KR20140117280A - Exposure apparatus, and method of manufacturing article - Google Patents

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KR20140117280A
KR20140117280A KR1020140031370A KR20140031370A KR20140117280A KR 20140117280 A KR20140117280 A KR 20140117280A KR 1020140031370 A KR1020140031370 A KR 1020140031370A KR 20140031370 A KR20140031370 A KR 20140031370A KR 20140117280 A KR20140117280 A KR 20140117280A
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스나오 엔도
유우키 우치다
히로아키 이타바시
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

Exposure apparatus for illuminating and exposing a substrate by a slit light of the present invention includes: a first light shield part which performs an overlapping exposure process on partial regions which are exposed by each light emitting exposure process are overlapped with each other in a first direction orthogonal to the light emitting direction, and defines the shape of a light emitting region to make uniform the width of the projection direction in the light emitting region and to make round the boundary shape of a projection direction part in the light emitting region of a substrate onto which a silt beam is emitted, and a second light shield part which includes an edge part which defines the shape of the end part of the first direction part in the light emitting region to have a slope exposure distribution according to the first direction in the overlapping region which is overlapped with a part of the partial region adjacent to the first direction in the exposure process of each partial region. The second light shield part has the edge part having a round shape to make a straight the shape of the exposure distribution of the overlapping region in the exposure process of each partial region.

Description

노광 장치 및 물품의 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE [0002]

본 발명은 노광 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus and a method of manufacturing an article.

액정 패널이나 반도체 디바이스 등의 제조에서는 슬릿광을 레지스트가 도포된 유리판이나 웨이퍼 등의 기판 상에서 주사시키면서, 마스크 등의 원판의 패턴을 당해 기판 상에 전사하는 노광 장치가 사용된다. 이러한 노광 장치에 있어서는, 최근의 액정 패널 등의 대형화에 수반하여, 1회의 주사 노광에 의해 원판의 패턴이 전사되는 영역(부분 영역)보다 큰 영역에 패턴을 형성하는 것이 요구되고 있다. 그리고, 이러한 큰 영역에 패턴을 형성하는 방법으로서, 복수의 부분 영역을 주사 방향과 직교하는 제1 방향을 따라 일부 영역(겹침 영역)을 중복하여 배열하는 겹침 노광이 일본 특허 공개 평08-330220호 공보에 제안되어 있다.In the manufacture of a liquid crystal panel or a semiconductor device, an exposure apparatus for transferring a pattern of an original plate such as a mask onto the substrate is used while scanning the slit light on a substrate such as a glass plate or wafer coated with a resist. In such an exposure apparatus, it is required to form a pattern in a region larger than a region (partial region) where the pattern of the original plate is transferred by one scan exposure, with the recent enlargement of liquid crystal panels and the like. As a method for forming a pattern in such a large area, an overlapping exposure in which a plurality of partial areas are arranged in a partially overlapped manner in a first direction orthogonal to the scanning direction (overlapping areas) is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-320220 It is proposed in the publication.

이러한 겹침 노광을 행할 때에는, 인접하는 2개의 부분 영역에 있어서 중복하여 노광된 겹침 영역에서의 노광량의 변동을 작게 하는 것이 중요하다. 일본 특허 공개 평08-330220호 공보에 기재된 방법에서는, 슬릿광이 조사되는 기판 상의 조사 영역은 직사각형 형상을 하고 있으며, 노광 장치 내에 구비된 차광판에 의해 조사 영역의 주사 방향과 직교하는 방향에서의 단부를 차광하고 있다. 차광판은, 당해 단부의 형상을 규정하는 에지부가 직선 형상을 하고 있으며, 기판면과 평행한 면 내에 있어서 회전시킴으로써 조사 영역을 사다리꼴 또는 평행사변형으로 성형하고 있다. 이러한 형상의 조사 영역을 이용하여 각 부분 영역을 노광함으로써, 각 부분 영역의 겹침 영역에서의 노광량을 조사 영역의 내측으로부터 외측을 향하여 선형적으로 감소시킬 수 있다. 그 결과, 인접하는 부분 영역에서의 겹침 영역을 서로 중첩하였을 때, 중첩된 겹침 영역에 있어서 노광량의 변동을 작게 할 수 있다.When such overlap exposure is performed, it is important to reduce fluctuations in the exposure amount in the overlapping regions which are overlapped and exposed in the two adjacent partial regions. In the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H03-330220, the irradiation area on the substrate to which the slit light is irradiated has a rectangular shape, and the end portion in the direction orthogonal to the scanning direction of the irradiation area by the light- . The shading plate has an edge portion defining a shape of the end portion and has a straight line shape. The irradiation region is formed into a trapezoidal shape or a parallelogram shape by rotating in a plane parallel to the substrate surface. By exposing each partial region using the irradiation region of this shape, the exposure amount in the overlapping region of each partial region can be linearly reduced from the inside to the outside of the irradiation region. As a result, when the overlapping regions in the adjacent partial regions are overlapped with each other, the fluctuation of the exposure amount in the overlapped overlapping region can be reduced.

