KR20150048580A - Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method - Google Patents

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오승현
이승훈
조성식
임정아
윤성열
안기현
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Abstract

The present invention relates to a light emitting package which can change an LED point light source into a surface light source by inducing the light generated in a light emitting device, a backlight unit, a lighting device, and a method for manufacturing a light emitting device package which comprises a substrate; a light emitting device mounted on the substrate; a transparent sealant installed on the substrate to surround the light emitting device; and an optical system installed on the upper surface of the transparent sealant to induce the light toward the side of the transparent sealant.

Description

발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법{Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit, an illumination device,

본 발명은 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 소자에서 발생되는 빛을 측방향으로 유도하여 LED 점광원을 면광원으로 변경할 수 있게 하는 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit, an illumination device, and a method of manufacturing a light emitting device package, and more particularly, A light emitting device package, a backlight unit, a lighting device, and a method of manufacturing a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러 가지 용도로 모듈화하여 각종 조명 장치나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, has a strong directivity of light, and can be driven at a low voltage. Further, such an LED is resistant to impact and vibration, does not require preheating time and complicated driving, can be packaged in various forms, can be modularized for various purposes, and can be applied to various lighting devices and display devices.

백라이트 유닛에서 널리 사용되는 직하형 발광 소자 패키지는, 유닛의 두께를 줄이는 동시에 도광판에 광을 균일하게 조사할 수 있도록 1차로 발광 소자 패키지에서 발생된 빛을 2차 렌즈를 통해서 넓게 분산시킬 수 있다.The direct-type light emitting device package widely used in the backlight unit can widely disperse light generated from the light emitting device package through the secondary lens so as to reduce the thickness of the unit and uniformly irradiate the light to the light guide plate.

