KR20150083433A

KR20150083433A - 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Info

Publication number: KR20150083433A
Application number: KR1020150002498A
Authority: KR
Inventors: 류이치 우에무라; 야스시 다키구치
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2014-01-09
Filing date: 2015-01-08
Publication date: 2015-07-17
Also published as: TWI594812B; US20150194301A1; JP2015133347A; US9570326B2; US20170090305A1; KR102271777B1; US9869941B2; JP5995881B2; TW201538242A

Abstract

본 발명은 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능한 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 세정 방법은, 웨이퍼(W)의 회전 중에, 노즐(N2)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 중앙부에 세정액을 토출하는 제1 공정과, 노즐(N3)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 중앙부에 건조 영역을 형성하는 제2 공정과, 웨이퍼(W)의 회전 중에, 노즐(N2)을 웨이퍼(W)의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서, 노즐(N2)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 세정액을 토출하는 제3 공정과, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 건조 영역 사이에 생기는 중간 영역의 폭을 취득하는 제4 공정과, 중간 영역의 폭이 소정의 임계값을 초과했을 때에, 웨이퍼(W)의 처리에 제공하는 처리 파라미터를 변경하는 제5 공정을 포함한다.

Description

기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{SUBSTRATE CLEANING METHOD, SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.

현재, 미세 가공을 행하는 데 있어서, 포토리소그래피 기술을 이용하여 요철 패턴(예컨대, 레지스트 패턴)을 기판(예컨대, 반도체 웨이퍼) 상에 형성하는 것이 널리 일반적으로 행해지고 있다. 구체적으로는, 기판 상에 레지스트 재료를 도포하여 레지스트막을 형성하는 도포 공정과, 레지스트막을 노광하는 노광 공정과, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 공정에 의해 요철 패턴이 형성된다.

현상 공정에서는, 현상액에 의해 용해한 레지스트의 용해물을 현상액과 함께 세정액에 의해 기판 표면으로부터 제거하는 세정 처리를 포함한다. 이 세정 처리에 있어서, 레지스트의 용해물이 충분히 제거되지 않고 기판 상에 잔존하면, 원하는 요철 패턴이 얻어지지 않고 현상 결함이 발생할 수 있다.

그래서, 이러한 현상 결함을 억제하기 위해, 특허문헌 1에 기재된 기판의 세정 방법은, 회전 중인 기판의 중앙부에 세정액을 공급하여 기판의 표면 전체로 세정액을 확산시키는 공정과, 기판의 회전 중에, 기판의 표면 상에 있어서의 세정액의 공급 위치를 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측으로 소정 거리만큼 이동시키고, 상기 기판의 중앙부에 건조 가스를 토출하여 건조 영역을 형성하는 공정과, 기판의 회전 중에, 기판의 표면 상에 있어서의 세정액의 공급 위치를 기판의 둘레 가장자리측으로 더욱 이동시키는 공정을 포함하고 있다. 이 경우, 세정액의 공급 위치가 기판의 둘레 가장자리부로 이동함에 따라, 기판의 중심부에 형성된 건조 영역도, 원심력의 작용에 의해 외측으로 확대된다. 그 때문에, 요철 패턴의 오목부 내로부터 세정액이 외측을 향해 배출되고, 레지스트의 용해물이 세정액과 함께 배출된다. 그 결과, 현상 결함의 발생이 억제된다.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-080315호 공보

그러나, 특허문헌 1의 방법에 의해서도, 현상 결함이 발생하는 경우가 있었다. 그 때문에, 본 발명의 목적은, 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능한 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공하는 것에 있다.

본 발명자들이 예의 연구한 결과, 기판의 표면에 있어서 세정액이 건조하고 있는 중간 영역(「반건조 영역」이라고도 말함)이, 현상 결함의 요인이 될 수 있는 것을 발견하였다. 여기서, 중간 영역이란, 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 건조 영역 사이에 존재할 수 있는 영역이다. 중간 영역의 크기에 따라서는, 기판의 회전에 따르는 원심력에 의해, 중간 영역의 세정액이 작게 흩어져 주위로 비산하고(이른바 「액 흩어짐」), 흩어진 세정액이 기판의 표면에 잔존하기 쉬워진다(이른바 「액 잔류」). 상기 잔존한 액 중에는 레지스트의 용해물이 포함되어 있기 때문에, 액 잔류가 발생하면 현상 결함이 발생할 우려가 있다. 이러한 지견에 기초하여, 본 발명자들은 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

즉, 본 발명의 하나의 관점에 따른 기판 세정 방법은, 기판을 회전시키면서, 기판보다 상방에 위치하는 액 노즐로부터 기판의 표면의 중앙부에 세정액을 토출하는 제1 공정과, 제1 공정 후에, 기판의 상방에 위치하는 가스 노즐로부터 기판의 표면의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜, 기판의 표면의 중앙부에 건조 영역을 형성하는 제2 공정과, 제2 공정 후에, 기판을 회전시키며 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서, 액 노즐로부터 기판의 표면에 세정액을 토출하는 제3 공정과, 기판의 표면에 있어서 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 건조 영역 사이에 생기는 중간 영역의 폭을 취득하는 제4 공정과, 상기 중간 영역의 폭이 소정의 임계값을 초과했을 때에, 중간 영역의 폭이 임계값 이하가 되도록, 기판의 처리에 제공하는 처리 파라미터를 변경하는 제5 공정을 포함한다.

중간 영역의 크기가 클수록, 기판의 회전에 따라 보다 많은 세정액에 원심력이 작용하기 때문에, 기판의 표면에 있어서 보다 많은 세정액이 흩어져 주위로 비산하여, 현상 결함이 발생하기 쉬워진다. 그러나, 본 발명의 하나의 관점에 따른 기판 세정 방법에서는, 기판의 표면에 있어서 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 건조 영역 사이에 위치하는 중간 영역의 폭이 소정의 임계값을 초과했을 때에, 중간 영역의 폭이 임계값 이하가 되도록 처리 파라미터를 변경하고 있다. 그 때문에, 중간 영역의 폭이 소정값을 초과하여 커지는 것이 방지됨에 따라, 현상 결함의 요인이 되는 액 흩어짐의 발생이 대폭적으로 억제된다. 그 결과, 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능해진다.

제5 공정에서는, 변경 대상의 처리 파라미터로서, 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 액 노즐의 이동 속도, 기판의 회전수, 및 가스 노즐과 기판의 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함해도 좋다. 제3 공정에서는, 가스 노즐이 액 노즐보다 기판의 중앙측에 위치한 상태를 유지하면서, 가스 노즐을 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 가스 노즐로부터 기판의 표면에 건조 가스를 토출하고, 제5 공정에서는, 변경 대상의 처리 파라미터로서, 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 가스 노즐의 이동 속도, 액 노즐의 이동 속도, 기판의 회전수, 및 가스 노즐과 기판의 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함해도 좋다. 중간 영역의 폭이 임계값 이하가 되도록 이들 처리 파라미터를 변경함으로써, 외란의 영향에 의해 중간 영역의 크기가 변화한 경우라도 결함이 발생하기 어려운 로버스트(robust)(강건)한 제어를 실현할 수 있다.

임계값은, 5 ㎜∼15 ㎜의 범위 내에서 설정된 값이어도 좋다.

