CN107431850B - 微机电系统麦克风 - Google Patents

微机电系统麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN107431850B
CN107431850B CN201680016505.4A CN201680016505A CN107431850B CN 107431850 B CN107431850 B CN 107431850B CN 201680016505 A CN201680016505 A CN 201680016505A CN 107431850 B CN107431850 B CN 107431850B
Authority
CN
China
Prior art keywords
integrated circuit
mems
substrate
metal layer
pcb
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680016505.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107431850A (zh
Inventor
S·F·沃斯
D·吉塞克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merchant Building Electronics Co Ltd
Original Assignee
Merchant Building Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US14/665,745 external-priority patent/US9485560B2/en
Application filed by Merchant Building Electronics Co Ltd filed Critical Merchant Building Electronics Co Ltd
Publication of CN107431850A publication Critical patent/CN107431850A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107431850B publication Critical patent/CN107431850B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094—Feed-through, via
    • B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251—Disposition
    • H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/02—Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
    • H04R1/04—Structural association of microphone with electric circuitry therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

提供了一种微机电系统麦克风，其包括：基底印刷电路板(PCB)，基底PCB具有客户焊盘；至少一个壁，该至少一个壁联接到基底；盖PCB，该盖PCB联接到至少一个壁，盖具有延伸穿过盖的端口；导电通孔过孔，该导电通孔过孔延伸穿过将盖PCB电连接至基底PCB的壁；集成电路，该集成电路被嵌入盖中，并且联接到导电通孔过孔；以及微机电系统(MEMS)器件，该MEMS器件联接到盖中的集成电路，并且被布置在端口上方。声能由MEMS器件转换成电信号并被传输到集成电路。集成电路处理所述信号并经由导电通孔过孔向客户焊盘发送经处理信号。

Description

微机电系统麦克风
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年3月23日提交的美国第14/665,745号专利申请的权益，通过引用的方式将其全部内容并入本文中。
技术领域
本申请涉及声学器件，并且更具体地，涉及这些器件处或这些器件内的集成电路的布置。
背景技术
微机电系统(MEMS)器件包括提到的两个示例，麦克风和扬声器。在MEMS麦克风的情况下，声能借助声端口进入并使膜片振动，并且该动作产生膜片与布置在膜片附近的背板之间的电势(电压)的相应变化。该电压表示已经接收到的声能。通常，电压然后被传输到电路(例如，诸如专用集成电路(ASIC)的集成电路)。可以在电路上执行信号的进一步处理。比如，可以在集成电路处对电压信号执行放大或过滤功能。
麦克风的部件通常被布置在印刷电路板(PCB)上，该PCB还可以提供麦克风部件之间的电连接，而且提供用于这些部件的物理支撑。集成电路通常具有大尺寸，使得MEMS器件的总尺寸至少在某种程度上取决于集成电路的尺寸。
在许多应用中，期望MEMS器件的尺寸尽可能小，并且上面提及的这些器件的布局在减小器件尺寸时引起问题。例如，如果MEMS器件被部署在蜂窝电话或外部头戴式耳机中，则经常期望使器件尽可能小。因为集成电路总是被部署在电路板上，所以迄今为止仅可以减小器件的总尺寸。
