 공동 내 비선형 결정체 성능을 개선하는 하나의 예시적인 방법(400)을 보인 흐름도이다.
이제 첨부 도면에 예로서 도시된 본 발명의 배경이 되는 예 및 일부 실시형태에 대하여 상세히 설명한다.
많은 예에 있어서, 광학 결정체를 냉각하기 위해 퍼지 가스(예를 들면, 깨끗한 건조 공기, 질소, 또는 불활성 가스의 다른 조합)가 레이저 기반 조명원의 공진 공동에 공급된다. 전통적으로, 시스템은 공진 공동에 가능한 한 적은 수분을 가진 퍼지 가스를 공급하도록 설계된다. 전형적으로, 공진 공동에 공급되는 퍼지 가스는 10 ppm(parts per million, 백만분율) 미만의 수분을 갖는다. 일부 예에 있어서, 깨끗한 건조 퍼지 가스(예를 들면, 깨끗한 건조 공기)는 레이저 기반 조명원이 전개되는 설비에서 이용 가능하다. 이 예에서, 깨끗한 건조 퍼지 가스는 공동에 직접 공급된다. 일부 다른 예에 있어서, 이용 가능한 퍼지 가스(예를 들면, 압축 공기)는 퍼지 가스가 공진 공동을 통하여 유동되기 전에 가능한 한 많은 수분을 제거하도록 처리된다. 일 예에 있어서, 퍼지 가스로부터 수분을 제거하기 위해 건조제(예를 들면, 분자체(molecular sieve))가 사용된다.
그러나, 본 발명자들은 매우 건조한 동작 환경이 일부 비선형 결정체의 성능을 사실상 열화시킨다는 것을 발견하였다. 일부 예에 있어서, 10 밀리와트 이상의 평균 전력 레벨로 고조파 발생기에서 사용되는 바륨 보레이트(Barium Borate, BBO)결정체의 성능은 깨끗한 건조 퍼지 가스를 사용할 때 낮은 레이저 안정성, 높은 잡음, 및 짧은 동작 수명을 나타낸다. 일부 예에 있어서, 100 밀리와트 이상의 평균 전력 레벨로 고조파 발생기에서 사용되는 바륨 보레이트(BBO) 결정체의 성능은 깨끗한 건조 퍼지 가스를 사용할 때 낮은 레이저 안정성, 높은 잡음, 및 짧은 동작 수명을 나타낸다. 일부 예에 있어서, 깨끗한 건조 공기(clean dry air, CDA)로 정화되는 BBO 결정체는 100시간의 동작 중에 상당한 재료 열화를 나타낸다. 재료 열화는 DUV 파장 범위에서 출력 전력의 유지를 불가능하게 한다.
일 양태에 있어서, 습윤성 퍼지 가스가 비선형 결정체를 포함한 레이저 기반 조명원의 공진 공동에 공급된다. 저장 또는 동작 중에 비선형 결정체의 과도한 건조를 방지하기 위해 소량의 수증기가 상기 깨끗한 건조 퍼지 가스에 추가된다. 과도하게 건조한 결정체는 주파수 배가 요소(frequency doubling element)로서 결정체 성능을 열화시키는 미소한 크랙을 발생하는 경향이 있다. 습윤성 퍼지 가스에 의한 정화는 결정체 열화를 방지하거나 반전시키는 것까지도 도움을 준다. 다른 가능한 장점은 결정체 표면 내측 및 그 주변에서 자유 전하가 감소한다는 점이다. 전하는 결정체 성능에 영향을 주고 빔 열화를 야기하기에 충분할 정도로 강한 국소장(local field)을 생성할 수 있다. 습윤성 퍼지 가스의 물 분자는 비선형 결정체의 내측 및 외측의 활성 영역으로부터 전하들을 일소하는 경향이 있다.
도 1은 공진 광학 공동(150)에 공급되는 습윤성 퍼지 가스(130B)를 발생하도록 구성된 습기 주입 시스템(140)을 보인 도이다. 공진 광학 공동(150)은 비선형 결정체(154)를 포함한다. 주파수 배가기(doubler)(즉, 파장 분할기)로서의 비선형 결정체의 성능 및 수명은 상기 공진 공동(150)을 통하여 습윤성 퍼지 가스(130B)를 유동시킴으로써 개선된다. 하나의 비제한적인 예에 있어서, 비선형 결정체(154)는 BBO 결정체이다. 그러나, 다른 결정체(예를 들면, 리튬 트리보레이트(LBO), 인화 칼륨 티타닐(KTP), 인화 칼륨 디듀테륨(Potassium Di*deuterium Phosphate, KDP, KD*P) 및 그 동형체, 요오드산 리튬(LiIO3), AgGaS2, AgGaSe2, GaSe 및 ZnGeP2와 같은 적외선 비선형 광학 결정체 등)들도 또한 예상할 수 있다.
도시된 실시형태에 있어서, 퍼지 가스원(120)은 퍼지 가스의 흐름(130A)을 습기 주입 시스템(140)에 공급한다. 습기 주입 시스템(140)은 소정 양의 수증기를 상기 퍼지 가스의 흐름(130A)에 주입하여 습윤성 퍼지 가스의 흐름(130B)을 발생한다. 습윤성 퍼지 가스(130B)는 공진 공동(150)에 공급되고 상기 공동을 통하여 유동된다. 도시된 실시형태에 있어서, 공진 공동(150)은 대기 중으로 배출구가 형성되어 있다. 그러나, 일부 다른 실시형태에서는 습윤성 퍼지 가스(130B)의 일부 또는 전부가 추가의 처리(예를 들면, 냉각, 필터링, 습기 제거 등) 및 퍼지 가스로서의 궁극적인 재사용을 위해 퍼지 가스원(120)으로 재순환될 수 있다.
도시된 실시형태에 있어서, 공진 공동(150)을 통한 균일한 층류(laminar flow)(153)를 발생하기 위해 추가의 유동 조절 요소가 사용된다. 균일한 층류는 레이저 광 출력에서 바람직하지 않은 잡음 레벨을 유도하지 않고 효율적인 냉각을 촉진한다. 도시된 실시형태에 있어서, 공진 공동(150)을 통한 균일한 층류를 촉진하기 위해 플레넘(151) 및 일련의 방해판(baffle)(152)이 사용된다.
