KR20150040941A - 어셈블리 리드 상에 배치되는 ｍｅｍｓ 장치 - Google Patents

어셈블리 리드 상에 배치되는 ｍｅｍｓ 장치 Download PDF

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KR20150040941A
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산드라 에프. 보스
존 비. 스지크제크
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노우레스 일렉트로닉스, 엘엘시
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Abstract

초소형 전기 기계 시스템(microelectromechanical system; MEMS) 어셈블리는 기판, 리드(lid), MEMS 기기, 및 적어도 하나의 벽을 포함한다. 상기 기판은 전기 접속 패드들을 지니며 상기 전기 접속 패드들은 상기 기판을 통해 연장되어 있는 전기 도체들에 결합되어 있다. 상기 MEMS 기기는 상기 리드에 부착되어 있다. 상기 적어도 하나의 벽은 상기 리드 및 상기 기판에 결합되어 있으며 상기 리드와는 별개로 형성되어 있고 내부에는 전기 도관이 배치되어 있다. 상기 전기 도관은 상기 기판 상의 전기 도체들에 전기적으로 결합되어 있다. 상기 전기 도관 및 상기 전기 도체들은 상기 MEMS 기기 및 상기 전기 접속 패드들 간의 전기적 통로를 형성한다.

Description

어셈블리 리드 상에 배치되는 ＭＥＭＳ 장치{ＭＥＭＳ apparatus disposed on assembly lid}
관련 출원에 대한 전후 참조
본원은 미국 연방법 35 U.S.C. §119 (e) 하에서 발명의 명칭이 "어셈블리 리드 상에 배치되는 MEMS 장치(MEMS Apparatus Disposed on Assembly Lid)"이며 2012년 8월 1일자 출원된 미국 임시 출원 제61/678,175호를 기초로 우선권을 주장한 것이며 상기 미국 임시 출원의 내용 전체는 본원에 참조병합되어 있다.
기술분야
본원은 전기 기계 음향 어셈블리들에 관한 것이고, 좀더 구체적으로 기술하면, 이러한 어셈블리들과 연관된 전기 접속들에 관한 것이다.
여러 타입의 표면 실장가능한 마이크로폰 패키지 어셈블리들은 수년에 걸쳐 사용되어 왔다. 이러한 어셈블리들 내에서는 하나의 어셈블리를 형성하도록 서로 다른 전기 부품들이 함께 격납되어 있다. 예를 들면, 마이크로폰 어셈블리는 초소형 전기 기계 시스템(microelectromechanical system; MEMS) 기기 또는 트랜스듀서, 및 집적 회로(integrated circuit; IC)를 포함하는 것이 전형적이다. MEMS 기기의일 예로는 다이어프램(diaphragm) 및 백 플레이트(back plate)가 있다. 상기 어셈블리의 하우징은 음향 에너지가 상기 마이크로폰 어셈블리에 입사되는 것을 허용하는 포트 또는 개구부를 포함하는 것이 전형적이다. 이러한 음향 에너지는 다시금 MEMS 기기의 다이어프램을 편향시켜 준다. 상기 다이어프램이 편향됨에 따라, 상기 백 플레이트 및 상기 다이어프램 간에는 전위가 변하여 상기 다이어프램 상에 작용하는 음향 에너지에 비례하는 전기적 신호를 생성한다. 그리고나서, 상기 전기적 신호는 최종 사용자가 기계적으로 그리고 전기적으로 완전한 접속을 이루는 것을 허용하도록 외부 인터페이스로 보내지게 된다.
마이크로폰 어셈블리의 음향 성능은 부분적으로는 상기 어셈블리의 전면 볼륨(front volume)(다시 말하면, 상기 다이어프램 및 상기 음향 포트 간의 공기의 볼륨) 대 상기 어셈블리의 후면 볼륨(back volume)(다시 말하면, 상기 다이어프램 및 패키지 공동부(package cavity)에 의해 함유되어 있는 공기의 볼륨)의 비에 비례한다. 전형적인 상부 포트 기기들에서는, 부품들이 기판이나 베이스에 직접 부착되어 있으며 상기 음향 포트가 상부 또는 리드 상에 위치해 있음으로써, 상기 전면 볼륨이 상기 후면 볼륨에 비해 크게 된다. 이는 마이크로폰 어셈블리의 최적 성능(다시 말하면, 마이크로폰 어셈블리의 고감도, 광대역의 편평한 응답)에 필요한 바람직한 비율이 아니다.
위에서 언급한 이전의 접근법과 관련된 단점들 모두는 이러한 이전의 접근법들의 몇몇 측면들과 관련하여 일반 사용자를 만족시키지 못하는 결과를 초래하였다.
본 개시내용의 좀더 완벽한 이해를 위해, 이하에서는 구체적인 설명 및 첨부도면들이 참조될 것이다.
도 1은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 마이크로폰 어셈블리의 등각도이다.
도 2는 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 선 A-A를 따라 절취된 단면도이다.
도 3은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 선 B-B를 따라 절취된 단면도이다.
도 4는 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 리드의 저면도이다.
도 5은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 리드의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 벽 부분의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 벽 부분의 저면도이다.
도 8은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 베이스의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 1의 마이크로폰 어셈블리의 베이스의 저면도이다.
도 10은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 다른 한 마이크로폰 어셈블리의 등각도이다.
도 11은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 선 C-C를 따라 절취된 단면도이다.