그러나, 조사 영역이 직사각형 형상이 아닐 때, 예를 들어 조사 영역이 원호 형상일 때 등에 있어서는, 에지부의 형상이 직선 형상인 차광판을 사용하면, 각 부분 영역의 노광에서의 겹침 영역의 노광량 분포(제1 방향)의 형상이 직선으로부터 벗어난다. 그 결과, 중복하여 노광된 겹침 영역에 있어서 노광량의 변동을 작게 하는 것이 곤란해져 버릴 수 있다.However, when the irradiation area is not rectangular, for example, when the irradiation area is circular arc, etc., the use of a light shielding plate having a linear shape of the edge part allows the exposure amount distribution of the overlapping area 1 direction) is deviated from the straight line. As a result, it may become difficult to reduce the fluctuation of the exposure amount in the overlapping area which is overlapped and exposed.

본 발명은 복수의 부분 영역을 일부의 영역을 중복하여 배열하는 겹침 노광을 행하는 측면에서 유리한 노광 장치를 제공한다.The present invention provides an exposure apparatus advantageous in terms of performing overlapping exposure in which a plurality of partial regions are arranged in a partial overlapping manner.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면으로서의 노광 장치는, 슬릿광에 의해 기판을 주사 노광하는 노광 장치이며, 상기 노광 장치는, 각각의 주사 노광으로 노광되는 복수의 부분 영역이 주사 방향과 직교하는 제1 방향을 따라 일부의 영역이 서로 중복하여 배열되는 겹침 노광을 행하고, 상기 슬릿광이 조사되는 상기 기판 상의 조사 영역의 상기 주사 방향측에서의 경계 형상이 곡선 형상이 되도록, 또한 상기 조사 영역의 상기 주사 방향에서의 폭이 일정해지도록 상기 조사 영역의 형상을 규정하는 제1 차광부와, 각 부분 영역의 노광에 있어서 상기 제1 방향에 인접하는 부분 영역의 일부와 중복되는 영역인 겹침 영역에서의 상기 제1 방향을 따른 노광량 분포가 경사진 분포가 되도록, 상기 조사 영역의 상기 제1 방향측의 단부의 형상을 규정하는 에지부를 포함하는 제2 차광부를 포함하고, 상기 제2 차광부는, 각 부분 영역의 노광에서의 상기 겹침 영역의 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하도록 상기 에지부의 형상이 곡선 형상으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an exposure apparatus as one aspect of the present invention is an exposure apparatus for scanning and exposing a substrate with slit light, wherein the exposure apparatus includes: a plurality of partial regions, Overlapping exposure is performed in which a part of the regions overlap with each other in a first direction orthogonal to each other so that the border shape at the scanning direction side of the irradiation region on the substrate irradiated with the slit light is curved, A first light-shielding portion for defining a shape of the irradiation region such that the width in the scanning direction is constant, and a second light-shielding portion for overlapping a portion of the partial region adjacent to the first direction in the exposure of each partial region The shape of the end portion on the first direction side of the irradiation region is determined so that the distribution of the exposure amount along the first direction becomes a tilted distribution And the second light-shielding portion is configured such that the shape of the edge portion is curved so that the shape of the distribution of the exposure amount of the overlapping region in the exposure of each partial region is close to a straight line .

본 발명의 추가적인 특징은 (첨부된 도면을 참조하여) 이하의 예시적인 실시형태의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.Additional features of the present invention will become apparent from the following detailed description of exemplary embodiments (with reference to the accompanying drawings).

