KR20150062122A

KR20150062122A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20150062122A
Application number: KR1020140161412A
Authority: KR
Inventors: 리에 데시마; 아키노리 이소; 다카히로 하마다; 겐지 사카시타; 유키노부 니시베; 류헤이 다카하라
Original assignee: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date: 2013-11-28
Filing date: 2014-11-19
Publication date: 2015-06-05
Also published as: CN104668217A; CN104668217B; KR101623277B1

Abstract

본 발명은 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉해서 상대 이동하여, 그 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하는 와이프(wipe) 부재(11)를 구비한다. 이 와이프 부재(11)는, 기체(基體)가 되는 탄성체(11a)와, 그 탄성체(11a)의 표면에 설치되며, 상대 이동하는 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉하는 천(11b)을 구비한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

기판 처리 장치로서는, 터치 패널 등의 제조 공정에 있어서, 유리 등의 기판 표면을 처리액(예컨대 약액이나 기능수 등)에 의해 처리하고, 그 후, 기판 표면을 건조하는 기판 처리 장치가 개발되어 있다. 터치 패널 등에서 이용하는 유리 등의 기판 표면에는, 지문이나 그 외의 오물이 부착되는 것을 방지할 목적으로, 대전을 방지하는 대전 방지막(AS 코트)이 형성되어 있는 경우가 있다. 이 막 두께는, 예컨대 수 ㎚∼수백 ㎚ 이다.

전술한 기판 처리 전에는, 기판 상의 대전 방지막으로부터 파티클(이물), 예컨대 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거하기 위해서, 사람에 의한 손 세정(일례로서, 액체를 포함하는 천에 의해 기판 상의 대전 방지막의 표면을 닦는 작업 등)이 행해지고 있다. 한편, 불소 이온이 달라붙은 파티클은, 전술한 기판 처리보다 이전의 공정[예컨대 성막(成膜) 공정]에서, 기판 표면에 대전 방지막을 형성할 때에 대전 방지막에 부착된 것이다.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-202960호 공보

그러나, 전술한 바와 같이 기판 상의 대전 방지막으로부터 파티클을 제거하는 경우, 사람에 의한 손 세정이 필요해지기 때문에, 생산 속도가 저하되어 버리고, 게다가 비용도 상승해 버린다. 또한, 사람에 의한 손 세정으로도, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 완전히 제거하는 것은 어려우며, 파티클이 연무(煙霧) 형상의 막이 되어 남아 버리는 경우가 있다. 이 때문에, 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거의 실현이 요구되고 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.

실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판 상의 대전 방지막의 표면에 접촉해서 상대 이동하여, 그 대전 방지막의 표면을 불식(拂拭)하는 와이프(wipe) 부재를 구비하고, 와이프 부재는, 기체(基體)가 되는 탄성체와, 탄성체의 표면에 설치되며, 상대 이동하는 대전 방지막의 표면에 접촉하는 천을 구비한다.

상기한 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있다.

도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 와이프부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 제2 실시형태에 따른 와이프부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 제3 실시형태에 따른 와이프부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 5는 제1 및 제2 실시형태에 따른 와이프부에 있어서의 처리 조건과 결과를 도시하는 그래프이다.

제1 실시형태에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 반송하는 반송부(2)와, 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)을 처리하는 처리부(3)와, 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)을 세정하는 세정부(4)와, 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)을 건조하는 건조부(5)를 구비하고 있다.

반송부(2)는, 기판(W)을 지지하는 스테이지(2a)와, 그 스테이지(2a)를 소정의 반송 방향(A1)(도 1 중의 우측 방향)으로 반송하는 반송 기구(2b)에 의해 구성되어 있다. 기판(W)은 스테이지(2a)의 배치면 상에 놓여지고, 반송 기구(2b)에 의해 스테이지(2a)와 함께 수평면 내의 소정 방향으로 반송된다. 한편, 반송 기구(2b)로서는, 예컨대, 서보 모터를 구동원으로 하는 이송 나사식의 이동 기구나 리니어 모터를 구동원으로 하는 리니어 모터식의 이동 기구 등을 이용하는 것이 가능하다.

