KR102303594B1 - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 처리 용기에 잔류하는 처리액을 제거하는 세정 유닛과; 기판 지지 유닛, 액 공급 유닛 및 세정 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 세정 유닛은, 기판 지지 유닛에 의해 지지 및 회전되는 지그와; 지그에 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재를 포함하되, 지그는 반경 방향을 따라 경사지는 경사부가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a processing vessel having a processing space therein; a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit; a cleaning unit for removing the processing liquid remaining in the processing container; a controller for controlling the substrate support unit, the liquid supply unit, and the cleaning unit, the cleaning unit comprising: a jig supported and rotated by the substrate support unit; A cleaning liquid supply member for supplying the cleaning liquid to the jig may be provided, wherein the jig may be provided with an inclined portion inclined in a radial direction.
According to one embodiment of the present invention, it is possible to improve the cleaning efficiency of the processing vessel.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 처리 용기를 세정하는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a cleaning unit for cleaning a processing vessel and a substrate processing apparatus and method using the same.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 공정을 수행한다.In the manufacturing process of semiconductor devices and flat panel display panels, various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed. Among these processes, photography, etching, ashing, and cleaning processes perform a process of liquid-treating the substrate by supplying a treatment liquid onto the substrate.

이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.Among them, the photographic process includes a coating step, an exposure step, and a developing step. The coating step is a coating process in which a photoresist such as a photoresist is applied on a substrate, and a portion of the used photoresist is recovered through a processing vessel.

도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 액 처리 장치는 처리 용기(2) 내에는 기판(W)이 위치되며, 기판(W) 상에 감광액(X)을 공급한다. 감광액(X)은 점성을 가지는 액으로, 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기(2)의 회수 경로에 부착된 감광액들(X)은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다.1 is a cross-sectional view showing a general liquid processing apparatus used in a coating process. Referring to FIG. 1 , in the liquid processing apparatus, a substrate W is positioned in a processing container 2 , and a photoresist X is supplied onto the substrate W. The photosensitive liquid (X) is a viscous liquid, and a large amount adheres to the recovery path. The photosensitive liquids X adhering to the recovery path of the processing vessel 2 may contaminate peripheral devices and may adversely affect the operator.

이에 따라 감광액들(X)이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 처리 용기(2)의 세정 공정으로는, 기판(W)의 액 도포가 완료되기 전 또는 후에 수행될 수 있다. 처리 용기(2)의 세정 공정이 진행되면, 기판(W)의 상부 및 하부에서 기판(W)을 향해 세정액(Y)을 공급한다. 세정액(Y)은 기판(W)으로부터 비산되어 회수 경로로 회수되며, 잔류 감광액을 세정 처리한다.Accordingly, the processing vessel in which the photoresists X remain requires periodic cleaning. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of cleaning a processing vessel in the apparatus of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the cleaning process of the processing vessel 2 may be performed before or after the liquid application of the substrate W is completed. When the cleaning process of the processing vessel 2 is performed, the cleaning liquid Y is supplied toward the substrate W from the upper and lower portions of the substrate W. The cleaning liquid Y is scattered from the substrate W and recovered through a recovery path, and the remaining photoresist is cleaned.

그러나 회수 경로를 형성하는 처리 용기(2)의 영역들 중 일부 영역(x,y)에는 세정액(Y)이 도달되지 못한다. 예컨대. 처리 용기(2)에서 기판(W)과 마주하는 하부 영역(y)과 기판(W)보다 높은 상부 영역들(x)은 세정액(Y)의 미도달 영역에 해당된다. 이에 따라 세정 공정이 완료되었음에도, 처리 용기(2)에는 여전히 감광액(X)이 잔류되어 있으며, 이를 세정하는 것은 매우 어렵다.However, the cleaning liquid Y does not reach some areas (x, y) of the areas of the processing vessel 2 forming the recovery path. for example. In the processing vessel 2 , the lower region y facing the substrate W and the upper regions x higher than the substrate W correspond to the non-reaching region of the cleaning solution Y. Accordingly, even after the cleaning process is completed, the photosensitive liquid X still remains in the processing container 2, and it is very difficult to clean it.

본 발명은 처리 용기의 세정효율을 향상시킬 수 있는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a cleaning unit capable of improving cleaning efficiency of a processing vessel and a substrate processing apparatus using the same.

또한 본 발명은 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a cleaning unit capable of cleaning the entire region forming a liquid recovery path of a processing container and a substrate processing apparatus using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과, 기판 지지 유닛, 처리액 공급 유닛 및 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가질 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a processing vessel having a processing space therein; a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space; a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit; a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel; A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel, and a controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit, wherein the upper surface of the jig has a radial direction It may have an inclined surface that slopes along the way.

일 실시 예에 의하면, 경사면은 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inclined surface may be provided to be inclined downwardly from the center of the jig toward the outside.

일 실시 예에 의하면, 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the longitudinal cross-section of the jig may be provided in a triangular shape.

일 실시 예에 의하면, 세정액 공급 유닛은, 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning liquid supply unit may include an upper cleaning nozzle that discharges the cleaning liquid to the upper surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 세정액 공급 유닛은, 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning liquid supply unit may further include a lower cleaning nozzle for discharging the cleaning liquid to the lower surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리 용기의 세정 시에 상부 세정 노즐로부터 지그로 토출되는 세정액의 탄착 지점이 지그의 반경 방향을 따라 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되도록 상부 세정 노즐을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the upper cleaning nozzle such that an impact point of the cleaning liquid discharged from the upper cleaning nozzle to the jig during cleaning of the processing container is changed between the center of the jig and the edge region of the jig along the radial direction of the jig. can be controlled

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리액의 종류에 따라 상부 세정 노즐의 탄착 지점을 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 달리하도록 상부 세정 노즐을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the upper cleaning nozzle to vary the impact point of the upper cleaning nozzle between the center of the jig and the edge area of the jig according to the type of the processing liquid.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 지그로 세정액이 토출되는 도중에 지그의 회전 속도가 변경되도록 기판 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the substrate support unit to change the rotation speed of the jig while the cleaning liquid is discharged to the jig.

일 실시 예에 의하면, 처리 용기는, 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며, 회수 공간에서 처리액을 회수하는 입구는 지지 유닛에 지지된 기판의 단부와 측방향으로 대향되게 위치되고, 회수 공간은 상부벽, 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고, 상부벽과 하부벽은 각각 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고, 처리 용기를 세정시에 지지 유닛에 지지된 지그의 외측 단부는 입구에 대향되게 위치될 수 있다.According to an embodiment, the processing vessel has a recovery space for recovering the processing liquid supplied to the substrate supported by the support unit, and the inlet for recovering the processing liquid from the recovery space is in a lateral direction from the end of the substrate supported by the support unit. and the recovery space is defined by an upper wall, a lower wall disposed below the upper wall, and a side wall extending downwardly from an outer end of the upper wall, the upper wall and the lower wall being respectively separated from the support unit An outer end of the jig supported by the support unit may be provided to be inclined downward as the distance increases, and the outer end of the jig supported by the support unit may be positioned to face the inlet when cleaning the processing vessel.

일 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛은, 기판 또는 지그를 진공 흡착하는 진공 라인과; 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the substrate support unit includes a vacuum line for vacuum adsorbing the substrate or the jig; It may further include a pressure reducing member for providing a vacuum pressure to the vacuum line.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과, 기판 지지 유닛, 처리액 공급 유닛 및 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지는 기판 처리 장치를 이용하여, 지그로 세정액을 토출하여 처리 용기를 세정할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a processing vessel having a processing space therein; a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space; a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit; a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel; A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel, and a controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit, wherein the upper surface of the jig has a radial direction The processing container may be cleaned by discharging the cleaning liquid with a jig using a substrate processing apparatus having an inclined surface that is inclined accordingly.

일 실시 예에 의하면, 경사면은 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inclined surface may be provided to be inclined downwardly from the center of the jig toward the outside.

일 실시 예에 의하면, 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the longitudinal cross-section of the jig may be provided in a triangular shape.

일 실시 예에 의하면, 지그의 상면으로 세정액을 토출할 수 있다.According to one embodiment, the cleaning liquid may be discharged to the upper surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 지그의 상면과 지그의 하면으로 세정액을 토출할 수 있다.According to one embodiment, the cleaning liquid may be discharged to the upper surface of the jig and the lower surface of the jig.

일 실시 예에 의하면, 지그로 토출되는 세정액의 탄착 지점은 지그의 반경 방향을 따라 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경될 수 있다.According to an embodiment, the impact point of the cleaning liquid discharged to the jig may be changed between the center of the jig and the edge region of the jig along the radial direction of the jig.

일 실시 예에 의하면, 지그로 세정액이 토출되는 도중에 지그의 회전 속도가 변경될 수 있다.According to an embodiment, the rotational speed of the jig may be changed while the cleaning liquid is discharged to the jig.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is possible to improve the cleaning efficiency of the processing vessel.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the entire region forming the liquid recovery path of the processing container may be cleaned.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1 내지 도 2는 각각 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시 예에 따른 액처리 챔버의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 모습을 나타낸다.
도 9 내지 도 17은 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 지그에 세정액을 공급하여 처리 용기를 세정하는 모습을 나타낸다.1 to 2 are cross-sectional views each showing a typical substrate processing apparatus.
3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 3 .
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3 .
6 to 7 are cross-sectional views each showing a liquid processing chamber according to an embodiment of the present invention.
8 shows a state in which the substrate W is processed by supplying a processing liquid to the substrate W according to an embodiment of the present invention.
9 to 17 each show a state of cleaning a processing vessel by supplying a cleaning solution to a jig according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It is to be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded in advance.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

도 3은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically showing the substrate processing apparatus of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 3 , and FIG. 5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3 .

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.3 to 5 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as an X-axis direction 12 , and a direction perpendicular to the X-axis direction 12 when viewed from the top The Y-axis direction 14 is called, and the direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is called the Z-axis direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and performs the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 4의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 4, two application blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 공정 챔버(3200, 3600), 반송 챔버(3400), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 공정 챔버(3200, 3600)는 열 처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600)를 포함할 수 있다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다.Referring to FIG. 5 , the application block 30a includes process chambers 3200 and 3600 , a transfer chamber 3400 , and a buffer chamber 3800 . The process chambers 3200 and 3600 may include a heat treatment chamber 3200 and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film.

도 6 및 도 7은 각각 도 5의 액처리 챔버(3600)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 6 내지 도 7을 참조하면, 액처리 챔버(3600)에서는 액 도포 공정을 수행한다. 액처리 챔버(3600)는 하우징(610), 기류 제공 유닛(620), 기판 지지 유닛(630), 처리액 공급 유닛(642), 처리 용기(650) 그리고 승강 유닛(690)을 포함한다.6 and 7 are cross-sectional views each illustrating an example of the liquid processing chamber 3600 of FIG. 5 . 6 to 7 , a liquid application process is performed in the liquid processing chamber 3600 . The liquid processing chamber 3600 includes a housing 610 , an airflow providing unit 620 , a substrate supporting unit 630 , a processing liquid supplying unit 642 , a processing container 650 , and an elevation unit 690 .

하우징(610)은 내부에 공간(612)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(610)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(610)의 내부 공간(612)을 밀폐한다. 하우징(610)의 하부면에는 내측 배기구(614) 및 외측 배기구(616)가 형성된다. 하우징(610) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(614) 및 외측 배기구(616)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(650)내에 제공된 기류는 내측 배기구(614)를 통해 배기되고, 처리 용기(650)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(616)를 통해 배기될 수 있다.The housing 610 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 612 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 610 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door closes the opening to seal the inner space 612 of the housing 610 . An inner exhaust port 614 and an outer exhaust port 616 are formed on the lower surface of the housing 610 . The airflow formed in the housing 610 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 614 and the outer exhaust port 616 . According to an example, the airflow provided in the processing vessel 650 may be exhausted through the inner exhaust port 614 , and the airflow provided outside the processing vessel 650 may be exhausted through the outer exhaust port 616 .

기류 제공 유닛(620)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(620)은 기류 공급 라인(622), 팬(624), 그리고 필터(626)를 포함한다. 기류 공급 라인(622)은 하우징(610)에 연결된다. 기류 공급 라인(622)은 외부의 에어를 하우징(610)에 공급한다. 필터(626)는 기류 공급 라인(622)으로부터 제공되는 에어를 필터(626)링 한다. 필터(626)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(624)은 하우징(610)의 상부면에 설치된다. 팬(624)은 하우징(610)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(624)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(622)으로부터 팬(624)에 에어가 공급되면, 팬(624)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 620 forms a descending airflow in the inner space of the housing 610 . The airflow providing unit 620 includes an airflow supplying line 622 , a fan 624 , and a filter 626 . The airflow supply line 622 is connected to the housing 610 . The air flow supply line 622 supplies external air to the housing 610 . The filter 626 filters 626 the air provided from the airflow supply line 622 . The filter 626 removes impurities contained in the air. The fan 624 is installed on the upper surface of the housing 610 . A fan 624 is located in a central region on the top surface of the housing 610 . The fan 624 forms a downdraft in the interior space of the housing 610 . When air is supplied to the fan 624 from the airflow supply line 622 , the fan 624 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(630)은 하우징(610)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(630)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(630)은 지지 플레이트(632), 회전축(634), 그리고 구동기(636)를 포함한다. 지지 플레이트(632)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(632)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(632)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(632)의 내부에는 기판(W)을 진공 흡착하도록 진공 라인(637)이 제공될 수 있다. 진공 라인(637)에 진공압을 제공하는 감압 부재(638)가 설치될 수 있다. 이에 지지 플레이트(632)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 흡착할 수 있다. 다른 예에서, 지지 플레이트(632)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.The substrate support unit 630 supports the substrate W in the inner space of the housing 610 . The substrate support unit 630 rotates the substrate W. The substrate support unit 630 includes a support plate 632 , a rotation shaft 634 , and a driver 636 . The support plate 632 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the support plate 632 . The support plate 632 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, a vacuum line 637 may be provided inside the support plate 632 to vacuum adsorb the substrate W. A pressure reducing member 638 that provides vacuum pressure to the vacuum line 637 may be installed. Accordingly, the support plate 632 may vacuum the substrate W to adsorb the substrate W. In another example, the support plate 632 may chuck the substrate W with a physical force.

상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(632)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 회전축(634)은 지지 플레이트(632)의 아래에서 지지 플레이트(632)를 지지할 수 있다. 회전축(634)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공될 수 있다. 회전축(634)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 구동기(636)는 회전축(634)이 회전되도록 구동력을 제공할 수 있다. 예컨대, 구동기(636)는 모터일 수 있다.When viewed from the top, the substrate W may be positioned so that its central axis coincides with the central axis of the support plate 632 . The rotation shaft 634 may support the support plate 632 under the support plate 632 . The rotation shaft 634 may be provided such that its longitudinal direction is in the vertical direction. The rotating shaft 634 may be provided to be rotatable about its central axis. The driver 636 may provide a driving force to rotate the rotation shaft 634 . For example, the driver 636 may be a motor.

처리액 공급 유닛(642)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리액 공급 유닛(642)은 중앙 위치에서 처리액을 공급할 수 있다. 여기서 중앙 위치는 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치일 수 있다.The processing liquid supply unit 642 supplies the processing liquid on the substrate W. The treatment liquid may be a photosensitive liquid such as a resist. The treatment liquid supply unit 642 may supply the treatment liquid at a central location. Here, the central position may be a position opposite to the central region of the substrate W. Referring to FIG.

처리 용기(650)는 하우징(610)의 내부 공간(612)에 위치된다. 처리 용기(650)는 내부에 처리 공간(652)을 제공한다. 처리 용기(650)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(650)는 기판 지지 유닛(630)을 감싸도록 제공될 수 있다.The processing vessel 650 is located in the interior space 612 of the housing 610 . The processing vessel 650 provides a processing space 652 therein. The processing container 650 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 650 may be provided to surround the substrate support unit 630 .

처리 용기(650)는 하부벽(662)과 상부벽(670)을 갖는다. 하부벽(662)은 기판 지지 유닛(630)을 감싼다. 상부벽(670)은 하부벽(662)을 감싸며, 하부벽(662)과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로(665)를 형성한다. 하부벽(662)과 상부벽(670)은 기판 지지 유닛(630)을 향해 상향 경사지도록 형성된다. 상부벽(670) 및 하부벽(662) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 하부벽(662)은 내측 배기구(614)와 중첩되도록 위치된다. The processing vessel 650 has a lower wall 662 and an upper wall 670 . The lower wall 662 surrounds the substrate support unit 630 . The upper wall 670 surrounds the lower wall 662 and is combined with the lower wall 662 to form a recovery path 665 through which the treatment liquid is recovered. The lower wall 662 and the upper wall 670 are formed to be inclined upward toward the substrate support unit 630 . Each of the upper wall 670 and the lower wall 662 is provided in an annular ring shape. When viewed from the top, the lower wall 662 is positioned to overlap the inner vent 614 .

상부벽(670)은 측부벽(666)과 연결되고, 측부벽(666)은 다시 바닥부(664)와 연결된다. 바닥부(664)는 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥부(664)에는 회수 경로(665)가 연결된다. 회수 경로(665)는 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 경로(665)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측부벽(666)은 기판 지지 유닛(630)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 측부벽(666)은 바닥부(664)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측부벽(666)은 바닥부(664)으로부터 위로 연장된다. The top wall 670 is connected to the side wall 666 , and the side wall 666 is again connected to the bottom part 664 . The bottom portion 664 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A recovery path 665 is connected to the bottom portion 664 . The recovery path 665 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery path 665 may be reused by an external liquid recovery system. The side wall 666 is provided to have an annular ring shape surrounding the substrate support unit 630 . The side wall 666 extends in a vertical direction from the side end of the bottom portion 664 . Sidewalls 666 extend upwardly from the bottom portion 664 .

상부벽(670)은 측부벽(666)의 상단으로부터 상부벽(670)의 중심축을 향하는 방향으로 연장된다. 상부벽(670)의 내측면은 기판 지지 유닛(630)에 가까워지도록 상향 경사지게 제공된다. 기판의 액 처리 공정 중에는 상부벽(670)의 상단이 기판 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.The upper wall 670 extends from an upper end of the side wall 666 in a direction toward the central axis of the upper wall 670 . The inner surface of the upper wall 670 is provided to be inclined upward to approach the substrate support unit 630 . During the liquid treatment process of the substrate, the upper end of the upper wall 670 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 630 .

승강 유닛(690)은 하부벽(662)과 상부벽(670)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(690)은 내측 이동 부재(692) 및 외측 이동 부재(694)를 포함한다. 내측 이동 부재(692)는 하부벽(662)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(694)는 상부벽(670)을 승강 이동시킨다.The lifting unit 690 moves the lower wall 662 and the upper wall 670 up and down, respectively. The lifting unit 690 includes an inner moving member 692 and an outer moving member 694 . The inner moving member 692 moves the lower wall 662 up and down, and the outer moving member 694 moves the upper wall 670 up and down.

세정 유닛(1200)은, 기판(W) 상에 세정액을 공급한다. 세정액은 처리 용기(650)에 잔류하는 처리 액을 제거한다. 일 예에서, 세정액은 신너(Thinner)일 수 있다. 세정 유닛(1200)은, 지그(G), 세정액 공급 부재를 포함한다. 지그(G)는 기판 지지 유닛(630)에 의해 지지 및 회전된다. 기판 지지 유닛(630)은 지그(G)의 저면에 진공압을 제공하여 지그(G)를 지지 및 흡착할 수 있다. 지그(G)는 반경 방향을 따라 경사지는 상부벽이 제공된다. 일 예에서, 상부벽은 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사지게 형성된다.The cleaning unit 1200 supplies a cleaning liquid onto the substrate W. The cleaning liquid removes the processing liquid remaining in the processing container 650 . In one example, the cleaning liquid may be a thinner. The cleaning unit 1200 includes a jig G and a cleaning liquid supply member. The jig G is supported and rotated by the substrate support unit 630 . The substrate support unit 630 may support and adsorb the jig (G) by providing a vacuum pressure to the bottom surface of the jig (G). The jig G is provided with an upper wall inclined along the radial direction. In one example, the upper wall is formed to be inclined downward toward the outside of the jig (G).

세정액 공급 부재는 지그(G)에 세정액을 공급한다. 세정액 공급 부재는, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)을 포함한다. 상부 세정 노즐(1210)은 지그(G)의 상면으로 세정액을 토출한다. 하부 세정 노즐(1220)은 지그(G)의 하면으로 세정액을 토출한다.The cleaning liquid supply member supplies the cleaning liquid to the jig (G). The cleaning liquid supply member includes an upper cleaning nozzle 1210 and a lower cleaning nozzle 1220 . The upper cleaning nozzle 1210 discharges the cleaning liquid to the upper surface of the jig (G). The lower cleaning nozzle 1220 discharges the cleaning liquid to the lower surface of the jig (G).

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 제어기(미도시)는 이하 서술하는 기판 처리 과정을 수행하기 위해 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 기판(W)에는 처리액이 공급된 후, 세정액이 공급된다.Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. A controller (not shown) may control the substrate processing apparatus to perform a substrate processing process described below. After the processing liquid is supplied to the substrate W, the cleaning liquid is supplied.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 모습을 나타낸다. 도 8을 참조하면, 처리 용기(650) 내의 처리 공간(652)에 제공된 기판 지지 유닛(630) 상에 지지된 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리한다.8 shows a state in which the substrate W is processed by supplying a processing liquid to the substrate W according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8 , a processing liquid is supplied to the substrate W while rotating the substrate W supported on the substrate support unit 630 provided in the processing space 652 in the processing container 650 to supply the substrate W. to process

처리액 공급 유닛(642)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 기판(W)의 상면 중앙 영역에 공급된 처리액은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 가장자리 영역까지 도포된다. 이 때, 기판(W)의 회전에 의해 처리액이 비산되어 처리 용기(650)를 오염시킨다. 처리액은 주로 상부벽(670)의 내측면(6621)과 하부벽(662)의 외측면(6521)에 부착된다.The processing liquid supply unit 642 supplies the processing liquid on the substrate W at the central position. The processing liquid supplied to the upper surface central region of the substrate W is applied to the edge region of the substrate W by rotation of the substrate W. At this time, the processing liquid is scattered by the rotation of the substrate W to contaminate the processing container 650 . The treatment liquid is mainly attached to the inner surface 6621 of the upper wall 670 and the outer surface 6521 of the lower wall 662 .

도 8에 도시된 기판(W)에 처리액 도포 공정이 완료되면 처리 용기(650)의 세정 공정이 수행된다. 도 9 내지 도 17은 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 지그(G)에 세정액을 공급하여 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. When the process of applying the process liquid to the substrate W shown in FIG. 8 is completed, the process of cleaning the process container 650 is performed. 9 to 17 each show a state of cleaning the processing container 650 by supplying a cleaning solution to the jig G according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 기판 지지 유닛(630)에서 기판(W)이 언로딩되고, 처리 용기(650)의 세정에 사용되는 지그(G)가 기판 지지 유닛(630) 상에 로딩될 수 있다. 지그(G)는 지그(G)의 중심과 기판 지지 유닛(630)의 중심이 일치되도록 위치한다. 지그(G)는 기판 지지 유닛(630)에 의해 회전된다.Referring to FIG. 9 , the substrate W is unloaded from the substrate support unit 630 , and a jig G used for cleaning the processing vessel 650 may be loaded onto the substrate support unit 630 . The jig G is positioned so that the center of the jig G coincides with the center of the substrate support unit 630 . The jig G is rotated by the substrate support unit 630 .

상부 세정 노즐(1210)이 회전하는 지그(G)의 상면 중앙 영역에 세정액을 공급한다. 세정액은 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사진 경사면을 따라 흐른다 세정액은 경사면에서 지그(G)의 가장자리 영역으로 비산된다. 이때, 세정액은 지그(G)의 경사면을 따라 흐르며 지그(G)의 외측을 향해 상향 경사지게 비산된다. 비산된 세정액은 처리 용기(650)의 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌할 수 있다. 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌한 세정액은 상부벽(670)의 내측면(6621)에 부착된 처리액을 제거한다.The cleaning liquid is supplied to the central area of the upper surface of the jig G in which the upper cleaning nozzle 1210 rotates. The cleaning liquid flows along the inclined surface inclined downwardly toward the outside of the jig (G). The cleaning liquid is scattered from the inclined surface to the edge area of the jig (G). At this time, the cleaning liquid flows along the inclined surface of the jig (G) and is scattered inclined upward toward the outside of the jig (G). The scattered cleaning liquid may collide with the inner surface 6621 of the upper wall 670 of the processing vessel 650 . The cleaning liquid colliding with the inner surface 6621 of the upper wall 670 removes the treatment liquid adhering to the inner surface 6621 of the upper wall 670 .

상부 세정 노즐(1210)은 세정액의 탄착 지점이 기판(W)의 반경 방향을 따라 기판(W)의 중심과 기판(W)의 가장자리 영역 사이에서 변경될 수 있다. 이에 따라 지그(G)에 공급되는 세정액이 비산되는 경로를 달리할 수 있다. 이에 따라, 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점을 달리 할 수 있다. In the upper cleaning nozzle 1210 , an impact point of the cleaning liquid may be changed between the center of the substrate W and an edge region of the substrate W along the radial direction of the substrate W . Accordingly, the path through which the cleaning liquid supplied to the jig (G) is scattered can be changed. Accordingly, the point at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 may be different.

도 10 내지 도 12는 각각 상부 세정 노즐(1210)이 지그(G)의 상부면에 세정액을 토출하는 모습을 나타낸다. 구체적으로, 도 10은 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에 대향되는 모습을 나타내고, 도 11은 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역과 가장 자리 영역 사이에 대향되는 모습을 나타내며, 도 12는 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 가장자리 영역에 대향되는 모습을 나타낸다.10 to 12 show a state in which the upper cleaning nozzle 1210 discharges the cleaning liquid to the upper surface of the jig G, respectively. Specifically, FIG. 10 shows a state in which the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 faces the central region of the jig G, and FIG. 11 shows that the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 is that of the jig G. An opposing state is shown between the central region and the edge region, and FIG. 12 shows a state in which the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 is opposed to the edge region of the jig (G).

도 10 내지 도 12를 참조하면, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될 수록 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점은 상승한다.10 to 12 , the scattering path of the cleaning liquid is different depending on the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 , and accordingly, the point at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 is changed. do. In one example, as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the central region of the jig G to the edge region, the point at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 rises. .

상부 세정 노즐(1210)로부터 토출된 세정액의 위치 에너지는 지그(G)와 충돌하면서 충돌에너지와 운동에너지로 변화한다. 지그(G)가 하향 경사짐에 따라 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 세정액의 토출 지점과 세정액이 지그(G)에 탄착되는 지점 간의 높이가 증가한다. The potential energy of the cleaning liquid discharged from the upper cleaning nozzle 1210 is changed into collision energy and kinetic energy while colliding with the jig (G). As the jig G is inclined downward, as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the central region of the jig G to the edge region, the cleaning liquid discharge point and the cleaning liquid impact the jig G The height of the liver increases.

