KR20150021893A - Substrate rinsing apparatus, substrate rinsing method and computer-readable recording medium - Google Patents

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KR20150021893A KR20140106991A KR20140106991A KR20150021893A KR 20150021893 A KR20150021893 A KR 20150021893A KR 20140106991 A KR20140106991 A KR 20140106991A KR 20140106991 A KR20140106991 A KR 20140106991A KR 20150021893 A KR20150021893 A KR 20150021893A
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고시 무타
히데하루 교오다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The purpose of the present invention is to provide an apparatus for cleaning a substrate which can prevent development detects. A development processing unit (U1) comprises: a rotation holding part (20) for rotating a wafer (W); and fluid nozzle h2 to h5 for emitting a cleaning fluid to a surface (Wa) of a wafer (W). A cleaning fluid is set to flow in the linear velocity direction of the wafer (W) at an arrival point at which the cleaning fluid emitted from nozzle h2 to h5 arrives. While the wafer (W) is rotating and fluid nozzle h2 to h5 are moving from the center to the circumference of the wafer (W), the emitting speed of a cleaning fluid emitted from fluid nozzle h2 to h5 is controlled to keep the difference between the flow rate of the cleaning fluid at the arrival point and the linear velocity of the wafer (W) at the arrival point within a predetermined range.

Description

기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 {SUBSTRATE RINSING APPARATUS, SUBSTRATE RINSING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a computer readable recording medium. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은, 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a computer readable recording medium.

현재, 미세 가공을 행하는 데 있어서, 포토리소그래피 기술을 사용하여 요철 패턴(예를 들어, 레지스트 패턴)을 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 상에 형성하는 것이 널리 일반적으로 행해지고 있다. 구체적으로는, 기판 상에 레지스트 재료를 도포하여 레지스트막을 형성하는 도포 공정과, 레지스트막을 노광하는 노광 공정과, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 공정에 의해 요철 패턴이 형성된다.At present, it is widely practiced to form a concavo-convex pattern (for example, a resist pattern) on a substrate (for example, a semiconductor wafer) by using a photolithography technique in microfabrication. Concretely, a concavity and convexity pattern is formed by a coating step of applying a resist material on a substrate to form a resist film, an exposure step of exposing the resist film, and a developing step of developing the exposed resist film.

현상 공정에 있어서는, 현상액에 의해 용해된 레지스트의 용해물을 현상액과 함께 세정액에 의해 기판 표면으로부터 제거하는 세정 처리를 포함한다. 이 세정 처리에 있어서, 레지스트의 용해물이 충분히 제거되지 않고 기판 상에 잔존하면, 원하는 요철 패턴이 얻어지지 않고 현상 결함이 발생할 수 있다.In the developing step, a cleaning process for removing a dissolved resist of the resist dissolved by the developing solution, together with a developing solution, from the substrate surface is carried out. In this cleaning process, if the dissolved product of the resist is not sufficiently removed and remains on the substrate, a desired concavity and convexity pattern can not be obtained and development defects may occur.

따라서, 이러한 현상 결함을 억제하기 위해, 특허문헌 1, 2에 기재된 기판의 세정 방법은, 기판을 회전시키면서, 기판의 중앙부에 세정액을 공급하여 기판의 표면 전체에 세정액을 확산시키는 공정과, 기판을 회전시키면서, 기판의 표면 상에 있어서의 세정액의 공급 위치를 기판의 중앙측으로부터 주연측으로 소정 거리만큼 이동시킴과 함께, 상기 기판의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜 건조 영역을 형성하는 공정과, 기판을 회전시키면서, 기판의 표면 상에 있어서의 세정액의 공급 위치를 기판의 주연측으로 더욱 이동시키는 공정을 포함하고 있다. 이 경우, 세정액의 공급 위치가 기판의 주연부로 이동하는 것에 수반하여, 기판의 중심부에 형성된 건조 영역도, 원심력의 작용에 의해 외측으로 확대된다. 그로 인해, 요철 패턴의 오목부 내로부터 세정액이 외측을 향해 배출되고, 레지스트의 용해물이 세정액과 함께 배출된다. 그 결과, 현상 결함의 발생이 억제된다.Therefore, in order to suppress such developing defects, the cleaning method of the substrate described in Patent Documents 1 and 2 includes a step of supplying a cleaning liquid to the central portion of the substrate while rotating the substrate to diffuse the cleaning liquid on the entire surface of the substrate, A step of moving the supply position of the cleaning liquid on the surface of the substrate by a predetermined distance from the center side of the substrate to the peripheral side while rotating the substrate and discharging a dry gas to the central portion of the substrate to form a dry region, And further moving the supply position of the cleaning liquid on the surface of the substrate to the peripheral side of the substrate while rotating the substrate. In this case, as the supply position of the cleaning liquid moves to the periphery of the substrate, the drying region formed at the central portion of the substrate also expands outward due to the action of the centrifugal force. As a result, the cleaning liquid is discharged from the concave portion of the concave-convex pattern toward the outside, and the dissolved material of the resist is discharged together with the cleaning liquid. As a result, occurrence of development defects is suppressed.

일본 특허 공개 제2009-252855호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-252855 일본 특허 공개 제2012-114409호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1-14409

그러나, 특허문헌 1, 2의 방법에 의해서도, 현상 결함이 발생하는 경우가 있었다. 그로 인해, 본 발명의 목적은, 현상 결함의 발생을 한층 더 억제하는 것이 가능한 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공하는 데 있다.However, also in the methods of Patent Documents 1 and 2, development defects sometimes occurred. Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a computer-readable recording medium capable of further suppressing the occurrence of development defects.

본 발명자들이 예의 연구한 바, 기판의 표면 상에 토출된 세정액의 액튀김에 기인하여 현상 결함이 발생할 수 있는 것이 판명되었다. 즉, 액튀김에 의해, 레지스트의 용해물을 포함하는 세정액의 액적이 주위로 비산하여, 건조 영역에 당해 액적이 부착되면, 레지스트의 용해물이 기판 상에 잔존해 버린다. 그 결과, 현상 결함이 발생해 버린다. 따라서, 본 발명자들이 더욱 연구를 진행한 바, 기판의 회전수와, 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어함으로써, 액튀김을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 발견하였다.The inventors of the present invention have studied extensively, and it has been found that development defects can occur due to liquid splashing of the cleaning liquid discharged onto the surface of the substrate. That is, when the droplet of the cleaning liquid containing the dissolved substance of the resist is scattered around by the liquid droplet, and the droplet adheres to the drying region, the dissolved substance of the resist remains on the substrate. As a result, a development defect occurs. Therefore, the inventors of the present invention have made further studies, and have found that the liquid splattering can be effectively suppressed by controlling at least one of the rotation speed of the substrate and the cleaning liquid discharge speed.

즉, 본 발명의 하나의 관점에 관한 기판 세정 장치는, 표면에 대해 수직한 축 주위로 기판을 회전시키는 회전 구동부와, 기판보다도 상방에 위치함과 함께 기판의 표면에 세정액을 토출하는, 적어도 하나의 액 노즐과, 기판의 회전수와, 액 노즐의 이동과, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도를 제어하는 제어부를 구비하고, 액 노즐로부터 토출된 세정액이 회전 구동부에 의해 회전 구동된 기판의 표면에 도달한 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향이 기판의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록 액 노즐이 설정되고, 제어부는, 회전 구동부에 의해 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어한다.That is, a substrate cleaning apparatus according to one aspect of the present invention includes: a rotation driving unit that rotates a substrate around an axis perpendicular to a surface; a rotation driving unit that is positioned above the substrate and discharges the cleaning liquid onto the surface of the substrate; And a control section for controlling the number of revolutions of the substrate, the movement of the liquid nozzle, and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle, wherein the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is supplied to the substrate The liquid nozzle is set so that the flow direction of the cleaning liquid is in a direction along the linear velocity direction of the substrate at an arrival point where the liquid reaches the surface and the control unit rotates the substrate by the rotation drive unit, While the difference between the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point is smaller than a predetermined range Into that controls at least one of the revolution speed and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle of the substrate.

본 발명의 하나의 관점에 관한 기판 세정 장치에서는, 제어부가, 회전 구동부에 의해 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어한다. 그로 인해, 도달 지점에 있어서, 세정액의 유속과 기판의 선속도의 차가 작아진다. 따라서, 기판에 도달한 세정액이 기판의 표면을 따라서 흐르기 쉬워지므로, 세정액이 주위로 비산(액튀김)하기 어려워진다. 그 결과, 현상 결함의 발생을 한층 더 억제하는 것이 가능해진다.In the substrate cleaning apparatus according to one aspect of the present invention, the control unit controls the rotation speed of the substrate by rotating the substrate, and moving the liquid nozzle from the center side of the substrate toward the peripheral side, At least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so that the difference in linear velocity of the substrate at the arrival point is within a predetermined range. Thereby, at the arrival point, the difference between the flow rate of the cleaning liquid and the linear velocity of the substrate becomes small. Therefore, the cleaning liquid that has reached the substrate is easy to flow along the surface of the substrate, so that it is difficult for the cleaning liquid to scatter (float) around the periphery. As a result, occurrence of development defects can be further suppressed.

제어부는, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 ±25m/sec로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어해도 된다. 이 경우, 세정액이 주위로 보다 비산(액튀김)하기 어려워지므로, 현상 결함의 발생을 더욱 억제하는 것이 가능해진다.The control unit controls at least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle so that the difference between the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point is 25 m / You can. In this case, since the cleaning liquid is hardly scattered (liquid splattering) to the surroundings, the occurrence of development defects can be further suppressed.

개구 면적이 서로 다르고, 또한 개구 면적의 순으로 배열되는 복수의 액 노즐을 구비하고, 제어부는, 회전 구동부에 의해 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 개구 면적이 큰 액 노즐로부터 개구 면적이 작은 액 노즐의 순으로 전환하면서 액 노즐로부터 세정액을 토출시켜도 된다. 이 경우, 세정액의 유량이 동일하면, 개구 면적이 큰 액 노즐로부터 개구 면적이 작은 액 노즐의 순으로 전환함으로써, 세정액의 토출 속도가 순차 커진다. 그로 인해, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속을, 간이한 구성으로 변화시킬 수 있다.And a plurality of liquid nozzles whose opening areas are different from each other and which are arranged in the order of the opening area. The control unit controls the rotation of the substrate by the rotation driving unit, while moving the liquid nozzle from the center side of the substrate toward the peripheral side, The cleaning liquid may be discharged from the liquid nozzle while switching from the liquid nozzle having the large opening area to the liquid nozzle having the small opening area. In this case, if the flow rates of the cleaning liquids are the same, the liquid-nozzle having a large opening area is switched in the order of the liquid-nozzle having a small opening area, whereby the discharge speed of the cleaning liquid sequentially increases. As a result, the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point can be changed to a simple configuration.

축에 대한 기울기가 서로 다르고, 또한 기울기의 순으로 배열됨과 함께, 출구가 기판의 표면을 향하는, 복수의 액 노즐을 구비하고, 제어부는, 회전 구동부에 의해 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 기울기가 작은 액 노즐로부터 기울기가 큰 액 노즐의 순으로 전환하면서 액 노즐로부터 세정액을 토출시켜도 된다. 이 경우, 세정액의 유량이 동일하면, 축에 대한 기울기가 작은 액 노즐로부터 축에 대한 기울기가 큰 액 노즐의 순으로 전환함으로써, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속 중 기판의 표면을 따르는 속도 성분이 순차 커진다. 그로 인해, 도달 지점에 있어서의 세정액의 속도를, 간이한 구성으로 변화시킬 수 있다.Wherein the substrate has a plurality of liquid nozzles whose slopes toward the axis are different from each other and which are arranged in the order of the slope and whose outlets face the surface of the substrate and the control unit rotates the substrate by the rotation driving unit, The cleaning liquid may be discharged from the liquid nozzle while the liquid nozzle is shifted from the liquid nozzle having a small inclination to the liquid nozzle having a large inclination while moving from the center side to the peripheral side of the liquid nozzle. In this case, when the flow rate of the cleaning liquid is the same, the liquid component is shifted in the order of the liquid nozzle having a small inclination with respect to the axis and the liquid nozzle having a large inclination with respect to the axis, whereby the velocity component along the surface of the substrate in the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point Increase gradually. As a result, the speed of the cleaning liquid at the arrival point can be changed to a simple configuration.

복수의 액 노즐로부터 토출되는 세정액이 기판의 표면에 도달하는 각 도달 지점이 모두 대략 동일 지점으로 되도록, 각 액 노즐과 기판의 표면의 거리와, 각 액 노즐의 기울기가 설정되어 있어도 된다. 이 경우, 액 노즐을 전환해도, 도중에 끊기는 일 없이 연속해서 세정액이 기판의 표면에 공급된다. 그로 인해, 레지스트의 용해물을 기판 상으로부터 충분히 제거할 수 있어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.The distance between each liquid nozzle and the surface of the substrate and the slope of each liquid nozzle may be set so that the arrival points at which the cleaning liquid discharged from the plurality of liquid nozzles reach the surface of the substrate are all at the same point. In this case, even when the liquid nozzle is switched, the cleaning liquid is continuously supplied to the surface of the substrate without being interrupted. As a result, the dissolved material of the resist can be sufficiently removed from the substrate, and occurrence of development defects is greatly suppressed.

기판보다도 상방에 위치함과 함께 기판의 표면에 건조 가스를 토출하는 적어도 하나의 가스 노즐을 더 구비하고, 제어부는, 가스 노즐이 액 노즐보다도 기판의 중앙측에 위치하도록, 가스 노즐 및 액 노즐을 이동시켜도 된다. 이 경우, 가스 노즐이 액 노즐보다도 기판의 중앙측에 위치하고 있으므로, 기판의 표면 중앙부에 건조 영역을 용이하게 형성할 수 있다.Wherein the gas nozzle and the liquid nozzle are arranged such that the gas nozzle is positioned at a center side of the substrate with respect to the liquid nozzle, . In this case, since the gas nozzle is located closer to the center of the substrate than the liquid nozzle, a dry region can be easily formed at the center of the substrate surface.

액 노즐은, 당해 액 노즐보다도 소직경인 복수의 소형 노즐을 묶어 1세트로 한 집합 노즐에 의해 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 소형 노즐을 사용함으로써, 각 소형 노즐로부터 토출되는 세정액의 유속을 높일 수 있음과 함께, 당해 소형 노즐을 복수 묶어 사용함으로써, 필요한 세정액의 유량을 확보할 수 있다.The liquid nozzle may be constituted by a set of nozzles in which a plurality of small nozzles smaller in diameter than the liquid nozzle are bundled into one set. In this case, by using the small nozzles, the flow rate of the cleaning liquid discharged from each small nozzle can be increased, and a necessary flow rate of the required cleaning liquid can be secured by using a plurality of small nozzles.

기판보다도 상방에 위치함과 함께 기판의 표면에 세정액을 토출하는, 적어도 하나의 다른 액 노즐을 더 구비하고, 다른 액 노즐로부터 토출된 세정액이 회전 구동부에 의해 회전 구동된 기판의 표면에 도달한 다른 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향은, 기판의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록 설정되고, 제어부는, 회전 구동부에 의해 기판을 회전시키고, 또한 다른 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 액 노즐과는 다른 방향으로 이동시키면서, 다른 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 다른 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 기판의 회전수와, 다른 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어해도 된다. 이 경우, 서로 반대 방향으로 이동하는 액 노즐로부터 각각 세정액이 기판의 표면에 토출된다. 그로 인해, 큰 사이즈의 기판에 대해서도, 기판에 충분한 양의 세정액을 공급할 수 있다.Further comprising at least one other liquid nozzle which is located above the substrate and discharges the cleaning liquid onto the surface of the substrate, and wherein the cleaning liquid discharged from the other liquid nozzle reaches the surface of the substrate rotationally driven by the rotation drive section The control unit controls the rotation of the substrate by the rotation drive unit so that the other liquid nozzle is moved from the center side of the substrate to the peripheral side of the substrate So that the difference between the flow velocity of the cleaning liquid at the other arrival point and the linear velocity of the substrate at the other arrival point is within a predetermined range, The discharge speed of the cleaning liquid may be controlled. In this case, the cleaning liquid is ejected from the liquid nozzles moving in opposite directions to the surface of the substrate. As a result, a sufficient amount of cleaning liquid can be supplied to the substrate even for a substrate of a large size.

