KR20150010794A

KR20150010794A - 실리콘 수지 제조방법

Info

Publication number: KR20150010794A
Application number: KR1020147035658A
Authority: KR
Inventors: 로버트 엘. 파즈딕; 게리 위버
Original assignee: 다우 코닝 코포레이션
Priority date: 2012-05-23
Filing date: 2013-05-22
Publication date: 2015-01-28
Also published as: CN104321119A; EP2852446A1; WO2013177261A1; JP2015520790A; US20150105529A1

Abstract

개선된 제품 순도를 갖는 실리콘 수지 제조방법을 개시한다. 이 방법은 실리콘 수지 및 불순물을 함유하는 제1 액체를 섬유 번들을 통해 유동시키는 것을 포함하고, 여기서 제1 액체 및 제2 액체는 실질적으로 비혼화성이다.

Description

실리콘 수지 제조방법{PROCESS FOR PREPARING SILICONE RESINS}

실리콘 수지는 각종 주요 상업적 제품에 널리 이용되고 있다. 특히 실리콘 MQ 수지는 박리형 코팅, 감압(pressure sensitive) 접착제, 전자 코팅, 일용품 및 가정용품 등에 광범위하게 이용되고 있으며 이들은 상업적인 응용분야의 일부에 불과하다.

이들의 상업적인 중요성 때문에, 이들의 제조공정을 대규모 생산 방식으로 개선하려는 수차례의 시도가 있었다.

대규모 생산 방식의 실리콘 수지 제조공정에 있어서, 추가적인 개선점을 확인할 필요성이 여전히 존재한다. 특히, 순도는 높고 오염물은 적은 실리콘 수지를 제공하는 공정을 찾는 것이 요구되고 있다.

본 발명자는 개선된 제품 순도를 갖는 실리콘 수지를 제조하는 방법을 발견하였다. 이 방법은 실리콘 수지 및 불순물을 함유하는 제1 액체를 섬유 다발을 통해 유동시키는 것을 수반하며, 여기서 제1 액체 및 제2 액체는 실질적으로 비혼화성이다.

<도 1>
도 1은 본 발명에 따른 실록산 수지로부터 불순물을 제거하는 장치의 다이어그램이다.

본 개시내용은 실리콘 수지의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 방법은:

I) 산성 수성 매질 내에서 알칼리금속 규산염을 중합하여 실리카 하이드로졸을 형성하는 단계,

II) 상기 실리카 하이드로졸을 유기 혹은 실록산 용매를 함유하는 혼합물 중에서 유기실리콘 캡핑 화합물과 반응시켜 실리콘 수지를 형성하는 단계,

III) 선택적으로, 상기 단계 (II)로부터의 혼합물이 수성상 및 실리콘 수지 함유 유기상으로 분리되도록 하는 단계, 및

IV) 상기 실리콘 수지 함유 유기상을, 불순물 제거를 위해;

i) 도관 내에서 길이 방향으로 연장되는 복수의 섬유를 포함하는 섬유 번들을 통해 제1 액체를 유동시키는 것으로써, 여기서 번들은 상류 단부 및 하류 단부를 갖고, 제1 액체는 번들의 상류 단부로부터 하류 단부로 향하는 방향으로 유동하는 단계; 및

ii) 상기 단계 (i)를 지속하면서, 실리콘 수지 함유 유기상 및 불순물을 포함하는 제2 액체를 섬유 번들을 통해 상기 번들의 상류 단부에서 하류 단부 방향으로 유동시킴으로써 상기 불순물의 적어도 일부를 제2 액체에서 제1 액체로 전달하는 작용을 하고, 여기서 제1 액체 및 제2 액체는 실질적으로 비혼화성인 단계에 따라 추가로 처리하는 단계를 포함한다.

본 발명은 실리콘 수지 제조방법을 제공한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "실리콘 수지"는 T 또는 Q 실록시 단위를 함유하는 유기폴리실록산을 말한다. 유기폴리실록산은 독립적으로 (R₃SiO_1/2), (R₂SiO_2/2), (RSiO_3/2), 또는 (SiO_4/2) 실록시 단위 중에서 선택된 실록시 단위를 함유하는 중합체로서, 여기서 R은 임의의 유기기 또는 수소일 수 있다. 이들 실록시 단위는 일반적으로 각각 M, D, T 및 Q 단위로 칭해진다. 이들 실록시 단위는 다양한 방식으로 조합되어 환형, 선형 또는 분지형 구조를 형성할 수 있다. 생성된 중합체 구조의 화학적 특성 및 물리적 특성은 유기폴리실록산 중 실록시 단위의 개수 및 유형에 따라 변한다. "수지" 유기폴리실록산은 일반적으로, 유기폴리실록산을 제조하는데 이용된 실록시 단위의 일부가 T 또는 Q 실록시 단위 중에서 선택될 때, 그 결과로 얻어진다. 일 실시 형태에서, 본 개시내용은 제조된 유기실록산이 필수적으로 M 및 Q 실록시 단위로 구성된 "실리콘 MQ 수지"를 제조하는 방법을 제공한다.

단계 I) 산성 수성매질 내의 알칼리금속 규산염 중합에 의한 실리카 하이드로졸의 형 성

본 방법의 제1 단계는 산성 수성 매질 내에서 알칼리금속 규산염을 중합하여 실리카 하이드로졸을 형성하는 것을 수반한다. 단계 (I)에서 작용한 중합반응은 실리카 하이드로졸을 형성하기 위한 알칼리금속 규산염의 축합반응을 수반한다. 중합반응은 산에 의해 촉매화되며 따라서 이 반응은 산성 수성 매질 내에서 수행된다.

산성 수성 매질 내에서 사용된 알칼리금속 규산염의 양 및 종류는 달라질 수 있다. 알칼리금속은 주기율표 제1 컬럼에 있는 임의의 금속으로서, 예컨대, 리튬, 나트륨, 칼륨 등이 있다. 그러나, 전형적인 알칼리금속은 나트륨이다. 전형적으로, 규산나트륨의 수성 용액을 제일 먼저 조제하며, 이의 SiO₂함량은 5 wt % 내지 75 wt %, 대안적으로 5 wt % 내지 50 wt %, 대안적으로 5 wt % 내지 30 wt %, 대안적으로 5 wt % 내지 25 wt %, 또는 대안적으로, 10 wt % 내지 20 wt %이다.

