KR20150087295A - 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법 - Google Patents

마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150087295A
KR20150087295A KR1020157015807A KR20157015807A KR20150087295A KR 20150087295 A KR20150087295 A KR 20150087295A KR 1020157015807 A KR1020157015807 A KR 1020157015807A KR 20157015807 A KR20157015807 A KR 20157015807A KR 20150087295 A KR20150087295 A KR 20150087295A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
thin film
glass substrate
mask blank
transfer
Prior art date
Application number
KR1020157015807A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102205778B1 (ko
Inventor
히로아키 시시도
아츠시 고미나토
오사무 노자와
도시하루 기쿠치
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20150087295A publication Critical patent/KR20150087295A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102205778B1 publication Critical patent/KR102205778B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

본 발명은 평탄도가 악화하는 것을 억제한 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법, 및 이 전사용 마스크를 이용한 반도체 디바이스의 제조방법을 제공한다. 유리 기판의 주표면상에 박막을 구비하는 마스크 블랭크로서, 상기 유리 기판은 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만이고, 상기 박막은 탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 상기 유리 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법{MASK BLANK, TRANSFER MASK, METHOD FOR PRODUCING MASK BLANK, METHOD FOR PRODUCING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 저응력의 박막을 구비한 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 박막의 응력의 경시(經時)변화를 저감시킨 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 또, 이 전사용 마스크를 이용한 반도체 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치의 제조 공정에서는 포토리소그래피법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 실시되고 있다. 또, 이 미세 패턴의 형성에는 통상 몇 장의 전사용 마스크로 불리고 있는 기판이 사용된다. 이 전사용 마스크는 일반적으로 투광성의 유리 기판상에 금속 박막 등으로 이루어지는 미세 패턴을 설치한 것이며, 이 전사용 마스크의 제조에 있어서도 포토리소그래피법이 이용되고 있다.
포토리소그래피법에 의한 전사용 마스크의 제조에는, 유리 기판 등의 투광성 기판상에 전사 패턴(마스크 패턴)을 형성하기 위한 박막(예를 들어 차광막 등)을 갖는 마스크 블랭크가 이용된다. 이 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 공정은 마스크 블랭크상에 형성된 레지스트막에 대해 원하는 패턴 묘화를 실시하는 노광 공정과, 원하는 패턴 묘화에 따라 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 레지스트 패턴에 따라 상기 박막을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 포함한다. 상기 현상 공정에서는 마스크 블랭크상에 형성된 레지스트막에 대해 원하는 패턴을 묘화한다(노광). 다음으로 그 레지스트막에 현상액을 공급하여 현상액에 가용인 레지스트막의 부위를 용해시킨다. 이에 따라, 레지스트막에 레지스트 패턴을 형성한다. 상기 에칭 공정에서는 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해 박막의 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부위, 즉 박막이 노출된 부위를 용해시킨다. 이에 따라, 원하는 마스크 패턴을 투광성 기판상에 형성한다. 이와 같이 하여 전사용 마스크가 완성된다.
반도체 장치의 패턴을 미세화함에 있어서는 전사용 마스크에 형성되는 마스크 패턴의 미세화에 더하여, 포토리소그래피에서 사용되는 노광 광원 파장의 단파장화가 필요하다. 반도체 장치 제조 시의 노광 광원으로는, 최근에는 KrF 엑시머 레이저(파장 248㎚)에서 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)로 단파장화가 진행되고 있다.
전사용 마스크로는 투광성 기판상에 크롬계 재료로 이루어지는 차광막 패턴을 갖는 바이너리 마스크가 이전부터 알려져 있다.
최근에는 몰리브덴 실리사이드 화합물을 포함하는 재료(MoSi계 재료)를 차광막으로서 이용한 ArF 엑시머 레이저용의 바이너리 마스크 등도 출현하고 있다(특허문헌 1). 또, 탄탈 화합물을 포함하는 재료(탄탈계 재료)를 차광막으로서 이용한 ArF 엑시머 레이저용의 바이너리 마스크 등도 출현하고 있다(특허문헌 2). 특허문헌 3에는 탄탈, 니오브 및 바나듐 중 적어도 2개를 포함하는 금속을 이용한 차광막으로 이루어지는 포토 마스크에 대해, 산 세정이나 수소 플라스마에 의한 세정을 실시한 경우, 차광막이 수소취성화하여 차광막이 변형하는 일이 있다고 기재되어 있다. 그 해결 수단으로서, 차광막에 패턴을 형성한 후 차광막의 상면이나 측면을 기밀하게 덮는 수소 저지막을 형성하는 것이 기재되어 있다.
한편, 특허문헌 4에서는 엑시머 레이저용 합성석영 유리 기판 및 그 제조방법에 관해 기재되어 있다. 여기에서는, 합성석영 유리에 대해 엑시머 레이저광, 특히 ArF 엑시머 레이저광이 조사되었을 때, 유리 내부의 Si-O-Si의 결합이 레이저광의 강한 에너지에 의해 개열(開裂)하여 E´센터(E프라임 센터)로 불리는 상자성 결함이 생성됨으로써 215㎚ 파장대에서 흡수역(吸收域)이 생겨 버리고, 그 결과 ArF 엑시머 레이저광에 대한 투과율의 저하를 초래하는 것이 나타내어져 있다. 또, 합성석영 유리 중의 수소 분자 농도를 어느 레벨 이상으로 함으로써 이 상자성 결함의 발생을 저감할 수 있는 것이 개시되어 있다.
일본국 특개 2006-78807호 공보 일본국 특개 2009-230112호 공보 일본국 특개 2010-192503호 공보 일본국 특개 2008-63181호 공보
최근, 전사용 마스크에 대한 패턴 위치 정밀도의 요구 레벨이 특히 엄격해지고 있다. 높은 패턴 위치 정밀도를 실현하기 위한 하나의 요소로서, 전사용 마스크를 제작하기 위한 원판이 되는 마스크 블랭크의 평탄도를 향상시키는 것이 있다. 마스크 블랭크의 평탄도를 향상시키려면, 우선 유리 기판의 박막을 형성하는 측의 주표면의 평탄도를 향상시킬 필요가 있다. 마스크 블랭크를 제조하기 위한 유리 기판은 특허문헌 4에 기재한 바와 같은 유리 잉곳을 제조하고, 유리 기판의 형상으로 잘라냄으로써 제조된다. 잘라낸 직후의 유리 기판은 주표면의 평탄도가 나쁘고, 표면 상태도 조면이다. 이 때문에, 유리 기판에 대해 복수 단계의 연삭 및 연마를 실시하여 높은 평탄도이고 양호한 표면 거칠기(경면)로 마무리한다. 또 연마지립을 이용한 연마 공정 후에는 불산 용액이나 규불산 용액을 포함하는 세정액에 의한 세정이 실시된다. 또, 박막을 형성하는 공정 전에 알칼리 용액을 포함하는 세정액에 의한 세정이 실시되는 경우도 있다.
그러나 높은 평탄도의 마스크 블랭크를 제조하기 위해서는 그것만으로는 불충분하다. 유리 기판의 주표면에 형성된 박막의 막응력이 높으면, 기판을 변형시켜 버려 평탄도가 악화되어 버린다. 이 때문에, 패턴을 형성하기 위한 박막의 막응력을 저감하기 위해, 성막 시 혹은 성막 후에 여러 가지 대책이 실시되어 오고 있다. 지금까지 이러한 대책이 취해져 높은 평탄도가 되도록 조정된 마스크 블랭크는, 제조 후에 다소 긴 기간(예를 들어 반년 정도) 보관하더라도 케이스에 밀폐 수납하고 있으면 평탄도가 크게 변화하는 일은 없다고 여겨지고 있었다. 그러나, 패턴 형성용 박막에 탄탈을 함유하는 재료가 이용된 마스크 블랭크의 경우, 케이스에 밀폐 수납하고 있어도 제조로부터 시간이 경과함에 따라 주표면의 평탄도가 악화하는 것이 확인되었다. 구체적으로는, 시간의 경과와 함께 박막이 형성되어 있는 측의 주표면의 평탄도가 볼록 형상의 경향이 강해지는 방향으로 악화하고 있었다.
이는 유리 기판이 원인이 아닌 경우, 박막의 막응력이 점차 압축 응력의 경향이 강해지고 있는 것을 의미한다. 크롬계 재료나 몰리브덴 실리사이드 화합물을 포함하는 재료를 이용한 박막을 갖는 마스크 블랭크의 경우에는 이와 같은 현저한 현상은 발생하고 있지 않다. 이 점으로부터, 패턴 형성용의 박막에 탄탈을 함유하는 재료를 이용한 마스크 블랭크에서 발생하고 있는 이 현상은 유리 기판 자체가 변형하고 있는 것이 아니라, 박막의 압축 응력이 시간의 경과와 함께 커져 가는 것이 원인인 것으로 추측된다. 한편, 이러한 높은 압축 응력을 갖는 박막의 마스크 블랭크를 이용하여 전사용 마스크를 제작한 경우, 패턴의 형성에 의해서 막응력으로부터 개방된 박막의 영역에서 패턴의 큰 위치 어긋남이 발생한다는 문제도 있다. 또한, 마스크 블랭크를 제조한 다음 단기간에 전사용 마스크를 제작한 경우에 있어서도 제작 후에 시간의 경과와 함께 패턴의 위치 어긋남이 생긴다는 문제도 있다.