일부 실시형태에 있어서, 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)에서의 바람직한 물의 양은 50-5000ppm이다. 일부 실시형태에 있어서, 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)에서의 바람직한 물의 양은 200-2000ppm이다. BBO 결정체를 이용하는 양호한 실시형태에 있어서, 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)은 900-1200ppm이다. 많은 비선형 결정체(예를 들면, BBO)가 흡습성이기 때문에, 과도한 수분에의 노출은 재료의 열화를 야기할 것이다. 예를 들면, 주변 공기(약 10,000ppm의 물)에의 노출은 바람직하지 않은 재료 열화를 야기할 것이다. 따라서, 퍼지 가스 흐름(130A)에 추가되는 수증기의 양은 주의깊게 제어되어야 한다.
도 2는 하나의 예시적인 실시형태에서 비선형 결정체 성능을 개선하도록 습기 주입 시스템(140)을 이용하는 레이저 기반 조명 시스템(100)을 보인 도이다. 도시된 실시형태에 있어서, 레이저 기반 조명 시스템(100)은 200 밀리와트 이상의 평균 전력에서 266 나노미터 파장 방사를 발생하도록 구성된다. 그래서, 레이저 기반 조명 시스템(100)은 현대의 웨이퍼 검사 시스템에서 유용하다. 레이저 기반 조명 시스템(100)은 약 1064 나노미터의 파장으로 광(111)을 방사하도록 구성된 레이저 광원(110)을 포함한다. 도시된 실시형태에 있어서, 레이저 광원(110)은 ND:YAG 레이저이다. ND:YAG 레이저로부터 방사된 광(111)은 제2 고조파 발생기(Second Harmonic Generator, SHG)(112)로 입력된다. SHG(112)는 광(111)의 일부의 주파수를 배가(파장을 반감)하도록 구성된다. 그래서, SHG(112)는 약 532 나노미터의 파장으로 소정 양의 광(113)을 방사한다. SHG(112)로부터 방사된 광(113)은 제4 고조파 발생기(Fourth Harmonic Generator, FHG)(114)로 입력된다. FHG(114)는 광(113)의 일부의 주파수를 배가(파장을 반감)하도록 구성된다. 그래서, FHG(114)는 약 266 나노미터의 파장으로 소정 양의 광(115)을 방사한다. FHG(114)는 공진 공동 내에 BBO 결정체를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스원(120)은 퍼지 가스의 흐름(130A)을 습기 주입 시스템(140)에 공급한다. 일 예에 있어서, 습기 주입 시스템(140)으로의 퍼지 가스의 흐름(130A)은 약 50psi의 압력으로 깨끗한 건조 공기를 공급하는 퍼지 가스원(120)으로부터 분당 약 0.5 리터이다. 하나의 신규 양태에 있어서, 습기 주입 시스템(140)은 소정 양의 수증기를 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다. 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)은 BBO 결정체의 성능을 개선하도록 FHG(114)의 공진 공동에 공급된다.
도시된 실시형태에 있어서, 레이저 기반 조명 시스템(100)은 BBO 결정체를 포함한 공진 공동(예를 들면, FHG(114)의 공진 공동)을 이용하여 266 나노미터 파장 방사를 발생하도록 구성된다. 그러나, 일반적으로, 비선형 결정체 성능을 개선하기 위해 습기 주입 시스템을 이용하는 레이저 기반 조명 시스템은 200 밀리와트 이상의 평균 전력에 의해 180-355 나노미터 사이의 임의의 파장으로 방사를 발생할 수 있다.
도 2에 도시된 것처럼, 습윤성 흐름은 FHG(114)에 제공된다. 그러나, 일반적으로, 습윤성 흐름은 습윤성 퍼지 가스 흐름으로부터 이익을 갖는 비선형 결정체(예를 들면, BBO)를 포함한 레이저 기반 조명원(100)의 임의의 요소에 제공될 수 있다.
습윤성 퍼지 가스 흐름을 발생하기 위해, 습기 주입 시스템은 제어된 양의 수증기를 퍼지 가스 흐름에 주입하는 습기 주입기를 포함한다. 퍼지 가스 흐름에 수증기의 제어된 주입을 달성하기 위한 다수의 비제한적인 실시형태들이 설명된다.
도 3은 일 실시형태에 있어서 습기 주입기(210)의 예를 보인 도이다. 습기 주입기(210)는 소정 양의 물을 저장하는 고체 매질(213)을 포함한 저장소(210)를 포함한다. 비제한적인 예로서, 물 저장 매질(213)은 물에 의해 포화되는 염 또는 발포 재질일 수 있다. 도시된 실시형태에 있어서, 저장소(210)는 레이저 기반 조명 시스템(100)을 그 계획된 동작 수명(예를 들면, 20,000시간) 동안 동작시키도록 충분한 물을 저장하는 밀폐형 용기이다. 이 방식으로, 습윤성 퍼지 가스 흐름은 주기적인 물 교체 또는 수원(water source)에 대한 접속 없이 레이저 기반 조명 시스템(100)의 각 요소에 제공될 수 있다. 그러나, 일부 다른 실시형태에 있어서, 저장소(210)는 계속적인 물 공급에 의해 유지되거나 주기적인 교체 또는 보충을 받는 카트리지로서 구성될 수 있다.
도 3에 도시된 것처럼, 퍼지 가스 흐름(130A)은 방수성이지만 증기 투과성인 막(211)에 노출된 개구(212)를 통과한다. 건조 퍼지 가스 흐름(130A)이 개구(212)를 통과할 때, 소정 양의 수증기가 증기 투과성 막(211)을 통하여 확산하고 건조 퍼지 가스 흐름(130A)과 혼합하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다.
도 4는 다른 실시형태에서의 습기 주입기(220)의 예를 보인 도이다. 습기 주입기(220)는 소정 양의 응축수(221) 및 소정 양의 수증기(222)를 포함한 저장소(223)를 포함한다. 저장소(220)는 레이저 기반 조명 시스템(100)을 그 계획된 동작 수명(예를 들면, 20,000 시간) 동안 동작시키도록 충분한 물을 저장하는 밀폐형 용기이다. 이 방식으로, 습윤성 퍼지 가스 흐름은 주기적인 물 교체 또는 수원에 대한 접속 없이 레이저 기반 조명 시스템(100)의 각 요소에 제공될 수 있다. 그러나, 일부 다른 실시형태에 있어서, 저장소(220)는 계속적인 물 공급에 의해 유지되거나 주기적인 교체 또는 보충을 받도록 구성될 수 있다. 도 4에 도시된 것처럼, 건조 퍼지 가스 흐름(130A)은 저장소(223)로 전달되고 수증기(222)와 혼합하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다.
