KR102085210B1 - 지향성 마이크로폰 장치 - Google Patents

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KR102085210B1
KR102085210B1 KR1020180140485A KR20180140485A KR102085210B1 KR 102085210 B1 KR102085210 B1 KR 102085210B1 KR 1020180140485 A KR1020180140485 A KR 1020180140485A KR 20180140485 A KR20180140485 A KR 20180140485A KR 102085210 B1 KR102085210 B1 KR 102085210B1
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박두영
임형열
민철규
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(주)파트론
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Abstract

본 발명은 제1 음향홀을 구비하고 있는 제1 기판, 상기 제1 기판에 상기 제1 음향홀에 대응되게 위치하고 상기 제1 음향홀로 입력되는 음향에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 제1 MEMS 트랜듀서, 제2 음향홀을 구비하고 있는 제2 기판, 상기 제2 기판에 상기 제2 음향홀에 대응되게 위치하고 상기 제2 음향홀로 입력되는 음향에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 제2 MEMS 트랜듀서, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 이격시키는 간격재 및 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판에 위치하여, 상기 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제1 및 제2 출력신호를 처리하는 신호 처리부를 포함하고, 상기 신호 처리부는 상기 제1 출력신호와 상기 제2 출력신호의 수신 시간차를 산출하여 음향의 방향을 판정하고, 판정된 음향의 방향에 따라 제1 및 제2 출력신호의 출력 상태를 제어하는 지향성 마이크로폰에 관한 것이다.

Description

지향성 마이크로폰 장치{DIRECTIONAL MICROPHONE DEVICE}
본 발명은 마이크로폰 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MEMS 트랜듀서를 포함하는 지향성 음향특성을 가지는 지향성 MEMS 마이크로폰 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대폰, 스마트폰 등의 이동 통신용 단말기나, 태블릿PC, MP3 플레이어 등과 같은 전자 장치는 보다 소형화되고 있다. 이에 따라, 전자 장치의 부품 또한 더욱 소형화되고 있다. 따라서, 부품의 물리적 한계를 해결할 수 있는 멤스(Micro Electro Mechanical System: MEMS) 기술 개발이 진행되고 있다.
멤스 기술은, 집적 회로 기술을 응용한 마이크로 머시닝(micro machining) 기술을 이용하여 마이크로 단위의 초소형 센서, 액츄에이터(acturator) 또는 전기 기계적 구조체를 제작하는데 응용될 수 있다. 이와 같은 멤스 기술이 적용된 멤스 마이크로폰은 초소형의 소자를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 웨이퍼 상에 다수의 멤스 마이크로폰을 제조할 수 있어 대량 생산이 가능하다.
이러한 멤스 마이크로폰에 대한 기술은 다양하게 공지되어 있다. 예를 들어, 대한민국공개특허 제10-2007-0053763호(공개일 2007년 5월 25일)의 '실리콘 콘덴서 마이크로폰과 그 제작 방법', 대한민국공개특허 제10-2007-0078391호(공개일 2007년 7월 31일)의 '소형 마이크로폰용 탄성 중합체 실드', 대한민국공개특허 제10-0971293호(공고일 2010년 7월 13일)의 '마이크로폰' 등이 있다.