여기서, 기판(W)은, 예컨대 유리 등의 직사각형 형상의 기판이며, 그 기판(W)의 표면에는, 대전을 방지하는 대전 방지막(AS 코트)(Wa)이 형성되어 있다. 이 대전 방지막(Wa)에는, 불소 이온이 달라붙은 파티클(이물)이 부착되어 있는 경우가 있다. 이 파티클은, 예컨대, 기판(W)의 표면에 대전 방지막(Wa)을 형성하는 공정(예컨대 성막 공정)에서 불소 이온이 달라붙어 부착된 것이다.

처리부(3)는, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식(와이프)하는 와이프부(3a)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 린스액을 공급하는 린스부(3b)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 브러싱하는 브러시부(3c)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 린스액을 공급하는 린스부(3d)를 구비하고 있다.

와이프부(3a)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하는 와이프 부재(11)와, 그 와이프 부재(11)를 유지하는 유지 부재(12)와, 그 유지 부재(12)를 지지하는 지지 아암(13)을 갖고 있다.

와이프 부재(11)는, 기체가 되는 탄성체(11a)와, 그 탄성체(11a)의 표면, 즉 기판(W)의 반송 방향(A1)(도 2 중의 우측 방향)의 상류측[이하, 간단히 기판(W)의 반송 방향 상류측이라고 함]의 표면에 설치된 천(11b)에 의해 구성되어 있다.

탄성체(11a)는, 예컨대 직사각형의 판 형상으로 형성되어 있고, 그 긴 변은 기판(W)의 폭[반송 방향(A1)과 직교하는 폭] 이상으로 되어 있다. 이 탄성체(11a)는, 그 긴 변이 기판(W)의 반송 방향(A1)과 직교하도록, 또한, 기판(W)의 반송 방향 상류측으로 쓰러뜨려져 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 소정 각도로 경사지도록 설치되어 있다. 탄성체(11a)로서는, 예컨대 고무 등의 각종 탄성체를 이용하는 것이 가능하다.

천(11b)은, 탄성체(11a)에 있어서의 기판(W)의 반송 방향 상류측의 표면 전체를 덮도록 설치되어 있다. 이 천(11b)으로서는, 예컨대 면 등의 액체를 빨아들일 수 있는 각종 천을 이용하는 것이 가능하다.

유지 부재(12)는, 탄성체(11a)와 동일한 판 형상으로 형성되어 있고, 그 유지 부재(12)의 표면, 즉 기판(W)의 반송 방향 상류측의 표면에 탄성체(11a)가 부착되어 있다. 이 유지 부재(12)는, 탄성체(11a)와 마찬가지로 기울어진 상태로 지지 아암(13)에 의해 지지되어 있다. 유지 부재(12)의 재료로서는, 예컨대 스테인리스 등의 금속 재료를 이용하는 것이 가능하다.

지지 아암(13)은, 예컨대 직사각형의 판 형상으로 형성되어 있고, 그 지지 아암(13)의 단부(端部)에 유지 부재(12)가 부착되어 있다. 이 지지 아암(13)은, 스테이지(2a)의 이동을 방해하지 않는 위치에 설치된 칼럼 등의 지주에 고정되어 있다. 지지 아암(13)의 재료로서는, 예컨대 스테인리스 등의 금속 재료를 이용하는 것이 가능하다.

또한, 와이프부(3a)에는, 전술한 와이프 부재(11)의 천(11b)의 일부분에 처리액을 공급하는 액 공급부(14)가 설치되어 있다. 이 액 공급 대상이 되는 천(11b)의 일부분으로서는, 예컨대 상단부를 들 수 있으나, 이것에 한하는 것은 아니다. 처리액이 액 공급부(14)에 의해 천(11b)에 공급되어, 천(11b)은 처리액에 의해 젖은 상태(처리액을 포함한 상태)로 유지되어 있다.

액 공급부(14)의 처리액으로서는, 예컨대, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거하는 것이 가능한 약액이나 기능수(일례로서 알코올을 포함하는 액체) 등을 이용한다. 이 처리액 온도는, 예컨대 40℃∼80℃의 범위 내(범위 이내)로 유지되어 있는 것이 바람직하다.