由于这些缺点，先前的方法尚未充分解决上面提及的问题，并且用户已经增大对这些先前方法的不满意。
发明内容
本申请提供了一种微机电系统MEMS麦克风，该MEMS麦克风包括：
基底印刷电路板PCB，基底PCB具有一个或更多个焊盘；
盖；
第一集成电路，该第一集成电路被嵌入基底中；
第二集成电路，该第二集成电路未被嵌入基底中，但被布置在基底上且电联接到第一集成电路；
微机电系统MEMS器件，该MEMS器件联接到第一集成电路和第二集成电路中的一个或两个；
使得声能由MEMS器件转换成电信号并被传输到第一集成电路和第二集成电路中的一个或两个，以便处理，经处理信号被使得在基底上的一个或更多个焊盘处可用；
其中，基底包括面向形成于基底和盖之间的腔的第一面和面向MEMS麦克风的外部的第二面，其中，基底包括第一金属层和第二金属层，并且包括延伸穿过基底的通孔过孔，其中，第一金属层和第二金属层联接到通孔过孔的相对端，其中，第一集成电路被布置在第一金属层与第二金属层之间，并且其中，第二金属层联接到客户焊盘，其中，第一集成电路联接到第一金属层；
使得从第一集成电路到第一金属层穿过通孔过孔、到第二金属层、并且然后到一个或更多个焊盘形成电气路径。
可选地，第一集成电路包括专用集成电路。
可选地，MEMS器件经由引线联接到基底。
可选地，通孔过孔被镀有导电金属。
可选地，第二集成电路包括专用集成电路。
可选地，第一集成电路执行放大。
可选地，第一集成电路执行模数转换。
可选地，第一集成电路执行数字信号处理和灵敏度修整中的至少一个。
可选地，第二集成电路执行数字信号处理、放大、模数转换和灵敏度修整中的至少一个。
附图说明
为了更完全地理解本公开，应对以下详细描述和附图进行参照，在附图中：
图1根据本发明的各种实施方式的MEMS器件的框图；
图2A和图2B是根据本发明的各种实施方式的MEMS器件的框图，其中，这些器件内的MEMS管芯(MEMS die)被设置在第一方向上；
图3A和图3B是根据本发明的各种实施方式的MEMS器件的框图，其中，这些器件内的MEMS管芯被设置在第二方向上；
图4是根据本发明的各种实施方式的、示出了嵌入式集成电路的特写视图的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；
图5包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；
图6包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；
图7包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；
图8包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；
图9包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；
图10包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图；以及
图11包括根据本发明的各种实施方式的MEMS器件或组件的一部分的剖面图。
技术人员将理解，附图中的元件是为了简化和清晰而例示的。将进一步理解的是，可以以发生的特定顺序来描述或描绘特定动作和/或步骤，同时本领域技术人员将理解，不是必须需要关于顺序的这种特定性。还将理解，除了本文另外阐述特定含义的情况之外，本文所用的术语和表达具有如与关于其各自相应的调查和研究领域的这种术语和表达一致的普通含义。
具体实施方式
提供了集成电路(例如，ASIC或类似器件)或其他电路部件被嵌入声学器件或组件(例如，MEMS麦克风)的印刷电路板中的方法。如本文所用的，集成电路是可以被封闭在其自己的单独壳体中且对进入的电信号执行单独处理功能的电子器件，其中，处理功能不只是仅传递信号。换言之，集成电路不只是传输介质。
在这些实施方式中的一些中，嵌入式集成电路(例如，ASIC)的输出信号被直接路由到PCB中的经镀制通孔过孔中，到金属化的外层，到客户焊盘(customer solder pad)(例如，在PCB的“底侧”处)。另外，ASIC与MEMS管芯之间的信号被直接路由到PCB中的经镀制通孔过孔中，到与客户焊盘相对的金属化的外层(例如，在PCB的“顶侧”处)。该外金属化层(“顶层”)可以用于最终的麦克风组件。在一些方面，MEMS管芯被安装到PCB的顶侧(例如，由倒装式接合或管芯附接和线接合)，并且盖(例如，经由焊料、环氧树脂或某一其他方法)附着到PCB的顶侧，以声学上密封并使MEMS器件(例如，MEMS麦克风)不受环境之害，并且允许在客户处的进一步组装。在其他方面中，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路处，并且该界面层可以被布置在/嵌入(集成电路的)接触焊盘(contact pad)与基底(例如，印刷电路板)之间。
在本方法的一个优点中，节省相当大的空间，以允许整个器件在尺寸上减小。MEMS管芯在一些示例中至少部分地附接在集成电路上方(例如，附接有管芯的倒装芯片或线接合)，以便节省该空间。在其他示例中，MEMS管芯被完全布置在嵌入式集成电路上方(即，它完全覆盖嵌入式集成电路)。声学端口被布置为穿过PCB的基底(例如，穿过PCB的底部)或穿过盖(即，穿过器件顶部处的罩)。客户可以将声学密封物放置在与声学器件或组件的声学端口相同的侧上。在其他方面，双声学端口对客户的应用的进行衬垫来增大器件的后容积，并且从而提高器件性能。