제3 공정에서는, 기판을 회전시키며 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 액 노즐로부터 기판의 표면에 세정액을 토출하고, 중간 영역과 건조 영역의 경계 부분을 포함하는 촬상 화상을 취득하며, 제4 공정은, 액 노즐의 위치에 기초하여 중간 영역의 외측 가장자리를 특정하는 제1 서브 스텝과, 촬상 화상을 구성하는 화소의 휘도값의 변화량에 기초하여, 중간 영역의 내측 가장자리를 특정하는 제2 서브 스텝과, 제1 및 제2 서브 스텝에서 특정된 중간 영역의 외측 가장자리와 내측 가장자리와의 직선 거리에 의해 중간 영역의 폭을 결정하는 제3 서브 스텝을 포함해도 좋다. 중간 영역은, 기판의 표면에 있어서 세정액이 건조하고 있는 반건조 영역이기도 하기 때문에, 통상, 중간 영역에 있어서 간섭 무늬가 발현된다. 그 때문에, 중간 영역과 건조 영역 사이에는, 휘도차(콘트라스트)가 존재한다. 따라서, 중간 영역과 건조 영역의 경계 부분의 촬상 화상을 화상 처리하고, 휘도값의 변화량을 산출함으로써, 중간 영역의 내측 가장자리를 상당한 정확성을 가지고 결정할 수 있다.

본 발명의 다른 관점에 따른 기판 세정 장치는, 기판을 회전시키는 회전 구동부와, 기판보다 상방에 위치하며 기판의 표면에 세정액을 토출하는 액 노즐과, 기판보다 상방에 위치하며 기판의 표면에 건조 가스를 토출하는 가스 노즐과, 기판보다 상방에 위치하며 기판의 표면을 촬상하는 촬상부와, 회전 구동부, 액 노즐, 가스 노즐 및 촬상부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 회전 구동부 및 액 노즐을 제어하여, 회전 중인 기판의 표면의 중앙부에 액 노즐로부터 세정액을 토출시키는 제1 제어와, 제1 제어 후에, 가스 노즐을 제어하여, 가스 노즐로부터 기판의 표면의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜, 기판의 표면의 중앙부에 건조 영역을 형성하는 제2 제어와, 제2 제어 후에, 회전 구동부, 액 노즐 및 촬상부를 제어하여, 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서, 회전 중인 기판의 표면에 액 노즐로부터 세정액을 토출시키고, 촬상부에 의해 기판의 표면의 촬상 화상을 취득하는 제3 제어와, 기판의 표면에 있어서 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 건조 영역 사이에 생기는 중간 영역의 폭을, 촬상 화상을 이용하여 결정하는 제4 제어와, 중간 영역의 폭이 소정의 임계값을 초과했을 때에, 중간 영역의 폭이 임계값 이하가 되도록, 기판의 처리에 제공하는 처리 파라미터를 변경하는 제5 제어를 실행한다.

본 발명의 다른 관점에 따른 기판 세정 장치에 있어서도, 본 발명의 하나의 관점에 따른 기판 세정 방법과 마찬가지로, 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능해진다.

제어부는, 제5 제어에 있어서, 변경 대상의 처리 파라미터로서, 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 액 노즐의 이동 속도, 기판의 회전수, 및 가스 노즐과 기판의 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함해도 좋다. 제3 제어에서는, 가스 노즐을 제어하여, 가스 노즐이 액 노즐보다 기판의 중앙측에 위치한 상태를 유지하면서, 가스 노즐을 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 회전 중인 기판의 표면에 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시키고, 제5 제어에서는, 변경 대상의 처리 파라미터로서, 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 가스 노즐의 이동 속도, 액 노즐의 이동 속도, 기판의 회전수, 및 가스 노즐과 기판의 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함해도 좋다. 중간 영역의 폭이 임계값 이하가 되도록 이들 처리 파라미터를 변경함으로써, 외란의 영향에 의해 중간 영역의 크기가 변화한 경우라도 결함이 발생하기 어려운 로버스트(강건)한 제어를 실현할 수 있다.

임계값은, 5 ㎜∼15 ㎜의 범위 내에서 설정된 값이어도 좋다.

제어부는, 제4 제어에 있어서, 액 노즐의 위치에 기초하여 중간 영역의 외측 가장자리를 특정하는 제1 처리와, 중간 영역과 건조 영역의 경계 부분을 포함하는 촬상 화상을 구성하는 화소의 휘도값의 변화량에 기초하여, 중간 영역의 내측 가장자리를 특정하는 제2 처리와, 제1 및 제2 처리에서 특정된 중간 영역의 외측 가장자리와 내측 가장자리와의 직선 거리에 의해 중간 영역의 폭을 결정하는 제3 처리를 실행해도 좋다. 중간 영역은, 기판의 표면에 있어서 세정액이 건조하고 있는 반건조 영역이기도 하다. 중간 영역에서의 세정액은 건조에 의해 박막화되고, 통상, 그 막 두께는 간섭 무늬가 발현될 정도의 두께가 된다. 그 때문에, 중간 영역과 건조 영역 사이에는, 휘도차(콘트라스트)가 존재한다. 따라서, 중간 영역과 건조 영역의 경계 부분의 촬상 화상을 화상 처리하고, 휘도값의 변화량을 산출함으로써, 중간 영역의 내측 가장자리를 상당한 정확성을 가지고 결정할 수 있다.

본 발명의 다른 관점에 따른 기판 세정 장치는, 기판의 표면을 따라 촬상부를 이동시키는 구동부를 더 구비하고, 제어부는, 제3 제어에 있어서 구동부를 제어하여, 기판의 회전에 따라 이동하는 경계 부분에 추종하도록 촬상부를 이동시켜도 좋다. 이 경우, 중간 영역과 건조 영역의 경계 부분에 추종하도록 촬상부가 이동함으로써, 상기 경계 부분의 촬상부에 의한 촬상을 보다 확실하게 행할 수 있고, 얻어진 촬상 화상에 있어서 상기 경계 부분이 보다 선명해진다. 그 때문에, 중간 영역의 내측 가장자리를 보다 정확하게 특정할 수 있다.

본 발명의 다른 관점에 따른 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 상기한 기판 세정 방법을 기판 세정 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 본 발명의 다른 관점에 따른 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서도, 본 발명의 하나의 관점에 따른 필터 처리 방법과 마찬가지로, 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예컨대, 각종의 주기억 장치 또는 보조 기억 장치)나, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예컨대, 네트워크를 통해 제공 가능한 데이터 신호)가 포함된다.

본 발명에 의하면, 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능한 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공할 수 있다.

도 1은 도포·현상 시스템을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도이다.
도 4는 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 5는 기판 처리 장치를 도시한 상면도이다.
도 6은 현상액을 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 세정액을 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 세정액 및 건조 가스를 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.

본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명하지만, 이하의 본 실시형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명을 이하의 내용에 한정하는 취지는 아니다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하기로 하며, 중복되는 설명은 생략한다.

먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 도포·현상 장치(1)의 구성의 개요에 대해서 설명한다. 도포·현상 장치(1)는, 노광 장치(E1)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(기판)(W)의 표면에 레지스트 재료를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행한다. 도포·현상 장치(1)는, 노광 장치(E1)에 의한 노광 처리 후에, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 본 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)는 원판 형상을 나타내지만, 원형의 일부가 절결되어 있거나, 다각형 등의 원형 이외의 형상을 나타내는 웨이퍼를 이용해도 좋다.

도포·현상 장치(1)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어 블록(S1)과, 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)과, 도포·현상 장치(1)의 제어 수단으로서 기능하는 제어 장치(CU)를 구비한다. 본 실시형태에 있어서, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3) 및 노광 장치(E1)는, 이 순서로 직렬로 배열되어 있다.