이러한 와이프부(3a)에서는, 와이프 부재(11)가, 스테이지(2a)의 이동에 따라, 그 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 소정 압력으로 접촉해서 상대적으로 이동(상대 이동)하여, 처리액을 포함하는 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이때, 와이프 부재(11)는, 천(11b)이 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉하고 있는 상태에서, 스테이지(2a)의 이동[스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 상대 이동]에 따라 탄성체(11a)가 변형한다.

여기서, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 대한 와이프 부재(11)의 하중은, 와이프 부재(11)가 기판(W)으로부터 대전 방지막(Wa)을 박리하지 않고 대전 방지막(Wa)의 표면 상의 파티클을 제거하는 것이 가능해지는 하중이며, 일례로서, 5 ㎏∼30 ㎏의 범위 내이다. 또한, 예컨대, 탄성체(11a)의 경도는 10°∼50°(JIS 규격 K6253 타입 A듀로미터에 의한 측정)의 범위 내이며, 유지 부재(12)의 하단과 대전 방지막(Wa)의 표면의 수직 이격 거리(a)는 3 ㎜이고, 유지 부재(12)의 하단과 와이프 부재(11)의 하단의 수직 이격 거리(b)는 10 ㎜이며, 대전 방지막(Wa)의 표면에 대한 유지 부재(12)의 각도(c)는 10°∼80°의 범위 내이다.

도 1로 되돌아가서, 린스부(3b)는, 하방을 향해 린스액(예컨대 초순수 등)을 방출하는 샤워 노즐(21)을 갖고 있고, 그 샤워 노즐(21)로부터 린스액을 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 공급한다.

브러시부(3c)는, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)을 브러싱하는 회전 브러시(31)와, 그 회전 브러시(31)에 처리액을 공급하는 샤워 노즐(32)을 갖고 있다. 이 브러시부(3c)는, 샤워 노즐(32)로부터 회전 브러시(31)에 처리액을 공급하면서, 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 회전 브러시(31)에 의해 브러싱한다.

샤워 노즐(32)의 처리액으로서는, 예컨대, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거하는 것이 가능한 약액이나 기능수(일례로서 알코올을 포함하는 액체) 등을 이용한다. 이 처리액 온도는, 예컨대 40℃∼80℃의 범위 내로 유지되어 있는 것이 바람직하다.

린스부(3d)는, 전술한 린스부(3b)와 동일한 구조이며, 하방을 향해 린스액(예컨대 초순수 등)을 방출하는 샤워 노즐(41)을 갖고 있고, 그 샤워 노즐(41)로부터 린스액을 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 공급한다.

세정부(4)는, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 세정액을 고압으로 공급하는 고압부(4a)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 세정액을 공급하는 샤워부(4b)에 의해 구성되어 있다.

고압부(4a)는, 하방을 향해 세정액(예컨대 초순수 등)을 고압으로 분사하는 고압 샤워 노즐(51)과, 기체와 액체를 혼합하여 하방을 향해 분사하는 이류체(二流體) 슬릿 노즐(52)을 갖고 있다. 이 고압부(4a)는, 고압 샤워 노즐(51)로부터 세정액(일류체)을, 또한, 이류체 슬릿 노즐(52)로부터 기액 혼합체(이류체)를 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 분사한다.

고압 샤워 노즐(51) 및 이류체 슬릿 노즐(52)은, 처리부(3)에 의한 처리 후, 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클을 제거하기 위한 부재이다. 이 고압 샤워 노즐(51) 및 이류체 슬릿 노즐(52)은, 이들의 선단의 분사구가 하방으로 향해지고, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 수직이 되도록 설치되어 있다. 고압 샤워 노즐(51)로부터 세정액을 분사하기 위한 펌프압은 10 Mpa 이상이다.

