KR102209688B1

KR102209688B1 - 지향성 마이크로폰 장치

Info

Publication number: KR102209688B1
Application number: KR1020190135205A
Authority: KR
Inventors: 윤상영; 민철규
Original assignee: (주)파트론
Priority date: 2019-10-29
Filing date: 2019-10-29
Publication date: 2021-01-29
Also published as: WO2021085686A1

Abstract

본 발명은 지향성 마이크로폰 장치에 관한 것으로서, 상기 지향성 마이크로폰 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대면하고 있는 제1 음향홀을 구비하는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 이격시키는 간격재, 상기 제1 음향홀과 마주하게 위치하는 제1 MEMS 트랜듀서, 상기 제1 기판에 위치하고 제2 음향홀을 구비하는 하부 하우징 및 상기 제1 기판의 제1 면에 상기 하부 하우징과 마주하게 위치하는 제2 MEMS 트랜듀서를 포함한다.

Description

지향성 마이크로폰 장치{DIRECTIONAL MICROPHONE DEVICE}

본 발명은 마이크로폰 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MEMS 트랜듀서를 포함하는 지향성 MEMS 마이크로폰 장치에 관한 것이다.

최근, 휴대폰, 스마트폰 등의 이동 통신용 단말기나, 태블릿PC, MP3 플레이어 등과 같은 전자 장치는 보다 소형화되고 있다. 이에 따라, 전자 장치의 부품 또한 더욱 소형화되고 있다. 따라서, 부품의 물리적 한계를 해결할 수 있는 멤스(Micro Electro Mechanical System: MEMS) 기술 개발이 진행되고 있다.

멤스 기술은, 집적 회로 기술을 응용한 마이크로 머시닝(micro machining) 기술을 이용하여 마이크로 단위의 초소형 센서, 액츄에이터(acturator) 또는 전기 기계적 구조체를 제작하는데 응용될 수 있다. 이와 같은 멤스 기술이 적용된 멤스 마이크로폰은 초소형의 소자를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 웨이퍼 상에 복수 개의 멤스 마이크로폰을 제조할 수 있어 대량 생산이 가능하다.

이러한 멤스 마이크로폰에 대한 기술은 다양하게 공지되어 있다. 예를 들어, 대한민국공개특허 제10-2007-0053763호(공개일 2007년 5월 25일)의 '실리콘 콘덴서 마이크로폰과 그 제작 방법', 대한민국공개특허 제10-2007-0078391호(공개일 2007년 7월 31일)의 '소형 마이크로폰용 탄성 중합체 실드', 대한민국공개특허 제10-0971293호(공고일 2010년 7월 13일)의 '마이크로폰' 등이 있다.

대한민국 공개특허 제10-2007-0053763호(공개일 2007년 5월 25일) 대한민국 공개특허 제10-2007-0078391호(공개일 2007년 7월 31일) 대한민국 공개특허 제10-0971293호(공고일 2010년 7월 13일)

본 발명이 해결하려는 과제는 지향성 특성을 가지는 마이크로폰 장치를 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는 마이크로폰 장치의 제조 비용을 절감하기 위한 것이다.

본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 마이크로폰 장치의 음향 방향을 용이하게 판정하기 위한 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 특징에 따른 지향성 마이크로폰 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대면하고 있는 제1 음향홀을 구비하는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 이격시키는 간격재, 상기 제1 음향홀과 마주하게 위치하는 제1 MEMS 트랜듀서, 상기 제1 기판에 위치하고 제2 음향홀을 구비하는 하부 하우징 및 상기 제1 기판의 제1 면에 상기 하부 하우징과 마주하게 위치하는 제2 MEMS 트랜듀서를 포함한다.

상기 하부 하우징은 금속으로 이루어질 수 있다.

상기 하부 하우징은 내부에 상기 제2 MEMS 트랜듀서를 내장하고 있는 캔 형태일 수 있다.

상기 제1 MEMS 트랜듀서는 상기 제1 면의 반대면인 상기 제1 기판의 제2 면에 위치할 수 있다.

상기 제1 MEMS 트랜듀서는 상기 제2 기판에 상기 제1 음향홀과 마주보게 위치할 수 있다.

상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 회로 기판으로 이루어질 수 있다.

상기 제1 MEMS 트랜듀서는 비전도성 접착제로 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 중 하나에 부착될 수 있고, 상기 제2 MEMS 트랜듀서는 비전도성 접착제로 상기 제1 기판에 부착될 수 있다.

상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 각각 신호선을 포함할 수 있다.