도 5는 다른 실시형태에서의 습기 주입기(230)의 예를 보인 도이다. 습기 주입기(230)는 건조 퍼지 가스 흐름(130A)을 통과시키는 증기 투과성 요소(231)를 포함한다. 일 예에 있어서, 증기 투과성 요소(231)는 길이가 약 3인치인 나피용(Nafion®) 재료로 구성된 튜브이다(나피용(Nafion®)은 E. I. du Pont de Nemours and Company의 등록상표이다). 주변 환경(232) 내의 수증기가 증기 투과성 요소(231)를 통해 확산하고 건조 퍼지 가스 흐름(130A)과 혼합하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다. 습기 주입기(230)는 수증기 소스로서 주변 환경(232) 내의 습도에 의존한다. 그 결과, 유지 필요조건이 최소화된다.
도 6은 다른 실시형태에서의 습기 주입기(240)의 예를 보인 도이다. 습기 주입기(240)는 소정 양의 응축수(242) 및 수증기(243)를 포함한 저장소(241)를 포함한다. 습기 주입기(240)는 또한, 도 5를 참조하여 설명한 것처럼, 건조 퍼지 가스 흐름(130A)을 통과시키는 증기 투과성 요소(244)를 포함한다. 그러나, 증기 투과성 요소(244)는 저장소(241) 내에 위치되고 수증기(243)에 노출된다. 수증기는 증기 투과성 요소(244)를 통해 확산하고 건조 퍼지 가스 흐름(130A)과 혼합하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다. 도 5를 참조하여 설명한 것처럼, 습기 주입기(230)는 수증기 소스로서 주변 환경(232) 내의 습도에 의존한다. 습기 주입기(240)는 상기 주변 환경(232)을 수증기를 포함한 저장소로 교체한 것이다. 일부 실시형태에 있어서, 수증기의 농도는 증기 투과성 요소(244)를 통한 더 균일한 확산율을 달성하도록 조절될 수 있다(예를 들면, 저장소(241)의 온도 및/또는 압력을 제어함으로써).
일 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 퍼지 가스원으로부터 비선형 결정체를 포함한 공진 공동까지의 단일 유동로에 습기 주입기(예를 들면, 임의의 습기 주입기(210, 220, 230, 240))를 포함한다.
그러나, 다른 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 적어도 2개의 유동로를 병렬로 포함한다. 적어도 하나의 유동로는 습기 주입기를 포함하고, 적어도 하나의 다른 유동로는 습기 주입을 포함하지 않는다. 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양은 적어도 부분적으로 습기 주입기를 포함한 하나 이상의 유동로와 습기 주입을 포함하지 않은 하나 이상의 유동로 사이에서의 상대적 유속에 의해 결정된다.
도 7은 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한 습기 주입 시스템(160)의 일 실시형태를 보인 도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(130A)은 습기 주입 시스템(160)에 들어가서 유동로(161)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(131)과 유동로(162)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(132A)으로 두 갈래로 나누어진다. 도시된 바와 같이, 유동로(162)는 습기 주입기(200)를 포함한다. 비제한적인 예로서, 습기 주입기(200)는 여기에서 설명하는 습기 주입기(210, 220, 230, 240) 중 임의의 것일 수 있다. 퍼지 가스 흐름(132A)은 습기 주입기(200)를 통과한다. 습기 주입기(200)는 소정 양의 수증기를 상기 퍼지 가스 흐름에 추가하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)을 발생한다. 이와 대조적으로, 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 퍼지 가스 흐름(131)과 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)은 습기 주입 시스템(160)에서 화합되어 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다. 양호한 실시형태에 있어서, 퍼지 가스 흐름(130B)은 입자 필터(163) 및 정화기(164)를 통과함으로써, 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)이 공진 공동(150)에 들어가기 전에 더욱 조절(condition)된다. 입자 필터(163)는 퍼지 가스 흐름에 누적되어 있을 수 있는 잠재적인 입자 오염물을 제거한다. 정화기(164)는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)에 누적되어 있을 수 있는 화학적 오염물(예를 들면, 탄화수소, 폴리머 등)을 제거한다. 특히, 나피용 튜브와 같은 증기 투과성 요소는 수증기뿐만 아니라 다른 증기도 또한 투과시킨다. 그러므로, 다른 바람직하지 않은 증기가 습기 주입기(200)에 의해 퍼지 가스 흐름에 주입될 수 있다. 정화기(164)는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)이 공진 공동(150)을 통해 유동되기 전에 이러한 바람직하지 않은 증기를 제거하도록 구성된다.
도 7에 도시된 것처럼, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은, 적어도 부분적으로, 유동로(161)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(131))과 유동로(162)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(132A)) 사이의 비율에 의존한다. 이미 설명한 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(132A)에는 수증기가 추가되고 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 그러므로, 퍼지 가스 흐름(132A)과 퍼지 가스 흐름(131) 간의 비율의 변화는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)의 수증기 양에 영향을 준다.