이류체 슬릿 노즐(52)의 기체로서는, 예컨대 공기, 산소 또는 질소, 헬륨, 수소 등을 이용하는 것이 가능하고, 이류체 슬릿 노즐(52)의 액체로서는, 예컨대 탄산수나, 암모니아 수용액 또는 순수 등을 이용하는 것이 가능하며, 기체 및 액체를 자유롭게 조합할 수 있다.

샤워부(4b)는, 하방을 향해 세정액(예컨대 초순수 등)을 방출하는 샤워 노즐(61)을 갖고 있고, 그 샤워 노즐(61)로부터 세정액을 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 공급한다.

건조부(5)는, 하방을 향해 건조용의 기체(예컨대 공기나 질소 가스 등)를 분사하는 에어 나이프(5a)를 갖고 있고, 그 에어 나이프(5a)로부터 건조용의 기체를 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 방출한다. 한편, 에어 나이프(5a)는, 그 선단의 분사구가 하방으로 향해져 기판(W)의 반송 방향 하류측으로 쓰러뜨려지며, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 소정 각도로 경사지도록 설치되어 있다.

다음으로, 전술한 기판 처리 장치(1)가 행하는 기판 처리에 대해서 설명한다.

기판(W)이 놓여진 스테이지(2a)가 반송 기구(2b)에 의해 소정의 반송 방향(A1)을 따라 반송된다. 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프부(3a)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 와이프 부재(11)의 천(11b)에 접촉한다. 그 후, 스테이지(2a)의 이동에 따라, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a)의 선단부는 서서히 구부러져 기판(W)의 반송 방향을 따르도록 변형해 간다. 이 탄성체(11a)에 의해 천(11b)은, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 대하여 소정 하중으로 밀어붙여지게 되고, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이때, 천(11b)은, 액 공급부(14)에 의한 처리액의 공급에 의해 젖은 상태로 되어 있다. 이 처리액을 포함하는 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 불식되어, 그 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클이 제거된다. 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프 부재(11)를 통과하면, 와이프 부재(11)는 원래의 형상으로 되돌아간다.

스테이지(2a) 상의 기판(W)이 린스부(3b)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 샤워 노즐(21)로부터 린스액이 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. 계속해서, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 브러시부(3c)에 도달하면, 회전하고 있는 회전 브러시(31)에 샤워 노즐(32)로부터 처리액이 공급되어, 처리액에 의해 젖은 상태의 회전 브러시(31)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 브러싱되어 간다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클이 제거된다. 그리고, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 린스부(3d)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 샤워 노즐(41)로부터 린스액이 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다.

이와 같이, 와이프부(3a)보다도 하류측에 린스부(3b)와 브러시부(3c)를 설치함으로써, 와이프부(3a)에서 발생한 대전 방지막(Wa)의 표면의 파티클을 제거할 수 있도록 되어 있다.

스테이지(2a) 상의 기판(W)이 고압부(4a)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 고압 샤워 노즐(51)로부터 소정 압력(예컨대 10 Mpa 이상의 고압)으로 세정액이 방출되고, 계속해서, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 이류체 슬릿 노즐(52)로부터 소정 압력으로 기액 혼합체(이류체)가 분사되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터, 그 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클이 제거된다.

스테이지(2a) 상의 기판(W)이 샤워부(4b)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 샤워 노즐(61)로부터 세정액이 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. 그리고, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 건조부(5)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 에어 나이프(5a)로부터 건조용의 기체가 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 건조되어 간다.

이러한 기판 처리 공정에 의하면, 처리액을 포함하는 천(11b)이 스테이지(2a)의 이동에 따라 탄성체(11a)에 의해 스테이지(2a) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면에 밀어붙여지면서, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거할 수 있다. 또한, 처리액에 의해 젖은 상태의 회전 브러시는 회전하면서 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면을 브러싱하기 때문에, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 스테이지(2a)의 이동에 따라 고압 샤워 노즐(51)이 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 세정액을 방출하고, 계속해서, 이류체 슬릿 노즐(52)이 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 기액 혼합체를 분사한다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터, 그 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클을 제거할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉해서 상대 이동하여, 그 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하는 와이프 부재(11)를 설치함으로써, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)으로부터 파티클을 제거하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 사람에 의한 손 세정이 불필요해지기 때문에, 생산 속도를 향상시킬 수 있고, 게다가 비용도 억제할 수 있다. 또한, 불소 이온이 달라붙은 파티클이 연무 형상의 막이 되어 남아 버리는 것을 억제하는 것이 가능해지기 때문에, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있다.