도 12는 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 선 D-D를 따라 절취된 단면도이다.
도 13은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 리드에 대한 레이아웃의 다른 일 예의 저면도이다.
도 14는 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 리드의 평면도이다.
도 15는 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 리드 하부면에 부착하게 될 벽 부분의 평면도이다.
도 16은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 벽 부분의 저면도이다.
도 17은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 벽의 하부면에 조립하게 될 베이스의 평면도이다.
도 18은 본 발명의 여러 실시 예에 따른 도 10의 마이크로폰 어셈블리의 베이스의 저면도이다.
당업자라면 첨부도면들의 요소들이 간결성 및 명료성을 위해 예시되어 있다는 점을 이해할 것이다. 더욱이 당업자라면 몇몇 동작들 및/또는 단계들이 특정한 발생 순서로 기재되거나 도시될 수 있음을 이해하겠지만 당업자라면 그러한 순서에 대한 특정성이 실제로 필요하지 않음을 이해할 것이다. 또한 당업자라면 본원에서 사용된 용어들 및 표현들의 특정한 의미들이 본원에 특별히 언급되어 있는 경우를 제외하고는 상기 용어들 및 표현들의 해당하는 개별적인 고찰 및 연구 분야들에 대한 그러한 용어들 및 표현들에 부합되는 통상적 의미를 지닌다는 점을 이해할 것이다.
MEMS 부품들이 어셈블리의 리드에 배치되어 있는 마이크로폰 어셈블리들이 제공되어 있다. 몇몇 실시태양들에서는, MEMS 기기 또는 부품이 상기 리드의 하부 측에 부착되어 있다. 상기 마이크로폰 어셈블리들 내의 전기적 접속들 및 내부 부품들 및 고객 접속 패드들 간의 전기적 접속들은 어셈블리의 벽들, 리드 및 베이스를 통해 부분적으로 제공된다. 상기 마이크로폰 어셈블리들 내의 전기적 접속들 및 내부 부품들 및 고객 접속 패드들 간의 전기적 접속들이 어셈블리의 벽들, 리드 및 베이스를 통해 부분적으로 제공됨에 있어서는, 상기 MEMS 기기가 상기 음향 포트에 인접하여 실장되는 것이 바람직하다. 본 개시내용의 접근법들은 상기 음향 포트에 대한 외부 인터페이스 위치를 그다지 변경시키지 않고 음향 에너지에 대한 MEMS 기기의 전기 기계적 응답을 향상시키는 바람직한 방위(preferred orientation)로 MEMS 기기들이 실장될 수 있도록 전기적 접속들을 확립하는 것이다.
그 외에도, 본원에 기재되어 있는 어셈블리들의 제조가 용이한데, 그 이유는 상기 집적 회로(IC) 및 외부 인터페이스 간의 전기적 접속들이 표준 표면 실장 상호접속 및 PCB 제조 기법들을 사용하여 확립되기 때문이다. 더욱이, 본원에 제공되어 있는 어셈블리들은 전면 볼륨들을 감소시키고 후면 볼륨들을 증가시킨 마이크로폰 어셈블리들을 제공한다. 일반적으로는, 전면 볼륨의 감소에 의해 마이크로폰 어셈블리의 공진 위치가 높은 주파수들로 이동하게 되고 후면 볼륨의 증가에 의해 상기 MEMS 기기의 전체 감도가 증가하게 된다.
이러한 실시 예들 대부분에서는, 음향 어셈블리가 리드(lid), 벽 부분 및 베이스를 포함한다. 상기 벽 부분은 상기 베이스에 결합되어 있으며, 상기 리드는 상기 벽에 결합되어 있다. 몇몇 실시태양들에서는, 상기 리드가 일반적으로 편평하고 어떠한 의도적인 전기적 접촉도 포함하고 있지 않다. 몇몇 실시태양들에서는, 상기 리드의 표면이 전자기 차폐(electromagnetic shielding)를 목적으로 전기적 접지에 대한 접속부로서 사용될 수 있다. MEMS 기기 및 IC는 상기 리드의 내부 부분에 결합되어 있으며 상기 벽 부분에 의해 형성된 공동부(cavity) 내에 격납되어 있다. 상기 MEMS 기기 및 상기 집적 회로는 예를 들어 와이어 또는 다른 어떤 전기적 접속에 의해 함께 결합되어 있다. 상기 IC는 제2 와이어와 같은 다른 한 도체에 의해 상기 리드의 도전성 부분에 결합되어 있다. 상기 리드의 도전성 부분은 상기 벽 내에 형성되어 있으며 상기 벽 대부분을 통해 연장되어 있는 제1 도전성 바이어(conductive via)에 연결되어 있다. 제2 도전성 바이어는 상기 베이스 내에 형성되어 있으며 상기 베이스 대부분을 통해 연장되어 있고, 상기 제1 도전성 바이어에 전기적으로 결합되어 있다. 상기 제2 도전성 바이어는 또한 상기 베이스의 외부 상에 있는 고객 접촉 패드에 전기적으로 결합되어 있고, 그럼으로써 고객에 대한 전기적 접속이 제공되게 한다. 전기적 신호는 상기 MEMS 기기에 의해 생성되고, 상기 집적회로에 의해 처리되며, 상기 리드의 도전성 부분을 통한 다음에 상기 제1 및 제2 바이어들을 통해 전달되고, 그리고 상기 베이스의 외부 상에 있는 고객의 전기 접촉 패드 측에 제공된다.
