KR20150051150A - 연마 장치 및 연마 방법 - Google Patents

연마 장치 및 연마 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150051150A
KR20150051150A KR1020140147073A KR20140147073A KR20150051150A KR 20150051150 A KR20150051150 A KR 20150051150A KR 1020140147073 A KR1020140147073 A KR 1020140147073A KR 20140147073 A KR20140147073 A KR 20140147073A KR 20150051150 A KR20150051150 A KR 20150051150A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
substrate
vibration component
polishing pad
dresser
Prior art date
Application number
KR1020140147073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101711259B1 (ko
Inventor
다로 다카하시
유타 스즈키
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20150051150A publication Critical patent/KR20150051150A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101711259B1 publication Critical patent/KR101711259B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • B24B49/105—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means using eddy currents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Abstract

정확한 연마 진척을 감시할 수 있는 연마 장치를 제공한다. 연마 장치는 연마 패드(1)를 지지하는 연마 테이블(2)과, 연마 테이블(2)을 회전시키는 테이블 모터(6)와, 기판을 연마 패드(1)에 압박하여 상기 기판을 연마하는 톱 링(3)과, 기판의 연마 중에 연마 패드(1) 상을 요동하면서 연마 패드(1)를 드레싱하는 드레서(26)와, 드레서(26)의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 테이블 모터(6)의 출력 전류 신호로부터 제거하는 필터 장치(35)와, 진동 성분이 제거된 출력 전류 신호에 기초하여 기판의 연마 진척을 감시하는 연마 감시 장치(40)를 구비한다.

Description

연마 장치 및 연마 방법 {POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD}
본 발명은 웨이퍼 등의 기판을 연마하는 연마 장치 및 연마 방법에 관한 것이며, 특히 연마의 진척을 감시하면서 상기 기판을 연마하는 연마 장치 및 연마 방법에 관한 것이다.
화학 기계 연마(CMP) 장치는 웨이퍼 등의 기판을 연마하기 위한 대표적인 장치이다. 이 CMP 장치는, 연마 테이블을 회전시키면서, 연마 테이블 상의 연마 패드에 연마액을 공급하고, 또한 웨이퍼를 연마 패드에 압박함으로써, 웨이퍼를 연마액의 존재 하에서 연마 패드에 미끄럼 접촉시킨다. 웨이퍼의 표면은 연마액에 포함되는 지립에 의한 기계적 작용과, 연마액의 화학 성분에 의한 화학적 작용에 의해 연마된다.
CMP 장치는, 일반적으로, 웨이퍼의 연마 종점을 검출하기 위해서, 연마 진척 감시 장치를 구비하고 있다. 이 연마 진척 감시 장치에는 몇 가지의 종류가 있고, 그 중 하나는 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터의 전류값을 감시하는 테이블 전류 감시 장치이다. 이 테이블 전류 감시 장치는, 연마 테이블을 미리 설정된 일정한 속도로 회전시키기 위해서 필요한 테이블 모터의 전류값의 변화로부터 웨이퍼 연마의 진척을 검출한다. 웨이퍼는, 통상, 종류가 상이한 복수의 막을 포함하는 적층 구조를 갖고 있다. 최상층의 막이 연마 처리에 의해 제거되면, 그 아래의 막이 노출된다. 결과적으로, 웨이퍼와 연마 패드의 마찰력이 변화된다. 이 마찰력의 변화는 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터의 전류값의 변화로서 나타난다. 따라서, 테이블 전류 감시 장치는 테이블 모터의 전류값의 변화로부터 최상층의 막이 제거된 것을 검출할 수 있다.
웨이퍼의 최상층의 막이 도전막인 경우에는, 와전류 센서를 구비한 연마 진척 감시 장치가 사용되는 경우도 있다. 와전류 센서는, 코일에 고주파의 교류 전류를 흘려 웨이퍼의 도전막에 와전류를 유기시키고, 이 와전류의 자계에 기인하는 임피던스의 변화로부터 도전막의 두께를 검출하도록 구성된다. 와전류 센서는 연마 테이블에 매설되어 있고, 연마 테이블이 회전할 때마다 웨이퍼의 표면을 주사하면서, 막 두께 신호를 취득한다. 연마 진척 감시 장치는 이 막 두께 신호의 변화로부터 웨이퍼의 연마 진척을 감시할 수 있다.
웨이퍼를 연마 패드에 압박하면서 연마액의 존재 하에서 웨이퍼를 연마하면, 연마액 중의 지립이 연마 패드의 표면(연마면)에 퇴적되고, 또한 연마 패드의 미소한 표면 요철이 눌려 찌부러뜨려져, 연마 패드의 연마 성능이 저하된다. 따라서, 연마 패드의 표면을 재생하기 위해서, 드레서가 사용된다.
드레서는 미소한 다이아몬드 입자를 포함하는 드레싱면을 갖고 있다. 드레서는 드레싱면을 회전시키면서 연마 패드에 압박하고, 또한 드레서가 연마 패드의 반경 방향을 따라서 요동함으로써, 연마 패드의 표면을 약간 깎아낸다. 이에 의해, 연마 패드의 표면(연마면)이 재생된다. 드레서를 사용한 이와 같은 연마 패드의 재생은 패드 드레싱 또는 패드 컨디셔닝이라 불린다.