(제2 실시형태)

제2 실시형태에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다.

제2 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상위점[와이프부(3a1)]에 대해서 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.

도 3에 도시하는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 와이프부(3a1)에 있어서, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a)는, 기판(W)의 반송 방향(A1)(도 3 중의 우측 방향)의 상류측으로 쓰러뜨려져 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 소정 각도로 경사지는 경사부(B1)와, 그 경사부(B1)에 이어지며 기판(W)의 반송 방향(A1)을 따라 소정 거리[예컨대 기판(W)의 반송 방향(A1)의 길이 이상의 거리]만큼 연장되는 연신부(B2)를 갖고 있다. 또한, 천(11b)은, 경사부(B1) 및 연신부(B2)에 있어서의 반송 기구(2b)측의 표면(도 3 중의 하측의 면)에 설치되어 있다.

이 와이프 부재(11)를 유지하기 위해서, 유지 부재(12)와 협력하여 와이프 부재(11)를 유지하는 유지 프레임(15)이 설치되어 있다. 이 유지 프레임(15)은 유지 부재(12)와 함께 지지 아암(13)에 의해 지지되어 있다.

도 3에 도시하는 바와 같이, 연신부(B2)의 기판(W)의 반송 방향(A1)의 길이는, 기판(W)의 반송 방향(A1)의 길이[기판(W)의 길이 방향 길이] 이상이 아니어도 좋으나, 기판(W)의 길이 방향 길이 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 기판이 연신부(B2) 아래를 통과할 때에, 기판(W)의 길이 방향 길이 전체가 연신부(B2)에 덮이게 된다. 이것에 의해 연신부(B2)에 균등하게 힘이 가해지게 되기 때문에, 기판(W)의 표면 전체가 와이프 부재(11)에 균일한 힘으로 밀어붙여져, 균등한 와이핑이 행해진다.

이 와이프 부재(11)의 천(11b)에는, 액 공급부(14)에 의해 처리액이 공급되어 있는데, 제2 실시형태에서는, 천(11b)의 일부분만이 처리액을 포함하여 젖은 상태로 유지되어 있다. 상세히 서술하면, 천(11b)은, 대전 방지막(Wa)의 표면과 접촉하는 부분을 포함하여 기판(W)의 반송 방향 상류측의 영역(상류 영역)이 처리액에 의해 젖어 있고, 그 기판(W)의 반송 방향 하류측의 영역(하류 영역)이 건조한 상태이다. 이 상태를 얻기 위해서, 액 공급부(14)로부터 천(11b)에 공급되는 처리액은, 예컨대 알코올이면 그것이 휘발성인 것도 고려하여, 탄성체(11a)의 연신부(B2)를 덮는 천(11b)의, 예컨대 기판(W)의 반송 방향 하류측 절반의 영역이 건조한 상태로 유지되도록 그 양이 조정된다.

이러한 와이프부(3a1)에서는, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프부(3a1)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 와이프 부재(11)의 천(11b)에 접촉한다. 그 후, 스테이지(2a)의 이동에 따라, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a)는 기판(W)의 반송 방향 상류측으로부터 서서히 두께가 얇아지도록 변형해 간다. 이 탄성체(11a)에 의해 천(11b)은 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 대하여 소정 하중으로 밀어붙여지고, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이때, 천(11b)은, 그 상류 영역이 액 공급부(14)에 의한 처리액의 공급에 의해 처리액을 포함한 상태로 되고, 그 하류 영역이 건조한 상태로 되어 있다.