상기 간격재는 비아홀을 구비할 수 있고, 상기 제1 기판에 위치한 신호선과 상기 제2 기판에 위치한 신호선은 상기 비아홀을 통해 연결될 수 있다.

상기 제1 MEMS 트랜듀서와 상기 제2 MEMS 트랜듀서와 연결될 수 있고, 상기 제1 MEMS 트랜듀서와 상기 제2 MEMS 트랜듀서로부터 출력되는 전기 신호의 수신 시간차를 이용하여 음향의 방향을 판정하는 신호 처리부를 더 포함할 수 있다.

상기 신호 처리부는 상기 제1 기판이나 상기 제2 기판에 위치할 수 있다.

이러한 특징에 따르면, 서로 다른 MEMS 트랜듀서로부터 인가되는 출력신호의 시간 차를 이용하여 음향의 위치를 정확히 판정한다.

또한, 금속 재질로 이루어져 있는 캔 형태의 하부 하우징을 이용하여 MEMS 트랜듀서의 챔버(chamber)를 형성하므로, 지향성 마이크로폰 장치의 제조 비용이 절감되고, MEMS 트랜듀서의 백 챔버 영역이 증가하게 되어, 지향성 마이크로폰 장치의 성능이 향상된다.

이어 더하여, 물리적으로 상이한 복수 개의 음향 수신 경로를 기판이나 하우징에 형성하지 않고, 기판과 하부 하우징에 각각 위치한 두 개의 음향홀과 두 개의 MEMS 트랜듀서를 이용하여 음향의 방향이 판정된다. 따라서, 지향성 마이크로폰 장치의 구조가 간단해지고 제조 비용이 절감된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치의 개략적인 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치에 대해서 설명하도록 한다.

먼저, 도 1을 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치에 대해 설명한다.

도 1에 도시한 것처럼, 본 예의 마이크로폰 장치는 제1 기판(100), 제1 기판(100)의 상부에 제1 기판(100)과 대면하게 위치하고 음향홀(예 제1 음향홀)(H200)을 구비하는 제2 기판(200), 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 위치하여 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 이격시키는 간격재(300), 제1 기판(100)의 하부에 위치하고 음향홀(예, 제2 음향홀)(H400)을 구비하는 하부 하우징(400), 제1 기판(100)의 상부와 하부에 각각 위치하고 있는 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12), 그리고 제1 기판(100)의 상부와 하부에 각각 위치하고 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)에 연결되어 있는 제1 및 제2 신호 처리부(21, 22)를 구비할 수 있다.

제1 기판(100)은 지향성 마이크로폰 장치의 하부를 이루는 구성요소로 판(plate) 형태로 이루어질 수 있고, 이러한 제1 기판(100)은 회로기판(예, 경성의 회로기판)으로 이루어질 수 있다.

제2 기판(200)은 지향성 마이크로폰 장치의 상부를 이루는 구성요소로 역시 판 형태로 이루어질 수 있고, 이러한 제2 기판(200) 역시 경성의 회로기판, 반도체 기판 또는 세라믹 기판 등으로 이루어질 수 있다.

도 1에 도시한 것처럼, 제1 음향홀(H200)은 제2 기판(100)의 해당 부분을 완전히 관통하고 있고 외부로부터의 음향 유입이 이루어지는 구멍으로서, 유입된 음향은 제1 MEMS 트랜듀서(11)로 전달될 수 있다.

간격재(300)는, 이미 기술한 것처럼, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격을 이격시키기 위한 것으로서, 간격재(300)의 상단은 제2 기판(200)의 하면과 접하게 위치하고 하단은 제1 기판(100)의 상면과 접하게 위치한다.

본 예의 간격재(300)는, 도 1에 도시한 것처럼, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 비아홀(H300)을 구비할 수 있다.

비아홀(H300)은 간격재(300)의 높이 방향을 따라 위치하여, 간격재(300)의 해당 부분을 높이 방향으로 완전히 관통되게 형성된다.

이러한 비아홀(H300)의 내부는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 금속부(310)를 구비하여, 비아홀(H300)을 통해 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 신호 전송을 행할 수 있다.

또한, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 각각에는 적어도 하나의 신호선(S100, S200)이 해당 기판(100, 200)의 해당 면(예, 내부면) 표면이나 기판 속에 위치할 수 있다. 따라서, 비아홀(H300)의 금속부(310)를 통해 제1 기판(100)에 위치한 신호선(S100)과 제2 기판(200)에 위치한 신호선(S200)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 기판(100)의 상면에 위치하는 간격재(300)와 제2 기판(200)은 하부 하우징(400)의 반대편에 위치하고 제1 기판(100)의 상면을 덮어, 제1 기판(100)의 상면에 위치하는 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제1 신호 처리부(21)를 에워싸서 보호하는 상부 하우징으로 기능할 수 있다.