도시된 실시형태에 있어서, 습기 주입 시스템(160)은 유동로(161)에 하나의 유동 제어 밸브(165)를 포함하고 유동로(162)에 다른 하나의 유동 제어 밸브(166)를 포함한다. 유동 제어 밸브(165, 166)는 각각의 밸브를 통과하는 유동에 대하여 다소의 유효 저항을 제공하도록 조정 가능하다. 예를 들면, 폐쇄된 상태에서, 유동 제어 밸브는 어떠한 흐름도 통과하지 못하게 한다(즉, 무한 저항). 유동 저항 밸브가 개방된 때, 유동에 대한 저항은 감소되고, 그에 따라서 유동 제어 밸브를 통한 유동률이 밸브 양단의 주어진 압력차에 따라 증가한다. 이 방식으로, 유동 제어 밸브의 상태(예를 들면, 유동 제어 밸브를 통하는 개구의 크기)를 변경함으로써, 밸브를 통과하는 유동률을 제어할 수 있다. 도시된 실시형태에 있어서, 유동 제어 밸브(165)의 상태 및 유동 제어 밸브(166)의 상태는 습기 주입 시스템(160)을 통하는 유효 유동 저항을 결정한다. 그러므로, 유동 제어 밸브(165, 166)는 함께, 부분적으로, 습기 주입 시스템(160)을 통하는 총 유동량을 결정한다. 예를 들어서 만일 유동 제어 밸브(165, 166)가 폐쇄 상태 쪽으로 조정되면, 습기 주입 시스템(160)을 통하는 총 유동량이 감소하고, 만일 유동 제어 밸브(165, 166)가 개방 상태 쪽으로 조정되면, 습기 주입 시스템(160)을 통하는 총 유동량이 증가한다. 그러나, 만일 유동 제어 밸브(165, 166)의 상태가 서로 반대되게 조정되면, 유동로(161)와 유동로(162)를 통하는 유동률이 달라진다. 따라서, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은 유동 제어 밸브(165)의 상태를 유동 제어 밸브(166)의 상태와 반대되게 변경함으로써 조정된다. 예를 들면, 습윤성 퍼지 가스(130B)의 유동률이 고정된 경우에, 만일 더 많은 습기가 필요하면, 유동 제어 밸브(166)는 더 많이 개방되는 상태로 조정되고 유동 제어 밸브(165)는 더 많이 폐쇄되는 상태로 조정된다.
도 8은 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한 습기 주입 시스템(170)의 다른 실시형태를 보인 도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 습기 주입 시스템(170)은 도 7을 참조하여 설명한 것과 유사한 동일 참조부호의 요소들을 포함한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(130A)은 습기 주입 시스템(170)에 들어가서 유동로(161)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(131)과 유동로(162)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(132A)으로 두 갈래로 나누어진다. 도시된 바와 같이, 유동로(162)는 습기 주입기(200)를 포함한다. 비제한적인 예로서, 습기 주입기(200)는 여기에서 설명하는 습기 주입기(210, 220, 230, 240) 중 임의의 것일 수 있다. 퍼지 가스 흐름(132A)은 습기 주입기(200)를 통과한다. 습기 주입기(200)는 소정 양의 수증기를 상기 퍼지 가스 흐름에 추가하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)을 발생한다. 이와 대조적으로, 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 퍼지 가스 흐름(131)과 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)은 습기 주입 시스템(170)에서 화합되어 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다.
도 8에 도시된 것처럼, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은, 적어도 부분적으로, 유동로(161)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(131))과 유동로(162)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(132A)) 사이의 비율에 의존한다. 이미 설명한 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(132A)에는 수증기가 추가되고 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 그러므로, 퍼지 가스 흐름(132A)과 퍼지 가스 흐름(131) 간의 비율의 변화는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)의 수증기 양에 영향을 준다.
도시된 실시형태에 있어서, 습기 주입 시스템(170)은 유입되는 퍼지 가스 흐름(130A)의 경로에 설치된 유동 제어 밸브(175) 및 유동로(162)에 설치된 유동 제어 밸브(176)를 포함한다. 유동 제어 밸브(175)의 상태는, 부분적으로, 습기 주입 시스템(170)을 통과하는 총 유동량을 결정한다. 유동 제어 밸브(176)의 상태는 유동로(161)를 통하는 흐름과 유동로(162)를 통하는 흐름의 비율을 결정한다. 따라서, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은 유동 제어 밸브(176)의 상태를 변경함으로써 조정된다. 비록 도시된 바와 같이 유동 제어 밸브(176)가 습기 주입기(200)를 포함한 유동로(162)에 위치하고 있지만, 유동 제어 밸브(176)는 유동로(161)에 위치하여도 좋다.
도 9는 적어도 2개의 병렬 유동로를 포함한 습기 주입 시스템(180)의 또 다른 실시형태를 보인 도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 습기 주입 시스템(180)은 도 7을 참조하여 설명한 것과 유사한 동일 참조부호의 요소들을 포함한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(130A)은 습기 주입 시스템(180)에 들어가서 유동로(161)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(131)과 유동로(162)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(132A)으로 두 갈래로 나누어진다. 도시된 바와 같이, 유동로(162)는 습기 주입기(200)를 포함한다. 비제한적인 예로서, 습기 주입기(200)는 여기에서 설명하는 습기 주입기(210, 220, 230, 240) 중 임의의 것일 수 있다. 퍼지 가스 흐름(132A)은 습기 주입기(200)를 통과한다. 습기 주입기(200)는 소정 양의 수증기를 상기 퍼지 가스 흐름에 추가하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)을 발생한다. 이와 대조적으로, 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 퍼지 가스 흐름(131)과 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)은 습기 주입 시스템(180)에서 화합되어 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다.
도 9에 도시된 것처럼, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은, 적어도 부분적으로, 유동로(161)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(131))과 유동로(162)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(132A)) 사이의 비율에 의존한다. 이미 설명한 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(132A)에는 수증기가 추가되고 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 그러므로, 퍼지 가스 흐름(132A)과 퍼지 가스 흐름(131) 간의 비율의 변화는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)의 수증기 양에 영향을 준다.
도시된 실시형태에 있어서, 습기 주입 시스템(180)은 유입되는 퍼지 가스 흐름(130A)의 경로에 직경이 D1인 오리피스(185)를, 유동로(161)에 직경이 D2인 오리피스(187)를, 및 유동로(162)에 유동 제어 밸브(186)를 포함한다. 유동 제어 밸브(186)의 상태는, 부분적으로, 유동로(161)를 통하는 흐름과 유동로(162)를 통하는 흐름의 비율을 결정한다. 따라서, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은 유동 제어 밸브(186)의 상태를 변경함으로써 조정된다. 오리피스(187)의 직경(D2)은 오리피스(185)의 직경(D1)보다 더 크다. 이 방식으로 오리피스(185)는 습기 주입 시스템(180)을 통과하는 총 유동량을 조절한다. 오리피스(187)의 직경(D2)은, 유동 제어 밸브(186)의 상태가 유동로(161)를 통하는 흐름과 유동로(162)를 통하는 흐름의 비율에 상당한 영향을 주도록, 대략 유동 제어 밸브(186) 정도의 유효 저항을 발생하도록 선택된다. 일 예에 있어서, D2는 약 5/1000 인치이고 D1은 약 10/1000 인치이다. 비록 도시된 바와 같이 유동 제어 밸브(186)가 습기 주입기(200)를 포함한 유동로(162)에 위치하고 있지만, 유동 제어 밸브(186)를 유동로(161)에 위치시키고 오리피스(187)를 유동로(162)에 위치시켜도 좋다.