캐리어 블록(S1)은, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 스테이션(12)과, 반입·반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은, 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는, 복수 매의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용한다. 캐리어(11)는, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 일측면(11a)측에 갖는다. 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입·반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.

반입·반출부(13)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 스테이션(12) 상의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 동시에 개방되면, 캐리어(11) 내와 반입·반출부(13) 내가 연통(連通)된다. 반입·반출부(13)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 전달 아암(A1)을 내장하고 있다. 전달 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)에 건네준다. 전달 아암(A1)은, 처리 블록(S2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.

처리 블록(S2)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 블록(S1)에 인접하고, 캐리어 블록(S1)과 접속되어 있다. 처리 블록(S2)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 하층 반사 방지막 형성(BCT) 블록(14)과, 레지스트막 형성(COT) 블록(15)과, 상층 반사 방지막 형성(TCT) 블록(16)과, 현상 처리(DEV) 블록(17)을 갖는다. DEV 블록(17), BCT 블록(14), COT 블록(15) 및 TCT 블록(16)은, 바닥면측으로부터 이 순서로 나란히 배치되어 있다.

BCT 블록(14)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A2)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 반사 방지막 형성용의 약액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예컨대 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 예컨대 냉각판에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.

COT 블록(15)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A3)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 레지스트막 형성용의 약액(레지스트 재료)을 하층 반사 방지막 위에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예컨대 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 예컨대 냉각판에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 레지스트 재료는, 포지티브형이어도 좋고, 네거티브형이어도 좋다.

TCT 블록(16)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A4)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 반사 방지막 형성용의 약액을 레지스트막 위에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예컨대 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 예컨대 냉각판에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.

DEV 블록(17)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 현상 처리 유닛(기판 처리 장치)(U1)과, 복수의 가열·냉각 유닛(열 처리부)(U2)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A5)과, 이들 유닛을 거치지 않고 처리 블록(S2)의 전후 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A6)을 내장하고 있다.

현상 처리 유닛(U1)은, 후술하는 바와 같이, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 가열·냉각 유닛(U2)은, 예컨대 열판에 의한 웨이퍼(W)의 가열을 통해, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막을 가열한다. 가열·냉각 유닛(U2)은, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예컨대 냉각판에 의해 냉각한다. 가열·냉각 유닛(U2)은, 포스트 익스포저 베이크(PEB), 포스트 베이크(PB) 등의 가열 처리를 행한다. PEB는, 현상 처리 전에 레지스트막을 가열하는 처리이다. PB는, 현상 처리 후에 레지스트막을 가열하는 처리이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 처리 블록(S2) 중 캐리어 블록(S1)측에는, 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 복수의 셀(C30∼C38)을 갖는다. 셀(C30∼C38)은, DEV 블록(17)과 TCT 블록(16) 사이에 있어서 상하 방향으로 나란히 배치되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는, 승강 아암(A7)이 설치되어 있다. 승강 아암(A7)은, 셀(C30∼C38) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

처리 블록(S2) 중 인터페이스 블록(S3)측에는, 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 복수의 셀(C40∼C42)을 갖는다. 셀(C40∼C42)은, DEV 블록(17)에 인접하여, 상하 방향으로 나란히 배치되어 있다.

인터페이스 블록(S3)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 처리 블록(S2) 및 노광 장치(E1) 사이에 위치하고, 처리 블록(S2) 및 노광 장치(E1)의 각각에 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 전달 아암(A8)을 내장하고 있다. 전달 아암(A8)은, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U11)으로부터 노광 장치(E1)에 웨이퍼(W)를 건네준다. 전달 아암(A8)은, 노광 장치(E1)로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 선반 유닛(U11)으로 웨이퍼(W)를 복귀시킨다.

제어 장치(CU)는, 제어용의 컴퓨터이며, 도 1에 도시된 바와 같이, 기억부(CU1)와, 제어부(CU2)를 갖는다. 기억부(CU1)는, 도포·현상 장치(1)의 각부나 노광 장치(E1)의 각부를 동작시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억부(CU1)는, 예컨대 반도체 메모리, 광기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크이다. 상기 프로그램은, 기억부(CU1)와는 별체(別體)의 외부 기억 장치나, 전파 신호 등의 무형의 매체에도 포함될 수 있다. 이들 다른 매체로부터 기억부(CU1)에 상기 프로그램을 인스톨하고, 기억부(CU1)에 상기 프로그램을 기억시켜도 좋다. 제어부(CU2)는, 기억부(CU1)로부터 읽어낸 프로그램에 기초하여, 도포·현상 장치(1)의 각부나 노광 장치(E1)의 각부의 동작을 제어한다. 한편, 제어 장치(CU)는, 처리 조건의 설정 화면을 표시하는 표시부(도시하지 않음)나, 처리 조건을 작업자가 입력 가능한 입력부(도시하지 않음)를 더 가지며, 입력부를 통해 입력된 조건에 따라 도포·현상 장치(1)의 각부나 노광 장치(E1)의 각부를 동작시켜도 좋다.

다음으로, 도포·현상 장치(1)의 동작의 개요에 대해서 설명한다. 먼저, 캐리어(11)가 캐리어 스테이션(12)에 설치된다. 이때, 캐리어(11)의 일측면(11a)은, 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)로 향하게 된다. 계속해서, 캐리어(11)의 개폐 도어와, 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 함께 개방되고, 전달 아암(A1)에 의해, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)가 취출되어, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀에 순차 반송된다.

웨이퍼(W)가 전달 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀에 반송된 후, 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, BCT 블록(14)에 대응하는 셀(C33)에 순차 반송된다. 셀(C33)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A2)에 의해 BCT 블록(14) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 아암(A2)에 의해 웨이퍼(W)가 BCT 블록(14) 내를 반송되는 과정에서, 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.

하층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A2)에 의해 셀(C33) 위의 셀(C34)에 반송된다. 셀(C34)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, COT 블록(15)에 대응하는 셀(C35)에 반송된다. 셀(C35)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 COT 블록(15) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 아암(A3)에 의해 웨이퍼(W)가 COT 블록(15) 내를 반송되는 과정에서, 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 셀(C35) 위의 셀(C36)에 반송된다. 셀(C36)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, TCT 블록(16)에 대응하는 셀(C37)에 반송된다. 셀(C37)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4)에 의해 TCT 블록(16) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 아암(A4)에 의해 웨이퍼(W)가 TCT 블록(16) 내를 반송되는 과정에서, 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.

상층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4)에 의해 셀(C37) 위의 셀(C38)에 반송된다. 셀(C38)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해 셀(C32)에 반송된 후, 반송 아암(A6)에 의해 선반 유닛(U11)의 셀(C42)에 반송된다. 셀(C42)에 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(S3)의 전달 아암(A8)에 의해 노광 장치(E1)에 건네지고, 노광 장치(E1)에 있어서 레지스트막의 노광 처리가 행해진다. 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 전달 아암(A8)에 의해 셀(C42) 아래의 셀(C40, C41)에 반송된다.

셀(C40, C41)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A5)에 의해, DEV 블록(17) 내의 각 유닛에 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상에 레지스트 패턴(요철 패턴)이 형성된다. 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A5)에 의해 선반 유닛(U10) 중 DEV 블록(17)에 대응한 셀(C30, C31)에 반송된다. 셀(C30, C31)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, 전달 아암(A1)이 액세스 가능한 셀에 반송되고, 전달 아암(A1)에 의해, 캐리어(11) 내로 복귀된다.