이에 따라, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 비산되는 세정액의 운동에너지가 상승한다. 이에 따라 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 세정액의 이동 거리가 멀어진다. 따라서, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 상승된다.Accordingly, as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the central region of the jig G to the edge region, the kinetic energy of the scattered cleaning liquid increases. Accordingly, as the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the center area of the jig G to the edge area, the movement distance of the cleaning liquid increases. Accordingly, as the impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 moves from the central region of the jig G to the edge region, the striking point colliding with the inner surface 6621 of the upper wall 670 increases.

상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점은 상부 세정 노즐(1210)이 세정액을 분사하는 동안 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될 수 있다. 일 예에서, 상부 세정 노즐(1210)이 세정액을 토출하기 시작할 때 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점은 지그(G)의 중심 영역에 위치하고, 상부 세정 노즐(1210)이 세정액 토출을 종료할 때까지 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점은 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점은 지그(G)의 가장 자리 영역으로 이동될 수 있다. 상부 세정 노즐(1210)이 탄착 지점을 이동함에 따라, 상부벽(670)의 내측면(6621) 영역이 고루 세정될 수 있다.The cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 may be moved from the center area to the edge area of the jig G while the upper cleaning nozzle 1210 sprays the cleaning liquid. In one example, when the upper cleaning nozzle 1210 starts discharging the cleaning liquid, the impact point of the upper cleaning nozzle 1210 is located in the central region of the jig G, and when the upper cleaning nozzle 1210 finishes discharging the cleaning liquid The impact point of the cleaning liquid of the upper cleaning nozzle 1210 may be moved to the edge region of the jig G until the impact point of the upper cleaning nozzle 1210 is reached. As the upper cleaning nozzle 1210 moves to the impact point, the area of the inner surface 6621 of the upper wall 670 may be uniformly cleaned.

또한, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점을 지그(G)의 가장 자리영역에 대향되도록 이동시켜 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역까지 세정 가능한 이점이 있다. In addition, there is an advantage in that it is possible to clean even the upper area of the inner surface 6621 of the upper wall 670 which is difficult to clean by moving the cleaning liquid impact point of the upper cleaning nozzle 1210 to face the edge area of the jig G.

상부 세정 노즐(1210)이 특정 탄착 지점에 머무는 시간은 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역 세정을 위해 세정액은 지그(G)의 가장 자리영역에서 다른 영역에서 보다 상대적으로 오래 세정액이 토출될 수 있다.The amount of time the upper cleaning nozzle 1210 stays at a specific impact point may be provided differently. In one example, for cleaning the upper region of the inner surface 6621 of the upper wall 670, which is difficult to clean, the cleaning liquid may be discharged from the edge region of the jig G for a relatively longer period than from other regions.

또한, 처리액의 종류에 따라 처리액이 처리 용기(650)에 처리액이 비산되는 영역이 상이해질 수 있고, 이에 따라, 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점을 달리하여 처리액이 많이 비산되는 영역에서 세정액의 탄착 지점과 탄착 시간을 달리 할 수 있다. Also, depending on the type of the treatment liquid, the area in which the treatment liquid scatters in the treatment container 650 may be different. It is possible to vary the impact point and impact time of the cleaning liquid in the area.

도 13은 지그(G)를 V1의 속도로 회전시켜 상부 세정 노즐(1210)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타내고, 도 14는 지그(G)를 V2의 속도로 회전시켜 상부 세정 노즐(1210)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. 일 예에서 V2는 V1 보다 빠른 속도이다. 도 13 내지 도 14를 참조하면, 지그(G)의 회전 속도에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 지그(G)의 회전 속도가 빠를수록 세정액의 운동에너지는 증가하여 세정액의 이동 거리가 증가하고, 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점은 상승한다.13 shows a state in which the processing container 650 is cleaned through the upper cleaning nozzle 1210 by rotating the jig G at a speed of V1, and FIG. 14 shows the upper cleaning by rotating the jig G at a speed of V2 A state in which the processing vessel 650 is cleaned through the nozzle 1210 is shown. In one example, V2 is faster than V1. 13 to 14 , the scattering path of the cleaning liquid is different according to the rotational speed of the jig G, and accordingly, the point at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 is changed. In one example, as the rotational speed of the jig G increases, the kinetic energy of the cleaning liquid increases to increase the moving distance of the cleaning liquid, and the point at which the cleaning liquid collides with the inner surface 6621 of the upper wall 670 rises.

상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점에 따라 지그(G)의 회전 속도는 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역 세정을 위해 세정액의 탄착 지점이 지그(G)의 가장 자리영역에 있을 때 다른 영역에서 보다 상대적으로 지그(G)의 회전 속도가 빠르게 제공될 수 있다.The rotation speed of the jig G may be provided differently depending on the impact point of the upper cleaning nozzle 1210 . In one example, for cleaning the upper region of the inner surface 6621 of the upper wall 670, which is difficult to clean, when the impact point of the cleaning liquid is in the edge region of the jig G, the jig G is relatively more difficult to clean than in other regions. The rotation speed of can be provided quickly.