일 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 수동으로 제어된다. 다시 말해서, 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양은 시간에 맞춰 고정 상태로 유지되는 시스템의 요소(예를 들면, 유속, 확산율, 밸브 세팅 등)에 의해 지시된다. 일부 예에 있어서, 일부 요소(예를 들면, 밸브 세팅 또는 오리피스 크기)는 원하는 성능을 달성하기 위해 손으로 조율될 수 있다.
그러나, 다른 양태에 있어서, 습기 주입 시스템은 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기의 양을 조절하도록 자동으로 제어되는 적어도 하나의 능동 요소를 포함한다.
도 10은 퍼지 가스 흐름에 추가되는 수증기 양의 자동 제어를 포함한 습기 주입 시스템(190)의 양호한 실시형태를 보인 도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 습기 주입 시스템(190)은 도 7 및 도 9를 참조하여 설명한 것과 유사한 동일 참조부호의 요소들을 포함한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(130A)은 습기 주입 시스템(190)에 들어가서 유동로(161)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(131)과 유동로(162)를 통하여 흐르는 퍼지 가스 흐름(132A)으로 두 갈래로 나누어진다. 도시된 바와 같이, 유동로(162)는 습기 주입기(200)를 포함한다. 비제한적인 예로서, 습기 주입기(200)는 여기에서 설명하는 습기 주입기(210, 220, 230, 240) 중 임의의 것일 수 있다. 퍼지 가스 흐름(132A)은 습기 주입기(200)를 통과한다. 습기 주입기(200)는 소정 양의 수증기를 상기 퍼지 가스 흐름에 추가하여 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)을 발생한다. 이와 대조적으로, 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 퍼지 가스 흐름(131)과 습윤성 퍼지 가스 흐름(132B)은 습기 주입 시스템(190)에서 화합되어 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)을 발생한다.
도 10에 도시된 것처럼, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은, 적어도 부분적으로, 유동로(161)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(131))과 유동로(162)를 통해 흐르는 퍼지 가스 흐름(130A) 부분(즉, 퍼지 가스 흐름(132A)) 사이의 비율에 의존한다. 이미 설명한 바와 같이, 퍼지 가스 흐름(132A)에는 수증기가 추가되고 퍼지 가스 흐름(131)에는 수증기가 추가되지 않는다. 그러므로, 퍼지 가스 흐름(132A)과 퍼지 가스 흐름(131) 간의 비율의 변화는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)의 수증기 양에 영향을 준다. 도시된 실시형태에 있어서, 유동 제어 밸브(186)의 상태는, 부분적으로, 유동로(161)를 통하는 흐름과 유동로(162)를 통하는 흐름의 비율을 결정한다. 따라서, 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양은 유동 제어 밸브(186)의 상태를 변경함으로써 조정된다.
하나의 추가적인 양태에 있어서, 유동 제어 밸브(186)의 상태는 공진 공동(150) 내의 습도 측정치에 기초하여 조정된다. 도 10에 도시된 것처럼, 공진 공동(150) 내에 습도 센서(198)가 설치되어 있다. 습도 센서(198)는 공진 공동(150) 내의 수증기의 양을 표시하는 신호(191)를 발생한다. 신호(191)는 컴퓨팅 시스템(250)에 전달된다. 컴퓨팅 시스템(250)은 신호(191)를 수신하고, 상기 측정된 습도에 기초하여 제어 신호(192)를 발생하도록 구성된다. 제어 신호(192)는 드라이버(260)(예를 들면, 증폭기)에 전달되고, 상기 드라이버(260)는 상기 제어 신호(192)를 유동 제어 밸브(186)의 트랜스듀서를 구동하기에 충분한 전력을 가진 제어 신호(193)로 변환한다. 제어 신호(193)는 유동 제어 밸브(186)에 전달된다. 상기 트랜스듀서(예를 들면, 피에조 스택, 솔레노이드 등)는 제어 신호(193)를 수신하고, 상기 제어 신호(193)에 응답하여 유동 제어 밸브(186)의 상태를 변경한다. 이 방식으로, 습기 주입 시스템(190)에 의해 퍼지 가스 흐름(130A)에 주입되는 수증기의 양이 공진 공동(150) 내의 습도 측정치에 기초하여 변경된다.
도 11을 참조하면, 컴퓨팅 시스템(250)은 프로세서(251)와 소정 양의 컴퓨터 판독가능 메모리(252)를 포함한다. 도 10에 도시된 것처럼, 일례로서, 습기 주입 시스템(190)이 프로세서(251)와 메모리(252)를 포함하고 있지만, 프로세서(251)와 메모리(252)는 레이저 기반 조명원(100)의 다른 컴포넌트에 포함되어도 좋다. 프로세서(251)와 메모리(252)는 버스(253)를 통해 통신할 수 있다. 메모리(252)는 프로세서(251)에 의해 실행될 때 프로세서(251)로 하여금 공진 공동(150)을 통과하는 습윤성 퍼지 가스 흐름(130B)의 습도 측정치에 기초하여 퍼지 가스(130A)에 주입되는 수증기의 양을 조정하게 하는 프로그램 코드를 저장하는 소정 양의 메모리(254)를 포함한다. 일 예에 있어서, 퍼지 가스(130A)에 주입되는 수증기의 양은 수증기 주입을 포함한 유동로를 통하는 흐름과 수증기 주입을 포함하지 않은 유동로를 통하는 흐름 사이의 비율을 변경함으로써 조정된다.
습기 주입 시스템(160, 170, 180, 190)은 비제한적인 예로서 제공된다. 비선형 결정체를 포함한 공진 공동을 통하여 유동되는 퍼지 가스에 제어된 양의 수증기를 도입하기에 적당한 많은 다른 구성도 예상할 수 있다.
도 12는 공진 공동에서의 비선형 결정체 성능을 개선하는데 유용한 예시적인 방법(300)을 보인 흐름도이다. 블록 301에서, 습윤성 퍼지 가스는 BBO 결정체를 포함한 공진 공동을 통하여 유동된다.
도 13은 공진 공동에서의 비선형 결정체 성능을 개선하는데 유용한 예시적인 방법(400)을 보인 흐름도이다.