因为声学器件或组件的部件(例如，MEMS管芯和集成电路)在一些方面中物理地堆叠在彼此上方，所述器件可以具有较小的尺寸。在一个示例中，与先前的方法相比，实现近似30％的节省。将理解，集成电路仅占用通常不使用的空间。在这样做时，实现部件更高效的布置。
在这些实施方式中的许多中，微机电系统(MEMS)麦克风包括印刷电路板、MEMS管芯以及集成电路。MEMS管芯被布置在印刷电路板的顶面上。集成电路至少部分被布置在印刷电路板内，并且产生至少一个输出信号。集成电路的输出信号被直接路由到至少一个导体中，到印刷电路板的接入焊盘，并且所述接入焊盘被布置在印刷电路板的、与顶面相对的底面上。
在一些方面，至少一个导体包括印刷电路板上的经镀制通孔过孔和金属化的外层。在其他方面，MEMS管芯被安装到PCB的顶面，并且盖附着到PCB的顶面，以声学上密封并使MEMS器件免于外部环境元素之害。在一些示例中，端口延伸穿过盖，并且在其他示例中，端口延伸穿过印刷电路板。在其他方面，后容积被布置在印刷电路板与MEMS管芯之间。
在一些示例中，集成电路被部分布置在MEMS管芯下方。在其他示例中，集成电路被完全布置在MEMS管芯下方。
在一些方面，集成电路是专用集成电路(ASIC)。在其他方面，集成电路包括导电焊盘，并且界面层被布置在集成电路的导电焊盘与印刷电路板之间。在一些方面，界面层是绝缘层。
现在参照图1，描述了具有嵌入式集成电路的声学器件或组件100的一个示例。器件100包括印刷电路板108、罩或盖107、包括背板140和膜片141的MEMS管芯102、集成电路104、连接区域116以及声音118进入到前容积117中所借助的声学端口106。随着声音(由被标记为118的箭头指示)进入前容积117，MEMS管芯102的膜片振动，这改变膜片141与背板140之间的距离。这使得在背板140处产生电压，该电压经由导体110被传输到集成电路104。集成电路104对信号执行处理，并且然后信号被传输到连接区域116。客户或其他用户可以接入区域116处的信号，以便进一步处理。在一个示例中，器件或组件100被部署在蜂窝电话中，使得区域116电联接到蜂窝电话的电子部件。客户或终端用户装置的其他示例(例如，计算机或头戴式耳机)是可以的。
MEMS管芯102、背板以及膜片是通常用于MEMS器件上的、为本领域技术人员所知的部件，并且本文将不进一步描述。集成电路104是执行任意类型的功能(例如，放大)的任意电路。集成电路104可以具有任意形状或构造。
将理解，虽然示出并描述了麦克风，但根据这里描述的方法还可以使用MEMS器件的其他示例。还将理解，集成电路104的布置被示出为至少部分在MEMS管芯102下方。然而，将理解，集成电路104可以完全在MEMS管芯102下方或根本不在MEMS管芯102下方。另外，虽然集成电路104被示出为矩形，但还将理解，集成电路104可以采取任意形状或适当尺寸。还将理解，多个集成电路和/或无源器件可以被嵌入基底PCB中。
PCB 108包括焊料掩膜层112和113、金属层114和115、填充或镀有导电金属的过孔130以及内PCB层109(例如，由编织玻璃环氧树脂复合材料(诸如，FR-4层压材料或BT环氧树脂)构成)。线或其他导体110经由第一金属层114将MEMS管芯102联接到集成电路104。集成电路104的输出经由第一金属层114、过孔130以及第二金属层115电联接到区域116。将理解，各种制造方法可以用于构造器件100和PCB 108。还将理解，其它层、构造、尺寸以及构造材料是可以的。在其他方面，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路104处，并且该界面层可以被布置/嵌入(集成电路的)接触焊盘与PCB 108的第一金属层之间。
图2A、图2B、图3A、图3B以及图4是包括嵌入式集成电路的声学器件或组件(例如，MEMS麦克风)的示例。正如图1的示例，将理解，虽然示出了麦克风，但根据本文所描述的方法还可以使用MEMS器件的其他示例。还将理解，集成电路的布置被示出为至少部分在MEMS管芯下方。然而，将理解，集成电路可以完全在MEMS管芯下方或根本不在MEMS管芯下方。虽然集成电路被示出为矩形，但还将理解，集成电路可以采取任意形状或适当尺寸。
现在参照图2A，描述了具有嵌入式集成电路的声学器件或组件200(例如，MEMS麦克风)的一个示例。器件200包括印刷电路板202、罩201、(包括背板206和膜片208的)MEMS管芯204、集成电路210、声学密封物212、连接焊盘214以及声音218进入到前容积220中所借助的声学端口216。还设置了后容积222。随着声音(由被标记为218的箭头指示)进入前容积220中，膜片208振动，这改变膜片208与背板206之间的距离。这使得在背板206处产生电压，该电压经由导体224被传输到集成电路210。集成电路210对信号执行处理，并且然后经由导体226将信号传输到焊盘214。焊盘214可以为可以联接客户应用的电子器件(例如，蜂窝电话或计算机)的导电区域。客户可以接入焊盘214处的电压，以便进一步信号传输或使用。