한편, 전술한 도포·현상 장치(1)의 구성 및 동작은 일례에 불과하다. 도포·현상 장치(1)는, 도포 유닛이나 현상 처리 유닛 등의 액 처리 유닛과, 가열·냉각 유닛 등의 전처리·후처리 유닛과, 반송 장치를 구비하고 있으면 된다. 즉, 이들 각 유닛의 개수, 종류, 레이아웃 등은 적절하게 변경 가능하다.

다음으로, 현상 처리 유닛(기판 처리 장치)(U1)에 대해서, 더욱 상세히 설명한다. 현상 처리 유닛(U1)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 유지부(20)와, 승강 장치(22)와, 현상액 공급부(23)와, 세정액 공급부(24)와, 건조 가스 공급부(25)와, 촬상부(26)를 구비한다.

회전 유지부(20)는, 전동 모터 등의 동력원을 내장한 본체부(20a)와, 본체부(20a)로부터 연직 상방으로 연장되는 회전축(20b)과, 회전축(20b)의 선단부에 설치된 척(20c)을 갖는다. 본체부(20a)는, 동력원에 의해 회전축(20b) 및 척(20c)을 회전시킨다. 척(20c)은, 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하며, 예컨대 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지한다. 즉, 회전 유지부(20)는, 웨이퍼(W)의 자세가 대략 수평인 상태로, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수직인 중심축(연직축) 주위로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 본 실시형태에서는, 도 4 등에 도시된 바와 같이, 회전 유지부(20)는, 상방에서 보아 반시계 방향으로 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

승강 장치(22)는, 회전 유지부(20)에 부착되어 있고, 회전 유지부(20)를 승강시킨다. 구체적으로는, 승강 장치(22)는, 반송 아암(A5)과 척(20c) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 상승 위치(전달 위치)와, 현상 처리를 행하기 위한 하강 위치(현상 위치) 사이에서, 회전 유지부(20)[척(20c)]를 승강시킨다.

회전 유지부(20)의 주위에는, 컵(30)이 설치되어 있다. 웨이퍼(W)가 회전하면, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 액체(상세한 것은 후술한다.)가 주위로 뿌리쳐져 낙하하는데, 컵(30)은, 상기 낙하한 액체를 받아내는 수용기로서 기능한다. 컵(30)은, 회전 유지부(20)를 둘러싸는 원환 형상의 바닥판(31)과, 바닥판(31)의 외측 가장자리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통형의 외벽(32)과, 바닥판(31)의 내측 가장자리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통형의 내벽(33)을 갖는다.

외벽(32)의 모든 부분은, 척(20c)에 유지된 웨이퍼(W)보다 외측에 위치한다. 외벽(32)의 상단(32a)은, 하강 위치에 있는 회전 유지부(20)에 유지된 웨이퍼(W)보다 상방에 위치한다. 외벽(32)의 상단(32a)측의 부분은, 상방으로 향함에 따라 내측으로 기울어진 경사벽부(32b)로 되어 있다. 내벽(33)의 모든 부분은, 척(20c)에 유지된 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리보다 내측에 위치한다. 내벽(33)의 상단(33a)은, 하강 위치에 있는 회전 유지부(20)에 유지된 웨이퍼(W)보다 하방에 위치한다.

내벽(33)과 외벽(32) 사이에는, 바닥판(31)의 상면으로부터 연직 상방으로 돌출된 칸막이벽(34)이 설치되어 있다. 즉, 칸막이벽(34)은, 내벽(33)을 둘러싸고 있다. 바닥판(31) 중, 외벽(32)과 칸막이벽(34) 사이의 부분에는, 액체 배출 구멍(31a)이 형성되어 있다. 액체 배출 구멍(31a)에는, 배액관(排液管; 35)이 접속되어 있다. 바닥판(31) 중, 칸막이벽(34)과 내벽(33) 사이의 부분에는, 기체 배출 구멍(31b)이 형성되어 있다. 기체 배출 구멍(31b)에는, 배기관(36)이 접속되어 있다.

내벽(33) 위에는, 칸막이벽(34)보다 외측으로 돌출되는 우산 형상부(37)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W) 상으로부터 외측으로 뿌리쳐져 낙하한 액체는, 외벽(32)과 칸막이벽(34) 사이로 유도되고, 액체 배출 구멍(31a)으로부터 배출된다. 칸막이벽(34)과 내벽(33) 사이에는, 액체로부터 발생한 가스 등이 진입하고, 상기 가스가 기체 배출 구멍(31b)으로부터 배출된다.

내벽(33)으로 둘러싸이는 공간의 상부는, 칸막이판(38)에 의해 폐색되어 있다. 회전 유지부(20)의 본체부(20a)는 칸막이판(38)의 하방에 위치한다. 척(20c)은 칸막이판(38)의 상방에 위치한다. 회전축(20b)은 칸막이판(38)의 중심부에 형성된 관통 구멍 내에 삽입 관통되어 있다.

현상액 공급부(23)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 현상액(처리액)의 공급원(23a)과, 헤드부(23c)와, 도시하지 않은 이동체를 갖는다. 공급원(23a)은, 현상액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 헤드부(23c)는, 공급관(23b)을 통해 공급원(23a)에 접속된다. 헤드부(23c)는, 현상액의 공급시에, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상방에 위치하고 있다. 헤드부(23c)에 설치된 노즐(N1)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 하방으로 개구되어 있다. 따라서, 헤드부(23c)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(23a)으로부터 공급된 현상액을, 노즐(N1)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출한다.

이동체는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아, 헤드부(23c)를 수평 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 헤드부(23c)는, 하강 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상방이며 또한 웨이퍼(W)의 중심축에 직교하는 직선 상을, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 이동한다.

세정액 공급부(24)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 세정액(린스액)의 공급원(24a)과, 헤드부(24c)와, 이동체(24d)를 갖는다. 공급원(24a)은, 세정액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 세정액은, 예컨대 순수 또는 DIW(Deionized Water)이다. 헤드부(24c)는, 공급관(24b)을 통해 공급원(24a)에 접속된다. 헤드부(24c)는, 세정액의 공급시에, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상방에 위치하고 있다. 헤드부(24c)에 설치된 노즐(N2)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 하방으로 개구되어 있다. 따라서, 헤드부(24c)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(24a)으로부터 공급된 세정액을, 노즐(N2)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출한다.

이동체(24d)는, 아암(24e)을 통해 헤드부(24c)에 접속되어 있다. 이동체(24d)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아, 가이드 레일(도시하지 않음) 상을 수평 방향으로 이동한다. 이에 의해, 헤드부(24c)는, 하강 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상방이며 또한 웨이퍼(W)의 중심축에 직교하는 직선 상을, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 수평 방향으로 이동한다. 이동체(24d)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아, 아암(24e)을 승강시킨다. 이에 의해, 헤드부(24c)는, 상하 방향으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 대하여 근접 또는 이격된다.

건조 가스 공급부(25)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 건조 가스의 공급원(25a)과, 헤드부(25c)와, 이동체(25d)를 갖는다. 공급원(25a)은, 건조 가스의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 건조 가스는, 예컨대 질소 등의 불활성 가스이다. 헤드부(25c)는, 공급관(25b)을 통해 공급원(25a)에 접속된다. 헤드부(25c)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상방에 위치하고 있다. 헤드부(25c)에 설치된 노즐(N3)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 하방으로 개구되어 있다. 따라서, 헤드부(25c)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(25a)으로부터 공급된 건조 가스를, 노즐(N3)로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출한다. 한편, 노즐(N3)은, 그 선단이 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 1자유도로 회전 가능하다(도 4 참조). 구체적으로는, 노즐(N3)은, 그 토출구가 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과 직교하는 상태와, 그 토출구가 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리측을 향해[노즐(N2)측을 향해] 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 대하여 기울어진 상태를 취할 수 있다.