규산나트륨 수성 용액은 시중에서 구할 수 있으며 이를 본 발명의 방법에 직접 사용될 수 있다. 이들은 종종 "물유리" 용액이라고 칭한다.

산을 규산나트륨 수성 용액과 조합하여 단계 (I)의 반응을 위한 산성 매질을 제공한다. 적절한 산은, 예를 들어, 염산, 질산, 브롬산, 요오드화수소, 황산, 인산, 술폰산 및 카본산 같은 무기산, 예를 들어, 아세트산, 프로피온산, 포름산, 벤조산, 살리실산, 아디프산, 다이카르복실산, 올레산, 팔미트산, 스테아르산 및 페닐스테아르산 등의 유기산, 및 이들 산의 혼합물을 포함한다. 전형적으로, 산은 염산, 황산, 질산, 인산, 술폰산, 브롬산 및 요오드화수소 중 1종 이상을 포함한다. 일 실시 형태에서, 산은 염산을 포함한다.

산은 전형적으로 산 농도가 5 wt% 내지 99 wt%, 대안적으로 5 wt% 내지 40 wt%, 또는 대안적으로, 15 wt% 내지 40 wt%인 수성 용액인 수성 규산나트륨 용액과 조합된다.

충분한 양의 산성 용액을 수성 규산나트륨 용액에 가하여 pH ≤ 3, 대안적으로 pH ≤ 2, 또는 대안적으로 pH ≤ 1인 산성 매질을 제조한다. 전형적으로, 산성 용액의 양은 단계 (I)의 중합반응 후 상기의 pH값을 제공하기에 충분한 양으로 한다.

전형적으로, 규산나트륨 용액과 산 용액을 조합할 때 중합반응이 행해질 것이다.

단계 (I)의 중합반응은 전형적으로 -5℃ 내지 75℃, 대안적으로 0℃ 내지 40℃, 또는 대안적으로 5℃ 내지 30℃ 범위의 온도에서 수행된다.

단계 (I)의 중합반응은 회분식(batch), 반회분식(semi-batch), 연속식, 반연속식 혼련으로 고려되는 혼련기술, 또는 이들 혼련기술의 조합에 의해 실행될 수 있다.

단계 (I)의 중합반응은 EP 1 113 036에 개시된 바와 같이, 반응물을 반응기에 연속으로 공급하고 반응산물을 반응기로부터 연속으로 제거하는 연속공정으로 실행될 수 있다. EP 1 113 036는 단계 (I)에서 유용한 연속 혼련기술의 교시를 위한 참조로서 수록된다. EP 1 113 036는 계량된 규산나트륨 및 희석산의 흐름을 연속적으로 반응기에 공급하는 것에 대해 교시한다.

반응기는 일련의 혼련단으로 이루어진 임의 유형의 반응기일 수 있으며, 예컨대, 플러그 유동 고정식 혼련기형 반응기, 충전 플러그 유동식 반응기, 쉐이벨(Scheibel)형 플러그 유동 컬럼이나 혼합루프형 반응기가 있다. 쉐이벨형 플러그 유동 컬럼이 상기 EP 1 113 036의 교시에서 바람직하다.

규산염 용액과 수성 산성용액의 혼합은 US 특허 제 7,951,895호에 개시된 바와 같이 연속 동적혼련 방식으로 실행될 수 있으며, 이는 단계 (I)에 유용한 혼련기술에 대한 교시로서 본원에 참조로 포함된다. 특히, US 특허 제 7,951,895호의 교시에 따르면, 규산나트륨(B)이 수성상에 포함된 적어도 하나의 흐름(1) 및 산(C)을 함유한 적어도 하나의 흐름(2)이 연속 동적혼련에 따라 혼합되고, 10 kW/㎥ 초과, 바람직하게는 20 kW/㎥초과 및 더욱 바람직하게는, 20 kW/㎥<

<106 kW/㎥ 의 전력밀도(

)를 소모하는 적어도 1개의 고강도 혼련기구(M)를 이용하여, 상기 흐름들을 단일지점에서 서로 접촉시켜 혼합물(3)을 형성하게 된다. 이러한 고강도 혼합기구(M)의 예를 들면, 탄젠트형-분사 혼합기, 자유 분사(즉, 분사시 혼합기 벽과 접촉하지 않는)의 충격으로 작동하는 혼합기, 및 회전자-고정자형 혼합기 등을 포함한다. 고강도 혼합기구(M) 중 하나는 탄젠트형-분사 혼합기이다. 이 경우, 각 반응물의 유량은 서로 정반대 방향으로 다만 약간 상쇄되는 방식으로 혼합기에 도입되는 2개의 흐름으로 분할된다. 반응물의 분사 채널은 입구에서 수 밀리미터 정도의 길이에 걸쳐 소직경 (0.5 내지 5 mm) 을 갖고, 출구 채널은 3 내지 10 mm의 직경을 갖는다.

일 실시 형태에서, 수성 규산나트륨 용액의 유동 흐름은 결과 용액의 pH값을 pH 2 미만, 또는 대안적으로, pH = 0에 가까운 값으로 낮추기에 충분한 속도로 유동하는 수성 염산 용액과 연속방식으로 신속히 혼합된다. 이 실시 형태에서, 수성 규산나트륨 용액은 5 wt % 내지 75 wt %, 대안적으로 5 wt % 내지 25 wt %, 또는 대안적으로 10 wt % 내지 20 wt %의 범위인 SiO₂ 함량을 갖는다. 또한 이 실시 형태에서, 수성 염산 용액은 5 wt% 내지 99 wt%, 대안적으로 5 wt% 내지 35 wt%, 또는 대안적으로 15 wt% 내지 30 wt%의 산 농도를 갖는다.

조합 전에, 수성 규산나트륨 용액 및 염산 용액을 1℃ 내지 20℃의 온도까지 냉각시킬 수 있다.

규산나트륨 용액과 수성 염산 용액의 조합물의 혼합속도는 수성 규산나트륨 용액이 pH 5 내지 8의 국소 농도 범위에 도달할 때까지 걸리는 시간을 최소화 하기에 충분해야 하며, 규산염 용액은 상기의 농도 범위에서 겔화에 가까운 최소 안정도를 갖는다.

수성 규산나트륨 용액과 수성 염산 용액은 폐루프(closed loop) 반응기에서 조합될 수 있다. 전형적으로, 폐루프 반응기는 충분한 체류시간 및 고강도 혼합에너지를 제공할 수 있는 직경 및 길이를 가진 파이프를 포함하여, 수성 규산나트륨 용액과 염산 용액의 신속한 혼합은 pH ≤ 2의 혼합물을 제공할 수 있게 할 것이다. 전형적으로 체류시간은 5초 내지 100초, 대안적으로 5초 내지 30초로 달라진다.

대안적으로, 수성 규산나트륨 용액과 수성 염산 용액은 연속 교반탱크형 반응기(CSTR)에서 조합될 수 있다.

수성 규산나트륨 용액과 수성 염산 용액을 폐루프 반응기나 CSTR에 각각 별개의 흐름으로 공급한 뒤 추후에 반응기에서 혼합하여 조합할 수 있다.

폐루프나 CSTR 내에서 조합된 흐름의 온도는 상술한 온도 범위에 따라 달라질 수 있거나, 대안적으로, 5 내지 30℃의 범위에서 달라질 수 있다.

단계 (I)의 중합반응은 실리카 하이드로졸의 분자량이 원하는 값에 도달할 때까지 수행하도록 한다. 예를 들어, 규산나트륨 용액과 수성 염산 용액을 조합하는데 이용한 것과 동일한 혼련장치에서 중합반응이 수행되도록 할 수 있다 대안적으로, 수성 규산나트륨 용액과 수성 염산 용액을 충분히 혼합하여 결과로 나온 용액의 pH값을 pH 2 미만 또는 대안적으로 pH=0에 가깝게 감소시킨 후에, 별도의 유닛에서 중합반응을 실행할 수 있다. 따라서, 단계 (I)의 중합반응은 연속 플러그 유동 유닛이나 또는 대안적으로 CSTR에서 수행할 수 있다.

단계 (I)의 중합반응은 원하는 분자량의 실리카 하이드로졸을 수득할 때까지 실행되도록 한다. 원하는 분자량은 본 발명의 방법에 따라 제조된 결과물인 실리콘 수지의 분자량을 관측하여 간접적으로 측정할 수 있다. 결과로 나온 실리콘 수지의 분자량은 겔투과 크로마토그래피(GPC) 등 공지의 분석기술로 쉽게 평가할 수 있다. 따라서 다양한 공정 변수, 예컨대, 혼합속도, 수성 산 용액 및 규산염 용액의 농도, 유량, 체류시간, 및 온도를 단계 (I)에서 조정하여 원하는 분자량의 실리카 하이드로졸, 및 후속적으로 실리콘 수지를 제공할 수 있다.

원하는 실리카 하이드로졸 분자량을 달성하면, 형성된 실리카 하이드로졸에 "냉각제"를 가하여 중합반응을 종료할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 냉각제는 단계 (I)의 반응 혼합물에 첨가된 임의의 화합물로서 실리카 하이드로졸의 중합반응을 본질적으로 방해하고 따라서 형성된 산물의 분자량을 제어한다. 냉각제는, 실리카 하이드로졸의 분자량 증가를 무시하거나 유의할 필요가 없도록 단계 (I)의 중합반응의 속도를 충분히 늦출 수 있다. 대안적으로, 냉각제는 중합반응을 완전히 종료시켜 분자량 변화가 일어나지 않도록 할 수 있다. 냉각제는 추가적인 하이드로졸 중합반응을 방해할 수 있는 극성 수용성 유기 화합물일 수 있다. 적절한 냉각제는 유기 알코올, 예를 들어; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 아이소프로판올, n-부탄올, 아이소부탄올일 수 있다. 적절한 냉각제는 또한; 에틸렌글리콜 및 프로필렌글리콜 같은 글리콜류; 예컨대, 아세톤 및 메틸에틸케톤 같은 케톤류, 및 이들의 혼합물일 수 있다. 적절한 냉각제는 또한 아세트산 같은 카르복실산류 및 다이메틸설폭사이드(DMSO) 같은 설폭사이드류를 포함할 수 있다. 냉각제는 수용성 유기 알코올이나 글리콜 또는 이의 혼합물일 수 있다. 전형적으로, 냉각제는 아이소프로판올, 메탄올, 에탄올 또는 이의 혼합물일 수 있다.

냉각제는 단계 (I)의 종결시 (예, 원하는 분자량의 실리카 하이드로졸이 수득될 때) 첨가할 수 있고, 또는 대안적으로 냉각제를 캡핑 반응과 동시에 첨가하기도 한다. 이에 대하여 하기의 단계 (II)에서 상세히 기술한다.

단계 II) 실리카 하이드로졸과 유기 또는 실록산 용매 함유 혼합물 내의 유기실리콘 캡핑 화합물의 반응에 따른 실리콘 수지의 형성

본 방법의 제2 단계는 단계 (I)에서 나온 실리카 하이드로졸을 유기 또는 실록산 용매가 함유된 혼합물 내의 유기실리콘 캡핑 화합물과 반응시켜 실리콘 수지를 형성하는 것을 수반한다. 단계 II)에서 실행된 반응은 실리카 하이드로졸 상에서 실라놀(silanol) 성분의 "렌츠형(Lentz-type)" 캡핑 (Lentz, Charles W., Inorganic Chemistry, 3(4), 1964, 574-579) 으로 생각할 수 있다.

적절한 유기실리콘 캡핑 화합물은 할로, 하이드록실, 알콕시 또는 트라이유기실록시 작용성 실리콘 화합물을 포함한다. 유기실리콘 캡핑 화합물은 다음의 화학식을 갖는 화합물 중에서 선택할 수 있다.

R¹ _nSiX_(4-n)

여기서, R¹은 독립적으로 C₁ ― C₂₀ 하이드로카르빌기 또는 수소이고,

X는 할로겐 원소, -OR², 또는 -OSiR¹ ₃이고,

여기서 R²는 C₁ ― C₆ 알킬기 또는 수소이고,

n은 1, 2 또는 3이고, 대안적으로, n은 2 또는 3이고, 또는 대안적으로, n은 3이다.