대한민국 공개특허 제10-2007-0053763호(공개일 2007년 5월 25일) 대한민국 공개특허 제10-2007-0078391호(공개일 2007년 7월 31일) 대한민국 공개특허 제10-0971293호(공고일 2010년 7월 13일)
본 발명이 해결하려는 과제는 지향성 특성을 가지는 마이크로폰 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 마이크로폰 장치의 음향 방향을 용이하게 판정하기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 제1 음향홀을 구비하고 있는 제1 기판, 상기 제1 기판에 상기 제1 음향홀에 대응되게 위치하고 상기 제1 음향홀로 입력되는 음향에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 제1 MEMS 트랜듀서, 제2 음향홀을 구비하고 있는 제2 기판, 상기 제2 기판에 상기 제2 음향홀에 대응되게 위치하고 상기 제2 음향홀로 입력되는 음향에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 제2 MEMS 트랜듀서, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 이격시키는 간격재 및 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판에 위치하여, 상기 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제1 및 제2 출력신호를 처리하는 신호 처리부를 포함하고, 상기 신호 처리부는 상기 제1 출력신호와 상기 제2 출력신호의 수신 시간차를 산출하여 음향의 방향을 판정하고, 판정된 음향의 방향에 따라 제1 및 제2 출력신호의 출력 상태를 제어한다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 신호 처리부부에 연결되어 있고 음향 지향 프로파일을 저장하고 있는 저장부를 더 포함하고, 상기 신호 처리부는 상기 음향의 방향에 따른 상기 음향 지향 프로파일에 따라 상기 제1 출력신호와 상기 제2 출력신호의 출력상태를 제어할 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 회로 기판으로 이루어져 있고, 제1 MEMS 트랜듀서와 제2 MEMS 트랜듀서는 각각 비전도성 접착제를 이용하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 부착되어 있을 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 비전도성 접착제는 에폭시로 이루어져 있을 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 각각 신호선을 포함하고 있을 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 간격재는 비아홀을 구비하고, 상기 제1 기판에 위치한 신호선과 상기 제2 기판에 위치한 신호선은 상기 비아홀을 통해 연결되어 있을 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 신호 처리부는 제1 신호 처리부 및 제2 신호 처리부를 포함하고, 상기 제1 신호 처리부는 상기 제1 기판에 실장되어 상기 제1 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제1 출력신호를 처리하고, 상기 제2 신호 처리부는 상기 제2 기판에 실장되어 상기 제2 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제2 출력신호를 처리할 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 제1 기판은 외부면에는 형성된 입출력단자를 포함할 수 있다.
본 발명의 지향성 마이크로폰 장치는 상기 제1 기판은 상기 외부면의 상기 제1 음향홀 주변에 형성된 실링부재 결합패드를 더 포함할 수 있다.
이러한 특징에 따라서, 서로 다른 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 출력신호의 시간 차를 이용하여 음향의 위치를 정확히 판정한다.
또한, 물리적으로 상이한 복수 개의 음향 수신 경로를 기판이나 하우징에 형성할 필요가 없으므로, 지향성 마이크로폰 장치에 구조가 간단해지고 제조 비용이 절감된다.
판정된 음향의 위치에 따라 원하는 상태로의 음향 출력이 가능하므로 마이크로폰 장치의 지향성 특성이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 블럭도이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 신호 처리부의 동작 순서도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치에 대해서 설명하도록 한다.
도 1에 도시한 것처럼, 본 예의 지향성 마이크로폰 장치는 제1 MEMS 트랜듀서(11), 제2 MEMS 트랜듀서(12), 그리고 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)에 연결되어 있는 신호 처리부(20)를 구비한다.
제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 입력되는 음향에 대응하는 음향 신호를 전기 신호로 변환하여 출력하는 소자로서, 설치되는 위치만 상이할 뿐 동일한 기능을 갖는다.
이러한 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 도 2에 도시한 것과 같이 제1 기판(100), 제1 기판(100)의 상부에 제1 기판(100)과 대응되게 위치하는 제2 기판(200), 그리고 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 위치하여 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 이격시키는 간격재(300)를 구비한 지향성 마이크로폰 장치의 내부에 위치하여 지향성 마이크로폰 장치의 일부를 구성한다.
제1 기판(100)은 지향성 마이크로폰 장치의 하부를 이루는 구성요소로 판(plate) 형태로 이루어져 있고, 이러한 제1 기판(100)은 회로기판(예, 경성의 회로기판)으로 이루어질 수 있다. 도 2에 도시한 것처럼, 기판(100)은 기판(100)의 해당 부분을 완전히 관통하는 하나의 음향홀(예 제1 음향홀)(H110)을 구비하고 있다.
제2 기판(200)은 지향성 마이크로폰 장치의 상부를 이루는 구성요소로 역시 판 형태로 이루어져 있고, 이러한 제2 기판(200) 역시 경성의 회로기판, 반도체 기판 또는 세라믹 기판 등으로 이루어질 수 있다.
간격재(300)는, 이미 기술한 것처럼, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격을 이격시키기 위한 것으로서, 간격재(300)의 상단은 제2 기판(100)의 하면과 접하게 위치하고 하단은 제1 기판(200)의 상면과 접하게 위치한다.
