KR20150016076A

KR20150016076A - 분립체 처리 장치

Info

Publication number: KR20150016076A
Application number: KR1020140018162A
Authority: KR
Inventors: 류헤이 노; 카츠아키 호야마
Original assignee: 주식회사 카와타
Priority date: 2013-08-02
Filing date: 2014-02-18
Publication date: 2015-02-11
Also published as: CN104339471A; JP2015030191A; CN104339471B

Abstract

제1 저장조에서의 분립체의 흡습을 억제하여 건조 전의 분립체의 초기 수분율을 억제할 수 있는 분립체 처리 장치를 제공한다.
이 분립체 처리 장치(1)는 제1 저장조(10), 제2 저장조(20) 및 양(兩) 조를 연결하는 반송관(30)을 갖는다. 또한, 이 분립체 처리 장치(1)는 제1 저장조(10) 내에 직접 또는 반송관(30)을 통하여 불활성 가스를 도입하는 제1 가스 도입부(60)를 갖는다. 이 때문에 제1 저장조(10) 내에 불활성 가스를 강제적으로 도입하고, 제1 저장조(10) 내로의 외기의 침입을 억제할 수 있다. 이에 의해 제1 저장조(10)에서의 분립체(9)의 흡습을 억제하고, 건조 전의 분립체(9)의 초기 수분율을 억제할 수 있다. 그 결과, 제2 저장조(20) 내에서 분립체(9)의 수분율을 목표로 하는 수분율까지 저하시킬 수 있다.

Description

분립체 처리 장치{POWDERED OR GRANULAR PROCESSING UNIT}

본 발명은, 분체(powder) 또는 입체(granular)로 이루어지는 재료(이하 「분립체」라고 칭함)의 수분율을 관리하면서, 후속의 장치에 분립체를 공급하는 분립체 처리 장치에 관한 것이다.

종래, 플라스틱 제품의 성형 공정에서는 수지 펠릿 등의 분립체를 저장조 내에 저장하여 건조시켜서, 건조 후의 분립체를 사출 성형기에 공급하는 분립체 처리 장치가 사용된다. 이런 종류의 분립체 처리 장치에서는 제1 저장조에 투입된 분립체를, 반송관을 통하여 하류측의 제2 저장조에 반송한다. 그리고, 제2 저장조 내에 가열된 기체를 공급함에 의해, 분립체를 건조시킨다.

종래의 분립체 처리 장치에 관해서는 예를 들면 특허 문헌 1에 기재되어 있다.

특허 문헌 1 : 일본 특개평7-68552호 공보

종래의 분립체 처리 장치에서는 제1 저장조에의 분립체의 투입시에 제1 저장조의 내부에 외기가 혼입된다. 또한, 분립체의 투입 후에도, 제1 저장조의 덮개부의 간극 등으로부터, 제1 저장조 내로 외기가 침입하는 경우가 있다. 이 때문에 제1 저장조 내의 분립체에 습도가 높은 외기가 접촉하고, 그에 의해, 건조 전의 분립체의 초기 수분율이 높아질 우려가 있다. 또한, 분립체의 초기 수분율이 너무 높으면, 제2 저장조에서, 분립체의 수분율을 목표로 하는 수분율까지 저하시킬 수가 없는 또는 극단적으로 긴 건조시간이 필요하게 되는 경우가 있다.

본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 제1 저장조에서의 분립체의 흡습을 억제하여, 건조 전의 분립체의 초기 수분율을 억제할 수 있는 분립체 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본원의 제1 발명은, 분립체 처리 장치로서, 분립체를 저장하는 제1 저장조와, 상기 제1 저장조보다 반송 방향 하류측에서, 분립체를 건조시키는 제2 저장조와, 상기 제1 저장조와 제2 저장조를 연결하는 반송관과, 상기 제1 저장조 내에 직접 또는 상기 반송관을 통하여 불활성 가스를 강제적으로 도입하는 제1 가스 도입부를 구비한다.

본원의 제2 발명은, 제1 발명의 분립체 처리 장치로서, 상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 불활성 가스에 의해, 상기 제1 저장조 내의 대기압이 외기압보다 높아진다.

본원의 제3 발명은, 제1 발명 또는 제2 발명의 분립체 처리 장치로서, 상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 불활성 가스에 의해, 상기 반송관 내의 대기압이 외기압보다 높아진다.

본원의 제4 발명은, 제1 발명부터 제3 발명까지의 어느 하나의 분립체 처리 장치로서, 상기 반송관에 접속된 순환 라인을 더 가지며, 상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 불활성 가스가 상기 순환 라인에서 순환된다.

