KR20140129225A - 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치 - Google Patents

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카츠유키 스기타
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Abstract

프로세스 가스 입구(11)에 접속된 압력식 유량 제어부(1a)를 구성하는 컨트롤 밸브(3)와, 컨트롤 밸브(3)의 하류측에 연통되는 가스 공급 주관(8)과, 가스 공급 주관(8)의 하류측에 병렬상으로 접속된 복수의 분기관로(9a, 9n)와, 각 분기관로(9a, 9n)에 설치된 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)와, 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)의 하류측에 설치한 오리피스(6a, 6n)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로 근방에 설치한 온도 센서(4)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로에 설치한 압력 센서(5)와, 상기 오리피스(6a, 6n)의 출구측에 설치한 분류 가스 출구(11a, 11n)와, 상기 압력 센서(5)로부터의 압력 신호 및 온도 센서(4)로부터의 온도 신호가 입력되어 상기 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산함과 아울러 연산된 유량값과 설정 유량값의 차가 감소하는 방향으로 상기 컨트롤 밸브(3)를 개폐 작동시키는 제어 신호(Pd)를 밸브 구동부(3a)에 출력하는 압력식 유량 연산 제어부(7a)로 이루어지는 연산 제어부(7)를 구비하고, 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 유량 제어를 행한다.

Description

반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치{GAS SEPARATION AND SUPPLY DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은 반도체 제조 장치용 가스 공급 장치의 개량에 관한 것으로서, 압력식 유량 제어 장치의 오리피스를 병렬상으로 연결한 복수의 오리피스로 함으로써 같은 프로세스를 행하는 복수의 프로세스 챔버에 소요량의 프로세스 가스를 정밀도 좋게 분류 공급할 수 있음과 아울러, 이 압력식 유량 제어 장치에 열식 질량 유량 제어 장치를 유기적으로 조합시킴으로써 분류 공급 중의 프로세스 가스의 실유량을 임의로 체크할 수 있도록 한 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 장치의 가스 공급 장치에 있어서는 종전부터 열식 유량 제어 장치나 압력식 유량 제어 장치가 널리 이용되고 있다.
도 5는 반도체 제조 장치의 가스 공급 장치에 사용되고 있는 압력식 유량 제어 장치의 구성을 나타내는 것이고, 이 압력식 유량 제어 장치(FCS)는 컨트롤 밸브(CV), 온도 검출기(T), 압력 검출기(P), 오리피스(OL) 및 연산 제어부(CD) 등으로 구성되어 있고, 또한 연산 제어부(CD)는 온도 보정·유량 연산 회로(CDa), 비교 회로(CDb), 입출력 회로(CDc) 및 출력 회로(CDd) 등으로 구성되어 있다.
또한, 상기 압력식 유량 제어 장치에 있어서는 압력 검출기(P) 및 온도 검출기(T)로부터의 검출값이 디지털 신호로 변환되어서 온도 보정·유량 연산 회로(CDa)에 입력되고, 여기에서 검출 압력의 온도 보정 및 유량 연산이 행해진 후, 유량 연산값(Qt)이 비교 회로(CDb)에 입력된다.
한편, 설정 유량 신호(Qs)가 단자(In)로부터 입력되어 입출력 회로(CDc)에서 디지털값으로 변환된 후 비교 회로(CDb)에 입력되고, 여기에서 상기 온도 보정·유량 연산 회로(CDa)로부터의 유량 연산값(Qt)과 비교된다. 그리고, 유량 연산값(Qt)이 유량 설정 신호(Qs)보다 큰 경우에는 컨트롤 밸브(CV)의 구동부에 제어 신호(Pd)가 출력되고, 컨트롤 밸브(CV)가 그 구동 기구(CVa)를 통해서 폐쇄 방향으로 구동된다. 즉, 연산 유량값(Qt)과 유량 설정 신호(Qs)의 차(Qt-Qs)가 0이 될 때까지 밸브 폐쇄 방향으로 구동된다.
또한, 상기 압력식 유량 제어 장치(FCS) 그 자체는 공지의 것이고, 오리피스(OL)의 하류측 압력(P2)[즉, 프로세스 챔버측의 압력(P2)]과 오리피스(OL)의 상류측 압력(P1)[즉, 컨트롤 밸브(CV)의 출구측의 압력(P1)] 사이에 P1/P2≥약 2의 관계(소위 경계 팽창 조건)가 유지되어 있는 경우에는 오리피스(OL)를 유통시키는 가스(Go)의 유량(Q)이 Q=KP1(단, K는 정수)이 되고, 압력(P1)을 제어함으로써 유량(Q)을 고정밀도로 제어 가능함과 아울러, 컨트롤(CV)의 상류측의 가스(Go)의 압력이 크게 변화되어도 제어 유량값이 거의 변화되지 않는다고 하는 뛰어난 특성을 갖는 것이다.
그리고, 1기 또는 복수기의 프로세스 챔버에 가스를 분류 공급하는 형식의 반도체 제조 장치용 가스 공급 설비에 있어서는, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이 각 공급 라인(GL1, GL2)에 압력식 유량 제어 장치(FCS1, FCS2)를 각별하게 설치하고, 이것에 의해 각 공급 라인(GL1, GL2)의 가스 유량(Q1, Q2)을 조정하도록 하고 있다.