일본 특허 출원 공개 제2001-198813호 공보 일본 특허 출원 공개 제2011-647호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009-287930호 공보
연마 진척 감시 장치로서 상술한 테이블 전류 감시 장치가 사용되는 경우, 웨이퍼의 연마 중에 패드 드레싱이 행해지는 경우가 있다. 이 경우는, 웨이퍼를 연마하면서, 테이블 모터의 전류값에 기초하여 연마 진척이 감시된다. 그러나, 웨이퍼의 연마 중, 드레서는 연마 패드 상을 요동하기 때문에, 이 드레서의 요동의 영향으로 테이블 모터의 전류값이 변동되어 버린다. 이 때문에, 연마 진척 감시 장치는 정확한 연마 진척 감시를 할 수 없는 경우가 있다.
또한, 와전류 센서를 사용한 연마 진척 감시 장치에는, 웨이퍼의 구조에 기인한 다음과 같은 문제가 있다. 통상, 연마되는 웨이퍼에는, 그 표면에 다수의 디바이스가 규칙적으로 형성되어 있고, 연마되는 최상층의 막 아래에는 금속막이나 금속 배선 등의 금속 구조체가 존재한다. 이 금속 구조체는 각 디바이스에 존재하고, 하나의 웨이퍼 내에 규칙적으로 배치되어 있다. 이와 같은 웨이퍼의 표면을 와전류 센서가 주사하면, 금속 구조체의 배열에 영향을 받아 와전류 센서의 막 두께 신호가 변동된다. 이 때문에, 연마 진척 감시 장치는 정확한 연마 진척 감시를 할 수 없는 경우가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 정확한 연마 진척을 감시할 수 있는 연마 장치 및 연마 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제1 형태는, 연마 패드를 지지하는 연마 테이블과, 상기 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터와, 기판을 상기 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하는 톱 링과, 상기 기판의 연마 중에 상기 연마 패드 상을 요동하면서 상기 연마 패드를 드레싱하는 드레서와, 상기 드레서의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하는 필터 장치와, 상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 연마 장치이다.
본 발명의 제2 형태는, 연마 패드를 지지하는 연마 테이블과, 상기 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터와, 기판을 상기 연마 패드에 압박하면서 요동하는 톱 링과, 상기 톱 링의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하는 필터 장치와, 상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 연마 장치이다.
본 발명의 제3 형태는, 연마 패드를 지지하는 연마 테이블과, 상기 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터와, 기판을 상기 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하는 톱 링과, 상기 기판의 표면을 주사하여, 상기 기판의 막 두께에 따라서 변화하는 막 두께 신호를 취득하는 와전류 센서와, 소정의 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 막 두께 신호로부터 제거하는 필터 장치와, 상기 진동 성분이 제거된 상기 막 두께 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 연마 장치이다.
본 발명의 제4 형태는, 연마 테이블을 테이블 모터에 의해 회전시키고, 기판을 상기 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하고, 상기 기판의 연마 중에, 드레서를 상기 연마 패드 상에서 요동시켜 상기 연마 패드를 드레싱 하고, 상기 드레서의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하고, 상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 것을 특징으로 하는 연마 방법이다.
본 발명의 제5 형태는, 연마 테이블을 테이블 모터에 의해 회전시키고, 톱 링에 의해 기판을 상기 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하면서, 상기 톱 링을 요동시키고, 상기 톱 링의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하고, 상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마 진척을 감시하는 것을 특징으로 하는 연마 방법이다.
본 발명의 제6 형태는, 연마 테이블을 테이블 모터에 의해 회전시키고, 기판을 상기 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하고, 와전류 센서에 상기 기판의 표면을 주사시켜, 상기 기판의 막 두께에 따라서 변화하는 막 두께 신호를 취득하고, 소정의 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 막 두께 신호로부터 제거하고, 상기 진동 성분이 제거된 상기 막 두께 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 것을 특징으로 하는 연마 방법이다.
상술한 제1 형태 및 제4 형태에 의하면, 드레서의 요동에 기인하는 진동 성분이 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거된다. 따라서, 연마 감시 장치는 진동 성분을 포함하지 않는 출력 전류 신호에 기초하여 기판 연마의 진척을 정확하게 감시할 수 있다.
상술한 제2 형태 및 제5 형태에 의하면, 톱 링의 요동에 기인하는 진동 성분이 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거된다. 따라서, 연마 감시 장치는 진동 성분을 포함하지 않는 출력 전류 신호에 기초하여 기판 연마의 진척을 정확하게 감시할 수 있다.
상술한 제3 형태 및 제6 형태에 의하면, 기판의 구조에 기인하는 진동 성분이 와전류 센서의 막 두께 신호로부터 제거된다. 따라서, 연마 감시 장치는 진동 성분을 포함하지 않는 막 두께 신호에 기초하여 기판 연마의 진척을 정확하게 감시할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 관한 연마 장치의 사시도.
도 2는 연마 패드 상에 있는 웨이퍼 및 드레서를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 3은 테이블 모터의 전류값을 나타내는 그래프.
도 4는 진동 성분이 제거된 출력 전류 신호를 나타내는 그래프.