그러나, 종래의 발광 소자 패키지는 상기 2차 렌즈로 인하여 제품의 전체적인 두께가 증가되며, 렌즈의 틀어짐이 발생되어 휘도 및 색 편차가 발생되고, 이러한 휘도 및 색 편차는 광 특성을 저하시켜서 무라(Mura) 현상을 발생시키거나 도광판이나 디스플레이 패널에 조사되는 빛의 균일도를 현저하게 떨어뜨리고, 제품의 불량을 발생시키는 등 많은 문제점이 있었다.However, in the conventional light emitting device package, the overall thickness of the product is increased due to the secondary lens, and the lens is distorted to cause luminance and color deviation. Such luminance and chromatic aberration deteriorates optical characteristics, ) Phenomenon or the uniformity of light irradiated on the light guide plate or the display panel is markedly lowered, resulting in defective products.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 점광원을 면광원을 변경할 수 있도록 발광 소자의 상방으로 방출되는 빛을 측방으로 유도할 수 있는 광학계를 설치하여 별도의 2차 렌즈가 불필요하고, 제품의 두께를 줄일 수 있으며, 디스플레이 장치의 무라(Mura) 현상, 휘도 편차 및 색 편차를 방지하여 광 특성을 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있는 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an optical system for guiding light emitted upward from a light emitting device to a side, A light emitting device package capable of reducing the thickness of the product, preventing a mura phenomenon of the display device, a luminance deviation and a color deviation, thereby improving optical characteristics and producing a good quality product, and a backlight unit An illumination device, and a method of manufacturing a light emitting device package. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판에 안착되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 상기 기판에 설치되는 투명 봉지재; 및 상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 광학계;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a substrate; A light emitting element mounted on the substrate; A transparent encapsulant provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting element; And an optical system provided on an upper surface of the transparent encapsulant to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광학계는, 상기 투명 봉지재의 상면에 회절 간격을 갖는 복수개의 회절홈이 형성되는 회절홈부;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the optical system may include a diffraction groove portion in which a plurality of diffraction grooves having a diffraction interval are formed on an upper surface of the transparent encapsulant.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 회절홈은, 상기 투명 봉지재를 식각하여 이루어지는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the diffraction grooves may be formed by etching the transparent encapsulant.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광학계는, 상기 회절홈부의 회절홈에 충진되고, 상기 투명 봉지재와 서로 다른 재질인 충진층;을 더 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the optical system may further include a filling layer filled in the diffraction groove of the diffraction groove portion and made of a material different from the transparent sealing material.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 광학계는, 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 전반사층;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the optical system may include a total reflection layer provided on an upper surface of the transparent encapsulant.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 회절홈의 회절 간격은, 중앙부로 갈수록 커지고, 테두리부로 갈수록 작아지는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the diffraction interval of the diffraction grooves may be larger toward the center and smaller toward the rim.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 회절홈의 회절 간격은, 중앙부로 갈수록 작아지고, 테두리부로 갈수록 커지는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the diffraction interval of the diffraction grooves may be smaller toward the center and larger toward the edge.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 회절홈은, 동심원들로 이루어지는 복수개의 원형 패턴일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the diffraction grooves may be a plurality of circular patterns of concentric circles.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 기판; 상기 기판에 안착되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 기판에 설치되는 투명 봉지재; 상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 광학계; 및 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 경로에 설치되는 도광판;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a backlight unit comprising: a substrate; A light emitting element mounted on the substrate; A transparent encapsulant provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting element; An optical system provided on an upper surface of the transparent encapsulant so as to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant; And a light guide plate installed in a path of light generated in the light emitting device.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법은, 기판에 발광 소자를 안착시키는 단계; 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 상기 기판에 투명 봉지재를 사출 성형하고, 동시에 상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 광학계를 일체로 사출 성형하는 단계; 및 상기 광학계 상에 전반사층을 도포하는 단계;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, the method comprising: placing a light emitting device on a substrate; Injection molding an optical system integrally on the upper surface of the transparent encapsulant so that the transparent encapsulant is injection-molded so as to surround the periphery of the light emitting element and light can be guided laterally of the transparent encapsulant; And applying a total reflection layer on the optical system.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 기판; 상기 기판에 안착되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 기판에 설치되는 투명 봉지재; 및 상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 광학계;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lighting apparatus comprising: a substrate; A light emitting element mounted on the substrate; A transparent encapsulant provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting element; And an optical system provided on an upper surface of the transparent encapsulant to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 제품의 두께를 줄이고, 점광원을 면광원으로 변경할 수 있으며, 제품의 광 특성을 향상시켜서 제품 불량을 방지할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, the thickness of the product can be reduced, the point light source can be changed to the surface light source, and the optical characteristics of the product can be improved, thereby preventing product defects. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 1의 회절홈 및 회절홈부를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 도 4의 다른 일례에 따른 충진층을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 6은 도 4의 또 다른 일례에 따른 전반사층을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 7은 도 2의 다른 일례에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법을 나타내는 순서도이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
2 is a plan view showing the light emitting device package of FIG.
3 is a perspective view showing the light emitting device package of FIG.
4 is an enlarged sectional view showing the diffraction grooves and the diffraction grooves in Fig. 1 in an enlarged manner.
5 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a filling layer according to another example of FIG.
6 is an enlarged sectional view showing an enlarged view of the total reflection layer according to still another example of FIG.
7 is a plan view showing a light emitting device package according to another example of FIG.
8 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to some embodiments of the present invention.
9 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 단면도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 사시도이고, 도 4는 도 1의 회절홈(41a) 및 회절홈부(41)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention. 2 is a plan view showing the light emitting device package 100 of FIG. 1, FIG. 3 is a perspective view showing the light emitting device package 100 of FIG. 1, and FIG. 4 is a cross- (41) in an enlarged scale.

먼저, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 기판(10)과, 발광 소자(20)와, 투명 봉지재(30) 및 광학계(40)를 포함할 수 있다.1 to 4, a light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention includes a substrate 10, a light emitting device 20, a transparent encapsulant 30, And an optical system 40.

여기서, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(20)를 수용할 수 있고, 상기 발광 소자(20)와 전기적으로 연결되는 것으로서, 상기 발광 소자(20)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.The substrate 10 can receive the light emitting device 20 and is electrically connected to the light emitting device 20. The substrate 10 may have appropriate mechanical strength and insulation property to support the light emitting device 20, Or a conductive material.

예를 들어서, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(20)를 외부 전원과 연결시키도록 각종 배선층이 형성될 수 있고, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.For example, the substrate 10 may include various wiring layers to connect the light emitting device 20 with an external power source, and may include a printed circuit board (PCB) having a plurality of epoxy resin sheets formed thereon, Lt; / RTI > The substrate 10 may be a Flexible Printed Circuit Board (FPCB) made of a flexible material.

이외에도, 상기 기판(10)은, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있고, 이외에도 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.In addition, the substrate 10 may be a synthetic resin substrate such as a resin or a glass epoxy or a ceramic substrate in consideration of a thermal conductivity. In addition, the substrate 10 may be formed of an insulating material such as aluminum, copper, zinc, tin, A metal substrate such as silver can be applied, and a plate or a lead frame substrate can be applied.

또한, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The substrate 10 may be made of at least one selected from EMC (Epoxy Mold Compound), PI (polyimide), ceramic, graphene, glass synthetic fiber and combinations thereof to improve workability have.

