JP2008198974A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室3が形成された気体剪断器2と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口6と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口7とによって構成されている。
【選択図】 図2
Description
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを上記処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、
上記ナノバブル発生手段は、
内部に剪断室が形成された気体剪断器と、
上記気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ上記気体を上記剪断室に旋回させて供給する気体供給部と、
上記気体剪断器の一端部の外周面に設けられ上記処理液を上記剪断室に旋回させて供給し、上記気体との旋回速度の差によって上記気体から上記ナノバブルを発生させる液体供給部と
によって構成されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを上記処理液に混合させる工程と、
ナノバブルを含有する上記処理液によって上記基板を処理する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
図1乃至図3はこの発明の第1の実施の形態を示し、図1は処理装置を示す概略的構成図であって、この処理装置は処理槽1を備えている。この処理槽1内にはナノバブル発生手段を構成する気体剪断器2が配置されている。この気体剪断器2は図2に示すように内部に剪断室3が形成された中空状の本体4を有する。
なお、噴射口5から噴射される純水Lが所定の圧力で基板Wの板面に作用するよう、基板Wと上記噴射口5の間隔が設定される。また、噴射口5から噴射される純水Lを基板Wの全面に作用させるため、上記気体剪断器2は図示しない駆動機構によって基板Wの板面の上下方向及び幅方向に沿って駆動されるようになっている。
Claims (14)
- 基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを上記処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、
上記ナノバブル発生手段は、
内部に剪断室が形成された気体剪断器と、
上記気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ上記気体を上記剪断室に旋回させて供給する気体供給部と、
上記気体剪断器の一端部の外周面に設けられ上記処理液を上記剪断室に旋回させて供給し、上記気体との旋回速度の差によって上記気体から上記ナノバブルを発生させる液体供給部と
によって構成されていることを特徴とする基板の処理装置。 - 上記ナノバブル発生手段によって発生させられたナノバブルを含む処理液に、上記ナノバブルを上記基板の板面で圧壊させる超音波振動を付与する超音波振動付与手段を備えていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- ナノバブルを含む上記処理液を基板の上面に供給する処理液供給ノズルと、超音波振動が付与された液体を上記基板の下面に供給して上面に供給された処理液に含まれるナノバブルを圧壊させる超音波付与手段を備えていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記ナノバブル発生手段によって発生させられた上記処理液を加圧する加圧手段と、この加圧手段によって加圧されたナノバブルを含む処理液を上記基板の板面に供給する供給手段を具備し、上記処理液に含まれるナノバブルは上記加圧手段による加圧力で上記基板の板面で圧壊されることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記処理液の旋回速度と上記気体の旋回速度が異なることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は酸素であって、上記処理液は純水であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体はオゾンであって、上記処理液は純水であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は酸素であって、上記処理液はエッチング液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は酸素であって、上記処理液は剥離液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は二酸化炭素であって、上記処理液は剥離液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は窒素であって、上記処理液は剥離液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は酸素であって、上記処理液は現像液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記気体は窒素であって、上記処理液はエッチング液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 基板を処理液によって処理する処理方法であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを上記処理液に混合させる工程と、
ナノバブルを含有する上記処理液によって上記基板を処理する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007226126A JP5252861B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-08-31 | 基板の処理装置 |
CN2008800019551A CN101578688B (zh) | 2007-01-15 | 2008-01-11 | 基板的处理装置以及处理方法 |
TW97101146A TWI415694B (zh) | 2007-01-15 | 2008-01-11 | Substrate processing device and processing method thereof |
PCT/JP2008/050264 WO2008087903A1 (ja) | 2007-01-15 | 2008-01-11 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007006061 | 2007-01-15 | ||
JP2007006061 | 2007-01-15 | ||
JP2007226126A JP5252861B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-08-31 | 基板の処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008198974A true JP2008198974A (ja) | 2008-08-28 |
JP2008198974A5 JP2008198974A5 (ja) | 2010-10-14 |
JP5252861B2 JP5252861B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=39757617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007226126A Active JP5252861B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-08-31 | 基板の処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5252861B2 (ja) |
CN (1) | CN101578688B (ja) |
TW (1) | TWI415694B (ja) |
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- 2008-01-11 TW TW97101146A patent/TWI415694B/zh active
- 2008-01-11 CN CN2008800019551A patent/CN101578688B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5252861B2 (ja) | 2013-07-31 |
CN101578688A (zh) | 2009-11-11 |
TWI415694B (zh) | 2013-11-21 |
TW200911395A (en) | 2009-03-16 |
CN101578688B (zh) | 2011-04-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100830 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100830 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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