이동체(25d)는, 아암(25e)을 통해 헤드부(25c)에 접속되어 있다. 이동체(25d)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아, 가이드 레일(도시하지 않음) 상을 수평 방향으로 이동한다. 이에 의해, 헤드부(25c)는, 하강 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상방이며 또한 웨이퍼(W)의 중심축에 직교하는 직선 상을, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 수평 방향으로 이동한다. 이동체(25d)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아, 아암(25e)을 승강시킨다. 이에 의해, 헤드부(25c)는, 상하 방향으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 대하여 근접 또는 이격된다.

세정액 공급부(24) 및 건조 가스 공급부(25)의 배치의 일례를, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에 도시한다. 세정액 공급부(24) 및 건조 가스 공급부(25)는, 상방에서 보아, 노즐(N2, N3)[헤드부(24c, 25c)]이 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 늘어서도록 배치되어 있다. 상세한 것은 후술하지만, 웨이퍼(W)의 세정 공정에 있어서, 노즐(N2, N3)[헤드부(24c, 25c)]은 웨이퍼(W)의 중심 근방으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동한다. 이 이동 방향을 기준으로 하면, 노즐(N3)[헤드부(25c)]은, 노즐(N2)[헤드부(24c)]보다 이동원측에 위치하고 있다.

헤드부(24c, 25c)는, 제어 장치(CU)에 의해, 각 아암(24e, 25e)을 통해 서로 독립적으로 수평 이동한다. 마찬가지로, 헤드부(24c, 25c)는, 제어 장치(CU)에 의해, 각 아암(24e, 25e)을 통해 서로 독립적으로 상하 이동한다. 한편, 도 5의 (a)에 도시된 예에서는, 헤드부(24c, 25c)는, 아암(24e, 25e)이 연장되는 방향과 동일한 방향으로 이동한다. 한편, 도 5의 (b)에 도시된 예에서는, 헤드부(24c, 25c)는, 아암(24e, 25e)이 연장되는 방향과 교차하는 방향으로 이동한다.

촬상부(26)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상방에 위치하고 있으며, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 촬상한다. 본 실시형태에 있어서, 촬상부(26)는, 헤드부(25c)의 선단 근방에 설치되어 있고, 헤드부(25c)와 함께 이동한다(도 4 및 도 5 참조). 촬상부(26)는, 노즐(N2, N3)의 이동 방향을 기준으로 하여, 노즐(N3)[헤드부(25c)]보다 이동원측에 위치하고 있다. 후술하는 세정 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서의 헤드부(25c)[노즐(N3)]의 하방에는, 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계가 존재할 수 있고, 상기 경계가 노즐(N2, N3)[헤드부(24c, 25c)]을 따라 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리측으로 이동한다. 헤드부(25c)의 선단 근방에 설치된 촬상부(26)는, 헤드부(25c)뿐만 아니라 상기 경계와도 동기해서 이동하여, 상기 경계 근방의 촬상을 계속해서 행한다.

다음으로, 현상 처리 유닛(U1)을 이용하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 패턴(요철 패턴)을 형성하는 방법에 대해서, 상세히 설명한다. 먼저, 현상 공정에 대해서 설명한다. 제어 장치(CU)는 승강 장치(22)에 지시하여, 척(20c)을 상승 위치까지 상승시킨다. 이 상태에서, 반송 아암(A5)에 의해 웨이퍼(W)가 현상 처리 유닛(U1) 내에 반입된다. 한편, 웨이퍼(W)가 현상 처리 유닛(U1) 내에 반입되기 전에, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는 레지스트막(R)(도 6 참조)이 형성되고, 상기 레지스트막(R)에는 노광 장치(E1)에 의해 노광 처리가 실시되어 있다.

레지스트막(R)이 배치되어 있는 표면(Wa)을 위로 한 상태로 웨이퍼(W)가 척(20c) 상에 배치되면, 제어 장치(CU)는 척(20c)에 지시하여, 웨이퍼(W)를 척(20c)에 흡착 유지시킨다. 계속해서, 제어 장치(CU)는 승강 장치(22)에 지시하여, 척(20c)을 하강 위치까지 하강시킨다.

계속해서, 제어 장치(CU)는 회전 유지부(20)[본체부(20a)]에 지시하여, 웨이퍼(W)를 회전시킨다[도 6의 (a) 참조]. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)는, 상방에서 보아 반시계 방향으로 회전된다. 제어 장치(CU)는 현상액 공급부(23)의 이동체(도시하지 않음) 및 공급원(23a)에 지시하여, 웨이퍼(W)의 회전 중에 헤드부(23c)를 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리측으로부터 중앙측을 향해 이동시키면서, 노즐(N1)로부터 현상액(L1)을 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 토출시킨다[도 6의 (a) 참조]. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리측으로부터 중앙측을 향해 스파이럴 형상으로 현상액(L1)이 공급되어, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체가 현상액(L1)에 의해 덮여진다[도 6의 (b) 참조]. 계속해서, 제어 장치(CU)는 현상액 공급부(23)의 이동체(도시하지 않음) 및 공급원(23a)에 지시하여, 노즐(N1)로부터 현상액(L1)의 토출을 정지시키고, 헤드부(23c)를 웨이퍼(W)의 외측으로 퇴피시킨다. 이상에 의해, 현상 공정이 종료된다.

계속해서, 세정 공정에 대해서 설명한다. 제어 장치(CU)는 이동체(24d, 25d)에 지시하여, 헤드부(24c, 25c)를 웨이퍼(W)의 중앙부까지 이동시킨다. 노즐(N2)이 웨이퍼(W)의 대략 중앙부에 도달하면, 제어 장치(CU)는 공급원(24a)에 지시하여, 회전 중인 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 노즐(N2)로부터 세정액(L2)을 토출시킨다[도 7의 (a) 참조]. 이때의 웨이퍼(W)의 회전수(ω)의 하한은, 예컨대 500 rpm 정도여도 좋고, 1000 rpm 정도여도 좋다. 이때의 웨이퍼(W)의 회전수(ω)의 상한은, 예컨대 1500 rpm 정도여도 좋고, 1000 rpm 정도여도 좋다. 노즐(N2)로부터의 세정액(L2)의 토출 시간의 하한은, 예컨대 15초 정도여도 좋고, 30초 정도여도 좋다. 노즐(N2)로부터의 세정액(L2)의 토출 시간의 상한은, 예컨대 60초 정도여도 좋고, 30초 정도여도 좋다.

노광 처리된 레지스트막(R) 중 현상액(L1)과의 반응으로 용해된 레지스트의 용해물은, 세정액(L2)에 의해, 현상액(L1)과 함께 씻겨진다[도 7의 (b) 참조]. 이들 레지스트의 용해물, 현상액(L1) 및 세정액(L2)은, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 주위로 뿌리쳐져 낙하한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 레지스트 패턴(RP)이 형성된다[도 7의 (b) 참조]. 레지스트 패턴(RP)은, 볼록부(Ra) 및 오목부(Rb)를 갖는 요철 패턴이다.

계속해서, 웨이퍼(W)의 회전 및 노즐(N2)로부터의 세정액(L2)의 토출을 계속시키면서, 제어 장치(CU)는 이동체(24d, 25d)에 지시하여, 헤드부(24c, 25c)를 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리측으로 이동시킨다. 노즐(N3)이 웨이퍼(W)의 대략 중앙부에 도달하면, 제어 장치(CU)는 공급원(25a)에 지시하여, 웨이퍼(W)의 회전 중에 노즐(N3)로부터 건조 가스(G)를 토출시킨다[도 8의 (a) 참조]. 건조 가스(G)의 토출 개시로부터 토출 정지까지의 시간은, 예컨대 5초 정도로 설정할 수 있다.

이에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 있는 세정액(L2)이 주위로 날라가고 또한 증발하여, 웨이퍼(W)의 중앙부에 건조 영역(D3)이 형성된다(도 5 및 도 8 참조). 여기서, 건조 영역(D3)이란, 세정액(L2)이 증발함으로써 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 노출된 상태의 영역을 말하지만, 상기 표면(Wa) 상에 아주 약간의(예컨대 마이크로 오더의) 액적이 부착되어 있는 경우도 포함하는 것으로 한다. 이 건조 영역(D3)은, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 둘레 가장자리측을 향해 확대된다.

한편, 노즐(N2)로부터 토출되는 세정액(L2)은, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리측을 향해 확산된다. 그 때문에, 노즐(N2)의 위치로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리에 걸친 영역은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는 세정액(L2)이 충분히 공급된 웨트 영역(D1)으로 되어 있다(도 5 및 도 8 참조). 웨트 영역(D1)과 건조 영역(D3) 사이에는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서 세정액(L2)이 건조하고 있는 중간 영역(D2)(「반건조 영역」이라고도 말함)이 존재하고 있다(도 5 및 도 8 참조). 그 때문에, 중간 영역(D2)에서의 세정액(L2)의 두께는, 웨트 영역(D1)에서의 세정액(L2)의 두께보다 얇게 되어 있다.

계속해서, 웨이퍼(W)의 회전 및 노즐(N2)로부터의 세정액(L2)의 토출을 계속시키면서, 제어 장치(CU)는 이동체(24d, 25d)에 지시하여, 헤드부(24c, 25c)를 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해 더욱 이동시킨다[도 8의 (b) 및 도 8의 (c) 참조]. 이때, 노즐(N3)로부터 건조 가스(G)의 토출을 행하지 않아도 좋다. 또는, 제어 장치(CU)는 이동체(24d, 25d)에 지시하여, 노즐(N3)이 노즐(N2)보다 웨이퍼(W)의 중앙측에 위치한 상태를 유지하면서, 노즐(N3)을 노즐(N2)과 함께 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해 이동시키면서 노즐(N3)로부터 건조 가스(G)의 토출을 계속시켜도 좋다.

그 후, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체의 세정이 종료되면, 제어 장치(CU)는 이동체(24d, 25d) 및 회전 유지부(20)[본체부(20a)]에 지시하여, 헤드부(24c, 25c)를 웨이퍼(W)의 외측까지 이동시킨 후, 소정의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시켜 웨이퍼(W)의 건조를 행한다[도 8의 (d) 참조]. 이때의 웨이퍼(W)의 회전수(ω)는, 예컨대 1500 rpm∼2000 rpm 정도로 설정해도 좋다. 이상에 의해, 세정 공정이 종료된다.

이상의 공정을 거쳐, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 패턴(요철 패턴)(RP)이 형성된다. 따라서, 현상 처리 유닛(U1)은, 현상 처리시에 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 장치로서도 기능한다.

그런데, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 건조 영역(D3)을 형성하고 나서[도 8의 (a) 참조], 세정 공정의 종료까지[도 8의 (d) 참조]의 사이에 있어서, 제어 장치(CU)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 형성되는 중간 영역(D2)의 폭(X)[예컨대, 도 5의 (a) 또는 도 8의 (c)를 참조]을 취득하는 취득 처리를 행한다. 그리고, 제어 장치(CU)는, 중간 영역(D2)의 상기 폭(X)이 소정의 임계값을 초과했는지의 여부를 판정하고, 초과했다고 판정했을 때에 상기 폭(X)이 상기 임계값 이하가 되도록, 웨이퍼(W)의 처리에 제공하는 각종 처리 파라미터를 변경하는 변경 처리를 행한다.

상기 임계값의 하한은, 예컨대 5 ㎜ 정도여도 좋다. 상기 임계값의 상한은, 예컨대 15 ㎜ 정도여도 좋다. 상기 임계값은, 5 ㎜∼15 ㎜의 범위 내에서 설정된 값이어도 좋고, 10 ㎜ 정도여도 좋다.

변경 처리에 의해 변경된 처리 파라미터는, 취득 처리가 행해지는 것과 동일한 세정 공정 중에 있어서 즉시 피드백되어, 실시간으로 상기 웨이퍼(W)의 처리를 변경해도 좋다. 변경 처리에 의해 변경된 처리 파라미터는, 취득 처리가 행해지는 세정 공정보다 이후의 세정 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리에 제공되어도 좋다. 폭(X)이 소정의 임계값을 초과했다고 판정된 경우에는, 상기 웨이퍼(W)에 대해서 결함이 발생하고 있다고 추정하고, 다른 웨이퍼(W)와 구별하기 위해 상기 웨이퍼(W)에 마킹 등을 붙여 다른 정상적인 웨이퍼(W)와 상이한 처리를 행해도 좋다. 예컨대, 상기 웨이퍼(W)를 결함 웨이퍼로 하여, 그 후의 처리를 행하지 않고 캐리어(11)로 복귀시키거나, 상기 웨이퍼(W) 상에 있는 레지스트 패턴(PR)을 제거하고, 재차 도포 공정으로부터 패터닝을 행하며, 다시 노광 공정, 현상 공정 및 세정 공정을 행해도 좋다. 또한, 폭(X)이 소정의 임계값을 초과했을 때에, 간단히 알람을 발하여 알리도록 해도 좋다.

중간 영역(D2)의 폭(X)은, 중간 영역(D2) 및 웨트 영역(D1)의 경계와, 중간 영역(D2) 및 건조 영역(D3)의 경계와의 직선 거리로서 정의해도 좋다. 중간 영역(D2)과 웨트 영역(D1)의 경계는, 중간 영역(D2)의 외측 가장자리를 이루고 있다. 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계는, 중간 영역(D2)의 내측 가장자리를 이루고 있다.

웨트 영역(D1)에서는 노즐(N2)로부터 세정액(L2)이 계속해서 토출되고 있기 때문에, 웨트 영역(D1)에서의 세정액(L2)의 막 두께는 두껍다. 건조 영역(D3)에서는 세정액(L2)이 완전히 또는 거의 건조하고 있기 때문에, 건조 영역(D3)에서의 세정액(L2)의 막 두께는 0 또는 아주 얇다. 즉, 중간 영역(D2)에서의 세정액(L2)의 막 두께는, 건조 영역(D3)에서의 세정액(L2)의 막 두께보다 두껍고, 웨트 영역(D1)에서의 세정액(L2)의 막 두께보다 얇다. 중간 영역(D2)에서의 세정액(L2)의 막 두께에 기인하여, 일반적으로, 중간 영역(D2)에는 간섭 무늬가 발현된다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 내측 가장자리 및 외측 가장자리는, 예컨대, 중간 영역(D2)에서의 세정액(L2)의 막 두께를 기준으로 하여 특정되어도 좋고, 외부로부터 관찰되는 중간 영역(D2)의 간섭 무늬를 기준으로 하여 특정되어도 좋다.

노즐(N2)로부터 토출된 세정액(L2)은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로 향한다. 그 때문에, 중간 영역(D2)과 웨트 영역(D1)의 경계[중간 영역(D2)의 외측 가장자리]는, 노즐(N2)의 위치에 거의 일치한다. 구체적으로는, 상기 경계는, 진행 방향에 있어서 노즐(N2)의 후측 가장자리의 위치[노즐(N2) 중, 상방에서 보아 웨이퍼(W)의 중심측의 가장자리의 위치]에 거의 일치한다. 그 때문에, 노즐(N2)의 위치에 기초하여 중간 영역(D2)의 외측 가장자리를 특정해도 좋다.

한편, 중간 영역(D2)의 내측 가장자리의 특정은, 촬상부(26)를 이용한 화상 처리를 통해, 이하와 같이 행해져도 좋다. 중간 영역(D2)에는 간섭 무늬가 발현되고 있기 때문에, 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계에는, 휘도차(콘트라스트)가 존재한다. 그래서, 촬상부(26)는, 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계 부분을 촬상하여 촬상 화상을 생성하면, 상기 촬상 화상을 제어 장치(CU)에 송신한다. 다음으로, 제어 장치(CU)는, 수신한 상기 촬상 화상을 화상 처리하고, 상기 촬상 화상 중 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계 근방을 구성하는 복수의 화소에 있어서의 휘도값의 변화량을 산출한다. 다음으로, 제어 장치(CU)는, 산출한 변화량과 미리 설정된 기준값을 비교하여 기준값보다 큰 화소를 선택하고, 선택된 상기 화소에 대응하는 개소를 중간 영역(D2)의 내측 가장자리로서 특정한다.

이와 같이, 촬상부(26)를 이용한 화상 처리를 통해 중간 영역(D2)의 내측 가장자리를 특정하는 경우, 촬상부(26)가 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계 부분에 더하여 노즐(N3)의 선단 근방도 촬상해도 좋다. 이와 같이 하면, 휘도값의 변화량이 그다지 크지 않은 경우라도, 촬상 화상에 포함되는 노즐(N3)의 존재에 의해 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계 부분을 특정하기 쉬워진다.

각종 처리 파라미터로서, (A) 노즐(N3)로부터 토출되는 건조 가스(G)의 유량, (B) 노즐(N3)의 이동 속도, (C) 노즐(N2)의 이동 속도, (D) 웨이퍼(W)의 회전수(ω), 및 (E) 노즐(N3)과 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과의 거리 중 적어도 하나를 변경해도 좋다. 중간 영역(D2)의 폭(X)이 임계값 이하가 되도록 이들 처리 파라미터를 변경함으로써, 외란의 영향에 의해 중간 영역(D2)의 크기가 변화한 경우라도 결함이 발생하기 어려운 로버스트(강건)한 제어를 실현할 수 있다.

파라미터 (A)에 관해서, 노즐(N3)로부터 토출되는 건조 가스(G)의 유량이 클수록, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에서의 세정액(L2)이 건조하기 쉬워진다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 폭(X)이 작아지는 경향이 있다. 파라미터 (B), (C)에 관해서, 통상은 노즐(N2, N3)을 함께 같은 정도의 속도로 이동시키지만, 중간 영역(D2)의 폭(X)이 커진 경우에는, 노즐(N2)과 노즐(N3)이 근접하도록 적어도 한쪽의 이동 속도가 제어된다. 노즐(N2, N3)의 양방에 대해서 이동 속도를 저하시켜도 좋다.

파라미터 (D)에 관해서, 웨이퍼(W)의 회전수가 클수록, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에서의 세정액(L2)에 작용하는 원심력이 커진다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 폭(X)이 작아지는 경향이 있다. 파라미터 (E)에 관해서, 노즐(N3)과 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과의 거리가 근접할수록, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 분무되는 건조 가스(G)의 유속이 빨라져, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에서의 세정액(L2)이 건조 가스(G)에 의해 배제되기 쉬워진다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 폭(X)이 작아지는 경향이 있다.

그 외의 처리 파라미터의 일례로서, (F) 노즐(N3)의 방향이나, (G) 노즐(N2)로부터 토출되는 세정액(L2)의 유량을 들 수 있다. 파라미터 (F)에 관해서, 노즐(N3)의 방향이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 대하여 대략 45°이면, 노즐(N3)로부터 토출된 건조 가스(G)가 중간 영역(D2)의 내측 가장자리에 직접 또한 효율적으로 분무된다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 폭(X)이 작아지는 경향이 있다. 파라미터 (G)에 관해서, 노즐(N2)로부터 토출되는 세정액(L2)의 유량이 작아지면, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 있어서 세정액(L2)이 도중에 끊겨 버려, 촬상부(26)로 촬상된 촬상 화상에 기초하여 중간 영역(D2)의 내측 가장자리를 특정할 수 없을 우려가 있다. 즉, 파라미터 (G)는, 중간 영역(D2)의 폭(X)의 제어에 직접적으로는 영향을 주지 않으나, 중간 영역(D2)을 유지하기 위한 하나의 요소로서 제어된다.

이상과 같은 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서 세정액(L2)의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역(D1)과, 건조 영역(D3) 사이에 위치하는 중간 영역(D2)의 폭(X)이 소정의 임계값을 초과했을 때에, 중간 영역(D2)의 폭이 임계값 이하가 되도록 각종 처리 파라미터를 변경하고 있다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 폭(X)이 소정값을 초과하여 커지는 것이 방지됨에 따라, 현상 결함의 요인이 되는 액 흩어짐의 발생이 대폭적으로 억제된다. 그 결과, 현상 결함의 발생을 보다 한층 억제하는 것이 가능해진다. 덧붙여, 폭(X)이 소정의 임계값을 초과하지 않는 한도에서 노즐(N2, N3)의 이동 속도 등을 고속화하면, 처리 시간이 짧아지기 때문에, 생산성의 향상에 크게 기여할 수 있다.

본 실시형태에서는, 촬상부(26)가 촬상한 촬상 화상에 기초하여, 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계 부분에 있어서의 휘도값의 변화량을 제어 장치(CU)에 있어서 산출하고 있다. 그 때문에, 중간 영역(D2)의 내측 가장자리를 상당한 정확성을 가지고 결정할 수 있다.

본 실시형태에서는, 촬상부(26)는, 헤드부(25c)뿐만 아니라 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계와도 동기해서 이동하여, 상기 경계 근방의 촬상을 계속해서 행한다. 그 때문에, 중간 영역(D2)과 건조 영역(D3)의 경계 부분의 촬상부(26)에 의한 촬상을 보다 확실하게 행할 수 있고, 얻어진 촬상 화상에 있어서 상기 경계 부분이 보다 선명해진다. 따라서, 중간 영역(D2)의 내측 가장자리를 보다 정확하게 특정할 수 있다.

본 실시형태에서는, 노즐(N3)로부터 건조 가스(G)를 토출시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 중앙부에 건조 영역(D3)을 형성하고 있다. 그 때문에, 헤드부(24c, 25c)가 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로 이동함에 따라, 웨이퍼(W)의 중앙부에 형성된 건조 영역(D3)도, 원심력의 작용에 의해 외측으로 확대된다. 그 때문에, 레지스트 패턴(RP)의 오목부(Rb) 내로부터 세정액(L2)이 외측을 향해 배출되고, 레지스트의 용해물을 세정액(L2)과 함께 제거할 수 있다. 덧붙여, 액 튀김이 발생하기 어려운 것과 더불어, 현상 결함의 발생을 크게 억제할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 촬상부(26)는, 헤드부(24c, 25c)와는 독립적으로 수평 또는 상하 이동하도록 구성되어 있어도 좋다. 촬상부(26)는, 현상 처리 유닛(U1) 주위에 존재하는 측벽이나 천장벽에 고정되어, 이동하지 않도록 구성되어 있어도 좋다. 어떠한 경우라도, 촬상부(26)에 의해 촬상된 촬상 화상은, 중간 영역(D2)의 내측 가장자리를 특정하기 위한 화상 처리의 용도로 제공된다.

