JP2000093872A - Processing device and processing - Google Patents

Processing device and processing

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JP2000093872A
JP2000093872A JP11306516A JP30651699A JP2000093872A JP 2000093872 A JP2000093872 A JP 2000093872A JP 11306516 A JP11306516 A JP 11306516A JP 30651699 A JP30651699 A JP 30651699A JP 2000093872 A JP2000093872 A JP 2000093872A
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公男 元田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the throughput of coating.developing processing of a square substrate to be treated and the yield of a product and to make a device small-sized. SOLUTION: A coating structure 1 for coating the surface of the square substrate G with resist liquid and an edge part removing structure 2 for removing a coating film on both surfaces of the edge part of the substrate G coated with the resist liquid by spraying a removing liquid are adjacent to each other and are disposed in the same atmosphere region, and a 1st transporting structure 3 for carrying-in the substrate G to the coating structure 1 and carrying-out the substrate G from the coating structure 1 to the edge part removing structure 2 and a 2nd transporting structure 4 for carrying-in the substrate G from the coating structure 1 to the edge part removing structure 2 are provided. As a result, after the substrate G is carried-in to the coating structure 1 by the 1st transporting structure 3, the surface of the substrate G is coated with the resist liquid and, after that, the substrate G is transported to the edge part removing structure 2 by the 2nd transporting structure 4, the needless resist film on both edge part surfaces of the substrate G is removed and the substrate G is carried-out from the edge part removing structure 2 by the 1st transporting structure 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、角形状の被処理
基板に塗布液を塗布する処理装置及び処理方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a processing method for applying a coating liquid to a square substrate to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、LCD基板(ガラス基
板)上に例えばITO(Indium Tin Oxi
de)の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal display (LC) is used.
D) In a device manufacturing process, for example, ITO (Indium Tin Oxi) is formed on an LCD substrate (glass substrate).
de) In order to form a thin film, an electrode pattern and the like, a circuit pattern and the like are reduced and transferred to a photoresist by using a photolithography technique similar to that used in a semiconductor manufacturing process, and a series of development processes are performed. Processing is performed.

【0003】例えば、被処理基板である矩形状のLCD
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、LCD基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置
にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト
膜すなわち感光膜を塗布形成する。その後、フォトレジ
ストを加熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施し
た後、露光装置にて所定のパターンを露光する。そし
て、露光後のLCD基板を現像装置にて現像液を塗布し
て現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像
処理を完了する。
For example, a rectangular LCD as a substrate to be processed
After the substrate is cleaned by a cleaning device, the LCD substrate is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion processing device, cooled by a cooling processing device, and then coated with a photoresist film, ie, a photosensitive film by a resist coating device. Thereafter, the photoresist is heated by a heat treatment device to perform a baking process, and then a predetermined pattern is exposed by an exposure device. Then, after the exposed LCD substrate is coated with a developing solution using a developing device and developed, the developing solution is washed away with a rinse solution to complete the developing process.

【0004】上記のような処理を行う場合、例えば、レ
ジスト膜の形成方法として、角形のLCD基板(以下に
基板という)を、処理容器内に配設される保持手段例え
ばスピンチャック上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器とスピンチャックを
回転させ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光
性樹脂とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液
を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部
に向けて放射状に拡散させて塗布する回転カップ式の塗
布膜形成方法が知られている。
In the case of performing the above-described processing, for example, as a method of forming a resist film, a rectangular LCD substrate (hereinafter, referred to as a substrate) is placed on holding means, such as a spin chuck, provided in a processing container. In a fixed state, the opening of the processing container is closed with a lid, and the processing container and the spin chuck are rotated.For example, a resist solution composed of a solvent and a photosensitive resin is dropped on the center of the upper surface of the substrate, There is known a rotating cup type coating film forming method in which the resist solution is radially diffused from the center of the substrate toward the peripheral edge by the rotation force and centrifugal force of the substrate to apply the resist solution.

【0005】この塗布処理の際、塗布直後における膜厚
は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくな
った後や時間が経つに従い表面張力の影響で基板周縁部
でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。また、レジ
スト液が基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が
形成される現象が発生する。このように基板の周縁部に
不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン
等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されず
に残存することになり、その後の基板の搬送工程中にそ
の残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因
となる。
In this coating treatment, even if the film thickness is uniform immediately after the coating, the resist solution is not applied at the peripheral portion of the substrate due to the surface tension after the rotation stops and the centrifugal force stops working or as time passes. It becomes thick as it rises. In addition, a phenomenon occurs in which the resist solution reaches the peripheral edge of the lower surface of the substrate to form an unnecessary film. If a non-uniform thick film is formed on the periphery of the substrate in this way, the resist film on the periphery is not completely removed during the development of an integrated circuit pattern or the like, and remains there. During the transfer step, the remaining resist is peeled off, causing particles to be generated.

【0006】そこで、従来では、基板の表面にレジスト
液等を塗布した後、基板の周縁部の不要な塗布膜を除去
する処理が行われている。この塗布膜除去工程によって
塗布膜形成工程の後の基板の周縁部に溶剤等の除去液を
噴射して基板の周縁部の不要な塗布膜を除去することが
できる。
Therefore, conventionally, after a resist solution or the like is applied to the surface of the substrate, a process of removing an unnecessary coating film on the peripheral portion of the substrate has been performed. By this coating film removing step, a removing liquid such as a solvent can be sprayed on the peripheral portion of the substrate after the coating film forming step, thereby removing unnecessary coating film on the peripheral portion of the substrate.

【0007】また、塗布・現像処理システムに専用の塗
布膜除去装置を組込むことによって、基板の塗布処理と
基板の周縁部の不要塗布膜除去を連続的に行うことがで
きる。
Further, by incorporating a dedicated coating film removing device into the coating / developing processing system, the coating process of the substrate and the unnecessary coating film removal at the peripheral portion of the substrate can be continuously performed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塗布・
現像処理システムに専用の塗布膜除去装置を組込むこと
によって設備が大型となるばかりか、塗布処理及び不要
塗布膜除去処理の他に、基板の塗布機構への搬入、塗布
機構から塗布膜除去機構への搬送及び塗布膜除去機構か
らの搬出するなどの工程を要するために、スループット
の低下を招くという問題があった。
SUMMARY OF THE INVENTION
Incorporating a dedicated coating film removal device into the development processing system not only increases the size of the equipment, but also carries out the coating process and unnecessary coating film removal process, as well as loading the substrate into the coating mechanism and moving from the coating mechanism to the coating film removing mechanism. Therefore, there is a problem that the throughput is reduced because a process such as transporting the substrate and carrying it out of the coating film removing mechanism is required.

【0009】また、従来の回転カップ式の塗布膜形成方
法においては、レジスト液が基板の中心位置から周縁部
に向けて拡散していく過程において、レジスト液中の溶
剤が蒸発するため、拡散する方向でレジスト液の粘度が
異なり、中心部と周辺部とでは形成されたレジスト膜の
厚さが異なる。また、基板は、中心位置よりも外周部で
周速がはるかに増加するので、飛散する量も多い。すな
わち、均一な塗布に限界があった。これを解決するため
に、例えば、レジスト液の温度調整あるいはレジスト
膜形成雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ
溶剤を充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する
方法や、レジスト液塗布前にレジスト液の溶剤を基板
表面にて滴下する方法が考えられる。
In the conventional method of forming a coating film of a rotating cup type, the solvent in the resist liquid evaporates during the process of diffusing the resist liquid from the center position of the substrate toward the peripheral portion, so that the resist liquid is diffused. The viscosity of the resist solution differs depending on the direction, and the thickness of the formed resist film differs between the central part and the peripheral part. Further, since the peripheral speed of the substrate is much higher at the outer peripheral portion than at the center position, the amount of the substrate scattered is large. That is, there was a limit to uniform coating. In order to solve this, for example, a method of controlling the temperature of the resist solution or filling the same solvent used in the resist solution in a resist film forming atmosphere to suppress evaporation of the solvent in the resist solution, A method is conceivable in which the solvent of the resist solution is dropped on the substrate surface before the application of the solution.

【0010】しかし、前者すなわちレジスト液の温度
調整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使
用されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の
溶剤の蒸発を抑制する方法では、レジスト液の使用量が
多くなり、例えば、レジスト液の塗布量の、数%しか実
際のレジスト膜の形成に寄与していない。しかも、レジ
スト液の量が多いため、基板角部裏面への廻り込みが生
じ、基板角部裏面に付着したレジスト液が乾燥し、パー
ティクルの発生原因となるという問題もあった。
However, in the former method, that is, the method of controlling the temperature of the resist solution or filling the same solvent used in the resist solution in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution, The amount used increases, for example, only a few% of the applied amount of the resist solution contributes to the actual formation of the resist film. In addition, since the amount of the resist liquid is large, the resist liquid wraps around the back surface of the corner portion of the substrate, and the resist liquid attached to the back surface of the corner portion of the substrate dries, causing a problem of generating particles.

【0011】また、後者すなわちレジスト液塗布前に
レジスト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、基
板上の溶剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いによ
り、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決すること
はできない。また、この方法においても、特に基板が矩
形状の角形の場合には、基板全面にレジスト膜を形成す
るには余分にレジスト液を使用しなければならないとい
う不都合があり、上記の方法と同様に基板角部裏面へ
の塗布液の廻り込みが生じ、その後乾燥してパーティク
ルが発生し、歩留まりの低下を招くという問題があっ
た。
Also, the latter method, that is, the method of dropping the solvent of the resist solution on the substrate surface before the application of the resist solution, makes it difficult to achieve uniform coating due to the uniformity of the solvent itself on the substrate and the difference in the dry state. Cannot be fully solved. In addition, even in this method, particularly when the substrate has a rectangular shape, there is a disadvantage that an extra resist solution must be used to form a resist film on the entire surface of the substrate. There has been a problem that the coating liquid is spilled onto the back surface of the corner portion of the substrate and then dried to generate particles, which causes a reduction in yield.

【0012】また、基板が矩形状等の方形状をなしてい
るため、レジスト液等の塗布液を塗布した後に基板を高
速回転して塗布液を振り切る際に、遠心力によって基板
の周辺から外方へ飛散する塗布液が回転する基板の角部
裏面に再付着することがあり、この付着した塗布液が乾
燥して、パーティクルの発生原因となるという問題もあ
った。
Further, since the substrate has a rectangular shape such as a rectangular shape, when the substrate is rotated at a high speed after application of a coating solution such as a resist solution to shake off the coating solution, centrifugal force causes the substrate to move out of the periphery of the substrate. There is also a problem that the coating liquid scattered to the direction may re-adhere to the back surface of the corner of the rotating substrate, and the applied coating liquid dries and causes generation of particles.

【0013】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板の塗布・現像処理のスループットの向上
及び基板周縁部の不要塗布膜の除去による製品歩留まり
の向上を図り、かつ、装置の小型化を図れるようにした
処理装置及び処理方法を提供することを目的とするもの
である。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims at improving the throughput of coating and developing processing of a substrate to be processed, improving the product yield by removing an unnecessary coating film on the periphery of the substrate, and improving the apparatus. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus and a processing method that can be reduced in size.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、角形の被処理基板の
一面を上に向けて保持して回転する保持手段と、この保
持手段を包囲するカップ状をなす処理容器と、この処理
容器の開口部を閉止する蓋体及び上記被処理基板に塗布
液を供給する塗布液供給手段とを有する塗布機構と、
上記塗布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同
一雰囲気領域内に配設され、上記塗布液の塗布膜が形成
された上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜
を除去する縁部除去機構と、 上記塗布機構への被処理
基板の搬入と上記縁部除去機構からの被処理基板の搬出
を行う第1の搬送機構と、 上記塗布機構から縁部除去
機構へ被処理基板を搬送する第2の搬送機構と、を具備
することを特徴とするものである(請求項1)。
In order to achieve the above object, a first processing apparatus according to the present invention comprises: a holding means for rotating while holding one side of a rectangular substrate to be processed facing upward; A coating container having a cup-shaped processing container surrounding the means, a coating member for closing the opening of the processing container, and a coating liquid supply unit for supplying a coating liquid to the substrate to be processed;
The coating film is disposed adjacent to the side of the coating mechanism and disposed in the same atmosphere region as the coating mechanism, and sprays a removing liquid onto an edge of the substrate to be processed on which the coating film of the coating liquid is formed. An edge removing mechanism for removing the substrate, a first transport mechanism for carrying in the substrate to be processed into the coating mechanism and unloading the substrate to be processed from the edge removing mechanism, and from the coating mechanism to the edge removing mechanism. A second transport mechanism for transporting the substrate to be processed (claim 1).

【0015】この発明の処理装置において、上記塗布機
構は、上記被処理基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供
給手段を更に有する方が好ましい(請求項2)。
[0015] In the processing apparatus of the present invention, it is preferable that the coating mechanism further includes a solvent supply means for supplying a solvent of the coating liquid to the substrate to be processed.

【0016】また、上記保持手段を水平回転及び垂直移
動可能に形成する方が好ましく(請求項3)、また、上
記処理容器を保持手段と共に回転可能に形成する方が好
ましい(請求項4)。また、上記縁部除去機構を、被処
理基板を保持する載置手段と、被処理基板の辺に沿って
移動すると共に、被処理基板の縁部に除去液を噴射する
ノズルとで構成する方が好ましい(請求項5)。また、
上記縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液を
噴射する補助洗浄ノズルを更に具備する方が好ましい
(請求項6)。また、上記載置手段を水平回転可能に形
成する方が好ましい(請求項7)。
It is preferable that the holding means is formed so as to be capable of horizontal rotation and vertical movement (claim 3), and it is preferable that the processing container is formed so as to be rotatable together with the holding means (claim 4). Further, the edge removing mechanism may be configured by a mounting means for holding the substrate to be processed, and a nozzle which moves along the side of the substrate to be processed and injects the removing liquid to the edge of the substrate to be processed. Is preferable (claim 5). Also,
It is preferable that the edge removal mechanism further includes an auxiliary cleaning nozzle that sprays a removal liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed. It is preferable that the mounting means is formed so as to be horizontally rotatable (claim 7).

【0017】また、上記第1の搬送機構又は第2の搬送
機構のうちの少なくとも第2の搬送機構を被処理基板の
辺部を真空吸着により保持するアームにて形成し、この
アームの基板保持面に、真空吸引手段に接続する吸引孔
を設けると共に、この吸引孔に連通しアームに対して垂
直方向に変位可能なパッド部材を設ける方が好ましい
(請求項8)。
Further, at least the second transfer mechanism of the first transfer mechanism or the second transfer mechanism is formed by an arm for holding the side of the substrate to be processed by vacuum suction, and the arm holding the substrate by the arm. It is preferable to provide a suction hole connected to the vacuum suction means on the surface and to provide a pad member which communicates with the suction hole and can be displaced in a direction perpendicular to the arm.

【0018】一方、この発明の第1の処理方法は、塗布
機構を構成する処理容器内の保持手段上に保持させるべ
く角形の被処理基板を搬入する工程と、 上記被処理基
板に塗布液を供給し、回転させて被処理基板の一面に拡
散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、被
処理基板を処理容器内に封入する工程と、 上記蓋体が
閉止された処理容器内の被処理基板を回転させて、塗布
膜の膜厚を整える工程と、 塗布膜が形成された上記被
処理基板を、上記塗布機構の側方に隣接されると共に、
塗布機構と同一雰囲気領域内に配設される縁部除去機構
へ搬送する工程と、 上記被処理基板の縁部に除去液を
噴射して縁部の塗布膜を除去する工程と、 上記縁部除
去機構から被処理基板を搬出する工程と、を有すること
を特徴とするものである(請求項9)。
On the other hand, a first processing method according to the present invention includes a step of carrying in a rectangular substrate to be processed to be held on holding means in a processing container constituting a coating mechanism; and a step of applying a coating liquid to the substrate to be processed. Supplying, rotating, and diffusing the substrate to one surface of the substrate to be processed; closing the lid in the processing container, and enclosing the substrate in the processing container; and a processing container in which the lid is closed. Rotating the substrate to be processed therein to adjust the film thickness of the coating film, and the substrate to be processed having the coating film formed thereon, adjacent to the side of the coating mechanism,
Transporting to an edge removing mechanism disposed in the same atmosphere region as the coating mechanism; removing the coating film at the edge by injecting a removing liquid onto the edge of the substrate to be processed; And carrying out the substrate to be processed from the removing mechanism (claim 9).

【0019】また、この発明の第2の処理方法は、上記
第1の処理方法において、上記被処理基板に塗布液を供
給する前に、上記被処理基板の一面上に塗布液の溶剤を
供給する工程を更に有することを特徴とするものである
(請求項10)。
According to a second processing method of the present invention, in the first processing method, a solvent of the coating liquid is supplied onto one surface of the substrate before supplying the coating liquid to the substrate. (Claim 10).

【0020】この発明の処理方法において、上記塗布膜
の膜厚を整える工程において、蓋体が閉止された処理容
器と共に被処理基板を回転させる方が好ましい(請求項
11)。
In the processing method of the present invention, in the step of adjusting the thickness of the coating film, it is preferable that the substrate to be processed is rotated together with the processing container having the lid closed.

【0021】また、上記塗布膜を除去する工程は、塗布
膜が形成された被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁
部の塗布膜を除去する方法であれば、その除去方法は任
意でよいが、好ましくは塗布膜を除去する工程は、塗布
膜が形成された被処理基板の第1の辺の縁部に除去液を
噴射して塗布膜を除去する第1の除去工程と、被処理基
板の第2の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を
除去する第2の除去工程とを有する方法である方がよい
(請求項12)。この場合、被処理基板の角部裏面に除
去液を噴射して角部裏面に付着する塗布膜を除去する補
助除去工程を更に有する方が好ましい(請求項13)。
In the step of removing the coating film, the removing method may be any method as long as the removing liquid is sprayed onto the edge of the substrate on which the coating film is formed to remove the coating film at the edge. Although it is optional, preferably, the step of removing the coating film includes a first removing step of spraying a removing liquid onto an edge of the first side of the substrate on which the coating film is formed to remove the coating film. And a second removing step of injecting a removing liquid onto the edge of the second side of the substrate to be removed to remove the coating film on the edge. In this case, it is preferable to further include an auxiliary removing step of spraying a removing liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed to remove the coating film attached to the back surface of the corner (claim 13).