도 5는 다른 실시 형태에 관한 연마 장치를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6은 와전류 센서의 막 두께 신호를 나타내는 그래프.
도 7은 진동 성분이 제거된 막 두께 신호를 나타내는 그래프.
도 8은 와전류 센서를 도시하는 모식도.
도 9는 도 8에 도시한 와전류 센서에 있어서의 센서 코일의 구성예를 도시하는 도면.
도 10은 와전류 센서의 상세한 구성을 도시하는 모식도.
이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 일 실시 형태에 관한 연마 장치의 사시도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 연마 장치는 연마 패드(1)를 지지하는 연마 테이블(2)과, 기판인 웨이퍼(W)를 연마 패드(1)에 압박하는 톱 링(3)과, 연마 패드(1)에 연마액(슬러리)을 공급하기 위한 연마액 공급 노즐(4)을 구비하고 있다.
연마 테이블(2)은, 테이블축(5)을 통하여 그 하방에 배치되는 테이블 모터(6)에 연결되어 있고, 이 테이블 모터(6)에 의해 연마 테이블(2)이 화살표로 나타내는 방향으로 회전된다. 연마 패드(1)는 연마 테이블(2)의 상면에 부착되어 있고, 연마 패드(1)의 상면이 웨이퍼(W)를 연마하는 연마면(1a)을 구성하고 있다. 톱 링(3)은 톱 링 샤프트(7)의 하단부에 고정되어 있다. 톱 링(3)은 그 하면에 진공 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 톱 링 샤프트(7)는 톱 링 아암(8) 내에 설치된 도시하지 않은 회전 기구에 연결되어 있고, 톱 링(3)은 이 회전 기구에 의해 톱 링 샤프트(7)를 통하여 회전되도록 되어 있다.
톱 링 샤프트(7)는 도시하지 않은 상하 이동 기구에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있다. 톱 링 아암(8)은 톱 링 선회축(9) 상에서 선회 가능하게 구성되어 있다. 이 톱 링 아암(8)의 선회 동작에 수반하여, 톱 링(3)은 연마 테이블(2)의 상방의 연마 위치와, 연마 테이블(2)의 외측의 웨이퍼 반송 위치(기판 반송 위치) 사이를 이동한다.
웨이퍼(W)의 연마는 다음과 같이 하여 행해진다. 톱 링(3) 및 연마 테이블(2)을 각각 회전시키고, 연마액 공급 노즐(4)로부터 연마 패드(1) 상에 연마액(슬러리)을 공급한다. 이 상태에서, 톱 링(3)은 웨이퍼(W)를 연마 패드(1)의 상면(연마면)(1a)에 압박한다. 웨이퍼(W)의 표면은 연마액에 포함되는 지립의 기계적 작용과 연마액의 화학적 작용에 의해 연마된다.
연마 장치는 연마 패드(1)의 연마면(1a)을 드레싱하기 위한 드레싱 장치(24)를 더 구비하고 있다. 드레싱 장치(24)는 연마 패드(1)의 연마면(1a)에 미끄럼 접촉되는 드레서(26)와, 드레서(26)를 지지하는 드레서 아암(27)과, 드레서 아암(27)을 선회시키는 드레서 선회축(28)을 구비하고 있다. 드레서 아암(27)의 선회에 수반하여, 드레서(26)는 연마면(1a) 상을 연마 패드(1)의 반경 방향으로 요동한다. 드레서(26)의 하면은 다이아몬드 입자 등의 다수의 지립을 포함하는 드레싱면을 구성한다.
드레서(26)는, 그 축심 둘레로 회전하면서, 연마면(1a) 상을 연마 패드(1)의 반경 방향으로 요동함으로써, 그 드레싱면을 연마 패드(1)에 미끄럼 접촉시킨다. 연마 패드(1)의 표면은 드레서(26)에 의해 약간 깎여지고, 이에 의해 연마 패드(1)의 연마면(1a)이 드레싱된다. 연마 패드(1)의 드레싱 중, 순수 공급 노즐(25)로부터 순수가 연마 패드(1)의 연마면(1a) 상에 공급된다.
연마 테이블(2), 톱 링(3), 드레싱 장치(24), 연마액 공급 노즐(4), 순수 공급 노즐(25), 및 그 밖의 구성 요소의 동작은 동작 제어부(30)에 의해 제어된다.
웨이퍼(W)의 연마 중에는 웨이퍼(W)의 표면과 연마 패드(1)의 연마면(1a)이 미끄럼 접촉하기 때문에, 웨이퍼(W)와 연마 패드(1) 사이에는 마찰력이 발생한다. 이 마찰력은 웨이퍼(W)의 노출면의 형상 및 노출면을 형성하는 막의 종류에 의존하여 변화된다. 예를 들면, 상층막이 연마에 의해 제거되어 하층막이 노출되면, 웨이퍼(W)와 연마 패드(1) 사이에 발생하는 마찰력이 변화된다.