이 처리액을 포함하는 상류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 불식되고, 또한 그 후, 건조한 하류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 불식된다. 이것에 의해, 처리액에 의해 젖은 상태의 천에 의한 1단째의 와이프와, 건조한 상태의 천에 의한 2단째의 와이프가 실행된다. 2단째의 와이프에서는, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 존재하는 처리액이 닦여지게 된다. 이러한 연속한 와이프에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클이 확실하게 제거된다. 한편, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프 부재(11)를 통과하면, 와이프 부재(11)는 원래의 형상으로 되돌아간다.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 처리액을 포함하는 상류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하고, 그 후, 건조한 하류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식함으로써, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 보다 확실하게 제거하는 것이 가능해지기 때문에, 보다 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있다.

(제3 실시형태)

제3 실시형태에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다.

제3 실시형태는 기본적으로 제2 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제3 실시형태에서는, 제2 실시형태와의 상위점[와이프부(3a2)]에 대해서 설명하고, 제2 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.

도 4에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 와이프부(3a2)는, 제2 실시형태와 마찬가지로, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a1)가, 경사부(B1)와 연신부(B2)를 가지며, 천(11b)은 경사부(B1) 및 연신부(B2)에 있어서의 반송 기구(2b)측의 표면에 설치되어 있다. 또한, 앞서 서술한 하류 영역에 대응하는 연신부(B2)의 상면에 접하도록, 제1 에어 공급 기구(20)가 설치된다. 또한 탄성체(11a1)의 연신부(B2)에는, 그 두께 방향으로 연장되며, 또한 두께 방향 양단부에 개구하는 도시하지 않은 복수의 미세 구멍이 형성되어 있어, 제1 에어 공급 기구(20)로부터의 에어가 미세 구멍을 통해 천(11b)에 공급되도록 되어 있다. 또한, 와이프부(3a2)의 하류측에는, 제2 에어 공급 기구(30)가 설치되고, 이 제2 에어 공급 기구(30)는, 와이프부(3a2)의 연신부(B2)의 천(11b) 표면에 대하여 에어를 공급하는 것이 가능하도록 설치되어 있다. 제2 실시형태와 마찬가지로, 천(11b)은 그 상류 영역이 액 공급부(14)에 의한 처리액의 공급에 의해 처리액을 포함한 상태로 되고, 그 하류 영역이 건조한 상태로 되어 있다. 천(11b)에는, 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식함으로써, 대전 방지막(Wa)의 표면에 부착되어 있던 파티클이 부착된다. 특히, 하류측일수록 상류측에서 불식된 파티클이 밀려와, 다수의 파티클이 부착되기 쉬워진다. 제1 에어 공급 기구(20) 및 제2 에어 공급 기구(30)는, 이 파티클을 불어 날려 버리기 위한 기구로서, 기판(W)이 반송되고 있지 않을 때에, 천(11b)을 향해 에어를 내뿜음으로써 천(11b)의 표면에 부착된 파티클이 제거된다. 또한, 천(11b)의 하류측을 항상 건조시킬 수 있기 때문에, 처리액에 젖은 상태의 천(11b)에 의한 1단째 와이프와, 건조한 상태의 천(11b)으로의 2단째의 와이프를 연속해서 실행할 수 있다. 또한, 이와 같이, 젖은 상태의 천(11b)으로의 와이프와, 건조한 상태의 천(11b)으로의 와이프 사이의 시간이 적은 것이, 파티클의 제거를 효과적으로 행할 수 있다. 이것은, 젖은 상태의 천(11b)으로 와이프됨으로써 천(11b)에 공급된 처리액이 기판(W)의 표면에 부착되어 기판(W)의 표면이 젖은 상태가 되고, 또한 이 처리액 중에 기판(W) 표면에 부착되어 있는 파티클이 떠오른 상태가 되며, 기판(W)의 표면이 건조해 버리기 전에, 건조한 상태의 천(11b)으로 2단째의 와이프를 연속적으로 행함으로써, 떠오른 파티클을 제거할 수 있기 때문이다.

(다른 실시형태)

전술한 제1 내지 제3 실시형태에 있어서는, 반송부(2)로서, 스테이지(2a) 및 반송 기구(2b)를 이용하고 있으나, 이것에 한하는 것은 아니며, 예컨대, 복수의 반송 롤러를 소정 간격으로 평행하게 배열하여 이용하도록 해도 좋다.