【0022】請求項1,3,4及び9,11記載の発明
によれば、塗布機構に搬入された角形の被処理基板の一
面上に処理液を供給し、回転させて、被処理基板の一面
に拡散させ、そして、処理容器に蓋体を閉止して、被処
理基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処
理容器内の被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整
えることができる。次いで、塗布機構の側方に隣接する
と共に、塗布機構と同一雰囲気領域内の縁部除去機構に
搬送された被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部の
塗布膜を除去した後、縁部除去機構から被処理基板を搬
出することができる。
According to the first, third, fourth and ninth and eleventh aspects of the present invention, the processing liquid is supplied onto one surface of the square substrate to be processed carried into the coating mechanism and rotated to rotate the substrate. After being diffused to one surface, and closing the lid in the processing container and enclosing the substrate to be processed in the processing container, the substrate to be processed in the processing container with the lid closed is rotated to form the coating film. The film thickness can be adjusted. Next, after removing the coating film on the edge by spraying the removing liquid onto the edge of the substrate to be processed, which is adjacent to the side of the coating mechanism and transported to the edge removing mechanism in the same atmosphere region as the coating mechanism. The substrate to be processed can be carried out from the edge removing mechanism.

【0023】請求項2〜4及び10,11記載の発明に
よれば、塗布機構に搬入された被処理基板の一面上に処
理液の溶剤を塗布して拡散させた後、被処理基板上に処
理液を供給し、回転させて、被処理基板の一面に拡散さ
せ、そして、処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を
処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処理容器内
の被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整えること
で、塗布液の少量化を図ることができる。次いで、縁部
除去機構に搬送された被処理基板の縁部に除去液を噴射
して縁部の塗布膜を除去した後、縁部除去機構から被処
理基板を搬出することができる。
According to the second to fourth and tenth and eleventh aspects of the present invention, the solvent of the processing liquid is applied and diffused on one surface of the substrate to be processed carried into the coating mechanism, and then is spread on the substrate to be processed. The processing liquid is supplied, rotated, diffused on one surface of the substrate to be processed, and the lid is closed in the processing container, and the processing substrate is sealed in the processing container, and then the lid is closed. By rotating the substrate to be processed in the container and adjusting the thickness of the coating film, the amount of the coating liquid can be reduced. Next, after removing the coating film on the edge by spraying the removing liquid to the edge of the substrate to be processed conveyed to the edge removing mechanism, the substrate to be processed can be carried out from the edge removing mechanism.

【0024】また、請求項5,7及び12記載の発明に
よれば、載置手段によって保持された被処理基板の一辺
の縁部の塗布膜を除去した後、被処理基板の他の辺の縁
部の塗布膜を除去することができる。
According to the fifth, seventh and twelfth aspects of the present invention, after the coating film on one edge of the substrate to be processed held by the mounting means is removed, the other side of the substrate to be processed is removed. The edge coating film can be removed.

【0025】また、請求項6,7及び13記載の発明に
よれば、縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去
液を噴射する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処
理基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去することがで
きる。
According to the inventions of claims 6, 7 and 13, the edge removing mechanism is provided with an auxiliary cleaning nozzle for spraying a removing liquid on the back surface of the corner of the substrate to be processed, thereby enabling the edge of the substrate to be processed. The coating film adhered to the back surface of the corner can be removed.

【0026】また、請求項8記載の発明によれば、第1
の搬送機構又は第2の搬送機構のうちの少なくとも第2
の搬送機構を被処理基板の辺部を真空吸着により保持す
るアームにて形成し、このアームの基板保持面に、真空
吸引手段に接続する吸引孔を設けると共に、この吸引孔
に連通しアームに対して垂直方向に変位可能なパッド部
材を設けることにより、被処理基板の搬送を確実に行う
ことができると共に、搬送時における被処理基板の接触
部のパーティクルの発生や損傷等を抑制することができ
る。
According to the eighth aspect of the present invention, the first
Or at least the second of the second transport mechanism
The transfer mechanism is formed by an arm that holds the side of the substrate to be processed by vacuum suction, and a suction hole that is connected to vacuum suction means is provided on the substrate holding surface of the arm, and the arm communicates with the suction hole. By providing a pad member that can be displaced in the vertical direction, the substrate to be processed can be transported reliably, and generation and damage of particles at the contact portion of the substrate to be processed during transport can be suppressed. it can.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態を図
面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理
装置を、LCD基板のレジスト塗布装置に適用した場合
について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Here, a case will be described in which the processing apparatus of the present invention is applied to an LCD substrate resist coating apparatus.

【0028】この発明に係る処理装置は、図1に示すよ
うに、角形状の被処理基板例えば矩形状のLCD基板G
(以下に基板という)の表面に塗布液供給ノズル42か
ら塗布液例えばレジスト液を供給してレジスト液を塗布
する塗布機構1と、基板Gの周縁部に塗布形成された不
要な塗布膜を除去する縁部除去機構2とを側方に隣接し
て例えば一体的に同一雰囲気領域内に配設してなり、塗
布機構1への基板Gの搬入及び縁部除去機構2からの基
板Gの搬出を行う第1の搬送機構3と、塗布機構1によ
って塗布された基板Gを縁部除去機構2に搬送する第2
の搬送機構4とを具備してなる。
As shown in FIG. 1, the processing apparatus according to the present invention has a rectangular substrate to be processed, for example, a rectangular LCD substrate G.
A coating mechanism 1 for supplying a coating liquid, for example, a resist liquid to the surface of a substrate (hereinafter referred to as a substrate) from a coating liquid supply nozzle 42 to apply the resist liquid, and removing an unnecessary coating film formed on the peripheral portion of the substrate G by coating. The edge removing mechanism 2 is disposed adjacent to the side, for example, integrally in the same atmosphere region, and the substrate G is loaded into the coating mechanism 1 and unloaded from the edge removing mechanism 2. And a second transport mechanism 3 for transporting the substrate G coated by the coating mechanism 1 to the edge removing mechanism 2.
And a transfer mechanism 4.

【0029】上記塗布機構1は、図2に示すように、基
板Gを水平状態に真空によって吸着保持する保持手段例
えばスピンチャック10と、このスピンチャック10の
上部及び外周部を包囲する処理室11を有する上方部が
開口したカップ状の処理容器12(以下に回転カップと
いう)と、回転カップ12の開口部12aに閉止可能に
被着(着脱)される蓋体16と、この蓋体16の下方に
水平状に垂設され基板Gの外周縁より外方へ突出する平
板状の整流板13と、処理容器12の外周側を包囲する
上方が開口したカップ状の固定容器14(以下にドレン
カップという)と、このドレンカップ14の開口部に閉
止可能に被着(着脱)される固定蓋体15と、蓋体16
と固定蓋体15を閉止位置と待機位置に移動するロボッ
トアーム20と、スピンチャック10と回転カップ12
を回転する駆動モータ21と、上記スピンチャック10
の上方位置に移動可能に構成される溶剤例えば塗布液の
溶剤(溶媒)Aの供給ノズル40(溶剤供給手段)と塗
布液例えばレジスト液Bの供給ノズル42(塗布液供給
手段)とを近接させて一体に取り付けた噴頭39と、こ
の噴頭39を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で
移動させる移動手段であるノズル移動機構37とを有す
る。
As shown in FIG. 2, the coating mechanism 1 comprises a holding means such as a spin chuck 10 for holding the substrate G by vacuum in a horizontal state, and a processing chamber 11 surrounding the upper and outer peripheral portions of the spin chuck 10. , A cup-shaped processing container 12 having an open upper portion (hereinafter referred to as a rotating cup), a lid 16 that is attached (detachable) to the opening 12a of the rotating cup 12 in a closable manner, A flat plate-shaped rectifying plate 13 that is vertically suspended downward and protrudes outward from the outer peripheral edge of the substrate G, and a cup-shaped fixed container 14 that surrounds the outer peripheral side of the processing container 12 and that is open at the top (hereinafter referred to as a drain). A fixed lid 15 that is attached (detachable) to the opening of the drain cup 14 so as to be able to close, and a lid 16.
Arm 20 for moving the fixed lid 15 to the closed position and the standby position, the spin chuck 10 and the rotating cup 12
A drive motor 21 for rotating the
A supply nozzle 40 (solvent supply means) for a solvent such as a solvent (solvent) A of a coating liquid, which is configured to be movable to a position above, and a supply nozzle 42 (coating liquid supply means) for a coating liquid such as a resist liquid B are brought close to each other. And a nozzle moving mechanism 37 which is a moving means for gripping the jet head 39 and moving it between the jet front standby position and the substrate upper position.

【0030】この場合、ノズル40,42からの溶剤供
給路及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる
溶剤A及びレジスト液Bを予め設定された温度(例えば
23℃)に設定するための温度調整液Cを循環供給する
温度調整機構45が設けられている。また、上記スピン
チャック10の下方近傍位置にはスピンチャック10と
の間にベアリング34aを介してスピンチャック10と
共に昇降可能な取付部材34が取り付けられており、こ
の取付部材34に、回転カップ12の洗浄ノズル35
(容器洗浄手段)と、不活性ガス例えば窒素(N2)ガ
スの供給ノズル36(不活性ガス供給手段)が取り付け
られている。
In this case, the solvent A and the resist liquid B flowing through the solvent supply path and the resist liquid supply path from the nozzles 40 and 42 are set at a predetermined temperature (for example, 23 ° C.). A temperature adjusting mechanism 45 for circulating and supplying the temperature adjusting liquid C is provided. A mounting member 34 that can move up and down together with the spin chuck 10 is mounted between the spin chuck 10 and the spin chuck 10 via a bearing 34 a at a position near the lower part of the spin chuck 10. Cleaning nozzle 35
(Container cleaning means) and a supply nozzle 36 (inert gas supply means) for an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas are attached.

【0031】上記スピンチャック10は例えばポリエー
テル・エーテル・ケトン(PEEK)製の耐熱性を有す
る合成樹脂製部材にて形成され、予め設定されたプログ
ラムに基いて駆動し、回転速度を可変できる駆動モータ
21の駆動によって回転される回転軸22を介して水平
方向に回転(自転)可能になっており、また回転軸22
に連結される昇降シリンダ23の駆動によって上下(垂
直)方向に移動し得るようになっている。この場合、回
転軸22は、固定カラー24の内周面にベアリング25
aを介して回転可能に装着される回転内筒26aの内周
面に嵌着されるスプライン軸受27に摺動可能に連結さ
れている。スプライン軸受27には従動プーリ28aが
装着されており、従動プーリ28aには駆動モータ21
の駆動軸21aに装着された駆動プーリ21bとの間に
ベルト29aが掛け渡されている。したがって、駆動モ
ータ21の駆動によってベルト29aを介して回転軸2
2が回転してスピンチャック10が回転される。また、
回転軸22の下部側は図示しない筒体内に配設されてお
り、筒体内において回転軸22はバキュームシール部3
0を介して昇降シリンダ23に連結され、昇降シリンダ
23の駆動によって回転軸22が上下方向に移動し得る
ように構成されている。
The spin chuck 10 is formed of a heat-resistant synthetic resin member made of, for example, polyether ether ketone (PEEK), and is driven based on a preset program to change the rotation speed. It can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotating shaft 22 that is rotated by the drive of a motor 21.
Can be moved in the up-down (vertical) direction by the driving of the lifting cylinder 23 connected thereto. In this case, the rotating shaft 22 is provided with a bearing 25 on the inner peripheral surface of the fixed collar 24.
a and is slidably connected to a spline bearing 27 fitted on the inner peripheral surface of the rotatable inner cylinder 26a rotatably mounted via the inner cylinder 26a. A driven pulley 28a is mounted on the spline bearing 27, and the driven motor 21 is mounted on the driven pulley 28a.
A belt 29a is stretched between a drive shaft 21a and a drive pulley 21b mounted on the drive shaft 21a. Therefore, the drive shaft 21 is driven by the drive motor 21 via the belt 29a.
2 rotates, and the spin chuck 10 rotates. Also,
The lower side of the rotating shaft 22 is disposed in a cylindrical body (not shown).
The rotary shaft 22 is connected to the lift cylinder 23 through the drive shaft 0 so that the rotation shaft 22 can move in the vertical direction by driving the lift cylinder 23.

【0032】上記回転カップ12は例えばステンレス鋼
製部材にて形成され、上記固定カラー24の外周面にベ
アリング25bを介して装着される回転外筒26bの上
端部に固定される連結筒31を介して取付けられてお
り、回転カップ12の底部12bとスピンチャック10
の下面との間にはシール用のOリング32が介在されて
スピンチャック10が下降してOリング32と当接した
状態で気密が保持されるようになっている。また、回転
外筒26bに装着される従動プーリ28bと上記駆動モ
ータ21に装着される駆動プーリ21bに掛け渡される
ベルト29bによって駆動モータ21からの駆動が回転
カップ12に伝達されて回転カップ12が回転されるよ
うに構成されている。この場合、従動プーリ28bの直
径は上記回転軸22に装着された従動プーリ28aの直
径と同一に形成され、同一の駆動モータ21にベルト2
9a,29bが掛け渡されているので、回転カップ12
とスピンチャック10は同一回転する。なお、固定カラ
ー24と回転内筒26a及び回転外筒26bとの対向面
にはラビリンスシール部33が形成されて回転処理時に
下部の駆動系から回転カップ12内にごみが進入するの
を防止している(図3参照)。
The rotary cup 12 is formed of, for example, a stainless steel member, and has a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of a rotary outer cylinder 26b mounted on the outer peripheral surface of the fixed collar 24 via a bearing 25b. The bottom portion 12b of the rotating cup 12 and the spin chuck 10
An O-ring 32 for sealing is interposed between the lower surface of the spin chuck 10 and the airtightness is maintained in a state where the spin chuck 10 descends and comes into contact with the O-ring 32. Further, the drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by a driven pulley 28b mounted on the rotary outer cylinder 26b and a belt 29b stretched over the drive pulley 21b mounted on the drive motor 21 so that the rotary cup 12 is driven. It is configured to be rotated. In this case, the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotary shaft 22, and the same drive motor 21
9a and 29b are stretched, so that the rotating cup 12
And the spin chuck 10 rotate the same. In addition, a labyrinth seal portion 33 is formed on the facing surface of the fixed collar 24 and the rotating inner cylinder 26a and the rotating outer cylinder 26b to prevent dust from entering the rotating cup 12 from the lower drive system during the rotation process. (See FIG. 3).

【0033】また、回転カップ12は、側壁12cの内
面が上側に向って縮径されたテーパ面12eを形成して
なり、下部周辺部すなわち側壁12cの下部側の周方向
の適宜位置には複数の排気孔12dが穿設されている。
The rotating cup 12 is formed by forming a tapered surface 12e in which the inner surface of the side wall 12c is reduced in diameter toward the upper side. 12d is formed.

【0034】回転カップ12の開口12aを閉止する蓋
体16の周辺下面には、回転カップ12との金属同士の
接触を避けるために例えばデルリン(商品名)製の当接
リング16aが固着されており、また、蓋体16の中央
部にはベアリング16bを介して上記ロボットアーム2
0にて支持される支持円柱19が取り付けられ、支持円
柱16の中央に空気導入口16cが設けられている。
A contact ring 16a made of, for example, Delrin (trade name) is fixed to the lower surface of the periphery of the lid 16 that closes the opening 12a of the rotating cup 12 in order to avoid metal-to-metal contact with the rotating cup 12. The robot arm 2 is provided at the center of the lid 16 via a bearing 16b.
A support column 19 supported at 0 is attached, and an air inlet 16 c is provided at the center of the support column 16.

【0035】このように蓋体16に空気導入口16cを
設け、回転カップ12に排気孔12dを設けて排気する
ことにより、回転カップ12の回転時に処理室11内が
負圧となって空気導入口16cから回転カップ12内に
空気が流れ、この空気が整流板13によって回転カップ
12の内側壁に沿って排気孔12dから排出されるの
で、飛散したレジスト液のミストがこの空気の流れによ
って排出されるため基板Gに再付着するのを防止するこ
とができ、かつ、回転カップ12の回転時に処理室11
内が過剰な負圧になるのを防止することができる。
As described above, the cover 16 is provided with the air introduction port 16c, and the rotary cup 12 is provided with the exhaust hole 12d to exhaust the air. Air flows into the rotary cup 12 from the port 16c, and the air is discharged from the exhaust hole 12d along the inner wall of the rotary cup 12 by the flow regulating plate 13, so that the mist of the scattered resist liquid is discharged by the flow of air. Therefore, it is possible to prevent re-adhesion to the substrate G, and to prevent the processing chamber 11 from rotating when the rotating cup 12 rotates.
It is possible to prevent the inside from becoming an excessive negative pressure.

【0036】一方、上記ドレンカップ14の底部の外周
側には複数の排液口14aが同心円上に設けられ、この
排液口14aの内周側の適宜箇所(例えば周方向の4箇
所)には図示しない排気装置に接続する排気口14bが
設けられている。この場合、排液口14aは基板G及び
回転カップ12の回転方向(例えば時計方向)の接線方
向に開口されている。例えば、底部12bに対して排液
口14a内部の空間部の中心軸線が直角より小さい角度
で傾斜しているように形成されている。このように排液
口14aを基板G及び回転カップ12の回転方向の接線
方向に設けた理由は、基板G及び回転カップ12の回転
に伴って飛散されるレジスト液のミストを速やかに外部
に排出するようにしたためである。
On the other hand, on the outer peripheral side of the bottom of the drain cup 14, a plurality of drainage ports 14a are provided concentrically, and at appropriate locations (for example, four locations in the circumferential direction) on the inner peripheral side of the drainage ports 14a. Is provided with an exhaust port 14b connected to an exhaust device (not shown). In this case, the drainage port 14a is opened in the tangential direction of the rotation direction (for example, clockwise) of the substrate G and the rotation cup 12. For example, it is formed so that the central axis of the space inside the drainage port 14a is inclined at an angle smaller than a right angle with respect to the bottom 12b. The reason why the drain port 14a is provided in the tangential direction of the rotation direction of the substrate G and the rotation cup 12 is that the mist of the resist liquid scattered with the rotation of the substrate G and the rotation cup 12 is quickly discharged to the outside. That's because I tried to do it.

【0037】また、固定蓋体15は支持円柱19に支持
されるステンレス鋼製部材にて形成されており、この固
定蓋体15の外周下面には、ドレンカップ14との金属
同士の接触を避けるためにデルリン(商品名)製のリン
グ状の当接部材15aが固着されている。また、固定蓋
体15の中心側の同心円上には複数の空気供給孔15b
が設けられている。
The fixed lid 15 is formed of a stainless steel member supported by the supporting column 19, and the lower surface of the outer periphery of the fixed lid 15 avoids contact between the metal and the drain cup 14. For this purpose, a ring-shaped contact member 15a made of Delrin (trade name) is fixed. Further, a plurality of air supply holes 15 b are formed on a concentric circle on the center side of the fixed lid 15.
Is provided.