테이블 모터(6)는 연마 테이블(2)을 미리 설정된 일정한 속도로 회전시키도록 제어된다. 따라서, 웨이퍼(W)와 연마 패드(1) 사이에 작용하는 마찰력이 변화되면, 테이블 모터(6)에 흐르는 전류, 즉 토크 전류가 변화된다. 보다 구체적으로는, 마찰력이 커지면, 연마 테이블(2)에 보다 큰 토크를 부여하기 위해서 토크 전류가 증가하고, 마찰력이 작아지면, 연마 테이블(2)에 부여하는 토크를 작게 하기 위해서 토크 전류가 내려간다. 따라서, 테이블 모터(6)에 흐르는 전류의 변화로부터, 최상층이 제거된 것을 검출할 수 있다.
도 2는 연마 패드(1) 상에 있는 웨이퍼(W) 및 드레서(26)를 모식적으로 도시하는 평면도이다. 본 실시 형태에서는, 연마 패드(1)의 드레싱은 웨이퍼(W)의 연마 중에 행해진다. 즉, 웨이퍼(W)가 회전하는 연마 패드(1)에 압박되는 한편, 드레서(26)가 연마 패드(1) 상에서 그 반경 방향으로 요동한다. 드레서(26)의 요동에 기인하여, 테이블 모터(6)의 전류값은, 도 3에 도시한 바와 같이, 미소한 주기로 진동한다. 이와 같은 진동은 웨이퍼(W)의 연마의 진척의 정확한 검출을 저해한다. 따라서, 본 실시 형태의 연마 장치는, 테이블 모터(6)에 흐르는 전류를 나타내는 출력 전류 신호로부터, 드레서(26)의 요동에 기인하는 진동 성분을 제거하는 필터 장치(35)를 구비하고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 테이블 모터(6)에 흐르는 전류를 측정하는 전류계(32)가 테이블 모터(6)에 접속되어 있고, 또한 전류계(32)에는 필터 장치(35)가 접속되어 있다. 이 필터 장치(35)는 테이블 모터(6)가 연마 테이블(2)을 회전시키고 있을 때의 전류를 나타내는 출력 전류 신호를 전류계(32)로부터 취득하고, 이 출력 전류 신호로부터 진동 성분을 제거하도록 구성된다. 출력 전류 신호는 테이블 모터(6)에 흐르는 전류의 값을 나타내고 있다. 테이블 모터(6) 대신에, 테이블 모터(6)를 구동하는 인버터(도시 생략)에 필터 장치(35)가 접속되어도 된다. 이 경우는, 필터 장치(35)는 테이블 모터(6)가 연마 테이블(2)을 회전시키고 있을 때의 전류를 나타내는 출력 전류 신호를 인버터로부터 취득할 수 있다.
필터 장치(35)는 동작 제어부(30)에 접속되어 있다. 출력 전류 신호에 포함되는 진동 성분은 드레서(26)의 요동에 기인하는 것이기 때문에, 진동 성분의 주기는 드레서(26)의 요동 주기에 일치한다. 따라서, 필터 장치(35)는 드레서(26)의 요동 주기를 동작 제어부(30)로부터 취득하고, 드레서(26)의 요동 주기에 상당하는 주파수를 산출하고, 테이블 모터(6)의 출력 전류 신호로부터, 산출된 주파수를 갖는 진동 성분을 제거한다. 드레서(26)의 요동 주기에 상당하는 주파수는 공지의 공식 f[Hz]=1/T[s]를 사용하여 계산할 수 있다.
필터 장치(35)에는, 진동 성분이 제거된 출력 전류 신호에 기초하여, 웨이퍼(W)의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치(40)가 접속되어 있다. 도 4는 진동 성분이 제거된 출력 전류 신호를 나타내는 그래프이다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 진동 성분이 제거된 출력 전류 신호는 모터 테이블(6)에 흐르는 전류의 변화점 t1을 명확하게 나타내고 있다. 따라서, 연마 감시 장치(40)는, 출력 전류 신호가 변화한 시점인, 최상층의 막이 제거된 시점 t1을 정확하게 검출할 수 있다.
웨이퍼(W)의 연마 중에, 톱 링(3)은 웨이퍼(W)를 연마 패드(1)에 압박하면서, 톱 링 선회축(9)을 중심으로 수평 방향으로 요동해도 된다. 이 경우는, 필터 장치(35)는, 톱 링(3)의 요동 주기를 동작 제어부(30)로부터 취득하고, 톱 링(3)의 요동 주기에 상당하는 주파수를 산출하고, 테이블 모터(6)의 출력 전류 신호로부터, 산출된 주파수를 갖는 진동 성분을 제거한다. 웨이퍼(W)의 연마 중, 톱 링(3)과 드레서(26) 양쪽을 요동시켜도 된다. 이 경우는, 필터 장치(35)는, 테이블 모터(6)의 출력 전류 신호로부터, 톱 링(3)의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분과, 드레서(26)의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을 제거한다.
웨이퍼의 최상층의 막이 도전막인 경우에는, 웨이퍼의 연마 진척의 감시에 와전류 센서가 사용되는 경우도 있다. 도 5는 다른 실시 형태에 관한 연마 장치를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 5에 있어서, 드레싱 장치(24)는 생략되어 있다. 특별히 설명하지 않는 구성은 도 1에 도시한 실시 형태의 구성과 마찬가지이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 와전류 센서(50)는 연마 테이블(2)에 매설되어 있다. 이 와전류 센서(50)는 코일에 고주파의 교류 전류를 흘려 웨이퍼(W)의 도전막에 와전류를 유기시키고, 이 와전류의 자계에 기인하는 임피던스의 변화로부터 도전막의 두께를 검출하도록 구성된다.