그 때문에, 프로세스 가스의 분류마다 압력식 유량 제어 장치를 설치할 필요가 있어 반도체 제조 장치용 가스 공급 장치의 소형화나 저비용화를 도모하기 어렵다는 기본적인 문제가 있다.
또한, 도 6에 있어서 S는 가스 공급원, G는 프로세스 가스, C는 챔버, D는 2구분형 가스 방출기, H는 웨이퍼, I는 웨이퍼 유지대이고(일본 특허 공개 2008-009554호), 또한 도 7에 있어서 RG는 압력 조정기, MFM1, MFM2는 열식 유량계, P2A, P2B, P1은 압력계, V1, V2, V3, V4, VV1, VV2는 밸브, VP1, VP2는 배기 펌프이다(일본 특허 공개 2000-305630).
한편, 상기 도 6 및 도 7의 가스 공급 장치에 있어서의 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 도 8에 나타내는 바와 같이 각 분기 가스 공급 라인(GL1, GL2)에 음속 노즐 또는 오리피스(SN1, SN2)를 설치하고, 가스 공급원측에 설치한 자동 조압기(ACP)를 제어부(ACQ)에 의해 조정해서 각 오리피스(SN1, SN2)의 1차측 압력(P1)을 오리피스(SN1, SN2)의 2차측 압력(P2)의 약 3배로 유지함으로써, 오리피스(SN1, SN2)의 구경에 의해 결정되는 소정의 분류량(Q1, Q2)을 얻도록 한 분류 공급 장치가 개발되어 있다(일본 특허 공개 2003-323217호).
그러나, 상기 일본 특허 공개 2003-323217호의 유량 제어 시스템(분류 공급 장치)에 있어서는 자동 조압기(ACP), 제어부(ACQ) 및 오리피스(SN1, SN2)를 각각 단독으로 설치함과 아울러, 유량(Q1, Q2)을 1차측 압력(P1)에 비례한 유량으로 하기 위해서 1차측 압력(P1)을 2차측 압력(P2)의 3배로 유지하여 오리피스(SN1, SN2)를 유통하는 가스류를 임계 상태의 흐름으로 하도록 하고 있다.
그 결과, 자동 조압기(ACP), 제어부(ACQ) 및 오리피스(SN1, SN2) 등을 적당하게 장착 일체화할 필요가 있어 가스 공급 장치의 제조에 수고가 들 뿐만 아니라, 가스 공급 장치의 소형, 콤팩트화를 도모하기 어렵다는 난점이 있다.
또한, 제어부(ACQ) 및 자동 조압기(ACP)의 제어계가 소위 피드백 제어를 채용하지 않아서, 그 결과 개폐 밸브(V1, V2)의 개폐 작동에 의해 발생하는 1차측 압력(P1)의 변동을 자동 조압기(ACP)가 신속하게 조정하는 것이 곤란하게 되고, 결과적으로 개폐 밸브(V1, V2)의 개폐 작동이 유량(Q1, Q2)[또는 유량(Q)]에 변동을 초래한다는 문제가 있다.
또한, 자동 조압기(ACP)에 의해 1차측 압력(P1)을 조정하여 오리피스의 1차측 압력(P1)과 2차측 압력(P2)의 비(P1/P2)를 약 3 이상으로 유지한 상태에서 분류량(Q1, Q2)을 제어하도록 하고 있기 때문에 상기 P1/P2의 값이 약 2에 근접하고, 가스류가 소위 비임계 팽창 조건 하의 가스류로 된 경우에는 정확한 분류량 제어가 곤란해진다는 문제가 있다.
일본 특허 공개 2008-009554호 일본 특허 공개 2000-305630호 일본 특허 공개 2003-323217호
본원 발명은 종전의 압력식 유량 제어 장치를 사용한 가스 분류 공급 장치에 있어서의 상술과 같은 문제, 즉, (가) 각 가스 공급 라인(각 분류 라인)에 압력식 유량 제어 장치를 설치하는 경우에는 가스 공급 장치의 소형화, 저비용화를 도모하기 어려운 점, 또한 (나) 가스 공급원측에 설치한 자동 조압기에 의해 각 오리피스의 1차측 압력(P1)을 조정하고, 각 오리피스를 통과해서 압력(P1)에 비례한 각 분류 가스 유량(Q1, Q2)을 공급하는 경우에는 가스 공급 장치의 조립 제조에 수고가 들고, 장치의 소형, 콤팩트화가 곤란한 점, 어느 분류로의 개폐시에 오리피스 1차측 압력(P1)에 변동이 발생하여 다른 분류로의 분류량이 변동하기 쉬운 점, 및, 오리피스 1차측 압력(P1)과 2차측 압력(P2)의 비(P1/P2)가 임계 팽창 조건 외의 값(예를 들면, O2이나 N2의 경우에는 약 2 이하)이 되면 분류 유량(Q1, Q2)의 고정밀도인 제어가 곤란해지는 점 등의 문제를 해결하고자 하는 것이며, 압력식 유량 제어 장치와 열식 유량 제어 장치를 유기적으로 일체화해서 가스 분류 공급 장치의 구조 간소화와 소형을 도모함과 아울러, 상기 가스 분류 공급 장치에서도 같은 프로세스를 행하는 다수의 프로세스 챔버에 프로세스 가스를 경제적으로 또한 고정밀도인 유량 제어를 행하면서 분류 공급할 수 있고, 또한 임계 팽창 조건을 벗어난 상태 하에 있어서도 고정밀도인 가스 분류 공급이 가능함과 아울러, 필요에 따라서 적당하게 공급 중의 프로세스 가스의 실유량 감시를 행할 수 있도록 한 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본원 청구항 1의 발명은 프로세스 가스 입구(11)에 접속된 압력식 유량 제어부(1a)를 구성하는 컨트롤 밸브(3)와, 컨트롤 밸브(3)의 하류측에 연통되는 가스 공급 주관(8)과, 가스 공급 주관(8)의 하류측에 병렬상으로 접속된 복수의 분기관로(9a, 9n)와, 각 분기관로(9a, 9n)에 설치된 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)와, 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)의 하류측에 설치한 오리피스(6a, 6n)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로 근방에 설치한 온도 센서(4)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로에 설치한 압력 센서(5)와, 상기 오리피스(6a, 6n)의 출구측에 설치한 분류 가스 출구(11a, 11n)와, 상기 압력 센서(5)로부터의 압력 신호 및 온도 센서(4)로부터의 온도 신호가 입력되어 상기 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산함과 아울러 연산한 유량값과 유량 설정값의 차가 감소하는 방향으로 상기 컨트롤 밸브(3)를 개폐 작동시키는 제어 신호(Pd)를 밸브 구동부(3a)에 출력하는 압력식 유량 연산 제어부(7a)로 이루어지는 연산 제어부(7)를 구비하고, 상기 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 각 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 유량 제어를 행하는 것을 발명의 기본 구성으로 하는 것이다.