또한, 전술한 제1 내지 제3 실시형태에 있어서는, 기판(W)의 상면(도 1 중)에 대하여 처리, 세정 및 건조를 행하고 있으나(한쪽 면 처리), 이것에 한하는 것은 아니며, 예컨대, 기판(W)의 상하면(도 1 중)의 양면에 대하여 처리, 세정 및 건조를 행하도록 해도 좋고(양면 처리), 기판(W)의 상면측에 더하여, 기판(W)의 하면측에 샤워 노즐(21)이나 회전 브러시(31), 각 샤워 노즐(32, 41 및 61), 에어 나이프(5a) 등을 설치하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 반송부(2)로서, 예컨대, 전술한 복수의 반송 롤러를 이용함으로써, 기판(W)의 하면에의 처리를 가능하게 할 수 있다.

또한, 전술한 제1 또는 제2 실시형태에 있어서는, 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클을 제거하기 위해서, 고압 샤워 노즐(51) 및 이류체 슬릿 노즐(52)의 양방을 설치하고 있으나, 이것에 한하는 것은 아니며, 어느 한쪽만이어도 좋다. 또한, 린스부(3b), 브러시부(3c), 린스부(3d), 세정부(4)는, 기판(W)을 액체에 침지시켜 초음파를 인가하는 초음파 세정 등, 그 외의 공지의 세정 방법을 채용하거나, 또한 이들을 조합하도록 해도 좋다.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 와이프부[3a(3a1, 3a2)]에 있어서의 액 공급부(14)는, 도 3에 도시하는 바와 같은, 두 갈래로 갈라진 노즐(N)을 채용하는 것이 바람직하고, 이 두 갈래로 갈라진 노즐(N)을 여러 개 연결시킨 형상이 바람직하다. 이 연결된 노즐(N)이, 와이프 부재(11)[제2 실시형태, 제3 실시형태에 있어서는 경사부(B1)]의 기판(W)의 반송 방향(A1)과 직교하는 방향을 따라 복수 설치되어 있다. 복수의 노즐(N) 각각의 배치 위치는, 천(11b)의 반송 방향(A1)과 직교하는 방향에 있어서, 간극 없이 처리액이 공급되도록 배치되며, 각각의 노즐(N)로부터 동시에 토출된다. 노즐(N)로부터의 공급압과 노즐 내경(內徑)은, 도 5에 도시하는 바와 같이 최적의 조건이 있으며, 공급압과 노즐 내경을 조정함으로써, 천(11b)에 공급되는 처리액의 양을 제어하고 있다. 한편, 전술한 바와 같이, 액 공급부(14)로부터 공급되는 처리액은 알코올을 포함하는 액체인 것이 바람직하다. 알코올을 포함하는 처리액은 휘발성을 갖기 때문에, 천(11b)에 공급된 직후부터 증발이 시작된다. 이 증발의 속도와의 균형으로부터 노즐(N)로부터의 처리액 토출량, 나아가서는 노즐(N)로부터의 공급압과 노즐 내경이 결정된다. 또한, 제2 실시형태 및 제3 실시형태에 있어서는, 프레임(15)의 기판(W) 반송 방향(A1)의 상류측 일단의 바로 아래까지, 천(11b)에 처리액을 포함시키도록 처리액을 공급하는 것이 바람직하다.

도 5는 와이프부[3a(3a1, 3a2)]에 있어서의 액 공급부(14)로부터의 공급압과, 액 공급부(14)의 액 토출구의 내경과, 그 처리 결과를 나타내고 있다. ○는 처리가 양호한(청정한 기판이 얻어지는) 것을 나타내고, △는 어느 정도 처리가 양호, ×는 처리가 불량인 것을 나타낸다(육안으로 확인). 또한, 이 측정의 조건은, 액 공급부(14)로부터 공급되는 액체가 알코올을 포함하는 액체이고, 액 공급부(14)의 액 토출구로부터 천(11b)까지의 거리가 0.3 ㎜∼3.0 ㎜이며, 천(11b)에 있어서의 도포 영역은, 폭[기판(W)의 반송 방향(A1)과 직교하는 방향의 길이]이 15 ㎜∼40 ㎜, 높이(폭 방향과 직교하는 방향의 길이)가 15 ㎜∼70 ㎜이며, 액 공급부(14)로부터의 액 토출 타이밍이 와이프 부재(11)에 기판(W)의 표면이 접촉하기 0.3초∼5초 전에 행해지는 경우이다.