하부 하우징(400)은 제1 기판(100)의 하면에 위치하여 제1 기판(100)의 하면을 덮도록 위치한다.

구체적으로, 하부 하우징(400)은 상부가 개방되어 있고, 서로 연결되어 있는 측면과 하면을 구비하는 캔 형태(can type)로 이루어질 수 있다.

이러한 하부 하우징(400)은 제1 기판(100)의 하면에 결합되어, 개방된 상부는 제1 기판(100)의 하면에 의해 덮이게 되어, 하부 하우징(400)의 내부에는 제1 기판(100), 측면 및 하면에 의해 에워싸여진 공간이 형성된다.

따라서, 이 내부 공간 내에 제1 기판(100)의 하면에 위치하는 제2 MEMS 트랜듀서(12)와 제2 신호 처리부(22)가 위치하여, 하부 하우징(400)에 의해 보호된다.

하부 하우징(400)은 제1 기판(100)과 솔더(solder) 등을 통해서 연결될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 제1 기판(100)에는 접지 전위를 가지는 접지부가 형성될 수 있고, 하부 하우징(400)은 제1 기판(100)의 접지부와 전기적으로 연결되어 결합될 수 있다.

하부 하우징(400)은, 예를 들어, 스테인레스(stainless steel)와 같은 금속 등을 함유할 수 있다.

하부 하우징(400)에 위치하는 제2 음향홀(H400) 역시 제1 음향홀(H200)과 동일하게 하부 하우징(400)의 해당 부분을 완전히 관통하는 구멍으로서, 외부로부터 음향이 유입되어 제2 MEMS 트랜듀서(12) 쪽으로 유입되도록 한다.

도 1에서, 제2 기판(200)과 하부 하우징(400)에 각각 제1 및 제2 음향홀(H200, H400)의 개수는 하나이지만, 경우에 따라서는 복수의 구멍이 밀집하여 위치한 것일 수도 있다.

본 예에서, 제1 및 제2 기판(100, 200)는 대략 원기둥 형상이나 직육면체와 같은 다각면체 형상을 가질 수 있고, 간격재(300)와 하부 하우징(400)은 가운데 빈 공간을 갖고 상면이 개방된 직육면체와 같은 다각면체 형상을 가질 수 있다.

또한, 제2 기판(200)에 위치한 제1 음향홀(H200)과 하부 하우징(400)에 위치한 제2 음향홀(H400)은 원형, 타원형 또는 다각형의 평면 형상을 갖는 구멍일 수 있다.

또한, 제2 음향홀(H400)은 원하는 음향 방향에 따라 측면 등과 같이 하면이 아닌 하부 하우징(400)의 다른 위치에 위치할 수 있다.

제1 MEMS 트랜듀서(11)는 제1 음향홀(H200)과 마주하게 위치하여 제1 음향홀(H200)을 통해 입력되는 음향에 대응하는 음향 신호를 전기 신호로 변환하여 출력하는 소자이고, 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 하부 하우징(400)과 마주하고 있어 역시 제2 음향홀(H400)을 통해 입력되는 음향에 대응하는 음향 신호를 전기 신호로 변환하여 출력하는 소자이다.

이러한 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 제1 및 제2 음향홀(H200, H400)의 형성 위치에 따라 장착 위치가 정해질 수 있다.

즉, 제1 MEMS 트랜듀서(11)는 제1 음향홀(H200)에 대응되어 음향홀(H200)과 가까운 곳에 위치하고, 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 제2 음향홀(H400)에 대응되어 음향홀(H4 00)과 가까운 곳에 위치할 수 있다.

따라서, 각 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 대응하는 음향홀(H200, H400)을 통해 유입되는 음향의 감지를 다른 MEMS 트랜듀서(12, 11)보다 먼저 감지할 수 있게 된다.

본 예에서, 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)는 모두 제1 기판(100)을 중심으로 하여 상면과 하면에서 서로 대면하게 위치하고 있지만, 이에 한정되지 않고 제1 기판(100)의 해당 면에 서로 대면하지 않게 위치할 수 있다.

제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 각각 비전도성 접착제를 통해 제1 기판(100)의 상면과 하면에 각각 부착될 수 있고, 비전도성 접착제는 에폭시일 수 있다.