블록 401에서, 바륨 보레이트 결정체를 포함한 레이저 기반 조명원의 공진 공동을 통하여 흐르는 습윤성 퍼지 가스 흐름 내의 수증기 양이 측정된다.
블록 402에서, 퍼지 가스 흐름의 제1 부분이 습기 주입기를 포함한 제1 유동로를 통하도록 지향된다.
블록 403에서, 퍼지 가스 흐름의 제2 부분이 제2 유동로를 통하도록 지향된다.
블록 404에서, 유동 제어 밸브의 상태가 적어도 부분적으로 상기 측정된 수증기 양에 기초하여 조정된다. 퍼지 가스 흐름의 제1 부분과 퍼지 가스 흐름의 제2 부분 사이의 비율은 상기 유동 제어 밸브의 상태에 의해 결정된다.
블록 405에서, 상기 퍼지 가스 흐름의 제1 부분과 퍼지 가스 흐름의 제2 부분이 화합되어 상기 공진 공동을 통하는 습윤성 퍼지 가스 흐름을 발생한다.
일반적으로, 습기 주입 시스템은 레이저 기반 조명 시스템의 일부로서 구성될 수 있다. 조명 시스템의 다른 중요한 광학 부품들이 미량(예를 들면, 약 2-10 ppm)의 물을 포함한 깨끗한 건조 퍼지 가스로 정화될 수 있지만, 비선형 결정체를 포함한 공동 공진(예를 들면, BBO 결정체를 가진 FHG)는 습윤성 퍼지 가스(예를 들면, 50-5000ppm)로 정화될 수 있다.
시료를 처리하기 위해 사용할 수 있는 반도체 처리 시스템(예를 들면, 검사 시스템)의 각종 실시형태를 여기에서 설명하였다. 용어 "시료"는 여기에서 웨이퍼, 레티클, 또는 업계에 공지된 수단에 의해 처리(예를 들면, 결함에 대한 인쇄 또는 검사)될 수 있는 임의의 다른 샘플을 지칭하는 것으로 사용된다.
여기에서 사용하는 용어 "웨이퍼"는 일반적으로 반도체 또는 비반도체 재료로 형성된 기판을 말한다. 그 비제한적인 예로는 단결정 실리콘, 비화갈륨 및 인화인듐이 있다. 이러한 기판은 반도체 제조 설비에서 일반적으로 발견 및/또는 처리될 수 있다. 일부 경우에, 웨이퍼는 기판(즉, 베어 웨이퍼)만을 포함할 수 있다. 대안적으로, 웨이퍼는 기판 위에 형성된 하나 이상의 다른 물질 층을 포함할 수 있다. 웨이퍼에 형성되는 하나 이상의 층들은 "패턴화" 또는 "비패턴화"될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼는 반복성 패턴 특징들을 구비한 복수의 다이를 포함할 수 있다.
"레티클"은 레티클 제조 공정 중의 임의 단계에서의 레티클, 또는 반도체 제조 설비에서 사용하기 위해 방출되었거나 방출되지 않은 완성된 레티클일 수 있다. 레티클 또는 "마스크"는 일반적으로 그 위에 형성되고 소정의 패턴으로 구성된 실질적으로 불투명한 영역이 있는 실질적으로 투명한 기판으로서 정의된다. 기판은 예를 들면 석영과 같은 유리 물질을 포함할 수 있다. 레티클은 레티클 위의 패턴이 레지스트에 전사될 수 있도록 리소그래피 공정의 노출 단계 중에 레지스트 피복 웨이퍼 위에 배치될 수 있다.
웨이퍼 위에 형성된 하나 이상의 층은 패턴화 또는 비패턴화될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼는 각각 반복성 패턴 특징을 가진 복수의 다이를 포함할 수 있다. 이러한 물질 층의 형성 및 처리는 궁극적으로 완성된 소자로 나타날 수 있다. 많은 상이한 유형의 소자들이 웨이퍼에 형성될 수 있고, 여기에서 사용하는 용어 웨이퍼는 업계에 공지된 임의 유형의 소자가 제조되는 웨이퍼를 포함하는 것으로 의도된다.
하나 이상의 예시적인 실시형태에 있어서, 여기에서 설명한 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 또는 이들의 임의 조합으로 구현될 수 있다. 소프트웨어로 구현되는 경우, 상기 기능들은 하나 이상의 명령어 또는 코드로서 컴퓨터 판독가능 매체에 저장되거나 컴퓨터 판독가능 매체를 통해 전송될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는 컴퓨터 기억 매체, 및 하나의 장소로부터 다른 장소로 컴퓨터 프로그램을 전달할 수 있는 임의의 매체를 포함한 통신 매체 둘 다를 포함한다. 기억 매체는 범용 또는 특수 용도 컴퓨터에 의해 접근될 수 있는 임의의 이용 가능한 매체일 수 있다. 비제한적인 예로서, 이러한 컴퓨터 판독가능 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 스토리지, 자기 디스크 스토리지 또는 다른 자기 기억 장치, 또는 원하는 프로그램 코드 수단을 명령어 또는 데이터 구조의 형태로 운반 또는 저장하기 위해 사용할 수 있고 범용 또는 특수 용도 컴퓨터, 또는 범용 또는 특수 용도 프로세서에 의해 접근될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 또한, 임의의 접속을 적절히 컴퓨터 판독가능 매체라고 부른다. 예를 들어서, 만일 소프트웨어가 웹사이트, 서버, 또는 동축 케이블, 광섬유 케이블, 트위스트 페어, 디지털 가입자 선로(DSL), 또는 적외선, 라디오 및 마이크로파와 같은 무선 기술을 이용하는 다른 원격 소스로부터 전송되면, 상기 동축 케이블, 광섬유 케이블, 트위스트 페어, DSL, 또는 적외선, 라디오 및 마이크로파와 같은 무선 기술은 매체의 정의에 포함된다. 여기에서 사용하는 용어 디스크(disc) 및 원판(disk)은 컴팩트 디스크(CD), 레이저 디스크, 광디스크, 디지털 다기능 디스크(DVD), 플로피 원판 및 블루레이 디스크를 포함하고, 여기에서 원판은 일반적으로 데이터를 자기적으로 재생하고, 디스크는 데이터를 레이저에 의해 광학적으로 재생한다. 상기의 것의 임의 조합도 또한 컴퓨터 판독가능 매체의 범위에 포함되어야 한다.