【0038】このように、固定蓋体15の中心側の同心
円上に複数の空気供給孔15bを設け、ドレンカップ1
4の底部に排気口14bを設けることにより、回転カッ
プ12の回転時に空気供給孔15bからドレンカップ1
4内に流れた空気が回転カップ12の外側壁に沿って流
れるので、回転処理時に処理室11内で遠心力により飛
散し排気孔12dを通ってドレンカップ14内に流れ込
んだミストが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを
防止して、排気口14bから外部に排出することができ
る。
As described above, a plurality of air supply holes 15b are provided on a concentric circle on the center side of the fixed lid 15, and the drain cup 1
4 is provided with an exhaust port 14b at the bottom, so that when the rotating cup 12 rotates, the drain cup 1
4 flows along the outer wall of the rotary cup 12, so that the mist that is scattered by the centrifugal force in the processing chamber 11 during the rotation processing and flows into the drain cup 14 through the exhaust hole 12 d is rotated. Can be prevented from rising to the upper side, and can be discharged to the outside through the exhaust port 14b.

【0039】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図4に示すように当接リング16aの
下面に嵌合凹所17bを設け、この嵌合凹所17bを回
転カップ12の上部に突出する固定ピン17aに嵌合さ
せて蓋体16を回転カップ12に固定している。この場
合、固定ピン17aの頂部を球面状に形成することによ
り、嵌合凹所17bとの接触によって発生するごみを少
なくしている。なお、固定ピン17aは必ずしも回転カ
ップ側に突出する必要はなく、蓋体側に固定ピン17a
を突出させ、回転カップ側に嵌合凹所17bを設けても
よい。また、嵌合凹所17b内、固定ピン17aの周辺
を図示しない吸引手段に接続させて固定ピン17aと嵌
合凹所17bとの接触によって発生するごみを外部に排
出させるようにしてもよい。
The cover 16 needs to be fixed to the opening 12a of the rotating cup 12 and rotated integrally during the rotation process. Therefore, as shown in FIG. 4, a fitting recess 17b is provided on the lower surface of the contact ring 16a, and the fitting recess 17b is fitted to a fixing pin 17a protruding above the rotating cup 12, and the lid 16 is attached. It is fixed to the rotating cup 12. In this case, by forming the top of the fixing pin 17a in a spherical shape, dust generated by contact with the fitting recess 17b is reduced. Note that the fixing pin 17a does not necessarily need to protrude toward the rotating cup, and the fixing pin 17a
May be projected, and a fitting recess 17b may be provided on the rotating cup side. Further, the inside of the fitting recess 17b and the periphery of the fixing pin 17a may be connected to suction means (not shown) to discharge dust generated by the contact between the fixing pin 17a and the fitting recess 17b to the outside.

【0040】上記蓋体16を開閉する場合には、図2に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム20を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム20か
ら突出する係止ピン20aを係合させた後、ロボットア
ーム20を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係
止溝18aとロボットアーム20の係止ピン20aとの
位置合せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピン17a
と嵌合凹所17bの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ21の回転角を制御することによっ
て行うことができる。
When the lid 16 is opened and closed, the robot arm 20 is inserted under the bulging head 18 protruding from the upper surface of the lid 16 as shown by an imaginary line in FIG. After engaging a locking pin 20a protruding from the robot arm 20 with a locking groove 18a provided in the portion 18, the robot arm 20 can be moved up and down. The locking groove 18a of the bulging head 18 when the lid 16 is opened and the locking pin 20a of the robot arm 20 are aligned, and the fixing pin 17a when the lid 16 is closed.
The position of the fitting recess 17b can be adjusted by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servomotor or the like.

【0041】上記実施例では、蓋体16と回転カップ1
2との固定を固定ピン17aと嵌合凹所17bの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体16
を回転カップ12に固定すれば、蓋体16の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体16のガタツキ等を防止す
ることができる。なお、上記固定蓋体15は蓋体16を
回転自在に支持する支持円柱19に固定されているの
で、蓋体16の開閉移動に伴って上下移動してドレンカ
ップ14の開口部を開閉することができる。
In the above embodiment, the lid 16 and the rotating cup 1
2 has been described by fitting the fixing pin 17a and the fitting recess 17b. However, such a structure is not necessarily required, and the lid 16 is separately provided using a pressing mechanism.
Is fixed to the rotating cup 12, it is possible to prevent the generation of dust when the lid 16 is opened and the rattling of the lid 16 during the rotation processing. Since the fixed lid 15 is fixed to the supporting column 19 that rotatably supports the lid 16, the fixed lid 15 moves up and down with the opening and closing movement of the lid 16 to open and close the opening of the drain cup 14. Can be.

【0042】また、上記N2ガス供給ノズル36は、ド
ーナツ状の中空円環状のパイプの外周面に適宜間隔をお
いて多数の小孔を穿設してなる環状ノズルにて形成され
ている。このように構成されるN2ガス供給ノズル36
は、上記スピンチャツク10と共に昇降する取付部材3
4に取り付けられ、固定カラー24を貫通するN2ガス
供給チューブ36cを介して図示しないN2ガス供給源
に接続されている。そして、回転処理後のスピンチャッ
ク10の上昇と共に上昇して回転カップ12の処理室1
1内に位置(露呈)した際に、N2ガス供給源から供給
されるN2ガスを処理室11内に放射状に噴射して、処
理室11内をN2パージすると共に、処理室11内の負
圧(減圧)状態を解除して、以後の蓋体16の開放を容
易に行えるようにしてある。
The N 2 gas supply nozzle 36 is formed by an annular nozzle having a number of small holes formed at appropriate intervals on the outer peripheral surface of a donut-shaped hollow annular pipe. The N 2 gas supply nozzle 36 thus configured
Is a mounting member 3 that moves up and down together with the spin chuck 10.
4 and is connected to an N 2 gas supply source (not shown) via an N 2 gas supply tube 36 c passing through the fixed collar 24. Then, the processing chamber 1 of the rotating cup 12 rises with the rise of the spin chuck 10 after the rotation processing.
When located (exposed) in 1, by injecting radially a N 2 gas supplied from N 2 gas supply source into the processing chamber 11, the processing chamber 11 while N 2 purge, the processing chamber 11 The negative pressure (reduced pressure) state is released so that the lid 16 can be easily opened thereafter.

【0043】また、上記N2ガス供給ノズル36と共に
取付部材34に取り付けられる洗浄ノズル35は、図3
に示すように、回転カップ12の底面に向って傾斜する
底面洗浄ノズル体35aと、回転カップ12の内側面に
向って水平状に突出する側面洗浄ノズル体35bと、蓋
体16の下面に向って傾斜する蓋体洗浄ノズル体35c
とで構成されている。これら、ノズル体35a〜35c
は、固定カラー24を貫通する洗浄液供給チューブ36
dを介して図示しない洗浄液供給源に接続されている。
この洗浄ノズル35によって回転カップ12の洗浄を行
う場合には、まず、回転処理後にスピンチャック10の
上昇と共に上昇して各ノズル体35a〜35cを回転カ
ップ12の処理室11内に位置(露呈)させ、次に、洗
浄液供給源から供給される洗浄液を各ノズル体35a〜
35cから回転する回転カップ12の底面、内側面及び
蓋体16の下面(具体的には、蓋体16と回転カップ1
2の当接部及びその付近の蓋体下面)に向って噴射させ
て、回転カップ12及び蓋体16に付着するレジスト液
やパーティクル等を洗浄し除去することができる。この
洗浄処理は所定枚数の基板Gの処理を行った後、定期的
に行えばよい。
The cleaning nozzle 35 attached to the attachment member 34 together with the N 2 gas supply nozzle 36 is the same as that shown in FIG.
, A bottom cleaning nozzle body 35a inclined toward the bottom surface of the rotating cup 12, a side cleaning nozzle body 35b protruding horizontally toward the inner side surface of the rotating cup 12, and a lower surface of the lid body 16. Cleaning nozzle body 35c
It is composed of These nozzle bodies 35a to 35c
Is a cleaning liquid supply tube 36 penetrating the fixed collar 24.
The cleaning liquid supply source (not shown) is connected via d.
When the rotating nozzle 12 is cleaned by the cleaning nozzle 35, first, after the rotation process, the spin chuck 10 is moved up and moved up, and the nozzle bodies 35 a to 35 c are positioned in the processing chamber 11 of the rotating cup 12 (exposed). Then, the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source is supplied to each of the nozzle bodies 35a to 35a.
35c, the bottom surface and the inner side surface of the rotating cup 12 and the lower surface of the lid 16 (specifically, the lid 16 and the rotating cup 1
2, the resist solution, particles and the like adhering to the rotating cup 12 and the lid 16 can be washed and removed. This cleaning process may be performed periodically after processing a predetermined number of substrates G.

【0044】一方、上記溶剤供給ノズル40は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ41aと開閉バルブ41bを
介して溶剤タンク41cに接続されており、溶剤タンク
41c内に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御す
ることによって溶剤タンク41c内の溶剤Aが基板G上
に所定時間中所定量の溶剤Aの供給が可能となってい
る。
On the other hand, the solvent supply nozzle 40 is connected to a solvent tank 41c via a solvent supply tube 41a, which is a solvent supply path, and an opening / closing valve 41b, and a nitrogen (N 2 ) gas supplied into the solvent tank 41c. By controlling the pressurization, the solvent A in the solvent tank 41c can supply a predetermined amount of the solvent A onto the substrate G for a predetermined time.

【0045】レジスト液供給ノズル42は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ44aを介してレ
ジスト液Bを収容するレジスト液タンク44bに連通さ
れている。このチューブ44aには、サックバックバル
ブ44c、エアーオペレーションバルブ44d、レジス
ト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機構44
e、フィルタ44f及びベローズポンプ44gが順次設
けられている。このベローズポンプ44gは、駆動部に
より制御された状態で伸縮可能となっており、所定量の
レジスト液Bをレジスト液供給ノズル42を介して基板
Gの中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来の
レジスト液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量
制御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズ
ポンプの一端に吸着されたねじと、このねじにボールを
介して螺合されるナットとからなるボールねじ44h
と、このナットを回転させることによりねじを直線動さ
せるステッピングモータ44iとにより構成されてい
る。
The resist solution supply nozzle 42 is connected to a resist solution tank 44b containing a resist solution B via a resist solution supply tube 44a which is a resist solution supply passage. The tube 44a has a suck back valve 44c, an air operation valve 44d, and a bubble removing mechanism 44 for separating and removing bubbles in the resist solution B.
e, a filter 44f and a bellows pump 44g are sequentially provided. The bellows pump 44g can expand and contract under the control of the drive unit, and can supply, for example, drop a predetermined amount of the resist solution B to the center of the substrate G via the resist solution supply nozzle 42. . It is possible to control the supply amount of the resist solution B smaller than the supply amount of the conventional resist solution B. The driving unit includes a ball screw 44h including a screw having one end attached to one end of the bellows pump, and a nut screwed into the screw via a ball.
And a stepping motor 44i that rotates the screw to move the screw linearly.

【0046】レジスト液供給ノズル42の口径は、具体
的には、500×600mmの基板用の場合には、内径
がφ0.5〜φ5mm、好ましくはφ3mmに設定され
ている。このように、ノズルの径を基板の寸法に応じて
設定することにより、なるべく少量のレジスト液Bをな
るべく長い時間をかけて供給できるようになっている。
供給時間が短いと膜厚の均一性が良くなく、また長すぎ
るとレジスト液が基板の周縁部までいかなくなる。ここ
でなるべく少量とは、上記ノズルの口径そしてレジスト
液供給圧力に依存する。
The diameter of the resist solution supply nozzle 42 is specifically set to φ0.5 to φ5 mm, preferably φ3 mm for a substrate of 500 × 600 mm. Thus, by setting the diameter of the nozzle according to the size of the substrate, it is possible to supply a small amount of the resist solution B as much as possible over a long time.
If the supply time is short, the uniformity of the film thickness is not good, and if it is too long, the resist solution does not reach the peripheral portion of the substrate. Here, as small as possible depends on the nozzle diameter and the resist solution supply pressure.

【0047】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ44
gのステッピングモータ44iの駆動時間によって制御
(制御精度:±2msec)されるようになっている。
また、レジスト液の吐出量はベローズポンプ44gの駆
動動作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液
供給路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ4
4dの開閉動作(ON−OFF動作)によって設定され
るようになっている。上記ベローズポンプ44gの駆動
時間の設定及びエアーオペレーションバルブ44dのO
N−OFF動作は、予め設定されたプログラムに基いて
コンピュータの作用で自動的に制御される。
In the resist solution supply system configured as described above, the discharge time of the resist solution is controlled by the bellows pump 44.
The control (control accuracy: ± 2 msec) is performed by the drive time of the stepping motor 44i of g.
The discharge amount of the resist solution is determined by the driving operation of the bellows pump 44g, for example, the driving time and the driving speed, and the air operation valve 4 for opening and closing the resist solution supply passage.
It is set by the opening / closing operation (ON-OFF operation) of 4d. Setting of the driving time of the bellows pump 44g and O of the air operation valve 44d
The N-OFF operation is automatically controlled by a computer based on a preset program.

【0048】レジスト液Bの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル42に設けた可変オリフィス(図示せず)
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ44gを用いずにレジスト液タンク44bへ
のN2 ガスの加圧によってレジスト液Bの供給を行うこ
とも可能であり、この場合のレジスト液Bの吐出時間制
御はN2 ガスの加圧量の調整によって行うことができ
る。
The discharge time of the resist solution B is controlled by a variable orifice (not shown) provided in the resist solution supply nozzle 42.
It can also be performed by opening and closing operations. Further, it is possible to supply the resist solution B by pressurizing the N 2 gas to the resist solution tank 44b without using the bellows pump 44g. In this case, the discharge time control of the resist solution B is performed by controlling the discharge time of the N 2 gas. It can be performed by adjusting the amount of pressurization.

【0049】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ44cは、レジスト液供給ノズル42から
のレジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル42先端内
壁部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレ
ジスト液供給ノズル42内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Bを吐出す
るレジスト液供給ノズル42において、通常通りサック
バックバルブ44cの負圧作用によってレジスト液Bを
レジスト液供給ノズル42内に引き戻すと、ノズル42
先端付近の空気も一緒にノズル42内に巻き込まれてし
まい、ノズル42先端に付着したレジスト液Bの残滓が
ノズル42内に入り、ノズル42の目詰まりを起こすば
かりか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板G
が汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞
れがある。
The suck-back valve 44c provided in the resist liquid supply system discharges the resist liquid B remaining on the inner wall of the tip of the resist liquid supply nozzle 42 due to surface tension after the resist liquid is discharged from the resist liquid supply nozzle 42. This is a valve for drawing back into the resist liquid supply nozzle 42, thereby preventing solidification of the residual resist liquid. In this case, when the resist solution B is discharged back into the resist solution supply nozzle 42 by the negative pressure action of the suck-back valve 44c as usual, in the resist solution supply nozzle 42 for discharging a small amount of the resist solution B,
The air near the tip is also entrained into the nozzle 42, and the residue of the resist solution B attached to the tip of the nozzle 42 enters the nozzle 42, causing not only clogging of the nozzle 42, but also dry resist as particles. Substrate G
May be contaminated and the yield may be reduced.

【0050】この問題を解決するために、図5(a)に
示すように、レジスト液供給ノズル42のノズル孔42
aに比較して、開口部近くの部分の肉厚42bを厚くし
ている。すなわち、このノズル42は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図5(b)に示すように、レジスト液供
給ノズル42の筒状の先端部又は開口部に外フランジ4
2cを設けることにより、サックバックの際にノズル4
2先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図5(c)に示すように、レジスト液供給ノズル
42の垂直に延びた円筒状の先端に横S字状に延びた細
径の屈曲部42dを形成し、この屈曲部42dの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。
In order to solve this problem, as shown in FIG.
The thickness 42b of the portion near the opening is thicker than that of FIG. That is, the nozzle 42 has a cylindrical distal end and an inverted truncated cone following the cylindrical distal end. Instead, as shown in FIG. 5B, an outer flange 4 is formed at the cylindrical tip or opening of the resist solution supply nozzle 42.
By providing 2c, the nozzle 4
2 Entrapment of air near the tip can be prevented.
Further, as shown in FIG. 5C, a small-diameter bent portion 42d extending in a horizontal S-shape is formed at a vertically extending cylindrical tip of the resist solution supply nozzle 42, and the center of the bent portion 42d is formed. By performing suckback to the vicinity, air entrapment at the nozzle tip can be similarly prevented.

【0051】上記温度調整機構45(温度調整手段)
は、図6に示すように、溶剤供給チューブ41a及びレ
ジスト供給チューブ44aの外周をそれぞれ包囲するよ
うに設けられる温度調整液供給路46aと、この温度調
整液供給路46aの両側の端部に両端がそれぞれ接続さ
れた循環路46bと、循環路46bのそれぞれに設けら
れた循環ポンプ46cと、循環路46bの途中に接続さ
れた温度調整液C(例えば恒温水)を一定温度に維持す
るサーモモジュール46dとにより構成されている。こ
のように構成された温度調整機構45により、溶剤供給
チューブ41a内を流れる溶剤Aとレジスト供給チュー
ブ44a内を流れるレジスト液Bを所定温度(例えば、
約23℃)に維持することができる。
The temperature adjusting mechanism 45 (temperature adjusting means)
As shown in FIG. 6, a temperature control liquid supply passage 46a provided to surround the outer circumferences of the solvent supply tube 41a and the resist supply tube 44a, respectively, and both ends at both ends of the temperature control liquid supply passage 46a. Are connected to each other, a circulating pump 46c provided in each of the circulating paths 46b, and a thermo module for maintaining the temperature regulating liquid C (for example, constant temperature water) connected in the middle of the circulating path 46b at a constant temperature. 46d. With the temperature adjusting mechanism 45 configured as described above, the solvent A flowing in the solvent supply tube 41a and the resist liquid B flowing in the resist supply tube 44a are heated to a predetermined temperature (for example,
(About 23 ° C.).

【0052】図6上では、溶剤供給ノズル40と溶剤供
給チューブ41aとが、また、レジスト液供給ノズル4
2とレジスト液供給チューブ44aとが、それぞれ一体
に形成されているが、図7を参照して以下に詳述するよ
うに、別体として形成することも好ましい。
In FIG. 6, the solvent supply nozzle 40 and the solvent supply tube 41 a are connected to the resist solution supply nozzle 4.
2 and the resist solution supply tube 44a are formed integrally, but it is also preferable to form them separately as described in detail below with reference to FIG.