이러한 실시 예들 중의 나머지 실시 예들에서는, 초소형 전기 기계 시스템(MEMS) 어셈블리가 기판, 커버, MEMS 기기, 및 적어도 하나의 벽을 포함한다. 상기 기판은 전기 접속 패드들을 지니며 상기 전기 접속 패드들은 상기 기판을 통해 연장되어 있는 전기 도체들에 결합되어 있다. 상기 MEMS 기기는 상기 커버에 부착되어 있다. 적어도 하나의 벽은 상기 커버 및 상기 기판에 결합되어 있으며 상기 커버와는 별개로 형성되어 있고 내부에는 전기 도관이 배치되어 있다. 상기 전기 도관은 상기 기판상의 상기 전기 도체들에 전기적으로 결합되어 있다. 상기 전기 도관 및 전기 도체들은 상기 MEMS 기기 및 상기 전기 접속 패드 사이의 전기적 통로를 형성한다.
도 1 - 도 9를 지금부터 참조하여, 마이크로폰 어셈블리(100)의 리드 측에 배치되어 있는 초소형 전기 기계 시스템(MEMS) 부품의 일 예가 설명될 것이다. 상기 어셈블리(100)는 리드(102), (벽 부분들(190, 191, 192, 193)을 지니는) 벽(104), 베이스(106), MEMS 장치 또는 기기(108), 및 IC(110)를 포함한다. 벽 재료의 단일 부품은 드릴링/펀칭된 개구부를 지닌다. 바꾸어 말하면, 상기 벽 부분들(190, 191, 192, 193)은 함께 체결되어 있지만, 인접해 있는 개별 세그먼트들이 아닌 것이 바람직하다.
일반적으로 말하면, 상기 리드(102), 벽(104), 및 베이스(106) 각각은 다층의 재료들로 형성되어 있다. 좀더 구체적으로 기술하면, 상기 리드(102)는 선택적인 제1 땜납 마스크 층(120), 제1 도전 층(122), 절연 층(124), 제2 도전 층(126), 및 제2 땜납 마스크 층(128)을 포함한다. 상기 벽 부분(104)은 제1 도전 층(130), 절연 층(132), 및 제2 도전 층(134)을 포함한다. 상기 베이스(106)는 제1 땜납 마스크 층(140), 제1 도전 층(142), 제1 절연 층(144), 제2 도전 층(146), 유전체 층(148), 제3 도전 층(150), 제2 절연 층(152), 제4 도전 층(154), 및 제2 땜납 마스크 층(156)을 포함한다. 전면 볼륨(front volume)(113)은 상기 포트에 적어도 부분적으로 형성되고 후면 볼륨(back volume)(115)은 어셈블리(100)의 내부에 형성된다. 당업자라면 상기 리드(102), 상기 벽(104), 및 상기 베이스(106)는 다수의 층으로 형성될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들면, 하나의 실시태양에서는, 상기 리드(102) 및 상기 베이스(106)는 임베디드 커패시턴스(embedded capacitance) 유전체 재료를 포함하는 4층 PCB들일 수 있다. 다른 일 예에서는, 상기 리드(102) 및 상기 베이스(106)가 2층 PCB들이다. 다른 일 예에서는, 상기 리드(102)가 임베디드 능동 및 수동 전자 기기들을 포함하는 2층 PCB일 수 있다.
일반적으로 말하면 그리고 한 관점에서는, 상기 리드(102), 상기 벽 부분(104), 및 상기 베이스(106) 각각이 직사각형의 형상으로 이루어져 있다. 상기 벽(104)은 상기 벽 부분(104)의 중심에 개방 공동부(open cavity)(195)를 포함한다(상기 벽의 공동부는 도금되어 있으며 접지 바이어(ground via)로서의 기능을 수행하고 상기 리드 및 베이스와 조립될 경우에 상기 MEMS 기기 및 IC를 보호하는 패러데이 케이지(faraday cage)를 형성하며 RF 내성(RF immunity)을 개선한다). 바꾸어 말하면, 상기 어셈블리(100) 내에 조립될 경우에는, 상기 리드(102), 상기 벽 부분(104), 및 상기 베이스(106)가 상기 부품들이 위치해 있게 하는 중공(中空) 구조(hollow structure)(115)를 형성한다.
한 실시태양에서는, 상기 리드(102)가 일반적으로 편평하며 상기 벽(104)으로부터 분리되어 있다. 리드(102) 및 벽(104) 양자 모두는 상기 베이스(106)로부터 분리되어 있다. 여기와는 다른 부분에서 설명되겠지만, 땜납은 상기 벽(104)의 해당 바이어들(170, 171)을 상기 베이스(106), 및 상기 리드(102)의 도전성 패드들(126)에 부착시켜 줄 수 있다. 그 외에도, 다른 부착 접근법들(예컨대, 도전성 접착제)는 이러한 부품들을 함께 부착시키는데 사용될 수 있다.
상기 MEMS 장치(108)는 음향 에너지를 수신하고 상기 음향 에너지를 전기 에너지로 변환한다. 그러한 점에서, 상기 MEMS 장치(108)가 다이어프램 및 백 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 음향 에너지(예컨대, 음압(sound pressure)의 변화들)는 상기 백 플레이트에 대한 상기 다이어프램의 움직임이 전기적 신호로 변환되게 한다. 결과적으로 생성되는 전기적 신호는 상기 MEMS 장치(108)에 의해 수신된 음향 에너지를 나타낸다. 상기 MEMS 장치(108)는 접착제 또는 기타 적합한 체결 메커니즘 또는 접근법에 의해 상기 리드(102)에 부착되어 있다.