본 발명의 다른 관점에 관한 기판 세정 방법은, 표면에 대해 수직한 축 주위로 기판을 회전시키면서, 기판보다도 상방에 위치하는 적어도 하나의 액 노즐로부터 기판의 표면 중앙부에 세정액을 토출시키고, 그 후, 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시켜, 액 노즐로부터 토출된 세정액이 기판의 표면에 도달한 도달 지점을 기판의 중앙측으로부터 주연측으로 이동시킴으로써, 기판의 표면을 세정하는 세정 공정을 포함하고, 세정 공정에서는, 액 노즐로부터 토출된 세정액이 회전 중인 기판의 표면에 도달한 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향이, 기판의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록 설정되고, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어된다.A substrate cleaning method according to another aspect of the present invention is a method for cleaning a substrate by rotating a substrate around an axis perpendicular to a surface of the substrate and discharging the cleaning liquid from at least one liquid nozzle located above the substrate to a central portion of the surface of the substrate, A cleaning step of cleaning the surface of the substrate by moving the liquid nozzle from the center side of the substrate to the peripheral side and moving the arrival point where the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the substrate from the center side to the peripheral side of the substrate, In the cleaning step, the flow direction of the cleaning liquid is set so as to be in the direction along the linear velocity direction of the substrate at an arrival point where the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the rotating substrate, While moving the liquid nozzle from the center side to the peripheral side of the substrate, the cleaning liquid at the arrival point At least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so that the difference between the flow velocity of the liquid nozzle and the linear velocity of the substrate at the arrival point is within a predetermined range.

본 발명의 다른 관점에 관한 기판 세정 방법에서는, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어된다. 그로 인해, 도달 지점에 있어서, 세정액의 유속과 기판의 선속도의 차가 작아진다. 따라서, 기판에 도달한 세정액이 기판의 표면을 따라서 흐르기 쉬워지므로, 세정액이 주위로 비산(액튀김)되기 어려워진다. 그 결과, 현상 결함의 발생을 한층 더 억제하는 것이 가능해진다.In the substrate cleaning method according to another aspect of the present invention, the substrate is rotated, and the liquid nozzle is moved from the center side of the substrate toward the peripheral side while the flow velocity of the cleaning liquid at the arrival point and the line At least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so that the difference in speed is within a predetermined range. Thereby, at the arrival point, the difference between the flow rate of the cleaning liquid and the linear velocity of the substrate becomes small. Therefore, the cleaning liquid that has reached the substrate is easy to flow along the surface of the substrate, so that the cleaning liquid is hardly scattered to the surroundings (liquid splashing). As a result, occurrence of development defects can be further suppressed.

세정 공정에서는, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 ±25m/sec로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어되어도 된다. 이 경우, 세정액이 주위로 보다 비산(액튀김)하기 어려워지므로, 현상 결함의 발생을 더욱 억제하는 것이 가능해진다.In the cleaning step, at least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is set so that the difference between the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point is ± 25 m / . In this case, since the cleaning liquid is hardly scattered (liquid splattering) to the surroundings, the occurrence of development defects can be further suppressed.

세정 공정에서는, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키고 있는 동안, 액 노즐이 기판의 주연부를 향함에 따라 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속이 커지도록 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도가 제어되어도 된다. 이 경우, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되어 있으므로, 액 노즐이 기판의 주연부를 향함에 따라 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속이 커지면, 그것과 함께 기판의 선속도도 커진다. 그로 인해, 액 노즐의 이동에 따라서, 건조 영역이 외측으로 확대되기 쉬워진다. 따라서, 액 노즐이 기판의 주연부로 이동하는 속도에 비해 건조 영역이 외측으로 확대되는 속도가 극히 느려지는 것(이른바, 건조 지연)을 억제할 수 있다. 즉, 건조 지연에 의해 레지스트의 용해물이 기판 상에 잔존하는 것이 억제되어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In the cleaning process, while the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side of the substrate toward the peripheral side, the liquid nozzle is moved so that the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point increases as the liquid nozzle faces the periphery of the substrate. The discharge speed of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge port may be controlled. In this case, since the difference between the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point is within a predetermined range, when the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point increases as the liquid nozzle faces the periphery of the substrate , And the linear velocity of the substrate increases with that. As a result, as the liquid nozzle moves, the dry area is likely to expand outward. Therefore, it is possible to suppress the rate at which the drying region is expanded outward (so-called drying delay) to be slower than the speed at which the liquid nozzle moves to the periphery of the substrate. That is, it is suppressed that the dissolved product of the resist is left on the substrate due to the drying delay, so that occurrence of development defects is greatly suppressed.

세정 공정에서는, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키고 있는 동안, 도달 지점에 있어서의 기판의 구심 가속도가 대략 일정해지도록 기판의 회전수가 제어되어도 된다. 이 경우, 웨이퍼의 중앙부로부터 주연부를 향하는 방향에 있어서, 도달 위치에서의 세정액에 작용하는 원심력이 대략 일정해진다. 그로 인해, 액 노즐의 이동에 따라서, 건조 영역이 외측으로 확대되기 쉬워진다. 따라서, 액 노즐이 기판의 주연부로 이동하는 속도에 비해 건조 영역이 외측으로 확대되는 속도가 극히 느려지는 것(이른바, 건조 지연)을 억제할 수 있다. 즉, 건조 지연에 의해 레지스트의 용해물이 기판 상에 잔존하는 것이 억제되어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In the cleaning step, the number of revolutions of the substrate may be controlled so that the center-of-gravity acceleration of the substrate at the arrival point becomes substantially constant while the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center toward the periphery of the substrate. In this case, the centrifugal force acting on the cleaning liquid at the arrival position is substantially constant in the direction from the central portion of the wafer to the peripheral portion. As a result, as the liquid nozzle moves, the dry area is likely to expand outward. Therefore, it is possible to suppress the rate at which the drying region is expanded outward (so-called drying delay) to be slower than the speed at which the liquid nozzle moves to the periphery of the substrate. That is, it is suppressed that the dissolved product of the resist is left on the substrate due to the drying delay, so that occurrence of development defects is greatly suppressed.

세정 공정에서는, 개구 면적이 서로 다르고, 또한 개구 면적의 순으로 배열되는 복수의 액 노즐로부터 기판의 표면에 세정액을 토출시켜 기판의 표면을 세정 하는 데 있어서, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 개구 면적이 큰 액 노즐로부터 개구 면적이 작은 액 노즐의 순으로 전환하면서 액 노즐로부터 세정액을 토출시켜도 된다. 이 경우, 세정액의 유량이 동일하면, 개구 면적이 큰 액 노즐로부터 개구 면적이 작은 액 노즐의 순으로 전환함으로써, 세정액의 토출 속도가 순차 커진다. 그로 인해, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속을, 간이한 구성으로 변화시킬 수 있다.In the cleaning step, in cleaning the surface of the substrate by discharging the cleaning liquid onto the surface of the substrate from a plurality of liquid nozzles having different opening areas and arranged in the order of the opening area, the substrate is rotated, The cleaning liquid may be discharged from the liquid nozzle while changing over from the liquid nozzle having the larger opening area to the liquid nozzle having the smaller opening area. In this case, if the flow rates of the cleaning liquids are the same, the liquid-nozzle having a large opening area is switched in the order of the liquid-nozzle having a small opening area, whereby the discharge speed of the cleaning liquid sequentially increases. As a result, the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point can be changed to a simple configuration.

세정 공정에서는, 축에 대한 기울기가 서로 다르고, 또한 기울기의 순으로 배열됨과 함께, 출구가 기판의 표면을 향하는, 복수의 액 노즐로부터, 기판의 표면에 세정액을 토출시켜 기판의 표면을 세정하는 데 있어서, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 기울기가 작은 액 노즐로부터 기울기가 큰 액 노즐의 순으로 전환하면서 액 노즐로부터 세정액을 토출시켜도 된다. 이 경우, 세정액의 유량이 동일하면, 축에 대한 기울기가 작은 액 노즐로부터 축에 대한 기울기가 큰 액 노즐의 순으로 전환함으로써, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속 중 기판의 표면을 따르는 속도 성분이 순차 커진다. 그로 인해, 도달 지점에 있어서의 세정액의 속도를, 간이한 구성으로 변화시킬 수 있다.In the cleaning process, the cleaning liquid is discharged from the plurality of liquid nozzles, the outlets of which are aligned in the order of the inclination with respect to the axis and in the order of the inclination, to the surface of the substrate to clean the surface of the substrate The cleaning liquid may be discharged from the liquid nozzle while the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side of the substrate toward the peripheral side while switching from the liquid nozzle having a small slope to the liquid nozzle having a large slope. In this case, when the flow rate of the cleaning liquid is the same, the liquid component is shifted in the order of the liquid nozzle having a small inclination with respect to the axis and the liquid nozzle having a large inclination with respect to the axis, whereby the velocity component along the surface of the substrate in the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point Increase gradually. As a result, the speed of the cleaning liquid at the arrival point can be changed to a simple configuration.

세정 공정에서는, 기판을 회전시키고, 또한 적어도 하나의 가스 노즐로부터 기판의 표면 중앙부로 건조 가스를 토출시키고, 기판의 표면 중앙부에 건조 영역을 형성한 후, 기판을 회전시키고, 또한 액 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 기판의 회전수와, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어되어도 된다. 이 경우, 액 노즐이 기판의 주연부로 이동하는 것에 수반하여, 기판의 중앙부에 형성된 건조 영역도, 원심력의 작용에 의해 외측으로 확대된다. 그로 인해, 세정액이 외측을 향해 배출되어, 레지스트의 용해물이 건조 영역에 남기 어려워진다. 덧붙여, 액튀김이 발생하기 어려운 것과 더불어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In the cleaning step, the substrate is rotated, and the drying gas is discharged from at least one gas nozzle to the center of the surface of the substrate. After the drying region is formed at the center of the substrate surface, the substrate is rotated, The number of revolutions of the substrate and the number of times of ejection of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle are controlled so that the difference between the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point falls within a predetermined range, Speed may be controlled. In this case, as the liquid nozzle moves to the periphery of the substrate, the drying region formed at the central portion of the substrate also expands outward due to the action of the centrifugal force. As a result, the cleaning liquid is discharged toward the outside, making it difficult for the dissolved resist to remain in the drying area. Incidentally, in addition to the fact that liquid splashing is difficult to occur, occurrence of development defects is greatly suppressed.

세정 공정에서는, 복수의 액 노즐로부터 기판의 표면에 세정액을 토출시킴과 함께, 복수의 가스 노즐로부터 기판의 표면에 건조 가스를 세정액의 도달 지점보다도 중앙측으로 토출시키는 데 있어서, 복수의 액 노즐 및 복수의 가스 노즐을 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 복수의 액 노즐의 전환에 맞추어 각 가스 노즐을 차례로 전환하면서 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시켜도 된다. 이 경우, 세정액이 토출되는 액 노즐이 순차 전환되는 것에 수반하여, 세정액이 토출되고 있는 액 노즐에 가까운 위치에 있는 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시킴으로써, 건조 가스의 기판에의 도달 위치와, 세정액의 기판에의 도달 위치의 거리가 유지되므로, 이른바 건조 지연이 억제된다. 그로 인해, 건조 지연에 의해 레지스트의 용해물이 기판 상에 잔존하기 어려워져, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In the cleaning step, in order to discharge the cleaning liquid from the plurality of liquid nozzles to the surface of the substrate and to discharge the drying gas from the plurality of gas nozzles toward the center of the substrate from the reaching point of the cleaning liquid, The dry gas may be discharged from the gas nozzle while sequentially moving the gas nozzles in accordance with the switching of the plurality of liquid nozzles while moving the gas nozzles of the gas nozzles toward the peripheral side from the center side of the substrate. In this case, as the liquid nozzles to which the cleaning liquid is discharged are sequentially switched, the drying gas is discharged from the gas nozzle located near the liquid nozzle from which the cleaning liquid is discharged, The distance of the reaching position to the substrate is maintained, so that the so-called drying delay is suppressed. As a result, the dissolution of the resist does not remain on the substrate due to the drying delay, and the occurrence of development defects is greatly suppressed.

본 발명의 다른 관점에 관한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 상기한 어느 하나의 기판 세정 방법을 기판 세정 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예를 들어, 각종 주 기억 장치 또는 보조 기억 장치)나, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예를 들어, 네트워크를 통해 제공 가능한 데이터 신호)가 포함된다.A computer-readable recording medium according to another aspect of the present invention records a program for causing the substrate cleaning apparatus to execute any of the above-described substrate cleaning methods. Also, in this specification, a computer-readable recording medium includes a non-transitory computer recording medium (for example, various main storage or auxiliary storage), a transitory computer recording medium) (for example, a data signal that can be provided through a network).

본 발명에 따르면, 현상 결함의 발생을 한층 더 억제하는 것이 가능한 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a computer readable recording medium capable of further suppressing the occurrence of development defects.

도 1은 도포·현상 시스템을 도시하는 사시도.
도 2는 도 1의 II-II선 단면도.
도 3은 도 2의 III-III선 단면도.
도 4는 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 5는 기판 처리 장치를 도시하는 상면도.
도 6의 (a)는 세정·건조 헤드를 도시하는 상면도, 도 6의 (b)는 세정·건조 헤드를 도시하는 측면도.
도 7은 현상액을 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 8은 세정액을 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 9는 세정액 및 건조 가스를 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 10은 세정액 및 건조 가스를 공급하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 11은 웨이퍼의 회전수 및 세정액의 유속의 변화를 설명하기 위한 도면.
도 12는 선속도 제어시, 웨이퍼 직경 방향에 있어서의 헤드의 위치와, 건조 지연 거리의 관계를 나타내는 도면.
도 13은 구심 가속도 제어시, 웨이퍼 직경 방향에 있어서의 헤드의 위치와, 건조 지연 거리의 관계를 나타내는 도면.
도 14는 웨이퍼 직경 방향에 있어서의 헤드의 위치와, 웨이퍼 회전수의 관계를 나타내는 도면.
도 15는 웨이퍼 직경 방향에 있어서의 헤드의 위치와, 웨이퍼 선속도의 관계를 나타내는 도면.
도 16은 헤드 이동 속도와, 처리 시간의 관계를 나타내는 도면.
도 17은 세정·건조 헤드의 다른 예를 나타내는 도면.
도 18은 집합 노즐을 도시하는 도면.
도 19는 웨이퍼의 회전수 및 세정액의 유속의 변화의 다른 예를 설명하기 위한 도면.
도 20은 세정액 및 건조 가스를 공급하는 공정의 다른 예를 설명하기 위한 도면.
도 21은 웨이퍼의 회전수 및 세정액의 유속의 변화의 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a perspective view showing a coating / developing system;
2 is a sectional view taken along the line II-II in Fig.
3 is a sectional view taken along line III-III in Fig.
4 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus;
5 is a top view showing a substrate processing apparatus.
6 (a) is a top view showing a cleaning / drying head, and Fig. 6 (b) is a side view showing a cleaning / drying head.
7 is a view for explaining a step of supplying developer.
8 is a view for explaining a step of supplying a cleaning liquid;
9 is a view for explaining a step of supplying a cleaning liquid and a drying gas;
10 is a view for explaining a process of supplying a cleaning liquid and a drying gas;
11 is a view for explaining a change in the number of revolutions of the wafer and the flow rate of the cleaning liquid.
12 is a view showing the relationship between the position of the head and the drying delay distance in the direction of the diameter of the wafer in the linear speed control.
13 is a diagram showing the relationship between the position of the head in the wafer diameter direction and the drying delay distance during the centripetal acceleration control.
14 is a view showing the relationship between the position of the head in the wafer diameter direction and the wafer rotation speed;
15 is a diagram showing the relationship between the position of the head in the wafer diameter direction and the linear velocity of the wafer.
16 is a diagram showing the relationship between the head moving speed and the processing time;
17 is a view showing another example of a cleaning / drying head.
18 is a view showing a collecting nozzle;
19 is a diagram for explaining another example of the change in the number of revolutions of the wafer and the flow rate of the cleaning liquid.
20 is a view for explaining another example of a process of supplying a cleaning liquid and a drying gas;
21 is a view for explaining another example of changes in the number of revolutions of the wafer and the flow rate of the cleaning liquid;

본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명하지만, 이하의 본 실시 형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명을 이하의 내용에 한정하는 취지는 아니다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 사용하는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다.The embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the following embodiments are merely examples for explaining the present invention and are not intended to limit the present invention to the following contents. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant explanations are omitted.