상기 화학식에서, R¹은 독립적으로 C₁ ― C₂₀ 하이드로카르빌기 또는 수소이다. 탄화수소기는 독립적으로 알킬, 아릴, 또는 알킬아릴기일 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 하이드로카르빌은 또한 할로겐 치환된 하이드로카르빌을 포함한다. R¹은 C₁ 내지 C₂₀ 아릴기, 예를 들어, 페닐, 나프틸, 안트릴기일 수 있다. 대안적으로, R¹은 페닐일 수 있다. R¹은 C₁ 내지 C₂₀ 알킬기일 수 있으며, 대안적으로 R¹은 C₁ 내지 C₁₂ 알킬기일 수 있다. 대안적으로 R¹은 C₁ 내지 C₆ 알킬기, 예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실일 수 있다. 대안적으로 R¹은 메틸일 수 있다. 또한 상기 화학식에서, X는 염소 같은 할로겐 원자이다. X는 또한 화학식 -OR² 의 기일 수 있으며 여기서 R²는 C₁ ― C₆알킬기 또는 수소 원자이고, 대안적으로 X는 메틸기이다. X는 또한 화학식 -OSiR¹ ₃의 기이고 여기서 R¹은 상기에서 정의된 바와 같다. X는 또한 할로겐 원자, -OR² 또는 -OSiR¹ ₃ 기의 임의의 조합일 수 있다.

일 실시 형태에서, 캡핑제는 트라이메틸클로로실란, 헥사메틸다이실록산 또는 이의 혼합물 중에서 선택된다.

단계 (I)의 실리카 하이드로졸 반응 산물 및 유기실리콘 캡핑 화합물은 유기 혹은 실록산 용매를 함유하는 혼합물 속에서 반응한다. 실리카 하이드로졸, 유기실리콘 캡핑제 및 용매의 첨가 순서는 다를 수 있으며 중요하지 않다. 용매는 단계 (I)의 완료시 실리카 하이드로졸에 첨가할 수 있다.

단계 (II)의 캡핑 반응에 사용하기 적절한 용매는는 메탄올, 에탄올 또는 아이소프로판올 같은 수용성 알코올을 포함한다.

단계 (II)의 캡핑 반응에 사용하기 적절한 유기 또는 실록산 용매는 또한 원하는 실리콘 수지 산물이 용해되는 용매를 포함한다. 대표적인 예를 들면; 헥사메틸다이실록산, 톨루엔, 자일렌, 헵탄, 옥탄 및 아이소도데칸과 같은 선형 및 분지형 하이드로카본, 및 이들의 혼합물을 포함한다.

어떤 경우, 냉각제는 단계 (II)의 용매를 포함하는 것으로 생각할 수 있다. 예를 들어, 아이소프로판올 같은 수용성 유기 알코올은 단계 (II)의 용매이면서 한편으로는 단계 (I)의 중합반응을 위한 냉각제 역할을 하는 것으로 생각할 수 있다.

또 다른 경우, 캡핑 화합물은 단계 (II)의 용매를 포함하는 것으로 생각할 수 있다. 예를 들어, 헥사메틸다이실록산은 유기실리콘 캡핑제이면서 동시에 단계 (II)의 반응을 위한 용매 작용을 하는 것으로 생각할 수 있다.

본 발명에서 사용하기 적절한 캡핑 화합물의 양은 원하는 캡핑 정도, 선택된 특정 캡핑 화합물, 및 단계 (I)의 반응에서 형성된 실리카 하이드로졸의 양에 따라 달라진다. 전형적으로, 단계 (II)에서 첨가된 캡핑 화합물의 양은

하이드로졸에 함유된 SiO₂ 단위 1 몰당 0.1 몰 내지 4 몰의 M 실록시 단위,`대안적으로, 0.5 몰 내지 3.5 몰의 M 실록시 단위, 또는 대안적으로 0.6 몰 내지1.0 몰의 M 실록시 단위를 제공하기에 충분한 양으로 첨가된다.

단계 (II)의 캡핑 반응은 회분식, 반회분식, 연속식, 반연속식 혼련으로 고려되는 혼련기술, 또는 이들 혼련기술의 임의의 조합에 따라 실행될 수 있다.

단계 (II)의 캡핑 반응은 전형적으로 0℃ 내지 100℃, 대안적으로 50℃ 내지 70℃ 범위의 온도에서 수행된다.

단계 (II)의 캡핑 반응은 전형적으로 pH ≤ 2인 산성 매질 내에서 수행된다. 단계 (II)의 혼합물의 pH값은, 단계 (II)에서 원하는 산성 pH를 유지하기에 충분한 양으로 단계 (I)에서 산을 첨가한 결과로써 얻어진다.

단계 III) 단계 (II)의 혼합물을 수성상 및 실리콘 수지 함유 유기상으로 분리하는 선택적 과정

단계 (III)은 선택적 단계이며, 단계 (II)의 혼합물을 수성상 및 실리콘 수지 함유 유기상으로 분리될 수 있도록 하는 것을 수반한다. 실리콘 하이드로졸을 캡핑함으로써, 단계 (II)의 캡핑 반응에 사용된 선별적 유기/실록산 용매에 용해되어야 하는 실리콘 수지를 제공한다. 단계 (II)의 결과로 나온 반응 혼합물은 수성상 및 유기/실록산 상을 함유할 것이다. 이들 두 상은, 디캔팅(decanting)과 같이 수성상과 유기상을 분리하는 임의의 공지방법에 따라 단계 (IV)로 진행하기 전에 분리될 수 있다. 디캔팅 단계는 회분식 또는, 대안적으로, 실질적인 연속식으로 수행될 수 있다.

단계 (III)에서의 체류시간 및 분리온도는 제조될 실리콘 수지에 따라 달라질 수 있다. 분리는 회분법 및 연속법 모두를 포함하여 임의의 공지방법에 따라 수행될 수 있다. 전형적으로, 단계 (III)에서 분리온도는 40℃ 내지 100℃이다.

단계 IV) 불순물을 제거하기 위한 실리콘 수지 함유 유기상의 추가적 처리

단계 (IV)는 불순물을 제거하기 위하여 실리콘 수지 함유 유기상을 추가적으로 처리하는 것을 수반한다. 더 구체적으로, 이 단계는;

i) 도관 내에서 길이 방향으로 연장되는 복수의 섬유를 포함하는 섬유 번들을 통해 제1 액체를 유동시키는 것으로서, 여기서 번들은 상류 단부 및 하류 단부를 갖고, 제1 액체는 번들의 상류 단부로부터 하류 단부로 향하는 방향으로 유동하는 것인 단계; 및

ii) 상기 단계 (i)를 지속하면서, 실리콘 수지 함유 유기상과 불순물을 포함하는 제2 액체를 섬유 번들을 통해, 이 번들의 상류 단부에서 이 번들의 하부 단부의 방향으로 유동시켜 불순물의 적어도 일부를 제2 액체에서 제1 액체로 전달하는 작용을 하고, 여기서 제1 액체 및 제2 액체는 실질적으로 비혼화성인 것인 단계를 포함한다.

제1 액체는 전형적으로 극성 용매, 본 방법의 단계 (II)/(III)에서 나온 수성상, 또는 이의 조합을 포함한다. 환언하면, 제1 액체는 단계 (II) 또는 (III)의 수성상일 수 있다. 대안적으로, 또 다른 극성 용매를 단계 (II) 또는 (III)의 수성상에 첨가할 수 있다.

극성 용매는 임의의 극성 양성자성 또는 극성 비양성자성 용매일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "극성"은 20℃에서 적어도 15의 유전상수를 갖는 것을 의미한다. 극성 용매의 예에는 물; 산 및 염기 (예를 들어, KOH 또는 NaOH) 용액을 포함하는 수용액; 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 및 부탄올을 포함하는 알코올; 페놀; 폴리아민, 에탄올아민, 및 폴리에탄올아민을 포함하는 아민; 카르복실산; 다이메틸 설폭사이드; 케톤, 예를 들어, 아세톤; 및 1-알릴-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1,2-다이메틸-3-n-프로필이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1,2-다이메틸-2-n-부틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 및 1,2-다이메틸-3-n-부틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트를 포함하는 이온성 액체가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 일 실시 형태에서, 제1 액체는 물을 포함한다. 제1 액체는 극성 용매들의 혼합물일 수 있다.

섬유 번들 내의 섬유는, 하기에 기재되는 제2 액체에 비해, 제1 액체에 의해 우선적으로 적셔지도록 선택된다. 섬유는 전형적으로 실록산에 오염물을 또한 부가하지 않으며 전형적으로 빈번한 교체를 방지하도록 공정을 견뎌낼 수 있다.

섬유의 예에는, 면, 황마(jute), 견, 처리된 광물, 미처리된 광물, 금속, 금속 합금, 처리된 카본, 미처리된 카본, 중합체, 또는 중합체 블렌드를 포함하는 섬유가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 적합한 처리되거나 미처리된 광물 섬유의 예에는, 유리, 석면, 세라믹, 및 그 조합의 섬유가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 적합한 금속 섬유의 예에는 철, 강, 니켈, 구리, 놋쇠, 납, 주석, 아연, 코발트, 티타늄, 텅스텐, 니크롬, 은, 알루미늄, 마그네슘, 및 이들의 합금의 섬유가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 적합한 중합체 섬유에는, 친수성 중합체, 극성 중합체, 친수성 공중합체, 극성 공중합체, 및 그 조합, 예를 들어, 다당류, 폴리펩티드, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 작용화된 폴리스티렌 (설폰화된 폴리스티렌 및 아민화된 폴리스티렌 포함), 나일론, 폴리벤즈이미다졸, 폴리비닐리덴다이니트릴, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리멜라민, 폴리비닐 클로라이드, 코-폴리에틸렌-아크릴산, 및 에틸렌-비닐 알코올 공중합체의 섬유가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 일 실시 형태에서, 섬유는 유리 섬유 또는 강 섬유를 포함한다.

섬유 번들을 형성하는 섬유의 직경은 전형적으로 1 내지 100 μm, 대안적으로 5 내지 25 μm, 대안적으로 8 내지 12 μm이다.

섬유의 조합이 사용될 수 있다. 섬유는 본 기술 분야에 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다. 많은 이러한 섬유를 시중에서 구할 수 있다.

섬유 번들은, 본 기술 분야에 공지된 방법에 의해, 하기에 기재된 도관 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 일 군의 섬유를 중간에서 와이어로 걸고 이 와이어를 사용하여 도관 내로 잡아당길 수 있다.

도관은 전형적으로 원통 형상이며, 스테인리스 강 또는 테플론(Teflon)과 같은 비반응성 재료로 구성된다. 도관은 전형적으로, 섬유를 포함하는 물질 전달 장치(mass transfer apparatus)의 일부이다. 섬유를 포함하는 물질 전달 장치가 본 기술 분야에 공지되어 있다. 예를 들어, 물질 전달 장치는 미국 특허 제3,977,829호, 미국 특허 제5,997,731호, 및 미국 특허 제7,618,544호에 기재되어 있다.

도관을 포함하는 장치가 도 1에 도시되나; 본 발명을 이러한 장치에 한정되도록 의도하는 것은 아니다. 당업자는 이러한 설명에 기초하여 장치에 대한 다른 허용가능한 설계 변형물들을 쉽게 생각해 낼 것이다. 도 1에서, 도관(10)은 그 안에 그의 길이의 일부에 대해 도관(10)을 채우는 섬유 번들(12)을 갖는다. 섬유 번들(12)은 단부(16)에서 튜브(14)와 접촉하며 그 안으로 연장한다. 튜브(14)는 도관(10)의 단부를 넘어서 연장하며, 튜브(14)를 통해 제1 액체를 섬유번들(12) 상으로 펌핑하도록 상기 튜브와 관련된 계량 펌프(22)를 갖는다. 튜브(14)의 단부(16)의 상류에서는, 관련된 계량 펌프(18)를 갖는 입구 파이프(32)가 도관(10)에 연결된다. 펌프(18)는 입구 파이프(32)를 통해 도관(10) 내로 제2 액체를 공급하며, 도관 내에서 제2 액체는 섬유 번들(12) 사이로 유동한다. 도관(10)의 하류 단부에는 수집 용기(34)가 있는데, 그 안으로 도관(10)의 하류 단부(20) 및 섬유 번들(12)이 연장할 수 있다. 제1 및 제2 액체는 수집 용기(34) 내로 유동하여 층(42) 및 층(44)을 형성한다. 섬유 번들(12)은 도관(10)의 하류 단부(20) 밖으로, 수집 용기(34) 및 제1 층(44) 내로 연장한다. 상부 층(42)을 위해 출구 라인(26)이 수집 용기(34)의 위쪽 부분과 연관되고, 하부 층(44)을 위해 출구(28)가 수집 용기(34)의 아래쪽 부분과 연관된다. 출구(28)에는 계량 밸브(30)가 있다. 일 실시 형태(도시하지 않음)에서, 장치에는 또한 도관 내의 온도를 제어하는 수단이 구비된다. 예를 들어, 장치에는 열교환기 또는 가열 재킷이 구비될 수 있다.

단계 i)에서 도입되는 제1 액체의 온도는 중요하지 않으며 제1 액체의 어는점 온도 초과로부터 제1 액체의 끓는점 온도 미만까지 다양할 수 있다. 예를 들어, 제1 액체가 물인 경우, 온도는 표준압에서 전형적으로 0℃ 초과 내지 100℃ 미만; 대안적으로 15 내지 80℃; 대안적으로 15 내지 60℃이다.

제1 액체가 도입될 때의 압력은 전형적으로 대기압이거나 대기압 초과이다. 예를 들어, 제1 액체는 전형적으로 게이지 압력으로 0 내지 1000 킬로파스칼 (㎪g), 대안적으로 0 내지 800 ㎪g의 압력에서 도입된다.

점도는 제1 액체가 섬유 번들을 통해 유동하기에 충분하다. 예를 들어, 제1 액체의 충분한 점도는 전형적으로 25℃ 에서 0.1 내지 500 cSt, 대안적으로 0.1 내지 100 cSt, 대안적으로 0.1 내지 50 cSt, 대안적으로 0.1 내지 10 cSt 이다.

단계 (ii)에서, 실리콘 수지 함유 유기상 및 불순물을 포함하는 제2 액체가 섬유 번들을 통해 유동하는 한편, 상기 단계 (i)를 지속하면서, 번들의 상류 단부에서 번들의 하류 단부의 방향으로 제2 액체에서 제1 액체로의 불순물 전달을 실행하며, 여기서 제1 액체 및 제2 액체는 실질적으로 비혼화성이다.

제2 액체는 단계 (II) 또는 (III)에서 제조된 실리콘 수지를 함유하는 유기상을 포함한다. 일 실시 형태에서, 제2 액체는 단계 (II) 또는 (III)의 결과로 얻은 실리콘 수지를 그대로 함유하는 유기상이다. 또 다른 실시 형태에서, 실리콘 수지 함유 유기상은 우선 처리하여 소정의 성분들을 제거한다. 예를 들어, 유기상은 "박리하여" 물 및/또는 유기 용매를 제거할 수 있다. 휘발물질의 박리는 당해 분야에 공지되어 있으며 임의의 방법으로 달성할 수 있다. 일반적으로, 산물은 약 100℃ 내지 약 250℃의 온도까지 가열한다. 실리콘 수지 함유 유기상은 환류되도록 하고 이어서 휘발물질을, 예컨대, 진공 증류 등의 임의의 공지 방법으로 또는 질소 퍼지를 이용하여 제거한다. 박리로 최종 산물의 휘발물질 함량을 감소시킨다. 박리 공정은 회분식 또는 실질적으로 연속 방식으로 수행할 수 있다. 더욱더, 알코올 및 박리 공정에서 제거된 다른 휘발물질, 예컨대, 물, 용매, 실란 등을 회수해서 반응기로 재순환시킬 수 있으며, 이 반응기에는 알코올을 첨가하여 실질적으로 중합 반응을 방지한다.

불순물은 제1 액체에 의해 제2 액체로부터 추출가능한 임의의 물질이다. 불순물의 예에는, 산, 예를 들어, 염화수소, 브롬화수소, 요오드화수소, 아세트산 및 트라이플루오로메탄 설폰산; 염, 예를 들어, 염화나트륨, 염화칼륨, 브롬화나트륨, 브롬화칼륨, 트라이플루오로아세트산나트륨, 및 트라이플루오로아세트산칼륨; 이온, 예를 들어, Cl^-, Br^-, Na⁺, 및 K⁺; 및 분자량이 500 g/몰 미만인 선형 및 환형 실록산이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "불순물"이라는 용어는 임의의 이들 물질의 조합도 포함한다.

제2 액체 내의 불순물의 농도는 전형적으로 불순물과 실록산의 중량 기준으로 적어도 3 중량 ppm (ppmw), 대안적으로 상기 동일한 기준에 대해 10 내지 10,000 중량 ppm (ppmw), 대안적으로 10 내지 5000 ppmw, 대안적으로 50 내지 1500 ppmw 이다.

일 실시 형태에서, 염화수소(HCl) 는 실리콘 수지를 함유하는 제2 액체로부터 불순물로서 제거된다. HCl 제거효율은 다음과 같이 정의한다; HCl 제거효율 (%) = ([HCl]_b ― [HCl]_a)/[HCl]_b)× 100,

여기서 [HCl]_b는 본 방법의 단계 (IV)에 따른 처리 전의 실리콘 수지 조성물 (또는 제2 액체) 내의 염산 농도이고; [HCl]_a는 본 방법의 단계 (IV)에 따른 처리 후의 실리콘 수지 조성물 (또는 제2 액체) 내의 염산 농도이다. 이 실시 형태에서, 95% 초과의 염화수소가 실리콘 수지 조성물 (또는 제2 액체)로부터 제거되며, 대안적으로는 97% 초과의 염화수소가 실리콘 수지 조성물 (또는 제2 액체)로부터 제거되고, 또는 대안적으로 99% 초과의 염화수소가 실리콘 수지 조성물 (또는 제2 액체)로부터 제거된다.

제2 액체는 실리콘 수지와 혼화성인 선택적 비극성 용매를 추가로 포함할 수 있다. 비극성 용매는 예를 들어 고점도 실리콘 수지를 희석시키거나 고체 실리콘 수지를 용해하기 위해 포함될 수 있다. 예를 들어, 제2 액체는 비극성 용매와 실리콘 수지 조합 중량을 기준으로 적어도 10% (w/w), 대안적으로 적어도 25% (w/w), 대안적으로 40 내지 90% (w/w)를 포함할 수 있다.

비극성 용매의 예는 자일렌이나 톨루엔 같은 방향족 용매; 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 아이소알칸, 또는 C9-C19 아이소알칸 또는/및 C12-C18 아이소알칸의 블렌드 같은 아이소알칸의 블렌드 등의 지방족 용매; 및 실록산, 예를 들어, 헥사메틸다이실록산이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 일 실시 형태에서, 제2 액체는 헥사메틸다이실록산을 추가로 포함한다.

제2 액체의 점도는 제2 액체가 도관을 통해 유동하기에 충분하다. 예를 들어, 제2 액체의 점도는 전형적으로 25℃에서 500 센티스토크 (cSt) 미만, 대안적으로 0.1 내지 500 cSt, 대안적으로 0.1 내지 100 cSt, 대안적으로 0.1 내지 50 cSt, 대안적으로 0.1 내지 10 cSt 이다. 제2 액체의 점도는 고점도 또는 고체 실리콘 수지를 상술한 바와 같은 적절한 비극성 용매에 용해시켜 조절할 수 있다.

제1 액체에 대한 제2 액체의 체적 유동비는 전형적으로 적어도 0.1, 대안적으로 0.1 내지 20, 대안적으로 1 내지 4, 대안적으로 약 3이다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "체적유동비"는 제1 액체의 체적 유량에 대한 제2 액체의 체적 유량의 비를 의미한다.

제2 액체가 도입될 때의 온도 및 압력은 제1 액체에 관하여 개시한 바와 같다.

제2 액체는 제1 액체와 실질적으로 비혼화성이다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "실질적으로 비혼화성"은 제2 액체가 제1 액체에 균일하게 용해되지 않고, 제2 액체는 제1 액체와 더불어 2개의 층을 형성하는 것을 의미한다. "실질적으로"를 사용하는 것은 제1 또는 제2 액체가 다소의 혼화성을 가질 수 있는 실시 형태를 포함하도록 의도된 것이다.

제1 액체와 함께 제2 액체는, 제2 액체로부터 불순물의 적어도 일부를 제거하기에 충분한 체류시간(residence time)을 갖는다. 예를 들어, 충분한 체류시간은 전형적으로 5초 이상, 대안적으로 5초 내지 30분; 대안적으로 30초 내지 15분; 대안적으로 1분 내지 10분이다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "체류시간"은 섬유가 함유된 도관을 함께 관통하는 제1 액체와 제2 액체의 1개 도관 체적 (예, 섬유 번들을 포함하는 도관을 채울수 있는 액체의 체적)에 대한 시간을 의미한다.

제1 액체 및 제2 액체는 중력 또는 펌프에 의해 도관 내로 유동될 수 있다.

본 발명의 방법은, iii) 제1 액체 및 제2 액체를 수집 용기 내에 수용하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 수집 용기 내에서 제1 액체는 제1 층을 형성하고 제2 액체는 제2 층을 형성한다.

제1 층은 전형적으로 하부 층이며, 극성 용매 및 제2 액체로부터 제거된 불순물을 포함한다. 제2 층은 전형적으로 상부 층이며 제2 액체로부터 얻은 실리콘 수지를 포함한다. 그러나, 수집 용기 내에서의 제1 층 및 제2 층의 위치는 거꾸로 될 수 있다.

제2 층에서의 불순물의 농도는 처음에 도입될 때의 제2 액체에서의 농도보다 작다. 예를 들어, 제2 층에서의 불순물의 농도는, 제2 액체에서의 초기 농도의 전형적으로 0 내지 50%, 대안적으로 0.01 내지 40%, 대안적으로 0.01 내지 30%, 대안적으로 0.01 내지 10%이다.

수집 용기는 중력식 분리기 또는 침강 탱크, 또는 장치를 빠져나온 제1 및 제2 액체의 수집 및 분리가 가능한 임의의 다른 용기일 수 있다.

단계 (i)은 전형적으로 단계 (ii) 이전에, 그리고 그 동안에 수행된다. 선택적인 단계 (iii)에서의 제1 및 제2 액체의 수집은 전형적으로 단계 (i) 후에 시작하며, 제1 액체 및 제2 액체가 도관 밖으로 유동하는 것을 멈출 때까지 계속한다.

본 발명의 방법은 iv) 제1 층 및 제2 층을 분리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 제1 층 및 제2 층은, 제1 층 및 제2 층을 수집 용기로부터 개별적으로 인출함으로써 분리될 수 있다. 제1 층 및 제2 층은 펌프의 도움으로 수집 용기로부터 인출될 수 있다.

본 발명의 방법은 또한 단계 (iv)에서 분리된 실리콘 수지상을 불순물의 적어도 또 다른 일부를 추가로 제거하기 위한 동일하거나 상이한 장치에 공급하는 것을 포함할 수 있다.

본 방법은 실리콘 MQ 수지의 제조에 유용하다. 일 실시 형태에서, 실리콘 MQ 수지는: 0.5 내지 1.5, 대안적으로 0.6 내지 1.2, 대안적으로 0.7 내지 1.0 에서 변화하는 M/Q 비; 5,000 내지 50,000 g/몰, 대안적으로 10,000 내지 30,000 g/몰, 또는 대안적으로 15,000 내지 25,000 g/몰 범위의 분자량 (M_w); 및 0.5 wt% 내지 10.0 wt%, 대안적으로 1 wt% 내지 8.0 wt%, 또는 대안적으로 2 wt% 내지 6.0 wt% 범위의 실라놀(SiOH) 함량을 갖는 것을 특징으로 한다.

또 다른 일 실시 형태에서, 본 발명의 방법은 95 wt% 초과, 대안적으로 97 wt% 초과, 또는 대안적으로 99 wt% 초과의 잔류 HCl이 실리콘 MQ 수지 조성물에서 제거되어 있는 실리콘 MQ 수지의 제조에 유용하다.

실시예

하기 실시예를 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 보여주기 위하여 포함시킨다. 당업자라면, 하기 실시예에 개시되는 기술이 본 발명의 실시에서 잘 기능하는, 본 발명자에 의해 발견된 기술을 대표하며, 따라서 그 실시에 바람직한 양식을 구성하는 것으로 간주될 수 있음을 알아야 한다. 그러나, 당업자라면, 본 발명의 개시 내용을 고려하여, 많은 변화가 개시된 특정 실시 형태에서 이루어질 수 있으며, 이는 본 발명의 사상 및 범주에서 벗어나지 않고서 유사하거나 또는 비슷한 결과를 여전히 얻을 수 있음을 알아야 한다. 모든 백분율은 중량% 단위이다. 모든 측정은 달리 지시되지 않으면 23℃에서 행하였다.