상기 집적 회로(110)는 임의 종류의 처리 기능을 수행하는 임의 종류의 집적 회로이다. 일 예에서는, 상기 집적 회로(110)가 버퍼 또는 증폭기이다. 집적 회로들의 다른 예들이 가능하다. 상기 집적 회로(110)는 접착제 또는 기타 적합한 체결 메커니즘 또는 접근법에 의해 상기 리드(102)에 부착되어 있다. 다른 일 예에서는, 상기 집적 회로(110)가 상기 리드(102)의 절연 층 내에 임베드될 수 있다. 비록 이러한 예에서는 단지 하나의 집적 회로가 도시되어 있지만, 당업자라면 다수의 집적 회로가 배치될 수 있음을 이해할 것이다. 그리고, 본원에서 사용된 "집적 회로(IC)"는 임의 타임의 처리 기능을 수행하는 임의 타입의 처리 회로를 언급한다.
땜납 영역들(160)은 상기 벽 부분(104) 및 상기 베이스(106)에 대한 벽 부분(104)에 상기 리드(102)를 물리적으로 접속시켜 준다. 이러한 영역들(160)은 또한 상기 리드(102)(및 상기 베이스(106)의 도전성 영역들 및 상기 벽 부분(104) 간의 전기적 접촉을 제공한다.
음향 포트 또는 개구부(112)는 상기 리드(102)를 통해 형성된다. 상기 MEMS 장치(108)는 상기 포트(112) 상에 배치되어 있다. 음향 에너지는 상기 포트(112)를 통해 상기 MEMS 장치(108)에 의해 수신된다. 다른 실시태양들에서는, 상기 MEMS 장치(108)가 상기 포트(112) 상에나 상기 포트(112)에 인접하여 부분적으로 배치되어 있을 수 있다. 상기 MEMS 기기(108)는 하나의 또는 다수의 와이어(114)에 의해 상기 IC(110)에 결합되어 있다. 상기 집적 회로(110)는 하나의 또는 다수의 와이어(116)를 통해 상기 리드(102)의 제2 도전 층(126)에 결합되어 있다.
제1 및 제2 바이어들(170, 171)은 상기 벽(104)을 통해 연장되어 있으며 도전성을 띠는 중공(또는 충전) 공동부들이다. 제3 및 제4 바이어들(172, 173)은 상기 베이스(106)를 통해 연장되어 있으며 또한 도전성을 띤다. 바이어들(172, 173)은 궁극적으로 바이어들(170, 171)과 접속하도록 설계되어 있다. 상기 바이어들(172, 173)은 고객이 전기적 접속들을 이룰 수 있게 하는 도전성 패드들 또는 접속부들(180, 181)에 전기적으로 접속되어 있다. 제5 바이어(174)는 베이스(106)를 통해 연장되어 있으며 이러한 경우에 상기 MEMS 기기(108) 및 상기 집적 회로(110)에 대한 접지 접속부를 제공한다. 몇몇 실시태양들에서는 그리고 몇몇 실시태양들의 도전성 기능을 용이하게 하기 위해, 전기적 신호들이 상기 바이어들(170, 171, 172, 173)에 의해 그리고 상기 바이어들(170, 171, 172, 173)을 통해 도전될 수 있도록 상기 바이어들(170, 171, 172, 173)이 도전성 재료(예컨대, 구리)로 도금된다. 변형적으로는, 상기 바이어들(170, 171, 172, 173)이 도전 또는 절연 재료로 완전히 또는 일부 충전될 수 있다.
당업자라면 상기 바이어들이 여러 타입의 전기 신호들에 대한 전기적 접속들을 제공한다는 점을 이해할 것이다. 예를 들면 그리고 특히, 도 2 및 도 3을 참조하면, 와이어(116)로부터, 제2 도전 층(126) 상의 도전성 통로, 바이어(171)(땜납(160), 및 몇몇 경우들에서는 폴리머 시일(polymeric seal)(175)이 사용됨), 베이스(106)의 제1 도전성 부위(142)(땜납(160), 및 몇몇 경우들에서는 폴리머 시일(175)이 사용됨), 바이어(172), 그리고 이 다음에 외부 패드(180)에 이르는 전기적 접속이 존재함으로써 집적 회로(110)의 처리 신호가 고객에게 이르러서 고객에게 이용가능하게 되는 신호 통로(133)가 제공되게 한다. 다른 한 실시태양에서는, 와이어(135), 제2 도전 층(126) 상의 도전성 통로, 바이어(170), 바이어(173) 및 외부 패드(181)가 집적 회로(110)에 대한 Vdd 전원 전압의 통로를 제공한다. 또 다른 한 실시태양에서는, 와이어(141), 제2 도전 층(126) 상의 도전성 통로, 벽(104), 및 바이어(174)가 상기 집적 회로(110) 및 상기 MEMS 기기(108)로부터의 접지 통로(143) 및 전기적 접지를 제공한다.
여러 도전 층은 금속과 같은 도전 재료로 구성된다. 여러 절연체 층은 에폭시 유리 라미네이트(epoxy glass laminate)와 같은 전기 절연체 재료로 구성된다. 여러 땜납 마스크 층은 포토폴리머(photopolymer)와 같은 재료로 구성된다. 상기 층들은 임의의 공지된 구축 접근법 또는 기술에 따라 형성 및 제조될 수 있다.