청구항 2의 발명은 프로세스 가스 입구(11)에 접속된 압력식 유량 제어부(1a)를 구성하는 컨트롤 밸브(3)와, 컨트롤 밸브(3)의 하류측에 접속된 열식 질량 제어부(1b)를 구성하는 열식 유량 센서(2)와, 열식 유량 센서(2)의 하류측에 연통되는 가스 공급 주관(8)과, 가스 공급 주관(8)의 하류측에 병렬상으로 접속된 복수의 분기관로(9a, 9n)와, 각 분기관로(9a, 9n)에 설치된 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)와, 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)의 하류측에 설치한 오리피스(6a, 6n)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로 근방에 설치한 온도 센서(4)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로에 설치한 압력 센서(5)와, 상기 오리피스(6a, 6n)의 출구측에 설치한 분류 가스 출구(11a, 11n)와, 상기 압력 센서(5)로부터의 압력 신호 및 온도 센서(4)로부터의 온도 신호가 입력되어 상기 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산함과 아울러 연산한 유량값과 유량 설정값의 차가 감소하는 방향으로 상기 컨트롤 밸브(3)를 개폐 작동시키는 제어 신호(Pd)를 밸브 구동부(3a)에 출력하는 압력식 유량 연산 제어부(7a) 및 상기 열식 유량 센서(2)로부터의 유량 신호(2c)가 입력되어 상기 유량 신호(2c)로부터 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산 표시하는 열식 유량 연산 제어부(7b)로 이루어지는 연산 제어부(7)를 구비하고, 각 오리피스(6a, 6b)를 유통하는 프로세스 가스류가 임계 팽창 조건을 만족하는 가스류일 때는 상기 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 프로세스 가스의 유량 제어를 행함과 아울러, 프로세스 가스류가 임계 팽창 조건을 만족하지 않는 가스류일 때는 상기 열식 질량 유량 제어부(1b)에 의해 프로세스 가스의 유량 제어를 행하도록 한 것을 발명의 기본 구성으로 하는 것이다.
청구항 3의 발명은 청구항 1 또는 청구항 2의 발명에 있어서 복수의 오리피스(6a, 6n)의 구경을 동일하게 하여 각 분기관로(9a, 9n)에 동 유량의 프로세스 가스(Qa, Qn)를 공급하도록 한 것이다.
청구항 4의 발명은 청구항 1 또는 청구항 2의 발명에 있어서 복수의 분기관로(9a, 9n) 중 임의의 분기관로에만 프로세스 가스를 유통시키도록 한 것이다.
청구항 5의 발명은 청구항 1의 발명에 있어서 컨트롤 밸브(3), 오리피스(6a, 6n), 압력 센서(5), 온도 센서(4), 분기관로(9a, 9n), 분기관 개폐(10a, 10n), 가스 공급 주관(8)을 1개의 바디체에 일체적으로 장착 형성하도록 한 것이다.
청구항 6의 발명은 청구항 2의 발명에 있어서 컨트롤 밸브(3), 열식 유량 센서(2), 오리피스(6a, 6n), 압력 센서(5), 온도 센서(4), 가스 공급 주관(8), 분기관로(9a, 9b), 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)를 1개의 바디체에 일체적으로 장착 형성하도록 한 것이다.
청구항 7의 발명은 청구항 2의 발명에 있어서 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 프로세스 가스의 유량 제어를 행함과 아울러, 열식 유량 제어부(1b)에 의해 프로세스 가스의 실유량을 표시하도록 한 것이다.
청구항 8의 발명은 청구항 2의 발명에 있어서 압력 센서(5)를 컨트롤 밸브(3)의 출구측과 열식 유량 센서(2)의 입구측 사이에 설치하도록 한 것이다.