비록 지금까지 본 발명의 특정 실시형태를 교육 목적으로 설명하였지만, 이 특허 명세서의 교시는 일반적인 응용성을 가지며 위에서 설명한 특정 실시형태로 제한되는 것이 아니다. 따라서, 여기에서 설명한 실시형태의 각종 수정, 개작 및 각종 특징들의 조합이 특허 청구범위에서 규정하는 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 실시될 수 있다.

Claims (20)

  1. 레이저 기반 조명 시스템에 있어서,
    비선형 결정체(nonlinear crystal)를 포함하는 공진 공동(resonant cavity)으로서, 공진 공동을 통한 습윤성(humidified) 퍼지 가스의 흐름에 의해 냉각되도록 구성된 공진 공동과;
    상기 공진 공동을 향해 지향된 퍼지 가스의 흐름에 소정 양의 수증기를 주입함으로써 상기 습윤성 퍼지 가스의 흐름을 발생하도록 구성된 습기 주입 시스템
    을 포함하는 레이저 기반 조명 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습윤성 퍼지 가스의 흐름 내의 물의 양은, 50 백만분율 내지 5,000 백만분율 사이인 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 습윤성 퍼지 가스의 흐름 내의 물의 양은, 200 백만분율 내지 2,000 백만분율 사이인 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 습기 주입 시스템은 자기 내포 물 공급 능력이 있는 습기 주입기를 포함한 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 습기 주입 시스템은 퍼지 가스 흐름의 제1 부분을 제1 유동로를 통하도록 그리고 퍼지 가스 흐름의 제2 부분을 제2 유동로를 통하도록 지향시키게끔 구성되고, 상기 습기 주입 시스템은,
    상기 제1 유동로에 설치된 습기 주입기와;
    퍼지 가스 흐름의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 비율을 결정하는 제1 유동 제어 밸브를 포함한 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 습기 주입 시스템은 또한, 상기 제1 유동 제어 밸브와 함께 상기 습기 주입 시스템을 통하는 퍼지 가스 흐름의 유속을 결정하는 제2 유동 제어 밸브를 포함한 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  7. 제5항에 있어서, 상기 습기 주입 시스템은 또한,
    상기 공진 공동을 통하는 습윤성 퍼지 가스의 흐름에서 수증기의 양을 표시하는 측정 신호를 발생하도록 구성된 습도 센서와;
    상기 측정 신호를 수신하고, 상기 측정 신호에 적어도 부분적으로 기초하여 제1 제어 신호를 결정하도록 동작가능한 컴퓨팅 시스템과;
    상기 제1 제어 신호를 수신하고 제2 제어 신호를 발생하도록 구성된 드라이버를 포함하고, 상기 제1 유동 제어 밸브는 상기 제2 제어 신호를 수신하고 상기 제2 제어 신호에 응답하여 퍼지 가스 흐름의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 비율을 조정하도록 상태를 변경하는 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 습기 주입 시스템은 또한, 상기 제1 유동 제어 밸브와 함께 상기 습기 주입 시스템을 통하는 퍼지 가스 흐름의 유속을 결정하는 제2 유동 제어 밸브를 포함한 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공진 공동은 상기 레이저 기반 조명 시스템의 제4 고조파 발생기인 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 레이저 기반 조명 시스템의 제4 고조파 발생기는 10 밀리와트보다 큰 평균 전력으로 180-355 나노미터의 파장 범위에서 소정 양의 조명을 발생하도록 구성된 것인 레이저 기반 조명 시스템.
  11. 방법에 있어서,
    레이저 기반 조명원의 공진 공동 - 상기 공진 공동은 비선형 결정체를 포함한 것임 - 을 통하여 습윤성 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 공진 공동을 통하여 습윤성 퍼지 가스를 유동시키는 단계는, 상기 공진 공동을 향해 지향된 퍼지 가스 흐름에 소정 양의 수증기를 주입하는 단계를 수반한 것인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 퍼지 가스 흐름에 소정 양의 수증기를 주입하는 단계는,
    습기 주입기를 포함한 제1 유동로를 통하도록 상기 퍼지 가스 흐름의 제1 부분을 지향시키는 단계와;
    제2 유동로를 통하도록 상기 퍼지 가스 흐름의 제2 부분을 지향시키는 단계와;
    상기 퍼지 가스 흐름의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 비율을 결정하는 단계와;
    습윤성 퍼지 가스 흐름을 발생하기 위해 상기 퍼지 가스 흐름의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 화합시키는(combining) 단계를 수반한 것인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 퍼지 가스 흐름의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 비율을 결정하는 단계는,
    상기 공진 공동 내의 습도를 측정하는 단계와;
    상기 측정된 습도에 적어도 부분적으로 기초하여 유동 제어 밸브의 상태를 결정하는 단계를 수반하고, 상기 퍼지 가스 흐름의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 비율은 상기 유동 제어 밸브의 상태에 기초를 둔 것인 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 습윤성 퍼지 가스는 200 백만분율 내지 2,000 백만분율 사이의 물을 포함한 것인 방법.
  16. 장치에 있어서,
    레이저 기반 조명 시스템의 공진 공동을 통하는 습윤성 퍼지 가스의 흐름에서 수증기의 양을 표시하는 측정 신호를 발생하도록 구성된 습도 센서와;
    상기 측정 신호를 수신하고, 상기 측정 신호에 적어도 부분적으로 기초하여 제어 신호를 발생하도록 동작가능한 컴퓨팅 시스템과;
    상기 제어 신호에 응답하여 상기 습윤성 퍼지 가스 흐름 내의 수증기 양을 조정하도록 구성된 유동 제어 밸브를 포함한 장치.
  17. 제16항에 있어서, 습기 주입기를 더 포함하고, 상기 유동 제어 밸브는 상기 습기 주입기를 통과하는 퍼지 가스 흐름을 조정하는 것인 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    습기 주입기를 포함한 제1 유동로와;
    제2 유동로를 더 포함하고, 상기 유동 제어 밸브는 상기 제1 유동로를 통과하는 퍼지 가스의 제1 흐름과 상기 제2 유동로를 통과하는 퍼지 가스의 제2 흐름 사이의 비율을 결정하는 것이고, 상기 습윤성 퍼지 가스의 흐름은 퍼지 가스의 제1 흐름 및 제2 흐름을 포함한 것인 장치.