印刷电路板202是尺寸被形成为保持集成电路210的任意类型的印刷电路板。例如，PCB可以具有如以上关于图1所描述的焊料掩膜层和金属化层。
MEMS管芯102、背板206以及膜片208是通常用于MEMS器件上的、为本领域技术人员所知的部件，并且本文将不进一步描述。集成电路210是执行任意类型的功能(例如，放大)的任意电路。集成电路210可以具有任意形状或构造。声学密封物212如为本领域技术人员所知的提供前容积220与后容积222之间的声学密封。导体224和226由提供电连接的任意类型的导电材料构成。在一个示例中，导体224是线接合，并且导体226是包括提供电连接的金属(例如，铜)的过孔。在其他方面，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路210处，并且该界面层可以被布置/嵌入(集成电路的)接触焊盘与PCB 202的第一金属层之间。
现在参照图2B，描述了具有嵌入式电路的声学器件或组件250(例如，MEMS麦克风)的另一个示例。图2B的示例类似于图2A的示例，除了图2A的底端口现在用顶端口代替并且声音借助器件250的顶部进入之外。
更具体地，器件250包括印刷电路板252、罩251、(包括背板256和膜片258的)MEMS管芯254、集成电路260、声学密封物262、连接焊盘264以及声音268进入到前容积270所借助的顶声学端口266。还设置了后容积272。随着声音268进入前容积270，膜片258振动，这改变膜片258与背板256之间的距离。这使得在背板256处产生电压，该电压经由导体274被传输到集成电路260。集成电路260对信号执行处理，并且然后经由导体276将信号传输到焊盘264。客户或用户可以接入焊盘264处的电压，以便进一步处理。部件以与图2A的部件类似的方式操作，并且将不进一步描述它们的操作。PCB 252内的集成电路的布置也类似于以上关于图2A描述的布置，并且这将不进一步描述。在其他方面，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路210处，并且该界面层可以被布置/嵌入(集成电路的)接触焊盘与PCB 252的第一金属层之间。
现在参照图3A，描述了具有嵌入式集成电路的声学器件或组件300(例如，MEMS麦克风)的一个示例。器件或组件300包括印刷电路板302、罩301、包括背板308和膜片306的MEMS管芯304、集成电路310、声学密封物312、连接焊盘314以及声音318进入到前容积320所借助的顶声学端口316。后容积322在MEMS管芯304与PCB 302之间延伸。腔330延伸穿过PCB302。在一些方面，具有另一个腔的客户应用板可以联接到PCB 302，以提供进一步增大的后容积。增大的后容积提供器件300的改进性能。将理解，包括增大的后容积的腔的尺寸、形状以及其他构造特性可以变化，以适应系统的性能需要。
随着声音318进入前容积320中，膜片306振动，这改变膜片306与背板308之间的距离。这使得在背板308处产生电压，该电压经由导体324被传输到集成电路310。集成电路310对信号执行处理，并且然后经由导体326将信号传输到焊盘314。焊盘314可以为客户或用户可以将(例如，来自蜂窝电话或计算机的)专用电子器件联接到的导电区域。客户或用户可以接入焊盘314处的电压，以便进一步处理。
印刷电路板302是尺寸被形成为保持集成电路310的任意类型的印刷电路板。上面关于图1描述了PCB的一个示例。
MEMS管芯304、背板308以及膜片306是通常用于MEMS器件上的、为本领域技术人员所知的部件，本文将不进一步描述。集成电路310是执行任意类型的功能(例如，放大)的任意电路。集成电路310可以具有任意形状或构造。声学密封物312如为本领域技术人员所知的提供前容积320与后容积322之间的声学密封。导体324和326由提供电连接的任意类型的导电材料构成。在一个示例中，导体324和导体326是包括提供电连接的金属(例如，铜)的过孔。在其他方面，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路310处，并且该界面层可以被布置/嵌入(集成电路的)接触焊盘与PCB 302的第一金属层之间。
现在参照图3B，描述了具有嵌入式电路的声学器件或组件350(例如，MEMS麦克风)的另一个示例。图3B的示例类似于图3A的示例，除了图3A的顶端口现在用底端口代替并且声音借助器件的底部进入之外。
更具体地，器件350包括印刷电路板352、罩351、包括背板358和膜片356的MEMS管芯354、集成电路360、声学密封物362、连接焊盘364以及声音368进入前容积370所借助的底声学端口366。还设置后容积372。随着声音368进入前容积370中，膜片356振动，这改变膜片356与背板358之间的距离。这使得在背板358处产生电压，该电压经由导体被传输到集成电路360。集成电路360对信号执行处理，并且然后经由导体376将信号传输到焊盘364。客户可以接入焊盘364处的电压，以便进一步处理。图3B的系统的部件以与图3A的部件类似的方式操作，并且本文将不进一步描述它们的操作。在其他方面，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路310处，并且该界面层可以被布置/嵌入(集成电路的)接触焊盘与PCB352的第一金属层之间。