본원의 제5 발명은, 제1 발명부터 제4 발명까지의 어느 하나의 분립체 처리 장치로서, 상기 제2 저장조로부터 분립체를 배출하는 배출관과, 상기 배출관 내에 불활성 가스를 도입하는 제2 가스 도입부를 더 구비한다.

본원의 제6 발명은, 제1 발명부터 제5 발명까지의 어느 하나의 분립체 처리 장치로서, 상기 제1 저장조는 상부에 개구를 갖는 바닥이 있는 통형상의 저장조 본체와, 상기 저장조 본체의 상기 개구를 폐쇄하는 덮개부를 가지며, 상기 제1 가스 도입부는 상기 저장조 본체에 접속된 가스 도입 배관을 갖는다.

본원의 제7 발명은, 제1 발명부터 제6 발명까지의 어느 하나의 분립체 처리 장치로서, 상기 반송관 내에 상기 제1 저장조로부터 상기 제2 저장조를 향하는 기류를 발생시키는 기류 발생 수단을 더 갖는다.

본원의 제1 발명 내지 제7 발명에 의하면, 제1 저장조 내에 불활성 가스를 강제적으로 도입함으로써, 제1 저장조 내로 외기가 침입하는 것을 억제한다. 이에 의해, 제1 저장조에서의 분립체의 흡습을 억제하고, 건조 전의 분립체의 초기 수분율을 억제할 수 있다. 그 결과, 제2 저장조 내에 있어서, 분립체의 수분율을 목표로 하는 수분율까지 저하시킬 수 있다.

특히, 본원의 제2 발명에 의하면, 제1 저장조 내로의 외기의 침입을 보다 억제할 수 있다.

특히, 본원의 제3 발명에 의하면, 반송관 내로의 외기의 침입을 억제할 수 있다. 이 때문에 반송관 내에서의 분립체의 흡습이 억제된다.

특히, 본원의 제4 발명에 의하면, 기체를 순환시킴에 의해, 반송관 내의 기체의 습도 및 산소 농도를, 낮은 상태로 유지할 수 있다. 따라서 반송관 내에서의 분립체의 흡습을 보다 억제할 수 있다.

특히, 본원의 제5 발명에 의하면, 배출관 내에 불활성 가스를 도입함에 의해, 건조 처리 후의 분립체의 흡습 및 산화를 방지할 수 있다.

특히, 본원의 제6 발명에 의하면, 덮개부를 개방한 상태에서도, 가스 도입 배관으로부터 저장조 본체의 내부에 불활성 가스를 도입할 수 있다. 따라서 덮개부를 개방하고 저장조 본체의 내부에 분립체를 투입할 때에 저장조 본체의 내부에 외기가 혼입되는 것을 억제할 수 있다.

특히, 본원의 제7 발명에 의하면, 제1 저장조 내에 불활성 가스를 도입함으로써, 제1 저장조 내의 압력 저하를 억제한다. 이 때문에 제1 저장조와 제2 저장조를 연결하는 반송관에 있어서 분립체를 기력(氣力) 반송하고, 또한, 제1 저장조 내로의 외기의 침입을 억제할 수 있다.

도 1은 분립체 처리 장치의 구성을 도시한 도면.
도 2는 분립체 처리 장치의 제어계의 구성을 도시하는 블록도.
도 3은 분립체 처리 장치에서의 처리의 한 예를 도시한 플로 차트.
도 4는 건조 처리시의 수지 펠릿의 수분율의 변화의 예를 도시한 그래프.
도 5는 변형예에 관한 분립체 처리 장치의 구성을 도시한 도면.
도 6은 변형예에 관한 분립체 처리 장치의 구성을 도시한 도면.
도 7은 변형예에 관한 분립체 처리 장치의 구성을 도시한 도면.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해 도면을 참조하면서 설명한다.

<1. 분립체 처리 장치의 구성>

도 1은, 본 발명의 한 실시 형태에 관한 분립체 처리 장치(1)의 구성을 도시한 도면이다. 이 분립체 처리 장치(1)는 분립체인 수지 펠릿(9)을 건조시켜서, 건조 후의 수지 펠릿(9)을 후속의 사출 성형기(2)에 공급하는 장치이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 분립체 처리 장치(1)는 제1 저장조(10), 제2 저장조(20), 반송관(30), 반송용 순환 라인(40), 건조용 순환 라인(50), 제1 가스 도입부(60), 제2 가스 도입부(70) 및 제어부(80)를 갖는다.