이러한 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)의 설치 위치에 의해, 동일한 지점에서 발생한 음향은 서로 시간 차이를 두고 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)에 의해 각각 감지되어 해당 상태의 전기 신호로 출력된다.

본 예에서, 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12) 중에서 하나의 MEMS 트랜듀서(예, 11)는 판정된 음향 방향에 따라 입력된 음향을 해당 장치(미도시)로의 출력 여부가 정해지는 메인 MEMS 트랜듀서이고, 나머지 MEMS 트랜듀서(예, 12)는 음향 방향을 판정하기 위한 보조 MEMS 트랜듀서일 수 있다.

와이어(W11, W12) 등을 통해 해당 MEMS 트랜듀서(11, 12)와 전기적 및 물리적으로 연결되어 있는 제1 및 제2 신호 처리부(21, 22)는 해당 MEMS 트랜듀서(11, 12)로부터 인가되는 전기 신호를 수신하여 처리한다.

본 예에서, 제1 및 제2 신호 처리부(21, 22)는 주문형 반도체(ASIC, application specific integrated circuit) 등으로 이루어질 수 있다.

이러한 제1 및 제2 신호 처리부(21, 22)는 타이머(timer) 등을 구비할 수 있고, 해당 MEMS 트랜듀서(11, 12)로부터 인가되는 전기 신호의 수신 시간을 판정하고, 판정된 수신 시간을 제1 및 제2 신호 처리부(21, 22) 중 하나의 신호 처리부(예, 21)로 전달한다.

따라서, 해당 신호 처리부(21)는 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12) 각각에 대한 음향 신호의 수신 시간을 비교한 후 수신 시간차를 산출하여, 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12) 중에서 음향 신호가 먼저 수신된 MEMS 트랜듀서(11, 12)를 판정해 음향의 방향을 판정하게 된다.

따라서, 해당 신호 처리부(21)는 판정된 음향의 방향에 따라 지정된 메인 MEMS 트랜듀서(11)에서 생성된 전기 신호의 출력 여부를 제어하게 된다.

본 예에서는 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)에 각각 연결된 제1 및 제2 신호 처리부(21, 22)를 구비하고 있다.

하지만, 이와 달리 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)에 모두 연결되어 있는 하나의 신호 처리부(예, 21)를 구비하여 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)로부터 출력되는 전기 신호의 처리를 실시할 수 있다. 이런 경우, 제1 기판(100)의 반대 면에 위치하고 있는 제1 신호 처리부(21)와 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 제1 기판(100)에 비아홀(via hole) 등을 형성하여 서로 전기적으로 연결하여, 제2 MEMS 트랜듀서(12)에서 출력되는 전기 신호를 신호 처리부(21)로 전달할 수 있게 된다.

이와 같이, 물리적으로 상이한 복수 개의 음향 수신 경로를 형성하기 위해 단순히 음향홀(H200, H400)과 이에 대응하는 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)를 이용하여 정확한 음향의 방향이 판정된다.

이로 인해, 사용자가 원하는 상태로의 음향 출력이 가능하여 마이크로폰 장치의 지향성 특성이 향상된다.

이처럼, 기판(100)에 상이한 형상의 음향 수신 경로를 형성할 필요가 없으므로, 지향성 마이크로폰 장치의 제작 시간이 절감되며 제작 비용 또한 절약된다.

다음, 도 2를 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 지향성 마이크로폰 장치에 대해 설명한다. 도 1과 비교하여, 동일한 구조를 갖고 같은 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 도 1과 동일한 도면 부호를 부여하고 그에 대한 자세한 설명 역시 생략한다.

도 2에 도시한 것처럼, 본 예의 지향성 마이크로폰 장치는 제1 기판(100), 제1 기판(100)의 상부에 위치하고 제1 음향홀(H200)을 구비하는 제2 기판(200), 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 이격시키는 간격재(300), 제1 기판(100)의 하부에 위치하고 제2 음향홀(H400)을 구비하는 하부 하우징(400), 제1 기판(100)의 하면에 위치하는 제2 MEMS 트랜듀서(12)를 구비할 수 있다.

본 예는 도 1에 도시한 예와 달리, 제1 MEMS 트랜듀서(11)는 제2 기판(200)의 내부면에 위치하고, 와이어(W11)를 통해 제1 MEMS 트랜듀서(11)와 전기적 및 물리적으로 연결된 신호 처리부(21) 역시 제2 기판(200)의 내부면, 즉, 제1 기판(100)과 대면하고 있는 면에 위치한다.