在其他方面，本文所用的集成电路可以采取各种不同的形式和结构。例如，在一个方面，集成电路(例如，ASIC)仅在一侧上具有有源电路(例如，电阻器或电容器)和/或电连接。该布置使得该集成电路比在两侧上具有有源电路和/或电连接的集成电路更便宜。在其他方面，基底PCB还可以具有嵌入式片状电容器或电阻器，以提高声学或电(例如，RF免疫)性能。
在其他方面，集成电路没有开孔或开口在内部或穿过它。因为硅通常是昂贵的且在许多情况中，可以仅穿过印刷电路板(PCB)而不穿过集成电路制作任意声学孔(例如，端口)是优选的，所以没有延伸通过集成电路的孔是有利的。
在本文所描述的示例声学组件中，界面层(例如，再分布层)可以用于或被布置在集成电路处，并且该界面层可以被布置/嵌入在(集成电路的)接触焊盘与基底(例如，印刷电路板)之间。现在参照图4，描述了这种结构的一个示例。将理解，图4中详细示出的该结构可以应用于本文提出的其他示例中的任意一个。集成电路402包括导电焊盘404，并且被布置在基底(例如，PCB)403中。焊盘404在一个方面为金属焊盘，并且可以由铝构成。还可以使用导电材料的其他示例。绝缘层406(集成电路402的一部分)被布置在集成电路402上方且跨该集成电路。导电过孔408延伸穿过绝缘层406。导电再分布焊盘410(例如，由铜构成)被布置在绝缘层406上且联接到过孔408。镀有铜的激光钻出的过孔(图4中未示出)将PCB的第一层联接到RDL焊盘。
在一个特定示例中，集成电路402是包括RDL铜焊盘410和铝焊盘404的ASIC。绝缘层406提供从ASIC 402上的焊盘404到ASIC 402被嵌入的基底403(例如，PCB)的界面。绝缘层406具有到铝焊盘404的开口。在一个方面，铜焊盘410比铝焊盘404大(例如，具有大表面积或横截面积)。铝焊盘404和铜RDL焊盘410通过使用穿过绝缘层406的过孔/孔408来连接。
在ASIC 402顶部上的RDL焊盘410提供集成电路402与基底403(例如，PCB)之间的有利界面。在这方面，PCB处理通常使用铜镀。良好的粘附和/或良好的界面/接合在例如PCB铜过孔直接接触到另一个铜层(即，铜RDL焊盘410)时发生。换言之，在ASIC被嵌入PCB材料中之后，激光钻出孔，使得在RDL层上到铜焊盘产生开口。具有嵌入式ASIC和激光钻出的孔的PCB板然后被置于铜镀浴中，以便对激光钻出的孔的壁进行镀制。这提供PCB的电路、铜RDL焊盘以及ASIC上的接合焊盘之间的物理上安全且电充分的接合。
在其他方面，集成电路402被完全层压到基底/PCB中，而在集成电路402周围没有蓄意的空隙。通过“层压”，意指材料(诸如，环氧层压材料、铜以及粘合剂)被分层叠放并置于使用温度、压力且潜在地在真空环境中。这给予封装比在集成电路402周围具有空间/空隙的封装更佳的机械稳定性和可能更佳的可靠性能。
现在参照图5，MEMS麦克风500包括MEMS器件502、盖504、壁506、经镀制通孔过孔509、基底印刷电路板508。声学端口510延伸穿过盖504。盖504在该示例中是印刷电路板。集成电路512(例如，专用集成电路(ASIC))被嵌入盖504中。通过“嵌入”，意指集成电路512被盖504完全包围。线接合514将MEMS器件502连接到盖504(该盖在一个方面为包括导电和非导电层的印刷电路板)。内布线连接516将线接合514联接到集成电路512。金属迹线(metaltrace)517将集成电路512联接到经镀制通孔过孔509。经镀制通孔过孔509经由基底508中的连接联接到客户焊料焊盘518，该基底在一个方面为印刷电路板。通孔过孔509在一个示例中为镀有允许传输信号的导电金属的中空或填充圆柱开口。
MEMS器件502包括膜片和背板。声能使膜片移动，并且这产生电信号。电信号经由线接合514和连接516被传输到集成电路512。从集成电路512，信号经由布线金属迹线517被传输到经镀制通孔509。通孔过孔509通过基底508中的连接521传输信号且传输到客户电子器件可以联接到的客户焊料焊盘518。焊料522将壁506联接到基底508和盖504。如图所示，焊盘518被连接为接收同一电信号，但焊盘通常接收单独的信号。图5的构造是由MEMS器件502产生的电信号被发送到盖504中的嵌入式ASIC且因此经由基底508中的通孔过孔509和电连接发送到客户焊料焊盘518的盖上MEMS构造(MEMS-on-lid configuration)。
现在参照图6，描述了麦克风600的另一个示例。麦克风600类似于图5的麦克风，除了翻转MEMS器件602(相对于图5中MEMS器件502的位置)以便经由焊料632(不使用引线)直接接合到盖PCB 604之外。图5中同样编号的元件与图6中同样编号的元件对应，并且这里将不重复这些描述。在操作中，信号从MEMS器件602到客户焊盘618的电气路径与图5中的器件中相同，除了图6中省略线接合之外。
现在参照图7，描述了麦克风700的一个示例。MEMS器件702联接到盖704。线接合706将MEMS器件702联接到集成电路(例如，ASIC)708。集成电路708被嵌入盖704中。通过“嵌入”，意指集成电路708被盖704完全包围。模杯710(例如，由塑料或某一其他合适的材料构成)封闭MEMS器件702。杯710用焊料和/或环氧树脂711(提及的两个例子)联接到盖704。客户焊料焊盘712和杯表面上的电信号联接到盖704。图7的构造是由MEMS器件702产生的电信号被发送到盖704中的嵌入式ASIC且因此经由杯710发送到客户焊料焊盘712的盖上MEMS构造。