청구항 9의 발명은 청구항 2의 발명에 있어서 압력식 유량 연산 제어부(7a)에서 연산한 유체 유량과 열식 질량 연산 제어부(7b)에서 연산한 유체 유량간의 차가 설정값을 초과하면 경보 표시를 행하는 연산 제어부(7)로 한 것이다.
(발명의 효과)
본원 발명에서는 1기의 압력식 유량 제어부, 또는 1기의 압력식 유량 제어부와 1기의 열식 유량 제어부에 의해 병렬상으로 접속된 복수의 오리피스를 통과해서 복수의 프로세스 챔버에 프로세스 가스를 공급하는 구성으로 하고 있기 때문에, 가스 분류 공급 장치의 대폭적인 구조의 간소화와 소형 콤팩트화가 가능해진다. 또한, 복수의 오리피스를 동일한 오리피스로 한 경우에는 같은 프로세스를 행하는 복수의 프로세스 챔버에 동시에 동 유량의 프로세스 가스를 분류 공급할 수 있어서 가스 분류 공급 장치의 한층 더 소형화가 가능해진다.
또한, 가스 분류 공급 장치를 구성하는 각 부재를 1개의 바디체에 일체적으로 장착한 구성으로 하고 있기 때문에, 가스 분류 공급 장치의 대폭적인 소형화가 가능해진다.
또한, 연산 제어부로부터 각 분기관로 개폐 밸브의 개폐 제어를 행하는 구성으로 하고 있기 때문에, 임의의 분기관로에만 프로세스 가스를 공급할 수 있고 또한 가스 공급을 행하는 분기관로 상호의 스위칭도 간단하게 행할 수 있다.
추가해서, 열식 유량 제어부를 설치하는 구성으로 하고 있기 때문에, 비임계 팽창 조건 하의 프로세스 가스라도 상기 열식 유량 제어부에 의해 고정밀도인 유량 제어가 가능하고 또한 임계 팽창 조건 하에서 압력식 유량 제어부에 의해 유량 제어를 행하고 있는 동안에도 열식 유량 제어부를 사용하여 적당하게 실유량의 체크 등을 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치의 구성 계통도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 다른 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치의 구성 계통도이다.
도 3은 가스 분류 공급 장치의 제 1 실시예를 나타내는 구성 계통도이다.
도 4는 가스 분류 공급 장치의 제 2 실시예를 나타내는 구성 계통도이다.
도 5는 종전의 압력식 유량 제어 장치의 구성 설명도이다.
도 6은 종전의 압력식 유량 제어 장치를 사용한 가스 분류 공급 장치의 구성 설명도이다.
도 7은 종전의 압력식 유량 제어 장치를 사용한 다른 가스 분류 공급 장치의 구성 설명도이다.
도 8은 종전의 자동 조압기를 사용한 유량 제어 시스템의 개요도이다.
이하, 도면에 의거하여 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치의 제 1 실시형태에 의한 구성 계통도이고, 상기 가스 분류 공급 장치는 압력식 유량 제어부와 열식 유량 제어부의 2개의 부분으로 구성되어 있다.
즉, 상기 장치(1)는 압력식 유량 제어부(1a)와 열식 유량 제어부(1b)로 형성되어 있다. 또한, 상기 압력식 유량 제어부(1a)는 컨트롤 밸브(3), 온도 센서(4), 압력 센서(5), 복수의 오리피스(6a, 6n), 연산 제어부(7)를 형성하는 압력식 유량 연산 제어부(7a) 및 가스 공급 주관(8) 등으로 구성되어 있고, 오리피스(6a·6n)를 유통하는 가스가 임계 팽창 조건 하에 있는 경우, 예를 들면 O2나 N2 가스에 의해 오리피스(6a·6n)의 상류측 압력(P1)과 하류측 압력(P2)이 P1/P2>2의 관계에 있는 경우에는 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 유량 제어를 행하면서 유량(Qa·Qn)의 분류 가스의 공급이 행해진다.
또한, 열식 유량 제어부(1b)는 열식 유량 센서부(2)와 연산 제어부(7)를 형성하는 열식 유량 연산 제어부(7b) 등으로 구성되어 있고, 제어부 오리피스(6a·6n)를 유통하는 가스가 임계 팽창 조건 외의 상태에 있는 경우에는 열식 유량 제어부(1b)에 의해 유량 제어를 행하면서 유량(Qa·Qn)의 분류 가스가 각 챔버(CHa, CHn)에 공급되어 간다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 구성 계통도이고, 제 1 실시형태에 있어서의 열식 유량 센서(2)의 위치가 컨트롤 밸브(3)의 상류측으로 이동하고 있는 점을 제외하고, 그 밖의 구성은 도 1의 경우와 완전히 동일하다.
또한, 상기 도 1 및 도 2에 있어서 3a는 피에조형 밸브 구동부, 8은 가스 공급 주관, 9a·9n은 분기관로, 101, 10n은 분기관로 개폐 밸브, 11은 프로세스 가스 입구, 11a, 11n은 분류 가스 출구, 12는 퍼지 가스 입구, 13은 신호 입·출력 단자, F는 필터, 14a·14n은 자동 개폐 밸브, 15는 프로세스 가스, 15a는 자동 개폐 밸브, 16은 퍼지 가스, 16a는 자동 개폐 밸브, 17은 입·출력 신호이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예를 나타내는 것이고, 가스 분류 공급 장치(1)는 압력식 유량 제어부(1a)와 열식 유량 제어부(1b) 2개의 부분으로 구성되어 있다.
또한, 상기 압력식 유량 제어부(1a)는 컨트롤 밸브(3)와, 온도 센서(4)와, 압력 센서(5)와, 복수의 오리피스(6a, 6n)와, 연산 제어부(7)를 형성하는 압력식 유량 연산 제어부(7a)로 구성되어 있다.
또한, 상기 열식 유량 제어부(1b)는 열식 유량 센서(2)와 연산 제어부(7)를 형성하는 열식 유량 연산 제어부(7b)로 구성되어 있다.
상기 압력식 유량 제어부(1a)는 상술한 바와 같이, 컨트롤 밸브(3), 온도 센서(4), 압력 센서(5), 오리피스(6a, 6n) 및 압력식 유량 연산 제어부(7a) 등으로 구성되어 있고, 입력 단자(7a1)로부터 유량 설정 신호가, 또한 출력 단자(7a2)로부터 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 연산한 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 전체 프로세스 가스 유량[즉, 가스 공급 주관(8)을 유통하는 프로세스 가스 유량(Q)]의 유량 출력 신호가 출력된다.
또한, 본 실시예에서는 분류 공급로를 2개로 하고 있기 때문에 오리피스(6a, 6n)를 설치하도록 하고 있지만, 분류 공급로의 수(즉, 오리피스수)는 2개 이상으로 하는 것이 통상이다.
또한, 각 오리피스(6a, 6n)의 구경은 필요로 하는 각 프로세스 챔버(CHa, CHn)로의 가스 공급 유량에 따라 적당하게 결정되지만, 각 오리피스(6a, 6n)의 구경을 동일하게 하여 각 프로세스 챔버(CHa, CHn)로 동 유량의 분류 가스(Qa, Qn)를 공급하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
상기 오리피스(6a, 6n)를 사용한 압력식 유량 제어부(1a) 그 자체는 일본 특허 제 3291161호 등으로서 주지의 기술이고, 오리피스를 임계 팽창 조건 하에서 유통하는 유체의 유량을 압력 센서(5)에서 검출한 압력을 토대로 해서 압력식 유량 연산 제어부(7a)에서 연산하고, 입력 단자(7a1)로부터 입력된 유량 설정 신호와 상기 연산한 유량 신호의 차에 비례하는 제어 신호(Pd)를 컨트롤 밸브(3)의 밸브 구동부(3a)에 출력한다.
또한, 압력식 질량 유량 제어부(1a)나 그 유량 연산 제어부(7a)의 구성은 공지이므로, 여기에서는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 이 압력식 유량 제어부(1a)에는 공지의 영점 조정 기구나 유량 이상 검출 기구, 가스 종류 변환 기구(CF값 변환 기구) 등의 각종 부속 기구가 설치되어 있는 것은 물론이다.
또한, 도 3에 있어서 11은 프로세스 가스 입구, 10a·10n은 분류 가스 출구, 8은 기계 본체 내의 가스 공급 주관이다.
상기 장치(1)를 구성하는 열식 유량 제어부(1b)는 열식 유량 센서(2)와 열식 유량 연산 제어부(7b)로 구성되어 있고, 열식 유량 연산 제어부(7b)에는 입력 단자(7b1) 및 출력 단자(7b2)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 입력 단자(7b1)로부터는 유량 설정 신호가 입력되고, 출력 단자(7b2)로부터는 열식 유량 센서(2)에 의해 검출한 유량 신호(실유량 신호)가 출력된다.
또한, 열식 유량 제어부(1b) 그 자체는 이미 공지이기 때문에, 여기에서는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 실시예에서는 열식 유량 연산 제어부(1b)로서 가부시키가이샤 후지킨 제의 FCS-T1000 시리즈에 탑재되어 있는 것을 사용하고 있다.
또한, 도 3에는 표시되어 있지 않지만, 열식 유량 연산 제어부(7b)와 압력식 유량 연산 제어부(7a) 사이에서는 상기 실유량 신호나 연산 유량 신호의 입·출력이 적당하게 행해지고, 양자의 이동(異同)이나 그 차의 크기를 감시하거나, 또는 양자의 차가 일정값을 초과한 경우에 경고를 발하거나 할 수 있는 것은 물론이다.
도 4는 본 발명에 의한 가스 분류 공급 장치(1)의 제 2 실시예를 나타내는 것이고, 컨트롤 밸브(3)와 열식 유량 센서(2)의 부착 위치를 실시예 1의 경우와 반대로 한 것이다.
또한, 도 3 및 도 4에는 도시되어 있지 않지만, 각 오리피스의 하류측에 압력 센서를 별도로 설치하여 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 유체가 임계 팽창 조건 하에 있는지의 여부를 감시해서 경보를 발신하거나, 유량 제어를 압력식 유량 제어부(1a)로부터 열식 유량 제어부(1b)에 의한 제어로 자동 스위칭하거나 하는 구성으로 하는 것도 가능하다.
또한, 각 분류관로 개폐 밸브(10a·10n)는 연산 제어부(7)로부터의 신호에 의해 적절하게 개폐 구동되는 것은 물론이다.
상기 도 1 및 도 2의 실시형태에 있어서는 열식 유량 센서(2)와 컨트롤 밸브(3)의 위치를 각각 교체하고 있지만, 프로세스 가스(15)의 공급원측의 압력 변동등의 영향을 적게 해서 보다 고정밀도인 유량 제어를 행하기 위해서는 열식 유량 센서(2)를 컨트롤 밸브(3)의 하류측에 설치하는 구성(도 1 및 도 3)으로 하는 편이 바람직하다는 것이 시험에 의해 확인되어 있다.
또한, 도 1∼도 4의 실시형태 및 실시예에 있어서는 온도 센서(4) 및 압력 센서(5)의 부착 위치(검출 위치)를 각각 변화시키고 있지만, 온도 센서(4)나 압력 센서(5)의 부착 위치에 따른 유량 제어 정밀도 등의 변동은 거의 없기 때문에, 온도 센서(4)의 부착 위치는 컨트롤 밸브(3) 또는 열식 유량 센서(2)의 하류측이면 가스 공급 주관(8)의 어느 개소라도 좋다는 것이 시험에 의해 확인되어 있다.
또한, 상기 도 3 및 도 4에 있어서는 컨트롤 밸브(3), 온도 센서(4), 압력 센서(5), 오리피스(6a, 6n), 열식 유량 센서(2), 가스 공급 주관(8), 분기관로(9a·9n), 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n), 프로세스 가스 입구(11), 분류 가스 출구(11a, 11n) 등은 개별적으로 독립된 상태로 나타내어져 있지만, 현실에서는 1개 바디 본체(도시 생략)에 압력식 유량 제어부(1a) 및 열식 유량 제어부(1b)를 형성하는 상기 각 부재가 각각 일체적으로 형성 및 장착 고정되어 있다.
이어서, 본원 발명에 따른 가스 분류 공급 장치의 작동에 대해서 설명한다. 도 1 및 도 3을 참조하여, 우선 퍼지 가스(16)에 의한 장치(1) 내부의 퍼지 처리가 행해지고, 이것이 끝나면 개폐 밸브(15a, 16a)를 폐쇄하고, 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)를 개방으로 해서 각 챔버(CHa, CHn) 내의 감압을 행한다. 또한, 연산 제어부(7)의 압력식 유량 연산 제어부(7a)의 입력 단자(7a1)로부터 설정 유량 신호를 입력함과 아울러, 열식 유량 연산 제어부(7b)의 입력 단자(7b1)에도 소정의 설정 유량 신호를 입력한다.
그 후에, 프로세스 가스 공급측의 개폐 밸브(15a)를 개방으로 함과 아울러 압력식 유량 연산 제어부(7a)를 작동시킴으로써 컨트롤 밸브(3)가 개방되어 가스 공급 주관(8), 분류관로 개폐 밸브(10a, 10n), 오리피스(6a, 6n)를 통해서 설정 유량 신호에 대응하는 전체 유량(Q=Qａ+Qn)의 분류 가스가 분류 가스 출구(11a, 11n)로부터 각 프로세스 챔버(CHa, CHn)에 공급된다.
또한, 각 오리피스(6a, 6n)의 구경은 오리피스 1차측 압력(P1)과 소요 유량(Qa, Qn)에 의거하여 미리 결정되어 있고, 오리피스 1차측 압력(P1)을 컨트롤 밸브(3)의 개방도 조정에 의해 제어함으로써 전체 유량(Q=Qａ+Qn)이 설정 유량으로 유량 제어된다.
또한, 본 발명에 의한 장치(1)는 주로 복수의 같은 프로세스를 행하는 프로세스 챔버(CHa, CHn)에 프로세스 가스를 공급하는 경우에 사용된다. 그 때문에, 상기 각 오리피스(6a, 6n)의 구경은 통상 동일한 구경으로 선정되어 있다.
상기 오리피스(6a, 6n)의 1차측 압력(P1)과 2차측 압력(P2) 사이에 임계 팽창 조건이 성립하고 있는 경우에는 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 유량 제어가 행해진다. 또한, 열식 유량 제어부(1b) 쪽은 필요한 경우에 작동되어 가스 공급 주관(8) 내를 유통하는 프로세스 가스(Q)의 실유량의 체크나 표시 등이 행해진다.
한편, 프로세스 챔버(CHa, CHn)측의 압력 조건 등에 의해 각 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스류가 상기 임계 팽창 조건 외의 상태(P1/P2≤2)가 된 경우에는 압력식 유량 제어부(1a)에 의한 유량 제어에서 열식 유량 제어부(1b)에 의한 유량 제어로 자동적으로 스위칭되고, 압력식 유량 연산 제어부(7a)를 대신해서 열식 유량 연산 제어부(7b)가 작동함으로써 프로세스 가스 유량의 제어가 행해진다.
그 결과, 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스류가 임계 팽창 조건외의 상태가 되어도 상기 P1/P2의 압력 조건에 관계없이 고정밀도인 유량 제어를 행할 수 있다.
또한, 상기 각 실시예 등에 있어서는 복수의 각 분류관로(9a, 9n)의 전부에 프로세스 가스류를 공급하는 것으로서 설명을 했지만, 필요한 분류관로만, 예를 들면 오리피스(6a)가 설치된 분류관로(9a)에만 가스를 공급하는 것도 물론 가능하다.