이때, 제2 MEMS 트랜듀서(12)와 신호 처리부(21)의 전기적인 연결은 제1 및 제2 기판(100, 200)에 형성된 신호선(S100, S200) 및 간격재(300)에 위치하는 금속부(310)의 연결을 통해 이루어질 수 있다.

본 예에서, 제2 MEMS 트랜듀서(12)는 제2 기판(200)에 장착된 신호 처리부(21)에 전기적으로 연결되어 있어 하나의 신호 처리부(21)만을 구비하고 있지만, 이미 기술한 것처럼, 도 1과 같이, 제1 및 제2 MEMS 트랜듀서(11, 12)에 각각 전기적 및 물리적으로 연결된 제1 및 제2 신호 처리부를 구비할 수 있다.

제1 MEMS 트랜듀서(11)와 신호 처리부는 에폭시와 같은 비전도성 접착제를 이용하여 제2 기판(200)의 내부면에 부착될 수 있다.

이때, 도 2에 도시한 것처럼, 제1 MEMS 트랜듀서(11)는 제1 음향홀(H200)에 대응되어 제1 음향홀(H200)을 막는 형태로 위치하여 제1 음향홀(H200)은 제1 MEMS 트랜듀서(11)의 해당 면(예, 하면)과 대면하고 있다.

이로 인해, 제1 기판(100), 간격재(300) 및 제2 기판(200)으로 에워싸여져 있는 빈 공간(S100)은 지향성 마이크로폰 장치에서 소리의 울림 현상 등을 위한 백 챔버(back chamber)로서 기능할 수 있다.

마이크로폰 장치에서, 백 챔버의 크기가 증가할수록 신호대 잡음비[SNR(signal to noise ratio)]가 향상된다.

따라서, 본 예와 같이, 제1 MEMS 트랜듀서(11)를 제2 기판(200)에 장착하게 되면, 내부 공간(S100) 전체가 백 챔버로 기능하게 되므로, 지향성 마이크로폰 장치의 성능은 더욱더 향상되는 효과가 추가적으로 발생한다.

본 발명의 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 해당 실시예에만 한정되는 것은 아니고, 서로 양립 불가능하지 않은 이상, 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 서로 다른 실시예에 병합되어 적용될 수 있다.

이상, 본 발명의 지향성 마이크로폰 장치의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

100: 제1 기판 200: 제2 기판
300: 간격재 400: 하부 하우징
11, 21: MEMS 트랜듀서 21, 22: 신호 처리부
H200, H400: 음향홀

Claims

제1 기판;
상기 제1 기판과 대면하고 있는 제1 음향홀을 구비하는 제2 기판;
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 이격시키는 간격재;
상기 제1 기판의 일 면에 상기 제1 음향홀과 마주하게 위치하는 제1 MEMS 트랜듀서;
상기 제1 기판에 위치하고 제2 음향홀을 구비하는 하부 하우징; 및
상기 일 면의 반대편인 상기 제1 기판의 타 면에 상기 제2 음향홀과 마주하게 위치하는 제2 MEMS 트랜듀서
를 포함하는 지향성 마이크로폰 장치.
제1 항에 있어서,
상기 하부 하우징은 금속으로 이루어져 있는 지향성 마이크로폰 장치.
제2항에 있어서,
상기 하부 하우징은 내부에 상기 제2 MEMS 트랜듀서를 내장하고 있는 캔 형태인 지향성 마이크로폰 장치.
삭제
삭제
제1항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 회로 기판으로 이루어져 있는 지향성 마이크로폰 장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 각각 신호선을 포함하고 있는 지향성 마이크로폰 장치.
제8항에 있어서,
상기 간격재는 비아홀을 구비하고,
상기 제1 기판에 위치한 신호선과 상기 제2 기판에 위치한 신호선은 상기 비아홀을 통해 연결되어 있는 지향성 마이크로폰 장치.
제1항에서,
상기 제1 기판의 일 면에 위치하고 있고, 상기 제1 MEMS 트랜듀서와 연결되어 있는 제1 신호 처리부; 및
상기 제1 기판의 타 면에 위치하고 있고, 상기 제2 MEMS 트랜듀서와 연결되어 있는 제2 신호 처리부
를 더 포함하고,
상기 제1 신호 처리부와 상기 제2 신호 처리부 중 하나는 상기 제1 MEMS 트랜듀서로부터 출력되는 전기 신호에 대한 제1 신호 처리부의 수신 시간과 상기 제2 MEMS 트랜듀서로부터 출력되는 전기 신호에 대한 제2 신호 처리부의 수신 시간의 수신 시간차를 이용하여 음향의 방향을 판정하는 지향성 마이크로폰 장치.
삭제