본 예의 간격재(300)는, 도 1에 도시한 것처럼, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 비아홀(H300)을 구비한다.
비아홀(H300)은 간격재(300)의 높이 방향을 따라 위치하여, 간격재(300)의 해당 부분을 높이 방향으로 완전히 관통되게 형성된다.
이러한 비아홀(H300)의 내부는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 금속부(310)로 이루어져 있다.
본 예에서, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 각각에는 적어도 하나의 신호선이 해당 기판(100, 200)의 해당 면(예, 내부면) 표면이나 기판 속에 위치하고 있고, 비아홀(H300)의 금속부(310)를 통해 제1 기판(100)에 위치한 신호선과 제2 기판(200)에 위치한 신호선을 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
이처럼, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)에 형성된 제1 및 제2 음향홀(H100, H200)은 외부로부터의 음향 유입이 이루어지는 구멍으로서, 제1 및 제2 음향홀(H100, H200)의 형성 위치에 따라 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)의 장착 위치가 정해진다.
즉, 제1 MEMS 트랜듀서(11)는 제1 음향홀(H100)에 대응되어 음향홀(H100)과 가까운 곳에 위치하고, 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 제2 음향홀(H200)에 대응되어 음향홀(H200)과 가까운 곳에 위치하여, 각 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 대응하는 음향홀(H100, H200)을 통해 유입되는 음향을 다른 MEMS 트랜듀서(11, 12)보다 먼저 감지하게 된다.
본 예의 경우, 도 2에 도시한 것처럼, 제1 MEMS 트랜듀서(11)는 제1 음향홀(H100)에 대응되어 제1 음향홀(H100)을 막는 형태로 위치하여 제1 음향홀(H100)은 제1 MEMS 트랜듀서(11)의 해당 면(예, 하면)과 대면하고 있고, 제2 MEMS 트랜듀서(12) 역시 제2 음향홀(H200)에 대응되어 제2 음향홀(H200)을 막는 형태로 위치하여 제2 음향홀(H200)은 제2 MEMS 트랜듀서(12)의 해당 면(예, 하면)과 대면하고 있다.
이때, 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 트랜듀서(12)는 각각 비전도성 접착제를 통해 해당 기판(100, 200)에 부착될 수 있고, 비전도성 접착제는 에폭시일 수 있다.
이러한 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)의 설치 위치에 의해, 동일한 지점에서 발생한 음향은 서로 시간 차이를 두고 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)에 의해 각각 감지된다.
이러한 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 제1 기판(100)에 위치하고 있는 신호 처리부(20)와 전기적으로 연결되어, 각각 감지한 음향 신호에 대응하는 전기 신호를 신호 처리부(20)로 출력한다.
본 예에서, 신호 처리부(20)는 도 2에 도시한 것처럼 제1 기판(100)에 위치하지만 제2 기판(200)에 위치할 수 있고, 저장부(21)와 타이머(timer)(22)를 구비한다.
이러한 신호 처리부(20)는 제1 MEMS 트랜듀서(11)로부터 인가되는 출력신호(예, 제1 출력신호)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)로부터 인가되는 출력신호(예, 제2 출력신호)를 수신한다.
이때, 신호 처리부(20)는 자신과 동일한 기판(예, 제1 기판(100))에 위치하고 있는 해당 MEMS 트랜듀서(11)와는 와이어(W11)를 통해 직접 해당 출력신호를 전송받을 수 있고, 자신과 다른 기판(예, 제2 기판(200))에 위치하고 있는 해당 MEMS 트랜듀서(12)와는 해당 기판(200)에 위치한 신호선과 간격재(300)의 비아홀(H300)를 통해 해당 출력신호를 전송받을 수 있다.
이를 위해, 제2 기판(200)에 위치하는 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 와이어(W11)를 이용하여 해당 기판(200)에 위치한 신호선과 연결되어 있다. 따라서, 제2 MEMS 트랜듀서(12)의 제2 출력신호는 해당 와이어(W11)를 통해 제2 기판(200)의 신호선으로 전달되고, 제2 기판(200)의 신호선은 자신과 연결된 비아홀(H300)을 통해 제1 기판(100)의 해당 신호선과 연결되어 있으므로, 제2 출력신호는 제2 기판(200)의 신호선과 연결된 제1 기판(100)의 해당 신호선을 통해 신호 처리부(20)로 인가된다.