도 1 - 도 9의 어셈블리의 동작의 일 예에서는, 음 또는 음향 에너지가 상기 포트(112)를 통해 입사된다. 상기 MEMS 장치(108)는 다이어프램 및 백 플레이트를 포함한다. 상기 음향 에너지(예컨대, 음압의 변화들)는 상기 백 플레이트에 대한 상기 다이어프램의 움직임이 전기적 신호로 변환되게 한다. 결과적으로 생성되는 전기적 신호는 상기 MEMS 장치(108)에 의해 수신된 음향 에너지를 나타낸다. 이러한 전기적 에너지는 와이어(114)를 통해 집적 회로(110)에 전달된다. 와이어(121)는 상기 집적 회로(110)로부터 상기 MEMS 기기(108)로의 전력을 전달할 수도 있고 상기 MEMS 기기(108)에 대한 접지 접속부를 제공할 수도 있다. 상기 집적 회로(110)는 상기 신호를 처리한다. 상기 처리 신호는 상기 집적 회로(110)로부터 와이어(116)를 통해 전달된다. 와이어(116)는 상기 리드(102)의 도전 층(126)에 접속되어 있다. 상기 신호는 이러한 도체에 의해 바이어(171)에 전달된다. 그리고나서, 상기 신호는 바이어(171)를 통해서 상기 베이스(106)의 제3 도전 층(150)에 전달된다. 상기 베이스의 제3 도전 층은 상기 베이스 상의 접속 패드(180)에 전기적으로 결합되어 있다. 상기 접속 패드(180)로부터, 고객은 적합한 전기 접속을 이루어서 상기 신호를 수신할 수 있다.
당업자라면 상기 전면 볼륨(113)이 이전의 상부 포트 기기들에 비해 감소하게 되고 상기 후면 볼륨(115)이 증가하게 됨을 이해할 것이다. 이는 각각 상기 마이크로폰 어셈블리의 공진 피크 위치를 10 kHz 정도만큼 더 높은 주파수로 이동시키고 상기 MEMS 기기의 전체 감도를 증가시키는 유리한 결과를 초래한다. 이는 광대역 성능을 필요로 하는 애플리케이션들에서 구현될 수 있는 초음파 범위의 편평한 응답을 생성하는 상부 마이크로폰을 고려한 것이다. 그 외에도, 상기 리드, 상기 벽 및 상기 베이스의 어셈블리 방법은 높은 볼륨의 제조가 용이하다.
당업자라면 상기 리드 상의 MEMS 기기(108) 및 집적 회로(110)의 배치, 상기 리드 상의 도전성 통로들의 레이아웃 및 치수들, 상기 바이어들의 크기, 형상, 및 배치가 사용자 또는 시스템의 요구들에 따라 변경가능함을 이해할 것이다. 도 10 - 도 18을 지금부터 참조하여, 상기 리드에 대한 변형적인 레이아웃을 지니는 어셈블리의 일 예가 설명될 것이다. 도 1 - 도 9에 도시된 요소들과 유사한 요소들은 도 10 - 도 18에 포함되어 있으며, 이들의 설명들은 여기서 반복되지 않을 것이다. 동일한 요소들은 동일한 부호들을 사용하여 지칭될 것이다.
이러한 예에서, 도전성 통로들이 상기 집적 회로에서부터 단일 벽 부분(192)에 이르기까지 연장되어 있다. 해당하는 바이어들(270, 271, 272, 273)은 단일 벽 부분에 형성되어 있으며 베이스(106)의 해당하는 패드들(280, 281, 282, 283)에 결합되어 있다. 이러한 패드들(280, 281, 282, 283)은 전기적 접촉이 고객에 의해 이루어질 수 있게 하는 베이스(106)의 바이어들을 사용하여 패드들(290, 291, 292, 293, 294, 295)에 대한 경로 선택이 이루어지게 된다. 이러한 예의 동작은 도 1 - 도 9의 예에 대해 위에서 제공된 동작과 동일하고 단지 바이어들 및 도전성 통로들의 배치만이 다르다. 또한 당업자라면 전기적 레이아웃들에 대한 다른 예들 및 구성들이 가능하다는 점을 이해할 것이다.
당업자라면 본원에 기재되어 있는 실시 예들 대부분에서 전기적 접속들이 자유롭게 매달려 있는 개별 와이어들을 통해서라기 보다는 오히려 어셈블리의 벽에 있는 바이어들을 통해 이루어지게 된다는 점을 이해할 것이다. 전기적 접속들이 자유롭게 매달려 있는 개별 와이어들을 통해서라기 보다는 오히려 어셈블리의 벽에 있는 바이어들을 통해 이루어지게 됨에 있어서, 전기적 접속들이 더 견고해지고 기계적 진동에 의해 유도된 잡음에 덜 민감하게 된다. 그 외에도, 상기 벽에 있는 바이어들을 통해 전기적접속들을 이룸으로써, 제한되고 좁은 공간들에서의 번거로운 와이어 본딩 접속들이 회피될 수 있음으로써 기기의 제조가 좀더 쉬워질 수 있는 결과를 초래한다. 본 개시내용의 접근법은 상기 음향 포트에 대한 외부 인터페이스 위치를 그다지 변경시키지 않고 음향 에너지에 대한 MEMS 기기의 전기 기계적 응답을 향상시키는 바람직한 방위로 MEMS 기기들이 실장될 수 있도록 전기적 접속들을 확립하는 것이다.
본원에서는 본 발명을 구현하기 위한 본 발명자들에게 알려져 있는 최선의 모드를 포함하는, 본 발명의 바람직한 실시 예들이 기재되어 있다. 당업자라면 예시되어 있는 실시 예들이 단지 대표적인 것들일 뿐이며 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 취해져서는 아니 된다는 점을 이해할 것이다.

Claims (7)

  1. 초소형 전기 기계 시스템(microelectromechanical system; MEMS) 어셈블리에 있어서,
    상기 MEMS 어셈블리는,
    전기 접속 패드들을 지니는 베이스 기판으로서, 상기 전기 접속 패드들은 베이스 기판을 통해 연장되어 있는 전기 도체들에 결합되어 있는, 베이스 기판;
    리드(lid);
    MEMS 기기로서, 상기 리드에 부착되어 있으며 음향 포트 상에 실장되어 있는, MEMS 기기; 및
    수직형 전기 접속들을 포함하도록 상기 리드 및 상기 베이스 기판에 결합되어 있는 적어도 하나의 벽으로서, 상기 리드와는 별개로 형성되어 있으며 내부에 전기 도관이 배치되어 있는 적어도 하나의 벽;
    을 포함하며,
    상기 전기 도관은 상기 베이스 기판상의 상기 전기 도체들에 전기적으로 결합되어 있고, 상기 전기 도관 및 전기 도체들은 상기 MEMS 기기 및 상기 전기 접속 패드들 간의 전기적 통로를 형성하는, MEMS 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 MEMS 어셈블리는 집적 회로를 더 포함하는, MEMS 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 집적 회로는 주문형 집적 회로(application specific integrated circuit; ASIC)를 포함하는, MEMS 어셈블리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 벽 부분은 적어도 하나의 공동부(cavity)를 형성하며 상기 전기 도관은 수직형 도전성 통로를 포함하는, MEMS 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서, 상기 리드는 대체로 편평한, MEMS 어셈블리.
  6. 제1항에 있어서, 상기 리드는 다층을 포함하는, MEMS 어셈블리.
  7. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 다층을 포함하는, MEMS 어셈블리.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102085210B1 (ko) * 2018-11-15 2020-03-04 (주)파트론 지향성 마이크로폰 장치
KR102085201B1 (ko) * 2018-11-15 2020-04-20 (주)파트론 마이크로폰 장치

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
CN103999484B (zh) 2011-11-04 2017-06-30 美商楼氏电子有限公司 作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法
US9485560B2 (en) 2012-02-01 2016-11-01 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
US9402118B2 (en) 2012-07-27 2016-07-26 Knowles Electronics, Llc Housing and method to control solder creep on housing
US9343455B2 (en) 2012-12-19 2016-05-17 Knowles Electronics, Llc Apparatus and method for high voltage I/O electro-static discharge protection
US9467785B2 (en) 2013-03-28 2016-10-11 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus with increased back volume
US9301075B2 (en) 2013-04-24 2016-03-29 Knowles Electronics, Llc MEMS microphone with out-gassing openings and method of manufacturing the same
EP3019442A4 (en) * 2013-07-08 2017-01-25 Motion Engine Inc. Mems device and method of manufacturing
US9307328B2 (en) 2014-01-09 2016-04-05 Knowles Electronics, Llc Interposer for MEMS-on-lid microphone
US9554214B2 (en) 2014-10-02 2017-01-24 Knowles Electronics, Llc Signal processing platform in an acoustic capture device
US9800971B2 (en) 2015-03-17 2017-10-24 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus with side port
DE112016001352B4 (de) 2015-03-23 2024-03-14 Knowles Electronics, Llc Eingebettete Schaltung in einer MEMS-Vorrichtung
US20160353212A1 (en) * 2015-05-26 2016-12-01 Knowles Electronics, Llc Raised shoulder micro electro mechanical system (mems) microphone
GB2557717A (en) * 2016-10-12 2018-06-27 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Transducer packaging
TWM543239U (zh) * 2017-01-26 2017-06-11 日月光半導體製造股份有限公司 微機電封裝結構
CN110800317B (zh) * 2017-07-26 2021-11-30 美商楼氏电子有限公司 微机电系统电机和麦克风
US10863282B2 (en) 2019-01-30 2020-12-08 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. MEMS package, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS package
CN110054144A (zh) * 2019-04-22 2019-07-26 武汉耐普登科技有限公司 微机电传感器封装结构及制造方法
US10934159B2 (en) 2019-06-03 2021-03-02 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. MEMS package, MEMS microphone, method of manufacturing the MEMS package and method of manufacturing the MEMS microphone
US11350220B2 (en) 2020-01-17 2022-05-31 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. MEMS package, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS package
US11702335B2 (en) 2020-12-04 2023-07-18 Analog Devices, Inc. Low stress integrated device package
CN215453270U (zh) * 2021-07-07 2022-01-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5490220A (en) 1992-03-18 1996-02-06 Knowles Electronics, Inc. Solid state condenser and microphone devices
US5740261A (en) 1996-11-21 1998-04-14 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
US5870482A (en) 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
AU4317099A (en) 1998-06-05 1999-12-20 Knowles Electronics, Inc. Solid-state receiver
US6535460B2 (en) 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
US6987859B2 (en) 2001-07-20 2006-01-17 Knowles Electronics, Llc. Raised microstructure of silicon based device
US20020020898A1 (en) * 2000-08-16 2002-02-21 Vu Quat T. Microelectronic substrates with integrated devices
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US8623709B1 (en) 2000-11-28 2014-01-07 Knowles Electronics, Llc Methods of manufacture of top port surface mount silicon condenser microphone packages