본 발명은 이와 같은 상황하에 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는 패턴 형성용의 박막에 탄탈을 함유하는 재료를 이용한 마스크 블랭크에 있어서 박막의 막응력이 시간의 경과와 함께 압축 응력의 경향이 강해진다는 과제를 해소하고, 평탄도가 악화하는 것을 억제한 마스크 블랭크의 제조방법, 및 전사용 마스크의 제조방법을 제공하는 것이다. 또, 이 전사용 마스크를 이용한 반도체 디바이스의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기의 과제를 달성하기 위해, 본 발명의 마스크 블랭크는 유리 기판의 주표면상에 박막을 구비하는 마스크 블랭크로서, 유리 기판은 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만이며, 박막은 탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 유리 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 마스크 블랭크는 박막의 막응력이 시간의 경과와 함께 압축 응력의 경향이 강해진다는 과제를 해소하여 평탄도가 악화하는 것을 억제할 수 있다.
상기의 마스크 블랭크에 있어서, 상기 유리 기판은 수소 함유량이 2.0×1017분자수/㎤ 이상인 것이 바람직하다. 또, 상기 유리 기판은 합성석영 유리로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, ArF 엑시머 레이저가 노광광으로서 적용되는 전사용 마스크의 제작에 이용되는 마스크 블랭크이면 보다 바람직하다. 유리 기판의 수소 함유량이 2.0×1017 분자수/㎤ 보다 적은 경우, 특히 합성석영 유리 기판의 경우, 엑시머 레이저, 특히 ArF 엑시머 레이저의 노광광에 대한 내성(내광성)이 낮다는 문제가 생기기 때문이다.
상기의 각 마스크 블랭크에 있어서, 상기 박막은 탄탈과 질소를 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 탄탈에 질소를 함유시킴으로써 탄탈의 산화를 억제할 수 있다.
특히, 이 마스크 블랭크에 있어서, 상기 박막의 표층에 산소를 60원자% 이상 함유하는 고산화층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 박막 재료의 고산화물의 피막은 결합 에너지가 높기 때문에 마스크 블랭크를 둘러싸는 기체 중의 수소가 박막의 표층으로부터 박막 내로 침입하는 것을 저지할 수 있다.
상기의 각 마스크 블랭크에 있어서, 상기 박막은 유리 기판측으로부터 하층과 상층이 적층하는 구조를 갖고, 상기 하층은 탄탈과 질소를 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 상기 상층은 탄탈과 산소를 함유하는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 상층을 박막의 노광광에 대한 표면 반사율을 제어하는 기능을 갖는 막(반사 방지막)으로서 기능시킬 수 있다.
특히, 이 마스크 블랭크에 있어서, 상기 상층의 표층에 산소를 60원자% 이상 함유하는 고산화층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 박막 재료의 고산화물의 피막은 결합 에너지가 높기 때문에 박막의 표층으로부터의 수소의 박막 내로의 침입을 저지할 수 있다.
본 발명의 전사용 마스크는 상기의 각 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 마스크 블랭크의 평탄도는, 요구되는 높은 수준으로 유지되고 있기 때문에 이러한 특성을 갖는 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 전사용 마스크도 요구되는 높은 평탄도를 가질 수 있다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조방법은 상기의 전사용 마스크를 이용하고, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사하는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 전사용 마스크를 이용하고, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써 고정밀도의 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
상기의 반도체 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 노광 전사는 ArF 엑시머 레이저를 노광광으로서 적용하는 것이 바람직하다. ArF 엑시머 레이저의 노광광을 이 전사용 마스크에 계속적으로 조사해도 이 전사용 마스크의 유리 기판의 투과율이 저하하는 것이 억제된다. 이 때문에, 계속적으로 고정밀도의 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
한편, 상기의 과제를 달성하기 위해, 본 발명의 마스크 블랭크의 제조방법은 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만인 유리 기판을 준비하는 공정과, 상기 유리 기판을 성막실 내에 설치하고, 탄탈을 함유하는 타겟을 이용하며, 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 유리 기판의 주표면상에 스퍼터링법에 의해 박막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 마스크 블랭크의 제조방법은 박막의 막응력이 시간의 경과와 함께 압축 응력의 경향이 강해진다는 과제를 해소하여 평탄도가 악화하는 것을 억제할 수 있다.
상기의 마스크 블랭크의 제조방법에 있어서, 상기 유리 기판은 수소 함유량이 2.0×1017 분자수/㎤ 이상인 것이 바람직하다. 또, 상기 유리 기판은 합성석영 유리로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 제조되는 마스크 블랭크는 ArF 엑시머 레이저가 노광광으로서 적용되는 전사용 마스크의 제작에 이용되는 마스크 블랭크이면 보다 바람직하다. 유리 기판의 수소 함유량이 2.0×1017 분자수/㎤보다 적은 경우, 특히 합성석영 유리 기판의 경우, 엑시머 레이저, 특히 ArF 엑시머 레이저의 노광광에 대한 내성(내광성)이 낮다는 문제가 생기기 때문이다.
상기의 마스크 블랭크의 제조방법에 있어서, 상기 박막을 형성하는 공정은 질소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 탄탈에 질소를 함유시킨 박막을 형성할 수 있어 탄탈의 산화를 억제할 수 있다.
상기의 마스크 블랭크의 제조방법에 있어서, 상기 박막은 유리 기판측으로부터 하층과 상층이 적층하는 구조를 갖는 것이며, 상기 박막을 형성하는 공정은 질소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 유리 기판의 주표면상에 스퍼터링법에 의해 상기 하층을 형성하는 공정과, 산소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 상기 하층의 표면에 스퍼터링법에 의해 상기 상층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 상층을 박막의 노광광에 대한 표면 반사율을 제어하는 기능을 갖는 막(반사 방지막)으로서 기능시킬 수 있다.
본 발명의 전사용 마스크의 제조방법은 상기의 각 마스크 블랭크를 이용하고, 상기 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 마스크 블랭크의 평탄도는, 요구되는 높은 수준으로 유지되고 있기 때문에 이러한 특성을 갖는 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 전사용 마스크도 요구되는 높은 평탄도를 가질 수 있다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조방법은 상기의 전사용 마스크의 제조방법으로 제조된 전사용 마스크를 이용하고, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사하는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 전사용 마스크의 제조방법으로 제조된 전사용 마스크를 이용하고, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써 고정밀도의 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
상기의 반도체 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 노광 전사는 ArF 엑시머 레이저를 노광광으로서 적용하는 것이 바람직하다. ArF 엑시머 레이저의 노광광을 이 전사용 마스크에 계속적으로 조사해도 이 전사용 마스크의 유리 기판의 투과율이 저하하는 것이 억제된다. 이 때문에, 계속적으로 고정밀도의 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크 및 마스크 블랭크의 제조방법에 의하면, 패턴 형성용의 박막에 탄탈을 함유하는 재료가 이용된 마스크 블랭크에 있어서도, 박막의 막응력이 시간의 경과와 함께 압축 응력의 경향이 강해지는 일이 없다. 이에 따라, 마스크 블랭크를 제조 후, 시간의 경과와 함께 마스크 블랭크의 평탄도가 악화되어 가는 것을 억제할 수 있다. 또, 본 발명의 마스크 블랭크 및 본 발명의 마스크 블랭크의 제조방법에 의해 제조되는 마스크 블랭크는, 패턴 형성용 박막의 막응력이 시간의 경과와 함께 증대하는 것을 억제할 수 있기 때문에 박막의 막응력은 제조 시의 레벨을 유지할 수 있다. 이에 따라, 막응력이 높은 박막을 갖는 마스크 블랭크로 전사용 마스크를 제작한 경우에 생기는 패턴의 큰 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크 및 본 발명의 마스크 블랭크의 제조방법으로 제조된 마스크 블랭크로 전사용 마스크를 제작한 경우에는, 제작 후에 시간의 경과와 함께 패턴의 위치 어긋남이 생기는 것도 억제할 수 있다. 또한, 박막의 막응력에 의한 주표면의 평탄도 악화가 억제되고, 또 박막에 형성된 패턴의 위치 어긋남도 억제된 전사용 마스크를 이용하여 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 전사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 기판상에 미세하고 또 고정밀도의 회로 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관련된 마스크 블랭크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 관련된 전사용 마스크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 관련된 마스크 블랭크로 전사용 마스크를 제조하기까지의 과정을 나타내는 단면이다.
도 4는 실시예에서의 마스크 블랭크의 HFS/RBS 분석에 따른 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는 비교예에서의 마스크 블랭크의 HFS/RBS 분석에 따른 결과를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
본 발명자는 유리 기판에 성막된 탄탈을 함유하는 박막의 압축 응력이 시간의 경과와 함께 증대하는 원인에 대해서 예의 연구를 실시했다. 우선, 성막 후의 마스크 블랭크의 보관 방법에 원인이 없는지를 확인하기 위해 여러 가지 보관 케이스나 보관 방법에 대해서 검증했다. 그러나, 어느 경우에도 마스크 블랭크의 주표면의 평탄도가 악화하고 있어, 압축 응력의 증대와 보관 방법과의 사이에 명확한 상관성은 없었다. 다음으로 주표면의 평탄도가 볼록형상의 방향으로 악화된 마스크 블랭크에 대해, 핫플레이트를 이용하여 가열 처리를 실시해 보았다. 가열 처리의 조건은 200℃에서 5분 정도로 했다. 이 가열 처리를 실시하면, 일시적으로는 주표면의 볼록형상이 다소 양호한 방향으로 변화했다. 그러나, 가열 처리 후 시간이 경과하면 마스크 블랭크의 주표면의 평탄도가 다시 악화하여 근본적인 해결에는 이르지 못하는 것을 알게 되었다.
