JPWO2014080840A1 - マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
近年では、モリブデンシリサイド化合物を含む材料(MoSi系材料)を遮光膜として用いたArFエキシマレーザー用のバイナリマスクなども出現している(特許文献1)。また、タンタル化合物を含む材料(タンタル系材料)を遮光膜として用いたArFエキシマレーザー用のバイナリマスクなども出現している(特許文献2)。特許文献3には、タンタル、ニオブ、及びバナジウムのうち少なくとも2つを含む金属を用いた遮光膜からなるフォトマスクに対して、酸洗浄や水素プラズマによる洗浄を行った場合、遮光膜が水素脆性化し、遮光膜が変形することがあると記載されている。その解決手段として、遮光膜にパターンを形成後、遮光膜の上面や側面を気密に覆う水素阻止膜を形成することが記載されている。
本発明者は、ガラス基板に成膜されたタンタルを含有する薄膜の圧縮応力が、時間の経過とともに増大する原因について鋭意研究を行った。まず、成膜後のマスクブランクの保管方法に原因がないかを確認するため、種々の保管ケースや保管方法について検証した。しかし、いずれの場合も、マスクブランクの主表面の平坦度が悪化しており、圧縮応力の増大と保管方法との間に明確な相関性はなかった。次に、主表面の平坦度が凸形状の方向に悪化したマスクブランクに対して、ホットプレートを用いて加熱処理を行ってみた。加熱処理の条件は、200℃で5分程度とした。この加熱処理を行うと、一時的には主表面の凸形状が多少良好な方向に変化した。しかし、加熱処理後、時間が経過するとマスクブランクの主表面の平坦度が再び悪化し、根本的な解決には至らないことがわかった。
(実施例1)
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなるガラス基板を準備した。このガラス基板は、主表面を所定の平坦度および表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものであった。なお、このガラス基板は、主表面における142mm四方の内側領域における平坦度は、0.3μm以下であり、表面形状は凸形状であった。また、主表面の表面粗さは、一辺が1μmの四角形内の測定領域での自乗平方根平均粗さRqで0.2nm以下であった。このガラス基板は、22nmノードのマスクブランクで使用されるガラス基板として十分な水準であった。このガラス基板中の水素濃度をレーザーラマン分光光度法によって測定したところ、3.0×1017分子数/cm3であった。そして、このガラス基板の一方の主表面形状を、表面形状解析装置(UltraFLAT 200M(Corning TROPEL社製))を用いて測定した(測定領域は、ガラス基板の中心を基準とした一辺が148mmの四角形の内側領域。以降、表面形状解析装置で測定している表面形状の測定領域は同じ。)。
長期保管を行っていない実施例1のマスクブランクを用いて、以下の手順で実施例1の転写用マスクを作製した。
長期保管後の転写用マスクセットを用い、ArFエキシマレーザーを露光光とする露光装置を用い、ダブルパターニング技術を適用し、半導体デバイス上のレジスト膜に22nmノードの微細パターンを露光転写した。露光後の半導体デバイス上のレジスト膜に所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして、下層膜をドライエッチングし、回路パターンを形成した。半導体デバイスに形成した回路パターンを確認したところ、重ね合わせ精度不足に起因する回路パターンの配線短絡や断線はなかった。
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなるガラス基板を準備した。このガラス基板は、主表面を所定の平坦度および表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものであった。なお、このガラス基板は、主表面における142mm四方の内側領域における平坦度は、0.3μm以下であり、表面形状は凸形状であった。また、主表面の表面粗さは、一辺が1μmの四角形内の測定領域での自乗平方根平均粗さRqで0.2nm以下であった。このガラス基板は、22nmノードのマスクブランクで使用するガラス基板として十分な水準であった。このガラス基板中の水素濃度をレーザーラマン分光光度法によって測定したところ、7.4×1018分子数/cm3であった。そして、実施例1の場合と同様に、この透光性基板の一方の主表面形状を、表面形状解析装置(UltraFLAT 200M(Corning TROPEL社製))を用いて測定した。
次に、長期保管を行っていない比較例1のマスクブランクを用いて、実施例1と同様の手順で比較例1の転写用マスクを作製した。作製した比較例1の転写用マスクをマスクケース(保管ケース)に密閉状態で収納し、150日経過するまでクリーンルーム内で保管した。なお、長期保管の前後で、転写用マスクの面内所定部分におけるパターン幅およびスペース幅をそれぞれ測定した。長期保管の前後における、パターン幅やスペース幅の変動幅は、いずれも大きく、少なくとも22nmノード用のダブルパターニング技術が適用される転写用マスクでは明らかに許容範囲外であった。このため、同様の手順で、ダブルパターニング技術を用いて22nmノードの微細なパターンを2つの比較的疎な転写パターンに分割したもののうちのもう一方の転写パターンを有する転写用マスクを作製したとしても、重ね合わせ精度が低く、ダブルパターニング用の転写用マスクセットとしては使用できない。
1 ガラス基板
2 下層(TaN層)
2a 下層パターン
3 上層(TaO層)
3a 上層パターン
4,4a,4b,4c タンタル高酸化層
5 レジスト膜
30 遮光膜
30a 遮光部
30b 透光部
Claims (20)
- ガラス基板の主表面上に薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記ガラス基板は、水素含有量が7.4×1018分子数/cm3未満であり、
前記薄膜は、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板の主表面に接して形成されている
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記ガラス基板は、水素含有量が2.0×1017分子数/cm3以上であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記ガラス基板は、合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。
- ArFエキシマレーザーが露光光として適用される転写用マスクの作製に用いられるものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、タンタルと窒素とを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記薄膜の表層に、酸素を60原子%以上含有する高酸化層が形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、ガラス基板側から下層と上層とが積層する構造を有し、前記下層は、タンタルと窒素とを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記上層は、タンタルと酸素とを含有する材料からなることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層の表層に、酸素を60原子%以上含有する高酸化層が形成されていることを特徴とする請求項7に記載のマスクブランク。
- 請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする転写用マスク。
- 請求項9に記載の転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 前記露光転写は、ArFエキシマレーザーを露光光として適用することを特徴とする請求項10記載の半導体デバイスの製造方法。
- 水素含有量が7.4×1018分子数/cm3未満であるガラス基板を準備する工程と、
前記ガラス基板を成膜室内に設置し、タンタルを含有するターゲットを用い、水素を含有しないスパッタリングガスを成膜室内に導入し、ガラス基板の主表面上にスパッタリング法によって薄膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記ガラス基板は、水素含有量が2.0×1017分子数/cm3以上であることを特徴とする請求項12記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記ガラス基板は、合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項12または13に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記マスクブランクは、ArFエキシマレーザーが露光光として適用される転写用マスクの作製に用いられるものであることを特徴とする請求項12から14のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜を形成する工程は、窒素を含有し、かつ水素を含有しないスパッタリングガスを用いることを特徴とする請求項12から15のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、ガラス基板側から下層と上層とが積層する構造を有するものであり、
前記薄膜を形成する工程は、窒素を含有し、かつ水素を含有しないスパッタリングガスを成膜室内に導入し、ガラス基板の主表面上にスパッタリング法によって前記下層を形成する工程と、
酸素を含有し、かつ水素を含有しないスパッタリングガスを成膜室内に導入し、前記下層の表面にスパッタリング法によって前記上層を形成する工程とからなる
ことを特徴とする請求項12から15のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 請求項12から17のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクを用い、前記マスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- 請求項18に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 前記露光転写は、ArFエキシマレーザーを露光光として適用することを特徴とする請求項19記載の半導体デバイスの製造方法。
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