타이머(22)를 이용하여 두 출력신호의 수신 시간을 판정하여 두 출력신호의 수신 시간의 시간차 즉, 수신 신호차를 판정한다.
그런 다음, 판정된 두 출력신호의 수신 시간차를 이용하여 음향의 방향을 판정하고, 판정된 음향의 방향과 저장부(21)에 저장되어 있는 음향 지향 프로파일(profile)를 이용하여 수신된 출력신호의 출력 상태를 결정한다.
저장부(21)는 신호 처리부(20)의 동작에 필요한 데이터, 음향 지향 프로파일 및 각 음향홀(H100, H200)의 위치 정보를 저장하고 있다.
이러한 저장부(21)와 타이머(22)는 신호 처리부(20) 외부에 신호 처리부(20)와 별개의 구성요소로 구비될 수 있다.
음향 지향 프로파일은 사용자에 설정 동작에 따라 정해지며, 정해진 음향 방향에 따른 출력신호의 출력 상태를 설정해 놓은 데이터이다.
이로 인해, 신호 처리부(20)는 판정된 음향 방향과 음향 지향 프로파일을 이용하여 제1 및 제2 음향홀(H100, H200)로 입력되는 출력신호의 출력 상태를 제어한다.
다음, 도 3을 참고로 하여, 신호 처리부(20)의 동작을 자세히 설명한다.
지향성 마이크로폰 장치의 동작이 시작되면 신호 처리부(20)는 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)로부터 각각 제1 및 제2 출력신호가 수신되는지 판단한다(S11, S12).
따라서, 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)에서 각각 해당하는 제1 및 제2 출력신호가 수신되면(S11, S12), 신호 처리부(20)는 타이머(22)를 이용하여 제1 및 제2 출력신호가 수신되는 시간을 판정하여 저장부(21)에 저장한다(S13~S14).
다음, 신호 처리부(20)는 저장된 제1 및 제2 출력신호의 수신 시간을 이용하여 제1 및 제2 출력신호의 수신 시간차를 산출하고(S15), 산출된 두 제1 및 제2 출력신호의 수신 시간차를 이용하여 음향의 방향을 판정한다(S16).
다음, 신호 처리부(20)는 판정된 음향의 방향과 저장부(21)의 음향 지향 프로파일을 이용하여 음향 지향 프로파일에 정해져 있는 상태로 제1 및 제2 출력신호의 출력상태를 결정하여(S17), 해당 상태로 제1 및 제2 출력신호에 대응하는 오디오 신호를 생성해 출력한다(S18).
그런 다음, 신호 처리부(20)는 계수된 제1 및 제2 출력신호의 수신 시간을 초기화한다(S19).
이처럼, 본 예는 물리적으로 상이한 복수 개의 음향 수신 경로를 형성하기 위해 제1 기판(100)이나 제2 기판(200)을 변경할 필요가 없이 단순히 음향홀(H100, H200)과 이에 대응하는 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)를 이용하여 정확한 음향의 방향이 판정된다.
이로 인해, 사용자가 원하는 상태로의 음향 출력이 가능하여 마이크로폰 장치의 지향성 특성이 향상된다.
또한, 사용자가 원하는 상태로의 지향성 특징의 변경이 가능하여, 사용자의 만족도가 향상되고 불필요한 노이즈 신호의 제거 역시 용이하다.
이하, 첨부된 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치에 대해서 설명하도록 한다.
도 4에 도시한 것과 같이, 본 예의 지향성 마이크로폰 장치는 두 개의 신호 처리부(20)를 포함한다. 구체적으로, 신호 처리부(20)는 제1 신호 처리부(20-1) 및 제2 신호 처리부(20-2)를 포함한다.
제1 신호 처리부(20-1)는 제1 기판(100)에 실장되어 제1 MEMS 트랜듀서(11)로부터 인가되는 제1 출력신호를 처리할 수 있다. 제2 신호 처리부(20-2)는 제2 기판(200)에 실장되어 제2 MEMS 트랜듀서(12)로부터 인가되는 제1 출력신호를 처리할 수 있다.