【0053】上記噴頭39は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭39の上面には迂回通路47aの一部をなすU字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭39の下
面まで延出した垂直貫通孔47bが形成されている。各
貫通孔47bは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部47cと、大径の下部47dとを有し、この下部4
7dの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭39に、ノズル40,42を装着する場合に
は、貫通孔47b中に、円筒状のノズル40,42をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
40,42が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材47fを傾斜中部47c
に詰め、ノズル40,42が貫通可能な垂直貫通孔を有
する取付けねじ部材47gをねじ付け下部47d中に捩
じ込むことにより、シール部材47fを傾斜中部47c
の傾斜内周面に押圧させている。このようにして、ノズ
ル40,42は噴頭39に液密に装着されている。この
場合、傾斜中部47cの上端とシール部材47fの上面
との間に図示のようにOリング47hを介在させること
により、迂回通路47aとノズル40,42との間の水
密維持を更に確実にすることができる。
The jet head 39 is made of, for example, a member made of stainless steel or an aluminum alloy. A U-shaped hole that forms a part of the bypass passage 47a is formed on the upper surface of the jet head 39, and a vertical through hole 47b that extends to the lower surface of the jet head 39 is formed at the bottom of the hole. Each through hole 47b has an inclined middle portion 47c having a larger diameter as going downward, and a lower portion 47d having a larger diameter.
A female screw is formed on the inner peripheral surface of 7d. When the nozzles 40 and 42 are mounted on the jetting head 39 having such a configuration, the cylindrical nozzles 40 and 42 are inserted into the through holes 47b so that the upper and lower portions of the nozzles 40 and 42 extend, respectively. A sealing member 47f made of a substantially conical synthetic resin having a vertical through hole through which 42 can penetrate is attached to the inclined middle portion 47c.
And the sealing member 47f is screwed into the screwing lower part 47d and has a vertical through hole through which the nozzles 40 and 42 can pass.
Is pressed against the inclined inner peripheral surface. In this manner, the nozzles 40 and 42 are mounted on the jet head 39 in a liquid-tight manner. In this case, the O-ring 47h is interposed between the upper end of the inclined middle portion 47c and the upper surface of the seal member 47f as shown in the drawing, so that the watertightness between the detour passage 47a and the nozzles 40 and 42 is further maintained. be able to.

【0054】上記噴頭39は、水平方向(X,Y方向)
の回転及び垂直方向(Z方向)に移動可能な移動アーム
37aの先端に装着されている。移動アーム37aは、
図1に示すように、ドレンカップ14の外側方に配設さ
れ、図示しないステッピングモータ等の駆動手段によっ
て溶剤供給ノズル40及びレジスト液供給ノズル42を
それぞれ基板Gの中心部上方の作動位置とノズル待機部
38上方の待機位置との間に選択的に移動されるように
なっている。すなわち、待機位置から溶剤供給ノズル4
0が基板Gの中心位置へ移動され、所定時間経過後、次
にレジスト液供給ノズル42が基板Gの中心位置へ移動
された後、両ノズル40,42は待機部38へ移動され
るようになっている。上記噴頭39すなわち溶剤供給ノ
ズル40及びレジスト液供給ノズル42の移動機構は必
しも上述の回転する移動アーム37aによる必要はな
く、例えばリニア式のスキャン機構を用いてもよい。
The jet head 39 is arranged in the horizontal direction (X, Y directions).
It is attached to the tip of a movable arm 37a that can rotate and move in the vertical direction (Z direction). The moving arm 37a
As shown in FIG. 1, the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 42 are disposed outside the drain cup 14 and driven by driving means such as a stepping motor (not shown). It is selectively moved between a standby position above the standby section 38. That is, from the standby position, the solvent supply nozzle 4
0 is moved to the center position of the substrate G, and after a lapse of a predetermined time, then, after the resist solution supply nozzle 42 is moved to the center position of the substrate G, both nozzles 40 and 42 are moved to the standby unit 38. Has become. The moving mechanism of the jet head 39, that is, the solvent supply nozzle 40 and the resist liquid supply nozzle 42 does not necessarily need to be formed by the above-described rotating moving arm 37a, and may use, for example, a linear scanning mechanism.

【0055】なお、上記実施形態においては、溶剤供給
ノズル40を噴頭39にレジスト液供給ノズル42と一
体的に備えた構成について説明したが、これに限定され
るものではなく、リンス液供給ノズルを有する噴頭と一
体的に設けて溶剤を供給してもよい。あるいは、例えば
レジスト液供給ノズル42の外周にこれと同軸的に溶剤
供給ノズル40を配置するなど適宜変更することができ
る。
In the above-described embodiment, the structure in which the solvent supply nozzle 40 is provided integrally with the resist liquid supply nozzle 42 at the jetting head 39 has been described. However, the present invention is not limited to this. The solvent may be supplied integrally with the jetting head provided. Alternatively, for example, the solvent supply nozzle 40 may be arranged coaxially with the outer periphery of the resist solution supply nozzle 42, and may be changed as appropriate.

【0056】なお、上記実施形態では、回転カップ12
の蓋体16をロボットアーム20で移動させて開放し、
溶剤Aの供給ノズル40,レジスト液Bの供給ノズル4
2などを、移動機構37で基板Gの中心部上方に移動し
て、溶剤A,レジスト液Bを滴下する構成について説明
したが、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で閉
止した状態で滴下するように構成してもよい。例えば、
図8に示すように、蓋体16の膨隆頭部18部分を中空
状に形成し、また、この上端部を蓋18Aで閉止可能に
構成する。そして、蓋18Aを開け、移動機構37によ
り上記ノズルを膨隆頭部18の中空上方すなわち基板G
の中心部上方に移動させ、溶剤A,レジスト液Bを滴下
するようにしてもよい。また、図9に示すように、膨隆
頭部18の内側にノズル取付部材18Bをベアリング1
8Cなどにより、蓋体16を回転可能に取付ける。そし
て、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で閉止し
た状態で、ノズル取付部材18Bに取着したノズル4
0,42から溶剤A,レジスト液Bを基板Gの中心部に
滴下するように構成してもよい。
In the above embodiment, the rotating cup 12
The lid 16 is moved by the robot arm 20 and opened,
Supply nozzle 40 for solvent A, supply nozzle 4 for resist solution B
2 and the like are moved above the center of the substrate G by the moving mechanism 37 and the solvent A and the resist liquid B are dropped, but in the state where the opening 12 a of the rotating cup 12 is closed by the lid 16. You may comprise so that it may be dripped. For example,
As shown in FIG. 8, the bulging head portion 18 of the lid 16 is formed in a hollow shape, and the upper end is configured to be closed by the lid 18A. Then, the cover 18A is opened, and the nozzle is moved above the hollow of the bulging head 18, that is, the substrate G by the moving mechanism 37.
And the solvent A and the resist solution B may be dropped. As shown in FIG. 9, the nozzle mounting member 18B is provided inside the bulging head 18 with the bearing 1.
The cover 16 is rotatably attached by 8C or the like. Then, with the opening 12a of the rotating cup 12 closed by the lid 16, the nozzle 4
The solvent A and the resist solution B may be dropped from 0 and 42 onto the center of the substrate G.

【0057】上記したように、蓋体16で開口部12a
を閉止した状態で溶剤A,レジスト液Bを滴下すること
により、移動機構37による移動式に比べて処理スルー
プットの短縮化、密閉状態下での溶剤Aの滴下から塗布
処理終了までの処理プロセスを実現することが可能とな
る。例えば、溶剤Aの供給後、レジスト液Bを供給しな
がら回転カップ12を回転し、次にレジスト液Bの供給
を停止して、回転カップ12を回転するというようなプ
ロセスも実現できる。
As described above, the opening 12 a is formed by the lid 16.
By dropping the solvent A and the resist solution B in a closed state, the processing throughput can be shortened as compared with the movable type by the moving mechanism 37, and the processing process from the dropping of the solvent A in a closed state to the end of the coating process can be performed. It can be realized. For example, it is possible to realize a process in which after the supply of the solvent A, the rotating cup 12 is rotated while the resist solution B is being supplied, and then the supply of the resist solution B is stopped, and the rotating cup 12 is rotated.

【0058】また、上記実施形態では、溶剤供給ノズル
40から基板Gの中心に溶剤Aを滴下した後、レジスト
液Bを基板G上に滴下してレジスト膜を形成する場合に
ついて説明したが、溶剤とフォトレジストとからなるレ
ジスト液を使用する場合には、溶剤供給ノズルを用いず
にレジスト液供給ノズルからレジスト液Bを基板G上に
滴下させてレジスト液B自身の溶剤を利用してレジスト
膜を形成する塗布機構1を用いることも可能である。
In the above embodiment, the case where the solvent A is dropped from the solvent supply nozzle 40 to the center of the substrate G and then the resist solution B is dropped on the substrate G to form a resist film has been described. In the case of using a resist solution composed of a photoresist and a photoresist, the resist solution B is dropped onto the substrate G from the resist solution supply nozzle without using the solvent supply nozzle, and the resist film is formed using the solvent of the resist solution B itself. Can be used.

【0059】一方、上記縁部除去機構2は、図1及び図
12示すように、図示しない真空装置によって基板Gを
吸着保持すると共に水平方向に90度以上回転可能な載
置手段である載置台50と、この載置台50によって保
持される基板Gの対向する2辺の縁部の上下面にレジス
トの除去液例えばレジストの溶剤を噴射する一対の除去
ノズル51とで主要部が構成されている。
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 12, the edge removing mechanism 2 is a mounting table which is a mounting means for holding the substrate G by a vacuum device (not shown) and rotatable by 90 degrees or more in the horizontal direction. The main part is constituted by 50 and a pair of removal nozzles 51 for injecting a resist removing liquid, for example, a resist solvent, on the upper and lower surfaces of two opposing edges of the substrate G held by the mounting table 50. .

【0060】上記載置台50は、図示しないモータ等の
回転機構と昇降シリンダやボールねじ等の昇降機構を具
備する駆動装置52によって水平方向に90度以上回転
すると共に、昇降可能に構成されている。このように構
成される載置台50は、昇降によって基板Gの受渡し位
置及び塗布膜の除去処理位置と、待機位置とに切換えら
れ、水平方向に90度回転することによって基板Gの2
組の対向する2辺を除去ノズル51側に切換え移動する
ことができる。
The mounting table 50 is configured to be able to rotate 90 degrees or more in the horizontal direction and to be able to move up and down by a driving device 52 having a rotating mechanism such as a motor and a lifting mechanism such as a lifting cylinder and a ball screw (not shown). . The mounting table 50 configured as described above is switched between the transfer position of the substrate G, the coating film removal processing position, and the standby position by elevating and lowering the substrate G by rotating 90 degrees in the horizontal direction.
The two opposing sides of the set can be switched and moved to the removal nozzle 51 side.

【0061】上記除去ノズル51は、図13及び図14
に示すように、基板Gの縁部の上下両面及び側面を覆う
断面略コ字状の噴頭53の上部水平片53aと下部水平
片53bにそれぞれ設けられた表面のレジスト除去用の
溶剤供給路53cと裏面のレジスト除去用の溶剤供給路
53dに接続する注射針のように細い針状の表面洗浄用
のノズル51aと裏面洗浄用のノズル51bにて形成さ
れている。この場合、ノズル51aは噴口を下方に向け
て垂下され、ノズル51bは噴口を上部に向けて垂設さ
れ、そして、ノズル51aの噴口とノズル51bの噴口
は噴射された除去液が各ノズルの近傍で互いに干渉しな
い位置にずらして配設されている。このようにノズル5
1aの噴口とノズル51bの噴口をずらして設ける理由
は、ノズル51a,51bから噴射される溶剤がノズル
近傍で衝突すると、この衝突によって飛散される溶剤が
基板Gの表面部のレジスト膜に付着してレジスト膜の膜
厚を不均一にするなどの悪影響を及ぼすのを防止するた
めである。
The above-described removal nozzle 51 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 7, a solvent supply path 53c for removing resist on the surface provided on the upper horizontal piece 53a and the lower horizontal piece 53b of the jetting head 53 having a substantially U-shaped cross section which covers the upper and lower surfaces and side surfaces of the edge of the substrate G, respectively. It is formed of a fine needle-like nozzle 51a for cleaning the front surface and a nozzle 51b for cleaning the rear surface, such as an injection needle connected to the solvent supply path 53d for removing the resist on the back surface. In this case, the nozzle 51a is hung downward with the injection port facing downward, the nozzle 51b is hung downward with the injection port facing upward, and the injection liquid of the nozzle 51a and the nozzle of the nozzle 51b are sprayed with the removed liquid near each nozzle. And are arranged so as not to interfere with each other. Thus, the nozzle 5
The reason why the nozzle 1a and the nozzle 51b are shifted from each other is that when the solvent injected from the nozzles 51a and 51b collides near the nozzle, the solvent scattered by the collision adheres to the resist film on the surface of the substrate G. This is to prevent adverse effects such as uneven thickness of the resist film.

【0062】なお、除去ノズル51の噴頭53内部のノ
ズル側の垂直部53eには排気口53fが設けられ、こ
の排気口53fに図示しない排気装置に接続する排気管
54が接続されており、除去ノズル51から噴射されて
レジスト膜の除去に供された溶剤が排気管54を介して
外部に排出されるようになっている。
An exhaust port 53f is provided in the vertical portion 53e on the nozzle side inside the jetting head 53 of the removing nozzle 51, and an exhaust pipe 54 connected to an exhaust device (not shown) is connected to the exhaust port 53f. The solvent sprayed from the nozzle 51 and used for removing the resist film is discharged to the outside via the exhaust pipe 54.

【0063】上記実施形態では、ノズル51aを直状に
垂下した場合について説明したが、必ずしもこのような
形状とする必要はなく、図13に想像線で示すように、
ノズル51aの噴口を基板Gの内方から外方側に向けて
傾斜状に折曲してもよい。このように折曲させることに
より、ノズル51aから噴射された除去液は基板Gの周
辺方向に向うので、中心側のレジスト膜に付着するのを
防止することもできる。また、同様にノズル51bの噴
口を基板Gの内方から外方側に向けて傾斜状に折曲して
もよい。
In the above embodiment, the case where the nozzle 51a is hung down straight is described. However, it is not always necessary to adopt such a shape, and as shown by an imaginary line in FIG.
The injection port of the nozzle 51a may be bent obliquely from the inside of the substrate G to the outside. By bending in this manner, the removal liquid ejected from the nozzle 51a is directed to the peripheral direction of the substrate G, and thus can be prevented from adhering to the central resist film. Similarly, the injection port of the nozzle 51b may be bent obliquely from the inside to the outside of the substrate G.

【0064】また、上記のように構成される一対の除去
ノズル51は、図12に示すように、位置調整機構55
によって基板Gの対向する第1の辺例えば長辺側及び第
2の辺例えば短辺側の2辺に位置調整可能に配置され、
上下移動機構56によって基板Gの縁部のレジスト膜除
去位置と待機位置とに上下移動されると共に、左右移動
機構57によって基板Gの縁部に沿って移動し得るよう
に構成されている。この場合、除去ノズル51を移動方
向に複数対適宜間隔を開けて設けることも可能であり、
更に除去性能の向上を図ることができる。
Further, as shown in FIG. 12, the pair of removing nozzles 51 configured as described above is provided with a position adjusting mechanism 55.
Are disposed so as to be position-adjustable on opposing first sides, for example, long sides and second sides, for example, short sides of the substrate G,
The vertical movement mechanism 56 moves up and down to the resist film removing position and the standby position at the edge of the substrate G, and can move along the edge of the substrate G by the left and right movement mechanism 57. In this case, a plurality of removal nozzles 51 may be provided at appropriate intervals in the movement direction,
Further, the removal performance can be improved.

【0065】この場合、上記位置調整機構55は、対向
する一方の除去ノズル51の噴頭53に取付部材58a
を介して連結するシリンダ体59aと、このシリンダ体
59aに摺動自在に装着され、他方の除去ノズル51の
噴頭53に取付部材58bを介して連結される伸縮ロッ
ド59bとからなるエアーシリンダ59と、このエアー
シリンダ59の伸縮ロッド59bが伸長した際に両取付
部材58a,58bが衝突して除去ノズル51の基板G
長辺側の除去位置を位置決めする外側ストッパ60a
と、エアーシリンダ59の伸縮ロッド59bが収縮した
際に両取付部材58a,58bが衝突して除去ノズル5
1の基板G短辺側の除去位置を位置決めする内側ストッ
パ60bとで構成されている。なお、両除去ノズル51
はエアーシリンダ59のシリンダ体59aを取付ける支
持部材61によって支持されている。
In this case, the position adjusting mechanism 55 attaches the mounting member 58a to the ejection head 53 of the one of the removal nozzles 51 facing the other.
And an air cylinder 59 composed of a telescopic rod 59b slidably mounted on the cylinder body 59a and connected to the ejection head 53 of the other removal nozzle 51 via a mounting member 58b. When the telescopic rod 59b of the air cylinder 59 extends, the two mounting members 58a and 58b collide and the substrate G of the removing nozzle 51
Outer stopper 60a for positioning the removal position on the long side
When the telescopic rod 59b of the air cylinder 59 contracts, the two mounting members 58a and 58b collide and the removal nozzle 5
And one inner stopper 60b for positioning the removal position on the short side of the substrate G. In addition, both removal nozzles 51
Is supported by a support member 61 for mounting a cylinder body 59a of the air cylinder 59.

【0066】また、上下移動機構56は、支持部材61
の一端の下面側に取付けられ、後述する水平方向(Y方
向)に移動可能な走行板62に設けられた昇降用ガイド
レール63に沿って昇降可能な昇降部材64と、この昇
降部材64に取付けられるシリンダ体65aと、このシ
リンダ体65aに摺動可能に装着され、走行板62に取
付けられる伸縮ロッド65bとで構成されている。ま
た、ベース板66から起立された起立壁67の側面に水
平に配設された互いに平行な上下2本の走行用ガイドレ
ール68に上記走行板62を走行可能に取付け、起立壁
67に装着されたプーリ69と図示しない駆動モータの
駆動軸に装着される駆動プーリ(図示せず)に掛け渡さ
れるタイミングベルト69aを走行板62に締結して上
記左右移動機構57が構成されている。
The vertical movement mechanism 56 includes a support member 61.
A lifting member 64 attached to the lower surface of one end of the moving plate 62 and movable up and down along a lifting guide rail 63 provided on a traveling plate 62 movable in a horizontal direction (Y direction) to be described later, and attached to the lifting member 64. And a telescopic rod 65b slidably mounted on the cylinder body 65a and attached to the traveling plate 62. Further, the traveling plate 62 is movably mounted on two parallel upper and lower traveling guide rails 68 horizontally arranged on a side surface of an upright wall 67 erected from the base plate 66, and attached to the upright wall 67. The right and left moving mechanism 57 is constituted by fastening a timing belt 69a, which is wound around a driving pulley (not shown) mounted on a driving shaft of a driving motor (not shown) to the traveling plate 62, to the driving plate 62.