다음으로 본 발명자는 탄탈을 함유하는 재료가 수소를 받아들이기 쉬운 특성을 갖는 것이 관계되어 있을 가능성을 검토했다. 즉, 탄탈을 함유하는 박막 중에, 시간의 경과와 함께 서서히 수소가 포함되어 압축 응력이 증대한다는 가설을 세웠다. 다만, 이 시간 경과로 압축 응력이 증대하는 현상이 생긴 마스크 블랭크의, 탄탈을 함유하는 박막은 기판의 주표면측에 탄탈과 질소를 함유하는 재료로 이루어지는 하층과, 하층의 위에 형성된, 탄탈과 산소를 함유하는 재료로 이루어지는 상층이 적층된 구조를 가지고 있었다. 탄탈과 산소를 함유하는 재료로 이루어지는 상층은 외기로부터의 수소의 침입을 억제하는 효과가 있다. 이 때문에, 외기 중의 수소는 탄탈을 함유하는 박막에 침입하기 어렵다고 여겨지고 있었다.
탄탈을 함유하는 박막 중에, 성막 종료부터의 시간의 경과와 함께 수소가 포함되어 있는지 여부를 확인하기 위해 이하의 검증을 실시했다. 구체적으로는, 탄탈을 함유하는 재료로 이루어지는 박막을 구비하는 다음의 2종류의 마스크 블랭크에 대해 막 조성의 분석을 실시했다. 첫번째 마스크 블랭크는, 성막한 다음 케이스에 수납하고 2주 정도 경과하여, 일수가 별로 경과하고 있지 않아 박막의 평탄도가 그다지 악화하지 않은 마스크 블랭크이다. 두번째 마스크 블랭크는, 성막한 다음 케이스에 수납하고 4개월이 경과하여 박막의 압축 응력이 증대하고 있어, 평탄도가 악화(기판 주표면의 중심을 기준으로 한 한 변이 142mm인 정방형의 내측 영역의 TIR에서의 평탄도에 있어서 평탄도의 변화량이 300㎚정도)한 마스크 블랭크이다. 막 조성의 분석에는 HFS/RBS 분석(수소 전방산란 분석/러더퍼드 후방산란 분석)을 이용했다. 그 결과, 성막한 다음 2주간 정도의 박막은 수소 함유량이 검출 하한값 이하인 것에 반해, 성막한 다음 4개월 경과한 박막은 수소 함유량이 6at% 정도인 것이 판명되었다.
이들 결과로부터, 성막 후의 탄탈을 함유하는 박막에 수소가 포함되어 감으로써 막응력이 변화하고 있는 것이 확인되었다. 다음으로 본 발명자는 수소의 발생원으로서 유리 기판을 의심했다. 노광광에 엑시머 레이저, 특히 ArF 엑시머 레이저가 적용되는 전사용 마스크의 경우, 엑시머 레이저광의 강한 에너지의 조사를 받음으로써, 기판을 구성하는 유리 재료 내부의 Si-O-Si의 결합이 개열하기 쉽다. 이러한 개열은 유리 내부에 215㎚의 파장대에서 흡수역이 된다. 그 결과, 전사용 마스크의 유리 기판에서의 ArF 엑시머 레이저광에 대한 투과율이 저하하는 현상이 발생되어 버린다. 이 때문에, 종래, 노광광에 엑시머 레이저, 특히 ArF 엑시머 레이저가 적용되는 전사용 마스크에 이용되는 유리 기판은 재료 중의 수소 분자 농도를 높인 유리 재료로 형성되는 것이 일반적이다.
이 막응력이 변화한 탄탈을 함유하는 박막을 구비하는 마스크 블랭크에서 사용한 것과 같은 유리 재료로 형성된 유리 기판에 대해, 레이저 라만 산란 분광법에 의해 수소 함유량의 측정을 실시한 바 7.4×1018 분자수/㎤였다. 또 수소 함유량이 다른 여러 가지 유리 재료로 형성된 각 유리 기판에 대해, 같은 순서로 탄탈을 함유하는 박막을 성막하여 마스크 블랭크를 각각 제조했다. 각 마스크 블랭크의 박막 표면의 평탄도를 각각 측정하고, 각 마스크 블랭크를 케이스에 밀폐 수납하여 4개월 보관했다. 그 후, 각 마스크 블랭크를 케이스에서 꺼내어 박막 표면의 평탄도를 각각 측정했다. 그리고, 각 마스크 블랭크의 케이스 보관 전후의 박막 표면의 평탄도 변화량과 각 유리 기판의 수소 함유량과의 상관성을 검증했다. 그 결과, 수소 함유량이 적어도 7.4×1018 분자수/㎤ 미만인 유리 재료를 마스크 블랭크의 유리 기판에 적용할 필요가 있다는 것이 판명되었다.
본 발명은 이상의 사항을 고려하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 마스크 블랭크는 유리 기판의 주표면상에 박막을 구비하는 마스크 블랭크로서, 유리 기판은 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만이며, 박막은 탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 유리 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 또 유리 기판의 수소 함유량이 4.0×1018 분자수/㎤ 이하이면 바람직하고, 2.0×1018 분자수/㎤ 이하이면 보다 바람직하며, 8.0×1017 분자수/㎤ 이하이면 더욱 바람직하다.
한편, 상기와 같이, 특히 노광광에 ArF 엑시머 레이저가 적용되는 전사용 마스크의 유리 기판의 경우, 유리 재료 중에 수소를 함유시키지 않으면, 전사용 마스크를 사용(ArF 엑시머 레이저의 노광광이 조사된다)했을 때에 유리 기판의 ArF 엑시머 레이저광에 대한 투과율이 저하하는 현상이 발생하는 것은 피하기 어렵다. 유리 기판 중의 수소 함유량과 ArF 엑시머 레이저에 대한 조사 내성과의 관계에 대해서 검증한 결과, 수소 함유량이 적어도 2.0×1017 분자수/㎤ 이상인 유리 재료를 마스크 블랭크의 유리 기판에 적용할 필요가 있다는 것이 판명되었다. 즉, 본 발명의 마스크 블랭크에 있어서의 유리 기판은 수소 함유량이 2.0×1017 분자수/㎤ 이상인 것을 특징으로 하고 있다. 또 유리 기판의 수소 함유량이 3.0×1017 분자수/㎤ 이상인 것이 바람직하고, 5.0×1017 분자수/㎤ 이상이면 보다 바람직하다.
유리 기판이 ArF 엑시머 레이저광의 조사를 받으면, 유리 재료 내부에 존재하는 구조 결함이 여기(勵起)되어 E'센터나 비가교산소 결함(NBOHC)이 발생하기 쉬워진다. E'센터나 NBOHC는 ArF 엑시머 레이저광을 흡수하는 특성을 가지고 있다. 이것이 유리 기판의 투과율 저하의 요인이 되고 있다. 유리 재료 중의 수소에는 E'센터나 비가교산소 결함(NBOHC)을 수복하는 기능이 있다. 본 발명의 마스크 블랭크에서는 유리 기판의 수소 함유량을 적게 한다. 유리 재료 중의 수소 함유량을 줄이면, 이 E'센터나 NBOHC를 수복하는 기능이 저하한다. 유리 재료 중의 OH기에는 유리 재료 내부의 구조 결함을 억제하는 기능이 있다. 반면, 유리 재료 중의 OH기는 ArF 엑시머 레이저광의 조사를 받음으로써 NBOHC의 유발을 촉진하는 요인이 되기도 한다. 이러한 점에서 본 발명의 마스크 블랭크에 이용되는 유리 기판의 OH기의 함유량은 600ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 500ppm 이하이면 보다 바람직하다.
상기의 마스크 블랭크의 유리 기판 재료로는 합성석영 유리 외에, 석영 유리, 알루미노실리케이트 유리, 소다라임 유리, 저열팽창 유리(SiO2-TiO2 유리 등) 등을 들 수 있다. 특히, 합성석영 유리는 ArF 엑시머 레이저광(파장 193㎚)에 대한 투과율이 높으므로 합성석영 유리를 유리 기판 재료로서 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 마스크 블랭크 및 전사용 마스크에 적용되는 노광광에 대해서는 ArF 엑시머 레이저광, KrF 엑시머 레이저광, i선광 등 특별히 제약은 없다. ArF 엑시머 레이저를 노광광에 적용하는 마스크 블랭크나 전사용 마스크는 주표면의 평탄도나 박막에 형성되는 전사 패턴의 위치 정밀도 등의 요구 레벨이 매우 높다. 또, 상기와 같이, 특히 ArF 엑시머 레이저를 노광광에 적용하는 전사용 마스크 및 그 전사용 마스크를 제작하기 위한 마스크 블랭크는, 유리 기판이 ArF 엑시머 레이저에 대하여 내성이 높은 것이 요망된다. 이 때문에, 본 발명은 ArF 엑시머 레이저를 노광광에 적용하는 마스크 블랭크나 전사용 마스크에 효과적으로 적용할 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크 및 전사용 마스크에 이용되는 유리 기판은 주표면의 중심을 기준으로 한 한 변이 142mm인 정방형의 내부 영역(이하, 142mm 사방의 내측 영역이라 한다.)에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이며, 또한, 한 변이 1㎛인 정방형의 내부 영역의 표면 거칠기가 Rq(이하, 단순히 표면 거칠기 Rq라고 한다.)로 0.2㎚ 이하인 것이 바람직하다. 또 유리 기판의 주표면의 중심을 기준으로 한 한 변이 132mm인 정방형의 내부 영역(이하, 132mm 사방의 내측 영역이라 한다.)에서의 평탄도는 0.3㎛ 이하인 것인 더욱 바람직하다. 유리 잉곳으로부터 잘라낸 상태의 유리 기판에서는 이와 같은 높은 평탄도 및 표면 거칠기의 조건을 만족시킬 수는 없다. 높은 평탄도 및 표면 거칠기의 조건을 만족시키기 위해서 적어도 유리 기판의 주표면에 대해 경면 연마를 실시하는 것은 필수이다. 이 경면 연마는 콜로이달 실리카의 연마지립을 함유하는 연마액을 이용하여 유리 기판의 양 주표면을 동시에 연마하는 양면 연마로 실시하는 것이 바람직하다. 또 잘라낸 상태의 유리 기판에 대해 연삭 공정 및 연마 공정을 복수 단계 실시함으로써, 요구되는 평탄도 및 표면 거칠기의 조건을 만족시키는 주표면으로 완성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 적어도 연마 공정의 최종 단계에서는 콜로이달 실리카의 연마지립을 함유하는 연마액을 이용한다.