본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 연마 중에 연마 패드(1)의 드레싱은 행해지지 않는다. 와전류 센서(50)는 연마 테이블(2)이 회전할 때마다 웨이퍼(W)의 표면을 주사하면서, 막 두께 신호를 취득한다. 이 막 두께 신호는 웨이퍼(W)의 도전막의 두께의 변화에 따라서 변화한다. 따라서, 연마 감시 장치(40)는, 이 막 두께 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 연마 진척을 감시한다. 예를 들면, 연마 감시 장치(40)는, 막 두께 신호가 소정의 임계값에 도달한 시점인 연마 종점을 결정할 수 있다.
통상, 연마되는 웨이퍼(W)에는 그 표면에 다수의 디바이스가 규칙적으로 형성되어 있고, 연마되는 최상층의 막 아래에는 금속막이나 금속 배선 등의 금속 구조체가 존재한다. 이 하층에 존재하는 금속 구조체는 각 디바이스에 존재하고, 하나의 웨이퍼(W) 내에 규칙적으로 배치되어 있다. 이와 같은 웨이퍼(W)의 표면을 와전류 센서(50)가 주사하면, 도 6에 도시한 바와 같이, 하층의 금속 구조체의 배열에 영향을 받아 와전류 센서(50)의 막 두께 신호가 변동된다. 이 때문에, 정확한 연마 진척 감시를 할 수 없는 경우가 있다.
따라서, 앞의 실시 형태와 마찬가지로, 연마 장치는, 와전류 센서(50)의 막 두께 신호로부터, 웨이퍼(W)의 디바이스 구조에 기인하는 진동 성분을 제거하는 필터 장치(35)를 구비하고 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 와전류 센서(50)에는 필터 장치(35)가 접속되어 있다. 이 필터 장치(35)는, 와전류 센서(50)로부터 출력되는 막 두께 신호로부터 진동 성분을 제거하도록 구성된다.
필터 장치(35)에는 제거해야 할 진동 성분의 주파수가 미리 설정되어 있다. 이 진동 성분의 주파수는 웨이퍼(W)의 디바이스 구조, 연마 테이블(2)의 회전 속도 등에 기초하여 미리 결정되고, 필터 장치(35)에 미리 입력된다. 필터 장치(35)는 와전류 센서(50)의 막 두께 신호로부터, 상기 주파수를 갖는 진동 성분을 제거한다.
필터 장치(35)에는, 진동 성분이 제거된 막 두께 신호에 기초하여, 웨이퍼(W)의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치(40)가 접속되어 있다. 도 7은 진동 성분이 제거된 막 두께 신호를 나타내는 그래프이다. 연마 감시 장치(40)는, 진동 성분이 제거된 막 두께 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 연마를 정확하게 감시할 수 있다. 예를 들면, 연마 감시 장치(40)는 막 두께 신호가 소정의 임계값에 도달한 시점인 연마 종점을 결정한다.
다음에, 와전류 센서(50)에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 도 8은 와전류 센서(50)를 도시하는 모식도이다. 이 와전류 센서(50)는 센서 코일(102)과, 이 센서 코일(102)에 접속되는 교류 전원(103)과, 센서 코일(102)을 포함하는 전기 회로의 저항 성분 X, 유도 리액턴스 성분 Y를 검출하는 동기 검파부(105)를 갖고 있다. 도전막 mf는, 예를 들면 웨이퍼(W) 상에 형성된 구리, 텅스텐, 탄탈륨, 티타늄 등의 도전 재료를 포함하는 박막이다. 센서 코일(102)과 도전막 mf의 거리 G는 예를 들면 0.5㎜ 내지 5㎜로 설정된다.
도 9는 도 8에 도시한 와전류 센서(50)에 있어서의 센서 코일(102)의 구성예를 도시한다. 센서 코일(102)은 보빈(111)에 권회된 3층의 코일(112, 113, 114)에 의해 구성되어 있다. 중앙의 코일(112)은 교류 전원(103)에 접속되는 여자 코일이다. 이 여자 코일(112)은 교류 전원(103)으로부터 공급되는 교류 전류에 의해 자계를 형성하고, 웨이퍼 상의 도전막에 와전류를 발생시킨다. 여자 코일(112)의 상측(도전막측)에는 검출 코일(113)이 배치되고, 도전막을 흐르는 와전류에 의해 발생하는 자속을 검출한다. 검출 코일(113)과 반대측에는 밸런스 코일(114)이 배치되어 있다.
코일(113, 114)은 동일한 턴수(1 내지 500)의 코일에 의해 형성되는 것이 바람직하지만, 코일(112)의 턴수는 특별히 한정되지 않는다. 검출 코일(113)과 밸런스 코일(114)은 서로 역상으로 접속되어 있다. 도전막이 검출 코일(113)의 근방에 존재하면, 도전막 중에 형성되는 와전류에 의해 발생하는 자속이 검출 코일(113)과 밸런스 코일(114)에 쇄교한다. 이때, 검출 코일(113) 쪽이 도전막에 가까운 위치에 배치되어 있으므로, 양 코일(113, 114)에 발생하는 유기 전압의 밸러스가 무너지고, 이에 의해 도전막의 와전류에 의해 형성되는 쇄교 자속을 검출할 수 있다.