  19. 제16항에 있어서, 상기 습윤성 퍼지 가스의 흐름은 200 백만분율 내지 2,000 백만분율 사이의 물을 포함한 것인 장치.
  20. 제16항에 있어서, 상기 공진 공동은 바륨 보레이트 비선형 결정체를 포함한 레이저 기반 조명 시스템의 제4 고조파 발생기인 것인 장치.
KR1020157016703A 2012-11-29 2013-11-25 비선형 결정체 성능 개선을 위한 공진 공동 조절 KR102162371B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261731421P 2012-11-29 2012-11-29
US61/731,421 2012-11-29
US13/835,403 2013-03-15
US13/835,403 US9116445B2 (en) 2012-11-29 2013-03-15 Resonant cavity conditioning for improved nonlinear crystal performance
PCT/US2013/071722 WO2014085339A1 (en) 2012-11-29 2013-11-25 Resonant cavity conditioning for improved nonlinear crystal performance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150090160A true KR20150090160A (ko) 2015-08-05
KR102162371B1 KR102162371B1 (ko) 2020-10-06

Family

ID=50773269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157016703A KR102162371B1 (ko) 2012-11-29 2013-11-25 비선형 결정체 성능 개선을 위한 공진 공동 조절

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9116445B2 (ko)
JP (1) JP6373858B2 (ko)
KR (1) KR102162371B1 (ko)
TW (1) TWI582410B (ko)
WO (1) WO2014085339A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104630891B (zh) * 2015-02-12 2017-04-05 中国科学院福建物质结构研究所 一种红外非线性光学单晶体硫碲铟钡
JP2021536594A (ja) * 2018-08-27 2021-12-27 ケーエルエー コーポレイション 光学システム内の保護剤としての蒸気及び寿命延長装置
US11624904B2 (en) * 2019-08-06 2023-04-11 Kla Corporation Vapor as a protectant and lifetime extender in optical systems
JP6606589B1 (ja) 2018-09-18 2019-11-13 レーザーテック株式会社 波長変換装置、及び波長変換方法
WO2020136718A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 日揮グローバル株式会社 非炭化水素ガス分離装置及び無機分離膜の再生方法
US11581692B2 (en) 2019-06-18 2023-02-14 KLA Corp. Controlling pressure in a cavity of a light source
EP4330768A1 (en) * 2021-04-26 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
EP4170421A1 (en) * 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347234A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Sony Corp 紫外線光学装置
JP2004219878A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Orc Mfg Co Ltd 波長変換レーザー装置
JP2011233573A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Canon Inc 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法、並びに気体供給装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09275054A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Nikon Corp 半導体製造装置
US6914926B2 (en) 2000-08-31 2005-07-05 The Regents Of The University Of California High average power laser gain medium with low optical distortion using a transverse flowing liquid host
US6697391B2 (en) * 2002-03-28 2004-02-24 Lightwave Electronics Intracavity resonantly enhanced fourth-harmonic generation using uncoated brewster surfaces
JP2003295241A (ja) * 2002-04-05 2003-10-15 Megaopto Co Ltd レーザ装置用保持箱及びレーザシステム
US6671303B1 (en) * 2002-06-10 2003-12-30 Coherent, Inc. Closed-loop purging system for laser
JP2004317566A (ja) 2003-04-11 2004-11-11 Orc Mfg Co Ltd レーザ装置及びレーザ波長変換装置
US20060285091A1 (en) * 2003-07-21 2006-12-21 Parekh Bipin S Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application
CN101189766A (zh) 2005-06-02 2008-05-28 三菱电机株式会社 固体激光装置
TWI324423B (en) * 2005-11-01 2010-05-01 Cymer Inc Laser system
JP2007157837A (ja) 2005-12-01 2007-06-21 Fanuc Ltd レーザ装置
ATE510332T1 (de) 2007-03-27 2011-06-15 Photomedex Inc Verfahren und vorrichtung für den effizienten betrieb eines gasentladungsexcimerlasers
WO2010075254A2 (en) 2008-12-22 2010-07-01 Ams Research Corporation Laser resonator

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347234A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Sony Corp 紫外線光学装置
JP2004219878A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Orc Mfg Co Ltd 波長変換レーザー装置
JP2011233573A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Canon Inc 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法、並びに気体供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201421012A (zh) 2014-06-01
JP6373858B2 (ja) 2018-08-15
JP2015536487A (ja) 2015-12-21
KR102162371B1 (ko) 2020-10-06
TWI582410B (zh) 2017-05-11
US20140146838A1 (en) 2014-05-29
WO2014085339A1 (en) 2014-06-05
US9116445B2 (en) 2015-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150090160A (ko) 비선형 결정체 성능 개선을 위한 공진 공동 조절
US7224435B2 (en) Using isotopically specified fluids as optical elements
KR102269160B1 (ko) 비선형 광학 결정의 패시베이션
US7602471B2 (en) Apparatus and method for particle monitoring in immersion lithography
TW201235801A (en) Exposure system and device production method
KR20010089431A (ko) 광학장치와 노광장치 및 레이저광원, 가스 공급방법,노광방법, 디바이스의 제조방법
US7961378B2 (en) Wavelength conversion light source apparatus and wavelength conversion method
JP2003228163A (ja) 不活性ガス置換方法及び装置、露光装置、レチクル保管庫、レチクル検査装置、レチクル搬送ボックス、デバイスの製造方法
KR20070082545A (ko) 노광장치, 노광방법 및 노광시스템
US7402362B2 (en) Method and system for reducing and monitoring precipitated defects on masking reticles
JPH09283401A (ja) 露光装置
US11624904B2 (en) Vapor as a protectant and lifetime extender in optical systems
JPH09275054A (ja) 半導体製造装置
JP2024096694A (ja) 光学システム及び方法
JP2006506804A (ja) 光学レンズをパージする方法
TWI807089B (zh) 蒸氣作為光學系統中之保護劑及生命延長劑
US20070268467A1 (en) Exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2003163159A (ja) パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP3848437B2 (ja) 環境試験装置
JP2008298832A (ja) 波長変換装置、マスク検査装置
KR20060080717A (ko) 다수 개의 노광 장치를 갖는 반도체 제조 설비
JP2005166961A (ja) 不活性ガスパージ方法、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス
JPWO2004006309A1 (ja) 露光方法及び露光装置
JP2005057075A (ja) 光学装置
JP2003037040A (ja) 光学装置及びそれを有する露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant