KR20210028788A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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KR20210028788A KR1020190109574A KR20190109574A KR20210028788A KR 20210028788 A KR20210028788 A KR 20210028788A KR 1020190109574 A KR1020190109574 A KR 1020190109574A KR 20190109574 A KR20190109574 A KR 20190109574A KR 20210028788 A KR20210028788 A KR 20210028788A
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Abstract

The present invention provides a device for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, the device for processing the substrate comprises: a processing vessel having a processing space therein; a substrate support unit supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit; a cleaning unit removing the processing liquid remaining in the processing vessel; and a controller controlling the substrate support unit, the liquid supply unit, and the cleaning unit, wherein the cleaning unit includes: a jig supported and rotated by the substrate support unit; and a cleaning liquid supply member supplying a cleaning liquid to the jig. The jig can be provided with an inclined unit inclined in a radial direction. According to an embodiment of the present invention, cleaning efficiency of the processing vessel can be improved.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 처리 용기를 세정하는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a cleaning unit for cleaning a processing container and a substrate processing apparatus and method using the same.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 공정을 수행한다.In the manufacturing process of semiconductor devices and flat panel display panels, various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed. Among these processes, photographing, etching, ashing, and cleaning processes are performed by supplying a processing liquid onto the substrate to liquidate the substrate.

이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.Among them, the photographic process includes a coating step, an exposure step, and a developing step. The coating step is a coating process in which a photoresist such as a photoresist is applied on a substrate, and a part of the used photoresist is recovered through a processing container.

도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 액 처리 장치는 처리 용기(2) 내에는 기판(W)이 위치되며, 기판(W) 상에 감광액(X)을 공급한다. 감광액(X)은 점성을 가지는 액으로, 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기(2)의 회수 경로에 부착된 감광액들(X)은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다.1 is a cross-sectional view showing a general liquid treatment apparatus used in a coating process. Referring to FIG. 1, in the liquid processing apparatus, a substrate W is positioned in a processing container 2 and a photosensitive liquid X is supplied onto the substrate W. The photoresist (X) is a viscous liquid, and a large amount adheres to the recovery path. The photosensitive liquids X attached to the recovery path of the processing container 2 may contaminate peripheral devices and may adversely affect the operator.

이에 따라 감광액들(X)이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 처리 용기(2)의 세정 공정으로는, 기판(W)의 액 도포가 완료되기 전 또는 후에 수행될 수 있다. 처리 용기(2)의 세정 공정이 진행되면, 기판(W)의 상부 및 하부에서 기판(W)을 향해 세정액(Y)을 공급한다. 세정액(Y)은 기판(W)으로부터 비산되어 회수 경로로 회수되며, 잔류 감광액을 세정 처리한다.Accordingly, the processing container in which the photoresist (X) remains, requires periodic cleaning. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of cleaning a processing container in the apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the cleaning process of the processing container 2 may be performed before or after the liquid application of the substrate W is completed. When the cleaning process of the processing container 2 proceeds, the cleaning liquid Y is supplied from the upper and lower portions of the substrate W toward the substrate W. The cleaning liquid Y is scattered from the substrate W and recovered in a recovery path, and the residual photosensitive liquid is cleaned.

그러나 회수 경로를 형성하는 처리 용기(2)의 영역들 중 일부 영역(x,y)에는 세정액(Y)이 도달되지 못한다. 예컨대. 처리 용기(2)에서 기판(W)과 마주하는 하부 영역(y)과 기판(W)보다 높은 상부 영역들(x)은 세정액(Y)의 미도달 영역에 해당된다. 이에 따라 세정 공정이 완료되었음에도, 처리 용기(2)에는 여전히 감광액(X)이 잔류되어 있으며, 이를 세정하는 것은 매우 어렵다.However, the cleaning liquid Y does not reach some of the areas x and y of the processing vessel 2 forming the recovery path. for example. In the processing vessel 2, the lower region y facing the substrate W and the upper regions x higher than the substrate W correspond to the non-reach regions of the cleaning solution Y. Accordingly, even when the cleaning process is completed, the photosensitive liquid X still remains in the processing container 2, and it is very difficult to clean it.

본 발명은 처리 용기의 세정효율을 향상시킬 수 있는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a cleaning unit capable of improving the cleaning efficiency of a processing container and a substrate processing apparatus using the same.

또한 본 발명은 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a cleaning unit capable of cleaning the entire area forming a liquid recovery path of a processing container, and a substrate processing apparatus using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과, 기판 지지 유닛, 처리액 공급 유닛 및 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가질 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, according to an embodiment, includes: a processing container having a processing space therein; A substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit; A jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing container; A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported on the substrate support unit during cleaning of the processing container, and a controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit, wherein the upper surface of the jig has a radial direction. It may have a sloped surface along the slope.

일 실시 예에 의하면, 경사면은 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inclined surface may be provided to be inclined downward from the center of the jig toward the outside.

일 실시 예에 의하면, 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the longitudinal section of the jig may be provided in a triangular shape.

일 실시 예에 의하면, 세정액 공급 유닛은, 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning liquid supply unit may include an upper cleaning nozzle that discharges the cleaning liquid to the upper surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 세정액 공급 유닛은, 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning liquid supply unit may further include a lower cleaning nozzle that discharges the cleaning liquid to a lower surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리 용기의 세정 시에 상부 세정 노즐로부터 지그로 토출되는 세정액의 탄착 지점이 지그의 반경 방향을 따라 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되도록 상부 세정 노즐을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller provides the upper cleaning nozzle so that the impact point of the cleaning liquid discharged from the upper cleaning nozzle to the jig when cleaning the processing container is changed between the center of the jig and the edge region of the jig along the radial direction of the jig. Can be controlled.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리액의 종류에 따라 상부 세정 노즐의 탄착 지점을 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 달리하도록 상부 세정 노즐을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the upper cleaning nozzle to vary the impact point of the upper cleaning nozzle between the center of the jig and the edge region of the jig according to the type of the treatment liquid.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 지그로 세정액이 토출되는 도중에 지그의 회전 속도가 변경되도록 기판 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the substrate support unit so that the rotation speed of the jig is changed while the cleaning liquid is discharged to the jig.

일 실시 예에 의하면, 처리 용기는, 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며, 회수 공간에서 처리액을 회수하는 입구는 지지 유닛에 지지된 기판의 단부와 측방향으로 대향되게 위치되고, 회수 공간은 상부벽, 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고, 상부벽과 하부벽은 각각 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고, 처리 용기를 세정시에 지지 유닛에 지지된 지그의 외측 단부는 입구에 대향되게 위치될 수 있다.According to an embodiment, the processing container has a recovery space for recovering the processing liquid supplied to the substrate supported by the support unit, and an inlet for recovering the processing liquid from the recovery space is in a direction toward the end of the substrate supported by the support unit And the recovery space is defined by an upper wall, a lower wall disposed under the upper wall, and a side wall extending downward from the outer end of the upper wall, and the upper wall and the lower wall are respectively from the support unit. The further away is provided to be inclined downward, and the outer end of the jig supported by the support unit when cleaning the processing container may be positioned opposite to the inlet.

일 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛은, 기판 또는 지그를 진공 흡착하는 진공 라인과; 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the substrate support unit includes: a vacuum line for vacuum adsorbing a substrate or a jig; It may further include a decompression member for providing a vacuum pressure to the vacuum line.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과, 기판 지지 유닛, 처리액 공급 유닛 및 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지는 기판 처리 장치를 이용하여, 지그로 세정액을 토출하여 처리 용기를 세정할 수 있다.In addition, the present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a processing container having a processing space therein; A substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit; A jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing container; A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported on the substrate support unit during cleaning of the processing container, and a controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit, wherein the upper surface of the jig has a radial direction. By using a substrate processing apparatus having an inclined surface along the slope, the cleaning liquid can be discharged with a jig to clean the processing container.

일 실시 예에 의하면, 경사면은 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inclined surface may be provided to be inclined downward from the center of the jig toward the outside.

일 실시 예에 의하면, 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the longitudinal section of the jig may be provided in a triangular shape.

일 실시 예에 의하면, 지그의 상면으로 세정액을 토출할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning liquid may be discharged to the upper surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 지그의 상면과 지그의 하면으로 세정액을 토출할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning liquid may be discharged to the upper surface of the jig and the lower surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 지그로 토출되는 세정액의 탄착 지점은 지그의 반경 방향을 따라 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경될 수 있다.According to an embodiment, the impact point of the cleaning liquid discharged to the jig may be changed between the center of the jig and the edge region of the jig along a radial direction of the jig.

일 실시 예에 의하면, 지그로 세정액이 토출되는 도중에 지그의 회전 속도가 변경될 수 있다.According to an embodiment, the rotation speed of the jig may be changed while the cleaning liquid is discharged to the jig.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to improve the cleaning efficiency of a processing container.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the entire area forming the liquid recovery path of the processing container can be cleaned.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1 내지 도 2는 각각 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시 예에 따른 액처리 챔버의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 모습을 나타낸다.
도 9 내지 도 17은 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 지그에 세정액을 공급하여 처리 용기를 세정하는 모습을 나타낸다.1 to 2 are cross-sectional views showing a general substrate processing apparatus, respectively.
3 is a perspective view schematically showing the substrate processing apparatus of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 3.
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 to 7 are cross-sectional views each showing a state of a liquid treatment chamber according to an embodiment of the present invention.
8 shows a state in which the substrate W is processed by supplying a processing liquid to the substrate W according to an embodiment of the present invention.
9 to 17 respectively illustrate a state in which a cleaning liquid is supplied to a jig to clean a processing container according to an exemplary embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

도 3은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically showing the substrate processing apparatus of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 3, and FIG. 5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the X-axis direction 12, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the X-axis direction 12 is referred to as The Y-axis direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is referred to as the Z-axis direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 provided in a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 4의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 4, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process with each other, and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 공정 챔버(3200, 3600), 반송 챔버(3400), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 공정 챔버(3200, 3600)는 열 처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600)를 포함할 수 있다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다.Referring to FIG. 5, the application block 30a includes process chambers 3200 and 3600, a transfer chamber 3400, and a buffer chamber 3800. The process chambers 3200 and 3600 may include a heat treatment chamber 3200 and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid onto the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film.

도 6 및 도 7은 각각 도 5의 액처리 챔버(3600)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 6 내지 도 7을 참조하면, 액처리 챔버(3600)에서는 액 도포 공정을 수행한다. 액처리 챔버(3600)는 하우징(610), 기류 제공 유닛(620), 기판 지지 유닛(630), 처리액 공급 유닛(642), 처리 용기(650) 그리고 승강 유닛(690)을 포함한다.6 and 7 are cross-sectional views illustrating an example of the liquid treatment chamber 3600 of FIG. 5, respectively. 6 to 7, a liquid application process is performed in the liquid treatment chamber 3600. The liquid processing chamber 3600 includes a housing 610, an airflow providing unit 620, a substrate supporting unit 630, a processing liquid supply unit 642, a processing container 650, and an elevating unit 690.

하우징(610)은 내부에 공간(612)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(610)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(610)의 내부 공간(612)을 밀폐한다. 하우징(610)의 하부면에는 내측 배기구(614) 및 외측 배기구(616)가 형성된다. 하우징(610) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(614) 및 외측 배기구(616)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(650)내에 제공된 기류는 내측 배기구(614)를 통해 배기되고, 처리 용기(650)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(616)를 통해 배기될 수 있다.The housing 610 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 612 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 610. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process proceeds, the door closes the opening to seal the inner space 612 of the housing 610. An inner exhaust port 614 and an outer exhaust port 616 are formed on the lower surface of the housing 610. The airflow formed in the housing 610 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 614 and the outer exhaust port 616. According to an example, the airflow provided in the processing container 650 may be exhausted through the inner exhaust port 614, and the airflow provided outside the processing container 650 may be exhausted through the outer exhaust port 616.

기류 제공 유닛(620)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(620)은 기류 공급 라인(622), 팬(624), 그리고 필터(626)를 포함한다. 기류 공급 라인(622)은 하우징(610)에 연결된다. 기류 공급 라인(622)은 외부의 에어를 하우징(610)에 공급한다. 필터(626)는 기류 공급 라인(622)으로부터 제공되는 에어를 필터(626)링 한다. 필터(626)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(624)은 하우징(610)의 상부면에 설치된다. 팬(624)은 하우징(610)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(624)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(622)으로부터 팬(624)에 에어가 공급되면, 팬(624)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 620 forms a downward airflow in the inner space of the housing 610. The airflow providing unit 620 includes an airflow supply line 622, a fan 624, and a filter 626. The airflow supply line 622 is connected to the housing 610. The airflow supply line 622 supplies external air to the housing 610. The filter 626 filters 626 air provided from the airflow supply line 622. The filter 626 removes impurities contained in air. The fan 624 is installed on the upper surface of the housing 610. The fan 624 is located in a central area on the upper surface of the housing 610. The fan 624 forms a downward airflow in the inner space of the housing 610. When air is supplied to the fan 624 from the airflow supply line 622, the fan 624 supplies air in the downward direction.

기판 지지 유닛(630)은 하우징(610)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(630)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(630)은 지지 플레이트(632), 회전축(634), 그리고 구동기(636)를 포함한다. 지지 플레이트(632)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(632)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(632)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(632)의 내부에는 기판(W)을 진공 흡착하도록 진공 라인(637)이 제공될 수 있다. 진공 라인(637)에 진공압을 제공하는 감압 부재(638)가 설치될 수 있다. 이에 지지 플레이트(632)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 흡착할 수 있다. 다른 예에서, 지지 플레이트(632)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.The substrate support unit 630 supports the substrate W in the inner space of the housing 610. The substrate support unit 630 rotates the substrate W. The substrate support unit 630 includes a support plate 632, a rotation shaft 634, and a driver 636. The support plate 632 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the support plate 632. The support plate 632 is provided to have a diameter smaller than that of the substrate W. According to an example, a vacuum line 637 may be provided inside the support plate 632 to vacuum-adsorb the substrate W. A decompression member 638 may be installed to provide a vacuum pressure to the vacuum line 637. Accordingly, the support plate 632 may suck the substrate W in a vacuum to adsorb the substrate W. In another example, the support plate 632 may chuck the substrate W with a physical force.

상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(632)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 회전축(634)은 지지 플레이트(632)의 아래에서 지지 플레이트(632)를 지지할 수 있다. 회전축(634)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공될 수 있다. 회전축(634)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 구동기(636)는 회전축(634)이 회전되도록 구동력을 제공할 수 있다. 예컨대, 구동기(636)는 모터일 수 있다.When viewed from above, the substrate W may be positioned such that its central axis coincides with the central axis of the support plate 632. The rotation shaft 634 may support the support plate 632 under the support plate 632. The rotation shaft 634 may be provided so that its longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 634 may be provided to be rotatable about its central axis. The driver 636 may provide a driving force so that the rotation shaft 634 rotates. For example, the driver 636 may be a motor.

처리액 공급 유닛(642)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리액 공급 유닛(642)은 중앙 위치에서 처리액을 공급할 수 있다. 여기서 중앙 위치는 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치일 수 있다.The processing liquid supply unit 642 supplies the processing liquid onto the substrate W. The treatment liquid may be a photosensitive liquid such as a resist. The processing liquid supply unit 642 can supply the processing liquid from a central position. Here, the central position may be a position opposite to the central region of the substrate W.

처리 용기(650)는 하우징(610)의 내부 공간(612)에 위치된다. 처리 용기(650)는 내부에 처리 공간(652)을 제공한다. 처리 용기(650)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(650)는 기판 지지 유닛(630)을 감싸도록 제공될 수 있다.The processing vessel 650 is located in the inner space 612 of the housing 610. The processing container 650 provides a processing space 652 therein. The processing container 650 is provided to have a cup shape with an open top. The processing container 650 may be provided to surround the substrate support unit 630.

처리 용기(650)는 하부벽(662)과 상부벽(670)을 갖는다. 하부벽(662)은 기판 지지 유닛(630)을 감싼다. 상부벽(670)은 하부벽(662)을 감싸며, 하부벽(662)과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로(665)를 형성한다. 하부벽(662)과 상부벽(670)은 기판 지지 유닛(630)을 향해 상향 경사지도록 형성된다. 상부벽(670) 및 하부벽(662) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 하부벽(662)은 내측 배기구(614)와 중첩되도록 위치된다. The processing vessel 650 has a lower wall 662 and an upper wall 670. The lower wall 662 surrounds the substrate support unit 630. The upper wall 670 surrounds the lower wall 662 and is combined with the lower wall 662 to form a recovery path 665 through which the treatment liquid is recovered. The lower wall 662 and the upper wall 670 are formed to incline upward toward the substrate support unit 630. Each of the upper wall 670 and the lower wall 662 is provided in an annular ring shape. When viewed from the top, the lower wall 662 is positioned to overlap the inner exhaust port 614.

상부벽(670)은 측부벽(666)과 연결되고, 측부벽(666)은 다시 바닥부(664)와 연결된다. 바닥부(664)는 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥부(664)에는 회수 경로(665)가 연결된다. 회수 경로(665)는 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 경로(665)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측부벽(666)은 기판 지지 유닛(630)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 측부벽(666)은 바닥부(664)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측부벽(666)은 바닥부(664)으로부터 위로 연장된다. The upper wall 670 is connected to the side wall 666, and the side wall 666 is connected to the bottom part 664 again. The bottom portion 664 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A recovery path 665 is connected to the bottom portion 664. The recovery path 665 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treated liquid recovered by the recovery path 665 may be reused by an external liquid recovery system. The side wall 666 is provided to have an annular ring shape surrounding the substrate support unit 630. The side wall 666 extends in a vertical direction from the side end of the bottom portion 664. The side wall 666 extends upward from the bottom portion 664.

상부벽(670)은 측부벽(666)의 상단으로부터 상부벽(670)의 중심축을 향하는 방향으로 연장된다. 상부벽(670)의 내측면은 기판 지지 유닛(630)에 가까워지도록 상향 경사지게 제공된다. 기판의 액 처리 공정 중에는 상부벽(670)의 상단이 기판 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.The upper wall 670 extends from the upper end of the side wall 666 toward the central axis of the upper wall 670. The inner surface of the upper wall 670 is provided to be inclined upward so as to be close to the substrate support unit 630. During the liquid treatment process of the substrate, the upper end of the upper wall 670 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 630.

승강 유닛(690)은 하부벽(662)과 상부벽(670)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(690)은 내측 이동 부재(692) 및 외측 이동 부재(694)를 포함한다. 내측 이동 부재(692)는 하부벽(662)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(694)는 상부벽(670)을 승강 이동시킨다.The lifting unit 690 lifts and moves the lower wall 662 and the upper wall 670, respectively. The lifting unit 690 includes an inner moving member 692 and an outer moving member 694. The inner moving member 692 moves the lower wall 662 up and down, and the outer moving member 694 moves the upper wall 670 up and down.

세정 유닛(1200)은, 기판(W) 상에 세정액을 공급한다. 세정액은 처리 용기(650)에 잔류하는 처리 액을 제거한다. 일 예에서, 세정액은 신너(Thinner)일 수 있다. 세정 유닛(1200)은, 지그(G), 세정액 공급 부재를 포함한다. 지그(G)는 기판 지지 유닛(630)에 의해 지지 및 회전된다. 기판 지지 유닛(630)은 지그(G)의 저면에 진공압을 제공하여 지그(G)를 지지 및 흡착할 수 있다. 지그(G)는 반경 방향을 따라 경사지는 상부벽이 제공된다. 일 예에서, 상부벽은 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사지게 형성된다.The cleaning unit 1200 supplies a cleaning liquid onto the substrate W. The cleaning liquid removes the processing liquid remaining in the processing container 650. In one example, the cleaning liquid may be a thinner. The cleaning unit 1200 includes a jig G and a cleaning liquid supply member. The jig G is supported and rotated by the substrate support unit 630. The substrate support unit 630 may support and adsorb the jig G by providing a vacuum pressure to the bottom surface of the jig G. The jig G is provided with an upper wall inclined along the radial direction. In one example, the upper wall is formed to be inclined downward toward the outside of the jig (G).

세정액 공급 부재는 지그(G)에 세정액을 공급한다. 세정액 공급 부재는, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)을 포함한다. 상부 세정 노즐(1210)은 지그(G)의 상면으로 세정액을 토출한다. 하부 세정 노즐(1220)은 지그(G)의 하면으로 세정액을 토출한다.The cleaning liquid supply member supplies the cleaning liquid to the jig G. The cleaning liquid supply member includes an upper cleaning nozzle 1210 and a lower cleaning nozzle 1220. The upper cleaning nozzle 1210 discharges the cleaning liquid to the upper surface of the jig G. The lower cleaning nozzle 1220 discharges the cleaning liquid to the lower surface of the jig G.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 제어기(미도시)는 이하 서술하는 기판 처리 과정을 수행하기 위해 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 기판(W)에는 처리액이 공급된 후, 세정액이 공급된다.Next, a process of processing the substrate W using the substrate processing apparatus described above will be described. A controller (not shown) may control the substrate processing apparatus to perform the substrate processing process described below. After the processing liquid is supplied to the substrate W, the cleaning liquid is supplied.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 모습을 나타낸다. 도 8을 참조하면, 처리 용기(650) 내의 처리 공간(652)에 제공된 기판 지지 유닛(630) 상에 지지된 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리한다.8 shows a state in which the substrate W is processed by supplying a processing liquid to the substrate W according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, while rotating the substrate W supported on the substrate support unit 630 provided in the processing space 652 in the processing container 650, a processing liquid is supplied to the substrate W to obtain the substrate W. Process.

처리액 공급 유닛(642)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 기판(W)의 상면 중앙 영역에 공급된 처리액은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 가장자리 영역까지 도포된다. 이 때, 기판(W)의 회전에 의해 처리액이 비산되어 처리 용기(650)를 오염시킨다. 처리액은 주로 상부벽(670)의 내측면(6621)과 하부벽(662)의 외측면(6521)에 부착된다.The processing liquid supply unit 642 supplies the processing liquid onto the substrate W at a central position. The processing liquid supplied to the central region of the upper surface of the substrate W is applied to the edge region of the substrate W by the rotation of the substrate W. At this time, the processing liquid is scattered by the rotation of the substrate W to contaminate the processing container 650. The treatment liquid is mainly attached to the inner surface 6621 of the upper wall 670 and the outer surface 6251 of the lower wall 662.

도 8에 도시된 기판(W)에 처리액 도포 공정이 완료되면 처리 용기(650)의 세정 공정이 수행된다. 도 9 내지 도 17은 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 지그(G)에 세정액을 공급하여 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. When the process of applying the treatment liquid to the substrate W shown in FIG. 8 is completed, the cleaning process of the treatment container 650 is performed. 9 to 17 respectively illustrate a state in which a cleaning solution is supplied to the jig G to clean the processing container 650 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 기판 지지 유닛(630)에서 기판(W)이 언로딩되고, 처리 용기(650)의 세정에 사용되는 지그(G)가 기판 지지 유닛(630) 상에 로딩될 수 있다. 지그(G)는 지그(G)의 중심과 기판 지지 유닛(630)의 중심이 일치되도록 위치한다. 지그(G)는 기판 지지 유닛(630)에 의해 회전된다.Referring to FIG. 9, the substrate W is unloaded from the substrate support unit 630, and a jig G used for cleaning the processing container 650 may be loaded on the substrate support unit 630. The jig G is positioned so that the center of the jig G and the center of the substrate support unit 630 coincide. The jig G is rotated by the substrate support unit 630.

상부 세정 노즐(1210)이 회전하는 지그(G)의 상면 중앙 영역에 세정액을 공급한다. 세정액은 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사진 경사면을 따라 흐른다 세정액은 경사면에서 지그(G)의 가장자리 영역으로 비산된다. 이때, 세정액은 지그(G)의 경사면을 따라 흐르며 지그(G)의 외측을 향해 상향 경사지게 비산된다. 비산된 세정액은 처리 용기(650)의 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌할 수 있다. 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌한 세정액은 상부벽(670)의 내측면(6621)에 부착된 처리액을 제거한다.The upper cleaning nozzle 1210 supplies the cleaning liquid to the center area of the upper surface of the rotating jig G. The cleaning liquid flows along an inclined surface inclined downward toward the outside of the jig G. The cleaning liquid is scattered from the inclined surface to the edge region of the jig G. At this time, the cleaning liquid flows along the inclined surface of the jig G and scatters upwardly inclined toward the outside of the jig G. The scattered cleaning liquid may collide with the inner side 6621 of the upper wall 670 of the processing container 650. The cleaning liquid that collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 removes the treatment liquid adhering to the inner surface 6621 of the upper wall 670.

상부 세정 노즐(1210)은 세정액의 탄착 지점이 기판(W)의 반경 방향을 따라 기판(W)의 중심과 기판(W)의 가장자리 영역 사이에서 변경될 수 있다. 이에 따라 지그(G)에 공급되는 세정액이 비산되는 경로를 달리할 수 있다. 이에 따라, 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점을 달리 할 수 있다. In the upper cleaning nozzle 1210, the impact point of the cleaning liquid may be changed between the center of the substrate W and the edge region of the substrate W along the radial direction of the substrate W. Accordingly, the path through which the cleaning liquid supplied to the jig G is scattered can be changed. Accordingly, the spot at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 may be different.

도 10 내지 도 12는 각각 상부 세정 노즐(1210)이 지그(G)의 상부면에 세정액을 토출하는 모습을 나타낸다. 구체적으로, 도 10은 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에 대향되는 모습을 나타내고, 도 11은 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역과 가장 자리 영역 사이에 대향되는 모습을 나타내며, 도 12는 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 가장자리 영역에 대향되는 모습을 나타낸다.10 to 12 show a state in which the upper cleaning nozzle 1210 discharges the cleaning liquid onto the upper surface of the jig G, respectively. Specifically, FIG. 10 shows a state in which the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 faces the central region of the jig G, and FIG. 11 shows the impact of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 of the jig G. It shows a state of opposition between the center region and the edge region, and FIG. 12 shows a state in which the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 faces the edge region of the jig (G).

도 10 내지 도 12를 참조하면, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될 수록 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점은 상승한다.10 to 12, the scattering path of the cleaning liquid is different depending on the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210, and accordingly, the spot at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 is changed. do. In one example, as the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the center region of the jig G to the edge region, the spot at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 increases. .

상부 세정 노즐(1210)로부터 토출된 세정액의 위치 에너지는 지그(G)와 충돌하면서 충돌에너지와 운동에너지로 변화한다. 지그(G)가 하향 경사짐에 따라 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 세정액의 토출 지점과 세정액이 지그(G)에 탄착되는 지점 간의 높이가 증가한다. The potential energy of the cleaning liquid discharged from the upper cleaning nozzle 1210 changes into collision energy and kinetic energy while colliding with the jig G. As the jig (G) is inclined downward, the discharging point of the cleaning liquid and the point where the cleaning liquid hits the jig (G) as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the center area of the jig (G) to the edge area. The height of the liver increases.

이에 따라, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 비산되는 세정액의 운동에너지가 상승한다. 이에 따라 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 세정액의 이동 거리가 멀어진다. 따라서, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 상승된다.Accordingly, the kinetic energy of the scattered cleaning liquid increases as the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the center region of the jig G to the edge region. Accordingly, the movement distance of the cleaning liquid increases as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the center region of the jig G to the edge region. Accordingly, as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the center region of the jig G to the edge region, the spot colliding with the inner surface 6621 of the upper wall 670 increases.

상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점은 상부 세정 노즐(1210)이 세정액을 분사하는 동안 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될 수 있다. 일 예에서, 상부 세정 노즐(1210)이 세정액을 토출하기 시작할 때 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점은 지그(G)의 중심 영역에 위치하고, 상부 세정 노즐(1210)이 세정액 토출을 종료할 때까지 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점은 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점은 지그(G)의 가장 자리 영역으로 이동될 수 있다. 상부 세정 노즐(1210)이 탄착 지점을 이동함에 따라, 상부벽(670)의 내측면(6621) 영역이 고루 세정될 수 있다.The impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 may be moved from the center region of the jig G to the edge region while the upper cleaning nozzle 1210 sprays the cleaning liquid. In one example, when the upper cleaning nozzle 1210 starts to discharge the cleaning liquid, the impact point of the upper cleaning nozzle 1210 is located in the center area of the jig G, and when the upper cleaning nozzle 1210 ends discharging the cleaning liquid Up to, the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 and the impact point of the upper cleaning nozzle 1210 may be moved to the edge region of the jig G. As the upper cleaning nozzle 1210 moves the impact point, the area of the inner side 6621 of the upper wall 670 may be evenly cleaned.

또한, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점을 지그(G)의 가장 자리영역에 대향되도록 이동시켜 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역까지 세정 가능한 이점이 있다. In addition, there is an advantage of being able to clean the upper area of the inner surface 6621 of the upper wall 670, which is difficult to clean, by moving the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 to face the edge area of the jig G.

상부 세정 노즐(1210)이 특정 탄착 지점에 머무는 시간은 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역 세정을 위해 세정액은 지그(G)의 가장 자리영역에서 다른 영역에서 보다 상대적으로 오래 세정액이 토출될 수 있다.The time that the upper cleaning nozzle 1210 stays at a specific impact point may be provided differently. In one example, the cleaning liquid may be discharged from the edge region of the jig G for a relatively longer period of time than other regions to clean the upper region of the inner surface 6621 of the upper wall 670 that is difficult to clean.

또한, 처리액의 종류에 따라 처리액이 처리 용기(650)에 처리액이 비산되는 영역이 상이해질 수 있고, 이에 따라, 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점을 달리하여 처리액이 많이 비산되는 영역에서 세정액의 탄착 지점과 탄착 시간을 달리 할 수 있다. In addition, depending on the type of the treatment liquid, the region in which the treatment liquid is scattered on the treatment container 650 may be different, and accordingly, the impact point of the upper cleaning nozzle 1210 is different so that a large amount of the treatment liquid is scattered. The impact point and impact time of the cleaning liquid in the area can be different.

도 13은 지그(G)를 V1의 속도로 회전시켜 상부 세정 노즐(1210)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타내고, 도 14는 지그(G)를 V2의 속도로 회전시켜 상부 세정 노즐(1210)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. 일 예에서 V2는 V1 보다 빠른 속도이다. 도 13 내지 도 14를 참조하면, 지그(G)의 회전 속도에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 지그(G)의 회전 속도가 빠를수록 세정액의 운동에너지는 증가하여 세정액의 이동 거리가 증가하고, 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점은 상승한다.13 shows a state of cleaning the processing vessel 650 through the upper cleaning nozzle 1210 by rotating the jig G at a speed of V1, and FIG. 14 is an upper cleaning by rotating the jig G at a speed of V2. A state of cleaning the processing container 650 through the nozzle 1210 is shown. In one example, V2 is faster than V1. 13 to 14, the scattering path of the cleaning liquid differs according to the rotation speed of the jig G, and accordingly, the spot at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 changes. In one example, as the rotational speed of the jig G increases, the kinetic energy of the cleaning liquid increases, so that the movement distance of the cleaning liquid increases, and the spot at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 increases.

상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점에 따라 지그(G)의 회전 속도는 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역 세정을 위해 세정액의 탄착 지점이 지그(G)의 가장 자리영역에 있을 때 다른 영역에서 보다 상대적으로 지그(G)의 회전 속도가 빠르게 제공될 수 있다.The rotation speed of the jig G may be provided differently depending on the impact point of the upper cleaning nozzle 1210. In one example, for cleaning the upper area of the inner surface 6621 of the upper wall 670, which is difficult to clean, when the impact point of the cleaning solution is in the edge area of the jig G, the jig G The rotational speed of can be provided quickly.

도 15는 하부 세정 노즐(1220)이 지그(G)의 저면에 세정액을 토출하는 모습을 나타낸다. 도 15를 참조하면, 하부 세정 노즐(1220)이 회전하는 지그(G)의 저면에 세정액을 공급하면, 세정액은 지그(G)의 중심 부근과 가장자리 영역으로 확산될 수 있다. 지그(G)에서 가장자리 영역에서 비산된 세정액은 처리 용기(650)의 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌할 수 있다. 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌한 세정액은 하부벽(662)의 외측면(6521)에 부착된 처리액을 제거한다.15 shows a state in which the lower cleaning nozzle 1220 discharges the cleaning liquid to the bottom surface of the jig G. Referring to FIG. 15, when a cleaning liquid is supplied to the bottom of the jig G in which the lower cleaning nozzle 1220 rotates, the cleaning liquid may diffuse to the vicinity of the center and the edge of the jig G. The cleaning liquid scattered from the edge region of the jig G may collide with the outer surface 6251 of the lower wall 662 of the processing container 650. The cleaning liquid colliding with the outer surface 6251 of the lower wall 662 removes the treatment liquid adhering to the outer surface 6251 of the lower wall 662.

도 16은 지그(G)를 V1의 속도로 회전시켜 하부 세정 노즐(1220)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타내고, 도 17은 지그(G)를 V2의 속도로 회전시켜 하부 세정 노즐(1220)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. 일 예에서 V2는 V1 보다 빠른 속도이다. 도 16 내지 도 17을 참조하면, 지그(G)의 회전 속도에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 지그(G)의 회전 속도가 빠를수록 세정액의 운동에너지는 증가하여 세정액의 이동 거리가 증가하고, 세정액이 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌하는 타점은 하강한다.Fig. 16 shows a state of cleaning the processing vessel 650 through the lower cleaning nozzle 1220 by rotating the jig G at a speed of V1, and Fig. 17 is a bottom cleaning by rotating the jig G at a speed of V2. A state of cleaning the processing container 650 through the nozzle 1220 is shown. In one example, V2 is faster than V1. 16 to 17, the scattering path of the cleaning liquid is different according to the rotational speed of the jig G, and accordingly, the spot at which the cleaning liquid collides with the outer surface 6251 of the lower wall 662 changes. In one example, as the rotational speed of the jig G increases, the kinetic energy of the cleaning liquid increases, so that the movement distance of the cleaning liquid increases, and the spot at which the cleaning liquid collides with the outer surface 6251 of the lower wall 662 descends.

하부 세정 노즐(1220)은 상부 세정 노즐(1210)과 마찬가지로 세정액의 탄착 지점에 따라 지그(G)의 회전 속도는 상이하게 제공될 수 있다. Like the upper cleaning nozzle 1210, the lower cleaning nozzle 1220 may have a different rotational speed of the jig G depending on the impact point of the cleaning liquid.

본 발명에 따르면, 지그(G)에서 비산되는 세정액의 경로를 상이하게 제공함에 따라 처리 용기(650)의 상부벽(670)의 내측면(6621)과 하부벽(662)의 외측면(6521)의 전 영역에서 처리액이 깨끗이 씻겨 나가는 이점이 있다.According to the present invention, as the paths of the cleaning liquid scattered from the jig G are provided differently, the inner surface 6621 of the upper wall 670 of the processing container 650 and the outer surface 6251 of the lower wall 662 are provided. There is an advantage in that the treatment liquid is washed away from the entire area.

본 발명에 따르면, 기판(W) 처리 단계에서 처리되는 기판(W)과 용기 세정 단계에서 사용되는 지그(G)는 같은 크기를 가질 수 있다. 이에 기판(W)에 따라 설정된 기판(W) 처리 장치의 시스템을 변화하지 않고, 처리 용기(650)의 세정 영역을 크게 할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, the substrate W processed in the substrate W processing step and the jig G used in the container cleaning step may have the same size. Accordingly, there is an advantage that the cleaning area of the processing container 650 can be increased without changing the system of the processing apparatus for the substrate W set according to the substrate W.

상술한 예에서는 지그(G)가 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 지그(G)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예컨대, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사질 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부와 외측으로 하향 경사지는 복수의 만입부를 포함할 수 있다. 이에, 지그(G)에 공급되는 세정액은 다양한 방향으로 비산되어 처리 용기(650)의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the jig G is provided to be inclined downward toward the outside of the jig G. However, the shape of the jig G is not limited thereto and may be modified in various forms. For example, the edge region of the jig G may be inclined upward to the outside. In addition, the edge region of the jig G may include a plurality of protrusions inclined upwardly outward and a plurality of indentations inclined downwardly outward. Accordingly, the cleaning liquid supplied to the jig G is scattered in various directions, so that cleaning of the processing container 650 can be efficiently performed.

상술한 예에서는, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)의 세정액 토출 시점이 상이한 것으로 설명하였다. 그러나, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)은 세정액을 동시에 토출할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the cleaning liquid discharge timings of the upper cleaning nozzle 1210 and the lower cleaning nozzle 1220 are different. However, the upper cleaning nozzle 1210 and the lower cleaning nozzle 1220 may simultaneously discharge the cleaning liquid.