탄탈을 함유하는 재료는 수소를 받아들이기 쉬운 성질을 갖는다. 탄탈을 함유하는 재료는 수소를 포함하면 취성화하는 특성을 가지기 때문에, 박막을 성막한 직후의 상태에서도 박막 중의 수소의 함유량을 억제하는 것이 요망된다. 이 때문에, 본 발명에서는 유리 기판의 주표면상에 형성하는 박막에는 탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료를 선정하고 있다. 「수소를 실질적으로 함유하지 않는」이란, 박막 중의 수소 함유량이 적어도 5at% 이하인 것을 말한다. 박막 중의 수소 함유량의 범위는 3at% 이하인 것이 바람직하고, 검출 하한값 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 마찬가지의 이유로, 본 발명의 마스크 블랭크의 제조방법에서는 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만인 유리 기판을 준비하는 공정과, 상기 유리 기판을 성막실 내에 설치하고, 탄탈을 함유하는 타겟을 이용하며, 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 유리 기판의 주표면상에 스퍼터링법에 의해 박막을 형성하는 공정을 구비하고 있다.
상기 유리 기판상에 설치되는 박막을 형성하는 「탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료」로는 예를 들면, 탄탈 금속, 그리고 탄탈에 질소, 산소, 붕소 및 탄소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하고, 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료 등을 들 수 있다. 예를 들면「탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료」로는 Ta, TaN, TaON, TaBN, TaBON, TaCN, TaCON, TaBCN 및 TaBOCN 등을 들 수 있다. 상기 재료에 대해서는 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 범위에서, 탄탈 이외의 금속을 함유시켜도 된다.
또한, 탄탈 이외에도 수소를 받아들이기 쉬운 성질을 갖는 금속이 있는데, 상기 박막의 재료 중의 탄탈을, 다른 수소를 받아들이기 쉬운 성질을 갖는 금속으로 치환한 경우에도 본 발명과 마찬가지의 효과가 얻어진다. 다른 수소를 받아들이기 쉬운 성질을 갖는 금속으로는 니오브, 바나듐, 티탄, 마그네슘, 란탄, 지르코늄, 스칸듐, 이트륨, 리튬 및 프라세오듐 등을 들 수 있다. 또, 탄탈과, 상기의 수소를 받아들이기 쉬운 성질을 갖는 금속군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 금속으로 이루어지는 합금, 및 이 합금의 질소, 산소, 붕소 및 탄소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 화합물에 대해서도 마찬가지의 효과가 얻어진다.
상기 마스크 블랭크의 박막은 탄탈과 질소를 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 탄탈은 자연 산화하기 쉬운 재료이다. 탄탈은 산화가 진행되면 노광광에 대한 차광 성능(광학 농도)이 저하한다. 또, 박막 패턴을 형성하는 관점에 있어서, 탄탈의 산화가 진행되어 있지 않은 상태의 재료는 불소를 함유하는 에칭 가스(불소계 에칭 가스) 및 염소를 함유하고 또한 산소를 함유하지 않는 에칭 가스(산소 비함유의 염소계 에칭 가스) 중 어느 것에 의해서도 드라이 에칭이 가능하다고 할 수 있다. 그러나, 산화가 진행된 탄탈은 박막 패턴을 형성하는 관점에 있어서 산소 비함유의 염소계 에칭 가스로는 드라이 에칭이 곤란한 재료이며, 불소계 에칭 가스에 의해서만 드라이 에칭이 가능한 재료라 할 수 있다. 탄탈에 질소를 함유시킴으로써 탄탈의 산화를 억제할 수 있다. 또 탄탈을 함유하는 재료로 이루어지는 박막이 유리 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 경우, 탄탈에 질소를 함유시킴으로써 노광광에 대한 이면 반사율을 저감시키면서, 산소를 함유시키는 경우에 비해 광학 농도의 저하를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 박막 중의 질소 함유량은 광학 농도의 관점에서 30at% 이하인 것이 바람직하고, 25at% 이하인 것이 보다 바람직하며, 20at% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, 박막 중의 질소 함유량은, 이면 반사율을 40% 미만으로 할 필요가 있는 경우에는 7at% 이상인 것이 요망된다.
또, 상기 마스크 블랭크의 박막은 그 표층(기판 주표면과는 반대측의 박막의 표층)에 산소를 60원자% 이상 함유하는 고산화층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기와 같이, 수소는 기판으로부터 박막 내부로 들어갈 뿐만 아니라, 마스크 블랭크를 둘러싸는 기체 중으로부터도 박막 내부로 들어간다. 박막 재료의 고산화물의 피막은 결합 에너지가 높아 수소의 박막 내로의 침입을 저지하는 특성을 갖는다. 또, 탄탈을 함유하는 재료의 고산화층(탄탈 고산화층)은 뛰어난 내약품성, 내온수성 및 ArF 노광광에 대한 내광성도 겸비한다.
마스크 블랭크나 전사용 마스크에 있어서의 박막은 결정 구조가 미결정, 바람직하게는 비정질인 것이 요망된다. 이 때문에, 박막 내의 결정 구조가 단일 구조로는 되기 어렵고, 복수의 결정 구조가 혼재한 상태가 되기 쉽다. 즉, 탄탈 고산화층의 경우, TaO 결합, Ta2O3 결합, TaO2 결합 및 Ta2O5 결합이 혼재하는 상태가 되기 쉽다. 박막의 표층 중의 Ta2O5 결합의 존재 비율이 높아짐에 따라 수소 침입을 저지하는 특성, 내약품성, 내온수성 및 ArF 내광성이 함께 높아진다. 한편, 박막의 표층 중의 TaO 결합의 존재 비율이 높아짐에 따라 이들 특성이 저하하는 경향이 있다.
탄탈 고산화층에 있어서, 층 중의 산소 함유량이 60at% 이상 66.7at% 미만이면, 층 중의 탄탈과 산소의 결합 상태는 Ta2O3 결합이 주체가 되는 경향이 높아진다고 생각된다. 이 층 중의 산소 함유량의 경우, 가장 불안정한 결합인 TaO 결합은 층 중의 산소 함유량이 60at% 미만인 경우에 비해 매우 적어진다고 생각된다. 탄탈 고산화층에 있어서, 층 중의 산소 함유량이 66.7at% 이상이면, 층 중의 탄탈과 산소의 결합 상태는 TaO2 결합이 주체가 되는 경향이 높아진다고 생각된다. 이 층 중의 산소 함유량의 경우, 가장 불안정한 결합인 TaO 결합 및 그 다음으로 불안정한 결합인 Ta2O3의 결합은 둘 다 매우 적어진다고 생각된다.
탄탈 고산화층이, 층 중의 산소 함유량이 68at% 이상이면, TaO2 결합이 주체가 될 뿐만 아니라 Ta2O5의 결합 상태의 비율도 높아진다고 생각된다. 이와 같은 산소 함유량이 되면,「Ta2O3」나 「TaO2」의 결합 상태는 드물게 존재하는 정도가 되고, 「TaO」의 결합 상태는 존재할 수 없게 된다. 탄탈 고산화층의 층 중의 산소 함유량이 71.4at%이면, 실질적으로 Ta2O5의 결합 상태만으로 형성되어 있는 것으로 생각된다. 탄탈 고산화층의 층 중의 산소 함유량이 60at% 이상이면, 가장 안정된 결합 상태인 「Ta2O5」뿐만 아니라,「Ta2O3」나 「TaO2」의 결합 상태도 포함되게 된다. 또, 층 중의 산소 함유량이 60at% 이상임으로써, 적어도 가장 불안정한 결합인 TaO 결합이 수소 침입을 저지하는 특성, 내약성, ArF 내광성을 저하시키는 영향을 주지 않을 정도의 매우 적은 양이 된다. 따라서, 층 중의 산소 함유량의 하한값은 60at% 라고 생각된다.
탄탈 고산화층의 Ta2O5 결합의 존재 비율은 고산화층을 제외한 박막에 있어서의 Ta2O5 결합의 존재 비율보다 높은 것이 바람직하다. Ta2O5 결합은 매우 높은 안정성을 갖는 결합 상태이며, 고산화층 중의 Ta2O5 결합의 존재 비율을 늘림으로써 수소 침입을 저지하는 특성이나 내약성, 내온수성 등의 마스크 세정내성이나 ArF 내광성이 대폭으로 높아진다. 특히, 탄탈 고산화층은 Ta2O5의 결합 상태만으로 형성되어 있는 것이 가장 바람직하다. 또한, 탄탈 고산화층의 질소 및 기타 원소의 함유량은 수소 침입을 저지하는 특성 등의 작용 효과에 영향이 없는 범위인 것이 바람직하고, 실질적으로 포함되지 않는 것이 바람직하다.