또한, 상기 기판(10)에는 도시하지 않았지만 배선층이 전도층 패턴의 형태로 설치될 수 있다. 이러한 배선층은 열전도성이 우수하고 비교적 저렴한 재질인 구리, 알루미늄 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, although not shown in the figure, the wiring layer may be provided in the form of a conductive layer pattern. The wiring layer may be made of at least one selected from copper, aluminum, and combinations thereof, which are excellent in thermal conductivity and relatively inexpensive materials.

이 때, 이러한 패턴 형성 방법은 열압착 가공, 도금 가공, 접착 가공, 스퍼터링 가공이나, 기타 식각 가공, 프린팅 가공, 스프레이 가공 등의 방법이 이용될 수 있다.At this time, such a pattern forming method may be thermocompression processing, plating processing, adhesive processing, sputtering processing, other etching processing, printing processing, spray processing and the like.

또한, 상기 발광 소자(20)는, 상기 기판(10)에 안착될 수 있는 것으로서, 도 1에서는 상기 기판(10) 위에 1개의 발광 소자(20)가 안착된 상태를 예시하였다.In addition, the light emitting device 20 may be mounted on the substrate 10, and FIG. 1 illustrates a state in which one light emitting device 20 is mounted on the substrate 10.

이외에도, 상기 기판(10)에는 복수개의 발광 소자(20)들이 안착될 수 있다. In addition, a plurality of light emitting devices 20 may be mounted on the substrate 10.

이러한, 상기 발광 소자(20)는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.The light emitting device 20 may be formed of a semiconductor. For example, LEDs of blue, green, red, and yellow light emission, and LEDs of ultraviolet light emission, which are made of a nitride semiconductor, can be applied. The nitride semiconductor is represented by a general formula Al x Ga y In z N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? Z? 1, x + y + z = 1).

또한, 상기 발광 소자(20)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The light emitting device 20 can be formed by epitaxially growing nitride semiconductors such as InN, AlN, InGaN, AlGaN, and InGaAlN on a sapphire substrate for growth or a silicon carbide substrate by a vapor phase growth method such as MOCVD To grow. The light emitting device 20 may be formed using semiconductors such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, and AlInGaP in addition to the nitride semiconductor. These semiconductors can be stacked in the order of an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting layer (active layer) may be a laminated semiconductor having a multiple quantum well structure or a single quantum well structure or a laminated semiconductor having a double hetero structure. In addition, the light emitting device 20 can be selected to have an arbitrary wavelength depending on the application such as display use and illumination use.

여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4 , MgO, LiAlO 2 , LiGaO 2 , GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.

이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.

또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.

예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.

또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.

또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.

상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.

또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.

또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.

상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.

여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Here, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB 2 , HfB 2, ZrN, HfN and TiN may be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.

또한, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 소자(20)는, 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태의 발광 소자들일 수 있고, 이외에도 와이어 등의 신호전달매체를 갖는 수직형 및 수평형 등 다양한 형태의 발광 소자들이 적용될 수 있다.Further, although not shown, the light emitting device 20 may be a flip chip type light emitting device having a signal transmitting medium such as a bump, a pad, or a solder. In addition, the light emitting device 20 may be a vertical type or a horizontal type And the like can be applied.

또한, 상기 투명 봉지재(30)는, 상기 발광 소자(20)를 둘러싸도록 상기 기판(10)에 설치되는 것으로서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 투명 봉지재(30)는, 상기 발광 소자(20)의 상면 및 측면을 모두 덮어서 보호할 수 있는 형상으로 상기 발광 소자(20)의 빛의 경로에 설치될 수 있다.1 to 3, the transparent encapsulant 30 is disposed on the substrate 10 so as to surround the light emitting device 20, And may be installed in a light path of the light emitting device 20 so as to cover and protect the upper surface and the side surface of the light emitting device 20.

또한, 상기 투명 봉지재(30)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들어서, 전체적으로 원기둥 형상일 수 있다. 이외에도 상기 투명 봉지재(30)는, 삼각기둥 형상, 사각기둥 형상, 오각기둥 형상, 육각기둥 형상, 다각기둥 형상, 타원기둥 형상, 복합기둥 형상, 기하학적 형상 등 매우 다양한 형태일 수 있다. 따라서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 상기 봉지재(30)의 형상은 도 1 내지 도 3에 도시된 형상으로 국한되는 것은 아니다.The transparent encapsulant 30 may be, for example, a cylinder as a whole as shown in Fig. In addition, the transparent encapsulant 30 may be in a wide variety of shapes such as a triangular prism, a quadrangular prism, a pentagonal prism, a hexagonal prism, a polygonal prism, an elliptical prism, a composite prism, and a geometric prism. Accordingly, the shape of the encapsulant 30 of the light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention is not limited to the shapes shown in Figs.