실시예 1

이 실시예는, 실리콘 수지 조성물에서 염산을 제거하기 위해 실리콘 수지 조성물을 처리하는 도 1에 따른 장치의 사용을 예시한다. 이 실시예의 실리콘 수지는, MQ 비가 0.8, 분자량(M_w) 이 21,000 g/몰, 및 실라놀 함량이 3%인 본 발명 방법의 단계 (I), (II) 및 (III)에 따라 제조된 실리콘 MQ 수지였다. 이 실시예의 장치는 1.27 cm 의 외경, 40.64 cm 의 길이를 갖는 테플론(Teflon)-FEP관을 유리 울 파이렉스 섬유 함유 도관(Catalog #32848-003, Van Waters and Rogers, Redmond, WA)으로 포함했다. 섬유는 직경이 8 μm이었고, 길이가 대략 60.96 cm이었고, 도관의 전체 길이를 따라 빽빽이 패킹되었으며, 도관의 하류 단부 밖으로 대략 10 cm가 분별 깔때기 안으로 연장하였다. 1.27 cm 스텐레스강 티(tee)를 도관의 입구 단부에 부착하였고, 탈염수 및 실리콘 수지 공급관을 장착했다.

물의 유동은 제1 액체로서 파이렉스 유리 섬유의 상류 단부에 있는 장치 도관 속으로 도입했다. 물 유동을 개시한 후, 실리콘 MQ 수지 및 HCl 함유 헥사메틸다이실록산을 포함한 제2 액체 (실리콘 MQ 수지 및 헥사메틸다이실록산의 양이 21℃에서 5 cSt의 점도를 가진 액체를 제공할 수 있는 양인 것)를 티(tee)의 측면 입구를 통해 섬유의 상류 단부에 있는 도관 속으로 도입했다. 물인 제1 액체 및 실리콘 수지 함유의 제2 액체를 섬유의 하류 단부에 있는 분별 깔때기에 수거했다. 접촉시간 및 유량을 표 2에 요약한 바와 같이 달리하여 3회의 실험을 실시했다. 탈염수(DI) 및 실록산 흐름이 각각의 개별 상으로서 도관 밖으로 배출되었다. 실리콘 수지상 및 수상이 즉시 분리되었으므로 분별 깔때기에서 시간이 걸릴 필요가 없었다. 도관에 들어가기 전 및 수집 용기로부터 나온 실리콘 수지 흐름의 시료는 브로모크레졸 퍼플 지시약을 이용하여 수산화칼륨으로 적정했으며, 이에 따라 산 농도를 측정했다. 모든 시험은 25℃에서 수행하였다.

실시예 2

테플론-FEP 도관의 길이가 14 cm에 불과하고 도관의 하류 단부 밖으로 섬유의 10 cm가 수집 용기 내로 연장한 점을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 장치, 반응물 및 절차를 본 실시예에서 사용하였다. 파라미터가 표 2에 열거된 바와 같이 변화하였다.

실시예 3

헥사메틸다이실록산 및 아세트산염이 함유된 제2 액체 대신 자일렌을 사용하여 실리콘 MQ 수지를 50% (w/w)로 희석한 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 장치, 반응물 및 절차를 본 실시예에서 사용하였다. 처리 전 및 후에 실리콘 수지의 샘플을 이온 크로마토그래피 (IC)로 분석하였고, 모든 이온 화학종의 92% 이상이 실리콘 수지로부터 제거된 것으로 나타났다.

Claims

실리콘 수지 제조방법으로서, 상기 방법은:
I) 산성 수성 매질 내에서 알칼리금속 규산염을 중합하여 실리카 하이드로졸을 형성하는 단계,
II) 상기 실리카 하이드로졸을 유기 또는 실록산 용매를 함유하는 혼합물 중에서 유기실리콘 캡핑 화합물과 반응시켜 실리콘 수지를 형성하는 단계,
III) 선택적으로, 상기 단계 (II)로부터의 혼합물이 수성상 및 실리콘 수지 함유 유기상으로 분리되도록 하는 단계, 및
IV) 상기 실리콘 수지 함유 유기상을, 불순물 제거를 위해;
i) 도관 내에서 길이 방향으로 연장되는 복수의 섬유를 포함하는 섬유 번들을 통해 제1 액체를 유동시키는 것으로써, 여기서 번들은 상류 단부 및 하류 단부를 갖고, 제1 액체는 번들의 상류 단부로부터 하류 단부로 향하는 방향으로 유동하는 단계; 및
ii) 상기 단계 (i)를 지속하면서,
실리콘 수지 함유 유기상 및 불순물을 포함하는 제2 액체를 섬유 번들을 통해 상기 번들의 상류 단부에서 상기 번들의 하류 단부 방향으로 유동시킴으로써 상기 불순물의 적어도 일부를 제2 액체에서 제1 액체로 전달하는 작용을 하고, 여기서 제1 액체 및 제2 액체는 실질적으로 비혼화성인 단계에 따라 추가로 처리하는 단계를 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 알칼리금속 규산염은 규산나트륨인, 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 산성 수성 매질은 pH ≤ 2를 갖는, 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 산성 수성 매질은 염산을 포함하는, 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 유기실리콘 캡핑 화합물은 화학식 R¹ _nSiX_(4-n)을 갖고,
여기서 R¹은 독립적으로 C₁ ― C₂₀ 하이드로카르빌기 또는 수소이며,
X는 할로겐 원자, -OR² 또는 -OSiR¹ ₃이고,
여기서 R²는 C₁ ― C₆ 알킬기 또는 수소이며,
n은 1, 2 또는 3인, 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 유기실리콘 캡핑 화합물은
트라이메틸클로로실란, 헥사메틸다이실록산 또는 이들의 혼합물인, 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (i)의 제1 액체는 물을 포함하는, 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 액체는 방향족 용매를 포함하는, 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 액체는 헥사메틸다이실록산을 포함하는, 방법.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 제거된 불순물이 염화수소인, 방법.
제10항에 있어서, 95% 초과의 염화수소가 제2 액체로부터 제거되는, 방법.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 실리콘 수지.
제12항에 있어서, 0.5 내지 1.5 범위의 M/Q 비, 10,000 내지 30,000 g/몰 범위의 분자량(M_w), 및 0.5 wt% 내지 10.0 wt% 범위의 실라놀(SiOH) 함량을 갖는 실리콘 MQ 수지인, 실리콘 수지.
1 wt% 미만의 염화수소 함량을 갖는 제13항의 실리콘 MQ 수지.