상기 탄탈 고산화층의 두께는 1.5㎚ 이상 4㎚ 이하인 것이 바람직하다. 1.5㎚ 미만은 너무 얇아 수소 침입을 저지하는 효과를 기대할 수 없고, 4㎚를 넘으면 표면 반사율에 미치는 영향이 커져서 소정의 표면 반사율(노광광에 대한 반사율이나 각 파장의 광에 대한 반사율 스펙트럼)을 얻기 위한 제어가 어려워진다. 또, 탄탈 고산화층은 ArF 노광광에 대한 광학 농도가 매우 낮기 때문에 표면 반사 방지층에서 확보할 수 있는 광학 농도가 저하하고, 박막의 막두께를 작게 하는 관점에서는 마이너스로 작용해 버린다. 또한, 박막 전체의 광학 농도 확보의 관점과, 수소 침입을 저지하는 특성, 내약성 및 ArF 내광성 향상의 관점의 쌍방의 밸런스를 고려하면, 고산화층의 두께는 1.5㎚ 이상 3㎚ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
상기 탄탈 고산화층은 박막이 성막된 후의 마스크 블랭크에 대하여, 온수 처리, 오존 함유수 처리, 산소를 함유하는 기체 중에서의 가열 처리, 산소를 함유하는 기체 중에서의 자외선 조사 처리 및/또는 O2 플라스마 처리 등을 실시함으로써 형성할 수 있다. 또, 고산화층은 박막을 형성하는 금속의 고산화막에 한정되지 않는다. 수소 침입을 저지하는 특성이 있으면 어떤 금속의 고산화막이라도 되고, 박막의 표면에 그 고산화막을 적층한 구성이어도 된다. 또 박막에 대한 수소의 침입을 저지하는 특성을 갖는 재료라면 고산화물이 아니어도 되고, 박막의 표면에 그 재료막을 적층한 구성으로 할 수도 있다.
상기 마스크 블랭크의 박막은 유리 기판측으로부터 하층과 상층이 적층하는 구조를 갖는다. 상기 하층은 탄탈과 질소를 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 상기 상층은 탄탈과 산소를 함유하는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 상층을 박막의 노광광에 대한 표면 반사율을 제어하는 기능을 갖는 막(반사 방지막)으로서 기능시킬 수 있다.
또한, 상층의 표층(하층측과는 반대측의 표층)에 산소를 60at% 이상 함유하는 고산화층을 형성하는 것이 바람직하다. 고산화층이나, 탄탈을 함유하는 재료의 고산화층 등의 양태나 작용 효과에 대해서는 상기와 마찬가지이다. 표면 반사율 특성(ArF 노광광에 대한 반사율이나 각 파장의 광에 대한 반사율 스펙트럼)의 제어 용이성을 고려하면, 표층 부분을 제외한 상층 중의 산소 함유량은 60at% 미만인 것이 바람직하다.
상층은 탄탈에 산소를 함유하는 재료로 형성된다. 박막 패턴을 형성하는 관점에서, 상층(탄탈에 산소를 함유하는 재료)의 드라이 에칭은 산소 비함유의 염소계 에칭 가스로는 곤란하고, 불소계 에칭 가스에 의해서만 드라이 에칭이 가능하다. 이에 대해 하층은 탄탈과 질소를 함유하는 재료로 형성된다. 박막 패턴을 형성하는 관점에서, 하층(탄탈과 질소를 함유하는 재료)의 드라이 에칭은 불소계 에칭 가스 및 산소 비함유의 염소계 에칭 가스 중 어느 것으로도 가능하다. 이 때문에, 레지스트 패턴(전사 패턴이 형성된 레지스트막)을 마스크로 하여 박막을 드라이 에칭해 패턴을 형성할 때, 상층에 대해서 불소계 에칭 가스에 의한 드라이 에칭을 실시하여 패턴을 형성하고, 상층의 패턴을 마스크로 하여 하층에 산소 비함유의 염소계 에칭 가스에 의한 드라이 에칭을 실시하여 패턴을 형성하는 프로세스를 사용할 수 있다. 이와 같은 에칭 프로세스를 적용할 수 있음으로써 레지스트막의 박막화를 도모할 수 있다.
산소 비함유의 염소계 에칭 가스에 의한 상층의 드라이 에칭을 보다 어렵게 하기 위해서는, 상승 중의, 결합 에너지가 비교적 높은 탄탈과 산소의 결합의 존재량을 많게 하면 된다. 상층의 드라이 에칭을 보다 어렵게 하기 위해서는 상층의 탄탈 함유량(원자수)에 대한 산소 함유량(원자수)의 비율이 1 이상인 것이 바람직하다. 상층이 탄탈 및 산소로만 형성되어 있는 경우, 상층 중의 산소 함유량은 50at% 이상인 것이 바람직하다.
상기 박막의 하층을 형성하는 재료에 대해서는 상기에서 열거한 탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료와 마찬가지이다. 또, 상층을 형성하는 재료에 대해서는 탄탈과 산소를 함유하고, 추가로 질소, 붕소 및 탄소 등을 함유하는 재료가 바람직하다. 상층을 형성하는 재료로서 예를 들면, TaO, TaON, TaBO, TaBON, TaCO, TaCON, TaBCO 및 TaBOCN 등을 들 수 있다.
상기 마스크 블랭크의 박막은 상기의 적층 구조로만 한정되는 것은 아니다. 3층의 적층 구조로 해도 되고, 단층의 조성 경사막으로 해도 되며, 상층과 하층 사이에서 조성 경사진 막구성으로 해도 된다. 상기 마스크 블랭크의 박막은 전사용 마스크를 제작했을 때에 차광 패턴으로서 기능하는 차광막으로서 이용되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 마스크 블랭크의 박막은 에칭 스토퍼막이나 에칭 마스크막(하드 마스크막)으로도 적용 가능하며, 상기의 박막에 요구되고 있는 제약의 범위 내이면, 하프톤 위상 시프트막이나 광반투과막에도 적용 가능하다. 또, 상기의 마스크 블랭크는 박막의 압축 응력의 경시변화를 억제할 수 있으므로, 박막에 형성되는 패턴에 높은 위치 정밀도가 요구되는 더블 패터닝 기술(협의의 더블 패터닝 기술(DP기술), 더블 노광 기술(DE기술) 등)이 적용되는 전사용 마스크 세트를 제작할 경우 특히 알맞다.
또, 본 발명의 마스크 블랭크의 제조방법에서는, 박막은 유리 기판측으로부터 하층과 상층이 적층하는 구조를 갖는 것이며, 박막을 형성하는 공정은, 질소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 유리 기판의 주표면상에 스퍼터링법에 의해 상기 하층을 형성하는 공정과, 산소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 상기 하층의 표면에 스퍼터링법에 의해 상층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 이와 같은 마스크 블랭크의 제조방법을 이용함으로써, 상층과 하층 모두 수소를 실질적으로 함유하지 않는 박막을 형성할 수 있다.
본 발명의 전사용 마스크는 상기 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴이 형성된 것인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 제조방법에 의해 제조되는 전사용 마스크는 상기의 제조방법으로 제조된 마스크 블랭크를 이용하고, 상기 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성함으로써 제작되는 것이 바람직하다. 본 발명의 마스크 블랭크나 본 발명의 제조방법으로 제조된 마스크 블랭크는 시간 경과에 의한 박막의 압축 응력의 증대가 억제되어 있으므로, 마스크 블랭크의 평탄도는 요구되고 있는 높은 수준으로 유지되고 있다. 이러한 특성을 갖는 마스크 블랭크를 이용하면, 요구되는 높은 수준의 평탄도를 갖는 전사용 마스크를 제조할 수 있다. 또 박막의 압축 응력이 억제되어 있으므로, 전사용 마스크를 제작하는 에칭 프로세스 후에 주위의 압축 응력으로부터 해방된 박막의 각 패턴이 일으키는 주표면상의 위치 어긋남의 양을 억제할 수도 있다.
한편, 종래의 제조방법에 의해 제조된 전사용 마스크(종래의 전사용 마스크)라도 제조된 다음 시간이 경과하고 있지 않은 경우이면, 요구되는 높은 평탄도로 되어 있다. 그러나, 종래의 전사용 마스크는, 제조 후, 사용하지 않고 마스크 케이스에 수납하여 보관하고 있었던 경우나 노광 장치에 세트하여 계속 사용한 경우, 박막의 압축 응력이 증대함으로써 평탄도가 악화되어 버리기 때문에, 박막의 각 패턴이 크게 위치 어긋남을 일으켜 버릴 우려가 있다. 본 발명의 마스크 블랭크나 본 발명의 제조방법으로 제조된 마스크 블랭크를 이용하여 제작한 전사용 마스크를 이용한 경우, 시간 경과에 의한 박막의 압축 응력의 증대를 억제할 수 있으므로, 제작 후에 사용하지 않고 마스크 케이스에 수납하여 보관하고 있었던 경우나 노광 장치에 세트하여 계속 사용한 경우에도, 요구되는 높은 평탄도를 계속 유지할 수 있고, 박막의 각 패턴의 위치 어긋남도 억제할 수 있다.