또한, 상기 각 실시예 등에 있어서는 압력식 유량 제어부(1a)와 열식 유량 제어부(1b)의 양쪽을 설치하는 구성으로 하고 있지만, 열식 유량 제어부(1b) 쪽을 삭제하고 압력식 유량 제어부(1b)만을 구비한 가스 분류 공급 장치로 하는 것도 가능하다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명은 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 설비로서 뿐만 아니라, 임계 팽창 조건 하의 유체를 분류하는 것인 한 화학품 제조 장치 등의 유체 공급 장치에도 널리 적용할 수 있는 것이다.
CHa, CHn : 프로세스 챔버 Q : 전체 프로세스 가스 유량
Qa, Qn : 분류 가스 P1 : 오리피스 상류측 압력
P2 : 오리피스 하류측 압력
1 : 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치
1a : 압력식 유량 제어부 1b : 열식 유량 제어부
2 : 열식 유량 센서 3 : 컨트롤 밸브
3a : 피에조형 밸브 구동부 4 : 온도 센서
5 : 압력 센서 6a, 6n : 오리피스
7 : 연산 제어부 7a : 압력식 유량 연산 제어부
7b : 열식 유량 연산 제어부 8 : 가스 공급 주관
9a, 9n : 분기관로 10a, 10n : 분기관로 개폐 밸브
11 : 프로세스 가스 입구 11a, 11n : 분류 가스 출구
12 : 퍼지 가스 입구 13 : 신호 입출력
14a, 14n : 개폐 밸브 15 : 프로세스 가스
15a : 개폐 밸브 16 : 퍼지 가스
16a : 개폐 밸브 17 : 입·출력 신호

Claims (9)

  1. 프로세스 가스 입구(11)에 접속된 압력식 유량 제어부(1a)를 구성하는 컨트롤 밸브(3)와, 컨트롤 밸브(3)의 하류측에 연통되는 가스 공급 주관(8)과, 가스 공급 주관(8)의 하류측에 병렬상으로 접속된 복수의 분기관로(9a, 9n)와, 각 분기관로(9a, 9n)에 설치된 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)와, 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)의 하류측에 설치한 오리피스(6a, 6n)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로 근방에 설치한 온도 센서(4)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로에 설치한 압력 센서(5)와, 상기 오리피스(6a, 6n)의 출구측에 설치한 분류 가스 출구(11a, 11n)와, 상기 압력 센서(5)로부터의 압력 신호 및 온도 센서(4)로부터의 온도 신호가 입력되어 상기 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산함과 아울러 연산된 유량값과 유량 설정값의 차가 감소하는 방향으로 상기 컨트롤 밸브(3)를 개폐 작동시키는 제어 신호(Pd)를 밸브 구동부(3a)에 출력하는 압력식 유량 연산 제어부(7a)로 이루어지는 연산 제어부(7)를 구비하고, 상기 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 각 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스 유량 제어를 행하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  2. 프로세스 가스 입구(11)에 접속된 압력식 유량 제어부(1a)를 구성하는 컨트롤 밸브(3)와, 컨트롤 밸브(3)의 하류측에 접속된 열식 질량 제어부(1b)를 구성하는 열식 유량 센서(2)와, 열식 유량 센서(2)의 하류측에 연통되는 가스 공급 주관(8)과, 가스 공급 주관(8)의 하류측에 병렬상으로 접속된 복수의 분기관로(9a, 9n)와, 각 분기관로(9a, 9n)에 설치된 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)와, 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)의 하류측에 설치한 오리피스(6a, 6n)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로 근방에 설치한 온도 센서(4)와, 상기 컨트롤 밸브(3)와 오리피스(6a, 6n) 사이의 프로세스 가스 통로에 설치한 압력 센서(5)와, 상기 오리피스(6a, 6n)의 출구측에 설치한 분류 가스 출구(11a, 11n)와, 상기 압력 센서(5)로부터의 압력 신호 및 온도 센서(4)로부터의 온도 신호가 입력되어 상기 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산함과 아울러 연산한 유량값과 유량 설정값의 차가 감소하는 방향으로 상기 컨트롤 밸브(3)를 개폐 작동시키는 제어 신호(Pd)를 밸브 구동부(3a)에 출력하는 압력식 유량 연산 제어부(7a) 및 상기 열식 유량 센서(2)로부터의 유량 신호(2c)가 입력되어 상기 유량 신호(2c)로부터 오리피스(6a, 6n)를 유통하는 프로세스 가스의 총 유량(Q)을 연산 표시하는 열식 유량 연산 제어부(7b)로 이루어지는 연산 제어부(7)를 구비하고, 각 오리피스(6a, 6b)를 유통하는 프로세스 가스류가 임계 팽창 조건을 만족하는 가스류일 때는 상기 압력식 유량 제어부(1a)에 의해 프로세스 가스의 유량 제어를 행함과 아울러, 프로세스 가스류가 임계 팽창 조건을 만족하지 않는 가스류일 때는 상기 열식 질량 유량 제어부(1b)에 의해 프로세스 가스의 유량 제어를 행하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    복수의 오리피스(6a, 6n)의 구경을 동일하게 하여 각 분기관로(9a, 9n)에 동 유량의 프로세스 가스(Qa, Qn)를 공급하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    복수의 분기관로(9a, 9n) 중 임의의 분기관로에만 프로세스 가스를 유통시키는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    컨트롤 밸브(3), 오리피스(6a, 6n), 압력 센서(5), 온도 센서(4), 분기관로(9a, 9n), 분기관 개폐(10a, 10n), 가스 공급 주관(8)을 1개의 바디체에 일체적으로 장착 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    컨트롤 밸브(3), 열식 유량 센서(2), 오리피스(6a, 6n), 압력 센서(5), 온도 센서(4), 가스 공급 주관(8), 분기관로(9a, 9b), 분기관로 개폐 밸브(10a, 10n)를 1개의 바디체에 일체적으로 장착 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    압력식 유량 제어부(1a)에 의해 프로세스 가스의 유량 제어를 행함과 아울러, 열식 유량 제어부(1b)에 의해 프로세스 가스의 실유량을 표시하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    압력 센서(5)를 컨트롤 밸브(3)의 출구측과 열식 유량 센서(2)의 입구측 사이에 설치하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    압력식 유량 연산 제어부(7a)에서 연산한 유체 유량과 열식 질량 연산 제어부(7b)에서 연산한 유체 유량간의 차가 설정값을 초과하면 경보 표시를 행하는 연산 제어부(7)로 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치.