제1 저장조(10)는 건조 전의 수지 펠릿(9)을 내부에 저장하는 용기이다. 제1 저장조(10)는 상부에 개구(110)를 갖는 바닥이 있는 원통형상의 저장조 본체(11)와, 저장조 본체(11)의 상부에 재치된 덮개부(12)를 갖는다. 저장조 본체(11)는 개략 원통형상의 측벽(111)과, 측벽(111)의 하단부로부터 하방을 향함에 따라 서서히 수속(收束)하는 깔때기형상의 저부(112)를 갖는다. 저장조 본체(11)의 내부에는 수지 펠릿(9)을 저장하기 위한 공간이 마련되어 있다. 덮개부(12)는 저장조 본체(11)의 상부의 개구(110)를 폐쇄한다. 또한, 덮개부(12)를 떼어내면, 저장조 본체(11)의 상부가 개방되고, 개구(110)를 통하여 저장조 본체(11)의 내부에 수지 펠릿(9)을 투입할 수 있다.

제2 저장조(20)는 제1 저장조(10)보다 반송 방향 하류측에서, 수지 펠릿(9)을 내부에 저장하는 용기이다. 제2 저장조(20)는 개략 원통형상의 측벽(21)과, 측벽(21)의 하단부로부터 하방을 향함에 따라 서서히 수속하는 깔때기형상의 저부(22)와, 제2 저장조(20)의 상부를 덮는 천판부(23)를 갖는다. 제2 저장조(20)의 내부에는 수지 펠릿(9)을 저장하여 건조시키기 위한 공간이 마련되어 있다.

제2 저장조(20)의 상부에는 반송 호퍼(24)가 마련되어 있다. 반송 호퍼(24)는 제2 저장조(20)로의 수지 펠릿(9)의 공급시에 수지 펠릿(9)을 일시적으로 수용하는 용기이다. 반송 호퍼(24)는 제2 저장조(20)의 천판부(23)에 마련된 개폐 가능한 투입구(231)를 통하여 제2 저장조(20)와 접속되어 있다. 또한, 반송 호퍼(24)의 측부에는 반송관(30)의 하류측의 단부가 접속되어 있다.

한편, 제2 저장조(20)의 하부에는 제2 저장조(20)로부터 수지 펠릿(9)을 배출하기 위한 배출관(25)이 접속되어 있다. 배출관(25)은 제2 저장조(20)의 저부(22)에 마련된 배출구(221)로부터, 하방을 향하여 늘어나 있다. 배출관(25)의 하류측의 단부는 사출 성형기(2)에 접속된다. 또한, 배출관(25)에는 밸브체(261)의 이동에 의해 배출구(221)의 개폐를 전환하는 배출밸브(26)가 마련되어 있다. 밸브체(261)는, 배출구(221)를 폐쇄하는 상태와, 배출관(25)의 측부에 마련된 퇴피 공간(262)에 퇴피하여 배출구(221)를 개방하는 상태의 사이에서 진퇴 이동 가능하게 되어 있다.

반송관(30)은, 제1 저장조(10)와 제2 저장조(20)의 사이에서, 수지 펠릿(9)을 반송하기 위한 배관이다. 반송관(30)의 반송 방향 상류측의 단부는 제1 저장조(10)의 저부(112)에 마련된 배출구(113)에 접속되어 있다. 한편, 반송관(30)의 반송 방향 하류측의 단부는 반송 호퍼(24)의 측부에 접속되어 있다. 즉, 제1 저장조(10)와 제2 저장조(20)는 반송관(30) 및 반송 호퍼(24)에 의해 연결되어 있다. 제1 저장조(10)로부터 배출된 수지 펠릿(9)은, 반송관(30) 내에 생기는 기류에 의해, 반송 호퍼(24)에 반송된다.

반송용 순환 라인(40)은, 반송관(30) 내에 반송 호퍼(24)측을 향하는 기류를 발생시키기 위해, 기체를 순환시키는 배관계이다. 반송용 순환 라인(40)의 한쪽의 단부는 반송 호퍼(24)의 상부에 접속되어 있다. 또한, 반송용 순환 라인(40)의 다른 쪽의 단부는 반송관(30)에 접속되어 있다. 반송용 순환 라인(40)과 반송 호퍼(24)와의 접속부에는 펀칭 메탈 플레이트(241)가 마련되어 있다. 펀칭 메탈 플레이트(241)는 수지 펠릿(9)의 통과를 규제함과 함께, 공기의 통과를 허용하는 복수의 관통구멍을 갖는다. 또한, 반송용 순환 라인(40)의 경로 도중에는 필터(41) 및 반송 블로어(42)가 마련되어 있다.

반송 블로어(42)를 동작시키면, 도 1 중에 화살표(A1)로 도시한 바와 같이, 반송용 순환 라인(40)에 반송 호퍼(24)로부터 반송관(30)을 향하는 기류(氣流)가 발생한다. 그러면, 도 1 중에 화살표(A2)로 도시한 바와 같이, 반송관(30)의 내부에 제1 저장조(10)로부터 반송 호퍼(24)를 향하는 기류가 발생한다. 제1 저장조(10)로부터 배출된 수지 펠릿(9)은, 당해 기류에 의해, 반송 호퍼(24)로 기력 반송된다.

또한, 반송 호퍼(24)로부터 반송용 순환 라인(40)에 흡입된 미세한 분진은, 필터(41)에 포집된다. 또한, 반송 호퍼(24)로부터 반송용 순환 라인(40)으로의 수지 펠릿(9)의 이동은, 펀칭 메탈 플레이트(241)에 의해 차단된다. 이 때문에 수지 펠릿(9)은, 반송용 순환 라인(40)측으로 유입되는 일 없이 반송 호퍼(24) 내에 저장된다.

반송 호퍼(24) 내에 수지 펠릿(9)이 저장된 후, 기력 반송을 정지하고, 투입구(231)를 자동적으로 개방하면, 반송 호퍼(24)로부터 투입구(231)를 통하여 제2 저장조(20) 내에 수지 펠릿(9)이 투입된다. 이와 같이, 제1 저장조(10)로부터 제2 저장조(20)로의 수지 펠릿(9)의 기력 반송과, 투입구(231)의 개방을 반복함에 의해 제2 저장조(20) 내에 수지 펠릿(9)이 저장된다.

건조용 순환 라인(50)은, 제2 저장조(20) 내에 건조용의 열풍을 공급하기 위해, 기체를 순환시키는 배관계이다. 건조용 순환 라인(50)의 한쪽의 단부는 제2 저장조(20)의 천판부(23)에 마련된 흡인구(232)에 접속되어 있다. 건조용 순환 라인(50)의 다른 쪽의 단부는 제2 저장조(20)의 측벽(21)을 관통하고, 제2 저장조(20)의 내부에 배치된 취출구(54)에 접속되어 있다. 또한, 건조용 순환 라인(50)의 경로 도중에는 필터(51), 건조 블로어(52) 및 히터(53)가 마련되어 있다.

건조 블로어(52)를 동작시키면, 도 1 중에 화살표(A3)로 도시한 바와 같이, 건조용 순환 라인(50)에 흡인구(232)로부터 취출구(54)를 향하는 기류가 발생한다. 제2 저장조(20)로부터 건조용 순환 라인(50)에 흡입된 미세한 분진은, 필터(51)에 포집된다. 또한, 필터(51)를 통과한 기체는 히터(53)에서 가열됨에 의해 열풍이 된다. 그리고, 당해 열풍이, 취출구(54)로부터 제2 저장조(20)의 내부로 분출된다. 또한, 필터(51)와 히터(53)와의 사이에 기체 중에 포함되는 수분을 흡착한 흡착기가 마련되어 있어도 좋다.

취출구(54)로부터 취출된 열풍은, 제2 저장조(20)의 내부에 저장된 수지 펠릿(9)의 간극을 통과하여 제2 저장조(20) 내로 확산된다. 이에 의해, 수지 펠릿(9)이 가열되고, 수지 펠릿(9)으로부터 수분이 증발하여 수지 펠릿(9)이 건조한다. 즉, 제2 저장조(20) 내로 확산한 기체가 수지 펠릿(9)으로부터 수분을 흡수한다. 또한, 취출구(54)로부터 취출된 열풍과 동량의 흡습된 기체가 제2 저장조(20)로부터 흡인구(232)를 통과하여 재차 건조용 순환 라인(50)에 흡인된다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는 건조용 순환 라인(50)이, 제2 저장조(20) 내의 수지 펠릿(9)을 건조시키는 건조 수단으로서 기능하고 있다.

제1 가스 도입부(60)는 제1 저장조(10) 내에 불활성 가스인 질소 가스를 도입하기 위한 기구이다. 제1 가스 도입부(60)는 질소 가스 발생기(61) 및 가스 도입 배관(62)을 갖는다. 가스 도입 배관(62)의 상류측의 단부는 질소 가스 발생기(61)에 접속되어 있다. 가스 도입 배관(62)의 하류측의 단부는 저장조 본체(11)의 측벽(111)에 마련된 도입구(114)에 접속되어 있다. 또한, 가스 도입 배관(62)의 경로 도중에는 개폐밸브(63)가 마련되어 있다. 또한, 개폐밸브(63)가 생략되고, 그에 대신하여 유량 조절 밸브가 마련되어 있어도 좋다.

질소 가스 발생기(61)는 외기압 및 제1 저장조(10) 내의 기압보다 양압(陽壓)의, 건조한 질소 가스를 발생시킨다. 이 때문에 개폐밸브(63)를 개방하면, 질소 가스 발생기(61)로부터 가스 도입 배관(62)을 통과하여 제1 저장조(10)의 내부에 양압의 질소 가스가 공급된다. 즉, 제1 저장조(10)의 내부에 질소 가스가 강제적으로 도입된다. 그러면, 당해 질소 가스에 의해, 제1 저장조(10) 내의 기압이, 외기압보다 높아진다. 따라서 제1 저장조(10)의 내부에 외기가 침입하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 제1 저장조(10) 내에 저장된 수지 펠릿(9)의 흡습을 억제할 수 있다.