【0067】また、載置台50の下部には、基板Gの角
部裏面に付着するレジスト膜を除去するための補助洗浄
ノズル51Aが配設されている(図12参照)。この補
助洗浄ノズル51Aは、図15に示すように、載置台5
0の対角線位置に1個ずつ支持部材4aによって噴射方
向が調節可能に取付けられており、この補助洗浄ノズル
51Aと溶剤としてのシンナーTを収容するタンク4b
が溶剤供給チューブ4cを介して接続されている。な
お、補助洗浄ノズル51Aから基板Gの角部裏面に付着
したレジスト膜を除去するには、例えば窒素(N2)ガ
ス供給源4dからタンク4b内に圧送用ガスを供給する
と共に、溶剤供給チューブ4cに介設されたバルブ4e
を開放して、補助洗浄ノズル51AからシンナーTを基
板Gの角部裏面に向って噴射する。なおこの場合、図1
5に想像線で示すように、溶剤供給チューブ4cに三方
切換バルブ4fを介してタンク4bとN2ガス供給源4
dとを接続することにより、補助洗浄ノズル51Aから
溶剤を噴射して基板Gの角部裏面に付着するレジスト膜
を除去した後、三方切換バルブ4fを切り換えて補助洗
浄ノズル51AからN2ガスを噴射(供給)して角部裏
面の乾燥を促進させることができる。
Further, an auxiliary cleaning nozzle 51A for removing a resist film adhering to the back surface of the corner of the substrate G is provided below the mounting table 50 (see FIG. 12). As shown in FIG. 15, the auxiliary cleaning nozzle 51A
The auxiliary cleaning nozzle 51A and a tank 4b for accommodating a thinner T as a solvent are mounted one by one at a diagonal position of 0 by a support member 4a so as to be adjustable.
Are connected via a solvent supply tube 4c. In order to remove the resist film attached to the back surface of the corner of the substrate G from the auxiliary cleaning nozzle 51A, for example, a gas for pressure feeding is supplied from the nitrogen (N 2 ) gas supply source 4d into the tank 4b, and a solvent supply tube is provided. Valve 4e interposed in 4c
Is released, and the thinner T is jetted from the auxiliary cleaning nozzle 51A toward the back surface of the corner of the substrate G. In this case, FIG.
As shown by an imaginary line in FIG. 5, the tank 4b and the N 2 gas supply source 4 are connected to the solvent supply tube 4c via the three-way switching valve 4f.
d, the solvent is sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51A to remove the resist film adhering to the back surface of the corner portion of the substrate G, and then the three-way switching valve 4f is switched to supply the N 2 gas from the auxiliary cleaning nozzle 51A. By spraying (supplying), drying of the back surface of the corner can be promoted.

【0068】この場合、基板Gが矩形状(例えば長方
形)のときは、図16(a)に示すように、スピンチャ
ック10の回転によって基板Gの表面に塗布されたレジ
スト液を振り切る際、遠心力によって基板Gの長辺側に
付着したレジスト液は基板Gの外方に飛散されるが、基
板Gの短辺側に付着したレジスト液は基板Gの辺部から
外方に飛散された後、隣接する角部に衝突して、基板G
の対角位置の角部裏面に再付着する。この付着量は基板
Gの回転速度が速い程、また基板Gの寸法が大きい程、
短辺と長辺の比率が大きい程、また、塗布されたレジス
ト液の量が多い程多くなる。したがって、レジスト液が
付着する基板Gの対角位置の角部に対応する載置台50
の対角位置の下部側に補助洗浄ノズル51Aを配設して
おけば、補助洗浄ノズル51Aから噴射されるシンナー
によって基板Gの角部裏面に付着したレジスト膜を容易
に除去することができる。
In this case, when the substrate G has a rectangular shape (for example, a rectangular shape), as shown in FIG. 16A, when the resist solution applied to the surface of the substrate G is shaken off by rotation of the spin chuck 10, centrifugation is performed. The resist liquid adhering to the long side of the substrate G by the force is scattered to the outside of the substrate G, while the resist liquid adhering to the short side of the substrate G is scattered to the outside from the side of the substrate G Collides with the adjacent corner, and the substrate G
On the back surface of the corner at the diagonal position. The larger the rotation speed of the substrate G and the larger the size of the substrate G,
The ratio increases as the ratio of the short side to the long side increases and the amount of the applied resist liquid increases. Therefore, the mounting table 50 corresponding to the corner at the diagonal position of the substrate G to which the resist liquid adheres.
If the auxiliary cleaning nozzle 51A is provided below the diagonal position of the above, the resist film attached to the back surface of the corner of the substrate G can be easily removed by the thinner sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51A.

【0069】なお、基板Gの形状が正方形の場合には、
長方形の場合と比較して、もともと再付着量は減少する
が、図16(b)に示すように、スピンチャック10の
回転によって基板Gの表面に塗布されたレジスト液を振
り切る際、基板Gの各辺部から飛散されるレジスト液が
隣接する各角部裏面に再付着し除去が必要とされる場合
には、載置台50の各角部下部側にそれぞれ補助洗浄ノ
ズル51Aを合計4個配設しておけばよい。
When the shape of the substrate G is square,
Originally, the re-adhesion amount decreases as compared with the rectangular case. However, as shown in FIG. 16B, when the resist solution applied to the surface of the substrate G is shaken off by the rotation of the spin chuck 10, When the resist solution scattered from each side adheres again to the back surface of each adjacent corner and needs to be removed, a total of four auxiliary cleaning nozzles 51A are arranged below each corner of the mounting table 50. It should be set up.

【0070】上記補助洗浄ノズル51Aを設ける代わり
に、上述した除去ノズル51を改良した構造のものを用
いることもできる。すなわち、図17(a)に示すよう
に、除去ノズル51の噴頭53の下部水平辺53bを外
方(基板G側)に延長させ、そして、裏面洗浄ノズル5
1bの外側に適宜間隔をおいて針状の第1ないし第4の
補助洗浄ノズル51c,51d,51e,51fを起立
状に延在させて、除去ノズル51が基板Gの角部に位置
したときに、表面洗浄ノズル51a及び裏面洗浄ノズル
51bと第1ないし第4の補助洗浄ノズル51c〜51
fから溶剤例えばシンナーを噴射して基板Gの角部の表
裏面に付着したレジスト膜を除去する。除去ノズル51
が基板Gの各辺の角部を外れた中央部を移動するとき
は、第1ないし第4の補助ノズル51c〜51fからの
シンナーの噴射を停止して、ノズル51aと51bから
のみシンナーを噴射して基板Gの縁部両面に付着するレ
ジスト膜を除去する。
Instead of providing the auxiliary cleaning nozzle 51A, an improved structure of the above-described removal nozzle 51 can be used. That is, as shown in FIG. 17A, the lower horizontal side 53b of the ejection head 53 of the removal nozzle 51 is extended outward (to the substrate G side), and
When needle-like first to fourth auxiliary cleaning nozzles 51c, 51d, 51e, and 51f are extended upright at appropriate intervals outside of 1b, and removal nozzle 51 is positioned at a corner of substrate G First, the front cleaning nozzle 51a and the back cleaning nozzle 51b, and the first to fourth auxiliary cleaning nozzles 51c to 51c
A solvent, for example, a thinner is sprayed from f to remove the resist film attached to the front and back surfaces of the corners of the substrate G. Removal nozzle 51
Stops moving the thinner from the first to fourth auxiliary nozzles 51c to 51f and moves the thinner only from the nozzles 51a and 51b. Then, the resist film adhering to both sides of the edge of the substrate G is removed.

【0071】なお、裏面洗浄ノズル51bの溶剤供給路
53bとは別に補助洗浄ノズル51c〜51fの溶剤供
給路53cが設けられている。また、溶剤供給路53c
の各補助洗浄ノズル間にそれぞれバルブ(図示せず)を
介設して、補助洗浄ノズル51c〜51fを順次開放あ
るいは閉鎖させて補助洗浄ノズル51c〜51fから噴
射される溶剤を徐々に増加あるいは減少させることもで
きる。
The solvent supply path 53c for the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is provided separately from the solvent supply path 53b for the back side cleaning nozzle 51b. Also, the solvent supply path 53c
A valve (not shown) is interposed between each of the auxiliary cleaning nozzles, and the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f are sequentially opened or closed to gradually increase or decrease the solvent sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f. It can also be done.

【0072】上記のように構成される補助洗浄ノズル5
1c〜51fは裏面洗浄ノズル51bの外方側(基板G
側)に配設されていれば、その配設位置は任意でよい
が、補助洗浄ノズル51c〜51fから噴射された溶剤
が噴水状に噴射されて周囲に飛散する虞れがあるので、
図18に示すように、上記噴頭53を、表面洗浄ノズル
51aと裏面洗浄ノズル51bを配設した断面略コ字状
の噴頭本体53Aと、この噴頭本体53Aの側面に連な
りかつ噴頭本体53Aより外方側へ突出する断面略コ字
状の補助噴頭53Bとで構成し、補助噴頭53Bの下部
水平片53gに補助洗浄ノズル51c〜51fを配設し
て、補助洗浄ノズル51c〜51fから噴射された溶剤
を補助噴頭53Bの上部水平片53hで受け止めるよう
にする方が好ましい。なお、補助噴頭53Bの上部及び
下部水平片53g,53hの対向面を断面円弧状面とす
ることにより、噴射された溶剤の周囲の飛散を更に確実
に防止することができる。
The auxiliary cleaning nozzle 5 configured as described above
1c to 51f are on the outer side of the back surface cleaning nozzle 51b (the substrate G
Side), the disposition position may be arbitrary. However, since the solvent jetted from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f may be jetted like a fountain and scattered around,
As shown in FIG. 18, the jetting head 53 is provided with a jetting head main body 53A having a substantially U-shaped cross section in which a front surface cleaning nozzle 51a and a rear surface cleaning nozzle 51b are arranged, and connected to a side surface of the jetting head main body 53A and outside the jetting main body 53A. The auxiliary jetting head 53B has a substantially U-shaped cross section and projects toward the side. The auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f are disposed on the lower horizontal piece 53g of the auxiliary jetting head 53B, and are ejected from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f. It is preferable that the solvent is received by the upper horizontal piece 53h of the auxiliary jetting head 53B. The upper and lower horizontal pieces 53g, 53h of the auxiliary jetting head 53B have arc-shaped cross sections, so that the sprayed solvent can be more reliably prevented from scattering around.

【0073】一方、上記塗布機構1から縁部除去機構2
へ基板Gを搬送する第2の搬送機構4は、図10に示す
ように、基板Gの対向する2辺の周辺部下面を吸着保持
する一対の搬送アーム70を具備し、これら搬送アーム
70は、リニアガイド71によってガイドされ、タンミ
ングベルト72、プーリ73、シャフト74によって伝
達されるアーム駆動モータ75の駆動力によって図示矢
印X方向に移動可能に構成されている。この場合、搬送
アーム70とタイミングベルト72とは、締結部材76
によって締結されている。また、アーム駆動モータ75
は、中央演算処理装置(CPU)等にて形成された制御
装置77によって制御され、所望により搬送方向に往復
運動を繰り返して、所定時間基板Gの塗布処理、塗布膜
除去処理を実施することができるように構成されてい
る。
On the other hand, from the coating mechanism 1 to the edge removing mechanism 2
As shown in FIG. 10, the second transfer mechanism 4 that transfers the substrate G to the substrate G includes a pair of transfer arms 70 that suck and hold the peripheral lower surfaces of two opposing sides of the substrate G. The arm guide motor 75 is guided by a linear guide 71 and is movable in the direction indicated by an arrow X by a driving force of an arm driving motor 75 transmitted by a tamping belt 72, a pulley 73, and a shaft 74. In this case, the transfer arm 70 and the timing belt 72 are
Has been concluded by Also, the arm drive motor 75
Is controlled by a control device 77 formed by a central processing unit (CPU) or the like, and can perform a reciprocating motion in the transport direction as required to perform the coating process on the substrate G and the coating film removing process for a predetermined time. It is configured to be able to.

【0074】また、上記搬送アーム70の基板保持面に
は、図11に示すように、吸引通路70bを介して図示
しない真空吸引手段に接続する吸引孔70aが設けられ
ており、この吸引孔70aに連通する吸引孔を有するパ
ッド部材70cが搬送アーム70に対して垂直方向に変
位可能に設けられている。この場合、パッド部材70c
は、内向きフランジ70dを有する逆冠形の耐蝕性を有
する例えばデルリン(商品名)製の部材にて形成されて
いる。そして、搬送アーム70の吸引孔70aの周囲に
押えねじ70eによって立設固定される可撓性を有する
合成ゴム製の筒状のリップシール70fの上端に拡開状
に突出する係止部70gに内向きフランジ70dを係合
して垂直方向に変位可能に取付けられる。このように取
付けられるパッド部材70cは各搬送アーム70にそれ
ぞれ2個ずつ設けられており、基板Gを搬送する際、リ
ップシール70fが弾性変形することによりパッド部材
70cが垂直方向に変形すなわち基板Gの平面に追従し
て基板Gの姿勢を水平状態に保持したまま搬送すること
ができるようになっている。また、基板Gを受取る際の
衝撃をリップシール70fの弾性変形によって吸収する
ことができるので、基板Gの損傷等を防止することがで
きる。なお、この場合、パッド部材70cを2個設けて
いるが、1個あるいは3個等任意の数設けてもよい。
Further, as shown in FIG. 11, a suction hole 70a connected to vacuum suction means (not shown) via a suction passage 70b is provided on the substrate holding surface of the transfer arm 70. A pad member 70c having a suction hole communicating with the transfer arm 70 is provided so as to be vertically displaceable with respect to the transfer arm 70. In this case, the pad member 70c
Is formed of, for example, a member made of Delrin (trade name) having an inverted crown-shaped corrosion resistance and having an inward flange 70d. Then, a locking portion 70g that protrudes in an expanded manner from the upper end of a flexible synthetic rubber tubular lip seal 70f that is vertically installed and fixed around a suction hole 70a of the transfer arm 70 by a holding screw 70e. It is attached so as to be displaceable in the vertical direction by engaging the inward flange 70d. Two pad members 70c attached in this manner are provided on each of the transfer arms 70. When the substrate G is transferred, the pad member 70c is deformed in the vertical direction due to the elastic deformation of the lip seal 70f, that is, the substrate G The substrate G can be conveyed following the plane of FIG. Further, since the impact when receiving the substrate G can be absorbed by the elastic deformation of the lip seal 70f, damage to the substrate G and the like can be prevented. In this case, two pad members 70c are provided, but any number such as one or three may be provided.

【0075】また、上記塗布機構1への基板Gの搬入、
縁部除去機構2からの基板Gの搬出を行う第1の搬送機
構3は、図21及び図22に示すように、メインアーム
80にて形成されている。この場合、メインアーム80
は、上下2段のコ字状アーム体81a,81bがそれぞ
れ独立して水平方向に進退移動可能な二重構造となっい
てる。すなわち、対向して配置される外側リニアガイド
82に沿って摺動可能な一対の外側フレーム83によっ
て上部アーム体81aの両側を支持し、第1の駆動モー
タ84に伝達プーリ85aを介して駆動される外側プー
リ85に掛け渡されるタイミングベルト(図示せず)と
外側フレーム83とを締結して、第1の駆動モータ84
の正逆回転によって上部アーム体81aを進退移動可能
に構成し、また、外側リニアガイド82の内側に配設さ
れる一対の内側リニアガイド86に沿って移動可能な内
側フレーム87にて下部アーム体81bを支持し、第2
の駆動モータ88に伝達プーリ89aを介して駆動され
る内側プーリ89に掛け渡されるタイミングベルト(図
示せず)と内側フレーム87とを締結して、第2の駆動
モータ88の正逆回転によって下部アーム体81bを進
退移動可能に構成してある。
Further, loading of the substrate G into the coating mechanism 1
The first transport mechanism 3 for carrying out the substrate G from the edge removing mechanism 2 is formed by a main arm 80 as shown in FIGS. In this case, the main arm 80
Has a double structure in which upper and lower two-stage U-shaped arms 81a and 81b can independently move in the horizontal direction. That is, both sides of the upper arm body 81a are supported by a pair of outer frames 83 slidable along the outer linear guides 82 arranged opposite to each other, and are driven by the first drive motor 84 via the transmission pulley 85a. A timing belt (not shown) stretched over the outer pulley 85 and the outer frame 83 are fastened to the first drive motor 84.
The upper arm body 81a is configured to be capable of moving forward and backward by forward and reverse rotation of the lower arm body 81. The lower arm body 81 is movable by an inner frame 87 movable along a pair of inner linear guides 86 disposed inside the outer linear guide 82. 81b, the second
The inner frame 87 is fastened to a timing belt (not shown) that is wrapped around an inner pulley 89 that is driven via a transmission pulley 89a to the lower drive motor 88, and the lower portion is rotated by forward and reverse rotation of the second drive motor 88. The arm body 81b is configured to be able to move forward and backward.

【0076】このように構成されるメインアーム80
は、図1に示すように水平のX,Y方向及び回転(θ)
可能に形成されると共に、垂直方向(Z方向)に移動可
能に形成されている。なお、上記アーム体81a,81
bには基板Gを保持する保持爪81cが立設されてい
る。また、メインアーム80のアーム体81a,81b
上に載置される基板Gの有無はセンサ150によって検
出できるように構成されている(図22参照)。なお、
この場合、アーム体81a,81bに保持爪81cを設
ける代わりに、上記搬送アーム70と同様に吸引孔70
aを設けると共に、パッド部材70cを設けて真空吸着
によって基板Gを保持するようにしてもよい。
The main arm 80 thus configured
Is the horizontal X and Y directions and rotation (θ) as shown in FIG.
It is formed so as to be able to move in the vertical direction (Z direction). The arm members 81a, 81
A holding claw 81c for holding the substrate G is provided upright on b. Also, the arm bodies 81a, 81b of the main arm 80
The configuration is such that the presence or absence of the substrate G mounted thereon can be detected by the sensor 150 (see FIG. 22). In addition,
In this case, instead of providing the holding claws 81c on the arm bodies 81a and 81b, the suction holes 70
a may be provided and the pad member 70c may be provided to hold the substrate G by vacuum suction.

【0077】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置を用いて基板G上へのレジスト塗布及び辺部の
不要なレジスト膜の除去手順の一例について図23及び
図24を参照して説明する。
Next, referring to FIGS. 23 and 24, an example of a procedure for applying a resist on the substrate G and removing unnecessary resist films on the sides using the processing apparatus of the present invention configured as described above will be described. Will be explained.