우선, 도 1∼도 3에 도시되는 도포·현상 장치(1)의 구성 개요에 대해 설명한다. 도포·현상 장치(1)는, 노광 장치(E1)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(기판)(W)의 표면에 레지스트 재료를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행한다. 도포·현상 장치(1)는 노광 장치(E1)에 의한 노광 처리 후에, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 웨이퍼(W)는 원판 형상을 나타내지만, 원형의 일부가 절결되어 있거나, 다각형 등의 원형 이외의 형상을 나타내는 웨이퍼를 사용해도 된다.First, a configuration outline of the coating and developing apparatus 1 shown in Figs. 1 to 3 will be described. The coating and developing apparatus 1 performs a process for forming a resist film by applying a resist material to the surface of a wafer (substrate) W before exposure processing by the exposure apparatus E1. The coating and developing apparatus 1 performs development processing of a resist film formed on the surface of the wafer W after exposure processing by the exposure apparatus E1. In the present embodiment, the wafer W shows a disc shape, but a wafer in which a part of the circular shape is notched or a shape other than a circular shape such as a polygon may be used.

도포·현상 장치(1)는, 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 캐리어 블록(S1)과, 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)과, 도포·현상 장치(1)의 제어 수단으로서 기능하는 제어 장치(CU)를 구비한다. 본 실시 형태에 있어서, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3) 및 노광 장치(E1)는, 이 순서로 직렬로 배열되어 있다.1 and 2, the coating and developing apparatus 1 includes a carrier block S1, a processing block S2, an interface block S3, a control unit of the coating and developing apparatus 1 And a control unit (CU) functioning as a means. In the present embodiment, the carrier block S1, the processing block S2, the interface block S3 and the exposure apparatus E1 are arranged in series in this order.

캐리어 블록(S1)은, 도 1 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 캐리어 스테이션(12)과, 반입·반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은, 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는, 복수매의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용한다. 캐리어(11)는 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 한쪽의 측면(11a)측에 갖는다. 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입·반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.The carrier block S1 has a carrier station 12 and a carry-in / carry-out section 13 as shown in Figs. The carrier station 12 supports a plurality of carriers 11. The carrier 11 accommodates a plurality of wafers W in a sealed state. The carrier 11 has an opening / closing door (not shown) for loading / unloading the wafer W on one side surface 11a side. The carrier 11 is detachably mounted on the carrier station 12 such that the side surface 11a faces the loading / unloading section 13 side.

반입·반출부(13)는, 도 1∼도 3에 도시되는 바와 같이, 캐리어 스테이션(12) 상의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 동시에 개방되면, 캐리어(11) 내와 반입·반출부(13) 내가 연통된다. 반입·반출부(13)는, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 전달 아암(A1)을 내장하고 있다. 전달 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)에 전달한다. 전달 아암(A1)은, 처리 블록(S2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.The loading / unloading section 13 has an opening / closing door 13a corresponding to each of the plurality of carriers 11 on the carrier station 12, as shown in Figs. When the opening and closing door of the side face 11a and the opening and closing door 13a of the loading and unloading section 13 are simultaneously opened, the inside of the carrier 11 and the loading / unloading section 13 are communicated with each other. As shown in Figs. 2 and 3, the carrying-in / carrying-out section 13 incorporates a carrying arm A1. The transfer arm A1 takes out the wafer W from the carrier 11 and transfers it to the processing block S2. The transfer arm A1 receives the wafer W from the processing block S2 and returns it to the carrier 11. [

처리 블록(S2)은, 도 1∼도 3에 도시되는 바와 같이, 캐리어 블록(S1)에 인접함과 함께, 캐리어 블록(S1)과 접속되어 있다. 처리 블록(S2)은, 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 하층 반사 방지막 형성(BCT) 블록(14)과, 레지스트막 형성(COT) 블록(15)과, 상층 반사 방지막 형성(TCT) 블록(16)과, 현상 처리(DEV) 블록(17)을 갖는다. DEV 블록(17), BCT 블록(14), COT 블록(15) 및 TCT 블록(16)은, 저면측으로부터 이 순서로 나란히 배치되어 있다.As shown in Figs. 1 to 3, the processing block S2 is adjacent to the carrier block S1 and is connected to the carrier block S1. As shown in FIGS. 1 and 2, the processing block S2 includes a lower antireflection film forming (BCT) block 14, a resist film forming (COT) block 15, an upper antireflection film forming (TCT) A block 16, and a development processing (DEV) block 17. The DEV block 17, the BCT block 14, the COT block 15 and the TCT block 16 are arranged side by side in this order from the bottom surface side.

BCT 블록(14)은, 도 2에 도시되는 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A2)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 반사 방지막 형성용 약액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 예를 들어 냉각판에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.2, the BCT block 14 includes a coating unit (not shown), a heating / cooling unit (not shown), a transfer arm A2 for transferring the wafer W to these units, . The application unit applies the chemical solution for forming an anti-reflection film to the surface of the wafer W. The heating / cooling unit heats the wafer W by, for example, a heating plate, and then cools the wafer W by, for example, a cooling plate. Thus, a lower-layer antireflection film is formed on the surface of the wafer W.

COT 블록(15)은, 도 2에 도시되는 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A3)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 레지스트막 형성용의 약액(레지스트 재료)을 하층 반사 방지막의 상에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 예를 들어 냉각판에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 레지스트 재료는, 포지티브형이어도 되고, 네거티브형이어도 된다.2, the COT block 15 includes a coating unit (not shown), a heating and cooling unit (not shown), a conveying arm A3 for conveying the wafer W to these units, . The coating unit applies a chemical solution (resist material) for forming a resist film onto the lower layer antireflection film. The heating / cooling unit heats the wafer W by, for example, a heating plate, and then cools the wafer W by, for example, a cooling plate. Thus, a resist film is formed on the lower layer anti-reflective film of the wafer W. The resist material may be a positive type or a negative type.

TCT 블록(16)은, 도 2에 도시되는 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A4)을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 반사 방지막 형성용 약액을 레지스트막 상에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 예를 들어 냉각판에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.2, the TCT block 16 includes a coating unit (not shown), a heating / cooling unit (not shown), a transport arm A4 for transporting the wafer W to these units, . The coating unit applies a chemical solution for forming an antireflection film on the resist film. The heating / cooling unit heats the wafer W by, for example, a heating plate, and then cools the wafer W by, for example, a cooling plate. Thus, an upper antireflection film is formed on the resist film of the wafer W.

DEV 블록(17)은, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 복수의 현상 처리 유닛(기판 처리 장치)(U1)과, 복수의 가열·냉각 유닛(열처리부)(U2)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A5)과, 이들 유닛을 거치지 않고 처리 블록(S2)의 전후 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A6)을 내장하고 있다.2 and 3, the DEV block 17 includes a plurality of development processing units (substrate processing apparatuses) U1, a plurality of heating and cooling units (heat treatment units) U2, And a transfer arm A6 for transferring the wafer W between the front and rear of the processing block S2 without passing through these units.

현상 처리 유닛(U1)은, 후술하는 바와 같이, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 가열·냉각 유닛(U2)은, 예를 들어 열판에 의한 웨이퍼(W)의 가열을 통해, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막을 가열한다. 가열·냉각 유닛(U2)은, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각한다. 가열·냉각 유닛(U2)은, 포스트 익스포저 베이크(PEB), 포스트 베이크(PB) 등의 가열 처리를 행한다. PEB는, 현상 처리 전에 레지스트막을 가열하는 처리이다. PB는, 현상 처리 후에 레지스트막을 가열하는 처리이다.The development processing unit U1 performs development processing of the exposed resist film as described later. The heating / cooling unit U2 heats the resist film on the wafer W, for example, by heating the wafer W by a heat plate. The heating / cooling unit (U2) cools the wafer (W) after heating, for example, by a cooling plate. The heating / cooling unit U2 performs heat treatment such as post exposure bake (PEB), post bake (PB) and the like. PEB is a process for heating the resist film before the development process. PB is a process for heating the resist film after the development process.

도 1∼도 3에 도시되는 바와 같이, 처리 블록(S2) 중 캐리어 블록(S1)측에는, 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 복수의 셀(C30∼C38)을 갖는다. 셀(C30∼C38)은, DEV 블록(17)과 TCT 블록(16) 사이에 있어서 상하 방향으로 나란히 배치되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는, 승강 아암(A7)이 설치되어 있다. 승강 아암(A7)은, 셀(C30∼C38)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.As shown in Figs. 1 to 3, a shelf unit U10 is provided on the carrier block S1 side of the processing block S2. The shelf unit U10 has a plurality of cells C30 to C38. Cells C30 to C38 are arranged in the vertical direction between DEV block 17 and TCT block 16. [ An elevating arm A7 is provided in the vicinity of the shelf unit U10. The lifting arm A7 carries the wafer W between the cells C30 to C38.

처리 블록(S2) 중 인터페이스 블록(S3)측에는, 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 복수의 셀(C40∼C42)을 갖는다. 셀(C40∼C42)은, DEV 블록(17)에 인접하여, 상하 방향으로 나란히 배치되어 있다.A shelf unit U11 is provided on the interface block S3 side in the processing block S2. The shelf unit U11 has a plurality of cells C40 to C42. Cells C40 to C42 are arranged adjacent to the DEV block 17 in the vertical direction.

인터페이스 블록(S3)은, 도 1∼도 3에 도시되는 바와 같이, 처리 블록(S2) 및 노광 장치(E1) 사이에 위치함과 함께, 처리 블록(S2) 및 노광 장치(E1) 각각에 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 전달 아암(A8)을 내장하고 있다. 전달 아암(A8)은, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U11)으로부터 노광 장치(E1)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 전달 아암(A8)은, 노광 장치(E1)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, 선반 유닛(U11)에 웨이퍼(W)를 복귀시킨다.The interface block S3 is located between the processing block S2 and the exposure apparatus E1 and is connected to the processing block S2 and the exposure apparatus E1 as shown in Figs. . As shown in Figs. 2 and 3, the interface block S3 includes a transfer arm A8. The transfer arm A8 transfers the wafer W from the lathe unit U11 of the processing block S2 to the exposure apparatus E1. The transfer arm A8 receives the wafer W from the exposure apparatus E1 and returns the wafer W to the lathe unit U11.

제어 장치(CU)는, 제어용 컴퓨터이며, 도 1에 도시되는 바와 같이, 기억부(CU1)와, 제어부(CU2)를 갖는다. 기억부(CU1)는, 도포·현상 장치(1)의 각 부나 노광 장치(E1)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억부(CU1)는, 예를 들어 반도체 메모리, 광 기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광 자기 기록 디스크이다. 당해 프로그램은, 기억부(CU1)와는 별체의 외부 기억 장치나, 전파 신호 등의 무형의 매체에도 포함될 수 있다. 이들 다른 매체로부터 기억부(CU1)에 당해 프로그램을 인스톨하여, 기억부(CU1)에 당해 프로그램을 기억시켜도 된다. 제어부(CU2)는, 기억부(CU1)로부터 판독한 프로그램에 기초하여, 도포·현상 장치(1)의 각 부나 노광 장치(E1)의 각 부 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(CU)는, 처리 조건의 설정 화면을 표시하는 표시부(도시하지 않음)나, 처리 조건을 작업자가 입력 가능한 입력부(도시하지 않음)를 더 갖고, 입력부를 통해 입력된 조건에 따라서 도포·현상 장치(1)의 각 부나 노광 장치(E1)의 각 부를 동작시켜도 된다.The control unit CU is a control computer and has a storage unit CU1 and a control unit CU2 as shown in Fig. The storage unit CU1 stores a program for operating each section of the coating and developing apparatus 1 and each section of the exposure apparatus E1. The storage unit CU1 is, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, and a magneto-optical recording disk. The program may be included in an external storage device that is separate from the storage unit CU1 or an intangible medium such as a radio wave signal. The program may be installed in the storage unit CU1 from these other media, and the program may be stored in the storage unit CU1. The control unit CU2 controls each unit of the coating and developing apparatus 1 and each sub operation of the exposure apparatus E1 based on the program read from the storage unit CU1. The control unit CU further includes a display unit (not shown) for displaying a setting screen of the processing conditions and an input unit (not shown) for inputting the processing conditions to the operator. Each section of the coating and developing apparatus 1 and each section of the exposure apparatus E1 may be operated.

다음으로, 도포·현상 장치(1)의 동작 개요에 대해 설명한다. 우선, 캐리어(11)가 캐리어 스테이션(12)에 설치된다. 이때, 캐리어(11)의 한쪽의 측면(11a)은 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)를 향하게 된다. 계속해서, 캐리어(11)의 개폐 도어와, 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 모두 개방되어, 전달 아암(A1)에 의해, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)가 취출되고, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀에 순차 반송된다.Next, an operation outline of the coating and developing apparatus 1 will be described. First, the carrier 11 is installed in the carrier station 12. At this time, one side surface 11a of the carrier 11 faces the opening / closing door 13a of the carry-in / carry-out section 13. [ The opening and closing door of the carrier 11 and the opening and closing door 13a of the loading and unloading section 13 are both opened and the wafer W in the carrier 11 is taken out by the transfer arm A1 , And the shelf unit U10 of the processing block S2.

웨이퍼(W)가 전달 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀에 반송된 후, 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, BCT 블록(14)에 대응하는 셀(C33)에 순차 반송된다. 셀(C33)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A2)에 의해 BCT 블록(14) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 아암(A2)에 의해 웨이퍼(W)가 BCT 블록(14) 내를 반송되는 과정에서, 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.After the wafer W is transferred to any one of the shelf unit U10 by the transfer arm A1, the wafer W is transferred to the cell corresponding to the BCT block 14 by the lifting arm A7 (C33). The wafer W transferred to the cell C33 is transferred to each unit in the BCT block 14 by the transfer arm A2. The lower layer antireflection film is formed on the surface of the wafer W in the process of transferring the wafer W in the BCT block 14 by the transfer arm A2.

하층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A2)에 의해 셀(C33) 위의 셀(C34)에 반송된다. 셀(C34)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, COT 블록(15)에 대응하는 셀(C35)에 반송된다. 셀(C35)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 COT 블록(15) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 아암(A3)에 의해 웨이퍼(W)가 COT 블록(15) 내를 반송되는 과정에서, 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.The wafer W on which the lower antireflection film is formed is carried to the cell C34 on the cell C33 by the transfer arm A2. The wafer W transferred to the cell C34 is transferred to the cell C35 corresponding to the COT block 15 by the elevating arm A7. The wafer W transferred to the cell C35 is transferred to each unit in the COT block 15 by the transfer arm A3. A resist film is formed on the lower anti-reflective film in the process of transporting the wafer W in the COT block 15 by the transfer arm A3.

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 셀(C35) 위의 셀(C36)에 반송된다. 셀(C36)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, TCT 블록(16)에 대응하는 셀(C37)에 반송된다. 셀(C37)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4)에 의해 TCT 블록(16) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 아암(A4)에 의해 웨이퍼(W)가 TCT 블록(16) 내를 반송되는 과정에서, 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.The wafer W on which the resist film has been formed is carried to the cell C36 on the cell C35 by the transfer arm A3. The wafer W transferred to the cell C36 is transferred to the cell C37 corresponding to the TCT block 16 by the elevating arm A7. The wafer W transferred to the cell C37 is transferred to each unit in the TCT block 16 by the transfer arm A4. An upper antireflection film is formed on the resist film in the process of transferring the wafer W in the TCT block 16 by the transfer arm A4.

상층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4)에 의해 셀(C37) 위의 셀(C38)에 반송된다. 셀(C38)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해 셀(C32)에 반송된 후, 반송 아암(A6)에 의해 선반 유닛(U11)의 셀(C42)에 반송된다. 셀(C42)에 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(S3)의 전달 아암(A8)에 의해 노광 장치(E1)에 전달되고, 노광 장치(E1)에 있어서 레지스트막의 노광 처리가 행해진다. 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 전달 아암(A8)에 의해 셀(C42) 아래의 셀(C40, C41)에 반송된다.The wafer W on which the upper antireflection film is formed is transferred to the cell C38 on the cell C37 by the transfer arm A4. The wafer W transported to the cell C38 is transported to the cell C32 by the lifting arm A7 and then transported to the cell C42 of the shelf unit U11 by the transport arm A6. The wafer W transferred to the cell C42 is transferred to the exposure apparatus E1 by the transfer arm A8 of the interface block S3 and exposure processing of the resist film is performed in the exposure apparatus E1. The wafer W subjected to the exposure process is transferred to the cells C40 and C41 under the cell C42 by the transfer arm A8.

셀(C40, C41)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A5)에 의해, DEV 블록(17) 내의 각 유닛에 반송되고, 현상 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상에 레지스트 패턴(요철 패턴)이 형성된다. 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A5)에 의해 선반 유닛(U10) 중 DEV 블록(17)에 대응한 셀(C30, C31)에 반송된다. 셀(C30, C31)에 반송된 웨이퍼(W)는, 승강 아암(A7)에 의해, 전달 아암(A1)이 액세스 가능한 셀에 반송되고, 전달 아암(A1)에 의해, 캐리어(11) 내로 복귀된다.The wafer W transferred to the cells C40 and C41 is transferred to each unit in the DEV block 17 by the transfer arm A5 and development processing is performed. Thereby, a resist pattern (concave-convex pattern) is formed on the surface of the wafer W. The wafer W on which the resist pattern is formed is transferred to the cells C30 and C31 corresponding to the DEV block 17 in the lathe unit U10 by the transfer arm A5. The wafer W carried to the cells C30 and C31 is transferred to the cells accessible by the transfer arm A1 by the lifting arm A7 and returned to the carrier 11 by the transfer arm A1 do.

또한, 상술한 도포·현상 장치(1)의 구성 및 동작은 일례에 불과하다. 도포·현상 장치(1)는, 도포 유닛이나 현상 처리 유닛 등의 액 처리 유닛과, 가열·냉각 유닛 등의 전처리·후처리 유닛과, 반송 장치를 구비하고 있으면 된다. 즉, 이들 각 유닛의 개수, 종류, 레이아웃 등은 적절하게 변경 가능하다.The configuration and operation of the above-described coating and developing apparatus 1 are merely an example. The coating and developing apparatus 1 may be provided with a liquid processing unit such as a coating unit or a developing processing unit, a pre-processing and post-processing unit such as a heating and cooling unit, and a carrying device. That is, the number, type, layout, and the like of each of these units can be appropriately changed.

다음으로, 현상 처리 유닛(기판 처리 장치)(U1)에 대해, 더욱 상세하게 설명한다. 현상 처리 유닛(U1)은, 도 4에 도시되는 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)와, 승강 장치(22)와, 현상액 공급부(23)와, 표면 세정·건조부(100)와, 이면 세정부(26)를 구비한다.Next, the developing processing unit (substrate processing apparatus) U1 will be described in more detail. 4, the development processing unit U1 includes a rotation holding portion 20, a lifting device 22, a developer supply portion 23, a surface cleaning / drying portion 100, (26).

회전 보유 지지부(20)는, 전동 모터 등의 동력원을 내장한 본체부(20a)와, 본체부(20a)로부터 연직 상방으로 연장되는 회전축(20b)과, 회전축(20b)의 선단부에 설치된 척(20c)을 갖는다. 본체부(20a)는, 동력원에 의해 회전축(20b) 및 척(20c)을 회전시킨다. 척(20c)은, 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 예를 들어 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 대략 수평하게 유지한다. 즉, 회전 보유 지지부(20)는, 웨이퍼(W)의 자세가 대략 수평한 상태에서, 웨이퍼(W)의 표면에 대해 수직한 중심축(연직축) 주위로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 본 실시 형태에서는, 도 4 및 도 5 등에 도시되는 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)는, 상방으로부터 볼 때 정시계 방향으로 웨이퍼(W)를 회전시킨다.The rotation holding portion 20 includes a main body portion 20a incorporating a power source such as an electric motor, a rotation shaft 20b extending vertically upward from the main body portion 20a, a chuck 20c. The body portion 20a rotates the rotary shaft 20b and the chuck 20c by a power source. The chuck 20c supports the central portion of the wafer W and holds the wafer W substantially horizontally by, for example, adsorption. That is, the rotation holding portion 20 rotates the wafer W around a central axis (vertical axis) perpendicular to the surface of the wafer W in a state where the posture of the wafer W is substantially horizontal. In the present embodiment, as shown in Figs. 4 and 5, etc., the rotation holding portion 20 rotates the wafer W in the clockwise direction when viewed from above.

승강 장치(22)는, 회전 보유 지지부(20)에 장착되어 있고, 회전 보유 지지부(20)를 승강시킨다. 구체적으로는, 승강 장치(22)는, 반송 아암(A5)과 척(20c) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 상승 위치(전달 위치)와, 현상 처리를 행하기 위한 하강 위치(현상 위치) 사이에서, 회전 보유 지지부(20)[척(20c)]를 승강시킨다.The elevating device 22 is mounted on the rotation holding portion 20, and moves the rotation holding portion 20 up and down. Specifically, the elevating device 22 is configured to move up and down (a transfer position) for transferring the wafer W between the transfer arm A5 and the chuck 20c, and a lowering position And the developing position), the rotation holding portion 20 (chuck 20c) is raised and lowered.

회전 보유 지지부(20)의 주위에는, 컵(30)이 설치되어 있다. 웨이퍼(W)가 회전하면, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 액체(상세하게는 후술함)가 주위로 떨쳐내어져 낙하하는데, 컵(30)은 당해 낙하한 액체를 받아내는 수용기로서 기능한다. 컵(30)은, 회전 보유 지지부(20)를 둘러싸는 원환 형상의 저판(31)과, 저판(31)의 외측 테두리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통 형상의 외벽(32)과, 저판(31)의 내측 테두리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통 형상의 내벽(33)을 갖는다.A cup (30) is provided around the rotation holding portion (20). When the wafer W rotates, the liquid (to be described later in detail) supplied to the surface of the wafer W is shaken to fall around, and the cup 30 functions as a receiver for receiving the dropped liquid . The cup 30 includes an annular bottom plate 31 surrounding the rotation holding portion 20, a cylindrical outer wall 32 projecting vertically upward from the outer edge of the bottom plate 31, And a cylindrical inner wall 33 projecting vertically upward from the inner edge of the inner wall 33. [

외벽(32)의 전체 부분은, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다도 외측에 위치한다. 외벽(32)의 상단부(32a)는, 하강 위치에 있는 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다도 상방에 위치한다. 외벽(32)의 상단부(32a)측의 부분은, 상방을 향함에 따라 내측으로 기울어진 경사벽부(32b)로 되어 있다. 내벽(33)의 전체 부분은, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 외측 테두리보다도 내측에 위치한다. 내벽(33)의 상단부(33a)는, 하강 위치에 있는 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다도 하방에 위치한다.The entire portion of the outer wall 32 is located outside the wafer W held by the chuck 20c. The upper end portion 32a of the outer wall 32 is located above the wafer W held by the rotation holding portion 20 in the lowered position. The portion of the outer wall 32 on the side of the upper end portion 32a is an inclined wall portion 32b that is inclined inward toward the upward direction. The entire portion of the inner wall 33 is positioned inside the outer edge of the wafer W held by the chuck 20c. The upper end portion 33a of the inner wall 33 is positioned below the wafer W held by the rotation holding portion 20 in the lowered position.

내벽(33)과 외벽(32) 사이에는, 저판(31)의 상면으로부터 연직 상방으로 돌출된 구획벽(34)이 설치되어 있다. 즉, 구획벽(34)은 내벽(33)을 둘러싸고 있다. 저판(31) 중, 외벽(32)과 구획벽(34) 사이의 부분에는, 액체 배출 구멍(31a)이 형성되어 있다. 액체 배출 구멍(31a)에는, 액체 배출관(35)이 접속되어 있다. 저판(31) 중, 구획벽(34)과 내벽(33) 사이의 부분에는, 기체 배출 구멍(31b)이 형성되어 있다. 기체 배출 구멍(31b)에는, 배기관(36)이 접속되어 있다.Between the inner wall 33 and the outer wall 32, a partition wall 34 projecting vertically upward from the upper surface of the bottom plate 31 is provided. That is, the partition wall 34 surrounds the inner wall 33. A liquid discharge hole 31a is formed in a portion of the bottom plate 31 between the outer wall 32 and the partition wall 34. [ A liquid discharge pipe 35 is connected to the liquid discharge hole 31a. A gas discharge hole 31b is formed in a portion of the bottom plate 31 between the partition wall 34 and the inner wall 33. [ An exhaust pipe 36 is connected to the gas discharge hole 31b.

내벽(33) 상에는, 구획벽(34)보다도 외측으로 돌출되는 우산 형상부(37)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W) 상으로부터 외측으로 떨쳐내어져 낙하한 액체는, 외벽(32)과 구획벽(34) 사이로 유도되고, 액체 배출 구멍(31a)으로부터 배출된다. 구획벽(34)과 내벽(33) 사이에는, 액체로부터 발생한 가스 등이 진입하고, 당해 가스가 기체 배출 구멍(31b)으로부터 배출된다.On the inner wall 33, an umbrella-shaped portion 37 protruding outward beyond the partition wall 34 is provided. The liquid which has fallen outward from the wafer W and dropped down is guided between the outer wall 32 and the partition wall 34 and discharged from the liquid discharge hole 31a. Between the partition wall 34 and the inner wall 33, gas generated from the liquid enters, and the gas is discharged from the gas discharge hole 31b.

내벽(33)에 둘러싸이는 공간의 상부는, 구획판(38)에 의해 폐색되어 있다. 회전 보유 지지부(20)의 본체부(20a)는 구획판(38)의 하방에 위치한다. 척(20c)은 구획판(38)의 상방에 위치한다. 회전축(20b)은 구획판(38)의 중심부에 형성된 관통 구멍 내에 삽입 관통되어 있다.The upper part of the space surrounded by the inner wall 33 is closed by the partition plate 38. [ The main body portion 20a of the rotation holding portion 20 is positioned below the partition plate 38. [ The chuck 20c is located above the partition plate 38. [ The rotary shaft 20b is inserted through a through hole formed in the center of the partition plate 38. [

현상액 공급부(23)는, 도 4 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 현상액(처리액)의 공급원(23a)과, 현상액 헤드(23c)와, 이동체(23d)를 갖는다. 공급원(23a)은, 현상액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 현상액 헤드(23c)는, 공급관(23b)을 통해 공급원(23a)에 접속된다. 현상액 헤드(23c)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(23a)으로부터 공급된 현상액을, 액 노즐 h1로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출시킨다. 액 노즐 h1은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 하방으로 개구되어 있다. 액 노즐 h1은, 도 5에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 연장되는 슬릿 형상을 나타내고 있다.4 and 5, the developer supply portion 23 has a supply source 23a for a developer (processing solution), a developer head 23c, and a moving body 23d. The supply source 23a has a developer storage container, a pump, a valve, and the like. The developer head 23c is connected to the supply source 23a via the supply pipe 23b. The developer head 23c receives the control signal from the control unit CU and discharges the developer supplied from the supply source 23a to the surface Wa of the wafer W from the liquid nozzle h1. The liquid nozzle h1 is opened downward toward the surface Wa of the wafer W. The liquid nozzle h1 has a slit shape extending along the diameter direction of the wafer W as shown in Fig.

이동체(23d)는, 아암(23e)을 통해 현상액 헤드(23c)에 접속되어 있다. 이동체(23d)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아, 외벽(32)의 외측에 있어서 수평하게 연장되는 가이드 레일(40) 상을 이동함으로써, 현상액 헤드(23c)를 수평 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 현상액 헤드(23c)는 하강 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상방이며, 또한 웨이퍼(W)의 중심축에 직교하는 직선 상을, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 이동한다.The moving body 23d is connected to the developer head 23c via an arm 23e. The moving body 23d receives the control signal from the control unit CU and moves on the guide rail 40 extending horizontally on the outer side of the outer wall 32 to move the developer head 23c in the horizontal direction . The developer head 23c moves along the radial direction of the wafer W on a straight line perpendicular to the center axis of the wafer W and above the wafer W in the lowered position.

표면 세정·건조부(100)는, 도 4 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 세정액(린스액)의 공급원(100a)과, 건조 가스의 공급원(100b)과, 세정·건조 헤드(100c)와, 이동체(100d)를 갖는다. 공급원(100a)은, 세정액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 세정액은, 예를 들어 순수 또는 DIW(Deionized Water)이다. 공급원(100a)은, 공급관(100e)을 통해 세정·건조 헤드(100c)에 접속되어 있다. 공급원(100b)은, 건조 가스의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 건조 가스는, 예를 들어 N2 등의 불활성 가스이다. 공급원(100b)은, 공급관(100f)을 통해 세정·건조 헤드(100c)에 접속되어 있다.4 and 5, the surface cleaning and drying unit 100 includes a supply source 100a for a cleaning liquid (rinsing liquid), a supply source 100b for a dry gas, a cleaning and drying head 100c, And a moving body 100d. The supply source 100a has a storage container for a cleaning liquid, a pump, a valve, and the like. The cleaning liquid is, for example, pure water or DIW (Deionized Water). The supply source 100a is connected to the cleaning / drying head 100c through a supply pipe 100e. The supply source 100b has a storage container for dry gas, a pump, a valve, and the like. The drying gas is, for example, an inert gas such as N 2 . The supply source 100b is connected to the cleaning / drying head 100c through the supply pipe 100f.

세정·건조 헤드(100c)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(100a)으로부터 공급된 세정액을 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출시키는 복수의 액 노즐(본 실시 형태에서는, 4개의 액 노즐) h2∼h5와, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(100b)으로부터 공급된 건조 가스를 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출시키는 가스 노즐 h6을 포함한다. 이 노즐 h2∼h6은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 하방으로 개구되어 있다.The cleaning and drying head 100c receives a control signal from the control unit CU and supplies a plurality of liquid nozzles for discharging the cleaning liquid supplied from the supply source 100a to the surface Wa of the wafer W And four gas nozzles h2 to h5 for discharging the dry gas supplied from the supply source 100b to the surface Wa of the wafer W in response to a control signal from the control unit CU . The nozzles h2 to h6 are opened downward toward the surface Wa of the wafer W.

노즐 h6, h2∼h5는, 도 4∼도 6에 도시되는 바와 같이, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따르도록 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연부를 향해 이 순서로 배열되어 있다. 노즐 h5∼h2, h6은, 도 5 및 도 6의 (a)에 도시되는 바와 같이, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 접선 방향을 따르도록 웨이퍼(W)의 회전 방향 상류측으로부터 하류측을 향해 이 순서로 배열되어 있다.As shown in Figs. 4 to 6, the nozzles h6 and h2 to h5 are arranged in this order from the central portion of the wafer W to the peripheral portion in the radial direction of the wafer W when viewed from above . As shown in Figs. 5 and 6A, the nozzles h5 to h2 and h6 are arranged so as to extend from the upstream side in the rotational direction of the wafer W in the tangential direction of the wafer W to the downstream side In this order.

액 노즐 h2∼h5의 개구 면적(개구 직경)은, 도 4∼도 6에 도시되는 바와 같이, 이 순서로 작아지도록 설정되어 있다. 액 노즐 h2∼h5의 선단측(출구측)은, 도 6의 (b)에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심축에 대해 기울어져 있고, 당해 중심축에 대한 기울기가 이 순서로 커지도록 설정되어 있다. 액 노즐 h2∼h5의 선단측(출구측)의 기울기와, 웨이퍼(W)의 세정이 행해질 때의 액 노즐 h2∼h5와 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 직선 거리는, 도 6의 (b)에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로부터 볼 때, 각 액 노즐 h2∼h5로부터 토출되는 세정액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서 대략 동일한 도달 지점 P에 도달하도록 설정되어 있다. 액 노즐 h2∼h5가 상기한 바와 같이 설정되어 있으므로, 각 액 노즐 h2∼h5로부터 토출되는 세정액의 유속은, 액 노즐 h2∼h5의 순으로 빨라진다.As shown in Figs. 4 to 6, the opening areas (opening diameters) of the liquid nozzles h2 to h5 are set to be smaller in this order. As shown in Fig. 6B, the tip side (outlet side) of the liquid nozzles h2 to h5 is inclined with respect to the central axis of the wafer W, and the inclination with respect to the central axis is larger in this order Respectively. The straight line distances between the front end side (outlet side) of the liquid nozzles h2 to h5 and the liquid nozzles h2 to h5 and the front surface Wa of the wafer W when the wafer W is cleaned, The cleaning liquid discharged from each of the liquid nozzles h2 to h5 is set to reach substantially the same arrival point P on the surface Wa of the wafer W as seen from the radial direction of the wafer W have. Since the liquid nozzles h2 to h5 are set as described above, the flow rate of the cleaning liquid discharged from each of the liquid nozzles h2 to h5 becomes faster in the order of the liquid nozzles h2 to h5.

액 노즐 h2∼h5의 선단측(출구측)이 기울어지는 방향은, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 접선 방향을 따름과 함께 웨이퍼(W)의 회전 방향의 상류측으로부터 하류측을 향하는 방향이다. 따라서, 각 액 노즐 h2∼h5로부터 토출된 세정액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 도달한 도달 지점 P에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향은, 웨이퍼(W)의 선속도 방향을 따르는 방향으로 된다. 여기서, 선속도라 함은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 어느 지점에 있어서의 접선 방향의 속도를 의미하며, 각속도와는 구별된다. 웨이퍼(W)의 중심으로부터 당해 지점까지의 거리를 r(벡터량), 당해 지점에서의 각속도를 ω(벡터량), 당해 지점에서의 선속도를 v(벡터량)로 하면, 선속도 v는 거리 r과 각속도 ω의 벡터곱(v＝r×ω)으로 나타내어진다.The direction in which the tip end (exit side) of the liquid nozzles h2 to h5 is inclined is the direction in which the wafers W are tangential to the wafer W as viewed from above and the direction from the upstream side to the downstream side in the rotational direction of the wafer W to be. Therefore, the flow direction of the cleaning liquid at the arrival point P at which the cleaning liquid discharged from each of the liquid nozzles h2 to h5 reaches the surface Wa of the wafer W is the direction along the linear velocity direction of the wafer W do. Here, the linear velocity means a velocity in the tangential direction at a certain point on the surface Wa of the wafer W, and is distinguished from the angular velocity. Assuming that the distance from the center of the wafer W to the point is r (vector amount), the angular speed at the point is ω (vector amount), and the linear velocity at the point is v (vector amount) Is expressed by the vector product of the angular velocity ω (v = r × ω).

이동체(100d)는, 아암(100g)을 통해 세정·건조 헤드(100c)에 접속되어 있다. 이동체(100d)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 가이드 레일(40) 상을 이동함으로써, 세정·건조 헤드(100c)를 수평 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 세정·건조 헤드(100c)는 하강 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상방이며, 또한 웨이퍼(W)의 중심축에 직교하는 직선 상을, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 이동한다.The moving body 100d is connected to the cleaning / drying head 100c through an arm 100g. The moving body 100d receives the control signal from the control unit CU and moves on the guide rail 40 to move the cleaning and drying head 100c in the horizontal direction. The cleaning and drying head 100c moves along the radial direction of the wafer W on a straight line perpendicular to the center axis of the wafer W and above the wafer W in the lowered position.

이면 세정부(26)는, 도 4에 도시되는 바와 같이, 이면 세정액(이면 린스액)의 공급원(26a)과, 이면 세정액 헤드(26c)를 갖는다. 공급원(26a)은, 이면 세정액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 이면 세정액은, 순수, DIW, 또는 수용성의 유기 용제이다. 수용성의 유기 용제로서는, 예를 들어 이소프로필알코올을 들 수 있다. 이면 세정액 헤드(26c)는, 공급관(26b)을 통해 공급원(26a)에 접속된다. 이면 세정액 헤드(26c)는 구획판(38) 상에 배치되어 있고, 공급관(26b)은 구획판(38)에 형성된 관통 구멍에 삽입 관통되어 있다. 이면 세정액 헤드(26c)는, 제어 장치(CU)로부터의 제어 신호를 받아 공급원(26a)으로부터 공급된 이면 세정액을, 액 노즐 h7로부터 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 토출시킨다. 액 노즐 h7은, 웨이퍼(W)의 주연측이며, 또한 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 향해, 비스듬히 상방으로 개구되어 있다.As shown in Fig. 4, the back surface cleaning section 26 has a supply source 26a for a backside cleaning liquid (backside rinsing liquid) and a backside cleaning liquid head 26c. The supply source 26a has a storage container for back cleaning liquid, a pump, a valve, and the like. The back surface cleaning liquid is pure water, DIW, or a water-soluble organic solvent. As the water-soluble organic solvent, for example, isopropyl alcohol can be mentioned. The cleaning liquid head 26c is connected to the supply source 26a through the supply pipe 26b. The cleaning liquid head 26c is disposed on the partition plate 38 and the supply pipe 26b is inserted into the through hole formed in the partition plate 38. [ The cleaning liquid head 26c discharges the backside cleaning liquid supplied from the supply source 26a to the back surface Wb of the wafer W from the liquid nozzle h7 in response to a control signal from the control unit CU. The liquid nozzle h7 is opened obliquely upward toward the peripheral side of the wafer W and toward the back surface Wb of the wafer W. [

다음으로, 현상 처리 유닛(U1)을 사용하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 패턴(요철 패턴)을 형성하는 방법에 대해, 상세하게 설명한다. 우선, 제어 장치(CU)는 승강 장치(22)에 지시하여, 척(20c)을 상승 위치까지 상승시킨다. 이 상태에서, 반송 아암(A5)에 의해 웨이퍼(W)가 현상 처리 유닛(U1) 내에 반입된다. 또한, 웨이퍼(W)가 현상 처리 유닛(U1) 내에 반입되기 전에, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는 레지스트막(R)(도 7 참조)이 형성되고, 당해 레지스트막(R)에는 노광 장치(E1)에 의해 노광 처리가 실시되어 있다.Next, a method of forming a resist pattern (concave-convex pattern) on the surface Wa of the wafer W by using the developing processing unit U1 will be described in detail. First, the control device CU instructs the elevating device 22 to raise the chuck 20c to the raised position. In this state, the wafer W is carried into the development processing unit U1 by the transfer arm A5. 7) is formed on the surface Wa of the wafer W before the wafer W is carried into the development processing unit U1 and the resist film R is exposed And exposure is performed by the apparatus E1.

레지스트막(R)이 배치되어 있는 표면(Wa)을 위로 한 상태에서 웨이퍼(W)가 척(20c) 상에 적재되면, 제어 장치(CU)는 척(20c)에 지시하여, 웨이퍼(W)를 척(20c)에 흡착 유지시킨다. 계속해서, 제어 장치(CU)는 승강 장치(22)에 지시하여, 척(20c)을 하강 위치까지 하강시킨다.When the wafer W is loaded on the chuck 20c in a state where the surface Wa on which the resist film R is disposed is elevated, the control unit CU instructs the chuck 20c to move the wafer W, To the chuck 20c. Subsequently, the control unit CU instructs the elevating device 22 to lower the chuck 20c to the lowered position.

계속해서, 제어 장치(CU)는 회전 보유 지지부(20)[본체부(20a)]에 지시하여, 웨이퍼(W)를 회전시킨다[도 7의 (a) 참조]. 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)는, 상방으로부터 볼 때 정시계 방향으로 회전된다. 제어 장치(CU)는 이동체(23d) 및 공급원(23a)에 지시하여, 웨이퍼(W)의 회전 중에 현상액 헤드(23c)를 웨이퍼(W)의 주연측으로부터 중앙측을 향해 이동시키면서, 액 노즐 h1로부터 현상액(L1)을 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 토출시킨다[도 7의 (a) 참조]. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에는, 웨이퍼(W)의 주연측으로부터 중앙측을 향해 스파이럴 형상으로 현상액(L1)이 공급되어, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체가 현상액(L1)에 의해 덮인다[도 7의 (b) 참조]. 계속해서, 제어 장치(CU)는, 이동체(23d) 및 공급원(23a)에 지시하여, 액 노즐 h1로부터 현상액(L1)의 토출을 정지시킴과 함께, 현상액 헤드(23c)를 웨이퍼(W)의 외측으로 퇴피시킨다.Subsequently, the control unit CU instructs the rotation holding portion 20 (the main body 20a) to rotate the wafer W (see Fig. 7 (a)). In the present embodiment, the wafer W is rotated in the clockwise direction when viewed from above. The control device CU instructs the moving body 23d and the supply source 23a to move the developer head 23c from the peripheral side to the center side of the wafer W during the rotation of the wafer W, The developing solution L1 is discharged onto the surface Wa of the wafer W (see Fig. 7 (a)). The developer L 1 is supplied to the surface Wa of the wafer W in a spiral shape from the peripheral edge side to the center side of the wafer W so that the entire surface Wa of the wafer W comes to the surface of the developer W L1) (see Fig. 7 (b)). Subsequently, the control unit CU instructs the moving body 23d and the supply source 23a to stop the dispensing of the developer L1 from the liquid nozzle h1 and to stop the developer head 23c from moving toward the wafer W And retreats to the outside.

계속해서, 제어 장치(CU)는 이동체(100d)에 지시하여, 세정·건조 헤드(100c)를 웨이퍼(W)의 중앙부까지 이동시킨다. 액 노즐 h2가 웨이퍼(W)의 대략 중앙부에 도달하면, 제어 장치(CU)는 공급원(100a)에 지시하여, 웨이퍼(W)의 회전 중에 액 노즐 h2로부터 세정액(L2)을 토출시킨다[도 8의 (a) 및 도 10의 (a) 참조]. 이때의 웨이퍼(W) 회전수 ω1의 하한은, 예를 들어 500rpm 정도여도 되고, 1000rpm 정도여도 된다. 이때의 웨이퍼(W) 회전수 ω1의 상한은, 예를 들어 2500rpm 정도여도 되고, 1000rpm 정도여도 된다. 액 노즐 h2로부터의 세정액(L2)의 토출 시간의 하한은, 예를 들어 15초 정도여도 되고, 30초 정도여도 된다. 액 노즐 h2로부터의 세정액(L2)의 토출 시간의 상한은, 예를 들어 100초 정도여도 되고, 30초 정도여도 된다.Subsequently, the control unit CU instructs the moving body 100d to move the cleaning / drying head 100c to the central portion of the wafer W. When the liquid nozzle h2 reaches the approximate center of the wafer W, the control unit CU instructs the supply source 100a to discharge the cleaning liquid L2 from the liquid nozzle h2 during the rotation of the wafer W (A) and Fig. 10 (a)]. The lower limit of the number of rotations omega 1 of the wafer W at this time may be, for example, about 500 rpm or about 1000 rpm. The upper limit of the number of rotations omega 1 of the wafer W at this time may be, for example, about 2500 rpm or about 1000 rpm. The lower limit of the discharge time of the cleaning liquid L2 from the liquid nozzle h2 may be, for example, about 15 seconds or about 30 seconds. The upper limit of the discharge time of the cleaning liquid L2 from the liquid nozzle h2 may be, for example, about 100 seconds or about 30 seconds.

노광 처리된 레지스트막(R) 중 현상액(L1)과의 반응에 의해 용해된 레지스트의 용해물은, 현상액(L1)과 함께 세정액(L2)에 의해 씻어내어진다[도 8의 (b) 참조]. 이들 레지스트의 용해물, 현상액(L1) 및 세정액(L2)는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반되는 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 주위로 떨쳐내어져 낙하한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 레지스트 패턴(RP)이 형성된다[도 8의 (b) 참조]. 레지스트 패턴(RP)은, 볼록부(Ra) 및 오목부(Rb)를 갖는 요철 패턴이다.The dissolved resist dissolved in the exposed resist film R by reaction with the developing solution L1 is rinsed with the cleaning liquid L2 together with the developing solution L1 (see Fig. 8B) . The solubles, the developer L1 and the cleaning liquid L2 of these resists fall off around the wafer W due to the centrifugal force accompanied by the rotation of the wafer W and fall. In this manner, a resist pattern RP is formed on the surface Wa of the wafer W (see FIG. 8B). The resist pattern RP is a concavo-convex pattern having convex portions Ra and concave portions Rb.

계속해서, 제어 장치(CU)는 이동체(100d)에 지시하여, 웨이퍼(W)의 회전 및 액 노즐 h2로부터의 세정액(L2)의 토출을 유지하면서, 세정·건조 헤드(100c)를 웨이퍼(W)의 주연측으로 이동시킨다. 가스 노즐 h6이 웨이퍼(W)의 대략 중앙부에 도달하면, 제어 장치(CU)는 공급원(100b)에 지시하여, 웨이퍼(W)의 회전 중에 가스 노즐 h6으로부터 건조 가스(G)를 토출시킨다[도 9의 (a) 및 도 10의 (b) 참조]. 건조 가스(G)의 토출 개시부터 토출 정지까지의 시간은, 예를 들어 5초 정도로 설정할 수 있다.Subsequently, the control unit CU instructs the moving body 100d to move the cleaning and drying head 100c to the wafer W (W) while maintaining the rotation of the wafer W and the discharge of the cleaning liquid L2 from the liquid nozzle h2 As shown in Fig. When the gas nozzle h6 reaches the approximate center of the wafer W, the control unit CU instructs the supply source 100b to discharge the drying gas G from the gas nozzle h6 during the rotation of the wafer W 9 (a) and 10 (b)]. The time from the start of discharge of the dry gas G to the discharge stop can be set to, for example, about 5 seconds.

이에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 있는 세정액(L2)이 주위로 불어 날려지고, 또한 증발하여, 웨이퍼(W)의 중앙부에 건조 영역(D)이 형성된다. 여기서, 건조 영역(D)이라 함은, 세정액(L2)이 증발함으로써 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 노출된 상태의 영역을 말하는데, 당해 표면(Wa) 상에 극히 근소한(예를 들어, 마이크로오더의) 액적이 부착되어 있는 경우도 포함하는 것으로 한다. 이 건조 영역(D)은, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연측을 향해 확대된다.As a result, the cleaning liquid L2 on the central portion of the wafer W is blown around and evaporated to form a dry region D at the center of the wafer W. Here, the drying region D refers to a region in which the surface Wa of the wafer W is exposed due to the evaporation of the cleaning liquid L2. In the region where the surface Wa is extremely small (for example, Micro-order) liquid droplets are adhered to the substrate. The dry region D is expanded from the central portion of the wafer W toward the peripheral edge by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. [

계속해서, 제어 장치(CU)는 회전 보유 지지부(20)[본체부(20a)], 이동체(100d) 및 공급원(100a)에 지시하여, 세정·건조 헤드(100c)를 소정의 속도로 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연측으로 이동시키면서, 소정의 조건에 따라서, 웨이퍼(W)의 회전수 ω2를 변경함과 함께, 세정액(L2)을 토출하는 액 노즐 h2∼h5를 전환한다. 세정·건조 헤드(100c)의 이동 속도는, 예를 들어 2.5㎜/sec∼10㎜/sec 정도의 범위 내에서 일정 속도로 되도록 설정해도 된다. 이 웨이퍼(W)의 세정 과정에서는, 상방으로부터 볼 때 가스 노즐 h6이 액 노즐 h2∼h5보다도 웨이퍼(W)의 중앙측에 위치하도록, 세정·건조 헤드(100c)를 웨이퍼(W)의 중앙측으로부터 주연측으로 이동시킨다.Subsequently, the control unit CU instructs the rotation holding unit 20 (the main body 20a), the moving body 100d and the supply source 100a to rotate the cleaning and drying head 100c at a predetermined speed W from the central portion to the peripheral side while changing the rotational speed omega 2 of the wafer W and switching the liquid nozzles h2 to h5 for discharging the cleaning liquid L2 according to a predetermined condition. The moving speed of the cleaning / drying head 100c may be set to be a constant speed within a range of about 2.5 mm / sec to 10 mm / sec, for example. The cleaning and drying head 100c is moved toward the center of the wafer W so that the gas nozzle h6 is located closer to the center of the wafer W than the liquid nozzles h2 to h5 in the cleaning process of the wafer W. To the peripheral side.

웨이퍼(W)의 회전수 ω2는, 세정·건조 헤드(100c)가 이동하고 있는 동안, 각 액 노즐 h2∼h5로부터 토출된 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 도달한 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 구심 가속도가 대략 일정해지도록, 설정된다. 여기서, 구심 가속도 a(벡터량)는, 각속도 ω(벡터량)와, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 당해 도달 지점 P까지의 거리 r(벡터량)을 사용하여, a＝-|ω|2·r로 나타내어진다. 따라서, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 주연측을 향할수록 거리 r이 커지므로, 구심 가속도 a를 일정하게 하면, 웨이퍼(W)의 회전수 ω2(각속도 ω)는 서서히 작아진다(도 11 참조). 단, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 중앙 근방을 이동하는 경우에는, 구심 가속도 a가 일정해지도록 웨이퍼(W)의 회전수 ω2를 설정하면, 웨이퍼(W)의 회전수 ω2가 극히 커져, 액튀김이 발생하기 쉬워져 버린다. 따라서, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 중앙 근방을 이동하는 동안, 웨이퍼(W)의 회전수 ω2는 소정의 상한값을 상회하지 않도록 설정된다(도 11 참조).The rotational speed omega 2 of the wafer W is set such that the cleaning liquid L2 discharged from each of the liquid nozzles h2 to h5 reaches the surface Wa of the wafer W while the cleaning and drying head 100c is moving Is set so that the centripetal acceleration of the wafer W at the point P becomes substantially constant. Here, the centripetal acceleration a (vector amount) is calculated by using the angular velocity? (Vector amount) and the distance r (vector amount) from the center of the wafer W to the arrival point P as a = - | 2 · r. Therefore, since the distance r becomes larger as the cleaning and drying head 100c is moved toward the peripheral edge of the wafer W, the rotation number? 2 (angular velocity?) Of the wafer W gradually decreases as the centripetal acceleration a is kept constant (See FIG. 11). When the cleaning and drying head 100c moves near the center of the wafer W, if the rotation number? 2 of the wafer W is set such that the centripetal acceleration a becomes constant, the rotation number? 2 of the wafer W And the liquid splashing easily occurs. Therefore, while the cleaning / drying head 100c moves near the center of the wafer W, the rotation number? 2 of the wafer W is set so as not to exceed a predetermined upper limit value (see FIG. 11).

액 노즐 h2∼h5는, 당해 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 유속과, 당해 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 순차 전환된다[도 9의 (b), 도 9의 (c), 도 10의 (c) 및 도 10의 (d) 참조]. 구체적으로는, 상술한 바와 같이 구심 가속도 a를 일정하게 하도록 웨이퍼(W)의 회전수 ω2를 제어하고 있으므로, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 주연측을 향할수록, 당해 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 선속도는 거리 r의 크기의 평방근에 비례하여 커진다. 그로 인해, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 주연측을 향함에 따라, 액 노즐 h2∼h5의 순으로 세정액(L2)을 토출시켜 세정액(L2)의 유속을 빠르게 함으로써, 당해 차가 소정의 범위 내로 되도록 제어된다. 당해 차는, 예를 들어 ±25m/sec의 범위 내로 되도록 설정해도 된다. 또한, 액 노즐 h2∼h5의 전환시에는, 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서 도중에 끊기지 않도록, 전환 전후의 2개의 액 노즐로부터 동시에 세정액(L2)을 토출시키거나, 세정·건조 헤드(100c)를 웨이퍼(W)의 중심측으로 약간 복귀시키도록 이동시켜도 된다.The liquid nozzles h2 to h5 are sequentially switched so that the difference between the flow velocity of the cleaning liquid L2 at the arrival point P and the linear velocity of the wafer W at the arrival point P is within a predetermined range (B), 9 (c), 10 (c) and 10 (d) of Fig. More specifically, as described above, the rotation number? 2 of the wafer W is controlled so that the centripetal acceleration a is kept constant. Therefore, as the cleaning / drying head 100c moves toward the peripheral edge of the wafer W, The linear velocity of the wafer W in P increases in proportion to the square root of the magnitude of the distance r. Thus, as the cleaning and drying head 100c faces the peripheral edge of the wafer W, the cleaning liquid L2 is discharged in the order of the liquid nozzles h2 to h5 to increase the flow rate of the cleaning liquid L2, And is controlled to be within a predetermined range. The difference may be set to be within a range of, for example, 25 m / sec. When the liquid nozzles h2 to h5 are switched, the cleaning liquid L2 is simultaneously discharged from the two liquid nozzles before and after the switching so that the cleaning liquid L2 does not cut off on the surface Wa of the wafer W, The cleaning and drying head 100c may be moved to slightly return to the center of the wafer W. [

계속해서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체의 세정이 종료되면, 제어 장치(CU)는 이동체(100d) 및 회전 보유 지지부(20)[본체부(20a)]에 지시하여, 세정·건조 헤드(100c)를 웨이퍼(W)의 외측까지 이동시킨 후, 소정의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시켜 웨이퍼(W)의 건조를 행한다[도 9의 (d), 도 10의 (e) 및 도 11 참조]. 이때의 웨이퍼(W) 회전수는, 예를 들어 1500rpm∼2000rpm 정도로 설정해도 된다.Subsequently, when the cleaning of the entire surface Wa of the wafer W is completed, the control unit CU instructs the moving body 100d and the rotation holding portion 20 (the main body portion 20a) After the head 100c is moved to the outside of the wafer W, the wafer W is rotated at a predetermined rotational speed to dry the wafer W (Figs. 9D and 10E) And Fig. 11). The number of rotations of the wafer W at this time may be set to, for example, about 1500 rpm to 2000 rpm.

이상의 공정을 거쳐서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 패턴(요철 패턴)(RP)이 형성된다. 따라서, 현상 처리 유닛(U1)은, 현상 처리시에 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 장치로서도 기능한다. 또한, 이면 세정부(26)에 의한 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 세정은, 액 노즐 h2로부터 세정액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출된 후이며, 또한 웨이퍼(W)의 표면(Wa)이 건조되기 전에 행해져도 된다.Through the above process, a resist pattern (concave-convex pattern) RP is formed on the surface Wa of the wafer W. Therefore, the developing processing unit U1 also functions as an apparatus for cleaning the wafer W in the developing process. The cleaning of the back surface Wb of the wafer W by the backside cleaning section 26 is performed after the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle h2 onto the surface Wa of the wafer W, Or may be performed before the surface Wa is dried.

그런데, 현상액에 의해 용해된 레지스트의 용해물이 웨이퍼의 표면에 잔존하면, 원하는 레지스트 패턴(요철 패턴)이 얻어지지 않고 현상 결함이 발생할 수 있다. 이 현상 결함을 억제하기 위해, 웨이퍼의 표면에 세정액을 토출시키면서, 웨이퍼의 중앙부에 건조 가스를 분사하여 건조 영역을 형성하는 것이, 하나의 방법으로서 생각된다. 이때, 액 노즐을 갖는 헤드가 이동하고 있는 동안, 액 노즐로부터 토출된 세정액이 웨이퍼의 표면에 도달한 지점(도달 지점)에 있어서의 웨이퍼의 선속도가 대략 일정해지도록, 웨이퍼의 회전수를 설정할 수 있다. 이 경우, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 유속도 일정하게 해 두면, 당해 유속과 웨이퍼의 선속도의 차를 일정한 범위 내로 하는 것이 가능해지므로, 액튀김을 억제할 수 있다. 그러나, 이러한 선속도를 일정하게 하는 제어를 행하면, 헤드가 웨이퍼의 주연측을 향함에 따라 웨이퍼의 회전수가 작아지므로, 건조 영역이 외측을 향해 확대되는 속도가 느려진다. 따라서, 헤드를 빠르게 이동시키려고 할수록, 헤드와 건조 영역의 거리가 커져, 건조 지연이 현저해진다(도 12 참조). 그 결과, 건조 지연에 수반되는 현상 결함을 억제하기 위해 헤드의 이동 속도를 낮출 수밖에 없어지므로, 당해 방법을 대형의 웨이퍼에 적용하려고 하면 처리 시간이 길어져 버린다.However, if the dissolved resist of the resist dissolved in the developing solution remains on the surface of the wafer, a desired resist pattern (irregular pattern) can not be obtained and development defects may occur. In order to suppress the development defects, it is considered as one method that a dry region is formed by spraying dry gas onto the central portion of the wafer while discharging the cleaning liquid onto the surface of the wafer. At this time, while the head having the liquid nozzle is moving, the number of rotations of the wafer is set so that the linear velocity of the wafer at the point (arrival point) at which the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the wafer becomes substantially constant . In this case, if the flow velocity of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is made constant, the difference between the flow velocity and the linear velocity of the wafer can be kept within a constant range, and thus the liquid frying can be suppressed. However, when the control is performed such that the linear velocity is constant, the rotational speed of the wafer decreases as the head moves toward the peripheral side of the wafer, so that the speed at which the dry region expands toward the outside is slowed down. Therefore, as the head is moved faster, the distance between the head and the drying region becomes larger, and the drying delay becomes noticeable (see FIG. 12). As a result, the moving speed of the head can not be lowered in order to suppress development defects accompanied by the drying delay. Therefore, when the method is applied to a large wafer, the processing time becomes long.

따라서, 액 노즐을 갖는 헤드가 이동하고 있는 동안, 액 노즐로부터 토출된 세정액이 웨이퍼의 표면에 도달한 지점(도달 지점)에 있어서의 웨이퍼의 구심 가속도가 대략 일정해지도록, 웨이퍼의 회전수를 설정할 수 있다. 이와 같이 하면, 헤드의 이동 속도가 빨라도, 건조 지연을 억제하는 것이 가능해진다(도 13 참조). 그러나, 이 경우, 헤드의 이동 속도에 대해, 건조 지연에 의한 현상 결함이 발생하지 않는 웨이퍼의 회전수를 구하면, 상기한 선속도를 일정하게 하는 제어의 경우보다도 웨이퍼의 회전수가 높아진다(도 14 참조). 그로 인해, 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 유속이 일정한 상태이면, 헤드가 웨이퍼의 주연측을 향함에 따라 당해 유속과 웨이퍼의 선속도의 차가 커져, 액튀김에 의한 현상 결함이 발생할 수 있다. 특히, 당해 차가 25m/sec를 초과하면, 액튀김의 발생이 확인되었다(도 15 참조). 따라서, 이러한 구심 가속도를 일정하게 하는 제어의 경우도, 액튀김에 수반되는 현상 결함을 억제하기 위해 헤드의 이동 속도를 낮출 수밖에 없어지므로, 당해 방법을 대형의 웨이퍼에 적용하는 것이 곤란하였다.Therefore, while the head having the liquid nozzle is moving, the number of rotations of the wafer is set so that the centripetal acceleration of the wafer at the point (reaching point) at which the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the wafer becomes substantially constant . By doing so, the drying delay can be suppressed even if the moving speed of the head is short (see Fig. 13). However, in this case, when the number of revolutions of the wafer at which the development defect due to the drying delay does not occur with respect to the moving speed of the head is found, the number of revolutions of the wafer becomes higher than that in the case of the control in which the above linear velocity is made constant ). Therefore, when the flow rate of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is constant, the difference between the flow rate and the linear velocity of the wafer becomes larger as the head is directed toward the peripheral side of the wafer, and development defects due to liquid splash may occur. Particularly, when the car exceeded 25 m / sec, occurrence of liquid splash was confirmed (see Fig. 15). Therefore, even in the case of such a control for making the centripetal acceleration constant, it is difficult to apply the method to a large-size wafer because the moving speed of the head can not be reduced in order to suppress development defects accompanied by defrosting.

따라서 본 발명자들은, 헤드의 이동 속도가 빨라도 건조 지연이나 액튀김에 수반되는 현상 결함의 발생을 억제할 수 있어, 처리 시간의 단축이 가능해지는 방법에 대해, 예의 연구를 행하였다. 그 결과, 상기한 실시 형태와 같이, 구심 가속도를 일정하게 하는 제어를 채용하면서, 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 유속과, 당해 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 선속도의 차를 소정의 범위 내로 한다고 하는 새로운 방법을 개발하기에 이르렀다.Therefore, the present inventors have made intensive studies on a method capable of suppressing the occurrence of development defects accompanied by drying delay and liquid splashing even when the moving speed of the head is high, and the processing time can be shortened. As a result, the flow rate of the cleaning liquid L2 at the arrival point P and the velocity of the linear velocity of the wafer W at the arrival point P And a new method of making the car within a predetermined range has been developed.

구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)가 회전 중이며, 또한 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동 중에, 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 유속과 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 액 노즐 h2∼h5를 순차 전환하고 있다. 그로 인해, 도달 지점 P에 있어서, 세정액(L2)의 유속과 웨이퍼(W)의 선속도의 차가 작아진다. 따라서, 웨이퍼(W)에 도달한 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 흐르기 쉬워지므로, 세정액(L2)이 주위로 비산(액튀김)하기 어려워진다. 그 결과, 현상 결함의 발생을 한층 더 억제하는 것이 가능해진다.More specifically, in the present embodiment, while the wafer W is rotating and the cleaning / drying head 100c moves from the center toward the periphery of the wafer W, the cleaning liquid L2 And the linear velocity of the wafer W at the arrival point P is within a predetermined range. As a result, the difference between the flow velocity of the cleaning liquid L2 and the linear velocity of the wafer W at the arrival point P becomes small. Therefore, the cleaning liquid L2 that has reached the wafer W can easily flow along the surface Wa of the wafer W, making it difficult for the cleaning liquid L2 to scatter around. As a result, occurrence of development defects can be further suppressed.

본 실시 형태에서는, 가스 노즐 h6으로부터 건조 가스(G)를 토출시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 중앙부에 건조 영역(D)을 형성하고 있다. 그로 인해, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 주연부로 이동하는 것에 수반하여, 웨이퍼(W)의 중앙부에 형성된 건조 영역(D)도, 원심력의 작용에 의해 외측으로 확대된다. 그로 인해, 레지스트 패턴(RP)의 오목부(Rb) 내로부터 세정액(L2)이 외측을 향해 배출되고, 레지스트의 용해물이 세정액과 함께 배출된다. 덧붙여, 액튀김이 발생하기 어려운 것과 더불어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In this embodiment, the drying zone D is formed at the center of the surface Wa of the wafer W by discharging the drying gas G from the gas nozzle h6. As a result, as the cleaning and drying head 100c moves to the periphery of the wafer W, the drying area D formed at the center of the wafer W is also expanded outward by the action of the centrifugal force. As a result, the cleaning liquid L2 is discharged from the concave portion Rb of the resist pattern RP toward the outside, and the dissolved material of the resist is discharged together with the cleaning liquid. Incidentally, in addition to the fact that liquid splashing is difficult to occur, occurrence of development defects is greatly suppressed.

본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)가 회전 중이며, 또한 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동 중에, 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 구심 가속도 a가 대략 일정해지도록 웨이퍼(W)의 회전수 ω2를 제어하고 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연부를 향하는 방향에 있어서, 도달 지점 P에서의 세정액(L2)에 작용하는 원심력이 대략 일정해진다. 그로 인해, 세정·건조 헤드(100c)의 이동에 수반하여, 건조 영역(D)이 외측으로 확대되기 쉬워진다. 따라서, 세정·건조 헤드(100c)가 웨이퍼(W)의 주연부로 이동하는 속도에 비해 건조 영역(D)이 외측으로 확대되는 속도가 극히 느려지는 것(이른바 건조 지연)을 억제할 수 있다. 즉, 건조 지연에 의해 레지스트의 용해물이 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 것이 억제되어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In the present embodiment, while the wafer W is rotating and the cleaning / drying head 100c moves from the center side to the peripheral side of the wafer W, the center-to-center acceleration of the wafer W at the arrival point P 2 of the wafer W is controlled so that a becomes substantially constant. As a result, the centrifugal force acting on the cleaning liquid L2 at the arrival point P becomes substantially constant in the direction from the central portion of the wafer W to the peripheral edge. As a result, along with the movement of the cleaning / drying head 100c, the drying area D is likely to expand outward. Therefore, it is possible to suppress the rate at which the drying region D is enlarged outwardly (so-called drying delay) as compared with the speed at which the cleaning / drying head 100c moves to the periphery of the wafer W. [ That is, it is suppressed that the dissolved product of the resist remains on the wafer W due to the drying delay, and occurrence of development defects is greatly suppressed.

본 실시 형태에서는, 세정·건조 헤드(100c)는 개구 면적(개구 직경)이 서로 다르고, 또한 개구 면적의 순으로 배열되는 복수의 액 노즐 h2∼h5를 갖고, 소정의 조건에 따라서 액 노즐 h2∼h5의 전환이 이 순서로(개구 면적이 큰 순서로) 행해진다. 그로 인해, 세정액(L2)의 유량이 동일하면, 개구 면적이 큰 액 노즐 h2로부터 개구 면적이 작은 액 노즐 h5의 순으로 전환됨으로써, 세정액(L2)의 토출 속도가 순차 커진다. 따라서, 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 유속을, 간이한 구성으로 변화시킬 수 있다.In this embodiment, the cleaning and drying head 100c has a plurality of liquid nozzles h2 to h5 which are different from each other in opening area (opening diameter) and arranged in the order of the opening area, h5 are performed in this order (in the order of larger opening area). Therefore, if the flow rate of the cleaning liquid L2 is the same, the liquid nozzle h2 having a larger opening area is switched to the liquid nozzle h5 having a smaller opening area, whereby the discharge speed of the cleaning liquid L2 gradually increases. Therefore, the flow velocity of the cleaning liquid L2 at the arrival point P can be changed to a simple configuration.

본 실시 형태에서는, 세정·건조 헤드(100c)는 웨이퍼(W)의 중심축에 대한 기울기가 서로 다르고, 또한 기울기의 순으로 배열됨과 함께, 출구가 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향하는, 복수의 액 노즐 h2∼h5를 갖고, 소정의 조건에 따라서 액 노즐 h2∼h5의 전환이 이 순서로(기울기가 작은 순서로) 행해진다. 그로 인해, 세정액(L2)의 유량이 동일하면, 기울기가 작은 액 노즐 h2로부터 기울기가 큰 액 노즐 h5의 순으로 전환함으로써, 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 유속 중 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따르는 속도 성분이 순차 커진다. 그로 인해, 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 속도를, 간이한 구성으로 변화시킬 수 있다.The cleaning and drying head 100c is arranged such that the inclination of the wafer W with respect to the central axis is different from that of the wafer W in the order of inclination and the exit is located on the surface Wa of the wafer W, The liquid nozzles h2 to h5 have a plurality of liquid nozzles h2 to h5, and the liquid nozzles h2 to h5 are switched in this order (in the order of small slopes) according to predetermined conditions. Therefore, when the flow rate of the cleaning liquid L2 is the same, the flow rate of the cleaning liquid L2 at the arrival point P is changed from the liquid nozzle h2 having a small slope to the liquid nozzle h5 having a large slope, The velocity components along the surface Wa gradually increase. As a result, the speed of the cleaning liquid L2 at the arrival point P can be changed to a simple configuration.

본 실시 형태에서는, 복수의 액 노즐 h2∼h5로부터 토출되는 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 도달하는 각 도달 지점 P가 모두 대략 동일 지점으로 되도록, 각 액 노즐 h2∼h5와 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 거리와, 각 액 노즐 h2∼h5의 기울기가 설정되어 있다. 그로 인해, 액 노즐 h2∼h5를 전환해도, 도중에 끊기는 일 없이 연속해서 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 공급된다. 그로 인해, 레지스트의 용해물을 웨이퍼(W) 상으로부터 충분히 제거할 수 있어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.In the present embodiment, each of the liquid nozzles h2 to h5 is controlled so that the respective arriving points P at which the cleaning liquid L2 discharged from the plurality of liquid nozzles h2 to h5 reach the surface Wa of the wafer W are all at approximately the same point. And the surface Wa of the wafer W and the slopes of the liquid nozzles h2 to h5 are set. Therefore, even when the liquid nozzles h2 to h5 are switched, the cleaning liquid L2 is continuously supplied to the surface Wa of the wafer W without being interrupted. As a result, the dissolved product of the resist can be sufficiently removed from the wafer W, and occurrence of development defects is greatly suppressed.

이상과 같은 본 실시 형태에서는, 도 16에 도시되는 바와 같이, 세정·건조 헤드(100c)의 이동 속도가 빨라도 건조 지연이나 액튀김에 수반되는 현상 결함의 발생을 억제할 수 있어, 처리 시간을 크게 단축하는 것이 가능하다.In the present embodiment as described above, as shown in Fig. 16, it is possible to suppress the occurrence of development defects accompanying drying delay and liquid splashing even when the cleaning and drying head 100c moves at a high speed, It is possible to shorten.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 17의 (a)에 도시되는 바와 같이, 세정·건조 헤드(100c)는 복수의 가스 노즐 h61∼h64를 가져도 된다. 가스 노즐 h61∼h64는, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따르도록 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연부를 향해 이 순서로 배열되어 있다. 가스 노즐 h61∼h64는 각각, 각 액 노즐 h2∼h5에 대응하여 배치되어 있다. 가스 노즐 h61∼h64의 출구는, 연직 하방을 향하고 있다. 이 경우, 세정액(L2)이 토출되는 액 노즐 h2∼h5가 순차 전환되는 것에 수반하여, 가스 노즐 h61∼h64도 순차 전환한다. 그로 인해, 세정액(L2)이 토출되고 있는 액 노즐 h2∼h5에 가까운 위치에 있는 가스 노즐 h61∼h64로부터 건조 가스(G)가 토출되므로, 건조 가스(G)의 웨이퍼(W)에의 도달 위치와, 세정액(L2)의 웨이퍼(W)에의 도달 위치의 거리가 유지되어, 건조 지연이 억제된다. 따라서, 건조 지연에 의해 레지스트의 용해물이 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 것이 억제되어, 현상 결함의 발생이 크게 억제된다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, as shown in Fig. 17 (a), the cleaning and drying head 100c may have a plurality of gas nozzles h6 1 to h6 4 . The gas nozzles h6 1 to h6 4 are arranged in this order from the central portion of the wafer W toward the peripheral edge in the radial direction of the wafer W when viewed from above. The gas nozzles h6 1 to h6 4 are disposed corresponding to the liquid nozzles h2 to h5, respectively. The outlets of the gas nozzles h6 1 to h6 4 are vertically downward. In this case, as the liquid nozzles h2 to h5 through which the cleaning liquid L2 is discharged are sequentially switched, the gas nozzles h6 1 to h6 4 are also sequentially switched. As a result, since the drying gas G is discharged from the gas nozzles h6 1 to h6 4 at positions close to the liquid nozzles h2 to h5 from which the cleaning liquid L2 is being discharged, And the distance of the position where the cleaning liquid L2 reaches the wafer W is maintained, and the drying delay is suppressed. Therefore, the dissolution of the resist on the wafer W due to the drying delay is suppressed, and the occurrence of development defects is greatly suppressed.

도 17의 (b)에 도시되는 바와 같이, 액 노즐 h2∼h5는, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 접선 방향에 있어서 1열로 배열되어 있어도 된다. 이 경우, 복수의 액 노즐 h2∼h5로부터 토출되는 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 도달하는 각 도달 지점 P를 모두 대략 동일 지점으로 하는 것이 용이해진다.As shown in Fig. 17 (b), the liquid nozzles h2 to h5 may be arranged in one row in the tangential direction of the wafer W when viewed from above. In this case, it is easy to set all the reaching points P at which the cleaning liquid L2 discharged from the plurality of liquid nozzles h2 to h5 reach the surface Wa of the wafer W, substantially at the same point.

도 17의 (c)에 도시되는 바와 같이, 세정·건조 헤드(100c)는 복수의 가스 노즐 h8∼h11을 갖고 있고, 액 노즐 h2∼h5 및 가스 노즐 h8∼h11이 모두, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 접선 방향에 있어서 1열로 배열되어 있어도 된다. 가스 노즐 h8∼h11의 선단측(출구측)이 기울어지는 방향은, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 접선 방향을 따름과 함께 웨이퍼(W)의 회전 방향 상류측으로부터 하류측을 향하는 방향이다. 도 17의 (c)에 있어서는, 가스 노즐 h8∼h11의 세트는, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 있어서, 가스 노즐 h6과 액 노즐 h2∼h5의 세트 사이에 위치하고 있다. 이 경우, 건조 지연의 억제와, 세정액(L2)의 도달 지점 P의 일치를 양립할 수 있다.As shown in Fig. 17C, the cleaning / drying head 100c has a plurality of gas nozzles h8 to h11, and both the liquid nozzles h2 to h5 and the gas nozzles h8 to h11, But may be arranged in one line in the tangential direction of the wafer W. The direction in which the tip side (outlet side) of the gas nozzles h8 to h11 is inclined is the direction from the upstream side to the downstream side in the rotational direction of the wafer W along with the tangential direction of the wafer W when viewed from above . 17 (c), the set of gas nozzles h8 to h11 is located between the gas nozzle h6 and the set of liquid nozzles h2 to h5 in the radial direction of the wafer W. In this case, both the suppression of the drying delay and the matching of the arrival point P of the cleaning liquid L2 can be achieved.

도시는 하지 않았지만, 노즐 h5∼h2는, 상방으로부터 볼 때, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따르도록 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연부를 향해 이 순서로 배열되어 있어도 된다. 즉, 노즐 h2∼h5가, 상기 실시 형태의 배열순과는 역순으로 되어 있어도 된다.Although not shown, the nozzles h5 to h2 may be arranged in this order from the central portion of the wafer W to the periphery thereof along the radial direction of the wafer W when viewed from above. That is, the nozzles h2 to h5 may be arranged in the reverse order of the arrangement order of the above embodiment.

도 18의 (a)에 도시되는 바와 같이, 각 액 노즐 h2∼h5는, 당해 액 노즐 h2∼h5보다도 소직경인 복수의 소형 노즐을 묶어 1세트로 한 집합 노즐에 의해 구성되어 있어도 된다. 이 소형 노즐로부터 토출되는 세정액(L2)은, 도 18의 (b)에 도시되는 바와 같이, 대략 동일한 지점에 도달한다. 이 경우, 소형 노즐을 사용함으로써, 각 소형 노즐로부터 토출되는 세정액(L2)의 유속을 높일 수 있음과 함께, 당해 소형 노즐을 복수 묶어 사용함으로써, 필요한 세정액(L2)의 유량을 확보할 수 있다.As shown in Fig. 18 (a), each of the liquid nozzles h2 to h5 may be constituted by a set of nozzles formed by bundling a plurality of small nozzles smaller in diameter than the liquid nozzles h2 to h5. The cleaning liquid L2 discharged from the small nozzles reaches substantially the same point as shown in Fig. 18 (b). In this case, by using the small nozzles, the flow rate of the cleaning liquid L2 discharged from each small nozzle can be increased, and the required flow rate of the required cleaning liquid L2 can be secured by using a plurality of small nozzles.

세정·건조 헤드(100c)는, 적어도 하나의 액 노즐을 갖고 있으면 된다. 액 노즐이 하나인 경우에는, 당해 액 노즐로부터 토출되는 세정액(L2)의 유속을 조정 가능한 기구를 부가한 후, 웨이퍼(W) 상의 세정액(L2)의 도달 지점 P가 웨이퍼(W)의 주연으로 이동하는 것에 수반하여, 당해 기구가 유속을 조정하여 당해 액 노즐로부터 토출되는 세정액(L2)의 유속을 빠르게 하면 된다(도 19 참조).The cleaning / drying head 100c may have at least one liquid nozzle. The apparatus is provided with a mechanism capable of adjusting the flow rate of the cleaning liquid L2 discharged from the liquid nozzle and then the arrival point P of the cleaning liquid L2 on the wafer W is transferred to the periphery of the wafer W With this movement, the flow rate of the cleaning liquid L2 discharged from the liquid nozzle can be adjusted by adjusting the flow rate of the mechanism (see FIG. 19).

도 20에 도시되는 바와 같이, 2개의 세정·건조 헤드(100c1, 100c2)를 사용하여, 웨이퍼(W)의 세정을 행해도 된다. 구체적으로는, 상기 실시 형태와 마찬가지로 건조 영역(D)을 형성할 때까지는 1개의 세정·건조 헤드(100c1)로 행한다. 그 후, 2개의 세정·건조 헤드(100c1, 100c2)를 서로 반대 방향을 향해 이동시키면서, 각 액 노즐 h2∼h5로부터 세정액(L2)을 토출시킨다. 세정·건조 헤드(100c1, 100c2)의 액 노즐 h2∼h5의 전환 타이밍은, 도 21에 나타내어지는 바와 같이, 모두 동일해지도록 설정할 수 있다. 이 경우, 서로 반대 방향으로 이동하는 액 노즐로부터 각각 세정액(L2)이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 토출된다. 그로 인해, 큰 사이즈의 웨이퍼(W)에 대해서도, 웨이퍼(W)에 충분한 양의 세정액(L2)을 공급할 수 있다.The wafer W may be cleaned by using two cleaning and drying heads 100c 1 and 100c 2 as shown in Fig. Specifically, it carried out by a single washing and drying head (100c 1) until they form a drying zone (D) as in the foregoing embodiment. After that, while moving towards the two opposite directions of the washing and drying head (100c 1, 100c 2) to each other, thereby discharging the cleaning liquid (L2) from each liquid nozzle h2~h5. Cleaning and switching timing of the liquid nozzle h2~h5 the drying head (100c 1, 100c 2), can be set so that, all the same, as shown in Fig. In this case, the cleaning liquid L2 is discharged from the liquid nozzles moving in opposite directions to the surface Wa of the wafer W, respectively. As a result, a sufficient amount of the cleaning liquid L2 can be supplied to the wafer W even for the wafer W of a large size.

가스 노즐 h6의 개구 면적(개구 직경)은, 예를 들어 노즐 h2의 개구 면적(개구 직경)과 동일 정도로 설정할 수 있다.The opening area (opening diameter) of the gas nozzle h6 can be set to be, for example, about the same as the opening area (opening diameter) of the nozzle h2.

상기 실시 형태에서는, 액 노즐 h2∼h5를 전환하여 세정액(L2)의 토출 속도를 제어함으로써, 도달 지점 P에 있어서의 세정액(L2)의 유속과 도달 지점 P에 있어서의 웨이퍼(W)의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록 하였지만, 액 노즐로부터 토출되는 세정액(L2)의 토출 속도는 일정하게 하고, 웨이퍼(W)의 회전수를 제어함으로써, 당해 차가 소정의 범위 내로 되도록 해도 된다. 또한, 세정액(L2)의 토출 속도와 웨이퍼(W)의 회전수의 양쪽을 제어함으로써, 당해 차가 소정의 범위 내로 되도록 해도 된다.In the above embodiment, the liquid nozzles h2 to h5 are switched to control the discharge speed of the cleaning liquid L2 so that the flow velocity of the cleaning liquid L2 at the arrival point P and the linear velocity of the wafer W at the arrival point P The discharge speed of the cleaning liquid L2 discharged from the liquid nozzle may be constant and the number of revolutions of the wafer W may be controlled so that the difference is within a predetermined range. Further, by controlling both the discharge speed of the cleaning liquid L2 and the number of revolutions of the wafer W, the difference may be set within a predetermined range.

액 노즐과 가스 노즐이 동일한 하나의 세정·건조 헤드(100c)에 설치되어 있을 필요는 없다. 즉, 이들 노즐이 각각의 헤드에 설치되어 있고, 각 헤드의 동작을 각각 제어해도 된다.It is not necessary that the liquid nozzle and the gas nozzle are provided in the same cleaning and drying head 100c. That is, these nozzles are provided in the respective heads, and the operations of the respective heads may be controlled.

1 : 도포·현상 장치
20 : 회전 보유 지지부
100 : 표면 세정·건조부
100c : 세정·건조 헤드
h2∼h5 : 액 노즐
h6 : 가스 노즐
CU : 제어 장치
W : 웨이퍼1: Coating / developing device
20:
100: Surface cleaning / drying unit
100c: Cleaning and drying head
h2 to h5: liquid nozzle
h6: Gas nozzle
CU: Control device
W: Wafer

Claims (17)

표면에 대해 수직한 축 주위로 기판을 회전시키는 회전 구동부와,
상기 기판보다도 상방에 위치함과 함께 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출하는, 적어도 하나의 액 노즐과,
상기 기판의 회전수와, 상기 액 노즐의 이동과, 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 액 노즐로부터 토출된 세정액이 상기 회전 구동부에 의해 회전 구동된 상기 기판의 상기 표면에 도달한 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향이 상기 기판의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록, 상기 액 노즐이 설정되고,
상기 제어부는, 상기 회전 구동부에 의해 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 상기 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 상기 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 상기 기판의 회전수와, 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어하는, 기판 세정 장치.A rotation driving unit for rotating the substrate about an axis perpendicular to the surface,
At least one liquid nozzle which is located above the substrate and discharges the cleaning liquid onto the surface of the substrate,
And a control unit for controlling the rotation speed of the substrate, the movement of the liquid nozzle, and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle,
Wherein the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle so that the flow direction of the cleaning liquid is in a direction along the linear velocity direction of the substrate at an arrival point where the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the substrate rotationally driven by the rotation drive unit, Is set,
Wherein the controller rotates the substrate by the rotation driving unit and moves the liquid nozzle from the center side to the peripheral side of the substrate so that the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point and the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point Wherein at least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so that the difference in linear velocity of the substrate is within a predetermined range. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 상기 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 선속도의 차가 ±25m/sec로 되도록, 상기 기판의 회전수와, 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어하는, 기판 세정 장치.The liquid ejecting apparatus according to claim 1, wherein the controller is configured to control the substrate rotation speed so that a difference between a flow velocity of the cleaning liquid at the arrival point and a linear velocity of the substrate at the arrival point is ± 25 m / sec, And the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge head. 제1항 또는 제2항에 있어서, 개구 면적이 서로 다르고, 또한 개구 면적의 순으로 배열되는 복수의 상기 액 노즐을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 회전 구동부에 의해 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 개구 면적이 큰 상기 액 노즐로부터 개구 면적이 작은 상기 액 노즐의 순으로 전환하면서 상기 액 노즐로부터 세정액을 토출시키는, 기판 세정 장치.The liquid ejecting apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a plurality of liquid nozzles each having a different opening area and arranged in the order of the opening area,
Wherein the controller rotates the substrate by the rotation driving unit and moves the liquid nozzle from the center side to the peripheral side of the substrate so that the liquid nozzle has a smaller opening area from the liquid nozzle having a larger opening area, And the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 축에 대한 기울기가 서로 다르고, 또한 기울기의 순으로 배열됨과 함께, 출구가 상기 기판의 상기 표면을 향하는, 복수의 상기 액 노즐을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 회전 구동부에 의해 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 기울기가 작은 상기 액 노즐로부터 기울기가 큰 상기 액 노즐의 순으로 전환하면서 상기 액 노즐로부터 세정액을 토출시키는, 기판 세정 장치.The liquid ejecting apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a plurality of said liquid nozzles, the inclination of said axis being different from each other and being arranged in the order of a slope, and an outlet pointing to said surface of said substrate,
Wherein the controller rotates the substrate by the rotation driving unit and further moves the liquid nozzle from the center side of the substrate to the peripheral side so as to switch from the liquid nozzle having a small slope to the liquid nozzle having a large slope, And the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle. 제4항에 있어서, 복수의 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액이 상기 기판의 상기 표면에 도달하는 각 도달 지점이 모두 동일 지점으로 되도록, 상기 각 액 노즐과 상기 기판의 상기 표면과의 거리와, 상기 각 액 노즐의 기울기가 설정되어 있는, 기판 세정 장치.The liquid ejecting apparatus according to claim 4, wherein a distance between each of the liquid nozzles and the surface of the substrate and a distance between each of the liquid nozzles and the surface of the substrate, Wherein a slope of each liquid nozzle is set. 제3항에 있어서, 상기 기판보다도 상방에 위치함과 함께 상기 기판의 상기 표면에 건조 가스를 토출하는 적어도 하나의 가스 노즐을 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 가스 노즐이 상기 액 노즐보다도 상기 기판의 중앙측에 위치하도록, 상기 가스 노즐 및 상기 액 노즐을 이동시키는, 기판 세정 장치.4. The apparatus according to claim 3, further comprising: at least one gas nozzle positioned above the substrate and discharging a dry gas onto the surface of the substrate,
Wherein the control unit moves the gas nozzle and the liquid nozzle such that the gas nozzle is positioned at a center side of the substrate with respect to the liquid nozzle. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액 노즐은, 당해 액 노즐보다도 소직경인 복수의 소형 노즐을 묶어 1세트로 한 집합 노즐에 의해 구성되어 있는, 기판 세정 장치.3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1 or 2, wherein the liquid nozzle is constituted by a set of nozzles formed by bundling a plurality of small nozzles smaller in diameter than the liquid nozzle. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판보다도 상방에 위치함과 함께 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출하는, 적어도 하나의 다른 액 노즐을 더 구비하고,
상기 다른 액 노즐로부터 토출된 세정액이 상기 회전 구동부에 의해 회전 구동된 상기 기판의 상기 표면에 도달한 다른 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향은, 상기 기판의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록 설정되고,
상기 제어부는, 상기 회전 구동부에 의해 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 다른 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 상기 액 노즐과는 다른 방향으로 이동시키면서, 상기 다른 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 상기 다른 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 상기 기판의 회전수와, 상기 다른 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽을 제어하는, 기판 세정 장치.The apparatus according to claim 1 or 2, further comprising at least one other liquid nozzle which is located above the substrate and discharges the cleaning liquid onto the surface of the substrate,
The flow direction of the cleaning liquid is set so as to be in the direction along the linear velocity direction of the substrate at the other arrival point where the cleaning liquid discharged from the other liquid nozzle reaches the surface of the substrate rotationally driven by the rotation drive section And,
Wherein the controller rotates the substrate by the rotation driving unit and moves the other liquid nozzle from the center side of the substrate toward the peripheral side in a direction different from the liquid nozzle, For controlling at least one of the rotation number of the substrate and the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the other liquid nozzle so that the difference between the flow velocity of the substrate and the linear velocity of the substrate at the other arrival point is within a predetermined range, Device. 표면에 대해 수직한 축 주위로 기판을 회전시키면서, 상기 기판보다도 상방에 위치하는 적어도 하나의 액 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 세정액을 토출시키고, 그 후, 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시켜, 상기 액 노즐로부터 토출된 세정액이 상기 기판의 표면에 도달한 도달 지점을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측으로 이동시킴으로써, 상기 기판의 상기 표면을 세정하는 세정 공정을 포함하고,
상기 세정 공정에서는,
상기 액 노즐로부터 토출된 세정액이 회전 중인 상기 기판의 상기 표면에 도달한 상기 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향이, 상기 기판의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록 설정되고,
상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 상기 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 상기 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 상기 기판의 회전수와, 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어되는, 기판 세정 방법.The cleaning liquid is discharged from at least one liquid nozzle located above the substrate while rotating the substrate around an axis perpendicular to the surface of the substrate, And a cleaning step of cleaning the surface of the substrate by moving an arrival point where the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the substrate from the center side to the peripheral side of the substrate and,
In the cleaning step,
The flow direction of the cleaning liquid is set to be in a direction along the linear velocity direction of the substrate at the arrival point where the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle reaches the surface of the substrate being rotated,
The substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side of the substrate toward the peripheral side so that the difference between the flow velocity of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point falls within a predetermined range Wherein at least one of a rotation number of the substrate and a discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so as to be within a predetermined range. 제9항에 있어서, 상기 세정 공정에서는, 상기 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 상기 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 선속도의 차가 ±25m/sec로 되도록, 상기 기판의 회전수와, 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어되는, 기판 세정 방법.The method according to claim 9, wherein in the cleaning step, the difference between the rotation number of the substrate and the liquid amount of the liquid so that the difference between the flow velocity of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point is ± 25 m / Wherein at least one of a discharge speed of the cleaning liquid discharged from the nozzle is controlled. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 세정 공정에서는, 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키고 있는 동안, 상기 액 노즐이 상기 기판의 주연부를 향함에 따라 상기 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속이 커지도록 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도가 제어되는, 기판 세정 방법.11. The method according to claim 9 or 10, wherein in the cleaning step, while the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side of the substrate to the peripheral side, the liquid nozzle And the discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so that the flow rate of the cleaning liquid at the arrival point increases according to the facing direction. 제11항에 있어서, 상기 세정 공정에서는, 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키고 있는 동안, 상기 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 구심 가속도가 일정해지도록 상기 기판의 회전수가 제어되는, 기판 세정 방법.The method according to claim 11, wherein in the cleaning step, while the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side to the peripheral side of the substrate, the centripetal acceleration of the substrate at the arrival point is constant The number of revolutions of the substrate is controlled so that the substrate is cleaned. 제11항에 있어서, 상기 세정 공정에서는, 개구 면적이 서로 다르고, 또한 개구 면적의 순으로 배열되는 복수의 상기 액 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출시켜 상기 기판의 상기 표면을 세정하는 데 있어서, 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 개구 면적이 큰 상기 액 노즐로부터 개구 면적이 작은 상기 액 노즐의 순으로 전환하면서 상기 액 노즐로부터 세정액을 토출시키는, 기판 세정 방법.The cleaning method according to claim 11, wherein, in the cleaning step, the cleaning liquid is discharged from the plurality of liquid nozzles having different opening areas and arranged in the order of the opening area to clean the surface of the substrate Wherein the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side to the peripheral side of the substrate while the liquid nozzle is switched from the liquid nozzle having a large opening area to the liquid nozzle having a small opening area, And the cleaning liquid is discharged. 제11항에 있어서, 상기 세정 공정에서는, 상기 축에 대한 기울기가 서로 다르고, 또한 기울기의 순으로 배열됨과 함께, 출구가 상기 기판의 상기 표면을 향하는, 복수의 상기 액 노즐로부터, 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출시켜 상기 기판의 상기 표면을 세정하는 데 있어서, 상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 기울기가 작은 상기 액 노즐로부터 기울기가 큰 상기 액 노즐의 순으로 전환하면서 상기 액 노즐로부터 세정액을 토출시키는, 기판 세정 방법.The cleaning method according to claim 11, wherein, in the cleaning step, from a plurality of the liquid nozzles, the inclination of which is different from that of the axis and are arranged in the order of inclination, Wherein the substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side to the peripheral side of the substrate while the cleaning liquid is ejected onto the surface of the substrate to clean the surface of the substrate, And the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle while being switched in the order of the larger liquid nozzle. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 세정 공정에서는,
상기 기판을 회전시키고, 또한 적어도 하나의 가스 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 건조 가스를 토출시켜, 상기 기판의 상기 표면의 중앙부에 건조 영역을 형성한 후,
상기 기판을 회전시키고, 또한 상기 액 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 상기 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 상기 도달 지점에 있어서의 상기 기판의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 상기 기판의 회전수와, 상기 액 노즐로부터 토출되는 세정액의 토출 속도 중 적어도 한쪽이 제어되는, 기판 세정 방법.11. The method according to claim 9 or 10, wherein in the cleaning step,
Rotating the substrate and discharging a dry gas from the at least one gas nozzle to a central portion of the surface of the substrate to form a dry region in a central portion of the surface of the substrate,
The substrate is rotated and the liquid nozzle is moved from the center side of the substrate toward the peripheral side so that the difference between the flow velocity of the cleaning liquid at the arrival point and the linear velocity of the substrate at the arrival point falls within a predetermined range Wherein at least one of a rotation number of the substrate and a discharge speed of the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle is controlled so as to be within a predetermined range. 제15항에 있어서, 상기 세정 공정에서는, 복수의 상기 액 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면에 세정액을 토출시킴과 함께, 복수의 상기 가스 노즐로부터 상기 기판의 상기 표면에 건조 가스를 세정액의 상기 도달 지점보다도 중앙측으로 토출시키는 데 있어서, 복수의 상기 액 노즐 및 복수의 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동시키면서, 복수의 상기 액 노즐의 전환에 맞추어 상기 각 가스 노즐을 차례로 전환하면서 상기 가스 노즐로부터 건조 가스를 토출시키는, 기판 세정 방법.The cleaning method according to claim 15, wherein, in the cleaning step, a cleaning liquid is discharged from the plurality of liquid nozzles to the surface of the substrate, and a drying gas is supplied to the surface of the substrate from a plurality of the gas nozzles The plurality of liquid nozzles and the plurality of gas nozzles are moved from the center side to the peripheral side of the substrate while sequentially switching the respective gas nozzles in accordance with the switching of the plurality of liquid nozzles And a drying gas is discharged from the gas nozzle. 제9항 또는 제10항에 기재된 방법을 기판 세정 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.11. A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for causing a substrate cleaning apparatus to execute the method according to any one of claims 9 to 10.
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