도 10은 와전류 센서(50)의 상세한 구성을 도시하는 모식도이다. 교류 전원(103)은 수정 발진기를 포함하는 고정 주파수의 발진기를 갖고 있고, 예를 들면 1 내지 50㎒의 고정 주파수의 교류 전류를 센서 코일(102)에 공급한다. 교류 전원(103)에 의해 형성된 교류 전류는, 대역 통과 필터(120)를 통하여 센서 코일(102)에 공급된다. 센서 코일(102)의 단자로부터 출력된 신호는, 브릿지 회로(121) 및 고주파 증폭기(123)를 거쳐, cos 동기 검파 회로(125) 및 sin 동기 검파 회로(126)를 포함하는 동기 검파부(105)에 보내어진다. 여기서, 교류 전원(103)에 의해 형성되는 발진 신호로부터는, 위상 시프트 회로(124)에 의해 교류 전원(103)의 동상 성분(0°)과 직교 성분(90°)의 2개의 신호가 형성되고, 각각 cos 동기 검파 회로(125)와 sin 동기 검파 회로(126)에 도입된다. 그리고, 동기 검파부(105)에 의해 임피던스의 저항 성분과 유도 리액턴스 성분이 취출된다.
동기 검파부(105)로부터 출력된 저항 성분과 유도 리액턴스 성분으로부터는, 저역 통과 필터(127, 128)에 의해 불필요한 고주파 성분(예를 들면 5㎑ 이상의 고주파 성분)이 제거되고, 임피던스의 저항 성분으로서의 신호 X와 유도 리액턴스 성분으로서의 신호 Y가 각각 출력된다. 또한, 벡터 연산 회로(130)에 의해, X 신호와 Y 신호로부터, 임피던스 Z[Z=(X2+Y2)1/2]가 얻어진다. 또한, θ 처리 회로(131)에 의해, 마찬가지로 X 신호와 Y 신호로부터, 위상 출력 θ[θ=tan-1Y/X]가 얻어진다.
벡터 연산 회로(130)로부터 출력되는 임피던스 Z는 막 두께에 따라서 변화되는 상기 막 두께 신호이다. 벡터 연산 회로(130)에는 상술한 필터 장치(35)가 접속되어 있고, 필터 장치(35)는 벡터 연산 회로(130)로부터 출력되는 막 두께 신호로부터, 미리 설정된 주파수의 진동 성분을 제거한다.
상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자가 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구 범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.
1 : 연마 패드
2 : 연마 테이블
3 : 톱 링
4 : 연마액 공급 노즐
5 : 테이블축
6 : 테이블 모터
7 : 톱 링 샤프트
8 : 톱 링 아암
9 : 톱 링 선회축
24 : 드레싱 장치
26 : 드레서
27 : 드레서 아암
28 : 드레서 선회축
30 : 동작 제어부
32 : 전류계
35 : 필터 장치
40 : 연마 감시 장치
50 : 와전류 센서
102 : 센서 코일
103 : 교류 전원
105 : 동기 검파부
111 : 보빈
112 : 여자 코일
113 : 검출 코일
114 : 밸런스 코일
120 : 대역 통과 필터
121 : 브릿지 회로
123 : 고주파 증폭기
124 : 위상 시프트 회로
125 : cos 동기 검파 회로
126 : sin 동기 검파 회로
127, 128 : 저역 통과 필터
130 : 벡터 연산 회로
131 : θ 처리 회로

Claims (10)

  1. 연마 패드를 지지하는 연마 테이블과,
    상기 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터와,
    기판을 상기 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하는 톱 링과,
    상기 기판의 연마 중에 상기 연마 패드 상을 요동하면서 상기 연마 패드를 드레싱하는 드레서와,
    상기 드레서의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하는 필터 장치와,
    상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 필터 장치는 상기 드레서의 요동 주기에 상당하는 주파수를 산출하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  3. 연마 패드를 지지하는 연마 테이블과,
    상기 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터와,
    기판을 상기 연마 패드에 압박하면서 요동하는 톱 링과,
    상기 톱 링의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하는 필터 장치와,
    상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 필터 장치는 상기 톱 링의 요동 주기에 상당하는 주파수를 산출하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  5. 연마 패드를 지지하는 연마 테이블과,
    상기 연마 테이블을 회전시키는 테이블 모터와,
    기판을 상기 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하는 톱 링과,
    상기 기판의 표면을 주사하여, 상기 기판의 막 두께에 따라서 변화하는 막 두께 신호를 취득하는 와전류 센서와,
    소정의 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 막 두께 신호로부터 제거하는 필터 장치와,
    상기 진동 성분이 제거된 상기 막 두께 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 연마 감시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  6. 연마 테이블을 테이블 모터에 의해 회전시키고,
    기판을 상기 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하고,
    상기 기판의 연마 중에, 드레서를 상기 연마 패드 상에서 요동시켜 상기 연마 패드를 드레싱하고,
    상기 드레서의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하고,
    상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 드레서의 요동 주기에 상당하는 주파수를 산출하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  8. 연마 테이블을 테이블 모터에 의해 회전시키고,
    톱 링에 의해 기판을 상기 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하면서, 상기 톱 링을 요동시키고,
    상기 톱 링의 요동 주기에 상당하는 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 테이블 모터의 출력 전류 신호로부터 제거하고,
    상기 진동 성분이 제거된 상기 출력 전류 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 톱 링의 요동 주기에 상당하는 주파수를 산출하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  10. 연마 테이블을 테이블 모터에 의해 회전시키고,
    기판을 상기 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하여 상기 기판을 연마하고,
    와전류 센서에 상기 기판의 표면을 주사시켜, 상기 기판의 막 두께에 따라서 변화하는 막 두께 신호를 취득하고,
    소정의 주파수를 갖는 진동 성분을, 상기 막 두께 신호로부터 제거하고,
    상기 진동 성분이 제거된 상기 막 두께 신호에 기초하여 상기 기판의 연마의 진척을 감시하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
KR1020140147073A 2013-11-01 2014-10-28 연마 장치 및 연마 방법 KR101711259B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013228240A JP6030041B2 (ja) 2013-11-01 2013-11-01 研磨装置および研磨方法
JPJP-P-2013-228240 2013-11-01