【0078】まず、回転カップ12の蓋体16及びドレ
ンカップ14の固定蓋体15を開放し、そして、基板G
をメインアーム80によって保持して静止したスピンチ
ャック10上に移動させ、基板Gを真空吸着によってス
ピンチャック10が保持し基板Gを支持する(ステップ
[A])。次に、スピンチャック10の回転駆動により
基板Gを処理時の定常回転より低速に回転(回転数:例
えば200〜800rpm,加速度:300〜500r
pm/sec)させると共に、回転カップ12を同じ速
度で回転させる。この回転中に、移動機構37の移動ア
ーム37aが待機位置38から回転して基板Gの中心部
上方に移動させられ、噴頭39の溶剤供給ノズル40か
ら基板表面に処理液の溶剤Aとして例えばエチルセロソ
ルブアセテート(ECA)を例えば20秒(sec)間
で例えば26.7cc供給例えば滴下する(ステップ
[B])。また、基板Gを回転させずに静止した状態で
溶剤Aを滴下し、その後回転してもよい。このようにし
て溶剤Aを20sec間供給した後、スピンチャック1
0及び回転カップ12の回転数を上記低速回転数による
回転状態で溶剤Aの供給を停止する(ステツプ
[C])。このとき、溶剤Aは基板Gの全面に拡散され
塗布される。
First, the lid 16 of the rotating cup 12 and the fixed lid 15 of the drain cup 14 are opened.
Is held by the main arm 80 and moved on the stationary spin chuck 10, and the substrate G is held by the spin chuck 10 by vacuum suction to support the substrate G (step [A]). Next, the substrate G is rotated at a lower speed than the steady rotation during processing by the rotation drive of the spin chuck 10 (rotation speed: for example, 200 to 800 rpm, acceleration: 300 to 500 r).
pm / sec), and the rotating cup 12 is rotated at the same speed. During this rotation, the moving arm 37a of the moving mechanism 37 rotates from the standby position 38 and is moved above the center of the substrate G, and the solvent A of the processing liquid is applied to the surface of the substrate from the solvent supply nozzle 40 of the jet head 39, for example, ethyl. For example, 26.7 cc of cellosolve acetate (ECA) is supplied, for example, dropped in 20 seconds (sec) (step [B]). Alternatively, the solvent A may be dropped while the substrate G is stationary without rotating, and then the substrate G may be rotated. After supplying the solvent A for 20 seconds in this way, the spin chuck 1
The supply of the solvent A is stopped at 0 and the rotation speed of the rotating cup 12 at the low rotation speed (step [C]). At this time, the solvent A is spread and applied to the entire surface of the substrate G.

【0079】次に、スピンチャック10を、高速回転
(第1の回転数:500から1500rpm程度の範囲
例えば1000rpm,加速度:300〜600rpm
/sec)させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部上方に移動されたレジスト液供給ノズル42から処
理液例えばレジスト液Bを例えば5sec間供給例えば
8cc滴下する(ステップ[D])。このときの溶剤A
が乾燥する時期は、予め実験により求めることができ
る。例えば、基板Gの表面を目視し、光の干渉縞が見え
ている間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞が見えな
くなるので、その時期を知ることができる。この場合5
sec間の供給時期には、上記したベローズポンプ44
gの駆動時間を制御でき、レジスト液Bの供給量を正確
にかつ微妙に制御できるように構成されている。このよ
うにしてレジスト液Bを5sec供給(滴下)した後、
レジスト液Bの供給を停止すると同時に、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12の回転を停止する(ステップ
[E])。この状態では、レジスト液Bは基板Gの角部
Gaを残した略同心円内に塗布される。このとき、レジ
スト液Bを基板Gの角部Gaを含む全域に供給すると、
レジスト液Bの無駄が生じるばかりでなく、レジスト液
Bのミストが飛散して回転カップ12及び基板Gの裏面
に付着する虞れが生じるという問題がある。したがっ
て、レジスト液Bの量は、所定の膜厚で基板Gの全域に
供給される必要最小限の量に設定されることが望まし
い。
Next, the spin chuck 10 is rotated at a high speed (first rotation speed: 500 to 1500 rpm, for example, 1000 rpm, acceleration: 300 to 600 rpm).
At the same time, the processing liquid, for example, the resist liquid B is supplied for, for example, 5 seconds from the resist liquid supply nozzle 42 moved above the central portion on the solvent film on the substrate surface, for example, and 8 cc is dropped (step [D]). Solvent A at this time
The drying time can be determined in advance by an experiment. For example, when the surface of the substrate G is visually observed and the interference fringes of light are visible, the drying is not performed, and when the interference fringes are dried, the interference fringes become invisible, so that the time can be known. In this case 5
In the supply time during the second, the bellows pump 44
The driving time of g can be controlled, and the supply amount of the resist solution B can be accurately and finely controlled. After supplying (dropping) the resist liquid B for 5 seconds in this way,
At the same time as the supply of the resist solution B is stopped, the rotation of the spin chuck 10 and the rotation cup 12 is stopped (step [E]). In this state, the resist solution B is applied in substantially concentric circles of the substrate G except for the corners Ga. At this time, when the resist solution B is supplied to the entire region including the corner portion Ga of the substrate G,
Not only does the waste of the resist solution B occur, but also there is a problem that mist of the resist solution B may scatter and adhere to the rotating cup 12 and the back surface of the substrate G. Therefore, it is desirable that the amount of the resist solution B is set to a necessary minimum amount to be supplied to the entire region of the substrate G with a predetermined film thickness.

【0080】次に、レジスト液Bの供給を停止し、レジ
スト液供給ノズル50を待機位置に移動した後、ロボッ
トアーム20によって固定蓋体15及び蓋体16をドレ
ンカップ14及び回転カップ12の上方開口部12aに
閉止し、回転カップ12内に基板Gを封入する(ステッ
プ[F])。
Next, after the supply of the resist solution B is stopped and the resist solution supply nozzle 50 is moved to the standby position, the fixed lid 15 and the lid 16 are moved above the drain cup 14 and the rotary cup 12 by the robot arm 20. It is closed in the opening 12a, and the substrate G is sealed in the rotating cup 12 (step [F]).

【0081】このようにしてドレンカップ14の開口部
を固定蓋体15で閉止すると共に、回転カップ12の開
口部12aを蓋体16で閉止し密閉した状態で、スピン
チャック10及び回転カップ12を例えば15sec
間、上記第1の回転数より高速に回転(第2の回転数:
1000〜3000rpm程度の範囲例えば1400r
pm,加速度:500rpm/sec)させると、レジ
スト液Bは基板Gの全面に行き渡りレジスト膜の膜厚が
整えられる(ステップ[G],図24(a)参照)。こ
の時のレジスト液Bの吐出量と時間でレジスト膜の膜厚
が決定する。なお、この状態では溶剤A及びレジスト膜
は乾燥されていないウエットな状態である。
In this way, the spin chuck 10 and the rotating cup 12 are closed while the opening of the drain cup 14 is closed by the fixed lid 15 and the opening 12 a of the rotating cup 12 is closed and sealed by the lid 16. For example, 15 sec
During the rotation, the rotation speed is higher than the first rotation speed (second rotation speed:
A range of about 1000 to 3000 rpm, for example, 1400 r
pm, acceleration: 500 rpm / sec), the resist solution B spreads over the entire surface of the substrate G, and the thickness of the resist film is adjusted (step [G], see FIG. 24A). At this time, the thickness of the resist film is determined by the discharge amount of the resist liquid B and the time. In this state, the solvent A and the resist film are in a wet state where they are not dried.

【0082】次に、第2の搬送機構4の搬送アーム70
によって基板Gを、塗布機構1の側方に隣接する塗布機
構1と同一雰囲気領域内の縁部除去機構2の載置台50
上に搬送し、載置台50にて基板を吸着保持する(ステ
ップ[H],図24(b)参照)。基板Gを搬送した第
2の搬送機構4の搬送アーム70は待機位置へ後退した
後、縁部除去機構2の除去ノズル51が基板Gの長辺側
の両縁部にセットされ、長辺に沿って移動しながら除去
液例えばレジストの溶剤(例:シンナー)を基板Gの縁
部両面に噴射して基板Gの長辺の不要なレジスト膜を端
部から幅約5mm程度、溶解して除去する(ステップ
[I],第1の除去工程;図24(c)参照)。なお、
基板Gの縁部側面に付着しているレジストも同時に除去
される。この際、塗布機構1に次の基板Gを搬入して塗
布処理を行う。基板Gの長辺の不要なレジスト膜を除去
した後、載置台50を例えば時計回りに90度回転させ
て基板Gの短辺側を除去ノズル51側に位置させる。な
お、90度回転の他に、90度の奇数倍例えば270
度,450度,…,また、反時計回りに、回転させても
よい。このとき、位置調整機構55のエアーシリンダ5
9を伸長して除去ノズル51を基板Gの短辺側にセット
する(図24(d)参照)。そして、除去ノズル51を
基板Gの短辺に沿って移動しながら溶剤を基板Gの短辺
の縁部両面に噴射して基板Gの短辺の不要なレジスト膜
を除去して、基板Gのレジスト塗布及び短辺の不要なレ
ジスト膜の除去作業は完了する(第2の除去工程;図2
4(e)参照)。この後、基板Gを搬出し、次の工程へ
搬送する(ステップ[J])。上記のように、レジスト
膜を塗布形成後、直ちに基板Gを搬送して周縁部レジス
トを除去できる。
Next, the transfer arm 70 of the second transfer mechanism 4
The substrate G is placed on the mounting table 50 of the edge removing mechanism 2 in the same atmosphere region as the coating mechanism 1 adjacent to the side of the coating mechanism 1.
The substrate is transported upward, and the substrate is sucked and held by the mounting table 50 (step [H], see FIG. 24B). After the transfer arm 70 of the second transfer mechanism 4 that has transferred the substrate G retreats to the standby position, the removal nozzles 51 of the edge removal mechanism 2 are set at both long sides of the substrate G on the long side, and While moving along, a remover, for example, a solvent for the resist (eg, thinner) is sprayed onto both sides of the edge of the substrate G to dissolve and remove the unnecessary resist film on the long side of the substrate G by about 5 mm in width from the end. (Step [I], first removal step; see FIG. 24C). In addition,
The resist adhering to the edge side surface of the substrate G is also removed at the same time. At this time, the next substrate G is loaded into the coating mechanism 1 to perform a coating process. After the unnecessary resist film on the long side of the substrate G is removed, the mounting table 50 is rotated, for example, 90 degrees clockwise so that the short side of the substrate G is positioned on the removal nozzle 51 side. In addition to the 90-degree rotation, an odd multiple of 90 degrees, for example, 270
Degrees, 450 degrees,..., Or may be rotated counterclockwise. At this time, the air cylinder 5 of the position adjusting mechanism 55
9, the removal nozzle 51 is set on the short side of the substrate G (see FIG. 24D). Then, while moving the removal nozzle 51 along the short side of the substrate G, a solvent is sprayed on both sides of the edge of the short side of the substrate G to remove an unnecessary resist film on the short side of the substrate G. The work of applying the resist and removing the unnecessary resist film on the short side is completed (second removing step; FIG.
4 (e)). Thereafter, the substrate G is unloaded and transported to the next step (step [J]). As described above, immediately after the resist film is applied and formed, the substrate G can be transported to remove the peripheral edge resist.

【0083】なお、第1又は第2の除去工程中、あるい
はこれらの除去工程の前後のいずれかの時点で、補助洗
浄ノズル51A;51c〜51fからシンナーを噴射さ
せることによって基板Gの角部裏面に付着したレジスト
膜を容易に除去することができる(ステップ[I])。
例えば図17(b)に示すように、基板Gの各部裏面に
付着したレジスト液R1,R2を除去する場合、次のよう
に補助洗浄ノズル51c〜51fの噴射を制御する。
During the first or second removing step, or before or after any of these removing steps, the thinner is sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51A; It is possible to easily remove the resist film adhered to (Step [I]).
For example, as shown in FIG. 17B, when removing the resist solutions R1 and R2 attached to the back surface of each part of the substrate G, the ejection of the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is controlled as follows.

【0084】左右の除去ノズル51を最初に矢印で示す
方向に移動させると仮定し、まず、右の除去ノズル51
について説明する。
Assuming that the left and right removal nozzles 51 are first moved in the direction indicated by the arrow, first, the right removal nozzle 51 is moved.
Will be described.

【0085】レジスト液R1が、短辺Gs側に距離LS1ま
で、長辺GL側に距離LL1までと三角形状の領域に付着
している場合、ノズルが短辺GSの縁付近に位置する時
には距離LS1まで十分洗浄可能なように表面洗浄ノズル
51a、裏面洗浄ノズル51bと共に補助洗浄ノズル5
1c〜51f全部から溶剤を噴射させる。
When the resist liquid R1 adheres to a triangular area with the short side Gs up to the distance LS1 and the long side GL up to the distance LL1, when the nozzle is located near the edge of the short side GS, the distance The auxiliary cleaning nozzle 5 together with the front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b so as to be able to sufficiently clean up to LS1.
The solvent is sprayed from all of 1c to 51f.

【0086】そして、除去ノズル51が矢印方向に移動
するのに連れレジスト液R1の付着幅はLS1より狭くな
るので、順次、補助洗浄ノズル51f,51e,51d
の溶剤噴射を停止させる。ノズルが長辺GLに沿って距
離LL1付近まで移動すると、レジスト液R1の裏面付着
はなくなるので、補助洗浄ノズル51cの溶剤噴射も停
止させ、この後、裏面側は裏面洗浄ノズル51bのみ溶
剤を噴射させた状態で、除去ノズル51は長辺GLに沿
って移動する。
Then, as the removal nozzle 51 moves in the direction of the arrow, the adhesion width of the resist liquid R1 becomes narrower than LS1, so that the auxiliary cleaning nozzles 51f, 51e, 51d are sequentially formed.
Of the solvent injection is stopped. When the nozzle moves along the long side GL to the vicinity of the distance LL1, the resist liquid R1 no longer adheres to the back surface, so that the solvent jetting of the auxiliary cleaning nozzle 51c is also stopped. In this state, the removal nozzle 51 moves along the long side GL.

【0087】一方、左の除去ノズル51は、図17
(b)に示すように、移動し始めの時、角部裏面にはレ
ジスト液は付着していないので、表面洗浄ノズル51a
と裏面洗浄ノズル51bとから溶剤を噴射させ、補助洗
浄ノズル51c〜51fからの溶剤噴射は停止してお
く。
On the other hand, the left removal nozzle 51
As shown in (b), at the beginning of the movement, since the resist liquid does not adhere to the back surface of the corner, the front surface cleaning nozzle 51a
And the back surface cleaning nozzle 51b, and the solvent injection from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is stopped.

【0088】除去ノズル51が更に移動して角部裏面に
付着したレジスト液R2に近づき、短辺GSより距離LL2
付近になると、補助洗浄ノズル51cからまず溶剤を噴
射させる。レジスト液R1同様、レジスト液R2も三角形
状の領域に付着している場合、順次、補助洗浄ノズル5
1d,51e,51fから溶剤を噴射させ距離LS2の部
分まで溶解除去する。
The removal nozzle 51 further moves to approach the resist solution R2 attached to the back surface of the corner, and the distance LL2 from the short side GS.
In the vicinity, the solvent is first jetted from the auxiliary cleaning nozzle 51c. Like the resist solution R1, if the resist solution R2 also adheres to the triangular area, the auxiliary cleaning nozzle 5
A solvent is sprayed from 1d, 51e and 51f to dissolve and remove the portion up to the distance LS2.

【0089】そして、左右の除去ノズル51により長辺
GL側のレジスト除去が終了すると、各ノズルからの溶
剤噴射を停止して、左右の除去ノズル51を基板Gの回
転に支障を与えないように退避させる。次に、基板Gを
左又は右廻りに90°回転させ、短辺GS側のレジスト
液除去に移る。この場合、角部裏面に付着したレジスト
液R1,R2は既に除去されているため、表面洗浄ノズル
51a及び裏面洗浄ノズル51bから溶剤を噴射させる
だけでよい。
When the removal of the resist on the long side GL is completed by the left and right removal nozzles 51, the solvent injection from each nozzle is stopped so that the left and right removal nozzles 51 do not hinder the rotation of the substrate G. Evacuate. Next, the substrate G is rotated 90 degrees to the left or right, and the process proceeds to the removal of the resist solution on the short side GS side. In this case, since the resist solutions R1 and R2 attached to the back surface of the corner have already been removed, it is only necessary to spray the solvent from the front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b.

【0090】このように、裏面側に付着したレジスト液
の付着場所・領域に対応して予め決められた範囲で補助
洗浄ノズル51c〜51fの溶剤噴射を制御することに
より、必要最小限の溶剤使用量により、不要レジストを
溶解除去することが可能となる。また、溶剤の温度や蒸
発により基板Gの温度が大きく変化し、表面のレジスト
膜の膜厚が必要以上に変動しないようにするためでもあ
る。
As described above, by controlling the solvent jetting of the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f within a predetermined range corresponding to the place and area of the resist liquid adhering to the rear surface side, the necessary minimum solvent can be used. Depending on the amount, the unnecessary resist can be dissolved and removed. Also, this is to prevent the temperature of the substrate G from greatly changing due to the temperature or evaporation of the solvent, and the thickness of the resist film on the surface does not change more than necessary.

【0091】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は単独の装置として使用できることは勿論であるが、
以下に説明するLCD基板の塗布・現像処理システムに
組込んで使用することができる。
The processing apparatus of the present invention configured as described above can of course be used as an independent apparatus.
It can be used by being incorporated in an LCD substrate coating / developing processing system described below.

【0092】上記塗布・現像処理システムは、図25に
示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部90と、
基板Gの第1処理部91と、中継部93を介して第1処
理部91に連設される第2処理部92とで主に構成され
ている。なお、第2処理部92には受渡し部94を介し
てレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置95が連設可能になっている。
As shown in FIG. 25, the coating / developing processing system includes a loader unit 90 for loading / unloading the substrate G,
It mainly includes a first processing unit 91 of the substrate G and a second processing unit 92 connected to the first processing unit 91 via the relay unit 93. Note that an exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern on the resist film via a transfer unit 94 can be connected to the second processing unit 92.

【0093】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。
The loader unit 90 includes a cassette 96 for storing an unprocessed substrate G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for storing a processed substrate G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 and the substrate G
Tweezers 9 that can be moved and rotated (θ) in the horizontal (X, Y) direction and the vertical (Z) direction in order to carry in / out a substrate.
9.