在操作中，声音由MEMS器件702感测且被转换成由ASIC 708处理并由杯表面上的电迹线发送到焊盘712的电信号。
现在参照图8，描述了麦克风800的另一个示例。麦克风800类似于图7的麦克风700，除了翻转MEMS器件802以便经由焊料或金832(不使用引线)直接接合到盖PCB 704之外。图7中同样编号的元件与图8中同样编号的元件对应，并且这里将不重复这些描述。
在操作中，信号从MEMS器件802到客户焊盘812的电气路径与图7中的器件相同，除了图8中省略线接合之外。
现在参照图9，描述了麦克风900的一个示例。麦克风900包括基底902(例如，印刷电路板)、MEMS器件904(包括膜片和背板)以及金属罐906。第一集成电路(例如，ASIC 908)被嵌入基底902中。通过“嵌入”，意指集成电路908被基底902完全包围。第二集成电路(例如，ASIC 910)被布置在基底902上，但未被嵌入基底902中。
线接合912将MEMS器件904直接联接到第二集成电路910。第二集成电路910经由焊料914和电气路径916联接到第一集成电路908。第一集成电路910经由电气路径920联接到焊盘918。在一个示例中，第一(嵌入式)集成电路908可以执行诸如放大、模数转换、灵敏度修整(sensitivity trimming)、数字信号处理的处理功能，而第二(非嵌入式)集成电路910可以执行诸如放大、模数转换、灵敏度修整、数字信号处理、温度感测以及化学感测的处理功能。其他示例是可以的。
将理解，在图9、图10以及图11的示例中，第一(嵌入式)集成电路可以如在该描述中在别处描述的另选地联接到客户焊盘。例如，基底902可以为印刷电路板，并且印刷电路板具有第一金属层、第二金属层以及延伸穿过基底902的至少一个经镀制通孔过孔。第一金属层和第二金属层电联接到至少一个经镀制通孔过孔的相对端部。集成电路可以具有面向第一金属层的表面。第一集成电路908被布置在印刷电路板内且在第一金属层与第二金属层之间。第一集成电路908的至少一个输出信号从第一集成电路908的顶面被直接路由到印刷电路板的第一金属层、到至少一个第二经镀制通孔过孔、到第二金属层、然后到印刷电路板处的客户(接入)焊盘918。
现在参照图10，描述了麦克风1000的另一个示例。麦克风1000包括基底1002(例如，印刷电路板)、MEM器件1004(包括膜片和背板)以及金属罐1006。第一集成电路(例如，ASIC)1008被嵌入基底1002中。第二集成电路(例如，ASIC)1010被布置在基底1002上。线接合912将MEMS器件1004联接到基底1002(基底上的接头)。焊料1014将基底1002联接到第一ASIC 1008。第一集成电路1008经由基底1002内的电气连接1018联接到客户焊盘1016。在一个示例中，第一(嵌入式)集成电路1008可以执行诸如放大、模数转换、灵敏度修整、数字信号处理的处理功能，而第二(非嵌入式)集成电路1010可以执行诸如放大、模数转换、灵敏度修整、数字信号处理、温度感测以及化学感测的处理功能。其他示例是可以的。
现在参照图11，描述了麦克风1100的一个示例。麦克风1100包括基底1102(例如，印刷电路板)、MEM器件1104(包括膜片和背板)以及金属罐1106。第一集成电路(例如，ASIC)1108被嵌入基底1102中。第二集成电路(例如，ASIC)1110被布置在基底1102上。
在该示例中，MEMS器件1104经由焊料1132联接到基底1102；第二集成电路1110联接到基底1102；嵌入式第一集成电路1108经由(基底1102中的)电气路径1112联接到基底1102；第一集成电路1108经由(基底1102中的)电气路径1116联接到客户焊盘1114；并且第二集成电路1110经由焊料1130联接到基底1102。在一个示例中，第一(嵌入式)集成电路1108可以执行诸如放大、模数转换、灵敏度修整、数字信号处理的处理功能，而第二(非嵌入式)集成电路1110可以执行诸如放大、模数转换、灵敏度修整、数字信号处理、温度感测以及化学感测的处理功能。其他示例是可以的。
本文描述了本发明的优选实施方式，包括为发明人为进行本发明所知的最佳方式。应当理解，所例示的实施方式仅是示例性的，并且不应当被认为是限制本发明的范围。

Claims (9)

1.一种微机电系统MEMS麦克风，该MEMS麦克风包括：
基底印刷电路板PCB，所述基底PCB具有一个或更多个焊盘；
盖；
第一集成电路，该第一集成电路被嵌入基底中；
第二集成电路，该第二集成电路未被嵌入所述基底中，但被布置在所述基底上且电联接到所述第一集成电路；
微机电系统MEMS器件，该MEMS器件联接到所述第一集成电路和所述第二集成电路中的一个或两个；
使得声能由所述MEMS器件转换成电信号并被传输到所述第一集成电路和所述第二集成电路中的一个或两个，以便处理，经处理信号被使得在所述基底上的所述一个或更多个焊盘处可用；
其中，所述基底包括面向形成于所述基底和所述盖之间的腔的第一面和面向所述MEMS麦克风的外部的第二面，其中，所述基底包括第一金属层和第二金属层，并且包括延伸穿过所述基底的通孔过孔，其中，所述第一金属层和所述第二金属层联接到所述通孔过孔的相对端，其中，所述第一集成电路被布置在所述第一金属层与所述第二金属层之间，并且其中，所述第二金属层联接到客户焊盘，其中，所述第一集成电路联接到所述第一金属层；