도 1은 제1 실시 형태의 노광 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 복수의 부분 영역을 이어붙여 전체 영역을 기판 상에 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 제2 차광부의 예를 도시하는 도면이다.
도 4는 조사 영역에서의 겹침 영역의 위치를 도시하는 도면이다.
도 5는 제2 차광부와 조사 영역의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 6은 복수의 부분 영역을 이어붙여 전체 영역을 기판 상에 형성하는 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 7은 제2 차광부의 위치나 각도의 조정에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
1 is a view showing an exposure apparatus according to the first embodiment.
2 is a view for explaining a step of forming a plurality of partial regions by joining together to form an entire region on a substrate.
3 is a view showing an example of the second light-shielding portion.
4 is a diagram showing the positions of the overlapping regions in the irradiation region.
5 is a diagram showing the positional relationship between the second light-shielding portion and the irradiation region.
6 is a flow chart showing a step of forming a total area on a substrate by connecting a plurality of partial areas.
7 is a view for explaining the adjustment of the position and angle of the second light-shielding portion.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙여, 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are assigned to the same members or elements, and redundant description is omitted.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

본 발명의 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 노광 장치(100)를 도시하는 도면이다. 제1 실시 형태의 노광 장치(100)는 슬릿광에 의해 기판을 주사 노광하는 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 노광 장치이며, 조명 광학계(1), 얼라인먼트 스코프(2), 투영 광학계(4), 기판 스테이지(11) 및 제어부(12)를 포함한다. 또한, 원판(3)은 얼라인먼트 스코프(2)와 투영 광학계(4)의 사이에 배치되어 있고, 기판(10)은 기판 스테이지(11)에 보유 지지되어 있다. 제어부(12)는 CPU나 메모리를 포함하며, 노광 장치(100)의 전체(노광 장치(100)의 각 부)를 제어한다. 즉, 제어부(12)는 원판(3)의 패턴을 기판(10)에 전사하는 처리(기판(10)을 주사 노광하는 처리(본 실시 형태에서는 겹침 노광))를 제어한다.An exposure apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 1 is a diagram showing an exposure apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention. The exposure apparatus 100 according to the first embodiment is a step-and-scan scanning exposure apparatus that scans a substrate with slit light. The exposure apparatus 100 includes an illumination optical system 1, an alignment scope 2, a projection optical system 4, A stage 11 and a control unit 12. [ The original plate 3 is disposed between the alignment scope 2 and the projection optical system 4 and the substrate 10 is held on the substrate stage 11. The control unit 12 includes a CPU and a memory, and controls the entire exposure apparatus 100 (each section of the exposure apparatus 100). That is, the control unit 12 controls the process of transferring the pattern of the original plate 3 to the substrate 10 (the process of scanning-exposing the substrate 10 (overlapping exposure in this embodiment)).

조명 광학계(1)는, 예를 들어 광원(13), 제1 콘덴서 렌즈(14), 플라이아이 렌즈(15), 평면 거울(16), 제2 콘덴서 렌즈(17), 슬릿 규정 부재(18)(제1 차광부) 및 결상 광학계(19)를 포함한다. 광원(13)은, 예를 들어 고압 수은 램프와 타원 미러를 포함할 수 있다. 광원(13)에 의해 사출된 광은, 제1 콘덴서 렌즈(14) 및 플라이아이 렌즈(15)를 통과한 후, 평면 거울(16)에 의해 광로가 절곡되어, 제2 콘덴서 렌즈(17)를 통하여 슬릿 규정 부재(18)에 입사한다. 슬릿 규정 부재(18)는 원판(3)의 조명 범위(즉, 원판(3)을 조명하는 슬릿광의 단면 형상)를, 예를 들어 X 방향으로 긴 원호 형상이 되도록 규정한다. 구체적으로는, 슬릿 규정 부재(18)는 조명 범위의 주사 방향(±Y 방향)측의 경계 형상이 곡선 형상이 되도록, 또한 조명 범위의 주사 방향에서의 폭이 일정해지도록 원판(3)의 조명 범위를 규정한다. 결상 광학계(19)는 슬릿 규정 부재(18)에 의해 규정된 슬릿광을 투영 광학계(4)의 물체면(원판(3))에 조명시키도록 구성되어 있다. 또한, 얼라인먼트 스코프(2)는, 원판(3)의 얼라인먼트 마크와 기판(10)의 얼라인먼트 마크를 투영 광학계(4)를 통하여 동시에 검출한다.The illumination optical system 1 includes a light source 13, a first condenser lens 14, a fly-eye lens 15, a flat mirror 16, a second condenser lens 17, a slit defining member 18, (First light-shielding portion) and an imaging optical system 19. The light source 13 may include, for example, a high-pressure mercury lamp and an elliptical mirror. The light emitted by the light source 13 passes through the first condenser lens 14 and the fly's eye lens 15 and is then deflected by the plane mirror 16 so that the second condenser lens 17 And enters the slit defining member 18. [ The slit defining member 18 defines the illumination range of the original plate 3 (that is, the cross-sectional shape of the slit beam for illuminating the original plate 3) to be, for example, a long circular arc in the X direction. Specifically, the slit defining member 18 is formed such that the boundary shape on the scanning direction (± Y direction) side of the illumination range becomes a curved shape, and the width of the illumination range in the scanning direction becomes constant, The range is specified. The imaging optical system 19 is configured to illuminate the object surface (the original plate 3) of the projection optical system 4 with the slit light defined by the slit defining member 18. The alignment scope 2 simultaneously detects the alignment mark of the original plate 3 and the alignment mark of the substrate 10 through the projection optical system 4.

