JP7265466B2 - レジスト除去システムおよびレジスト除去方法 - Google Patents

Description

本発明は、レジスト除去システムおよびレジスト除去方法に関する。

半導体デバイス用シリコン基板や液晶パネル用ガラス基板等の基板上の不要となったレジストを除去するレジスト除去方法は、一般に、プラズマを利用するドライプロセスと、薬液を使用するウェットプロセスに分けられる。ドライプロセスには、酸素プラズマ中に基板を晒すアッシングや、オゾン及びＵＶ照射による酸化除去などがある。一方、ウェットプロセスには、市販のレジスト剥離液（有機溶剤）による方法や、硫酸と過酸化水素水の混合溶液（いわゆる硫酸過水）による方法などがある。

しかしながら、従来のドライプロセスで基板上のレジストを剥離除去する場合には、プラズマ発生装置という高価な装置を必要とし、しかも、処理温度が２５０℃以上と高温になり、基板がこの高温に晒されるため、回路に与えるダメージが大きいという問題がある。またウェットプロセスで基板上のレジストを剥離除去する場合には、大量の薬液を使用するため、ランニングコストが大きく、しかも環境へ与える負荷が大きいという問題がある。

特許文献１では、環境への負荷が小さいレジスト除去方法として、オゾンまたは酸素のマイクロバブルを含有する純水を利用する方法が提案されている。

特許第６５０１１９１号

しかしながら、マイクロバブルを含有する液体を利用して基板の洗浄を行う場合、製品のレジスト塗布状況のばらつきによるレジスト残りが懸念される。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、微小気泡含有液により基板の洗浄を行う際に、レジスト残りを改善できるレジスト除去システムおよびレジスト除去方法を提供することにある。

また、マイクロバブルを含有する液体を利用して基板の洗浄を行う場合、いかに早くレジストを剥離しやすい状況にできるかが重要な点である。

微小気泡含有液により基板の洗浄を行う際に、より早くレジストを剥離しやすい状況にできるレジスト除去システムおよびレジスト除去方法を提供することが望まれる。

一態様に係るレジスト除去システムは、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記基板表面に微小気泡含有液を供給可能な微小気泡発生ノズルであって、揺動ノズルを含む微小気泡発生ノズルと、
前記揺動ノズルを前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動させるノズル揺動部と、
前記回転保持部による前記基板の回転と前記ノズル揺動部による前記揺動ノズルの揺動とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記微小気泡発生ノズルから前記基板表面に微小気泡含有液を供給する際に、前記揺動ノズルを揺動させずに、前記基板の回転速度を第１回転速度にし、次いで、前記揺動ノズルを揺動させながら、前記基板の回転速度を前記第１回転速度より速い第２回転速度まで上げる。

別の態様に係るレジスト除去システムは、
回転される基板表面に微小気泡含有液を供給する微小気泡発生ノズルと、
前記基板表面のレジストを検出するセンサと、
前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を停止した状態で、前記センサの検出結果に基いて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断し、除去未完の場合には、前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を再開する制御部と、
を備える。

図１は、一実施の形態に係るレジスト除去システムの概略構成を示す平面図である。 図２は、一実施の形態に係るレジスト除去システムの概略構成を示す側面図である。 図３は、液体供給部の概略構成を示す図である。 図４は、一実施の形態に係るレジスト除去方法の一例を示すフローチャートである。 図５は、一実施の形態の一変形例に係るレジスト除去システムの概略構成を示す平面図である。 図６は、一実施の形態の一変形例に係るレジスト除去システムの概略構成を示す側面図である。

実施形態の第１の態様に係るレジスト除去システムは、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記基板表面に微小気泡含有液を供給可能な微小気泡発生ノズルであって、揺動ノズルを含む微小気泡発生ノズルと、
前記揺動ノズルを前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動させるノズル揺動部と、
前記回転保持部による前記基板の回転と前記ノズル揺動部による前記揺動ノズルの揺動とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記微小気泡発生ノズルから前記基板表面に微小気泡含有液を供給する際に、前記揺動ノズルを揺動させずに、前記基板の回転速度を第１回転速度にし、次いで、前記揺動ノズルを揺動させながら、前記基板の回転速度を前記第１回転速度より速い第２回転速度まで上げる。

このような態様によれば、揺動ノズルを揺動させながら基板を第２回転速度で回転させて基板表面からレジストを除去する前に、基板の回転速度を第２回転速度より遅い第１回転速度にすることで、遠心力により基板表面から外側に逃げる微小気泡含有液の量が減少するため、微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。また、揺動ノズルを揺動させないため、揺動ノズルから吐出される微小気泡含有液の着水部分が受ける圧力が大きくなり（すなわち小さい面積に集中的に圧力をかけることができ）、この圧力によってレジストを剥離する「とっかかり」としての穴を形成でき、レジストが剥離しやすくなる。そして、その後に揺動ノズルを揺動させることで、穴が形成されて「とっかかり」ができたところから、レジストと基板との隙間に微小気泡含有液が入り込むようにされ、高速回転による遠心力と着水部分の揺動によりレジストが勢いよく剥離される。そのため、レジスト除去レートを上げることができる。

実施形態の第２の態様に係るレジスト除去システムは、第１の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記制御部は、前記揺動ノズルを前記基板表面の中心部と対向する位置から周縁部と対向する位置へと揺動させるときに、前記揺動ノズルの揺動速度を徐々に遅くし、前記揺動ノズルを前記基板表面の周縁部と対向する位置から中心部と対向する位置へと揺動させるときに、前記揺動ノズルの揺動速度を徐々に速くする。

このような態様によれば、基板表面の周縁部に近いほど大きな遠心力を受けることで微小気泡含有液が外側に逃げやすいが、基板表面の周縁部に近いほど揺動ノズルの揺動速度を遅くすることにより、微小気泡含有液の供給量が増えるため、基板表面の周縁部において微小気泡含有液が不足することを防止できる。これにより、基板表面の周縁部において微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。