使得从所述第一集成电路到所述第一金属层穿过所述通孔过孔、到所述第二金属层、并且然后到所述一个或更多个焊盘形成电气路径。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述第一集成电路包括专用集成电路。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述MEMS器件经由引线联接到所述基底。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述通孔过孔被镀有导电金属。
5.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其中，所述第二集成电路包括专用集成电路。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述第一集成电路执行放大。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述第一集成电路执行模数转换。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述第一集成电路执行数字信号处理和灵敏度修整中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述第二集成电路执行数字信号处理、放大、模数转换和灵敏度修整中的至少一个。
CN201680016505.4A 2015-03-23 2016-03-16 微机电系统麦克风 Active CN107431850B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/665,745 US9485560B2 (en) 2012-02-01 2015-03-23 Embedded circuit in a MEMS device
US14/665,745 2015-03-23
PCT/US2016/022598 WO2016153871A1 (en) 2015-03-23 2016-03-16 Embedded circuit in a mems device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107431850A CN107431850A (zh) 2017-12-01
CN107431850B true CN107431850B (zh) 2019-11-22

Family

ID=56978646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680016505.4A Active CN107431850B (zh) 2015-03-23 2016-03-16 微机电系统麦克风

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN107431850B (zh)
DE (1) DE112016001352B4 (zh)
WO (1) WO2016153871A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018218073A1 (en) 2017-05-25 2018-11-29 Knowles Electronics, Llc Microphone package for fully encapsulated asic and wires
CN109327784B (zh) * 2018-12-03 2024-03-29 钰太芯微电子科技（上海）有限公司 一种无边框设备的mems麦克风
GB2582388A (en) * 2019-03-22 2020-09-23 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Composite structures

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1933681A (zh) * 2005-09-13 2007-03-21 星精密株式会社 电容式传声器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100656751B1 (ko) 2005-12-13 2006-12-13 삼성전기주식회사 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
IT1397976B1 (it) * 2009-12-23 2013-02-04 St Microelectronics Rousset Trasduttore di tipo microelettromeccanico e relativo procedimento di assemblaggio.
WO2012051340A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Analog Devices, Inc. Microphone package with embedded asic