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170010910A Division KR101901508B1 (ko) 2013-11-01 2017-01-24 연마 장치 및 연마 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150051150A true KR20150051150A (ko) 2015-05-11
KR101711259B1 KR101711259B1 (ko) 2017-02-28

Family

ID=53007324

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140147073A KR101711259B1 (ko) 2013-11-01 2014-10-28 연마 장치 및 연마 방법
KR1020170010910A KR101901508B1 (ko) 2013-11-01 2017-01-24 연마 장치 및 연마 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170010910A KR101901508B1 (ko) 2013-11-01 2017-01-24 연마 장치 및 연마 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9272389B2 (ko)
JP (1) JP6030041B2 (ko)
KR (2) KR101711259B1 (ko)
CN (1) CN104608055B (ko)
SG (1) SG10201407062PA (ko)
TW (1) TWI568539B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190142578A (ko) * 2018-06-18 2019-12-27 주식회사 케이씨텍 금속 박막 두께 검출 장치 및 그 방법
US20200016720A1 (en) * 2018-07-13 2020-01-16 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130017762A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Infineon Technologies Ag Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine
SG11201701152WA (en) * 2014-09-02 2017-04-27 Ebara Corp End point detection method, polishing apparatus, and polishing method
TWI547348B (zh) * 2015-08-31 2016-09-01 力晶科技股份有限公司 化學機械研磨裝置與方法
JP6775354B2 (ja) 2015-10-16 2020-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
US10744617B2 (en) * 2015-10-16 2020-08-18 Ebara Corporation Polishing endpoint detection method
CN109689295B (zh) * 2016-09-15 2021-08-06 应用材料公司 化学机械抛光智能环
JP6357260B2 (ja) 2016-09-30 2018-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
CN108621033B (zh) * 2017-03-21 2020-04-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨垫的研磨方法
TWI816620B (zh) 2017-04-21 2023-09-21 美商應用材料股份有限公司 使用神經網路來監測的拋光裝置
KR101955274B1 (ko) * 2017-04-24 2019-03-08 서우테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 그라인더
CN109202719B (zh) * 2017-07-03 2021-02-02 株式会社安川电机 研磨工艺的控制方法
JP7098311B2 (ja) * 2017-12-05 2022-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP7237083B2 (ja) * 2018-03-12 2023-03-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨のインシトゥモニタリングにおけるフィルタリング
TWI825075B (zh) 2018-04-03 2023-12-11 美商應用材料股份有限公司 針對墊子厚度使用機器學習及補償的拋光裝置、拋光系統、方法及電腦儲存媒體
CN108555771A (zh) * 2018-04-25 2018-09-21 清华大学 Cmp设备的终点确定方法、终点确定系统和cmp系统
CN108807228B (zh) * 2018-06-05 2020-10-16 安徽省华腾农业科技有限公司经开区分公司 一种半导体芯片生产工艺
TWI828706B (zh) * 2018-06-20 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 用於原位電磁感應監控的基板摻雜補償的方法、電腦程式產品及研磨系統
CN109531424B (zh) * 2019-01-09 2024-04-09 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 抛光盘包络式修整方法及其装置
JP7374710B2 (ja) * 2019-10-25 2023-11-07 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US11791224B2 (en) 2020-05-14 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Technique for training neural network for use in in-situ monitoring during polishing and polishing system
KR20220114089A (ko) 2020-06-24 2022-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 연마 패드 마모 보상을 이용한 기판 층 두께의 결정
US11794302B2 (en) 2020-12-15 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Compensation for slurry composition in in-situ electromagnetic inductive monitoring

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5876265A (en) * 1995-04-26 1999-03-02 Fujitsu Limited End point polishing apparatus and polishing method
JP2001198813A (ja) 2000-01-13 2001-07-24 Toshiba Corp 研磨装置及びその研磨方法
JP2003037090A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
KR20060097726A (ko) * 2003-10-20 2006-09-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 와류 센서
JP2009028856A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd トルク変化を利用した研磨終端時点検知方法及びその装置
JP2009287930A (ja) 2008-05-27 2009-12-10 Ebara Corp 基板観察装置及び基板研磨装置
JP2011000647A (ja) 2009-06-16 2011-01-06 Ebara Corp 研磨監視方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10202513A (ja) * 1997-01-22 1998-08-04 Ebara Corp ポリッシングの終点検知方法
JP2001018161A (ja) * 1999-07-07 2001-01-23 Ebara Corp 研磨装置