【0094】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能な上記メインアーム80の搬送路1
02の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄
装置120と、基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェ
ット水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎水化処理す
るアドヒージョン処理装置105と、基板Gを所定温度
に冷却する冷却処理装置106とを配置し、搬送路10
2の他方の側に、この発明の処理装置を構成するレジス
ト塗布機構1と縁部除去機構2を具備する塗布処理装置
107及び塗布膜除去装置108を配置してなる。
The first processing section 91 is provided on the transfer path 1 of the main arm 80 which can move in the X, Y, and Z directions and rotate by θ.
02, a brush cleaning device 120 for brush cleaning the substrate G, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, an adhesion treatment device 105 for hydrophobizing the surface of the substrate G, A cooling processing device 106 for cooling the substrate G to a predetermined temperature is provided, and the transfer path 10
On the other side of 2, a coating apparatus 107 and a coating film removing apparatus 108 having a resist coating mechanism 1 and an edge removing mechanism 2 constituting the processing apparatus of the present invention are arranged.

【0095】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。
On the other hand, like the first processing section 91, the second processing section 92 has a main arm 80a that can move in the X, Y, and Z directions and can rotate by θ, and the transport path 102a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 for heating the substrate G before and after the application of the resist solution to perform pre-baking or post-baking is disposed on one side of the substrate, and a developing device 110 is disposed on the other side of the transport path 102a.

【0096】上記のように構成される第1処理部91及
び第2処理部92の上方はカバーによって覆われてお
り、処理部内に清浄化された空気が供給されるようにな
っている。
The upper portions of the first processing section 91 and the second processing section 92 configured as described above are covered with a cover, so that purified air is supplied into the processing sections.

【0097】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、この発明に係るレ
ジスト塗布装置107の塗布機構1に搬入されて上述し
た手順でフォトレジストすなわち感光膜が塗布形成さ
れ、第2の搬送機構4の搬送アーム70によってこの発
明に係る塗布膜除去装置108の縁部除去機構2に搬送
されて基板Gの辺部の不要なレジスト膜が除去される。
そして、メインアーム80によって縁部除去機構2から
搬出される。この際、縁部のレジスト膜は除去されてい
るので、メインアーム80にレジストが付着することも
ない。
In the coating / developing processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the loading / unloading tweezers 99 of the loader unit 90, The brush is transferred to the main arm 80 and then transferred into the brush cleaning device 120. The substrate G that has been brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned with high-pressure jet water in the jet water cleaning device 130. Thereafter, the substrate G is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion treatment device 105 and cooled by the cooling treatment device 106, and then is carried into the coating mechanism 1 of the resist coating device 107 according to the present invention, and the above-described procedure is performed. A photoresist, that is, a photosensitive film is applied and formed, and is transferred to the edge removing mechanism 2 of the coating film removing apparatus 108 according to the present invention by the transfer arm 70 of the second transfer mechanism 4, and unnecessary resist on the side of the substrate G is removed. The film is removed.
Then, it is carried out of the edge removing mechanism 2 by the main arm 80. At this time, the resist film does not adhere to the main arm 80 since the resist film at the edge is removed.

【0098】その後、フォトレジストが加熱処理装置1
09にて加熱されてベーキング処理が施された後、露光
装置95にて所定のパターンが露光される。そして、露
光後の基板Gは現像装置110内へ搬送され、現像液に
より現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、
現像処理を完了する。
After that, the photoresist is applied to the heat treatment apparatus 1
After heating at 09 and baking, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 95. Then, the exposed substrate G is transported into the developing device 110, and after being developed with the developing solution, the developing solution is washed away with a rinsing solution.
The development processing is completed.

【0099】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。
The processed substrate G that has been subjected to the development processing is accommodated in the cassette 97 of the loader unit 90, and then carried out and transferred to the next processing step.

【0100】上記実施形態では、この発明に係る塗布機
構1を具備する塗布処理装置107と、この発明に係る
縁部除去機構2を具備する塗布膜除去装置108とを1
組設けたLCD基板の塗布・現像システムについて説明
したが、塗布処理装置107と塗布膜除去装置108を
2組以上設けることも可能である。この場合、塗布処理
装置107と塗布膜除去装置108とを並設してもよい
が、設置スペースを少なくるためには、塗布処理装置1
07と塗布膜除去装置108とを積層させた構造として
もよい。このように塗布処理装置107と塗布膜除去装
置108を積層させる構造においては、メインアーム8
0,80aを上段の各装置107,108まで上昇可能
にする以外は、上記実施形態と同じにすればよい。
In the above-described embodiment, the coating processing apparatus 107 having the coating mechanism 1 according to the present invention and the coating film removing apparatus 108 having the edge removing mechanism 2 according to the present invention comprise one unit.
Although the coating and developing system for the LCD substrate provided as a set has been described, two or more sets of the coating processing device 107 and the coating film removing device 108 may be provided. In this case, the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 may be provided side by side, but in order to reduce the installation space, the coating processing apparatus 1
07 and the coating film removing device 108 may be stacked. In such a structure in which the coating processing device 107 and the coating film removing device 108 are stacked, the main arm 8
The same configuration as in the above embodiment may be adopted except that 0, 80a can be raised to each of the upper devices 107, 108.

【0101】なお、上記実施形態では、左右一対の除去
ノズル51により、最初に基板Gの長辺側の不要な端部
のレジスト膜を溶解して除去し、次に、基板Gを90°
回転させて短辺側の不要なレジスト膜を溶解して除去す
る例について説明したが、除去ノズルを例えば4個設
け、基板Gの四辺の不要なレジスト膜を、同時に溶解し
て除去するように構成してもよい。
In the above-described embodiment, the pair of left and right removing nozzles 51 first dissolves and removes unnecessary portions of the resist film on the long side of the substrate G, and then removes the substrate G by 90 °.
Although the example in which the unnecessary resist film on the short side is rotated to be dissolved and removed has been described, for example, four removal nozzles are provided so that the unnecessary resist films on the four sides of the substrate G are simultaneously dissolved and removed. You may comprise.

【0102】例えば、図19に示すように、除去ノズル
151A,151B,151C,151Dを設ける。な
お、この4個の除去ノズルの構成、移動機構等は同一構
成のため、ここでは除去ノズル151A部分についての
み説明し、他の詳細な説明は省略する。
For example, as shown in FIG. 19, removal nozzles 151A, 151B, 151C, and 151D are provided. Since the configuration, moving mechanism, and the like of the four removal nozzles are the same, only the removal nozzle 151A will be described here, and other detailed description will be omitted.

【0103】除去ノズル151Aは、図のY方向に延在
するごとく設けられたガイドレール152Aに摺動可能
に取付けられたスライド部材153Aに取着されてい
る。このスライド部材153Aは、ワイヤー,チェー
ン,ベルト,ボールねじやステッピングモータ,エアー
シリンダー,超音波モーター,超電導リニアモーター等
を使用した移動機構(図示せず)により、Y方向に往復
移動可能に構成されている。
The removal nozzle 151A is attached to a slide member 153A slidably mounted on a guide rail 152A provided so as to extend in the Y direction in the figure. The slide member 153A is configured to be reciprocally movable in the Y direction by a moving mechanism (not shown) using a wire, a chain, a belt, a ball screw, a stepping motor, an air cylinder, an ultrasonic motor, a superconducting linear motor, and the like. ing.

【0104】また、除去ノズル151Aは、図20に示
すように、図13に示した除去ノズル51と概ね同じ構
成であるので、ここでは異なる部分を主として説明す
る。表面洗浄用のノズル151a、裏面洗浄用のノズル
151bの他に、基板Gの端面(側面)部を洗浄するた
めの端面洗浄用のノズル151gが内部に設けられてお
り、各ノズルは溶剤の各供給路に挿入された開閉バルブ
(図示せず)により、独立して溶剤供給の断続、供給量
が制御可能に構成されている。
Further, as shown in FIG. 20, the removal nozzle 151A has substantially the same configuration as the removal nozzle 51 shown in FIG. 13, and therefore, different portions will be mainly described here. In addition to the front surface cleaning nozzle 151a and the back surface cleaning nozzle 151b, an end surface cleaning nozzle 151g for cleaning the end surface (side surface) of the substrate G is provided therein. The on-off valve (not shown) inserted into the supply path is configured to be able to independently control the intermittent supply and supply amount of the solvent.

【0105】更に、噴頭153の基板G側端部の前方位
置には、基板G上面側にガス噴射ノズル154が、基板
G下面側にはガス噴射ノズル155が、その噴射方向が
噴頭153方向、すなわち基板Gの周辺外側方向になる
ように配置されている。そして、噴射されたガスは、噴
頭153内を通り、排気管156から排気される。
Further, in front of the end of the jet head 153 on the substrate G side, a gas injection nozzle 154 is provided on the upper surface of the substrate G, a gas injection nozzle 155 is provided on the lower surface of the substrate G, and the injection direction is the jet head 153 direction. That is, they are arranged so as to be in the outer peripheral direction of the substrate G. Then, the injected gas passes through the jet head 153 and is exhausted from the exhaust pipe 156.

【0106】更に、図19に示すように、除去ノズル1
51Aの両側方には、基板Gの長辺Aの基板G中心方向
から上面周辺部に向ってガスを噴射する乾燥用ガス噴射
ノズル157A,158Aが、例えば除去ノズル151
Aと共にY方向に移動可能なように取付部材(図示せ
ず)により設けられている。なお、図19では上記乾燥
用ガスノズル157A,158Aは基板Gの外側に示さ
れているが、基板Gの搬入・搬出に支障をきたさない任
意の位置に配置する。
Further, as shown in FIG.
On both sides of 51A, drying gas injection nozzles 157A and 158A for injecting gas from the center direction of the long side A of the substrate G toward the periphery of the upper surface are provided, for example, the removal nozzle 151.
A mounting member (not shown) is provided so as to be movable in the Y direction together with A. Although the drying gas nozzles 157A and 158A are shown on the outside of the substrate G in FIG. 19, they are arranged at any positions that do not hinder the loading and unloading of the substrate G.

【0107】他の除去ノズル151B,151C,15
1Dについては、除去ノズル151Aと構成は同じであ
り、除去ノズル151Aの各部に対応させて符号を付し
ている。なお、上記各ノズルは、それぞれ基板Gの短辺
B,長辺C,短辺Dの縁部の不要なレジストを溶解して
除去するためのノズルである。
Other removal nozzles 151B, 151C, 15
1D has the same configuration as the removal nozzle 151A, and is denoted by a reference numeral corresponding to each part of the removal nozzle 151A. The above nozzles are nozzles for dissolving and removing unnecessary resist on the edges of the short side B, the long side C, and the short side D of the substrate G, respectively.

【0108】次に、上記のように構成された縁部除去機
構2Aの不要レジストの除去手順等について説明する。
図1に示す塗布機構1によって上面にレジスト膜が塗布
形成された基板Gを搬送アーム70によって上記縁部除
去機構2Aの載置台159に、長辺がY方向、短辺がX
方向と平行となるように載置し、吸着保持する。
Next, a procedure of removing unnecessary resist by the edge removing mechanism 2A configured as described above will be described.
A substrate G, on which a resist film is applied and formed on the upper surface by the coating mechanism 1 shown in FIG. 1, is placed on the mounting table 159 of the edge removing mechanism 2A by the transfer arm 70, with the long side in the Y direction and the short side in the X direction.
It is placed so as to be parallel to the direction, and suction-held.

【0109】搬送アーム70が待機位置へ後退した後、
縁部除去機構2Aの各除去ノズル151A,151B,
151C,151Dが四辺の縁部にセットされ、各辺に
沿って同時に移動しながらレジスト溶剤を縁部に噴射し
て不要なレジスト膜を溶解して除去する。
After the transfer arm 70 has retreated to the standby position,
Each removal nozzle 151A, 151B of the edge removal mechanism 2A,
151C and 151D are set at the edges of the four sides, and while simultaneously moving along each side, a resist solvent is sprayed onto the edges to dissolve and remove unnecessary resist films.

【0110】この除去に際し、洗浄用の各ノズルからの
溶剤の噴射は、基板Gの端部のレジスト付着状況に対応
して制御してもよい。例えば、基板Gの端面及び裏面周
辺部にレジストの付着が無く、溶解除去する必要がない
場合には、表面洗浄用のノズル151aのみ溶剤を噴射
させる。
At the time of this removal, the jetting of the solvent from each of the cleaning nozzles may be controlled in accordance with the state of the resist attached to the edge of the substrate G. For example, when there is no adhesion of the resist on the peripheral surface of the end surface and the back surface of the substrate G and there is no need to dissolve and remove the resist, the solvent is sprayed only on the nozzle 151a for surface cleaning.

【0111】端面にもレジストが付着している場合に
は、端面洗浄用のノズル151gからも溶剤を噴射さ
せ、更に、裏面周辺部にもレジストが付着している場合
には、裏面洗浄用のノズル151bからも溶剤を噴射さ
せる。
When the resist is also attached to the end face, the solvent is also sprayed from the end face cleaning nozzle 151g. The solvent is also ejected from the nozzle 151b.

【0112】また、基板Gの端面、裏面周辺部に付着し
ているレジスト膜の付着場所が予め分っている場合に
は、除去ノズル151Aがこの場所付近を移動する際
に、端面洗浄用ノズル151gや裏面洗浄用のノズル1
51bから溶剤を噴射するように制御してもよい。これ
により、溶剤の消費量を低減させることが可能となる。
また、上述したように、表面のレジスト膜厚の変動を防
止することも可能となる。
If the location of the resist film adhering to the periphery of the end surface and the back surface of the substrate G is known in advance, when the removal nozzle 151A moves near this position, the nozzle for cleaning the end surface is used. Nozzle 1 for 151g and backside cleaning
Control may be performed so as to inject the solvent from 51b. This makes it possible to reduce the consumption of the solvent.
Further, as described above, it is also possible to prevent a change in the resist film thickness on the surface.

【0113】更に、上記溶解除去中に、ガス噴射ノズル
154,155から例えば窒素(N 2)ガスを噴射させ
ると、基板G周辺に向い噴頭153内に吸引されるN2
ガスの流れが存在するため、表面洗浄用のノズル151
a、端面洗浄用のノズル151g、裏面洗浄用のノズル
151bから噴射された溶剤や発生した気泡等が基板G
の中心側に飛散しようとしても、上記N2ガスの流れに
よって噴頭側に向って排出され、基板G面に飛来付着す
るのを防止することができる。
Further, during the dissolution and removal, the gas injection nozzle
154, 155 to nitrogen (N Two) Inject the gas
Then, N sucked into the jet head 153 toward the periphery of the substrate GTwo
Due to the presence of gas flow, the nozzle 151 for surface cleaning
a, nozzle 151g for cleaning the end face, nozzle for cleaning the back face
The solvent sprayed from 151b, generated bubbles, etc.
If you try to fly to the center side ofTwoTo the gas flow
Therefore, it is discharged toward the spout side, and comes flying and adheres to the substrate G surface.
Can be prevented.

【0114】また、乾燥用ガスノズル157Aから例え
ば加熱したN2ガスを、除去ノズル151Aでの溶剤に
よる溶解除去に先立って、基板G周辺部のレジスト膜に
向って噴射し、乾燥させておくことにより、溶解除去後
のレジスト膜のエッジ部分でのレジストの盛り上りの発
生を抑制することも可能となる。
Also, for example, a heated N 2 gas is sprayed from the drying gas nozzle 157A toward the resist film around the substrate G before being dissolved and removed by the solvent in the removing nozzle 151A, and dried. Also, it is possible to suppress the occurrence of resist swelling at the edge portion of the resist film after dissolution and removal.

【0115】更に、乾燥用ガスノズル158Aから例え
ば加熱したN2ガスを、レジスト膜が溶解除去された後
の基板Gの周辺部分に噴射させることにより、基板G及
びレジスト膜を乾燥する。この乾燥により、溶剤は直ち
に蒸発し、レジスト膜のエッジ部分が乾燥するため、不
必要な溶解もなく、エッジ部分のレジスト膜も安定す
る。
Further, the substrate G and the resist film are dried by injecting, for example, heated N 2 gas from the drying gas nozzle 158A to the peripheral portion of the substrate G after the resist film is dissolved and removed. Due to this drying, the solvent evaporates immediately, and the edge portion of the resist film dries, so that there is no unnecessary dissolution and the resist film at the edge portion is also stabilized.

【0116】上記説明では、除去ノズル151Aについ
てのみ説明したが、他の除去ノズル151B,151
C,151Dについても同様のことが言えるので、説明
を省略する。
In the above description, only the removal nozzle 151A has been described, but the other removal nozzles 151B and 151B are not described.
Since the same can be said for C and 151D, the description is omitted.

【0117】また、各除去ノズル151A,151B,
151C,151Dの移動機構として、独立した移動機
構を設けた例について説明したが、四辺を同時に溶解除
去できるものであれば他の機構でもよく、例えば除去ノ
ズル151Aと151C,151Bと151Dとをそれ
ぞれ共通の機構に取着し、2つの移動機構で移動可能に
構成してもよい。更に、除去ノズル151A,151
B,151C,151Dの全部を共通の1つの移動機構
で移動可能に構成してもよい。
Further, each of the removal nozzles 151A, 151B,
Although an example in which independent moving mechanisms are provided as moving mechanisms of 151C and 151D has been described, other mechanisms may be used as long as the four sides can be dissolved and removed at the same time. For example, removing nozzles 151A and 151C, and 151B and 151D are respectively provided. It may be configured to be attached to a common mechanism and to be movable by two moving mechanisms. Further, the removal nozzles 151A, 151
All of B, 151C, and 151D may be configured to be movable by one common moving mechanism.

【0118】なお、上記独立した移動機構の場合、各移
動速度は各辺のレジストの付着状況等により、独立して
設定制御してもよい。
In the case of the independent moving mechanism, each moving speed may be independently set and controlled according to the state of adhesion of the resist on each side.

【0119】更に、図19では、基板Gの長辺をY方向
と平行になるように保持しているが、短辺をY方向と平
行になるように保持し、各除去ノズル151A,151
B,151C,151Dをそれに対応して配置してもよ
い。例えば、各除去ノズルをエアーシリンダー等を使用
あるいはストローク調整可能な構造にすることにより、
伸縮させて対応する。
Further, in FIG. 19, the long side of the substrate G is held so as to be parallel to the Y direction, but the short side is held so as to be parallel to the Y direction, and each of the removal nozzles 151A, 151
B, 151C and 151D may be arranged correspondingly. For example, by using an air cylinder or a stroke adjustable structure for each removal nozzle,
Stretch and respond.

【0120】更に、基板G、溶剤、N2ガスを溶解に最
適な温度に温調して、レジスト膜の溶解除去を促進させ
てもよい。基板Gの温調としては、例えば、基板Gの周
囲を温調した雰囲気にしたり、基板G上面に温調したク
リーンエアーやN2ガスを供給したり、基板G裏面に温
調したクリーンエアーやN2ガスを供給したり、載置台
159により温調したり、赤外線、マイクロ波等により
温調する。
Further, the temperature of the substrate G, the solvent, and the N 2 gas may be adjusted to the optimum temperature for dissolution to promote dissolution and removal of the resist film. As the temperature control of the substrate G, for example, a temperature controlled atmosphere around the substrate G, clean air or N 2 gas controlled at the upper surface of the substrate G, clean air controlled temperature at the back surface of the substrate G, or the like can be used. N 2 gas is supplied, the temperature is controlled by the mounting table 159, or the temperature is controlled by infrared rays, microwaves, or the like.

【0121】更に、上記実施形態では、基板Gの一辺に
対して1個の除去ノズルを設けた例について説明した
が、複数個例えば2個設けて移動距離を短くしたり、2
回溶解除去するように構成してもよい。この場合、溶剤
の種類を異ならせてもよい。また、溶解除去位置を異な
らせてもよい。
Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which one removal nozzle is provided for one side of the substrate G has been described.
You may comprise so that it may dissolve and remove once. In this case, the type of the solvent may be different. Further, the dissolution removal position may be different.

【0122】更に、上記実施形態では、基板Gは固定し
て各除去ノズルを移動させる構成の例について説明した
が、基板Gを回転させ、それに対応して各除去ノズルを
伸縮、X,Y方向に移動させつつ四辺同時に溶解除去す
るように構成してもよい。
Furthermore, in the above-described embodiment, an example of a configuration in which the substrate G is fixed and each removal nozzle is moved has been described. However, the substrate G is rotated, and each removal nozzle expands and contracts in the X and Y directions correspondingly. And dissolving and removing the four sides simultaneously.

【0123】また、上記実施形態では、この発明の処理
装置及び処理方法をLCD基板の塗布処理に適用した場
合について説明したが、LCD基板以外の角形状被処理
基板に塗布液を塗布し、塗布された被処理基板の縁部の
不要な塗布膜を除去する方法及び装置にも適用できるこ
とは勿論である。
In the above embodiment, the case where the processing apparatus and the processing method of the present invention are applied to an LCD substrate coating process has been described. However, a coating liquid is applied to a square substrate to be processed other than the LCD substrate. Needless to say, the present invention can be applied to a method and an apparatus for removing an unnecessary coating film on the edge of the processed substrate.

【0124】[0124]

【発明の効果】1)請求項1,3,4及び9,11記載
の発明によれば、塗布機構に搬入された角形の被処理基
板の一面上に処理液を供給し拡散させ、処理容器に蓋体
を閉止して被処理基板を処理容器内に封入した後、蓋体
が閉止された処理容器内の被処理基板を回転させて、塗
布膜を形成し、その後、塗布機構の側方に隣接されると
共に、塗布機構と同一雰囲気領域内の縁部除去機構に搬
送して被処理基板の縁部の塗布膜を除去することができ
るので、塗布膜の均一処理を行うことができると共に、
製品歩留まりの向上を図ることができる。また、第1の
搬送機構によって基板を塗布機構へ搬送すると共に縁部
除去機構から搬出し、塗布機構から縁部除去機構への搬
送を第2の搬送機構にて行うので、構成部材の削減が図
れると共に、装置の小型化が図れ、かつ、スループット
の向上を図ることができる。
1) According to the first, third, fourth, and ninth aspects of the present invention, a processing solution is supplied to and diffused on one surface of a square substrate to be processed carried into a coating mechanism, and a processing vessel is provided. After the lid is closed and the substrate to be processed is sealed in the processing container, the substrate to be processed in the processing container with the lid closed is rotated to form a coating film, and then the side of the coating mechanism is formed. And can be transported to the edge removing mechanism in the same atmosphere region as the coating mechanism to remove the coating film at the edge of the substrate to be processed, so that the coating film can be uniformly processed. ,
The product yield can be improved. In addition, the substrate is transported to the coating mechanism by the first transport mechanism, unloaded from the edge removing mechanism, and transported from the coating mechanism to the edge removing mechanism is performed by the second transport mechanism. The size of the apparatus can be reduced, and the throughput can be improved.

【0125】2)請求項2〜4及び10,11記載の発
明によれば、塗布機構に搬入された被処理基板の一面上
に処理液の溶剤を塗布して拡散させた後、基板上に処理
液を供給し拡散させ、処理容器に蓋体を閉止して、被処
理基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処
理容器内の被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整
えるので、上記1)に加えて塗布液の少量化を図ること
ができる。
2) According to the second to fourth and tenth and eleventh aspects of the present invention, the solvent of the processing liquid is applied and diffused on one surface of the substrate to be processed carried into the coating mechanism, and then is spread on the substrate. After supplying and diffusing the processing liquid and closing the lid in the processing container and sealing the substrate to be processed in the processing container, the substrate to be processed in the processing container with the lid closed is rotated to form the coating film. Since the film thickness is adjusted, it is possible to reduce the amount of the coating liquid in addition to the above 1).

【0126】3)請求項5,7及び12記載の発明によ
れば、載置手段によって保持された被処理基板の一辺の
縁部の塗布膜を除去した後、被処理基板の他の辺の縁部
の塗布膜を除去することができるので、被処理基板の縁
部の不要な塗布膜を迅速かつ確実に除去することがで
き、製品歩留まりの向上を図ることができる。
3) According to the fifth, seventh and twelfth aspects of the present invention, after the coating film on one side edge of the substrate to be processed held by the mounting means is removed, the other side of the substrate to be processed is removed. Since the coating film at the edge can be removed, unnecessary coating film at the edge of the substrate to be processed can be quickly and reliably removed, and the product yield can be improved.

【0127】4)請求項6,7及び13記載の発明によ
れば、縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液
を噴射する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処理
基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去することができ
るので、上記3)に加えて基板の角部裏面に付着した塗
布膜を除去することができ、塗布膜の除去を更に確実に
することができる。
4) According to the sixth, seventh and thirteenth aspects of the present invention, the edge removing mechanism is provided with the auxiliary cleaning nozzle for spraying the removing liquid on the back surface of the corner of the substrate to be processed, so that the edge of the substrate can be removed. Since the coating film adhered to the back surface of the corner can be removed, the coating film adhered to the back surface of the corner of the substrate can be removed in addition to the above 3), and the removal of the coating film can be further ensured. it can.

【0128】5)請求項8記載の発明によれば、第1の
搬送機構又は第2の搬送機構のうちの少なくとも第2の
搬送機構を基板の辺部を真空吸着により保持するアーム
にて形成し、このアームの基板保持面に、真空吸引手段
に接続する吸引孔を設けると共に、この吸引孔に連通し
アームに対して垂直方向に変位可能な耐蝕性を有するパ
ッド部材を設けるので、基板の搬送を確実に行うことが
できると共に、搬送時における基板の接触部のパーティ
クルの発生や損傷等を抑制することができる。
5) According to the invention of claim 8, at least the second transfer mechanism of the first transfer mechanism or the second transfer mechanism is formed by an arm which holds the side of the substrate by vacuum suction. In addition, a suction hole connected to the vacuum suction means is provided on the substrate holding surface of the arm, and a corrosion-resistant pad member which communicates with the suction hole and is vertically displaceable with respect to the arm is provided. The transfer can be reliably performed, and the generation and damage of particles at the contact portion of the substrate during the transfer can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の処理装置の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a processing apparatus of the present invention.

【図2】この発明における塗布機構の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a coating mechanism according to the present invention.

【図3】図2の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of FIG. 2;

【図4】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。
FIG. 4 is a partially sectional perspective view showing a processing container and a lid according to the present invention.

【図5】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing different modifications of the tip of the resist solution supply nozzle according to the present invention.

【図6】処理装置に使用されている噴頭を拡大して示す
斜視図である。
FIG. 6 is an enlarged perspective view showing a jet head used in the processing apparatus.

【図7】噴頭の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a jet head.

【図8】処理液の滴下方法の他の一例を示す概略断面図
である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another example of the method of dropping the processing liquid.

【図9】処理液の滴下方法の更に他の一例を示す概略断
面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating still another example of a method of dropping a processing liquid.

【図10】この発明における第2の搬送機構を示す概略
斜視図である。
FIG. 10 is a schematic perspective view showing a second transport mechanism according to the present invention.

【図11】第2の搬送機構の要部平面図及びその断面図
である。
FIG. 11 is a plan view and a sectional view of a main part of a second transport mechanism.

【図12】この発明における縁部除去機構を示す側面図
である。
FIG. 12 is a side view showing an edge removing mechanism according to the present invention.

【図13】この発明における除去ノズルの一部を断面で
示す側面図である。
FIG. 13 is a side view showing a part of the removing nozzle in the present invention in cross section.

【図14】除去ノズルの概略斜視図である。FIG. 14 is a schematic perspective view of a removal nozzle.

【図15】この発明における補助洗浄ノズルの取付状態
を示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing an attached state of an auxiliary cleaning nozzle according to the present invention.

【図16】補助洗浄ノズルの異なる取付状態を示す概略
平面図である。
FIG. 16 is a schematic plan view showing different mounting states of the auxiliary cleaning nozzle.

【図17】補助洗浄ノズルの別の形態の一部を断面で示
す側面図及び洗浄の具体例の説明図である。
FIG. 17 is a side view showing a part of another embodiment of the auxiliary cleaning nozzle in a cross section and an explanatory view of a specific example of cleaning.

【図18】補助洗浄ノズルの更に別の形態を示す斜視図
である。
FIG. 18 is a perspective view showing still another form of the auxiliary cleaning nozzle.

【図19】縁部除去機構の別の実施形態を示す概略平面
図である。
FIG. 19 is a schematic plan view showing another embodiment of the edge removing mechanism.

【図20】除去ノズルの別の形態を断面で示す側面図で
ある。
FIG. 20 is a side view showing another form of the removal nozzle in cross section.

【図21】この発明における第1の搬送機構のメインア
ームの要部を示す斜視図である。
FIG. 21 is a perspective view showing a main part of a main arm of the first transport mechanism according to the present invention.

【図22】メインアームの駆動機構を示す側面図であ
る。
FIG. 22 is a side view showing a drive mechanism of the main arm.

【図23】この発明の処理方法の手順を示すフローチャ
ートである。
FIG. 23 is a flowchart showing the procedure of the processing method of the present invention.

【図24】この発明の縁部塗布膜の除去方法の手順を示
す説明図である。
FIG. 24 is an explanatory diagram showing a procedure of a method of removing an edge coating film according to the present invention.

【図25】この発明の処理装置を適用したLCD基板の
塗布・現像システムの一例を示す斜視図である。
FIG. 25 is a perspective view showing an example of an LCD substrate coating / developing system to which the processing apparatus of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

G LCD基板(被処理基板) 1 塗布機構 2,2A 縁部除去機構 3 第1の搬送機構 4 第2の搬送機構 10 スピンチャック(保持手段) 12 回転カップ(処理容器) 16 蓋体 40 溶剤供給ノズル(溶剤供給手段) 42 レジスト液供給ノズル(塗布液供給手段) 50 載置台(載置手段) 51 除去ノズル 51a ノズル(表面洗浄ノズル) 51b ノズル(裏面洗浄ノズル) 51A,51c〜51f 補助洗浄ノズル 70 搬送アーム 70a 吸引孔 70c パッド部材 80 メインアーム G LCD substrate (substrate to be processed) 1 Coating mechanism 2, 2A Edge removing mechanism 3 First transport mechanism 4 Second transport mechanism 10 Spin chuck (holding means) 12 Rotating cup (processing vessel) 16 Lid 40 Solvent supply Nozzle (solvent supply means) 42 Resist liquid supply nozzle (coating liquid supply means) 50 Mounting table (mounting means) 51 Removal nozzle 51a Nozzle (front surface cleaning nozzle) 51b Nozzle (back surface cleaning nozzle) 51A, 51c to 51f Auxiliary cleaning nozzle Reference Signs List 70 Transfer arm 70a Suction hole 70c Pad member 80 Main arm

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 564D (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 の4 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 564D (72) Inventor Oden Den Oomachi, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Kyushu Corporation Otsu Office

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 角形の被処理基板の一面を上に向けて保
持して回転する保持手段と、この保持手段を包囲するカ
ップ状をなす処理容器と、この処理容器の開口部を閉止
する蓋体及び上記被処理基板に塗布液を供給する塗布液
供給手段とを有する塗布機構と、 上記塗布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同
一雰囲気領域内に配設され、上記塗布液の塗布膜が形成
された上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜
を除去する縁部除去機構と、 上記塗布機構への被処理基板の搬入と上記縁部除去機構
からの被処理基板の搬出を行う第1の搬送機構と、 上記塗布機構から縁部除去機構へ被処理基板を搬送する
第2の搬送機構と、を具備することを特徴とする処理装
置。
1. A holding means for holding and rotating a rectangular substrate to be processed with one surface facing upward, a cup-shaped processing container surrounding the holding means, and a lid for closing an opening of the processing container. A coating mechanism having a coating liquid supply means for supplying a coating liquid to the body and the substrate to be processed; and a coating liquid adjacent to a side of the coating mechanism and disposed in the same atmosphere region as the coating mechanism. An edge removing mechanism for spraying a remover onto the edge of the substrate on which the coating film is formed to remove the coating film; and carrying the substrate to be coated into the coating mechanism and the edge removing mechanism. A processing apparatus, comprising: a first transport mechanism for unloading a substrate to be processed; and a second transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism.
【請求項2】 上記塗布機構は、上記被処理基板に塗布
液の溶剤を供給する溶剤供給手段を、更に有することを
特徴とする請求項1記載の処理装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the coating mechanism further includes a solvent supply unit that supplies a solvent of the coating liquid to the substrate to be processed.
【請求項3】 上記保持手段を水平回転及び垂直移動可
能に形成してなることを特徴とする請求項1又は2記載
の処理装置。
3. A processing apparatus according to claim 1, wherein said holding means is formed so as to be capable of horizontal rotation and vertical movement.
【請求項4】 上記処理容器を保持手段と共に回転可能
に形成してなることを特徴とする請求項1ないし3のい
ずれかに記載の処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 1, wherein said processing container is formed so as to be rotatable together with holding means.
【請求項5】 縁部除去機構を、被処理基板を保持する
載置手段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共に、
被処理基板の縁部に除去液を噴射するノズルとで構成し
たことを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
5. An apparatus for moving an edge removing mechanism along a side of a substrate to be processed, comprising: mounting means for holding a substrate to be processed;
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing apparatus comprises a nozzle for injecting a removal liquid onto an edge of the substrate to be processed.
【請求項6】 被処理基板の角部裏面に除去液を噴射す
る補助洗浄ノズルを更に具備してなることを特徴とする
請求項5記載の処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 5, further comprising an auxiliary cleaning nozzle for spraying a removing liquid onto a back surface of the corner portion of the substrate to be processed.
【請求項7】 上記載置手段を水平回転可能に形成して
なることを特徴とする請求項5又は6記載の処理装置。
7. The processing apparatus according to claim 5, wherein said placing means is formed so as to be horizontally rotatable.
【請求項8】 第1の搬送機構又は第2の搬送機構のう
ちの少なくとも第2の搬送機構を被処理基板の辺部を真
空吸着により保持するアームにて形成し、このアームの
基板保持面に、真空吸引手段に接続する吸引孔を設ける
と共に、この吸引孔に連通しアームに対して垂直方向に
変位可能なパッド部材を設けたことを特徴とする請求項
1又は2記載の処理装置。
8. At least a second transport mechanism of the first transport mechanism or the second transport mechanism is formed by an arm that holds a side of a substrate to be processed by vacuum suction, and a substrate holding surface of the arm. 3. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a suction hole connected to the vacuum suction means, and a pad member which communicates with the suction hole and is vertically displaceable with respect to the arm.
【請求項9】 塗布機構を構成する処理容器内の保持手
段上に保持させるべく角形の被処理基板を搬入する工程
と、 上記被処理基板に塗布液を供給し、回転させて被処理基
板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器
内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器内の被処理基板を回転さ
せて、塗布膜の膜厚を整える工程と、 塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗布機構の
側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
に配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、 上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜
を除去する工程と、 上記縁部除去機構から被処理基板を搬出する工程と、を
有することを特徴とする処理方法。
9. A step of carrying in a square substrate to be processed to be held on a holding means in a processing container constituting a coating mechanism; and supplying a coating liquid to the substrate to be processed and rotating the substrate to rotate the substrate. A step of diffusing to one surface, a step of closing the lid in the processing container, and a step of enclosing the substrate to be processed in the processing container; and rotating the substrate to be processed in the processing container in which the lid is closed, A step of adjusting the thickness of the coating film, and an edge removing mechanism which is provided adjacent to a side of the coating mechanism and which is disposed in the same atmosphere region as the coating mechanism. Transporting to the edge of the substrate to be processed, removing the coating film at the edge by spraying a removing liquid onto the edge of the substrate, and carrying out the substrate to be processed from the edge removal mechanism. Characteristic processing method.
【請求項10】 上記被処理基板に塗布液を供給する前
に、上記被処理基板の一面上に塗布液の溶剤を供給する
工程を更に有することを特徴とする請求項9記載の処理
方法。
10. The processing method according to claim 9, further comprising a step of supplying a solvent of the coating liquid onto one surface of the substrate to be processed before supplying the coating liquid to the substrate to be processed.
【請求項11】 上記塗布膜の膜厚を整える工程におい
て、蓋体が閉止された処理容器と共に被処理基板を回転
させることを特徴とする請求項9又は10記載の処理方
法。
11. The processing method according to claim 9, wherein in the step of adjusting the thickness of the coating film, the substrate to be processed is rotated together with the processing container having the lid closed.
【請求項12】 塗布膜を除去する工程が、塗布膜が形
成された被処理基板の第1の辺の縁部に除去液を噴射し
て塗布膜を除去する第1の除去工程と、被処理基板の第
2の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去す
る第2の除去工程とを有することを特徴とする請求項9
ないし11のいずれかに記載の処理方法。
12. A method for removing a coating film, comprising: a first removing step of spraying a removing liquid onto an edge of a first side of the substrate on which the coating film is formed to remove the coating film; 10. A removing step of injecting a removing liquid to the edge of the second side of the processing substrate to remove the coating film on the edge.
12. The processing method according to any one of items 1 to 11.
【請求項13】 被処理基板の角部裏面に除去液を噴射
して角部裏面に付着する塗布膜を除去する補助除去工程
を更に有することを特徴とする請求項12記載の処理方
法。
13. The processing method according to claim 12, further comprising an auxiliary removal step of spraying a removing liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed to remove the coating film attached to the back surface of the corner.
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