상기의 전사용 마스크는 바이너리형 마스크로서 사용 가능하며, 특히 노광광에 ArF 엑시머 레이저광이 적용되는 경우에 알맞다. 또, 상기의 전사용 마스크는 굴입(engraved) 레벤손형 위상 시프트 마스크, 하프톤형 위상 시프트 마스크, 인핸서(enhancer)형 위상 시프트 마스크 및 크롬리스(chrome-less) 위상 시프트 마스크(CPL 마스크) 등에도 적용 가능하다. 또 상기의 전사용 마스크는 패턴 위치 정밀도가 뛰어나므로 더블 패터닝 기술(DP 기술, DE 기술 등)이 적용되는 전사용 마스크 세트에 특히 알맞다.
상기의 전사용 마스크를 제작할 때에 마스크 블랭크에 대해 실시되는 에칭으로는, 미세 패턴의 형성에 유효한 드라이 에칭이 알맞게 이용될 수 있다. 상기의 불소를 함유하는 에칭 가스에 의한 박막에 대한 드라이 에칭에는, 예를 들어 SF6, CF4, C2F6 및 CHF3 등의 불소계 가스를 이용할 수 있다. 또, 상기의 염소를 함유하고, 또한 산소를 함유하지 않는 에칭 가스에 의한 박막에 대한 드라이 에칭에는 Cl2 및 CH2Cl2 등의 염소계 가스, 또는 이들 염소계 가스 중 적어도 하나와 He, H2, N2, Ar 및/또는 C2H4 등과의 혼합 가스를 이용할 수 있다.
본 발명의 전사용 마스크나 본 발명의 제조방법으로 제조된 전사용 마스크를 이용하여, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 고정밀도의 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 제조할 수 있다. 상기의 전사용 마스크는, 제작 시에 요구되는 높은 평탄도 및 패턴 위치 정밀도를 가지고 있기 때문이다. 또, 상기의 전사용 마스크는, 제작 후에 사용하지 않고 마스크 케이스에 수납하여 일정 기간 보관한 후에 노광 장치에 세트하여 노광 전사에 사용하기 시작했을 때나, 마스크 제작 후 시간을 두지 않고 노광 장치에 세트하여 노광 전사에 사용했을 때에 있어서도, 요구되는 높은 평탄도를 계속 유지할 수 있고, 박막의 각 패턴의 위치 어긋남도 억제할 수 있기 때문이다.
도 1에 나타내어지는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 마스크 블랭크는 합성석영으로 이루어지는 유리 기판(1)상에, 두께 42.5㎚의 탄탈과 질소를 주성분으로 하는 하층(차광층)(2)이 형성되고, 이 하층(2)의 위에 두께 5.5㎚의 탄탈과 산소를 주성분으로 하는 상층(반사 방지층)(3)이 형성되며, 이 상층(3)의 표층에 탄탈 고산화층(4)이 형성되어 이루어지는 것이다. 또한, 하층(2)과, 탄탈 고산화층(4)을 포함하는 상층(3)으로 차광막(30)이 구성된다.
또, 본 실시형태에 관련된 전사용 마스크는 도 2에 나타내어지는 바와 같이, 도 1에 나타내어지는 마스크 블랭크의 차광막(30)을 패터닝함으로써, 유리 기판(1)상에 차광막(30)을 잔존시킨 차광부(30a)와, 차광막(30)을 제거한 투광부(30b)로 구성되는 미세 패턴을 형성한 것이다. 차광막 패턴(박막 패턴)(30a)의 표층에는 탄탈 고산화층(4a)이 형성되어 있다. 또 차광막 패턴(30a)의 측면에서는, 상층(3)의 패턴(3a)의 측벽 표층에 탄탈 고산화층(4b)이 형성되고, 하층(2)의 패턴(2a)의 측벽 표층에 탄탈 고산화층(4c)이 형성되어 있다. 또한, 하층(2) 및 상층(3)의 각 패턴(2a, 3a)의 측벽에 탄탈 고산화층(4b, 4c)을 형성하는 방법은 상기의 마스크 블랭크의 탄탈 고산화층의 형성 방법과 마찬가지이다.
실시예
다음으로 도 3을 참조하면서 본 실시형태에 관련된 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 제조한 예를 실시예로서 설명한다.
( 실시예 1)
[마스크 블랭크의 제조]
주표면 치수가 약 152mm×약 152mm이고, 두께가 약 6.35mm인 합성석영 유리로 이루어지는 유리 기판을 준비했다. 이 유리 기판은 주표면이 소정의 평탄도 및 표면 거칠기로 연마되고, 그 후 소정의 세정 처리 및 건조 처리가 실시된 것이었다. 또한, 이 유리 기판은 주표면의 142mm 사방의 내측 영역에 있어서의 평탄도는 0.3㎛ 이하이고, 표면형상은 볼록형상이었다. 또, 주표면의 표면 거칠기는 한 변이 1㎛인 사각형 내의 측정 영역에서의 제곱평방근평균 거칠기 Rq로 0.2㎚ 이하였다. 이 유리 기판은 22㎚ 노드의 마스크 블랭크에서 사용되는 유리 기판으로서 충분한 수준이었다. 이 유리 기판 중의 수소 농도를 레이저 라만 분광광도법에 의해 측정한 바, 3.0×1017 분자수/㎤였다. 그리고 이 유리 기판의 한쪽의 주표면형상을, 표면형상 해석장치(UltraFLAT 200M: 코닝 트로펠(Corning TROPEL)사 제조))를 이용하여 측정했다(측정 영역은 유리 기판의 중심을 기준으로 한 한 변이 148mm인 사각형의 내측 영역. 이후, 표면형상 해석장치로 측정하고 있는 표면형상의 측정 영역은 동일).
다음으로 세정 후의 유리 기판을 DC 마그네트론 스퍼터 장치에 도입했다. 스퍼터 장치 내에 Xe와 N2의 혼합 가스를 도입하고, 탄탈 타겟을 이용한 스퍼터링법으로 유리 기판(1)의 주표면에 접하여 막두께 42.5㎚의 TaN층(하층)(2)을 성막했다(도 3(a) 참조). 또한, 스퍼터 장치 내의 가스를 Ar과 O2의 혼합 가스로 교체하고, 마찬가지로 탄탈 타겟을 이용한 스퍼터링법으로 막두께 5.5㎚의 TaO층(상층)(3)을 성막했다(도 3(a) 참조).
다음으로 이 마스크 블랭크를 핫플레이트에 설치하고, 대기 중에서 300℃의 가열 처리를 실시하여 TaO층(3)의 표층에 탄탈의 고산화층(4)을 형성했다(도 3(b) 참조). 이 고산화층(4)이 형성된 후의 마스크 블랭크에 대해, 기판 주표면상의 차광막(30)의 표면형상을 평탄도 측정장치 UltraFLAT 200M(Corning TOROPEL사 제조)으로 측정했다. 또, 동 조건으로 제조한 마스크 블랭크에 대해 HFS/RBS 분석을 실시한 결과, TaN층(2) 중의 수소 함유량은 검출 하한값 이하이고, TaO층(3)의 표면으로부터 2㎚의 깊이까지 산소 함유량이 많은 고산화층(4)이 형성되어 있음이 확인됐다. 또 XPS 분석(X선 광전자 분광분석)을 실시한 바, 차광막(30)의 최표층의 내로우(narrow) 스펙트럼에, Ta2O5의 속박에너지(25.4eV)의 위치에서 높은 피크가 보였다. 또 차광막(30)의 표면으로부터 깊이 1㎚의 깊이의 층에 있어서의 내로우 스펙트럼에서는 Ta2O5의 속박에너지(25.4eV)의 위치에 피크가 보였다. 또 Ta2O5의 속박에너지(25.4eV)와 Ta의 속박에너지(21.0eV) 사이의 위치이며, Ta2O5 부근의 위치에 피크가 보였다. 이들 결과로부터, TaO층(3)의 표층에 Ta2O5 결합을 갖는 고산화층(4)이 형성되어 있다고 할 수 있다.
또, 이 마스크 블랭크는 차광막(30)의 막면에 있어서의 반사율(표면 반사율)은 ArF 노광광(파장 193㎚)에서 30.5%였다. 유리 기판(1)의 차광막을 형성하고 있지 않은 면의 반사율(이면 반사율)은 ArF 노광광에서 38.8%였다. 또, ArF 노광광에 있어서의 광학 농도는 3.02였다. 이상과 같이 하여, 유리 기판(1)의 주표면상에 TaN층(2)과, 표층에 탄탈의 고산화층(4)을 포함하는 TaO층(3)과의 적층 구조의 차광막(30)을 구비한 실시예 1의 마스크 블랭크를 얻었다.
다음으로 이 실시예 1의 마스크 블랭크를 보관 케이스에 밀폐 상태로 수납하고, 150일이 경과할 때까지 클린룸 내에서 보관했다. 그리고 이 장기간 보관한 실시예 1의 마스크 블랭크를 꺼내어, 기판 주표면상의 차광막(30)의 표면형상을 평탄도 측정장치 UltraFLAT 200M(Corning TOROPEL사 제조)로 측정했다. 다음으로 장기간 보관 전에 측정한 마스크 블랭크의 차광막(30)의 표면형상과, 장기 보관 후에 측정한 마스크 블랭크의 차광막(30)의 표면형상과의 차분을 취한 표면형상(차분 형상)을 산출했다. 이 차분 형상으로부터 주표면의 142mm 사방의 내측 영역에 있어서의 평탄도의 차분값을 산출한 바, 23㎚(장기 보관에 의해 표면형상이 미소하게 볼록 방향으로 변화)였다. 이 평탄도의 차분값은 측정 오차 범위 내이며, 장기 보관의 전후에서 평탄도에는 변화가 거의 보이지 않았다고 할 수 있다.
또 장기 보관 후의 차광막(30)을 구비하는 마스크 블랭크에 대해 HFS/RBS 분석을 실시한 결과를 도 4에 나타낸다. 도 4에서 횡축은 차광막의 표면으로부터의 깊이(㎚)를 나타내고, 종축은 차광막의 조성을 원자 농도(at%)로 나타내고 있다. 도 4의 결과로부터, TaN층에 수소가 1.6at% 정도 함유되어 있다고 할 수 있다. 이 결과로부터, TaN층에 포함된 수소의 공급원은 유리 기판이라고 할 수 있다. 또, 장기 보관 전후에서의 평탄도의 차분값으로부터, TaN층 중에 수소가 1.6at% 정도 포함되는 정도로는 주표면의 평탄도에는 거의 영향을 주지 않는 것도 알 수 있다.
[전사용 마스크의 제작]
장기 보관을 실시하지 않은 실시예 1의 마스크 블랭크를 이용하여 이하의 순서로 실시예 1의 전사용 마스크를 제작했다.
맨 처음, 스핀 코트법으로 막두께 100㎚의 전자선 묘화용 화학증폭형 레지스트(5)를 도포했다(도 3(c) 참조). 레지스트(5)를 도포한 후, 그 레지스트(5)에 대해, 전자선 묘화 및 현상을 실시하여 레지스트 패턴(5a)을 형성했다(도 3(d) 참조). 또한, 전자선 묘화를 실시한 패턴은, 더블 패터닝 기술을 이용하여 22㎚ 노드의 미세한 패턴을 2개의 비교적 성긴 전사 패턴으로 분할한 것의 한쪽을 이용했다.
다음으로 불소계(CF4) 가스를 이용한 드라이 에칭을 실시하여 고산화층(4)을 포함하는 TaO층(상층)(3)의 패턴(3a)을 제작했다(도 3(e) 참조). 이어서, 염소계(Cl2) 가스를 이용한 드라이 에칭을 실시하여 TaN층(하층)(2)의 패턴(2a)을 제작하고, 기판(1)상에 차광막 패턴(30a)을 제작했다(도 3(f) 참조). 이어서 차광막 패턴(30a)상의 레지스트를 제거하고, 전사용 마스크로서의 기능을 갖는 차광막 패턴(30a)을 얻었다(도 3(g) 참조). 이상에 의해 전사용 마스크(바이너리 마스크)를 얻었다.
다음으로 제작한 전사용 마스크에 대해, 자연 산화가 진행되기 전(예를 들어 성막 후 1시간 이내)에, 또는 성막 후 자연 산화가 진행되지 않는 환경 하에서 보관한 후에, 전사용 마스크를 90℃의 탈이온수(DI water)에 120분간 침지시켜 온수 처리(표면 처리)를 실시했다. 이에 따라, 실시예 1의 전사용 마스크를 얻었다.
이 실시예 1의 전사용 마스크에서는 차광막 패턴(30a)의 표층에 도 2에 모식적으로 나타낸 것과 같은 탄탈의 고산화층(4a, 4b 및 4c)의 형성이 확인됐다. 구체적으로는, 주사 투과 전자현미경(STEM: scanning transmission electron microscope)에 의한 단면 관찰에 의해, 두께 3㎚의 고산화층(4a, 4b 및 4c)이 확인됐다. 또, 차광막 패턴(30a)의 차광막이 있는 부분에 대해 HFS/RBS 분석을 실시했다. 차광막의 깊이 방향 프로파일의 분석 결과에 따르면, TaO층(3)의 표층의 탄탈의 고산화층(4a)은 산소 함유량이 71.4~67at%인 것이 확인됐다. 한편, 패턴 측벽 부분(4b 및 4c)에 대해서는 HFS/RBS 분석에 따른 산소 함유량의 확인이 곤란하다. 이 때문에, STEM에 의한 관찰 시에 EDX(에너지 분산형 X선 분광) 분석을 이용하고, 먼저 분석한 차광막 패턴(30a)의 표층의 고산화층(4a)의 HFS/RBS 분석 결과와 비교하여, 고산화층(4a)과 고산화층(4b 및 4c)에서 산소 함유량이 같다는 것이 확인됐다.
제작한 실시예 1의 전사용 마스크를 마스크 케이스(보관 케이스)에 밀폐 상태로 수납하고, 150일이 경과할 때까지 클린룸 내에서 보관했다. 이 장기 보관의 전후에서 전사용 마스크의 면내 소정 부분에서의 패턴 폭 및 공간 폭을 각각 측정했다. 장기 보관 전후에서의 패턴 폭이나 스페이스 폭의 변동 폭은 모두 허용 범위 내였다. 같은 순서로, 이 실시예 1의 마스크 블랭크를 이용하고, 더블 패터닝 기술을 이용하여 22㎚ 노드의 미세한 패턴을 2개의 비교적 성긴 전사 패턴으로 분할한 것 중의 다른 한쪽의 전사 패턴을 갖는 전사용 마스크를 제작했다. 이상의 순서에 따라 2장의 전사용 마스크를 이용하여 더블 패터닝 기술로 노광 전사함으로써, 22㎚ 노드의 미세한 패턴을 전사 대상물에 전사 가능한 전사용 마스크 세트를 얻었다.
[반도체 디바이스의 제조]
장기 보관 후의 전사용 마스크 세트를 이용하고, ArF 엑시머 레이저를 노광광으로 하는 노광 장치를 이용하여, 더블 패터닝 기술을 적용해 반도체 디바이스상의 레지스트막에 22㎚ 노드의 미세 패턴을 노광 전사했다. 노광 후의 반도체 디바이스상의 레지스트막에 소정의 현상 처리를 실시하여 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층막을 드라이 에칭해 회로 패턴을 형성했다. 반도체 디바이스에 형성한 회로 패턴을 확인한 바, 중첩 정밀도 부족에 기인하는 회로 패턴의 배선 단락이나 단선은 없었다.
( 비교예 1)
[마스크 블랭크의 제조]
주표면의 치수가 약 152mm×약 152mm이고, 두께가 약 6.35mm인 합성석영 유리로 이루어지는 유리 기판을 준비했다. 이 유리 기판은 주표면을 소정의 평탄도 및 표면 거칠기로 연마하고, 그 후 소정의 세정 처리 및 건조 처리가 실시된 것이었다. 또한, 이 유리 기판은 주표면의 142mm 사방의 내측 영역에서의 평탄도는 0.3㎛ 이하이고, 표면형상은 볼록형상이었다. 또, 주표면의 표면 거칠기는 한 변이 1㎛인 사각형 내의 측정 영역에서의 제곱평방근평균 거칠기 Rq로 0.2㎚ 이하였다. 이 유리 기판은 22㎚ 노드의 마스크 블랭크에서 사용하는 유리 기판으로서 충분한 수준이었다. 이 유리 기판 중의 수소 농도를 레이저 라만 분광광도법으로 측정한 바, 7.4×1018 분자수/㎤였다. 그리고, 실시예 1의 경우와 마찬가지로 이 투광성 기판의 한쪽의 주표면 형상을 표면형상 해석장치(UltraFLAT 200M(Corning TROPEL사 제조)를 이용하여 측정했다.
다음으로 실시예 1과 같은 성막 조건으로 이 유리 기판의 표면에 접하여 차광막(30)을 성막했다. 또한, 차광막(30)이 성막된 유리 기판을 핫플레이트에 설치하고, 대기 중에서 300℃의 가열 처리를 실시하여 TaO층(3)의 표층에 탄탈의 고산화층(4)을 형성했다. 이 고산화층(4)이 형성된 후의 마스크 블랭크에 대해, 기판 주표면상의 차광막(30)의 표면형상을 평탄도 측정장치 UltraFLAT 200M(Corning TOROPEL사 제조)으로 측정했다. 이상과 같이 하여, 유리 기판(1)의 주표면상에 TaN층(2)과, 표층에 탄탈 고산화층(4)을 포함하는 TaO층(3)과의 적층 구조의 차광막(30)을 구비하는 비교예 1의 마스크 블랭크를 얻었다.
다음으로 이 비교예 1의 마스크 블랭크를 보관 케이스에 밀폐 상태로 수납하고, 150일이 경과할 때까지 클린룸 내에서 보관했다. 그리고, 이 장기간 보관한 비교예 1의 마스크 블랭크를 꺼내어, 기판 주표면상의 차광막(30)의 표면형상을 평탄도 측정장치 UltraFLAT 200M(Corning TOROPEL사 제조)으로 측정했다. 다음으로 장기간 보관 전에 측정한 마스크 블랭크의 차광막(30)의 표면형상과, 장기 보관 후에 측정한 마스크 블랭크의 차광막(30)의 표면형상과의 차분을 취한 표면형상(차분 형상)을 산출했다. 이 차분 형상으로부터 주표면의 142mm 사방의 내측 영역에서의 평탄도의 차분값을 산출한 바, 193㎚(장기 보관에 의해 표면형상이 크게 볼록 방향으로 변화)였다. 이 평탄도의 차분값은 적어도 22㎚ 노드용의 마스크 블랭크에서는 허용할 수 없는 것이었다.
또, 장기 보관 후의 차광막(30)을 구비하는 마스크 블랭크에 대해 HFS/RBS 분석을 실시한 결과를 도 5에 나타낸다. 도 5에서 횡축은 차광막의 표면으로부터의 깊이(㎚)를 나타내고, 종축은 차광막의 조성을 원자 농도(at%)로 나타내고 있다. 도 5의 결과를 보면, TaN층에 수소가 5.9at% 정도 함유되어 있다. 이 결과로부터, TaN층에 포함된 수소 공급원은 유리 기판이라고 할 수 있다. 또, 장기 보관 전후의 평탄도의 차분값으로부터 TaN층 중에 수소가 5.9at% 정도 포함되어 버리면, 주표면의 평탄도가 크게 악화하는 것을 알 수 있었다.