도 15는 하부 세정 노즐(1220)이 지그(G)의 저면에 세정액을 토출하는 모습을 나타낸다. 도 15를 참조하면, 하부 세정 노즐(1220)이 회전하는 지그(G)의 저면에 세정액을 공급하면, 세정액은 지그(G)의 중심 부근과 가장자리 영역으로 확산될 수 있다. 지그(G)에서 가장자리 영역에서 비산된 세정액은 처리 용기(650)의 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌할 수 있다. 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌한 세정액은 하부벽(662)의 외측면(6521)에 부착된 처리액을 제거한다.15 shows a state in which the lower cleaning nozzle 1220 discharges the cleaning liquid to the bottom surface of the jig (G). Referring to FIG. 15 , when the cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the jig G in which the lower cleaning nozzle 1220 rotates, the cleaning liquid may be diffused to the vicinity of the center and the edge area of the jig G. The cleaning liquid scattered from the edge region of the jig G may collide with the outer surface 6521 of the lower wall 662 of the processing container 650 . The cleaning liquid colliding with the outer surface 6521 of the lower wall 662 removes the treatment liquid adhering to the outer surface 6521 of the lower wall 662 .

도 16은 지그(G)를 V1의 속도로 회전시켜 하부 세정 노즐(1220)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타내고, 도 17은 지그(G)를 V2의 속도로 회전시켜 하부 세정 노즐(1220)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. 일 예에서 V2는 V1 보다 빠른 속도이다. 도 16 내지 도 17을 참조하면, 지그(G)의 회전 속도에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 지그(G)의 회전 속도가 빠를수록 세정액의 운동에너지는 증가하여 세정액의 이동 거리가 증가하고, 세정액이 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌하는 타점은 하강한다.16 shows a state in which the processing vessel 650 is cleaned through the lower cleaning nozzle 1220 by rotating the jig G at a speed of V1, and FIG. 17 shows the lower cleaning by rotating the jig G at a speed of V2 A state in which the processing vessel 650 is cleaned through the nozzle 1220 is shown. In one example, V2 is faster than V1. 16 to 17 , the scattering path of the cleaning liquid is different depending on the rotation speed of the jig G, and accordingly, the point where the cleaning liquid collides with the outer surface 6521 of the lower wall 662 is changed. In one example, as the rotational speed of the jig G increases, the kinetic energy of the cleaning liquid increases to increase the moving distance of the cleaning liquid, and the point at which the cleaning liquid collides with the outer surface 6521 of the lower wall 662 is lowered.

하부 세정 노즐(1220)은 상부 세정 노즐(1210)과 마찬가지로 세정액의 탄착 지점에 따라 지그(G)의 회전 속도는 상이하게 제공될 수 있다. Like the upper cleaning nozzle 1210 , the lower cleaning nozzle 1220 may provide a different rotational speed of the jig G according to the impact point of the cleaning liquid.

본 발명에 따르면, 지그(G)에서 비산되는 세정액의 경로를 상이하게 제공함에 따라 처리 용기(650)의 상부벽(670)의 내측면(6621)과 하부벽(662)의 외측면(6521)의 전 영역에서 처리액이 깨끗이 씻겨 나가는 이점이 있다.According to the present invention, the inner surface 6621 of the upper wall 670 of the processing vessel 650 and the outer surface 6521 of the lower wall 662 of the processing vessel 650 differently provide paths for the cleaning liquid scattered from the jig G. There is an advantage that the treatment liquid is washed cleanly in the entire area.

본 발명에 따르면, 기판(W) 처리 단계에서 처리되는 기판(W)과 용기 세정 단계에서 사용되는 지그(G)는 같은 크기를 가질 수 있다. 이에 기판(W)에 따라 설정된 기판(W) 처리 장치의 시스템을 변화하지 않고, 처리 용기(650)의 세정 영역을 크게 할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, the substrate W processed in the substrate W processing step and the jig G used in the container cleaning step may have the same size. Accordingly, there is an advantage that the cleaning area of the processing vessel 650 can be enlarged without changing the system of the substrate W processing apparatus set according to the substrate W.

상술한 예에서는 지그(G)가 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 지그(G)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예컨대, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사질 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부와 외측으로 하향 경사지는 복수의 만입부를 포함할 수 있다. 이에, 지그(G)에 공급되는 세정액은 다양한 방향으로 비산되어 처리 용기(650)의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the jig (G) is provided inclined downwardly toward the outside of the jig (G). However, the shape of the jig (G) is not limited thereto and may be deformed into various shapes. For example, the edge region of the jig (G) may be inclined upwardly outward. In addition, the edge region of the jig G may include a plurality of protrusions inclined upwardly outward and a plurality of indentations inclined downwardly outward. Accordingly, the cleaning liquid supplied to the jig G may be scattered in various directions to efficiently perform cleaning of the processing container 650 .

상술한 예에서는, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)의 세정액 토출 시점이 상이한 것으로 설명하였다. 그러나, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)은 세정액을 동시에 토출할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the cleaning liquid discharge timings of the upper cleaning nozzle 1210 and the lower cleaning nozzle 1220 are different. However, the upper cleaning nozzle 1210 and the lower cleaning nozzle 1220 may simultaneously discharge the cleaning liquid.

다시 도 5를 참조하면, 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring back to FIG. 5 , the transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the X-axis direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer unit 3420 . The transfer unit 3420 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer unit 3420 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버(3800)는 기판(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. A plurality of buffer chambers 3800 are provided. The buffer chamber 3800 may temporarily store the substrate W. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the front end buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer unit 3420 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer unit 3420 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to those of the above, a description thereof will be omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as development chambers for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which a substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the Z-axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16 .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

630: 기판 지지 유닛
1200: 세정 유닛
1210: 상부 세정 노즐
1220: 하부 세정 노즐
G: 지그630: substrate support unit
1200: cleaning unit
1210: upper cleaning nozzle
1220: lower cleaning nozzle
G: Jig

Claims (17)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과;
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와;
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과,
상기 기판 지지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛 및 상기 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지며,
상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되고,
상기 처리 용기는,
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며,
상기 회수 공간은 상부벽, 상기 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상기 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고,
상기 상부벽은 각각 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고
상기 세정액 공급 유닛은,
상기 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 상부 세정 노즐로부터 상기 지그로 토출되는 상기 세정액의 탄착 지점이 상기 지그의 반경 방향을 따라 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되도록 상기 상부 세정 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a processing vessel having a processing space therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid on the substrate supported by the substrate support unit;
a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel;
a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel;
a controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit;
The upper surface of the jig has an inclined surface inclined along the radial direction,
The inclined surface is provided to be inclined downwardly from the center of the jig toward the outside,
The processing vessel,
and a recovery space for recovering the processing liquid supplied to the substrate supported by the support unit;
the recovery space is defined by an upper wall, a lower wall disposed below the upper wall, and a side wall extending downwardly from an outer end of the upper wall;
The upper wall is provided to be inclined downward as it goes away from the support unit, respectively.
The cleaning solution supply unit,
An upper cleaning nozzle for discharging the cleaning liquid to the upper surface of the jig,
The controller is
controlling the upper cleaning nozzle such that an impact point of the cleaning liquid discharged from the upper cleaning nozzle to the jig during cleaning of the processing vessel is changed between the center of the jig and an edge region of the jig along the radial direction of the jig substrate processing equipment. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A longitudinal cross-section of the jig is provided in a triangular shape. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 세정액 공급 유닛은,
상기 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The cleaning solution supply unit,
The substrate processing apparatus further comprising a lower cleaning nozzle for discharging the cleaning liquid to the lower surface of the jig. 삭제delete 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과;
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와;
상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과,
상기 기판 지지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛 및 상기 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지며,
상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되고,
상기 처리 용기는,
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며,
상기 회수 공간은 상부벽, 상기 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상기 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고,
상기 상부벽은 각각 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고
상기 세정액 공급 유닛은,
상기 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 처리액의 종류에 따라 상기 상부 세정 노즐의 탄착 지점을 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 달리하도록 상기 상부 세정 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a processing vessel having a processing space therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid on the substrate supported by the substrate support unit;
a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel;
a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to a jig supported by the substrate support unit during cleaning of the processing vessel;
a controller for controlling the substrate support unit, the processing liquid supply unit, and the cleaning liquid supply unit;
The upper surface of the jig has an inclined surface inclined along the radial direction,
The inclined surface is provided to be inclined downwardly from the center of the jig toward the outside,
The processing vessel,
and a recovery space for recovering the processing liquid supplied to the substrate supported by the support unit;
the recovery space is defined by an upper wall, a lower wall disposed below the upper wall, and a side wall extending downwardly from an outer end of the upper wall;
The upper wall is provided to be inclined downward as it goes away from the support unit, respectively.
The cleaning solution supply unit,
An upper cleaning nozzle for discharging the cleaning liquid to the upper surface of the jig,
The controller is
and controlling the upper cleaning nozzle so that an impact point of the upper cleaning nozzle varies between a center of the jig and an edge region of the jig according to the type of the processing liquid. 제1항,제3항,제5항 그리고 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제어기는,
상기 지그로 상기 세정액이 토출되는 도중에 상기 지그의 회전 속도가 변경되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1, 3, 5 and 7,
The controller is
and controlling the substrate supporting unit to change a rotation speed of the jig while the cleaning liquid is discharged to the jig. 제1항,제3항,제5항 그리고 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 회수 공간에서 상기 처리액을 회수하는 입구는 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 단부와 측방향으로 대향되게 위치되고,
상기 하부벽은 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고,
상기 처리 용기를 세정시에 상기 지지 유닛에 지지된 상기 지그의 외측 단부는 상기 입구에 대향되게 위치되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1, 3, 5 and 7,
An inlet for recovering the treatment liquid in the recovery space is positioned to face an end of the substrate supported by the support unit in a lateral direction,
The lower wall is provided to be inclined downward as it goes away from the support unit,
and an outer end of the jig supported by the support unit is positioned to face the inlet when the processing vessel is cleaned. 제1항,제3항,제5항 그리고 제7항 중 어느 하나에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판 또는 상기 지그를 진공 흡착하는 진공 라인과;
상기 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1, 3, 5 and 7,
The substrate support unit,
a vacuum line for vacuum adsorbing the substrate or the jig;
The substrate processing apparatus further comprising a pressure reducing member for providing a vacuum pressure to the vacuum line. 제1항 또는 제7항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 지그로 세정액을 토출하여 상기 처리 용기를 세정하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1 or 7,
A substrate processing method for cleaning the processing vessel by discharging a cleaning solution with the jig. 제11항에 있어서,
상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
The inclined surface is provided to be inclined downwardly from the center of the jig toward the outside. 제11항에 있어서,
상기 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
The longitudinal cross-section of the jig is a substrate processing method provided in a triangular shape. 삭제delete 제11항에 있어서,
상기 지그의 상면과 상기 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
A substrate processing method for discharging a cleaning solution to an upper surface of the jig and a lower surface of the jig. 삭제delete 제11항에 있어서,
상기 지그로 상기 세정액이 토출되는 도중에 상기 지그의 회전 속도가 변경되는 기판 처리 방법.

12. The method of claim 11,
A substrate processing method in which a rotation speed of the jig is changed while the cleaning liquid is discharged to the jig.
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