이와 같이, 복수의 신호 처리부가 각각 하나의 MEMS 트랜듀서의 출력신호를 처리하여 처리 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 사용상태에 대해서 설명하도록 한다.
도 5에 도시한 것과 같이, 본 예의 지향성 마이크로폰 장치는 전자 장치의 실장 기판(2)에 실장되어 사용될 수 있다. 구체적으로, 제1 기판(100)이 실장 기판(2)에 맞닿아 결합될 수 있다.
제1 기판(100)은 하면(외부면)에 신호가 입력되거나 출력되는 적어도 하나의 입출력단자(101)를 포함한다. 입출력단자(101)는 실장 기판(2)에 형성된 연결 패드와 전기적으로 연결된다.
그리고 제1 기판(100)은 하면의 제1 음향홀(H100)의 주변에 형성된 실링부재 결합패드(102)를 더 포함한다. 실링부재 결합패드(102)에는 실링부재(103)가 결합될 수 있다. 실링부재(103)는 제1 기판(100)과 실장 기판(200) 사이를 밀봉하여 제1 음향홀(H100)로 유입되는 음향의 유출을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 지향성 마이크로폰 장치의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 제1 기판 200: 제2 기판
300: 간격재 H100: 제1 음향홀
H200: 제2 음향홀 H300: 비아홀
310: 금속부 11: 제1 MEMS 트랜듀서
12: 제2 MEMS 트랜듀서 20: 신호처리소자

Claims (9)

  1. 제1 음향홀을 구비하고 있는 제1 기판;
    상기 제1 기판에 상기 제1 음향홀에 대응되게 위치하고 상기 제1 음향홀로 입력되는 음향에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 제1 MEMS 트랜듀서;
    제2 음향홀을 구비하고 있는 제2 기판;
    상기 제2 기판에 상기 제2 음향홀에 대응되게 위치하고 상기 제2 음향홀로 입력되는 음향에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 제2 MEMS 트랜듀서;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 이격시키는 간격재;
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판에 위치하여, 상기 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제1 및 제2 출력신호를 처리하는 신호 처리부; 및
    상기 신호 처리부에 연결되어 있고, 정해진 음향 방향에 따른 출력신호의 출력 상태를 정해 놓은 데이터인 음향 지향 프로파일을 저장하고 있는 저장부
    를 포함하고,
    상기 제1 기판은,
    실장 기판과 맞닿아 결합되어 있고,
    상기 제1 음향홀 주변의 외부면에 위치한 실링부재 결합패드; 및
    상기 실링부재 결합패드와 결합되고 상기 제1 기판과 상기 실장 기판 사이를 밀봉하여 상기 제1 음향홀로 유입되는 음향의 유출을 억제하는 실링부재를 포함하고,
    상기 신호 처리부는 상기 제1 출력신호와 상기 제2 출력신호의 수신 시간차를 산출하여 음향의 방향을 판정하고, 판정된 음향의 방향과 상기 저장부에 저장되어 있는 음향 지향 프로파일을 이용하여 음향 지향 프로파일에 정해져 있는 상태로 상기 제1 및 제2 출력신호의 출력 상태를 정하여 상기 제1 및 제2 출력 신호에 대응하는 오디오 신호를 생성해 출력하는
    지향성 마이크로폰 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 회로 기판으로 이루어져 있고,
    제1 MEMS 트랜듀서와 제2 MEMS 트랜듀서는 각각 비전도성 접착제를 이용하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 부착되어 있는 지향성 마이크로폰 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 비전도성 접착제는 에폭시로 이루어져 있는 지향성 마이크로폰 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 각각 신호선을 포함하고 있는 지향성 마이크로폰 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 간격재는 비아홀을 구비하고,
    상기 제1 기판에 위치한 신호선과 상기 제2 기판에 위치한 신호선은 상기 비아홀을 통해 연결되어 있는 지향성 마이크로폰 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 신호 처리부는 제1 신호 처리부 및 제2 신호 처리부를 포함하고,
    상기 제1 신호 처리부는 상기 제1 기판에 실장되어 상기 제1 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제1 출력신호를 처리하고,
    상기 제2 신호 처리부는 상기 제2 기판에 실장되어 상기 제2 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 제2 출력신호를 처리하는 지향성 마이크로폰 장치.



  8. 삭제
  9. 삭제
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