実施形態の第３の態様に係るレジスト除去システムは、第１または２の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記制御部は、前記揺動ノズルを揺動させるときに、前記基板の回転方向を予め定められた時間毎に逆転させる。

このような態様によれば、基板の回転方向を予め定められた時間毎に逆転させることで、基板表面に形成された配線パターンなどの凹部に対して微小気泡含有液の流れ込む向きを交互に変えることができるため、微小気泡含有液の流れの圧力により凹部内のレジストが剥離しやすくなる。

実施形態の第４の態様に係るレジスト除去システムは、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記基板表面に微小気泡含有液を供給可能な微小気泡発生ノズルであって、揺動ノズルを含む微小気泡発生ノズルと、
前記揺動ノズルを前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動させるノズル揺動部と、
前記回転保持部による前記基板の回転と前記ノズル揺動部による前記揺動ノズルの揺動とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記微小気泡発生ノズルから前記基板表面に微小気泡含有液を供給する際に、前記揺動ノズルを揺動させながら、前記基板の回転方向を予め定められた時間毎に逆転させる。

このような態様によれば、基板の回転方向を予め定められた時間毎に逆転させることで、基板表面に形成された配線パターンなどの凹部に対して微小気泡含有液の流れ込む向きを交互に変えることができため、微小気泡含有液の流れの圧力により凹部内のレジストが剥離しやすくなる。したがって、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

実施形態の第５の態様に係るレジスト除去システムは、第１～４のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記微小気泡発生ノズルに液体を供給する液体供給部と、
前記液体供給部から前記微小気泡発生ノズルへと供給される液体を加熱するヒーターと、
をさらに備える。

このような態様によれば、基板表面に供給される微小気泡含有液の温度を上げることができるため、基板からレジストを浮かせるリフトアップ効果がはたらき、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

実施形態の第６の態様に係るレジスト除去システムは、第１～５のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記基板の裏面に温水を供給して前記基板を加熱する基板加熱部
をさらに備える。

このような態様によれば、基板の温度を上げることができるため、基板からの熱伝導により基板表面に供給された微小気泡含有液の温度を上げることができ、これにより、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

実施形態の第７の態様に係るレジスト除去システムは、第１～６のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の周縁部と対向する位置に固定された固定ノズルをさらに含む。

このような態様によれば、回転される基板表面のうちレジストが残りやすい周縁部に対して、揺動ノズルから供給される微小気泡含有液に加えて、固定ノズルからも微小気泡含有液が供給されることで、基板表面の周縁部において微小気泡含有液が不足することを防止できる。

実施形態の第８の態様に係るレジスト除去システムは、第１～７のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記基板表面のレジストを検出するセンサ
をさらに備え、
前記制御部は、前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を停止した状態で、前記センサの検出結果に基いて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断し、除去未完の場合には、前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を再開する。

このような態様によれば、微小気泡含有液により基板の洗浄を行う際に、センサにより基板表面のレジストが検出され、センサの検出結果に基いてレジスト除去状況が判断され、製品のレジスト塗布状況のばらつきなどによりレジスト残りがあったとしても、除去未完と判断された場合には微小気泡含有液の供給が再開されるため、レジスト残りを改善することができる。

実施形態の第９の態様に係るレジスト除去システムは、第８の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記センサは、色判別センサ、膜厚センサ、距離センサ、画像センサのうちの少なくとも１つを含む。

実施形態の第１０の態様に係るレジスト除去システムは、第８または９の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記センサは、前記基板表面の周縁部のレジストを検出する。

このような態様によれば、回転される基板表面のうちレジストが残りやすい周縁部においてレジストの検出を確実に行うことができる。

実施形態の第１１の態様に係るレジスト除去システムは、第８～１０のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記基板表面に乾燥ガスを供給するガスノズル
をさらに備える。

このような態様によれば、センサによるレジスト検出前に、ガスノズルから供給される乾燥ガスにより基板表面上における微小気泡含有液の液膜の厚みが低減されることにより、センサによるレジストの検出精度を高めることができる。

実施形態の第１２の態様に係るレジスト除去システムは、第１１の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記ガスノズルは、前記基板表面の周縁部に向けて前記乾燥ガスを供給する。

このような態様によれば、回転される基板表面のうちレジストが残りやすい周縁部において、ガスノズルから供給される乾燥ガスにより微小気泡含有液の液膜の厚みが低減されることにより、周縁部におけるレジストの検出精度を高めることができる。

実施形態の第１３の態様に係るレジスト除去方法は、
回転される基板表面に微小気泡発生ノズルから微小気泡含有液を供給し、前記基板表面からレジストを除去する方法であって、
前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動可能な揺動ノズルを有し、
前記微小気泡発生ノズルから前記基板表面に微小気泡含有液を供給する際に、前記揺動ノズルを揺動させずに、前記基板の回転速度を第１回転速度にし、次いで、前記揺動ノズルを揺動させながら、前記基板の回転速度を前記第１回転速度より速い第２回転速度まで上げる。

このような態様によれば、揺動ノズルを揺動させながら基板を第２回転速度で回転させて基板表面からレジストを除去する前に、基板の回転速度を第２回転速度より遅い第１回転速度にすることで、遠心力により基板表面から外側に逃げる微小気泡含有液の量が減少するため、微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。また、揺動ノズルを揺動させないため、揺動ノズルから吐出される微小気泡含有液の着水部分が受ける圧力が大きくなり（すなわち小さい面積に集中的に圧力をかけることができ）、この圧力によってレジストを剥離する「とっかかり」としての穴を形成でき、レジストが剥離しやすくなる。そして、その後に揺動ノズルを揺動させることで、穴が形成されて「とっかかり」ができたところから、レジストと基板との隙間に微小気泡含有液が入り込むようにされ、高速回転による遠心力と着水部分の揺動によりレジストが勢いよく剥離される。そのため、レジスト除去レートを上げることができる。

実施形態の第１４の態様に係るレジスト除去方法は、
回転される基板表面に微小気泡発生ノズルから微小気泡含有液を供給し、前記基板表面からレジストを除去する方法であって、
前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動可能な揺動ノズルを有し、
前記微小気泡発生ノズルから前記基板表面に微小気泡含有液を供給する際に、前記揺動ノズルを揺動させながら、前記基板の回転方法を予め定められた時間毎に逆転させる。

このような態様によれば、基板の回転方向を予め定められた時間毎に逆転させることで、基板表面に形成された配線パターンなどの凹部に対して微小気泡含有液の流れ込む向きを交互に変えることができため、微小気泡含有液の流れの圧力により凹部内のレジストが剥離しやすくなる。したがって、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

実施形態の第１５の態様に係るレジスト除去システムは、
回転される基板表面に微小気泡含有液を供給する微小気泡発生ノズルと、
前記基板表面のレジストを検出するセンサと、
前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を停止した状態で、前記センサの検出結果に基いて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断し、除去未完の場合には、前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を再開する制御部と、
を備える。

このような態様によれば、微小気泡含有液により基板の洗浄を行う際に、センサにより基板表面のレジストが検出され、センサの検出結果に基いてレジスト除去状況が判断され、製品のレジスト塗布状況のばらつきなどによりレジスト残りがあったとしても、除去未完と判断された場合には微小気泡含有液の供給が再開されるため、レジスト残りを改善することができる。

実施形態の第１６の態様に係るレジスト除去システムは、第１５の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動される揺動ノズルを含む。

このような態様によれば、揺動ノズルから微小気泡含有液が供給されることで、回転される基板表面全体に微小気泡含有液を提供することができる。

実施形態の第１７の態様に係るレジスト除去システムは、第１６の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の周縁部と対向する位置に固定された固定ノズルをさらに含む。

このような態様によれば、固定ノズルから微小気泡含有液が供給されることで、回転される基板表面のうちレジストが残りやすい周縁部に微小気泡含有液を十分に提供することができる。

実施形態の第１８の態様に係るレジスト除去システムは、第１５～１７のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記センサは、色判別センサ、膜厚センサ、距離センサ、画像センサのうちの少なくとも１つを含む。

実施形態の第１９の態様に係るレジスト除去システムは、第１５～１８のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記センサは、前記基板表面の周縁部のレジストを検出する。

このような態様によれば、回転される基板表面のうちレジストが残りやすい周縁部においてレジストの検出を確実に行うことができる。

実施形態の第２０の態様に係るレジスト除去システムは、第１５～１９のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記基板表面に乾燥ガスを供給するガスノズルをさらに備える。

このような態様によれば、センサによるレジスト検出前に、ガスノズルから供給される乾燥ガスにより基板表面上における微小気泡含有液の液膜の厚みが低減されることにより、センサによるレジストの検出精度を高めることができる。

実施形態の第２１の態様に係るレジスト除去システムは、第２０の態様に係るレジスト除去システムであって、
前記ガスノズルは、前記基板表面の周縁部に向けて前記乾燥ガスを供給する。

このような態様によれば、回転される基板表面のうちレジストが残りやすい周縁部において、ガスノズルから供給される乾燥ガスにより微小気泡含有液の液膜の厚みが低減されることにより、周縁部におけるレジストの検出精度を高めることができる。

実施形態の第２２の態様に係るレジスト除去システムは、第１５～２１のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記センサは、前記基板表面を撮像して撮像画像を生成する画像センサを含み、
レジストが完全に除去された状態の前記基板表面の撮像画像のカラーチャートが前記制御部のメモリに記憶されており、
前記制御部は、前記画像センサから微小気泡含有液供給後の基板表面の撮像画像を取得し、当該撮像画像のカラーチャートを、メモリに予め記憶されているカラーチャートと比較し、その差分に基づいて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断する。

実施形態の第２３の態様に係るレジスト除去システムは、第１５～２１のいずれかの態様に係るレジスト除去システムであって、
前記センサは、前記基板表面を撮像して撮像画像を生成する画像センサを含み、
レジストが完全に除去された状態の前記基板表面の撮像画像からピクセルデータが抽出され、当該ピクセルデータのＲＧＢ信号に対してマッピングが行われてＲＧＢ相対値が決定され、当該ＲＧＢ相対値が前記制御部のメモリに記憶されており、
前記制御部は、前記画像センサから微小気泡含有液供給後の基板表面の撮像画像を取得し、当該撮像画像からピクセルデータを抽出し、当該ピクセルデータのＲＧＢ信号に対してマッピングを行ってＲＧＢ相対値を決定し、当該ＲＧＢ相対値を、メモリに予め記憶されているＲＧＢ相対値と比較し、その差分に基づいて、基板表面のレジスト除去状況を判断する。

実施形態の第２４の態様に係るレジスト除去方法は、
回転される基板表面に微小気泡含有液を供給するステップと、
前記微小気泡含有液の供給を停止した状態で、前記基板表面のレジストをセンサにより検出するステップと、
前記センサの検出結果に基いて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断し、除去未完の場合には、前記微小気泡含有液の供給を再開するステップと、
を含む。

このような態様によれば、微小気泡含有液により基板の洗浄を行う際に、センサにより基板表面のレジストが検出され、センサの検出結果に基いてレジスト除去状況が判断され、製品のレジスト塗布状況のばらつきなどによりレジスト残りがあったとしても、除去未完と判断された場合には微小気泡含有液の供給が再開されるため、レジスト残りを改善することができる。

以下に、添付の図面を参照して、実施の形態の具体例を詳細に説明する。なお、以下の説明および以下の説明で用いる図面では、同一に構成され得る部分について、同一の符号を用いるとともに、重複する説明を省略する。

図１は、一実施の形態に係るレジスト除去システム１０の概略構成を示す平面図であり、図２は、同側面図である。

図１および図２に示すように、レジスト除去システム１０は、回転保持部１８と、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂと、ノズル揺動部１６と、第１センサ１２および第２センサ１２０（以下、センサ１２、１２０ということがある）と、ガスノズル１３と、制御部１４とを有している。

このうち回転保持部１８は、基板Ｗを保持して回転させるものであり、たとえば回転テーブルが用いられる。図示された例では、回転保持部１８は、基板Ｗを水平に保持するとともに、保持した基板Ｗを鉛直な回転軸線回りに回転する。

微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂは、たとえば流路にオリフィスが設けられ、ガス溶解液がそのオリフィスを通過する際の圧力解放によって微小気泡が発生する構造で、マイクロバブル、ナノバブルと呼ばれる気泡を発生させることが可能なノズルである。なお、本明細書において、マイクロバブルとは直径５０μｍ以下の気泡をいい、ナノバブルとは直径５０ｎｍ以下の気泡をいう。

図１および図２に示すように、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂは、回転保持部１８に保持された基板Ｗの表面と対向できる位置（図示された例では鉛直上方）に配置されており、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂには、液体（たとえばオゾン水）を供給する液体供給部１５が接続されている。

図３は、液体供給部１５の概略構成を示す図である。図３に示すように、液体供給部１５は、ポンプ１５１と、オゾンガス発生器１５２と、混合器１５３と、気液分離器１５４と、濃度計１５５と、オゾンガス分解器１５６とを有している。

ポンプ１５１から吐出される超純水と、オゾンガス発生器１５２にて生成されるオゾンガスとが、混合器１５３（たとえばアスピレーターやエジェクター）にて混合されて、オゾン水が生成される。生成されたオゾン水は、気液分離器１５４にて貯留されたのち、濃度計１５５を通って、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂへと供給される。また、気液分離器１５４にてオゾン水から分離したオゾンガスは、オゾンガス分解器１５６にて分解されたのち、大気中に排出される。

図１および図２に示すように、液体供給部１５から微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂへと液体（オゾン水）が供給されると、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂは、供給される液体（オゾン水）から微小気泡含有液を生成し、生成された微小気泡含有液を基板Ｗの表面へと供給する。

図１および図２に示すように、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂは、揺動ノズル１１ａと固定ノズル１１ｂとを有している。

図示された例では、ノズル揺動部１６は、鉛直方向に延びる回転軸と、回転軸を鉛直な回転軸線回りに回転させる回転駆動部（たとえばモータ）と、回転軸の上端部から水平方向に延びるアーム部とを有しており、揺動ノズル１１ａは、ノズル揺動部１６のアーム部の先端部に固定されている。

ノズル揺動部１６の回転駆動部（たとえばモータ）が回転軸を回転させることにより、アーム部は回転軸とともに鉛直な回転軸線回りに揺動（水平に旋回）され、これにより、アーム部の先端部に固定された揺動ノズル１１ａは、基板Ｗの表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動される。

なお、本明細書において、基板Ｗの表面の周縁部とは、基板Ｗの表面のうち最も外側の環状の部位であり、その幅は基板Ｗのサイズ等に応じて適宜決定され得るが、たとえば基板Ｗの直径の１０分の１以下であってもよいし、２０分の１以下であってもよいし、３０分の１以下であってもよい。具体的には、たとえば、直径３００ｍｍの基板Ｗの場合、その周辺部の幅は約１０ｍｍであってもよい。

回転される基板Ｗの表面に対して、基板Ｗの表面の中心部と周縁部との間で揺動される揺動ノズル１１ａから微小気泡含有液が供給されることで、基板Ｗの表面全体に微小気泡含有液を効率的に供給することができる。

固定ノズル１１ｂは、基板Ｗの表面の周縁部と対向する位置に第１固定治具１７ａを用いて固定されている。揺動ノズル１１ａから供給される微小気泡含有液は、基板Ｗの周縁部の近くに供給されるものほど大きな遠心力を受けることにより、基板Ｗの表面に留まりづらく（留まる時間が短く）、そのために揺動ノズル１１ａのみからの微小気泡含有液の供給では、基板Ｗの周縁部において微小気泡含有液が不足してレジストが残りやすくなるものの、揺動ノズル１１ａだけでなく固定ノズル１１ｂからも微小気泡含有液が供給されることにより、回転される基板Ｗの表面のうちレジストが残りやすい周縁部に対して、微小気泡含有液を十分に供給することが可能である。

センサ１２、１２０は、回転保持部２０に保持された基板Ｗの表面と対向できる位置（図示された例では鉛直上方）に配置されており、基板Ｗの表面のレジストを検出する。

センサ１２、１２０は、色判別センサ、膜厚センサ、距離センサのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。色判別センサは、レジストの色とその下の基板Ｗの色との違い（すなわち反射光の波長領域の違い）を利用して、基板Ｗの表面に残るレジストを検出するセンサであり、たとえばＣＣＤカメラを用いることができる。膜厚センサは、たとえば光干渉方式によりレジストの膜厚を測定することにより、基板Ｗの表面に残るレジストを検出するセンサである。距離センサは、基板Ｗの表面までの距離を測定することにより、基板Ｗの表面に残るレジストを検出するセンサである。

センサ１２、１２０は、画像センサを含んでいてもよい。画像センサは、基板表面を撮像して撮像画像を生成する撮像装置（カメラ）であり、たとえば基板表面から反射または放射される光を受光して２次元の電子情報に変換するＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラを用いることができる。

図示された例では、第１センサ１２は、基板Ｗの表面の周縁部と対向する位置に固定治具１８を用いて固定されており、基板Ｗの表面の周縁部のレジストを検出するようになっている。また、第２センサ１２０は、基板Ｗの表面の中心部と対向する位置に不図示の固定治具を用いて固定されており、基板Ｗの表面全体のレジスト状態を検出するようになっている。

ガスノズル１３は、回転保持部２０に保持された基板Ｗの表面と対向できる位置（図示された例では鉛直上方）に配置されている。ガスノズル１３には、乾燥ガス（たとえば窒素や空気）を供給するガス供給部１９が接続されている。ガス供給部１９から供給される乾燥ガスは、ガスノズル１３を介して基板Ｗの表面に供給される。

図示された例では、ガスノズル１３は、第１センサ１２と同じ固定治具１８を用いて、基板Ｗの表面の周縁部と対向する位置に固定されており、ガスノズル１３から供給される乾燥ガスは、基板Ｗの表面の周縁部（図示された例では、第１センサ１２の検出部位）に向けて供給される。

制御部１４は、１つまたは複数のコンピュータによって構成されている。制御部１４は、回転保持部１８に接続されており、回転保持部１８による基板の回転（回転速度および回転方向）を制御する。また、制御部１４は、ノズル揺動部１６に接続されており、ノズル揺動部１６による揺動ノズル１１ａの揺動（揺動速度および揺動方向）を制御する。さらに、制御部１４は、液体供給部１５に接続されており、液体供給部１５のバルブの開閉を切り換えることにより、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂからの微小気泡含有液の供給の開始と停止とを切り替える。また、制御部１４は、センサ１２、１２０に接続されており、センサ１２、１２０からレジストの検出結果（たとえばＣＣＤカメラによる画像データ）を取得する。また、制御部１４は、ガス供給部１９に接続されており、ガスノズル１３からの乾燥ガスの供給を制御する。

本実施の形態では、制御部１４は、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂから基板Ｗの表面に微小気泡含有液を供給する際に、揺動ノズル１１ａを揺動させずに、基板Ｗの回転速度を第１回転速度にし、次いで、揺動ノズル１１ａを揺動させながら、基板Ｗの回転速度を第１回転速度より速い第２回転速度まで上げる。ここで、第２回転速度は、基板Ｗのサイズ等に応じて適宜決定され得るが、たとえば３００ｒｐｍであってもよい。また、第１回転速度は、基板Ｗのサイズ等に応じて適宜決定され得るが、たとえば０ｒｐｍ（ゼロ回転）であってもよい。

揺動ノズル１１ａを揺動させながら基板Ｗを第２回転速度で回転させて基板Ｗの表面からレジストを除去する前に、基板Ｗの回転速度を第２回転速度より遅い第１回転速度にすることで、遠心力により基板Ｗの表面から外側に逃げる微小気泡含有液の量が減少するため、微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。また、このとき、揺動ノズル１１ａを揺動させないため、揺動ノズル１１ａから吐出される微小気泡含有液の着水部分が受ける圧力が大きくなり（すなわち小さい面積に集中的に圧力をかけることができ）、この圧力によってレジストを剥離する「とっかかり」としての穴を形成でき、レジストが剥離しやすくなる。そして、その後に揺動ノズル１１ａを揺動させることで、穴が形成されて「とっかかり」ができたところから、レジストと基板Ｗとの隙間に微小気泡含有液が入り込むようにされ、高速回転による遠心力と着水部分の揺動によりレジストが勢いよく剥離される。そのため、レジスト除去レートを上げることができる。

制御部１４は、揺動ノズル１１ａを基板Ｗの表面の中心部と対向する位置から周縁部と対向する位置へと揺動させるときに、揺動ノズル１１ａの揺動速度を徐々に遅くし、揺動ノズル１１ａを基板Ｗの表面の周縁部と対向する位置から中心部と対向する位置へと揺動させるときに、揺動ノズル１１ａの揺動速度を徐々に速くしてもよい。具体的には、たとえば、制御部１４は、揺動ノズル１１ａを基板Ｗの表面の中心部と対向する位置から周縁部と対向する位置へと揺動させるときに、揺動ノズル１１ａの揺動速度を２０ｍｍ／秒から１０ｍｍ／秒へと徐々に遅くし、揺動ノズル１１ａを基板Ｗの表面の周縁部と対向する位置から中心部と対向する位置へと揺動させるときに、揺動ノズル１１ａの揺動速度を１０ｍｍ／秒から２０ｍｍ／秒へと徐々に速くしてもよい。

基板Ｗの表面の周縁部に近いほど大きな遠心力を受けることで微小気泡含有液が外側に逃げやすいが、基板Ｗの表面の周縁部に近いほど揺動ノズル１１ａの揺動速度を遅くすることにより、微小気泡含有液の供給量が増えるため、基板Ｗの表面の周縁部において微小気泡含有液が不足することを防止できる。これにより、基板Ｗの表面の周縁部において微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。

また、制御部１４は、揺動ノズル１１ａを揺動させるときに、基板Ｗの回転方向を予め定められた時間毎に逆転させてもよい。基板Ｗの回転方向を予め定められた時間毎に逆転させることで、基板Ｗの表面に形成された配線パターンなどの凹部に対して微小気泡含有液の流れ込む向きを交互に変えることができるため、微小気泡含有液の流れの圧力により凹部内のレジストが剥離しやすくなる。

図１および図２に示すように、レジスト除去システム１０は、ヒーター２１ａ、２１ｂと、基板加熱部２０とをさらに有していてもよい。

ヒーター２１ａ、２１ｂは、液体供給部１５と微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂとを接続する配管に取り付けられており、液体供給部１５から微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂへと供給される液体（たとえばオゾン水）を加熱する。基板Ｗの表面に供給される微小気泡含有液の温度を、たとえば５０℃～６０℃まで上げることにより、基板Ｗからレジストを浮かせるリフトアップ効果がはたらき、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

基板加熱部２０は、回転保持部１８に保持された基板Ｗの裏面と対向する位置に配置されており、基板Ｗの裏面に温水を供給することにより基板Ｗを加熱する。基板Ｗの温度を上げることにより、基板Ｗからの熱伝導によって基板Ｗの表面に供給された微小気泡含有液の温度を上げることができため、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

本実施の形態では、制御部１４は、回転される基板Ｗの表面に微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂから微小気泡含有液を供給し、基板Ｗの表面からレジストを除去する処理を行ったのち、基板Ｗの回転を停止（または低速回転）するとともに、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂからの微小気泡含有液の供給を停止した状態で、センサ１２、１２０の検出結果に基いて、基板Ｗの表面のレジスト除去状況を判断する。

具体的には、たとえば、制御部１４は、微小気泡含有液供給前のセンサ１２、１２０の検出結果と、微小気泡含有液供給後のセンサ１２、１２０の検出結果とを比較して、その差分を算出することにより、基板Ｗの表面のレジスト除去状況を判断する（たとえば、その差分が予め定められた閾値より小さい場合には、レジストの除去が未完であると判断する）。

一変形例として、センサ１２、１２０が画像センサ（カメラ）の場合には、レジストが完全に除去された状態の基板Ｗの表面の撮像画像のカラーチャートが予め用意されて制御部１４のメモリに記憶されており、制御部１４は、センサ１２、１２０から微小気泡含有液供給後の基板Ｗの表面の撮像画像を取得し、当該撮像画像のカラーチャートを、メモリに予め記憶されているカラーチャート（レジストが完全に除去された状態についてのカラーチャート）と比較し、その差分に基づいて、基板Ｗの表面のレジスト除去状況を判断してもよい（たとえば、その差分が予め定められた閾値より小さい場合には、レジストの除去が完了したと判断してもよい）。

別の変形例として、センサ１２、１２０が画像センサ（カメラ）の場合には、レジストが完全に除去された状態の基板Ｗの表面の撮像画像からピクセルデータが抽出され、当該ピクセルデータのＲＧＢ信号に対してマッピングが行われてＲＧＢ相対値が決定され、当該ＲＧＢ相対値が制御部１４のメモリに予め記憶されており、制御部１４は、センサ１２、１２０から微小気泡含有液供給後の基板Ｗの表面の撮像画像を取得し、当該撮像画像からピクセルデータを抽出し、当該ピクセルデータのＲＧＢ信号に対してマッピングを行ってＲＧＢ相対値を決定し、当該ＲＧＢ相対値を、メモリに予め記憶されているＲＧＢ相対値（レジストが完全に除去された状態についてのＲＧＢ相対値）と比較し、その差分に基づいて、基板Ｗの表面のレジスト除去状況を判断してもよい（たとえば、その差分が予め定められた閾値より小さい場合には、レジストの除去が完了したと判断してもよい）。ここで「ＲＧＢ相対値」とは、たとえばＲＧＢ信号を０～２５５のレベルをもつ２５６の強度レベルで表示するときのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の数値（０～２５５のいずれか）である。ＲＧＢ相対値としては、対象とする領域について、色の面積の平均値（たとえば５×５ピクセルの領域については当該領域に含まれる２５ピクセルの各々のＲＧＢ相対値の平均値）を採用してもよいし、Ｘ軸Ｙ軸の２軸を規定したときにＹ軸方向は平均値を採用するがＸ軸方向は平均値を採用せずに色変化を見てもよい（たとえば５×５ピクセルの領域についてはＸ＝０の列に含まれる５ピクセルの各々のＲＧＢ相対値の平均値と、Ｘ＝１の列に含まれる５ピクセルの各々のＲＧＢ相対値の平均値と、Ｘ＝２の列に含まれる５ピクセルの各々のＲＧＢ相対値の平均値と、Ｘ＝３の列に含まれる５ピクセルの各々のＲＧＢ相対値の平均値と、Ｘ＝４の列に含まれる５ピクセルの各々のＲＧＢ相対値の平均値の計５つの数値を（当該５つの数値の平均値はとらずに）それぞれ採用してＸ軸方向における色変化を見てもよい）。なお、実際のカメラピクセルはもっと多く、たとえば１０２４×１０２４以上でもよい。

なお、基板Ｗの回転を停止せずに低速回転する場合には、第１センサ１２において基板Ｗの表面の周縁部１周のレジストが検出されるため、制御部１４は、第１センサ１２の検出結果に基いて、基板Ｗの表面の周縁部１周のレジスト除去状況を判断できる。「低速回転」の速度は、第１回転速度以下であってもよい。

また、制御部１４は、レジストの除去が未完であると判断した場合には、基板Ｗの回転を再開するとともに、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂからの微小気泡含有液の供給を再開する。製品のレジスト塗布状況のばらつきなどにより基板Ｗの表面にレジスト残りがあったとしても、除去未完と判断された場合には微小気泡含有液の供給が再開されるため、レジスト残りを改善することができる。

次に、このような構成からなるレジスト除去システム１０によるレジスト除去方法の一例ついて説明する。図４は、レジスト除去方法の一例を示すフローチャートである。

図４に示すように、まず、微小気泡含有液の供給前に、回転保持部２０に保持された基板Ｗの表面のレジストがセンサ１２、１２０により検出される（ステップＳ１０）。センサ１２、１２０の検出結果は、制御部１４に記憶される。

次に、回転保持部１８に保持された基板Ｗの回転速度が第１回転速度にされるとともに、揺動ノズル１１ａを揺動させることなく、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂから基板Ｗの表面に微小気泡含有液が供給される（ステップＳ１１）。微小気泡含有液が基板Ｗの表面のレジストに接触することで、基板Ｗの表面のレジストが微小気泡含有液中に剥離・溶解して除去される。

ステップＳ１１が予め定められた時間継続されたのち、ノズル揺動部１６によって揺動ノズル１１ａが揺動されるとともに、回転保持部１８によって基板Ｗの回転速度が第１回転速度より速い第２回転速度まで上げられる（ステップＳ１２）。回転される基板Ｗの表面に対して、基板Ｗの表面の中心部と周縁部との間で揺動される揺動ノズル１１ａから微小気泡含有液が供給されることで、基板Ｗの表面全体に微小気泡含有液を効率的に供給することができる。

ステップＳ１２において、揺動ノズル１１ａが基板Ｗの表面の中心部と対向する位置から周縁部と対向する位置へと揺動されるときに、揺動ノズル１１ａの揺動速度が徐々に遅くされ、揺動ノズル１１ａが基板Ｗの表面の周縁部と対向する位置から中心部と対向する位置へと揺動されるときに、揺動ノズル１１ａの揺動速度が徐々に速くされてもよい。基板Ｗの表面の周縁部に近いほど大きな遠心力を受けることで微小気泡含有液が外側に逃げやすいが、基板Ｗの表面の周縁部に近いほど揺動ノズル１１ａの揺動速度を遅くすることにより、微小気泡含有液の供給量が増えるため、基板Ｗの表面の周縁部において微小気泡含有液が不足することを防止できる。これにより、基板Ｗの表面の周縁部において微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。

また、ステップＳ１２において、基板Ｗの回転方向が予め定められた時間毎に逆転されてもよい。この場合、基板Ｗの表面に形成された配線パターンなどの凹部に対して微小気泡含有液の流れ込む向きを交互に変えることができるため、微小気泡含有液の流れの圧力により凹部内のレジストが剥離しやすくなる。

ステップＳ１１およびステップＳ１２のいずれか一方または両方において、液体供給部１５から微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂへと供給される液体（オゾン水）がヒーター２１ａ、２１ｂにより加熱されてもよい。基板Ｗの表面に供給される微小気泡含有液の温度を上げることにより、基板Ｗからレジストを浮かせるリフトアップ効果がはたらき、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

ステップＳ１１およびステップＳ１２のいずれか一方または両方において、基板加熱部２０から基板Ｗの裏面に温水が供給され、基板Ｗが加熱されてもよい。この場合、基板Ｗの温度が上がるため、基板Ｗからの熱伝導により基板Ｗの表面に供給された微小気泡含有液の温度を上げることができ、これにより、より早くレジストを剥離しやすい状況にできる。

ステップＳ１２が予め定められた洗浄時間継続されたのち、回転保持部１８による基板Ｗの回転が停止（または低速回転）されるとともに、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂからの微小気泡含有液の供給が停止される（ステップＳ１３）。

次に、ガスノズル１３から基板Ｗの表面に乾燥ガスが供給され、基板Ｗの表面上における微小気泡含有液の液膜に乾燥ガスが作用され、基板Ｗの表面上における微小気泡含有液の液膜の厚みが低減される（ステップＳ１４）。

次いで、センサ１２、１２０により基板Ｗの表面のレジストが検出される（ステップＳ１５）。ステップＳ１４において、ガスノズル１３から供給される乾燥ガスにより基板Ｗの表面上における微小気泡含有液の液膜の厚みが低減されているため、微小気泡含有液による検出光の吸収を低減することでき、センサ１２、１２０によるレジストの検出精度を高めることができる。センサ１２、１２０の検出結果は、制御部１４に記憶される。

次に、制御部１４が、センサ１２、１２０の検出結果に基いて、基板Ｗの表面のレジスト除去状況を判断する（ステップＳ１６）。具体的には、たとえば、ステップＳ１０にて取得されたセンサ１２、１２０の検出結果と、ステップＳ１４において取得されたセンサ１２、１２０の検出結果とを比較し、その差分を算出し、その差分が予め定められた閾値以上であれば、レジストの除去が完了したと判断し、その差分が予め定められた閾値より小さければ、レジストの除去が未完であると判断する。ステップＳ１３において基板Ｗが停止されずに低速回転される場合には、ステップＳ１５において第１センサ１２により基板Ｗの表面の周縁部１周のレジストが検出され、これにより、ステップＳ１６において制御部１４は、第１センサ１２の検出結果に基いて、基板Ｗの表面の周縁部１周のレジスト除去状況を判断できる。

制御部１４は、第１センサ１２と第２センサ１２０とを用いて２段階でレジストの除去状況を判断してもよい。すなわち、制御部１４は、ステップＳ１０にて取得された第１センサ１２の検出結果と、ステップＳ１４において取得された第１センサ１２の検出結果とを比較し、その差分を算出し、その差分が予め定められた閾値以上であれば、少なくとも周縁部ではレジストの除去が完了したと判断し、その差分が予め定められた閾値より小さければ、レジストの除去が未完であると判断する。次に、少なくとも周縁部ではレジストの除去が完了したと判断された場合には、制御部１４は、ステップＳ１０にて取得された第２センサ１２０の検出結果と、ステップＳ１４において取得された第２センサ１２０の検出結果とを比較し、その差分を算出し、その差分が予め定められた閾値以上であれば、表面全体にてレジストの除去が完了（「最終的に完全に終了」）したと判断し、その差分が予め定められた閾値より小さければ、レジストの除去が未完であると判断してもよい。

そして、レジストの除去が完了（２段階で判断する場合には「最終的に完全に終了
」）したと判断された場合には（ステップＳ１７：ＹＥＳ）、処理を終了する。

他方、レジストの除去が未完であると判断された場合には（ステップＳ１７：ＮＯ）、ステップＳ１１に戻って、回転保持部２０による基板Ｗの第１回転速度での回転が再開されるとともに、微小気泡発生ノズル１１ａ、１１ｂからの微小気泡含有液の供給が再開される。

以上のような本実施の形態によれば、ステップＳ１２において揺動ノズル１１ａを揺動させながら基板Ｗを第２回転速度で回転させて基板Ｗの表面からレジストを除去する前に、ステップＳ１１において基板Ｗの回転速度を第２回転速度より遅い第１回転速度にすることで、遠心力により基板Ｗの表面から外側に逃げる微小気泡含有液の量が減少するため、微小気泡含有液とレジストとの接触時間が長くなり、レジストが剥離しやすくなる。また、ステップＳ１１において揺動ノズル１１ａを揺動させないため、揺動ノズル１１ａから吐出される微小気泡含有液の着水部分が受ける圧力が大きくなり（すなわち小さい面積に集中的に圧力をかけることができ）、この圧力によってレジストを剥離する「とっかかり」としての穴を形成でき、レジストが剥離しやすくなる。そして、その後に揺動ノズルを揺動させることで、穴が形成されて「とっかかり」ができたところから、レジストと基板との隙間に微小気泡含有液が入り込むようにされ、高速回転による遠心力と着水部分の揺動によりレジストが勢いよく剥離される。そのため、レジスト除去レートを上げることができる。

また、本実施の形態によれば、回転される基板Ｗの表面のうちレジストが残りやすい周縁部に対して、揺動ノズル１１ａから供給される微小気泡含有液に加えて、固定ノズル１１ｂからも微小気泡含有液が供給されることで、基板Ｗの表面の周縁部において微小気泡含有液が不足することを防止できる。

また、本実施の形態によれば、センサ１２、１２０により基板Ｗの表面のレジストが検出され、センサ１２、１２０の検出結果に基いてレジスト除去状況が判断され、製品のレジスト塗布状況のばらつきなどによりレジスト残りがあったとしても、除去未完と判断された場合には微小気泡含有液の供給が再開されるため、レジスト残りを改善することができる。

また、本実施の形態によれば、第１センサ１２が基板Ｗの表面の周縁部のレジストを検出するため、回転される基板Ｗの表面のうちレジストが残りやすい周縁部においてレジストの検出を確実に行うことができる。

また、本実施の形態によれば、ガスノズル１３が基板Ｗの表面の周縁部に向けて乾燥ガスを供給するため、回転される基板Ｗの表面のうちレジストが残りやすい周縁部において、ガスノズルから供給される乾燥ガスにより微小気泡含有液の液膜の厚みを低減することができ、周縁部におけるレジストの検出精度を高めることができる。

なお、図１および図２に示す例では、回転保持部として回転テーブル１８が用いられたが、基板Ｗを回転保持できるものであれば、これに限定されるものではなく、たとえば、図５および図６に示すように、回転保持部としてローラーチャック１８ａ～１８ｄが用いられてもよい。

以上、本発明の実施の形態および変形例を例示により説明したが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではなく、請求項に記載された範囲内において目的に応じて変更・変形することが可能である。また、各実施の形態および変形例は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

１０ レジスト除去システム
１１ａ 微小気泡発生ノズル（揺動ノズル）
１１ｂ 微小気泡発生ノズル（固定ノズル）
１２ センサ（第１センサ）
１２０ センサ（第２センサ）
１３ ガスノズル
１４ 制御部
１５ 液体供給部
１５１ ポンプ
１５２ オゾンガス発生部
１５３ 混合器
１５４ 気液分離器
１５５ 濃度計
１５６ オゾンガス分解器
１６ ノズル揺動部
１７ａ 第１固定治具
１７ｂ 第２固定治具
１８ 回転保持部（回転テーブル）
１８ａ～１８ｄ 回転保持部（ローラチャック）
１９ ガス供給部
２０ 回転保持部（回転テーブル）
２１ａ、２１ｂ ヒーター
Ｗ 基板

Claims (7)

1. 回転される基板表面に微小気泡含有液を供給する微小気泡発生ノズルと、
   前記基板表面のレジストを検出するセンサと、
   前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を停止した状態で、前記センサの検出結果に基いて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断し、除去未完の場合には、前記微小気泡発生ノズルからの前記微小気泡含有液の供給を再開する制御部と、
   を備え、
   前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の中心部と対向する位置と周縁部と対向する位置との間で揺動される揺動ノズルを含み、
   前記微小気泡発生ノズルは、前記基板表面の周縁部と対向する位置に固定された固定ノズルをさらに含む、
   ことを特徴とするレジスト除去システム。
2. 前記センサは、色判別センサ、膜厚センサ、距離センサ、画像センサのうちの少なくとも１つを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去システム。
3. 前記センサは、前記基板表面の周縁部のレジストを検出する、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト除去システム。
4. 前記基板表面に乾燥ガスを供給するガスノズル
   をさらに備えたことを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のレジスト除去システム。
5. 前記ガスノズルは、前記基板表面の周縁部に向けて前記乾燥ガスを供給する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のレジスト除去システム。
6. 前記センサは、前記基板表面を撮像して撮像画像を生成する画像センサを含み、
   レジストが完全に除去された状態の前記基板表面の撮像画像のカラーチャートが前記制御部のメモリに記憶されており、
   前記制御部は、前記画像センサから微小気泡含有液供給後の基板表面の撮像画像を取得し、当該撮像画像のカラーチャートを、メモリに予め記憶されているカラーチャートと比較し、その差分に基づいて、前記基板表面のレジスト除去状況を判断する、
   ことを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載のレジスト除去システム。
7. 前記センサは、前記基板表面を撮像して撮像画像を生成する画像センサを含み、
   レジストが完全に除去された状態の前記基板表面の撮像画像からピクセルデータが抽出され、当該ピクセルデータのＲＧＢ信号に対してマッピングが行われてＲＧＢ相対値が決定され、当該ＲＧＢ相対値が前記制御部のメモリに記憶されており、
   前記制御部は、前記画像センサから微小気泡含有液供給後の基板表面の撮像画像を取得し、当該撮像画像からピクセルデータを抽出し、当該ピクセルデータのＲＧＢ信号に対してマッピングを行ってＲＧＢ相対値を決定し、当該ＲＧＢ相対値を、メモリに予め記憶されているＲＧＢ相対値と比較し、その差分に基づいて、基板表面のレジスト除去状況を判断する、
   ことを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載のレジスト除去システム。

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