특히, 이 분립체 처리 장치(1)에서는 가스 도입 배관(62)의 하류측의 단부가 덮개부(12)가 아니라, 저장조 본체(11)에 접속되어 있다. 이 때문에 제1 저장조(10)의 덮개부(12)를 떼어낸 상태에서도, 가스 도입 배관(62)으로부터 저장조 본체(11)의 내부에 질소 가스를 도입할 수 있다. 예를 들면, 저장조 본체(11)에 수지 펠릿(9)을 투입할 때에 가스 도입 배관(62)으로부터 저장조 본체(11)의 내부에 질소 가스를 계속 도입할 수 있다. 이에 의해, 수지 펠릿(9)의 투입시에 개구(110)를 통하여 저장조 본체(11)의 내부에 외기가 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 재료 투입시에 있어서의 수지 펠릿(9)의 흡습을 억제할 수 있다.

또한, 반송관(30)에서 수지 펠릿(9)을 기력 반송하면, 제1 저장조(10) 내의 기체의 일부가 반송관(30)으로 빨려나오게 된다. 이 때문에 제1 저장조(10) 내의 압력이 저하되기 쉽다. 그러나, 이 분립체 처리 장치(1)에서는 제1 저장조(10) 내에 질소 가스를 도입함에 의해 제1 저장조(10) 내의 압력 저하를 억제할 수 있다. 따라서 수지 펠릿(9)을 기력 반송하면서, 제1 저장조(10) 내로 외기가 침입하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 제1 저장조(10) 내에 저장된 수지 펠릿(9)의 흡습을 보다 억제할 수 있다.

제2 가스 도입부(70)는 배출관(25) 내에 불활성 가스인 질소 가스를 도입하기 위한 기구이다. 제2 가스 도입부(70)는 질소 가스 발생기(71) 및 가스 도입 배관(72)을 갖는다. 가스 도입 배관(72)의 상류측의 단부는 질소 가스 발생기(71)에 접속되어 있다. 가스 도입 배관(72)의 하류측의 단부는 배출관(25)의 측부에 마련된 퇴피 공간(262)에 접속되어 있다. 또한, 가스 도입 배관(72)의 경로 도중에는 개폐밸브(73)가 마련되어 있다. 또한, 개폐밸브(73)가 생략되고, 그에 대신하여 유량 조절 밸브가 마련되어 있어도 좋다.

질소 가스 발생기(71)는 외기압 및 배출관(25) 내의 기압보다 양압의, 건조한 질소 가스를 발생시킨다. 이 때문에 개폐밸브(73)를 개방하면, 질소 가스 발생기(71)로부터 가스 도입 배관(72)을 통과하여 배출관(25)의 내부에 양압의 질소 가스가 공급된다. 즉, 배출관(25)의 내부에 질소 가스가 강제적으로 도입된다. 그러면, 당해 질소 가스에 의해 배출관(25) 내의 기압이 외기압 및 사출 성형기(2) 내의 압력보다 높아진다. 따라서 사출 성형기(2) 내의 기체가 배출관(25)으로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제2 저장조(20) 내에서 건조된 수지 펠릿(9)이, 배출관(25)의 내부에서 흡습 및 산화하는 것을 억제할 수 있다.

특히, 배출관(25) 내의 온도는 열풍이 공급되는 제2 저장조(20) 내의 온도보다도 낮다. 이 때문에 제2 저장조(20)로부터 배출관(25)에 배출된 수지 펠릿(9)은, 온도의 저하와 함께 수분 및 다른 기체 성분을 흡수하기 쉽다. 그러나, 이 분립체 처리 장치(1)에서는 제2 가스 도입부(70)로부터 배출관(25)에 건조된 질소 가스를 도입함으로써, 배출관(25) 내의 습도 및 산소 농도를 저하시킨다. 이에 의해 건조 처리 후의 수지 펠릿(9)의 흡습 및 산화를 억제한다.