와이프부[3a(3a1, 3a2)]에 있어서의 액 공급부(14)로부터의 액 공급의 압력은, 0.05 ㎫∼0.8 ㎫인 것이 바람직하고, 0.5 ㎫인 것이 가장 바람직하다. 액 공급부(14)의 액 토출구의 내경은, 0.5 ㎜∼1.0 ㎜까지인 것이 바람직하고, 또한, 0.8 ㎜인 것이 가장 바람직하다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 스테이지(2a)에 기판(W)을 지지하여, 반송함으로써 처리를 행하지만, 이것에 한하지 않고, 고정 설치된 기판(W)에 대하여 와이프부[3a(3a1, 3a2)]측이 이동해도 좋으며, 기판(W)과 와이프부[3a(3a1, 3a2)]가 상대적으로 이동 가능하면 된다.

이상, 본 발명의 몇 가지 실시형태를 설명하였으나, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

1: 기판 처리 장치 11: 와이프 부재
11a: 탄성체 11b: 천
14: 액 공급부 4: 세정부
5: 건조부 B1: 경사부
B2: 연신부 W: 기판
Wa: 대전 방지막

Claims

기판 상의 대전 방지막의 표면에 접촉하여 상대 이동하여, 그 대전 방지막의 표면을 불식(拂拭)시키는 와이프(wipe) 부재를 구비하고,
상기 와이프 부재는,
기체(基體)가 되는 탄성체와,
상기 탄성체의 표면에 설치되며, 상대 이동하는 상기 대전 방지막의 표면에 접촉하는 천
을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 와이프 부재는, 상기 천이 상기 대전 방지막의 표면에 접촉하고 있는 상태에 있어서, 상기 대전 방지막의 상대 이동에 따라 상기 탄성체가 변형하도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 대전 방지막의 표면에 대한 상기 와이프 부재의 하중은, 상기 와이프 부재가 상기 기판으로부터 상기 대전 방지막을 박리하지 않고 상기 대전 방지막의 표면 상의 파티클을 제거하는 것이 가능해지는 하중인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 탄성체는,
상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 상류측으로 쓰러뜨려져 상기 대전 방지막의 표면에 대하여 경사지는 경사부와,
상기 대전 방지막의 상대 이동 방향을 따라 연장되는 연신부
를 갖고,
상기 천은, 상대 이동하는 상기 대전 방지막 측에 위치하는 상기 경사부의 표면 및 상기 연신부의 표면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 천은, 상기 대전 방지막의 표면과 접촉하는 부분을 포함하여 상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 상류측의 영역은 처리액에 의해 젖어 있고, 상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 하류측의 영역은 건조한 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 천에 처리액을 공급하는 액 공급부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제6항에 있어서, 상기 처리액은 알코올인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 탄성체의 적어도 상기 연신부에, 그 두께 방향으로 연장되며, 또한 두께 방향 양단부에 개구하는 복수의 미세 구멍이 형성되고,
상기 연신부에 있어서의 상기 천이 설치되는 표면과 반대의 표면에 설치되며, 상기 천에 상기 복수의 미세 구멍을 통해 에어를 공급하는 에어 공급 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 기판의 반송 방향에 있어서 상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 하류측에 설치되며, 상기 천의 상기 대전 방지막의 표면과 접하는 부분에 대하여 에어를 공급함으로써 상기 천의 표면에 부착된 파티클을 제거하는 에어 공급 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대전 방지막의 표면을 액체의 일류체(一流體), 또는, 액체 및 기체의 이류체(二流體)에 의해 세정하는 세정부와,
상기 대전 방지막의 표면을 향해 기체를 방출하는 건조부
를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.