또한, 상기 투명 봉지재(30)는, 상기 기판(10)에 몰딩 성형되거나, 디스펜싱 또는 스크린 프린팅될 수 있다.The transparent encapsulant 30 may be molded on the substrate 10, or may be dispensed or screen-printed.

또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 투명 봉지재(30)는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the transparent encapsulant 30 may be a modified silicone resin composition such as an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition such as a silicone modified epoxy resin and an epoxy modified silicone resin, A resin such as polyimide resin composition, modified polyimide resin composition, polyphthalamide (PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin, PBT resin Etc. may be applied.

또한, 상기 광학계(40)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 투명 봉지재(30)의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 설치될 수 있다.1 to 4, the optical system 40 may be installed on the upper surface of the transparent encapsulant 30 so as to guide the light in the lateral direction of the transparent encapsulant 30 have.

예를 들어서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광학계(40)는, 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 회절 간격(P1)(P2)을 갖는 복수개의 회절홈(41a)이 형성되는 회절홈부(41)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 1 to 4, the optical system 40 includes a plurality of diffraction grooves 41a having a diffraction interval P1 (P2) on the upper surface of the transparent encapsulant 30 And a diffraction groove portion 41 formed thereon.

더욱 구체적으로 예시하면, 상기 회절홈(41a)은, 몰딩 성형된 상기 투명 봉지재(30)를 건식 또는 습식으로 식각하거나, 레이저 식각하여 이루어질 수 있다.More specifically, for example, the diffraction groove 41a may be formed by dry or wet etching or laser etching the transparent encapsulant 30 molded and molded.

여기서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 회절홈(41a)은, 빛을 회절시켜서 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도하는 역할을 할 수 있다. 이러한 상기 회절홈(41a)은 회절 간격에 의해서 회절되는 빛의 양을 조절할 수 있다.Here, as shown in FIG. 4, the diffraction groove 41a may serve to diffract light to guide the light emitting device 20 in the lateral direction. The diffraction grooves 41a can adjust the amount of light diffracted by the diffraction interval.

또한, 이러한 상기 회절홈(41a)은, 상기 회전홈부(41)나 상기 투명 봉지재(30)의 재질이나 밀도 등에 따라서 단면의 형상이나, 깊이나, 폭이나, 회절 간격이나 설치 각도 등이 최적화되어 설계될 수 있다. 또한, 상기 회절홈(41a)은, 상기 발광 소자(20)에서 발생되는 빛의 파장이나 종류나 색상이나 발광 각도 등에 따라서도 최적화되어 설계될 수 있다.The diffraction grooves 41a are optimized in terms of the shape of the cross section, the depth, the width, the diffraction interval, and the installation angle in accordance with the material and density of the rotary groove 41 and the transparent sealing material 30 . Also, the diffraction groove 41a can be designed optimally in accordance with the wavelength, type, color, light emission angle, and the like of the light emitted from the light emitting device 20.

도 4에서는 상기 회절홈(41a)의 저면 형상이 평평한 평면으로 도시되어 전체적으로 그 단면이 사각형인 홈으로 예시되어 있으나, 상기 회절홈(41a)은 상술된 각종 환경 조건에 따라서 그 단면이 둥근형 홈, 삼각형 홈, 다각형 홈, 톱니형 홈 등 매우 다양한 형태로 적용될 수 있고, 그 깊이나 폭이나 회절 간격이나 설치 각도 역시 매우 다양하게 최적화되어 적용될 수 있다.In FIG. 4, the bottom surface of the diffraction groove 41a is shown as a flat plane, and the cross section of the diffraction groove 41a as a whole is illustrated as a groove. However, the diffraction groove 41a may have a circular groove, Triangular grooves, polygonal grooves, serrated grooves, etc., and its depth, width, diffraction interval, and installation angle can also be optimally applied.

따라서, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛은 상기 투명 봉지재(30)의 상방에 형성된 상기 회절홈(41a)들에 의해서 전체적으로 회절되어 상기 발광 소자(20)의 측면 방향으로 유도될 수 있다.Therefore, the light generated in the light emitting device 20 can be entirely diffracted by the diffraction grooves 41a formed above the transparent encapsulant 30 and guided in the lateral direction of the light emitting device 20 .