본 실시 형태의 분립체 처리 장치(1)에서는 제1 저장조(10)로부터 반송관(30), 반송 호퍼(24) 및 제2 저장조(20)를 경유하여 배출관(25)에 이르는 수지 펠릿(9)의 반송 경로가 개략 밀폐계로 되어 있다. 제1 가스 도입부(60)로부터 질소 가스를 계속 도입하면, 당해 질소 가스는 제1 저장조(10)의 내부에 충전됨과 함께, 반송관(30)에 유입되어, 반송관(30) 및 반송용 순환 라인(40)에서 순환된다. 또한, 제2 가스 도입부(60)로부터 질소 가스를 계속 도입하면, 당해 질소 가스는 배출관(25)의 내부에 충전됨과 함께, 제2 저장조(20)에 유입되어, 제2 저장조(20) 및 건조용 순환 라인(50)에서 순환된다. 그 결과, 제1 저장조(10)로부터 반송관(30), 반송 호퍼(24) 및 제2 저장조(20)를 경유하여 배출관(25)에 이르는 수지 펠릿(9)의 반송 경로 전체가 양압의 질소 가스로 채워진다. 이에 의해 외기의 습도나 온도의 영향을 억제하여 수지 펠릿(9)의 수분율 및 산화량을 장치 전체로서 억제할 수 있다.

도 2는 분립체 처리 장치(1)의 제어계의 구성을 도시하는 블록도이다. 제어부(80)는 분립체 처리 장치(1)의 각 부분을 동작 제어하기 위한 수단이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 제어부(80)는 상술한 배출밸브(26), 반송 블로어(42), 건조 블로어(52), 히터(53), 개폐밸브(63) 및 개폐밸브(73)와, 각각 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(80)는 CPU 등의 연산 처리부나 메모리를 갖는 컴퓨터에 의해 구성되어 있어도 좋고, 또는 전자 회로에 의해 구성되어 있어도 좋다. 제어부(80)는 미리 설정된 프로그램이나 외부로부터의 입력 신호에 의거하여 상기한 각 부분을 동작 제어한다. 이에 의해 분립체 처리 장치(1)에서의 수지 펠릿(9)의 처리가 진행한다.

또한, 배출밸브(26), 개폐밸브(63) 및 개폐밸브(73)에 관해서는 제어부(80)로부터 분리하여 유저가 수동으로 개폐 조작을 행하도록 하여도 좋다.

<2. 분립체 처리 장치의 동작>

계속해서, 상술한 분립체 처리 장치(1)에서의 수지 펠릿(9)의 처리에 관해, 설명한다. 도 3은, 분립체 처리 장치(1)에서의 처리의 한 예를 도시한 플로 차트이다.

이 분립체 처리 장치(1)에서, 수지 펠릿(9)을 처리할 때에는 우선, 제1 저장조(10)로부터 반송관(30), 반송 호퍼(24) 및 제2 저장조(20)를 경유하여 배출관(25)에 이르는 수지 펠릿(9)의 반송 경로 전체에 질소 가스를 충전한다(스텝 S1). 구체적으로는 개폐밸브(63)를 개방하여, 제1 가스 도입부(60)로부터 제1 저장조(10) 내에 질소 가스를 도입함과 함께, 개폐밸브(73)를 개방하여, 제2 가스 도입부(70)로부터 배출관(25) 내에 질소 가스를 도입한다. 이에 의해 제1 저장조(10), 반송관(30), 반송 호퍼(24), 제2 저장조(20) 및 배출관(25) 내의 공기가 질소 가스로 치환된다.

다음에 제1 저장조(10) 내에 수지 펠릿(9)을 투입한다(스텝 S2). 즉, 제1 저장조(10)의 덮개부(12)를 떼어내고, 저장조 본체(11)의 개구(110)를 통하여 저장조 본체(11) 내에 수지 펠릿(9)을 투입한다. 이 때, 제1 가스 도입부(60)로부터의 질소 가스의 공급은 계속되고 있다. 이 때문에 저장조 본체(11) 내로의 외기의 혼입은 억제된다. 또한, 저장조(10) 내로 투입된 수지 펠릿(9)은, 곧바로 건조한 질소 가스의 분위기하에 놓여진다. 이에 의해 수지 펠릿(9)의 흡습이 억제된다.

수지 펠릿(9)의 투입이 완료되면, 재차 덮개부(12)를 재치하여 저장조 본체(11)의 개구(110)를 폐쇄한다. 그리고, 반송 블로어(42)를 동작시켜서, 반송용 순환 라인(40) 및 반송관(30)에 질소 가스의 기류를 발생시킨다. 그러면, 제1 저장조(10)의 하부로부터 배출된 수지 펠릿(9)이, 반송관(30)을 통과하여 반송 호퍼(24)에 기력 반송된다(스텝 S3). 이 때, 반송관(30)의 내부는 양압의 질소 가스로 채워저 있다. 이 때문에 기력 반송 중에 있어서의 수지 펠릿(9)의 흡습이 억제된다.

반송 호퍼(24)에 저장된 수지 펠릿(9)은, 제2 저장조(20)의 투입구(231)가 개방됨에 의해 제2 저장조(20) 내로 투입된다. 그리고, 제2 저장조(20)의 내부에서, 수지 펠릿(9)의 건조 처리가 행하여진다(스텝 S4). 구체적으로는 건조 블로어(52) 및 히터(53)를 동작시킴에 의해 취출구(54)로부터 제2 저장조(20)의 내부에 질소 가스의 열풍이 공급된다. 이에 의해 수지 펠릿(9)으로부터 수분이 증발하고, 수지 펠릿(9)의 수분율이 목표치까지 저하된다.

소정 시간의 건조 처리가 종료되면, 배출밸브(26)가 개방된다. 이에 의해 제2 저장조(20)로부터 배출관(25)을 통과하여 사출 성형기(2)에 수지 펠릿(9)이 배출된다(스텝 S5). 이 때, 배출관(25) 내의 수지 펠릿(9)의 온도는 스텝 S4의 건조시보다 저하된다. 그러나, 제2 가스 도입부(70)로부터 배출관(25)에의 질소 가스의 도입에 의해 배출관(25)의 내부가 질소 가스로 채워져 있다. 이 때문에 건조 후의 수지 펠릿(9)에 재차 수분 및 다른 기체 성분이 흡착하는 것은 억제된다.

이상과 같이, 이 분립체 처리 장치(1)에서는 제1 저장조(10)에 질소 가스를 공급함에 의해 수지 펠릿(9)의 흡습을 억제한다. 즉, 건조 전의 수지 펠릿(9)의 초기 수분율을 예비적으로 관리한다. 그 후, 제2 저장조(20) 내에서 수지 펠릿(9)을 건조시킴에 의해 수지 펠릿(9)의 수분율을 목표치까지 저하시킨다. 이에 의해 외기의 습도나 온도의 영향을 억제하고, 수지 펠릿(9)의 수분율을 정밀도 좋게 관리한다. 또한, 수지 펠릿(9)의 산화도 억제할 수 있다.

도 4는 제2 저장조(20)에서의 건조 처리를 행할 때의, 수지 펠릿(9)의 수분율의 변화의 예를 도시한 그래프이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 제2 저장조(20) 내에서 건조 처리가 진행되면, 건조시간의 경과와 함께 수지 펠릿(9)의 수분율이 저하된다. 따라서 도 4 중의 곡선(C1, C2)과 같이, 초기 수분율이 억제된 수지 펠릿(9)에 대해서는 목표가 되는 수분율(P)까지 저하시킬 수 있다. 그러나, 도 4 중의 곡선(C3)과 같이, 초기 수분율이 너무 높으면, 목표가 되는 수분율(P)까지 도달시킬 수가 없다, 또는 극단적으로 긴 건조시간이 필요하게 되는 경우가 있다.

이 점, 본 실시 형태의 분립체 처리 장치(1)에서는 상술한 바와 같이, 제1 저장조(10)에서, 건조 전의 수지 펠릿(9)의 흡습을 억제할 수 있다. 이에 의해 수지 펠릿(9)의 초기 수분율을 억제할 수 있다. 따라서 도 4 중의 곡선(C1, C2)과 같이, 수지 펠릿(9)의 수분율을 목표가 되는 수분율(P)까지 안정적으로 저하시킬 수 있다. 즉, 항상 안정된 초기 수분율로 수지 펠릿(9)의 건조를 행할 수가 있기 때문에 건조 후에 도달하는 수분율을 안정화시킬 수 있다.

<3. 변형예>

이상, 본 발명의 한 실시 형태에 관해 설명하였지만, 본 발명은 상기한 실시 형태로 한정되는 것이 아니다.

도 5는 한 변형예에 관한 분립체 처리 장치(1)의 구성을 도시한 도면이다. 도 5의 예에서는 제1 가스 도입부(60)의 가스 도입 배관(62)의 하류측의 단부가 제1 저장조(10)가 아니라, 반송용 순환 라인(40)에 접속되어 있다. 이와 같은 구조라도, 가스 도입 배관(62)으로부터 양압의 질소 가스를 공급하면, 반송용 순환 라인(40), 반송관(30) 및 배출구(113)를 통하여 제1 저장조(10)의 내부에 질소 가스를 강제적으로 도입할 수 있다. 따라서 제1 저장조(10) 내로 외기가 침입하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 가스 도입 배관(62)의 하류측의 단부는 반송용 순환 라인(40)상의 다른 위치에 접속되어 있어도 좋고, 또는 반송관(30)에 접속되어 있어도 좋다.