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170106207A (ko) * 2016-03-10 2017-09-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 프로세스를 조정하는 방법
KR20190006911A (ko) * 2017-07-11 2019-01-21 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 제어 장치, 유체 제어 시스템, 유체 제어 방법 및 프로그램 기록 매체

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100762A1 (de) * 2015-01-20 2016-07-21 Infineon Technologies Ag Behälterschalteinrichtung und Verfahren zum Überwachen einer Fluidrate
US20160363500A1 (en) * 2015-01-23 2016-12-15 Innovative Pressure Testing, Llc System and method for improving pressure test efficiency
JP6748586B2 (ja) * 2016-07-11 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、基板処理システム及びガス供給方法
US20180046206A1 (en) * 2016-08-13 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a process chamber
JP7164938B2 (ja) * 2017-07-31 2022-11-02 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御装置用プログラム
KR102596165B1 (ko) * 2017-09-29 2023-11-01 가부시키가이샤 프로테리아루 질량 유량 제어 시스템 및 당해 시스템을 포함하는 반도체 제조 장치 및 기화기
WO2020218138A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 株式会社フジキン 流量制御装置
CN111986971B (zh) * 2019-05-23 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 微波源进气装置及半导体工艺设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330128A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Fujitsu Ltd マスフローコントローラ
JP2000305630A (ja) 1999-04-16 2000-11-02 Tadahiro Omi 並列分流型の流体供給装置
JP2003323217A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Stec Inc 流量制御システム
JP2007004644A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Tohoku Univ 流量レンジ可変型流量制御装置
JP2008009554A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Fujikin Inc 流量比可変型流体供給装置
JP2009252147A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Tokyo Electron Ltd 流体分流供給ユニット

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4250553A (en) * 1979-03-05 1981-02-10 The Perkin-Elmer Corporation Fluid flow measurement system
JP3586075B2 (ja) * 1997-08-15 2004-11-10 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
DE69832956T2 (de) * 1997-08-15 2006-08-17 Fujikin Inc. Düse eines durchflussreglers mit einer druckregelung und deren herstellungsverfahren
JPH11212653A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Fujikin Inc 流体供給装置
JP3522535B2 (ja) * 1998-05-29 2004-04-26 忠弘 大見 圧力式流量制御装置を備えたガス供給設備
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
US6857447B2 (en) * 2002-06-10 2005-02-22 Advanced Technology Materials, Inc. Pressure-based gas delivery system and method for reducing risks associated with storage and delivery of high pressure gases
JP4195837B2 (ja) * 2003-06-20 2008-12-17 東京エレクトロン株式会社 ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
JP4204400B2 (ja) * 2003-07-03 2009-01-07 忠弘 大見 差圧式流量計及び差圧式流量制御装置
JP4086057B2 (ja) * 2004-06-21 2008-05-14 日立金属株式会社 質量流量制御装置及びこの検定方法
JP2007034667A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Surpass Kogyo Kk 流量コントローラ、これに用いるレギュレータユニット、バルブユニット
TWI444799B (zh) * 2006-12-05 2014-07-11 Horiba Stec Co 流量控制裝置與流量測定裝置之校準方法、流量控制裝置之校準系統、及半導體製造裝置
JP5372353B2 (ja) * 2007-09-25 2013-12-18 株式会社フジキン 半導体製造装置用ガス供給装置
JP2010169657A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Horiba Stec Co Ltd 質量流量計及びマスフローコントローラ
JPWO2011040330A1 (ja) * 2009-10-01 2013-02-28 株式会社堀場エステック 流量調整弁及びマスフローコントローラ
JP5562712B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置
US8905074B2 (en) * 2010-10-22 2014-12-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling gas distribution using orifice ratio conductance control

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330128A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Fujitsu Ltd マスフローコントローラ
JP2000305630A (ja) 1999-04-16 2000-11-02 Tadahiro Omi 並列分流型の流体供給装置
JP2003323217A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Stec Inc 流量制御システム
JP2007004644A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Tohoku Univ 流量レンジ可変型流量制御装置
JP2008009554A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Fujikin Inc 流量比可変型流体供給装置
JP2009252147A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Tokyo Electron Ltd 流体分流供給ユニット

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170106207A (ko) * 2016-03-10 2017-09-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 프로세스를 조정하는 방법
KR20190006911A (ko) * 2017-07-11 2019-01-21 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 제어 장치, 유체 제어 시스템, 유체 제어 방법 및 프로그램 기록 매체

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