투영 광학계(4)는 제1 평행 평판(5a), 제2 평행 평판(5b), 제1 평면 거울(6), 제2 평면 거울(7), 볼록면 거울(8) 및 오목면 거울(9)을 포함하도록 구성되어 있으며, 조명 광학계(1)에 의해 조명되는 원판(3)의 패턴의 상을 기판(10)에 투영한다. 원판(3)은 투영 광학계(4)의 물체면에, 기판(10)은 투영 광학계(4)의 상면에 각각 배치되어 있다. 투영 광학계(4)는 등배 결상 광학계, 확대 결상 광학계 및 축소 결상 광학계 중 어느 것으로서도 구성될 수 있지만, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에서는 등배의 광학계로서 구성되어 있다. 원판(3)을 통과한 슬릿광은 제1 평행 평판(5a), 제1 평면 거울(6), 오목면 거울(9)의 제1 면(9a), 볼록면 거울(8), 오목면 거울(9)의 제2 면(9b), 제2 평면 거울(7) 및 제2 평행 평판(5b)을 거쳐 기판(10)을 조사한다. 그리고, 원판(3)과 기판(10)을 기판면과 평행한 방향(주사 방향(제1 실시 형태에서는 Y 방향))으로 투영 광학계(4)의 투영 배율에 따른 속도비로 주사시킴으로써, 원판(3)의 패턴을 기판(10)에 전사할 수 있다. 여기서, 슬릿광이 조사되는 기판 상의 영역(조사 영역)의 형상은, 원판(3)의 조명 범위와 동일한 형상의 원호 형상이 된다. 따라서, 조명 광학계(1)의 슬릿 규정 부재(18)(제1 차광부)는 기판 상의 조사 영역의 형상을 규정하고 있는 것과 등가이다. 또한, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에서는, 조사 영역의 형상(조사 영역의 주사 방향측에서의 경계 형상)을 원호 형상으로서 설명하지만, 그것에 한정되는 것이 아니며, 예를 들어 2차 이상의 함수에 의해 표시되는 곡선 형상이면 된다. 또한, 오목면 거울(9)의 제1 면(9a)과 오목면 거울(9)의 제2 면(9b)은 오목면 거울(9)의 상이한 오목면의 영역을 나타내고 있는데, 제1 면(9a)과 제2 면(9b)이 상이한 오목면 거울로 구성되어도 된다.The projection optical system 4 includes a first parallel plate 5a, a second parallel plate 5b, a first plane mirror 6, a second plane mirror 7, a convex plane mirror 8 and a concave plane mirror 9 , And projects an image of the pattern of the original plate 3 illuminated by the illumination optical system 1 onto the substrate 10. [ The original plate 3 is disposed on the object surface of the projection optical system 4 and the substrate 10 is disposed on the upper surface of the projection optical system 4. The projection optical system 4 can be configured as an equi-optical imaging system, a magnification imaging optical system, and a reduced imaging optical system, but is configured as an optical system of equal magnification in the exposure apparatus 100 of the first embodiment. The slit light having passed through the disk 3 passes through the first parallel plate 5a, the first plane mirror 6, the first face 9a of the concave mirror 9, the convex plane mirror 8, The second planar mirror 7, and the second parallel plate 5b of the substrate 9, the substrate 10 is irradiated. The original plate 3 and the substrate 10 are scanned at a speed ratio in accordance with the projection magnification of the projection optical system 4 in the direction parallel to the substrate surface (scanning direction (Y direction in the first embodiment)), Can be transferred to the substrate 10. [0052] Here, the shape of the area (irradiation area) on the substrate to which the slit light is irradiated is an arc shape having the same shape as the illumination range of the original plate 3. [ Therefore, the slit defining member 18 (first light-shielding portion) of the illumination optical system 1 is equivalent to defining the shape of the irradiation area on the substrate. In the exposure apparatus 100 according to the first embodiment, the shape of the irradiation area (boundary shape at the scanning direction side of the irradiation area) is described as an arc shape, but the shape is not limited thereto. For example, It may be a curved shape to be displayed. The first face 9a of the concave mirror 9 and the second face 9b of the concave mirror 9 represent different concave areas of the concave mirror 9, 9a and the second surface 9b may be made of different concave mirrors.