도 6은, 다른 변형예에 관한 분립체 처리 장치(1)의 구성을 도시한 도면이다. 도 6의 예에서는 반송용 순환 라인(40)이 생략되고, 제2 저장조(20)의 상방에 제1 저장조(10)가 배치되어 있다. 그리고, 제1 저장조(10)의 배출구(113)와, 제2 저장조(20)의 투입구(231)가 연직 방향 상하로 늘어나는 반송관(30)에 의해 연결되어 있다. 또한, 반송관(30)에는 배출구(113)의 개폐를 전환한 배출밸브(13)가 마련되어 있다. 제1 저장조(10)로부터 제2 저장조(20)에 수지 펠릿(9)을 반송할 때에는 배출밸브(13)를 동작시켜서 배출구(113)를 개방한다. 이에 의해 반송관(30) 내에서 수지 펠릿(9)을 자유 낙하시킨다.

이와 같은 구조라도, 제1 가스 도입부(60)로부터 제1 저장조(10)의 내부에 양압의 질소 가스를 강제적으로 도입하면, 제1 저장조(10) 내로 외기가 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 제1 저장조(10)에서의 수지 펠릿(9)의 흡습을 억제할 수 있다.

도 7은, 다른 변형예에 관한 분립체 처리 장치(1)의 구성을 도시한 도면이다. 도 7의 예에서는 도 6의 예와 마찬가지로, 제2 저장조(20)의 상방에 반송관(30)을 통하여 제1 저장조(10)가 접속되어 있다. 또한, 도 7의 예에서는 제1 가스 도입부(60)의 가스 도입 배관(62)의 하류측의 단부가 제1 저장조(10)가 아니라, 반송관(30)에 접속되어 있다. 이와 같은 구조라도, 가스 도입 배관(62)으로부터 양압의 질소 가스를 공급하면, 반송관(30) 및 배출구(113)를 통하여 제1 저장조(10)의 내부에 질소 가스를 강제적으로 도입할 수 있다. 따라서 제1 저장조(10) 내로 외기가 침입하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기한 실시 형태에서는 제1 가스 도입부(60) 및 제2 가스 도입부(70)로부터 질소 가스를 도입하고 있지만 질소 가스에 대신하여 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스를 도입하여도 좋다. 또한, 제1 가스 도입부 및 제2 가스 도입부는 분립체 처리 장치의 외부에 마련된 불활성 가스 발생기로부터 불활성 가스를 도입하는 것이라도 좋다.

또한, 본 발명의 분립체 처리 장치는 수지 펠릿 이외의 분립체를 처리 대상으로 하는 것이라도 좋다.

또한, 분립체 처리 장치의 세부의 구성에 관해서는 본원의 도 1, 도 5, 도 6, 또는 도 7에 도시된 구성과 상위하여도 좋다.

또한, 상기한 실시 형태나 변형예에 등장한 각 요소를 모순이 생기지 않는 범위에서 적절하게 조합하여도 좋다.

1 : 분립체 처리 장치 2 : 사출 성형기
9 : 수지 펠릿 10 : 제1 저장조
11 : 저장조 본체 12 : 덮개부
20 : 제2 저장조 24 : 반송 호퍼
25 : 배출관 26 : 배출밸브
30 : 반송관 40 : 반송용 순환 라인
41 : 필터 42 : 반송 블로어
50 : 건조용 순환 라인 51 : 필터
52 : 건조 블로어 53 : 히터
54 : 취출구 60 : 제1 가스 도입부
61 : 질소 가스 발생기 62 : 가스 도입 배관
63 : 개폐밸브 70 : 제2 가스 도입부
71 : 질소 가스 발생기 72 : 가스 도입 배관
73 : 개폐밸브 80 : 제어부

Claims

분립체를 저장하는 제1 저장조와,
상기 제1 저장조보다 반송 방향 하류측에서 분립체를 건조시키는 제2 저장조와,
상기 제1 저장조와 제2 저장조를 연결하는 반송관과,
상기 제1 저장조 내에 직접 또는 상기 반송관을 통하여 불활성 가스를 강제적으로 도입하는 제1 가스 도입부를 구비한 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.
제 1항에 있어서,
상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 불활성 가스에 의해 상기 제1 저장조 내의 기압이 외기압보다 높아지는 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 불활성 가스에 의해 상기 반송관 내의 기압이 외기압보다 높아지는 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 반송관에 접속된 순환 라인을 또한 가지며,
상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 불활성 가스가 상기 순환 라인에서 순환되는 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제2 저장조로부터 분립체를 배출하는 배출관과,
상기 배출관 내에 불활성 가스를 도입하는 제2 가스 도입부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제1 저장조는,
상부에 개구를 갖는 바닥이 있는 통형상의 저장조 본체와,
상기 저장조 본체의 상기 개구를 폐쇄하는 덮개부를 가지며,
상기 제1 가스 도입부는 상기 저장조 본체에 접속된 가스 도입 배관을 갖는 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 반송관 내에 상기 제1 저장조로부터 상기 제2 저장조를 향하는 기류를 발생시키는 기류 발생 수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 분립체 처리 장치.