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US7439616B2 (en) 2000-11-28 2008-10-21 Knowles Electronics, Llc Miniature silicon condenser microphone
US6847090B2 (en) 2001-01-24 2005-01-25 Knowles Electronics, Llc Silicon capacitive microphone
US7023066B2 (en) 2001-11-20 2006-04-04 Knowles Electronics, Llc. Silicon microphone
DE10160830A1 (de) 2001-12-11 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Mikromechanische Sensoren und Verfahren zur Herstellung derselben
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6667189B1 (en) 2002-09-13 2003-12-23 Institute Of Microelectronics High performance silicon condenser microphone with perforated single crystal silicon backplate
US7501703B2 (en) 2003-02-28 2009-03-10 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer module
US7382048B2 (en) 2003-02-28 2008-06-03 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer module
US20040253760A1 (en) 2003-06-13 2004-12-16 Agency For Science, Technology And Research Method to fabricate a highly perforated silicon diaphragm with controlable thickness and low stress
DE102004011149B3 (de) 2004-03-08 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Mikrophon und Verfahren zur Herstellung eines Mikrophons
US7268006B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US7795695B2 (en) 2005-01-27 2010-09-14 Analog Devices, Inc. Integrated microphone
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
US7825484B2 (en) 2005-04-25 2010-11-02 Analog Devices, Inc. Micromachined microphone and multisensor and method for producing same
US7402515B2 (en) * 2005-06-28 2008-07-22 Intel Corporation Method of forming through-silicon vias with stress buffer collars and resulting devices
SG130158A1 (en) 2005-08-20 2007-03-20 Bse Co Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
JP2007060389A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd シリコンマイクロホンパッケージ
JP2007081614A (ja) 2005-09-13 2007-03-29 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
US7297567B2 (en) 2006-01-10 2007-11-20 Knowles Electronics, Llc. Method for singulating a released microelectromechanical system wafer
TW200738028A (en) 2006-02-24 2007-10-01 Yamaha Corp Condenser microphone
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
US20070215962A1 (en) 2006-03-20 2007-09-20 Knowles Elecronics, Llc Microelectromechanical system assembly and method for manufacturing thereof
KR100722686B1 (ko) 2006-05-09 2007-05-30 주식회사 비에스이 부가적인 백 챔버를 갖고 기판에 음향홀이 형성된 실리콘콘덴서 마이크로폰
WO2008067431A2 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Analog Devices, Inc. Microphone system with silicon microphone secured to package lid
US20080142475A1 (en) 2006-12-15 2008-06-19 Knowles Electronics, Llc Method of creating solid object from a material and apparatus thereof
TWI327357B (en) 2007-01-10 2010-07-11 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone package and method thereof
US20080217709A1 (en) 2007-03-07 2008-09-11 Knowles Electronics, Llc Mems package having at least one port and manufacturing method thereof
US8705775B2 (en) 2007-04-25 2014-04-22 University Of Florida Research Foundation, Inc. Capacitive microphone with integrated cavity
TWI323242B (en) 2007-05-15 2010-04-11 Ind Tech Res Inst Package and packageing assembly of microelectromechanical system microphone
KR101152071B1 (ko) 2007-08-02 2012-06-11 놀레스 일렉트로닉스 아시아 피티이 리미티드 Ｍｅｍｓ 센서를 포함하는 전자 음향 변환기
GB2451921A (en) 2007-08-17 2009-02-18 Wolfson Microelectronics Plc MEMS package
TWM341025U (en) 2008-01-10 2008-09-21 Lingsen Precision Ind Ltd Micro electro-mechanical microphone package structure
JP5022261B2 (ja) 2008-02-08 2012-09-12 船井電機株式会社 マイクロホンユニット
US8450817B2 (en) 2008-08-14 2013-05-28 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with strain relief bridge
US8193596B2 (en) * 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
CN102187685B (zh) 2008-10-14 2015-03-11 美商楼氏电子有限公司 具有多个换能器元件的传声器
US8351634B2 (en) 2008-11-26 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Side-ported MEMS microphone assembly
WO2010080820A2 (en) 2009-01-07 2010-07-15 Knowles Electronics, Llc Microphone and orientation sensor assembly
US8472648B2 (en) 2009-01-20 2013-06-25 General Mems Corporation Miniature MEMS condenser microphone package and fabrication method thereof
US8325951B2 (en) 2009-01-20 2012-12-04 General Mems Corporation Miniature MEMS condenser microphone packages and fabrication method thereof
US8199939B2 (en) * 2009-01-21 2012-06-12 Nokia Corporation Microphone package
EP2237571A1 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Nxp B.V. MEMS transducer for an audio device
EP2239961A1 (en) 2009-04-06 2010-10-13 Nxp B.V. Backplate for microphone
EP2242288A1 (en) 2009-04-15 2010-10-20 Nxp B.V. Microphone with adjustable characteristics