US9271067B2 (en) * 2011-02-25 2016-02-23 Nokia Technologies Oy Transducer apparatus having a mechanical acoustic filter with movable blocking member
US9485560B2 (en) * 2012-02-01 2016-11-01 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
US8995694B2 (en) * 2012-02-01 2015-03-31 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
US9281744B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Infineon Technologies Ag System and method for a programmable voltage source
US9491539B2 (en) 2012-08-01 2016-11-08 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus disposed on assembly lid
CN105659379B (zh) 2013-08-29 2018-09-21 罗伯特·博世有限公司 具有嵌入式管芯的模制引线框架封装

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1933681A (zh) * 2005-09-13 2007-03-21 星精密株式会社 电容式传声器

Also Published As

Publication number Publication date
DE112016001352B4 (de) 2024-03-14
WO2016153871A1 (en) 2016-09-29
DE112016001352T5 (de) 2017-12-07
CN107431850A (zh) 2017-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8995694B2 (en) Embedded circuit in a MEMS device
US9485560B2 (en) Embedded circuit in a MEMS device
US8759149B2 (en) Encapsulated micro-electro-mechanical device, in particular a MEMS acoustic transducer
US7434305B2 (en) Method of manufacturing a microphone
KR20150040941A (ko) 어셈블리 리드 상에 배치되는 ｍｅｍｓ 장치
US7439616B2 (en) Miniature silicon condenser microphone
JP5879387B2 (ja) Ｍｅｍｓマイクロホン
US8625832B2 (en) Packages and methods for packaging microphone devices
CN107343249B (zh) 多设备模块、包括该模块的装置和制造该模块的方法
KR100971293B1 (ko) 마이크로폰
US20150117681A1 (en) Acoustic Assembly and Method of Manufacturing The Same
CN104756523B (zh) Mems器件中的嵌入电路
US20140291784A1 (en) Mems apparatus with increased back volume
US20160100256A1 (en) Acoustic Assembly and Method of Manufacturing The Same
JP4655017B2 (ja) 音響センサ
JP6311800B2 (ja) 拡大されたバックチャンバを備えたマイクロホンおよび製造方法
KR20160096207A (ko) Ｍｅｍｓ­온­리드 마이크로폰용 인터포저
CN109845294B (zh) 压力传感器，特别是具有改进布局的麦克风
CN107431850B (zh) 微机电系统麦克风
US20150146888A1 (en) Mems microphone package and method of manufacturing the same
KR20150058780A (ko) 마이크로폰 패키지 및 그 실장 구조
CN104244154A (zh) Mems麦克风组件中的开口腔基板及其制造方法
CN109327784B (zh) 一种无边框设备的mems麦克风
JP2007071821A (ja) 半導体装置
KR102409521B1 (ko) 멤스 마이크로폰

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant