KR102139604B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

Apparatus and method for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102139604B1
KR102139604B1 KR1020180134254A KR20180134254A KR102139604B1 KR 102139604 B1 KR102139604 B1 KR 102139604B1 KR 1020180134254 A KR1020180134254 A KR 1020180134254A KR 20180134254 A KR20180134254 A KR 20180134254A KR 102139604 B1 KR102139604 B1 KR 102139604B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
injection
spin chuck
cleaning liquid
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020180134254A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200051869A (en
Inventor
노상은
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180134254A priority Critical patent/KR102139604B1/en
Publication of KR20200051869A publication Critical patent/KR20200051869A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102139604B1 publication Critical patent/KR102139604B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판을 지지하며, 상기 기판 저면으로 세정액이 토출되도록 분사유로가 형성된 스핀척; 상기 분사유로로 세정액을 제공하는 분사노즐;을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 스핀척에 분사유로를 형성하고, 상기 분사유로를 통해 스핀척에 안착된 기판 저면에 세정액을 분사할 수 있으므로, 세정액이 분사되지 않는 사각지대를 최소화할 수 있다. 따라서, 기판 저면에 잔존하는 파티클을 최소화할 수 있으며, 후속 공정 진행 시 기판 저면의 파티클에 의한 공정 불량을 감소시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, a spin chuck supporting a substrate and having an injection channel formed to discharge cleaning liquid to the bottom surface of the substrate; It provides a substrate processing apparatus comprising a; injection nozzle for providing a cleaning solution in the injection flow path.
According to an embodiment of the present invention, since a spray flow path is formed on the spin chuck, and the cleaning liquid can be sprayed on the bottom surface of the substrate seated on the spin chuck through the spray flow path, it is possible to minimize a blind spot in which the cleaning liquid is not sprayed. Therefore, it is possible to minimize particles remaining on the bottom surface of the substrate, and to reduce process defects due to particles on the bottom surface of the substrate during the subsequent process.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}

본 발명은 기판의 저면(Back side)을 세정하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for cleaning the back side of a substrate.

일반적으로 반도체 소자는 기판 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 포토리소그래피, 박막형성 공정 등 여러 단계의 서로 다른 기판 처리 공정이 요구된다. 각각의 처리 공정에서 기판은 해당 공정에 최적의 조건을 제공하는 챔버에 장착되어 처리될 수 있다.In general, semiconductor devices are manufactured by depositing various materials on a substrate in a thin film form and patterning them. To this end, different substrate processing processes, such as photolithography and thin film formation, are required. In each treatment process, the substrate can be mounted and processed in a chamber that provides optimum conditions for the process.

도 1은 일반적인 기판 처리 시스템을 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a typical substrate processing system.

도 1을 참고하면, 기판 처리 시스템은 인덱스모듈(10) 및 공정모듈(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system includes an index module 10 and a process module 20.

여기서, 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다.Here, the substrate is a comprehensive concept including all of a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like.

인덱스모듈(10)은 외부로부터 기판을 반송 받아 공정모듈(20)로 기판을 반송한다. 인덱스모듈(10)은 로드챔버(11)와 이송프레임(12)을 포함한다.The index module 10 receives a substrate from the outside and transfers the substrate to the process module 20. The index module 10 includes a load chamber 11 and a transfer frame 12.

로드챔버(11)에는 기판이 수용되는 용기(11a)가 놓인다. 용기(11a)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: Front Opening Unified Pod)가 사용될 수 있다. 용기(11a)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: Overhead Transfer)에 의해 외부로부터 로드챔버(11)로 반입되거나 로드챔버(11)로부터 외부로 반출될 수 있다.The container 11a in which the substrate is accommodated is placed in the load chamber 11. As the container 11a, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container 11a may be brought into the load chamber 11 from the outside by an overhead transfer (OHT) or may be carried out from the load chamber 11 to the outside.

이송프레임(12)은 로드챔버(11)에 놓인 용기(11a)와 공정모듈(20) 간에 기판을 반송한다. 이송프레임(12)은 인덱스로봇(12a)과 인덱스레일(12b)을 포함한다. 인덱스로봇(12a)은 인덱스레일(12b) 상에서 이동하며 기판을 반송할 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(12a)은 기판을 용기(11a)로부터 인출하여 후술하는 버퍼슬롯에 놓을 수 있다.The transfer frame 12 transfers the substrate between the container 11a placed in the load chamber 11 and the process module 20. The transfer frame 12 includes an index robot 12a and an index rail 12b. The index robot 12a moves on the index rail 12b and can transport the substrate. For example, the index robot 12a may take the substrate out of the container 11a and place it in a buffer slot described later.

공정모듈(20)은 버퍼챔버(21), 이송챔버(22), 공정챔버(23)를 포함한다.The process module 20 includes a buffer chamber 21, a transfer chamber 22, and a process chamber 23.

버퍼챔버(21)는 인덱스모듈(10)과 공정모듈(20) 간에 반송되는 기판이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(21)에는 기판이 놓이는 버퍼슬롯(21a)이 제공될 수 있다. 버퍼슬롯(21a)은 복수 제공될 수 있으며, 이에 따라 기판 역시 복수가 버퍼챔버(21)에 유입될 수 있다.The buffer chamber 21 provides a space where the substrate conveyed between the index module 10 and the process module 20 temporarily stays. The buffer chamber 21 may be provided with a buffer slot 21a on which the substrate is placed. A plurality of buffer slots 21a may be provided, and accordingly, a plurality of substrates may also flow into the buffer chamber 21.

이송챔버(22)는 그 주변에 배치된 버퍼챔버(21), 공정챔버(23) 간에 기판을 반송한다. 이송챔버(22)는 이송로봇(22a)과 이송레일(22b)을 포함한다. 이송로봇(22a)은 이송레일(22b) 상에서 이동하며 기판을 반송할 수 있다. 즉, 이송챔버(22)의 이송로봇(22a)은 버퍼슬롯(21a)에 놓인 기판을 인출하여 이를 공정챔버(23)로 반송할 수 있다.The transfer chamber 22 transfers the substrate between the buffer chamber 21 and the process chamber 23 disposed around it. The transfer chamber 22 includes a transfer robot 22a and a transfer rail 22b. The transfer robot 22a moves on the transfer rail 22b to transfer the substrate. That is, the transfer robot 22a of the transfer chamber 22 can take out the substrate placed in the buffer slot 21a and transfer it to the process chamber 23.

공정챔버(23)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 공정챔버(23)는 일측에 기판이 출입하기 위한 출입구를 구비하고, 출입구는 도어에 의해 개폐될 수 있다. 공정챔버는 출입구가 제공된 일측면이 이송챔버(22)를 향하도록 배치될 수 있다.One or a plurality of process chambers 23 may be provided. The process chamber 23 is provided with an entrance and exit for the substrate on one side, the entrance can be opened and closed by a door. The process chamber may be arranged such that one side provided with an entrance faces the transfer chamber 22.

공정챔버(23)는 기판에 대해 소정의 공정을 수행한다. 예컨대, 공정챔버(23)는 포토레지스트 도포, 현상, 세정, 열처리 등의 공정을 수행할 수 있다.The process chamber 23 performs a predetermined process on the substrate. For example, the process chamber 23 may perform processes such as photoresist application, development, cleaning, and heat treatment.

도 2는 종래 기술에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.Figure 2 shows a substrate processing apparatus according to the prior art.

도 2를 참고하면, 기판(S)의 아래에 소정 각도(θ)로 세정액 노즐(40)이 설치되고, 기판(S)의 회전 시 세정액이 분사되어 기판(S) 이면의 잔류물을 제거토록 한다.Referring to FIG. 2, a cleaning liquid nozzle 40 is installed at a predetermined angle θ below the substrate S, and when the substrate S is rotated, the cleaning liquid is sprayed to remove residues on the back surface of the substrate S. do.

예를 들면, 포토레지스트 도포 공정에서는 기판을 스핀척(10)에 안착하고 일정량의 포토레지스트를 기판에 도포한 후, 이를 고르게 퍼질 수 있도록 스핀척(10)을 소정 속도로 회전시켜 포토레지스트를 코팅한다. 이때 포토레지스트는 회전하는 기판(S)의 원심력에 의해 기판(S)의 외경 방향으로 유동하게 된다. 이 과정 중에 포토레지스트의 일부가 흘러 넘쳐 기판(S)의 이면에 묻게 되는 현상이 발생할 수 있다.For example, In the photoresist coating process, the substrate is seated on the spin chuck 10, and a certain amount of photoresist is applied to the substrate, and then the spin chuck 10 is rotated at a predetermined speed so that it spreads evenly to coat the photoresist. At this time, the photoresist flows in the outer diameter direction of the substrate S by the centrifugal force of the rotating substrate S. During this process, a phenomenon in which a part of the photoresist overflows and is deposited on the back surface of the substrate S may occur.

기판(S) 이면에 묻은 파티클 등의 오염물질은 이후의 공정 예컨대, 노광 공정 시 정밀한 패턴 형성을 방해하여 공정 불량을 일으키는 원인이 된다.Contaminants, such as particles on the back surface of the substrate S, interfere with precise pattern formation in subsequent processes, such as an exposure process, and cause process defects.

이를 방지하기 위해 포토레지스트 도포 공정 시 또는 그 이후에 기판(S)의 이면에 세정액을 분사함으로써 포토레지스트 잔류물을 제거하게 된다. 이때 세정액을 분사하는 세정액 노즐(40)은 기판(S)의 하측에 고정되어 있다. 즉, 세정액 노즐(40)은 고정된 채 기판(S)만 회전하면서 세정액을 분사하게 된다.To prevent this, the photoresist residue is removed by spraying a cleaning solution on the back surface of the substrate S during or after the photoresist coating process. At this time, the cleaning liquid nozzle 40 for spraying the cleaning liquid is fixed to the lower side of the substrate S. That is, while the cleaning liquid nozzle 40 is fixed, only the substrate S is rotated to spray the cleaning liquid.

또한, 상술한 바와 유사한 방법으로 린스액을 공급하여 세정액을 제거하는 과정을 수행할 수도 있다.In addition, it is also possible to perform a process of removing the cleaning solution by supplying a rinse solution in a similar manner as described above.

한편, 기판(S)의 회전 시 그 원심력에 의해 세정액이 기판(S)의 에지 측으로 유동될 수 있도록 세정액 노즐(40)은 기판(S)의 외경 방향으로 세정액을 사선으로 분사하도록 배치되어 있다.On the other hand, the cleaning liquid nozzle 40 is arranged to spray the cleaning liquid diagonally in the outer diameter direction of the substrate S so that the cleaning liquid can flow toward the edge of the substrate S by the centrifugal force when the substrate S is rotated.

그런데 기존에는 세정액 노즐(40)이 기판의 하측(S)에 고정되어 있고, 기판(S)의 회전 시 기판(S)의 외경 방향으로 세정액을 사선으로 분사하게 됨에 따라 스핀척(30)이 근접한 기판(S)의 저면에서 세정액의 영향을 받지 않는 미세정 영역(A)이 발생할 수 있다. 이 경우 세정액이 도포되지 않은 기판(S) 저면의 미세정 영역(A)에서 파티클이 잔존하게 될 수 있고, 이는 추후 공정의 불량 원인으로 작용할 우려가 있다.However, in the past, the cleaning liquid nozzle 40 is fixed to the lower side S of the substrate, and when the substrate S is rotated, the spin chuck 30 is close as the cleaning liquid is sprayed diagonally in the outer diameter direction of the substrate S. On the bottom surface of the substrate S, a microfine region A that is not affected by the cleaning liquid may occur. In this case, particles may remain in the microfine region A on the bottom surface of the substrate S to which the cleaning solution is not applied, which may act as a cause of a defect in a later process.

한국공개특허 10-2010-0060094Korea Patent Publication 10-2010-0060094

본 발명은 기판의 저면 전체에 고르게 세정액을 분사할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly spraying a cleaning solution over the entire bottom surface of the substrate.

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description.

본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며, 상기 기판 저면으로 세정액이 토출되도록 분사유로가 형성된 스핀척; 상기 분사유로로 세정액을 제공하는 분사노즐;을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention supports a substrate, and a spin chuck having an injection path formed to discharge cleaning liquid to the bottom surface of the substrate; It may include; a spray nozzle for providing a cleaning solution in the spray passage.

본 발명의 실시예에서, 상기 분사유로의 입구는 스핀척의 저면에 형성되고, 상기 분사노즐은 상기 분사유로의 입구에 대응 배치될 수 있다. 상기 분사유로의 입구는 스핀척의 중심을 기준으로 그 주변에 동심원상으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the inlet of the injection passage is formed on the bottom surface of the spin chuck, and the injection nozzle may be disposed corresponding to the inlet of the injection passage. The inlet of the injection passage may be formed concentrically around the center of the spin chuck.

본 발명의 실시예에서, 상기 분사유로의 출구는 상기 스핀척의 측면 상단에 형성되고, 상기 분사유로의 출구에는 경사면이 형성될 수 있다. 상기 경사면은 세정액이 기판의 외경 방향으로 사선으로 토출되도록 기판의 저면에 대해 예각을 형성할 수 있다. 상기 분사유로의 출구는 스핀척에 방사상으로 복수 형성되고, 상기 분사유로의 출구들 죽 적어도 하나는 상이한 분사각을 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the outlet of the injection passage may be formed on the upper side of the spin chuck, and an inclined surface may be formed at the exit of the injection passage. The inclined surface may form an acute angle with respect to the bottom surface of the substrate such that the cleaning liquid is discharged diagonally in the outer diameter direction of the substrate. The outlets of the injection passages may be formed radially on the spin chuck, and at least one of the exits of the injection passages may have a different injection angle.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며, 상기 기판 저면으로 세정액이 토출되도록 분사유로가 형성된 스핀척; 상기 분사유로로 세정액을 제공하는 제1분사노즐; 상기 기판의 저면에 세정액을 직접 분사하는 제2분사노즐;을 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the substrate supports, the spin chuck is formed with an injection flow path so that the cleaning liquid is discharged to the bottom surface of the substrate; A first injection nozzle that provides a cleaning liquid to the injection passage; It may include; a second injection nozzle for directly spraying the cleaning liquid on the bottom surface of the substrate.

본 발명의 실시예에서, 상기 제2분사노즐은 세정액을 기판의 외경 방향으로 사선으로 분사하도록 배치될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second spray nozzle may be arranged to spray the cleaning solution diagonally in the outer diameter direction of the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 분사노즐로부터 스핀척에 형성된 분사유로의 입구에 세정액을 분사하는 단계; 분사유로로 제공된 세정액을 분사유로의 출구를 통해 기판 저면에 토출하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the step of spraying a cleaning solution from the injection nozzle to the inlet of the injection flow path formed in the spin chuck; It may include; discharging the cleaning liquid provided in the injection passage to the bottom of the substrate through the outlet of the injection passage.

본 발명의 실시예에서 상기 세정액은 분사유로의 출구로부터 기판의 외경 방향으로 사선으로 토출될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the cleaning liquid may be discharged diagonally from the outlet of the injection flow path in the outer diameter direction of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 스핀척에 분사유로를 형성하고, 상기 분사유로를 통해 스핀척에 안착된 기판 저면에 세정액을 분사할 수 있으므로, 세정액이 분사되지 않는 사각지대를 최소화할 수 있다. 따라서, 기판 저면에 잔존하는 파티클을 최소화할 수 있으며, 후속 공정 진행 시 기판 저면의 파티클에 의한 공정 불량을 감소시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, since an injection flow path is formed in the spin chuck, and the cleaning liquid can be sprayed on the bottom surface of the substrate seated on the spin chuck through the injection flow path, the blind spot in which the cleaning liquid is not injected can be minimized. Therefore, it is possible to minimize particles remaining on the bottom surface of the substrate, and to reduce process defects due to particles on the bottom surface of the substrate during the subsequent process.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이다. 따라서, 본 발명은 이러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석될 필요는 없다.
도 1은 일반적인 기판 처리 시스템을 도시한 평면도이다.
도 2는 종래 기술에 의한 기판 처리 장치를 도시한 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 저면도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 종단면도이다.The following drawings attached to the present specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the detailed description of the invention described below. Therefore, the present invention is limited to only those described in the drawings and need not be interpreted.
1 is a plan view showing a general substrate processing system.
2 is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to the prior art.
3 is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
4 is a bottom view showing the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
6 is a longitudinal sectional view showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the nature of the present invention may be omitted from the detailed description thereof, and the same reference numerals may be assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.Also, when a part is said to “include” a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components, unless otherwise stated. The terminology used herein is only for referring to a specific embodiment and is not intended to limit the present invention, and is a concept understood by a person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains, unless otherwise defined herein. Can be interpreted.

본 발명의 실시예에서, 기판의 표면 또는 상면은 소자 패턴이 형성된 기판의 패턴 형성면을 의미하고, 기판의 이면 또는 저면은 그 반대면을 의미한다.In an embodiment of the present invention, the surface or top surface of the substrate means a pattern formation surface of the substrate on which the device pattern is formed, and the back surface or bottom surface of the substrate means the opposite surface.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.3 to 5 show a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 5를 참고하면, 제1실시예에 의한 기판 처리 장치는 스핀척(100), 분사유닛(300)을 포함한다.3 to 5, the substrate processing apparatus according to the first embodiment includes a spin chuck 100 and an injection unit 300.

스핀척(100)은 기판 처리 공정 예컨대, 세정 공정을 진행하기 위한 챔버(도시 생략) 내에 설치될 수 있다. 챔버는 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버에는 처리 대상물인 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 출입구가 구비된다.The spin chuck 100 may be installed in a chamber (not shown) for performing a substrate processing process, such as a cleaning process. The chamber provides a space for processing the substrate. The chamber is provided with an entrance for loading and unloading the substrate to be treated.

스핀척(100) 상에는 처리 대상물인 기판(S)이 안착된다. 스핀척(100)은 대략 원형의 평판으로 형성될 수 있다. 스핀척(100)은 기판(S)의 직경보다 작은 직경을 갖는다. 따라서, 스핀척(100)의 상측에 안착된 기판(S)은 중심부 외측의 주변부가 외부로 노출된다.On the spin chuck 100, a substrate S, which is an object to be treated, is seated. Spin chuck 100 may be formed of a substantially circular plate. The spin chuck 100 has a diameter smaller than the diameter of the substrate S. Therefore, the substrate S seated on the upper side of the spin chuck 100 is exposed to the outer peripheral portion outside the center portion.

스핀척(100)에는 세정액의 이동 경로인 분사유로(110)가 형성된다. 분사유로(110)는 세정액이 유입되는 입구(111) 및 유입된 세정액이 분사되는 출구(112)를 갖는다.The spin chuck 100 is formed with an injection passage 110 that is a moving path of the cleaning liquid. The injection passage 110 has an inlet 111 through which the cleaning liquid is introduced and an outlet 112 through which the introduced cleaning liquid is injected.

분사유로(110)의 입구(111)는 스핀척(100)의 저면에 형성될 수 있다. 분사유로(110)의 입구(111)는 스핀척(100)의 중심을 기준으로 그 주변에 동심원상으로 링 형태로 형성될 수 있다.The inlet 111 of the injection passage 110 may be formed on the bottom surface of the spin chuck 100. The inlet 111 of the injection passage 110 may be formed in a ring shape in a concentric circle around the center of the spin chuck 100.

분사유로(110)의 출구(112)는 스핀척(100)의 측면 상단에 형성될 수 있다. 이에 따라, 분사유로(110)의 출구(112)는 스핀척(100)의 직경에 대응하는 기판 저면의 중심부 영역 외측에 최대한 근접해서 세정액을 토출할 수 있다. 또한, 분사유로(110)의 출구(112)는 스핀척(100)에 방사상으로 복수 형성될 수 있다. 이에 따라 세정액의 분사 시 기판(S) 저면의 주변부에 고르게 세정액을 분사할 수 있다.The outlet 112 of the injection passage 110 may be formed on the upper side of the spin chuck 100. Accordingly, the outlet 112 of the injection flow path 110 can discharge the cleaning liquid as close as possible to the outside of the central region of the bottom surface of the substrate corresponding to the diameter of the spin chuck 100. In addition, a plurality of outlets 112 of the injection passage 110 may be radially formed on the spin chuck 100. Accordingly, when the cleaning liquid is sprayed, the cleaning liquid can be sprayed evenly on the peripheral portion of the bottom surface of the substrate S.

분사유로(110)의 출구(112)에는 경사면(112a)이 형성될 수 있다. 경사면(112a)은 기판(S)의 저면에 대해 예각으로 형성될 수 있다. 즉, 경사면(112a)은 기판(S)의 외경 방향으로 상향 경사지게 형성될 수 있다. 이때, 분사유로(110)의 출구(112)가 스핀척(100)에 복수 형성될 경우, 복수 형성된 분사유로 출구(112)의 경사면(112a)들 중 적어도 하나는 상이한 경사각을 가질 수 있다. 즉, 분사유로(110)의 출구(112)들을 통해 토출되는 세정액은 일부 또는 각각의 분사각이 상이할 수 있다. 이에 따라 세정액 탄착점과 스핀척 사이의 미세정 영역 발생을 최소화할 수 있게 된다.An inclined surface 112a may be formed at the outlet 112 of the injection passage 110. The inclined surface 112a may be formed at an acute angle with respect to the bottom surface of the substrate S. That is, the inclined surface 112a may be formed to be inclined upward in the outer diameter direction of the substrate S. At this time, when a plurality of outlets 112 of the injection passage 110 are formed on the spin chuck 100, at least one of the inclined surfaces 112a of the plurality of formed injection passage exits 112 may have a different inclination angle. That is, the cleaning liquid discharged through the outlets 112 of the injection passage 110 may have a part or each injection angle different. Accordingly, it is possible to minimize the generation of the microfluidic region between the cleaning liquid impact point and the spin chuck.

스핀척(100)은 회전구동부(200)로부터 제공된 구동력에 의해 설정 속도로 회전할 수 있다. 회전구동부(200)는 스핀척(100)의 하측 중앙에 구비되는 회전축(210)과, 회전축(210)에 연결되어 구동력을 제공하는 구동모터(도시 생략)를 포함할 수 있다. 따라서, 구동모터에 전원이 인가되면 회전축(210)이 회전하게 되고, 회전축(210)은 설정 속도로 스핀척(100)에 회전력을 전달할 수 있다.The spin chuck 100 may rotate at a set speed by a driving force provided from the rotation driving unit 200. The rotation driving unit 200 may include a rotation shaft 210 provided at a lower center of the spin chuck 100 and a driving motor (not shown) connected to the rotation shaft 210 to provide driving force. Accordingly, when power is applied to the driving motor, the rotation shaft 210 rotates, and the rotation shaft 210 may transmit rotational force to the spin chuck 100 at a set speed.

스핀척(100)의 외측에는 회수유닛(도시 생략)이 설치될 수 있다. 회수유닛은 적어도 하나 이상의 회수통을 구비하며, 기판 처리 공정 또는 스핀척(100)의 세정 공정 진행 시 기판 또는 스핀척(100)으로 분사되는 약액이나 세정액들을 회수한다.A recovery unit (not shown) may be installed outside the spin chuck 100. The recovery unit includes at least one recovery container, and recovers chemicals or cleaning liquids sprayed onto the substrate or the spin chuck 100 during the substrate processing process or the cleaning process of the spin chuck 100.

분사유닛(300)은 기판(S)에 세정액을 분사하기 위한 분사노즐(310)을 포함한다. 분사노즐(310)은 스핀척(100)의 하측에 배치되며, 외부로부터 공급된 세정액을 스핀척(100)의 분사유로 입구(111) 측으로 세정액을 분사한다.The injection unit 300 includes a spray nozzle 310 for spraying the cleaning liquid onto the substrate S. The injection nozzle 310 is disposed on the lower side of the spin chuck 100, and sprays the cleaning liquid supplied from the outside toward the inlet 111 side of the spin chuck 100 as an injection flow path.

분사유닛(300)은 분사노즐(310)에 세정액을 공급하는 세정액 공급부(도시 생략)를 더 포함한다. 예를 들어, 세정액 공급부는 분사노즐과 연결된 세정액 공급라인을 통하여 세정액을 공급할 수 있다.The injection unit 300 further includes a cleaning liquid supply unit (not shown) for supplying the cleaning liquid to the injection nozzle 310. For example, the cleaning liquid supply unit may supply the cleaning liquid through the cleaning liquid supply line connected to the spray nozzle.

이와 같이 구성된 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 과정을 설명하면 다음과 같다.The substrate processing process using the substrate processing apparatus configured as described above will be described below.

일 실시예에 의한 기판 처리 과정은, 스핀척(100)의 분사유로(110)에 세정액을 분사하는 단계, 분사유로(110)에서 기판 저면에 세정액을 토출하는 단계를 포함한다.The substrate processing process according to an embodiment includes a step of injecting a cleaning solution into the spray passage 110 of the spin chuck 100 and a step of discharging the cleaning solution from the spray passage 110 to the bottom surface of the substrate.

스핀척(100) 상에 소정의 공정을 진행한 기판이 안착되고, 스핀척(100)이 소정 속도로 회전하면, 분사노즐은 스핀척(100)의 분사유로(110)에 세정액을 분사한다.When the substrate having undergone a predetermined process is seated on the spin chuck 100, and the spin chuck 100 rotates at a predetermined speed, the spray nozzle sprays the cleaning liquid into the spray passage 110 of the spin chuck 100.

분사유로(110)는 스핀척(100) 내부에 세정액이 유동하도록 소정 경로를 이루며, 분사유로(110)의 입구(111)는 분사노즐로부터 쉽게 세정액을 공급받도록 스핀척(100)의 저면에 형성되고, 분사유로(110)의 출구(112)는 스핀척(100)에 최대한 근접하게 형성되도록 스핀척(100)의 측면 상단에 형성된다.The injection flow path 110 forms a predetermined path so that the cleaning liquid flows inside the spin chuck 100, and the inlet 111 of the injection flow path 110 is formed on the bottom surface of the spin chuck 100 so that the cleaning liquid is easily supplied from the spray nozzle. The outlet 112 of the injection passage 110 is formed on the upper side of the spin chuck 100 so as to be formed as close as possible to the spin chuck 100.

따라서, 분사노즐(310)로부터 분사된 세정액은 스핀척(100)의 저면에 형성된 분사유로(110)의 입구(111)를 통해 공급되어 분사유로(110)의 출구(112)를 통해 기판(S) 저면에 토출된다. 이때, 분사유로(110)의 출구(112)는 기판의 외경 방향으로 상향 경사지게 형성됨으로써 사선으로 토출된다.Therefore, the cleaning liquid sprayed from the injection nozzle 310 is supplied through the inlet 111 of the injection passage 110 formed on the bottom surface of the spin chuck 100, and the substrate S is supplied through the exit 112 of the injection passage 110. ) It is discharged on the bottom. At this time, the outlet 112 of the injection flow path 110 is formed to be inclined upward in the outer diameter direction of the substrate to be discharged diagonally.

기판(S) 저면에 토출된 세정액은 스핀척(100)의 회전에 따라 기판이 회전(S)할 때, 그 원심력에 의해 기판(S)의 주변부로 유동하게 된다.When the substrate rotates (S) according to the rotation of the spin chuck 100, the cleaning liquid discharged to the bottom surface of the substrate S flows to the peripheral portion of the substrate S by its centrifugal force.

따라서, 스핀척(100)에 안착된 부분을 제외한 기판(S)의 전체 면적에 걸쳐 세정액이 도포될 수 있으며, 이에 따라 세정액 탄착점과 스핀척(100) 사이에 미세정 영역 발생을 최소화할 수 있게 된다.Accordingly, the cleaning solution may be applied over the entire area of the substrate S except for the portion seated on the spin chuck 100, thereby minimizing the generation of a microfine region between the cleaning solution impact point and the spin chuck 100. do.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.6 shows a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 제2실시예에 의한 기판 처리 장치는 스핀척(100), 분사유닛(300)을 포함하고, 분사유닛(300)은 제1분사노즐(310)과 제2분사노즐(320)을 포함한다. 스핀척(100), 제1분사노즐(310)은 제1실시예의 기판 처리 장치와 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 6, the substrate processing apparatus according to the second embodiment includes a spin chuck 100 and an injection unit 300, and the injection unit 300 includes a first injection nozzle 310 and a second injection nozzle ( 320). Since the spin chuck 100 and the first injection nozzle 310 are the same or similar to the substrate processing apparatus of the first embodiment, detailed description will be omitted.

제2분사노즐(320)은 기판(S)의 하측에 적어도 하나 이상 설치된다. 제2분사노즐은 스핀척의 외측으로 노출된 기판의 저면에 직접 세정액을 분사하며, 제2분사노즐(320)의 분사각도는 기판의 외경 방향으로 세정액을 사선으로 분사할 수 있도록 형성된다.At least one second injection nozzle 320 is installed under the substrate S. The second spray nozzle sprays the cleaning solution directly on the bottom surface of the substrate exposed to the outside of the spin chuck, and the injection angle of the second spray nozzle 320 is formed to spray the cleaning solution in a diagonal direction in the outer diameter direction of the substrate.

즉, 제2실시예의 기판 처리 장치는 스핀척(100)의 분사유로(110)에 대응 배치된 제1분사노즐(310) 이외에 기판(S) 저면에 직접적으로 세정액을 분사할 수 있는 제2분사노즐(320)을 더 포함한 것이다.That is, the substrate processing apparatus of the second embodiment, in addition to the first injection nozzle 310 disposed in correspondence with the injection passage 110 of the spin chuck 100, the second injection capable of spraying the cleaning liquid directly on the bottom surface of the substrate S It further includes a nozzle 320.

제1분사노즐(310)과 제2분사노즐(320)은 세정액 공급라인의 일부로부터 분기되어 구성될 수도 있고, 또는 세정액 공급부로부터 각각의 세정액 공급라인으로 연결될 수도 있다.The first injection nozzle 310 and the second injection nozzle 320 may be configured to be branched from a part of the cleaning liquid supply line, or may be connected to each cleaning liquid supply line from the cleaning liquid supply unit.

제2분사노즐(320)은 그 이동에 필요한 구동력을 제공하는 이동구동부(도시 생략)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제2분사노즐(320)의 위치를 조절하거나 또는 제1분사노즐(310)과 제2분사노즐(320) 간의 간격을 조절할 필요가 있을 경우 등의 상황에서 제2분사노즐(320)은 이동구동부에 의해 수평 및/또는 수직 방향으로 이동할 수 있다.The second injection nozzle 320 may include a movement driving unit (not shown) that provides a driving force required for the movement. For example, in a situation in which it is necessary to adjust the position of the second injection nozzle 320 or the distance between the first injection nozzle 310 and the second injection nozzle 320, the second injection nozzle 320 is It can be moved in the horizontal and/or vertical direction by the moving drive.

이와 같이, 제2실시예에 의한 기판 처리 장치는 제1분사노즐(310)과 제2분사노즐(320)을 구비하므로, 제1실시예에 의한 기판 처리 장치보다 신속하게 세정액을 기판(S) 저면에 분사할 수 있고, 이로 인해 공정 시간을 단축할 수 있게 된다.As described above, since the substrate processing apparatus according to the second embodiment includes the first injection nozzle 310 and the second injection nozzle 320, the cleaning liquid is more quickly applied to the substrate S than the substrate processing apparatus according to the first embodiment. It can be sprayed on the bottom surface, thereby shortening the process time.

본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains should understand that the present invention is illustrative in all respects and not limiting, since the present invention may be implemented in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. Only.

본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted to be included in the scope of the present invention. .

100; 스핀척 110; 분사유로
111; 입구 112; 출구
112a; 경사면 200; 회전구동부
210; 회전축 300; 분사유닛
310; 제1분사노즐 320; 제2분사노즐100; Spin chuck 110; Injection
111; Entrance 112; exit
112a; Slope 200; Rotating drive
210; Rotating shaft 300; Injection unit
310; A first injection nozzle 320; No. 2 injection nozzle

Claims (11)

기판을 지지하며, 상기 기판 저면으로 세정액이 토출되도록 분사유로가 형성된 스핀척;
상기 분사유로로 세정액을 제공하는 분사노즐;
을 포함하고,
상기 분사유로의 출구는 스핀척에 방사상으로 복수 형성되며, 상기 분사유로의 출구들 중 적어도 하나는 상이한 분사각을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A spin chuck supporting a substrate and having an injection channel formed to discharge cleaning liquid to the bottom surface of the substrate;
A spray nozzle that provides a cleaning liquid to the spray passage;
Including,
The plurality of exits of the injection passages are formed radially on the spin chuck, and at least one of the exits of the injection passages has a different injection angle.
제1항에 있어서,
상기 분사유로의 입구는 스핀척의 저면에 형성되고, 상기 분사노즐은 상기 분사유로의 입구에 대응 배치되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The inlet of the injection passage is formed on the bottom surface of the spin chuck, and the injection nozzle is a substrate processing apparatus disposed corresponding to the entrance of the injection passage.
제1항에 있어서,
상기 분사유로의 입구는 스핀척의 중심을 기준으로 그 주변에 동심원상으로 형성되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The inlet of the injection flow path is a substrate processing apparatus formed concentrically around the center of the spin chuck.
제1항에 있어서,
상기 분사유로의 출구는 상기 스핀척의 측면 상단에 형성되고, 상기 분사유로의 출구에는 경사면이 형성되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The exit of the injection flow path is formed on the upper side of the spin chuck, the substrate processing apparatus is formed with an inclined surface at the exit of the injection flow path.
제4항에 있어서,
상기 경사면은 세정액이 기판의 외경 방향으로 사선으로 토출되도록 기판의 저면에 대해 예각을 형성하는 기판 처리 장치.
According to claim 4,
The inclined surface is a substrate processing apparatus that forms an acute angle with respect to the bottom surface of the substrate so that the cleaning liquid is discharged diagonally in the outer diameter direction of the substrate.
삭제delete 삭제delete 기판을 지지하며, 상기 기판 저면으로 세정액이 토출되도록 분사유로가 형성된 스핀척;
상기 분사유로로 세정액을 제공하는 제1분사노즐;
상기 기판의 저면에 세정액을 직접 분사하는 제2분사노즐;
을 포함하고,
상기 분사유로의 출구는 스핀척에 방사상으로 복수 형성되며, 상기 분사유로의 출구들 중 적어도 하나는 상이한 분사각을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A spin chuck supporting a substrate and having an injection channel formed to discharge cleaning liquid to the bottom surface of the substrate;
A first injection nozzle that provides a cleaning liquid to the injection passage;
A second spray nozzle for directly spraying a cleaning solution onto the bottom surface of the substrate;
Including,
The plurality of exits of the injection passages are formed radially on the spin chuck, and at least one of the exits of the injection passages has a different injection angle.
제8항에 있어서,
상기 제2분사노즐은 세정액을 기판의 외경 방향으로 사선으로 분사하도록 배치되는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The second spray nozzle is a substrate processing apparatus that is arranged to spray the cleaning liquid in a diagonal direction in the outer diameter direction of the substrate.
분사노즐로부터 스핀척에 형성된 분사유로의 입구에 세정액을 분사하는 단계;
분사유로로 제공된 세정액을 분사유로의 출구를 통해 기판 저면에 토출하는 단계;
를 포함하고,
상기 분사유로의 출구는 스핀척에 방사상으로 복수 형성되며, 상기 분사유로의 출구들 중 적어도 하나는 상이한 분사각을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Spraying a cleaning liquid from the injection nozzle into the inlet of the injection passage formed in the spin chuck;
Discharging the cleaning liquid provided as the spray passage to the bottom of the substrate through the outlet of the spray passage;
Including,
A plurality of exits of the injection passages are formed radially on the spin chuck, and at least one of the exits of the injection passages has a different injection angle.
제10항에 있어서,
상기 세정액은 분사유로의 출구로부터 기판의 외경 방향으로 사선으로 토출되는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
The cleaning solution is a substrate processing method that is discharged in an oblique direction in the outer diameter direction of the substrate from the outlet of the injection flow path.
KR1020180134254A 2018-11-05 2018-11-05 Apparatus and method for processing substrate KR102139604B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180134254A KR102139604B1 (en) 2018-11-05 2018-11-05 Apparatus and method for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180134254A KR102139604B1 (en) 2018-11-05 2018-11-05 Apparatus and method for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200051869A KR20200051869A (en) 2020-05-14
KR102139604B1 true KR102139604B1 (en) 2020-07-31

Family

ID=70737121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180134254A KR102139604B1 (en) 2018-11-05 2018-11-05 Apparatus and method for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102139604B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331974A (en) 1999-05-21 2000-11-30 Sony Corp Substrate rotating and treating device
JP2001307986A (en) * 2000-04-24 2001-11-02 Nippon Foundry Inc Semiconductor substrate fixing/holding device
JP2012033886A (en) 2010-07-02 2012-02-16 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3573504B2 (en) * 1994-11-04 2004-10-06 株式会社ルネサステクノロジ Method for manufacturing semiconductor device
KR20100060094A (en) 2008-11-27 2010-06-07 세메스 주식회사 Method for cleanning back-side of substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331974A (en) 1999-05-21 2000-11-30 Sony Corp Substrate rotating and treating device
JP2001307986A (en) * 2000-04-24 2001-11-02 Nippon Foundry Inc Semiconductor substrate fixing/holding device
JP2012033886A (en) 2010-07-02 2012-02-16 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200051869A (en) 2020-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102569133B (en) Liquid processing apparatus, and liquid processing method
US4968375A (en) Etching apparatus
US5829156A (en) Spin dryer apparatus
CN108028192B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102000019B1 (en) Unit for supplying liquid, Apparatus for treating a substrate, and Method for treating a substrate
US11443960B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20150021893A (en) Substrate rinsing apparatus, substrate rinsing method and computer-readable recording medium
KR102261616B1 (en) Substrate treating apparatus, dummy dispensing method and computer readable storage medium
KR102110065B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN111146074B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2886382B2 (en) Coating device
KR19980024865A (en) Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
US11845090B2 (en) Nozzle apparatus, apparatus and method for treating substrate
KR102139604B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
TWI648767B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPH05160017A (en) Coating device
KR102139606B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
CN111913357A (en) Coating method, coating apparatus, and storage medium
TWI673115B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101036606B1 (en) Substrates coating unit, substrates treating apparatus having the same and method of treating substrates using the same
JP3289208B2 (en) Cleaning treatment method and cleaning treatment device
JP2893151B2 (en) Processing apparatus and cleaning method thereof
TWI697948B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2020209127A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP2000093872A (en) Processing device and processing

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right