노즐(N2, N3)이 동일한 하나의 헤드에 설치되어 있어도 좋다.

1: 도포·현상 장치 20: 회전 유지부
24: 세정액 공급부 25: 건조 가스 공급부
24d, 25d: 이동체 26: 촬상부
CU: 제어 장치 D1: 웨트 영역
D2: 중간 영역 D3: 건조 영역
N2, N3: 노즐 W: 웨이퍼
X: 중간 영역의 폭

Claims

기판을 회전시키면서, 상기 기판보다 상방에 위치하는 액 노즐로부터 상기 기판의 표면의 중앙부에 세정액을 토출하는 제1 공정과,
상기 제1 공정 후에, 상기 기판의 상방에 위치하는 가스 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜, 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 건조 영역을 형성하는 제2 공정과,
상기 제2 공정 후에, 상기 기판을 회전시키며 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 상기 액 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출하는 제3 공정과,
상기 기판의 상기 표면에 있어서 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 상기 건조 영역 사이에 생기는 중간 영역의 폭을 취득하는 제4 공정과,
상기 중간 영역의 상기 폭이 미리 정해진 임계값을 초과했을 때에, 상기 중간 영역의 폭이 상기 임계값 이하가 되도록, 상기 기판의 처리에 제공하는 처리 파라미터를 변경하는 제5 공정을 포함하는 기판 세정 방법.
제1항에 있어서, 상기 제5 공정에서는, 변경 대상의 상기 처리 파라미터로서, 상기 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 상기 액 노즐의 이동 속도, 상기 기판의 회전수, 및 상기 가스 노즐과 상기 기판의 상기 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함하는 기판 세정 방법.
제1항에 있어서, 상기 제3 공정에서는, 상기 가스 노즐이 상기 액 노즐보다 상기 기판의 중앙측에 위치한 상태를 유지하면서, 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 상기 가스 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면에 건조 가스를 토출하고,
상기 제5 공정에서는, 변경 대상의 상기 처리 파라미터로서, 상기 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 상기 가스 노즐의 이동 속도, 상기 액 노즐의 이동 속도, 상기 기판의 회전수, 및 상기 가스 노즐과 상기 기판의 상기 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함하는 기판 세정 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 임계값은, 5 ㎜∼15 ㎜의 범위 내에서 설정된 값인 기판 세정 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 공정에서는, 상기 기판을 회전시키며 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 상기 액 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출하고, 상기 중간 영역과 상기 건조 영역의 경계 부분을 포함하는 촬상 화상을 취득하며,
상기 제4 공정은,
상기 액 노즐의 위치에 기초하여 상기 중간 영역의 외측 가장자리를 특정하는 제1 서브 스텝과,
상기 촬상 화상을 구성하는 화소의 휘도값의 변화량에 기초하여, 상기 중간 영역의 내측 가장자리를 특정하는 제2 서브 스텝과,
상기 제1 및 제2 서브 스텝에서 특정된 상기 중간 영역의 외측 가장자리와 내측 가장자리와의 직선 거리에 의해 상기 중간 영역의 상기 폭을 결정하는 제3 서브 스텝을 포함하는 기판 세정 방법.
기판을 회전시키는 회전 구동부와,
상기 기판보다 상방에 위치하며 상기 기판의 표면에 세정액을 토출하는 액 노즐과,
상기 기판보다 상방에 위치하며 상기 기판의 상기 표면에 건조 가스를 토출하는 가스 노즐과,
상기 기판보다 상방에 위치하며 상기 기판의 상기 표면을 촬상하는 촬상부와,
상기 회전 구동부, 상기 액 노즐, 상기 가스 노즐 및 상기 촬상부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 회전 구동부 및 상기 액 노즐을 제어하여, 회전 중인 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 상기 액 노즐로부터 세정액을 토출시키는 제1 제어와,
상기 제1 제어 후에, 상기 가스 노즐을 제어하여, 상기 가스 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜, 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 건조 영역을 형성하는 제2 제어와,
상기 제2 제어 후에, 상기 회전 구동부, 상기 액 노즐 및 상기 촬상부를 제어하여, 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 회전 중인 상기 기판의 상기 표면에 상기 액 노즐로부터 세정액을 토출시키고, 상기 촬상부에 의해 상기 기판의 상기 표면의 촬상 화상을 취득하는 제3 제어와,
상기 기판의 상기 표면에 있어서 세정액의 공급 위치로부터 외측에 걸쳐 확대되는 웨트 영역과, 상기 건조 영역 사이에 생기는 중간 영역의 폭을, 상기 촬상 화상을 이용하여 결정하는 제4 제어와,
상기 중간 영역의 상기 폭이 미리 정해진 임계값을 초과했을 때에, 상기 중간 영역의 폭이 상기 임계값 이하가 되도록, 상기 기판의 처리에 제공하는 처리 파라미터를 변경하는 제5 제어를 실행하는 기판 세정 장치.
제6항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제5 제어에 있어서, 변경 대상의 상기 처리 파라미터로서, 상기 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 상기 액 노즐의 이동 속도, 상기 기판의 회전수, 및 상기 가스 노즐과 상기 기판의 상기 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함하는 기판 세정 장치.
제6항에 있어서, 상기 제3 제어에서는, 상기 가스 노즐을 제어하여, 상기 가스 노즐이 상기 액 노즐보다 상기 기판의 중앙측에 위치한 상태를 유지하면서, 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 둘레 가장자리측을 향해 이동시키면서 회전 중인 상기 기판의 상기 표면에 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시키고,
상기 제5 제어에서는, 변경 대상의 상기 처리 파라미터로서, 상기 가스 노즐로부터 토출되는 건조 가스의 유량, 상기 가스 노즐의 이동 속도, 상기 액 노즐의 이동 속도, 상기 기판의 회전수, 및 상기 가스 노즐과 상기 기판의 상기 표면과의 거리 중 적어도 하나를 포함하는 기판 세정 장치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 임계값은, 5 ㎜∼15 ㎜의 범위 내에서 설정된 값인 기판 세정 장치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제4 제어에 있어서,
상기 액 노즐의 위치에 기초하여 상기 중간 영역의 외측 가장자리를 특정하는 제1 처리와,
상기 중간 영역과 상기 건조 영역의 경계 부분을 포함하는 상기 촬상 화상을 구성하는 화소의 휘도값의 변화량에 기초하여, 상기 중간 영역의 내측 가장자리를 특정하는 제2 처리와,
상기 제1 및 제2 처리에서 특정된 상기 중간 영역의 외측 가장자리와 내측 가장자리와의 직선 거리에 의해 상기 중간 영역의 상기 폭을 결정하는 제3 처리
를 실행하는 기판 세정 장치.
제10항에 있어서, 상기 기판의 상기 표면을 따라 상기 촬상부를 이동시키는 구동부를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제3 제어에 있어서 상기 구동부를 제어하여, 상기 기판의 회전에 따라 이동하는 상기 경계 부분에 추종하도록 상기 촬상부를 이동시키는 기판 세정 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 기판 세정 방법을 기판 세정 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.