JP2001079752A (ja) * 1999-09-08 2001-03-27 Hitachi Ltd 化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JP2001219354A (ja) * 2000-02-04 2001-08-14 Kawasaki Heavy Ind Ltd 研磨システム
US6797623B2 (en) * 2000-03-09 2004-09-28 Sony Corporation Methods of producing and polishing semiconductor device and polishing apparatus
US6878038B2 (en) * 2000-07-10 2005-04-12 Applied Materials Inc. Combined eddy current sensing and optical monitoring for chemical mechanical polishing
EP1247616B1 (en) * 2001-04-02 2006-07-05 Infineon Technologies AG Method for conditioning a polishing pad surface
US20040011462A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for applying differential removal rates to a surface of a substrate
US6945845B2 (en) * 2003-03-04 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with non-conductive elements
US7311004B2 (en) * 2003-03-10 2007-12-25 Capstan Ag Systems, Inc. Flow control and operation monitoring system for individual spray nozzles
JP4202365B2 (ja) * 2006-03-07 2008-12-24 ファナック株式会社 力制御装置
JP4790475B2 (ja) * 2006-04-05 2011-10-12 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、および基板の膜厚測定プログラム
US8388408B2 (en) 2008-10-10 2013-03-05 Ebara Corporation Method of making diagram for use in selection of wavelength of light for polishing endpoint detection, method for selecting wavelength of light for polishing endpoint detection, and polishing endpoint detection method
US20100120331A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Endpoint control of multiple-wafer chemical mechanical polishing
JP5236596B2 (ja) * 2009-08-19 2013-07-17 ファナック株式会社 加工ロボットシステム
JP5511600B2 (ja) * 2010-09-09 2014-06-04 株式会社荏原製作所 研磨装置
US20130065493A1 (en) * 2011-08-09 2013-03-14 Taro Takahashi Polishing monitoring method, polishing end point detection method, and polishing apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5876265A (en) * 1995-04-26 1999-03-02 Fujitsu Limited End point polishing apparatus and polishing method
JP2001198813A (ja) 2000-01-13 2001-07-24 Toshiba Corp 研磨装置及びその研磨方法
JP2003037090A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
KR20060097726A (ko) * 2003-10-20 2006-09-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 와류 센서
JP2009028856A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd トルク変化を利用した研磨終端時点検知方法及びその装置
JP2009287930A (ja) 2008-05-27 2009-12-10 Ebara Corp 基板観察装置及び基板研磨装置
JP2011000647A (ja) 2009-06-16 2011-01-06 Ebara Corp 研磨監視方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190142578A (ko) * 2018-06-18 2019-12-27 주식회사 케이씨텍 금속 박막 두께 검출 장치 및 그 방법
US20200016720A1 (en) * 2018-07-13 2020-01-16 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015085487A (ja) 2015-05-07
JP6030041B2 (ja) 2016-11-24
CN104608055A (zh) 2015-05-13
US9272389B2 (en) 2016-03-01
TWI568539B (zh) 2017-02-01
SG10201407062PA (en) 2015-06-29
KR101901508B1 (ko) 2018-09-21
CN104608055B (zh) 2017-09-22
KR101711259B1 (ko) 2017-02-28
US20150125971A1 (en) 2015-05-07
KR20170015406A (ko) 2017-02-08
TW201527045A (zh) 2015-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101901508B1 (ko) 연마 장치 및 연마 방법
TWI487596B (zh) 磨光監視方法及磨光裝置
US20130065493A1 (en) Polishing monitoring method, polishing end point detection method, and polishing apparatus
US10350723B2 (en) Overpolishing based on electromagnetic inductive monitoring of trench depth
JP6050571B2 (ja) 研磨監視方法および研磨装置
CN105659363B (zh) 涡电流传感器增益的确定
KR20190037342A (ko) 화학적 기계적 연마를 위한 연마 패드 두께 모니터링
JP4421399B2 (ja) 半導体基板の研磨方法
JP5705093B2 (ja) 研磨終点検出方法および研磨装置
TW200927378A (en) Polishing monitoring method, polishing apparatus and monitoring apparatus
US20040166773A1 (en) Polishing apparatus
KR20180059351A (ko) 연마 장치 및 연마 방법
US10427272B2 (en) Endpoint detection with compensation for filtering
JP6445241B2 (ja) 渦電流センサ
JP2018001296A (ja) 研磨装置、研磨方法、及び研磨制御プログラム
JP6263445B2 (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2015172536A (ja) 膜厚測定値の補正方法、及び、膜厚補正器
US20230286107A1 (en) Eddy current monitoring to detect vibration in polishing
TWI806898B (zh) 用於晶圓上準確的感測器位置判定的振動校正
JP2015195268A (ja) 研磨進行状況の推定方法、及び、研磨進行状況の推定装置
JP2008142892A (ja) 研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200129

Year of fee payment: 4