그러므로, 별도의 2차 렌즈를 설치하지 않더라도 상기 투명 봉지재(30)의 상방에 설치된 상기 회절홈부(41)를 이용하여 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛을 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도하여 전체적으로 점광원인 LED를 면광원을 변경할 수 있어서 제품의 두께를 줄일 수 있고, 상기 발광 소자(20)의 상방에서 집중적으로 발생되던 무라(Mura) 현상이나, 휘도 편차나 색 편차를 방지하여 광 특성을 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있다.Therefore, even if a separate secondary lens is not provided, the light emitted from the light emitting element 20 can be emitted to the side of the light emitting element 20 using the diffraction groove portion 41 provided above the transparent encapsulant 30 And the surface light source can be changed as a whole as a point light source, so that the thickness of the product can be reduced, and a mura phenomenon intensively generated above the light emitting device 20, a luminance deviation and a color deviation Thereby improving the optical characteristics and producing high quality products.

도 5는 도 4의 다른 일례에 따른 충진층(42)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of the filling layer 42 according to another example of FIG.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 광학계(40)는, 상술된 회절홈부(41)에만 국한되는 것은 아닌 것으로, 상기 광학계(40)는, 상기 회절홈부(41)의 회절홈(41a)에 충진되고, 상기 투명 봉지재(30)와 서로 다른 재질이나 서로 다른 밀도를 갖는 충진층(42)을 더 포함할 수 있다.5, the optical system 40 is not limited to the above-described diffraction groove 41, and the optical system 40 is configured to fill the diffraction groove 41a of the diffraction groove 41, And may further include a filling layer 42 having a different material or a different density from the transparent encapsulant 30.

여기서, 상기 충진층(42)은, 적어도 EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The filling layer 42 may be at least one selected from the group consisting of EMC, an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition, a modified silicone resin composition, a polyimide resin composition, a modified polyimide resin composition, a polyphthalamide (PPA) (PPS), a liquid crystal polymer (LCP), an ABS resin, a phenol resin, an acrylic resin, a PBT resin, a Bragg reflection layer, an air gap, a total reflection layer, a metal layer and a combination thereof May be selected.

또한, 상기 충진층(42)은, 패이스트의 형태로 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 도포되거나, 별도의 적층 공정을 이용하여 적층되거나, 시트 재질을 가압하여 이루어질 수 있다.The filling layer 42 may be applied to the upper surface of the transparent encapsulant 30 in the form of a paste or may be laminated using a separate lamination process or may be formed by pressing the sheet material.

따라서, 상기 회절홈부(41)의 회절홈(41a)에 의해 회절되어 상기 발광 소자의 측면 방향으로 유도된 빛을 제외하고, 회절되지 못한 빛이 상기 충진층(42)에 도달되면, 상기 충진층(42)에 의해서 상기 발광 소자의 측면 방향으로 반사되어 유도될 수 있다.Therefore, when light that is not diffracted reaches the filling layer 42 except the light diffracted by the diffraction groove 41a of the diffraction groove 41 and guided in the lateral direction of the light emitting device, May be reflected and guided in the lateral direction of the light emitting device by the light emitting device 42.

이 때, 상기 충진층(42)에 의해서 반사되는 빛의 반사율은 상기 충진층(42)의 재질이나 밀도 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 반사율은, 상기 발광 소자(20)에서 발생되는 빛의 파장이나 종류나 색상이나 발광 각도 등에 따라서도 달라질 수 있다. 따라서, 상기 충진층(42)의 재질이나 밀도는, 상술된 환경 조건에 따라 최적화되어 설계될 수 있다.At this time, the reflectance of light reflected by the filling layer 42 may vary depending on the material and the density of the filling layer 42. In addition, the reflectance may vary depending on the wavelength, type, color, light emission angle, and the like of the light emitted from the light emitting element 20. Therefore, the material and density of the filling layer 42 can be optimized and designed in accordance with the above-described environmental conditions.

도 6은 도 4의 또 다른 일례에 따른 전반사층(43)을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of the total reflection layer 43 according to still another example of FIG.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 광학계(40)는, 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 설치되는 전반사층(43)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6, the optical system 40 may include a total reflection layer 43 provided on the upper surface of the transparent encapsulant 30.

여기서, 상기 전반사층(43)은 상기 충진층(42)과 그 재질이과 밀도가 서로 같거나 다를 수 있다.Here, the total reflection layer 43 may have the same or different material density as that of the filling layer 42.

즉, 상기 전반사층(43)은, 적어도 EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.That is, the total reflection layer 43 is formed of at least one of EMC, an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition, a modified silicone resin composition, a polyimide resin composition, a modified polyimide resin composition, a polyphthalamide (PPA) (PPS), a liquid crystal polymer (LCP), an ABS resin, a phenol resin, an acrylic resin, a PBT resin, a Bragg reflection layer, an air gap, a total reflection layer, a metal layer and a combination thereof May be selected.

또한, 상기 전반사층(43)은, 패이스트의 형태로 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 도포되거나, 별도의 적층 공정을 이용하여 적층되거나, 시트 재질을 가압하여 이루어질 수 있다.The total reflection layer 43 may be applied on the upper surface of the transparent encapsulant 30 in the form of a paste or may be laminated using a separate lamination process or may be formed by pressing the sheet material.

따라서, 상기 회절홈부(41)의 회절홈(41a)에 의해 회절되어 상기 발광 소자의 측면 방향으로 유도된 빛을 제외하고, 회절되지 못한 빛이 상기 충진층(42)에 도달되면, 상기 충진층(42)에 의해서 상기 발광 소자(20)의 측면 방향으로 반사되어 유도될 수 있으며, 상기 충진층(42)에 의해 반사되지 못한 빛은, 상기 전반사층(43)에 의해 전부 반사되어 상기 발광 소자(20)의 측면으로 유도될 수 있다.Therefore, when light that is not diffracted reaches the filling layer 42 except the light diffracted by the diffraction groove 41a of the diffraction groove 41 and guided in the lateral direction of the light emitting device, The light that is not reflected by the filler layer 42 is totally reflected by the total reflection layer 43 to be reflected by the light emitting element 20, (Not shown).

이 때, 상기 전반사층(43)에 의해서 반사되는 빛의 반사율은 상기 전반사층(43)의 재질이나 밀도 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 반사율은, 상기 발광 소자(20)에서 발생되는 빛의 파장이나 종류나 색상이나 발광 각도 등에 따라서도 달라질 수 있다. 따라서, 상기 전반사층(43)의 재질이나 밀도나 뚜께는, 상술된 환경 조건에 따라 최적화되어 설계될 수 있다.At this time, the reflectance of light reflected by the total reflection layer 43 may vary depending on the material and density of the total reflection layer 43, and the like. In addition, the reflectance may vary depending on the wavelength, type, color, light emission angle, and the like of the light emitted from the light emitting element 20. Therefore, the material, density, and the like of the total reflection layer 43 can be optimized and designed in accordance with the above-described environmental conditions.

또한, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(20)의 하면, 또는 상기 투명 봉지재(30)의 하면, 또는 상기 기판(10)의 상면에는 금속재질의 반사층이 설치될 수 있다. Although not shown, a metallic reflective layer may be provided on the lower surface of the light emitting device 20, the lower surface of the transparent encapsulant 30, or the upper surface of the substrate 10.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 빛의 균일도를 향상시켜서 무라 현상, 휘도 편차, 색 편차 등을 방지할 수 있도록 상기 회절홈(41a)의 회절 간격은, 중앙부로 갈수록 회절 간격(P2)이 커지고, 테두리부로 갈수록 회절 간격(P1)이 작아지는 것일 수 있다.2, the diffraction interval of the diffraction grooves 41a is set such that the diffraction interval P2 is gradually increased toward the center of the diffraction groove 41a in order to improve the uniformity of the light and to prevent blurring phenomenon, luminance deviation, color deviation, And the diffraction interval P1 becomes smaller as it goes toward the edge portion.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 회절홈(41a)은, 동심원들로 이루어지는 복수개의 원형 패턴일 수 있다. 본 발명은 상기 원형 패턴에만 국한되지 않고, 이외에도 삼각 패턴, 사각 패턴, 다각 패턴, 타원 패턴, 복합 패턴, 기하학적 패턴 등 매우 다양한 패턴이 적용될 수 있다. Further, as shown in Fig. 2, the diffraction grooves 41a may be a plurality of circular patterns of concentric circles. The present invention is not limited to the circular pattern, and various other patterns such as a triangular pattern, a square pattern, a polygonal pattern, an elliptical pattern, a composite pattern, and a geometric pattern may be applied.

이러한 상기 회절 간격(P1)(P2)의 형상이나 구체적인 수치 역시, 부품들의 재질이나 밀도나 두께나 빛의 특성 등에 의해서 다양한 형상으로 최적화되어 설계될 수 있다.The shape and specific numerical values of the diffraction intervals P1 and P2 can be designed optimally in various shapes depending on the material, density, thickness, light characteristics, and the like of the parts.

도 7은 도 2의 다른 일례에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.7 is a plan view showing a light emitting device package according to another example of FIG.

도 7에 도시된 바와 같이, 다양한 환경 조건에 따라서, 상기 회절홈(41a)의 회절 간격은, 중앙부로 갈수록 회절 간격(P3)이 작아지고, 테두리부로 갈수록 회절 간격(P4)이 커지는 것도 가능하다.As shown in Fig. 7, according to various environmental conditions, the diffraction interval P3 of the diffraction groove 41a becomes smaller toward the center, and the diffraction interval P4 becomes larger toward the edge of the diffraction groove 41a .

이러한 상기 회절 간격(P3)(P4)의 형상이나 구체적인 수치 역시, 부품들의 재질이나 밀도나 두께나 빛의 특성 등에 의해서 다양한 형상으로 최적화되어 설계될 수 있다.The shape and the specific numerical value of the diffraction interval P3 (P4) can be designed optimally in various shapes according to the material, the density, the thickness, the light characteristic, etc. of the parts.

도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)을 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 기판(10)과, 상기 기판(10)에 안착되는 발광 소자(20)와, 상기 발광 소자(20)의 주위를 둘러싸도록 기판에 설치되는 투명 봉지재(30)와, 상기 투명 봉지재(30)의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 설치되는 광학계(40) 및 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛의 경로에 설치되는 도광판(50)을 포함할 수 있다.8, a backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention includes a substrate 10, a light emitting device 20 that is seated on the substrate 10, A transparent encapsulant 30 provided on the substrate so as to surround the transparent encapsulant 30 and an optical system 40 installed on the upper surface of the transparent encapsulant 30 to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant 30 And a light guide plate 50 installed in a path of light generated in the light emitting device 20.

여기서, 상기 기판(10)과, 상기 발광 소자(20)와, 상기 투명 봉지재(30) 및 상기 광학계(40)는, 상술된 상기 발광 소자 패키지(100)의 상기 기판(10)과, 상기 발광 소자(20)와, 상기 투명 봉지재(30) 및 상기 광학계(40)와 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Here, the substrate 10, the light emitting device 20, the transparent encapsulant 30, and the optical system 40 are formed on the substrate 10 of the light emitting device package 100 described above, The light emitting device 20, the transparent encapsulant 30, and the optical system 40 described above. Therefore, detailed description is omitted.

이러한, 상기 백라이트 유닛(1000)은, LCD 패널에 설치되어 LCD 패널 방향으로 빛을 투사하는 것으로서, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The backlight unit 1000 is installed on an LCD panel and projects light toward the LCD panel. The backlight unit 1000 is installed in a path of light generated by the light emitting device 20, The light can be transmitted over a larger area.

또한, 상기 도광판(50)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열을 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(50)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The light guide plate 50 may be made of polycarbonate, polysulfone, polyacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polynorbornene, polyester, or the like , Besides, materials of various translucent resin series can be applied. The light guide plate 50 may be formed by various methods such as forming fine patterns, fine protrusions, diffusion films, or the like on the surface, or forming fine bubbles therein.

이러한 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 상기 발광 소자(20)가 상기 도광판(50)의 하방에 설치되는 직하형 백라이트 유닛일 수 있다.The backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention may be a direct type backlight unit in which the light emitting device 20 is installed below the light guide plate 50. [

한편, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(20)의 둘레에 형광체를 설치할 수 있다. 예컨데, 이러한 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.On the other hand, although not shown, a phosphor may be provided around the light emitting element 20. For example, such a phosphor may have the following composition formula and color.

산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce

실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce

질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,

이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.

또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.As a substitute for the phosphor, materials such as a quantum dot may be used. Alternatively, a fluorescent material and QD may be mixed with the LED or used alone.

QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Regand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.

또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the coating method of the fluorescent material or the quantum dot may include at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting device, a method of covering the material in a film form, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent material .

뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.

발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.

발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.

균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.

광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.

이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.

도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법을 나타내는 순서도이다.9 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법은, 기판(10)에 발광 소자(20)를 안착시키는 단계(S1)와, 상기 발광 소자(20)의 주위를 둘러싸도록 상기 기판(10)에 투명 봉지재(30)를 사출 성형하고, 동시에 상기 투명 봉지재(30)의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재(30)의 상면에 광학계(40)를 일체로 사출 성형하는 단계(S2) 및 상기 광학계(40) 상에 전반사층(43)을 도포하는 단계(S3)를 포함할 수 있다.1 to 9, a method of fabricating a light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention includes the steps of: (S1) placing a light emitting device 20 on a substrate 10; A transparent encapsulant 30 is injected and molded on the substrate 10 so as to surround the periphery of the luminous means 20 and the transparent encapsulant 30, (S2) of integrally molding an optical system (40) on the upper surface of the substrate (30) and applying a total reflection layer (43) on the optical system (40).

한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 발광 소자 패키지들을 포함하는 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.On the other hand, although not shown, the present invention can include a lighting device including the light emitting device packages described above. Here, the components of the lighting apparatus according to some embodiments of the present invention may have the same configuration and functions as those of the above-described light emitting device package of the present invention. Therefore, detailed description is omitted.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 기판
20: 발광 소자
30: 투명 봉지재
40: 광학계
41: 회절홈부
41a: 회절홈
42: 충진층
43: 전반사층
50: 도광판
100: 발광 소자 패키지
P1, P2, P3, P4: 회절 간격
1000: 백라이트 유닛
10: substrate
20: Light emitting element
30: transparent sealing material
40: Optical system
41: Diffraction groove
41a: diffractive groove
42: filling layer
43: total reflection layer
50: light guide plate
100: Light emitting device package
P1, P2, P3, P4: diffraction interval
1000: Backlight unit

Claims (11)

기판;
상기 기판에 안착되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 상기 기판에 설치되는 투명 봉지재; 및
상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 광학계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지.
Board;
A light emitting element mounted on the substrate;
A transparent encapsulant provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting element; And
An optical system provided on an upper surface of the transparent encapsulant so as to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant;
Emitting device package.
제 1 항에 있어서,
상기 광학계는,
상기 투명 봉지재의 상면에 회절 간격을 갖는 복수개의 회절홈이 형성되는 회절홈부;
를 포함하는, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
The optical system includes:
A diffraction groove portion in which a plurality of diffraction grooves having a diffraction interval are formed on an upper surface of the transparent encapsulant;
Emitting device package.
제 2 항에 있어서,
상기 회절홈은, 상기 투명 봉지재를 식각하여 이루어지는 것인, 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
And the diffraction grooves are formed by etching the transparent encapsulant.
제 2 항에 있어서,
상기 광학계는,
상기 회절홈부의 회절홈에 충진되고, 상기 투명 봉지재와 서로 다른 재질인 충진층;
을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
The optical system includes:
A filling layer filled in the diffraction groove of the diffraction groove portion and made of a material different from the transparent sealing material;
Emitting device package.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 광학계는,
상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 전반사층;
을 포함하는, 발광 소자 패키지.
3. The method according to claim 1 or 2,
The optical system includes:
A total reflection layer provided on an upper surface of the transparent encapsulant;
Emitting device package.
제 2 항에 있어서,
상기 회절홈의 회절 간격은, 중앙부로 갈수록 커지고, 테두리부로 갈수록 작아지는 것인, 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
And the diffraction interval of the diffraction grooves becomes larger toward the central portion and smaller toward the rim portion.
제 2 항에 있어서,
상기 회절홈의 회절 간격은, 중앙부로 갈수록 작아지고, 테두리부로 갈수록 커지는 것인, 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
And the diffraction interval of the diffraction groove becomes smaller toward the center and becomes larger toward the rim.
제 2 항에 있어서,
상기 회절홈은, 동심원들로 이루어지는 복수개의 원형 패턴인, 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein the diffraction grooves are a plurality of circular patterns of concentric circles.
기판;
상기 기판에 안착되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 기판에 설치되는 투명 봉지재;
상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 광학계; 및
상기 발광 소자에서 발생된 빛의 경로에 설치되는 도광판;
를 포함하는, 백라이트 유닛.
Board;
A light emitting element mounted on the substrate;
A transparent encapsulant provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting element;
An optical system provided on an upper surface of the transparent encapsulant so as to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant; And
A light guide plate installed in a path of light generated in the light emitting device;
And a backlight unit.
기판에 발광 소자를 안착시키는 단계;
상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 상기 기판에 투명 봉지재를 사출 성형하고, 동시에 상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 광학계를 일체로 사출 성형하는 단계; 및
상기 광학계 상에 전반사층을 도포하는 단계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지 제작 방법.
Placing a light emitting element on a substrate;
Injection molding an optical system integrally on the upper surface of the transparent encapsulant so that the transparent encapsulant is injection-molded so as to surround the periphery of the light emitting element and light can be guided laterally of the transparent encapsulant; And
Applying a total reflection layer on the optical system;
Emitting device package.
기판;
상기 기판에 안착되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 기판에 설치되는 투명 봉지재; 및
상기 투명 봉지재의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 투명 봉지재의 상면에 설치되는 광학계;
를 포함하는, 조명 장치.
Board;
A light emitting element mounted on the substrate;
A transparent encapsulant provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting element; And
An optical system provided on an upper surface of the transparent encapsulant so as to guide light in a lateral direction of the transparent encapsulant;
.
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