[전사용 마스크의 제작]
다음으로 장기 보관을 실시하지 않은 비교예 1의 마스크 블랭크를 이용하여 실시예 1과 같은 순서로 비교예 1의 전사용 마스크를 제작했다. 제작한 비교예 1의 전사용 마스크를 마스크 케이스(보관 케이스)에 밀폐 상태로 수납하고, 150일이 경과할 때까지 클린룸 내에서 보관했다. 또한, 장기 보관 전후에, 전사용 마스크의 면내 소정 부분에서의 패턴 폭 및 스페이스 폭을 각각 측정했다. 장기 보관 전후의 패턴 폭이나 스페이스 폭의 변동 폭은 모두 커서, 적어도 22㎚ 노드용의 더블 패터닝 기술이 적용되는 전사용 마스크에서는 명백하게 허용 범위 밖이었다. 이 때문에, 같은 순서로, 더블 패터닝 기술을 이용하여 22㎚ 노드의 미세한 패턴을 2개의 비교적 성긴 전사 패턴으로 분할한 것 중 다른 한쪽의 전사 패턴을 갖는 전사용 마스크를 제작했다 하더라도, 중첩 정밀도가 낮아 더블 패터닝용의 전사용 마스크 세트로는 사용할 수 없다.
또, 상기의 장기 보관을 실시한 후의 마스크 블랭크를 이용하여 실시예 1과 같은 순서로 비교예 1의 전사용 마스크를 제작해 보았다. 그 결과, 마스크 블랭크 상태에서 이미 평탄도가 크게 악화하고 있었기 때문에 노광 장치의 마스크 스테이지에 척했을 때에 패턴의 주표면상의 이동이 현저하여, 적어도 22㎚ 노드용의 더블 패터닝 기술이 적용되는 전사용 마스크에서는 명백하게 허용 범위 밖이었다. 또, 차광막의 압축 응력이 현저하게 크기 때문에, 드라이 에칭 후의 차광막의 패턴은 전자선 묘화 패턴으로부터의 어긋남이 컸다.
1: 유리 기판 2: 하층(TaN층)
2a: 하층 패턴 3: 상층(TaO층)
3a: 상층 패턴 4, 4a, 4b, 4c: 탄탈 고산화층
5: 레지스트막 30: 차광막
30a: 차광부 30b: 투광부

Claims (20)

  1. 유리 기판의 주표면상에 박막을 구비하는 마스크 블랭크로서,
    상기 유리 기판은 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만이고,
    상기 박막은 탄탈을 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 상기 유리 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유리 기판은 수소 함유량이 2.0×1017 분자수/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유리 기판은 합성석영 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 항에 있어서,
    ArF 엑시머 레이저가 노광광으로서 적용되는 전사용 마스크의 제작에 이용되는 것인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 항에 있어서,
    상기 박막은 탄탈과 질소를 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 항에 있어서,
    상기 박막의 표층에 산소를 60원자% 이상 함유하는 고산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 항에 있어서,
    상기 박막은 유리 기판측으로부터 하층과 상층이 적층하는 구조를 갖고, 상기 하층은 탄탈과 질소를 함유하고, 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지며, 상기 상층은 탄탈과 산소를 함유하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상층의 표층에 산소를 60원자% 이상 함유하는 고산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 항에 기재한 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  10. 제 9 항에 기재한 전사용 마스크를 이용하고, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 노광 전사는 ArF 엑시머 레이저를 노광광으로서 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  12. 수소 함유량이 7.4×1018 분자수/㎤ 미만인 유리 기판을 준비하는 공정과,
    상기 유리 기판을 성막실 내에 설치하고, 탄탈을 함유하는 타겟을 이용하며, 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 유리 기판의 주표면상에 스퍼터링법에 의해 박막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 유리 기판은 수소 함유량이 2.0×1017 분자수/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 유리 기판은 합성석영 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 항에 있어서,
    상기 마스크 블랭크는 ArF 엑시머 레이저가 노광광으로서 적용되는 전사용 마스크의 제작에 이용되는 것인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
  16. 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 공정은 질소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
  17. 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 항에 있어서,
    상기 박막은 유리 기판측으로부터 하층과 상층이 적층하는 구조를 갖는 것이며,
    상기 박막을 형성하는 공정은 질소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 유리 기판의 주표면상에 스퍼터링법에 의해 상기 하층을 형성하는 공정과,
    산소를 함유하고, 또한 수소를 함유하지 않는 스퍼터링 가스를 성막실 내로 도입하여 상기 하층의 표면에 스퍼터링법에 의해 상기 상층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
  18. 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 항에 기재한 마스크 블랭크의 제조방법으로 제조된 마스크 블랭크를 이용하고, 상기 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조방법.
  19. 제 18 항에 기재한 전사용 마스크의 제조방법으로 제조된 전사용 마스크를 이용하고, 반도체 기판상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 노광 전사는 ArF 엑시머 레이저를 노광광으로서 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
KR1020157015807A 2012-11-20 2013-11-15 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법 KR102205778B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012254157 2012-11-20
JPJP-P-2012-254157 2012-11-20
PCT/JP2013/080874 WO2014080840A1 (ja) 2012-11-20 2013-11-15 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150087295A true KR20150087295A (ko) 2015-07-29
KR102205778B1 KR102205778B1 (ko) 2021-01-21

Family

ID=50776023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157015807A KR102205778B1 (ko) 2012-11-20 2013-11-15 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9625807B2 (ko)
JP (1) JP5753324B2 (ko)
KR (1) KR102205778B1 (ko)
TW (1) TWI584060B (ko)
WO (1) WO2014080840A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220162267A (ko) 2021-06-01 2022-12-08 박용성 빨래 건조용구

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6263051B2 (ja) * 2013-03-13 2018-01-17 Hoya株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法
CN108351586B (zh) 2015-09-02 2022-01-14 Asml荷兰有限公司 用于制造隔膜组件的方法
KR20200140310A (ko) * 2018-04-03 2020-12-15 코닝 인코포레이티드 구조화된 유리 물품을 포함하는 전자 패키지 및 그 제조방법
JP7297692B2 (ja) * 2019-02-28 2023-06-26 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020069175A (ko) * 2001-02-23 2002-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제작방법
JP2006078807A (ja) 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP2008063181A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザー用合成石英ガラス基板及びその製造方法
KR20080092363A (ko) * 2006-01-12 2008-10-15 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP2009230112A (ja) 2008-02-27 2009-10-08 Hoya Corp フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖマスクブランクス用基板
JP2010192503A (ja) 2009-02-16 2010-09-02 Seiko Epson Corp フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法
KR20100128277A (ko) * 2008-03-18 2010-12-07 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
KR20100133932A (ko) * 2002-05-17 2010-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20110109976A (ko) * 2010-03-30 2011-10-06 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조 방법과 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2012212013A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hoya Corp マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3674793B2 (ja) * 1995-10-31 2005-07-20 信越石英株式会社 紫外線レーザ用石英ガラス光学部材の製造方法
JPH11292551A (ja) * 1997-11-28 1999-10-26 Nikon Corp 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス
JP4213413B2 (ja) * 2002-06-26 2009-01-21 東ソー株式会社 真空紫外光用高均質合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板
US7994083B2 (en) 2005-09-16 2011-08-09 Corning Incorporated Fused silica glass and method for making the same
KR101669690B1 (ko) * 2008-10-30 2016-10-27 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP5590113B2 (ja) * 2010-03-02 2014-09-17 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
US9104112B2 (en) 2010-09-30 2015-08-11 Hoya Corporation Mask blank, method of manufacturing the same, and transfer mask

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020069175A (ko) * 2001-02-23 2002-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제작방법
KR20100133932A (ko) * 2002-05-17 2010-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2006078807A (ja) 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びフォトマスク
KR20080092363A (ko) * 2006-01-12 2008-10-15 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP2008063181A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザー用合成石英ガラス基板及びその製造方法
JP2009230112A (ja) 2008-02-27 2009-10-08 Hoya Corp フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法
KR20100128277A (ko) * 2008-03-18 2010-12-07 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖマスクブランクス用基板
JP2010192503A (ja) 2009-02-16 2010-09-02 Seiko Epson Corp フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法
KR20110109976A (ko) * 2010-03-30 2011-10-06 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조 방법과 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2012212013A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hoya Corp マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220162267A (ko) 2021-06-01 2022-12-08 박용성 빨래 건조용구

Also Published As

Publication number Publication date
US9625807B2 (en) 2017-04-18
JP5753324B2 (ja) 2015-07-22
TW201437739A (zh) 2014-10-01
US20150293441A1 (en) 2015-10-15
JPWO2014080840A1 (ja) 2017-01-05
WO2014080840A1 (ja) 2014-05-30
TWI584060B (zh) 2017-05-21
KR102205778B1 (ko) 2021-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6343690B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
JP6053836B2 (ja) マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
KR101671052B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조 방법과 반도체 디바이스의 제조 방법
KR101930556B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR20180048573A (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법
KR20180075495A (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP5266988B2 (ja) ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法及びパターン転写方法
KR102205778B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
KR101925644B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR101985976B1 (ko) 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6140330B2 (ja) マスクブランクの製造方法、転写用マスク用の製造方法、および半導体デバイスの製造方法
KR102067290B1 (ko) 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right