다시 도 5를 참조하면, 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring back to FIG. 5, the transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveyance chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12. A transfer unit 3420 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer unit 3420 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. In the conveyance chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the X-axis direction 12 may be provided, and the conveyance unit 3420 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버(3800)는 기판(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. The buffer chamber 3800 is provided in plural. The buffer chamber 3800 may temporarily store the substrate W. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802. The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer unit 3420. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer unit 3420 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) Is provided with a structure and arrangement that is substantially similar to that of), so a description thereof will be omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as developing chambers for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the length direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotation about an axis parallel to the Z-axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the technology or knowledge in the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

630: 기판 지지 유닛
1200: 세정 유닛
1210: 상부 세정 노즐
1220: 하부 세정 노즐
G: 지그630: substrate support unit
1200: cleaning unit
1210: upper cleaning nozzle
1220: lower cleaning nozzle
G: jig

Claims (17)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과;
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와;
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과,
상기 기판 지지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛 및 상기 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A processing container having a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit;
A jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing container;
A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported by the substrate support unit when cleaning the processing container;
A controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit,
A substrate processing apparatus having an upper surface of the jig having an inclined surface inclined along a radial direction. 제1항에 있어서,
상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The inclined surface is provided to be inclined downward from the center of the jig toward the outside. 제1항에 있어서,
상기 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus wherein the jig has a longitudinal cross-section in a triangular shape. 제1항에 있어서,
상기 세정액 공급 유닛은,
상기 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The cleaning liquid supply unit,
A substrate processing apparatus comprising an upper cleaning nozzle for discharging a cleaning liquid to an upper surface of the jig. 제4항에 있어서,
상기 세정액 공급 유닛은,
상기 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The cleaning liquid supply unit,
A substrate processing apparatus further comprising a lower cleaning nozzle for discharging a cleaning liquid to a lower surface of the jig. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 상부 세정 노즐로부터 상기 지그로 토출되는 상기 세정액의 탄착 지점이 상기 지그의 반경 방향을 따라 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되도록 상기 상부 세정 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 4 or 5,
The controller,
The upper cleaning nozzle is controlled so that the impact point of the cleaning liquid discharged from the upper cleaning nozzle to the jig during cleaning of the processing container is changed between the center of the jig and the edge region of the jig along the radial direction of the jig. Substrate processing apparatus. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액의 종류에 따라 상기 상부 세정 노즐의 탄착 지점을 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 달리하도록 상기 상부 세정 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 4 or 5,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the upper cleaning nozzle so that the impact point of the upper cleaning nozzle is different between the center of the jig and an edge region of the jig according to the type of the processing liquid. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 지그로 상기 세정액이 토출되는 도중에 상기 지그의 회전 속도가 변경되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 4 or 5,
The controller,
A substrate processing apparatus configured to control the substrate support unit so that the rotational speed of the jig is changed while the cleaning liquid is discharged from the jig. 제1항에 있어서,
상기 처리 용기는,
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며,
상기 회수 공간에서 상기 처리액을 회수하는 입구는 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 단부와 측방향으로 대향되게 위치되고,
상기 회수 공간은 상부벽, 상기 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상기 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고,
상기 상부벽과 상기 하부벽은 각각 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고,
상기 처리 용기를 세정시에 상기 지지 유닛에 지지된 상기 지그의 외측 단부는 상기 입구에 대향되게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The processing container,
It has a recovery space for recovering the processing liquid supplied to the substrate supported by the support unit,
An inlet for recovering the treatment liquid in the recovery space is positioned to face the end of the substrate supported by the support unit in a lateral direction,
The recovery space is defined by an upper wall, a lower wall disposed under the upper wall, and a side wall extending downward from an outer end of the upper wall,
The upper wall and the lower wall are respectively provided to be inclined downward as they move away from the support unit,
When cleaning the processing container, an outer end of the jig supported by the support unit is positioned opposite to the inlet. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판 또는 상기 지그를 진공 흡착하는 진공 라인과;
상기 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate support unit,
A vacuum line for vacuum adsorbing the substrate or the jig;
A substrate processing apparatus further comprising a pressure reducing member for providing a vacuum pressure to the vacuum line. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 지그로 세정액을 토출하여 상기 처리 용기를 세정하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
A substrate processing method in which a cleaning liquid is discharged with the jig to clean the processing container. 제11항에 있어서,
상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The inclined surface is provided to be inclined downward from the center of the jig toward the outside. 제11항에 있어서,
상기 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
A method of processing a substrate in which the jig has a longitudinal cross-section in a triangular shape. 제11항에 있어서,
상기 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
A substrate processing method for discharging a cleaning liquid onto the upper surface of the jig. 제11항에 있어서,
상기 지그의 상면과 상기 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
A substrate processing method for discharging a cleaning liquid to an upper surface of the jig and a lower surface of the jig. 제14항에 있어서,
상기 지그로 토출되는 상기 세정액의 탄착 지점은 상기 지그의 반경 방향을 따라 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되는 기판 처리 방법. The method of claim 14,
A substrate processing method in which an impact point of the cleaning liquid discharged to the jig is changed between a center of the jig and an edge region of the jig along a radial direction of the jig. 제11항에 있어서,
상기 지그로 상기 세정액이 토출되는 도중에 상기 지그의 회전 속도가 변경되는 기판 처리 방법.

The method of claim 11,
The substrate processing method in which the rotation speed of the jig is changed while the cleaning liquid is discharged by the jig.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100005668A (en) * 2008-07-07 2010-01-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Cleaning jig and cleaning method for rotary application apparatus
KR20180130864A (en) * 2017-05-30 2018-12-10 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating a substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100005668A (en) * 2008-07-07 2010-01-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Cleaning jig and cleaning method for rotary application apparatus
KR20180130864A (en) * 2017-05-30 2018-12-10 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating a substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102646843B1 (en) * 2022-11-10 2024-03-13 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

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