CN201438743U (zh) 2009-05-15 2010-04-14 瑞声声学科技(常州)有限公司 麦克风
KR20120014591A (ko) 2009-05-18 2012-02-17 노우레스 일렉트로닉스, 엘엘시 감소된 진동 감도를 갖는 마이크로폰
CN101651917A (zh) 2009-06-19 2010-02-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容麦克风
CN101651913A (zh) 2009-06-19 2010-02-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风
CN201536417U (zh) 2009-06-30 2010-07-28 瑞声声学科技(常州)有限公司 Mems麦克风
CN101959106A (zh) 2009-07-16 2011-01-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微机电系统麦克风的封装结构及其封装方法
US8987030B2 (en) 2009-08-13 2015-03-24 Knowles Electronics, Llc MEMS package and a method for manufacturing the same
US9399574B2 (en) 2009-08-13 2016-07-26 Knowles Electronics Llc MEMS package and a method for manufacturing the same
CN101765047A (zh) 2009-09-28 2010-06-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容麦克风及其制作方法
JP5554092B2 (ja) * 2010-03-05 2014-07-23 セイコーインスツル株式会社 電子デバイスパッケージの製造方法
JP4947191B2 (ja) 2010-06-01 2012-06-06 オムロン株式会社 マイクロフォン
JP5029727B2 (ja) 2010-06-01 2012-09-19 オムロン株式会社 半導体装置及びマイクロフォン
EP2432249A1 (en) 2010-07-02 2012-03-21 Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. Microphone
WO2012051340A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Analog Devices, Inc. Microphone package with embedded asic
WO2012074775A1 (en) 2010-11-19 2012-06-07 Analog Devices, Inc. Packaged integrated device with electrically conductive lid
US20120161258A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Loeppert Peter V Package with a cmos die positioned underneath a mems die
CN102726065B (zh) 2010-12-30 2014-06-04 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风及其封装方法
DE102011002460A1 (de) 2011-01-05 2012-07-05 Robert Bosch Gmbh Bauteil
US8781140B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Knowles Electronics, Llc Compact, highly integrated microphone assembly
US8879767B2 (en) 2011-08-19 2014-11-04 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus and method of manufacturing
US8969980B2 (en) 2011-09-23 2015-03-03 Knowles Electronics, Llc Vented MEMS apparatus and method of manufacture
US20130177192A1 (en) 2011-10-25 2013-07-11 Knowles Electronics, Llc Vented Microphone Module
CN103999484B (zh) 2011-11-04 2017-06-30 美商楼氏电子有限公司 作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法
CN102421053A (zh) 2011-12-17 2012-04-18 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
JP4947238B2 (ja) * 2011-12-28 2012-06-06 オムロン株式会社 マイクロフォン
US9485560B2 (en) 2012-02-01 2016-11-01 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
US8995694B2 (en) 2012-02-01 2015-03-31 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
JP5354045B2 (ja) * 2012-03-15 2013-11-27 オムロン株式会社 マイクロフォン
US20130343580A1 (en) 2012-06-07 2013-12-26 Knowles Electronics, Llc Back Plate Apparatus with Multiple Layers Having Non-Uniform Openings
US9402118B2 (en) 2012-07-27 2016-07-26 Knowles Electronics, Llc Housing and method to control solder creep on housing
US20140064546A1 (en) 2012-08-01 2014-03-06 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly
US20140037120A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 Knowles Electronics, Llc Microphone Assembly
US9078063B2 (en) 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
US9137595B2 (en) 2012-11-14 2015-09-15 Knowles Electronics, Llc Apparatus for prevention of pressure transients in microphones
US20140133686A1 (en) 2012-11-14 2014-05-15 Knowles Electronics, Llc Apparatus to prevent excess movement of mems components
US9343455B2 (en) 2012-12-19 2016-05-17 Knowles Electronics, Llc Apparatus and method for high voltage I/O electro-static discharge protection
US20140291783A1 (en) 2013-03-21 2014-10-02 Knowles Electronics, Llc Cover for a mems microphone
US9467785B2 (en) 2013-03-28 2016-10-11 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus with increased back volume
US9301075B2 (en) 2013-04-24 2016-03-29 Knowles Electronics, Llc MEMS microphone with out-gassing openings and method of manufacturing the same
KR101632259B1 (ko) 2013-08-30 2016-06-21 노우레스 일렉트로닉스, 엘엘시 집적화 ｃｍｏｓ／ｍｅｍｓ 마이크로폰 다이
US20150117681A1 (en) 2013-10-30 2015-04-30 Knowles Electronics, Llc Acoustic Assembly and Method of Manufacturing The Same
US20150139428A1 (en) 2013-11-20 2015-05-21 Knowles IPC (M) Snd. Bhd. Apparatus with a speaker used as second microphone
US20150172825A1 (en) 2013-12-13 2015-06-18 Knowles Electronics, Llc Method and Apparatus for an Acoustic Device Having a Coating
US9307328B2 (en) 2014-01-09 2016-04-05 Knowles Electronics, Llc Interposer for MEMS-on-lid microphone
CN106105259A (zh) 2014-01-21 2016-11-09 美商楼氏电子有限公司 提供极高声学过载点的麦克风设备和方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102085210B1 (ko) * 2018-11-15 2020-03-04 (주)파트론 지향성 마이크로폰 장치
KR102085201B1 (ko) * 2018-11-15 2020-04-20 (주)파트론 마이크로폰 장치

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