이렇게 구성된 노광 장치(100)에 있어서는, 최근의 액정 패널 등의 대형화에 수반하여, 1회의 주사 노광에 의해 원판의 패턴이 전사되는 영역(부분 영역)보다 큰 영역에 패턴을 형성하는 것이 요구되고 있다. 그리고, 이러한 큰 영역에 패턴을 형성하는 방법으로서는, 복수의 부분 영역을 주사 방향과 직교하는 방향(제1 방향(X 방향))을 따라 일부 영역(겹침 영역)을 중복하여 배열시키는 방법(겹침 노광)을 들 수 있다. 그리고, 이러한 겹침 노광을 행할 때에는, 복수의 부분 영역을 포함하는 영역(전체 영역)에 있어서 노광량의 변동을 작게 할 필요가 있으며, 그러려면 중복하여 노광된 겹침 영역에서의 노광량의 변동을 작게 하는 것이 중요하다. 예를 들어, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 3개의 부분 영역(20 내지 22)의 겹침 노광을 행하는 경우를 상정한다. 이 경우, 부분 영역(20)의 겹침 영역(20a)과 부분 영역(21)의 겹침 영역(21a)이 중첩되도록 부분 영역(20)과 부분 영역(21)이 이어붙여진다. 이때, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 부분 영역(20)의 겹침 영역(20a)과 부분 영역(21)의 겹침 영역(21a)이 중첩된 영역(23a)에 있어서 노광량의 변동을 작게 하는 것이 중요하다. 그로 인해, X 위치에 대한 노광량의 도면을 도시하는 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 노광 장치(100)는 부분 영역(20)에서는 겹침 영역(20a)의 노광량이 X 방향을 향함에 따라 선형적으로 감소하도록 주사 노광을 행한다. 또한, 노광 장치(100)는 부분 영역(21)에서는 겹침 영역(21a)의 노광량이 -X 방향을 향함에 따라 선형적으로 감소하도록 주사 노광을 행한다. 마찬가지로, 부분 영역(21)의 겹침 영역(21b)과 부분 영역(22)의 겹침 영역(22a)이 중첩되도록 부분 영역(21)과 부분 영역(22)이 이어붙여진다. 이때, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 부분 영역(21)의 겹침 영역(21b)과 부분 영역(22)의 겹침 영역(22a)이 중첩된 영역(23b)에 있어서 노광량의 변동을 작게 하는 것이 중요하다. 그로 인해, 노광 장치(100)는 부분 영역(21)에서는 겹침 영역(21b)의 노광량이 X 방향을 향함에 따라 선형적으로 감소하도록, 부분 영역(22)에서는 겹침 영역(22a)의 노광량이 -X 방향을 향함에 따라 선형으로 감소하도록 주사 노광을 행한다. 이에 의해, 겹침 영역(20a과 21a)이 중첩된 영역(23a) 및 겹침 영역(21b와 22a)이 중첩된 영역(23b)에 있어서 노광량의 변동을 작게 할 수 있다. 또한, 도 2의 (b)에 있어서, 영역(23a 및 23b) 이외의 영역의 노광량을 100%라고 하였을 때, 영역(23a 및 23b)의 영역을 100%에 근접시킬 수 있다. 중첩된 영역(23a 및 23b)의 노광량을, 부분 영역 중 겹침 영역 이외의 영역의 노광량에 근접시킬 수 있다. 즉, 복수의 부분 영역(20 내지 22)을 포함하는 전체 영역(23)에 있어서 노광량의 변동을 작게 할 수 있다.In the exposure apparatus 100 configured in this way, it is required to form a pattern in a region larger than a region (partial region) where a pattern of the original plate is transferred by one scan exposure, with the recent enlargement of a liquid crystal panel or the like . As a method of forming a pattern in such a large area, there is a method of arranging a plurality of partial areas such that a partial area (overlap area) is overlapped along a direction (first direction (X direction)) orthogonal to the scanning direction ). When performing such overlapping exposure, it is necessary to reduce the fluctuation of the exposure amount in a region (entire region) including a plurality of partial regions. To reduce the fluctuation of the exposure amount in the overlapped exposure region It is important. For example, it is assumed that overlapping exposure of three partial regions 20 to 22 is performed as shown in Fig. 2 (a). In this case, the partial region 20 and the partial region 21 are connected so that the overlapping region 20a of the partial region 20 and the overlapping region 21a of the partial region 21 overlap. At this time, as shown in FIG. 2 (b), the variation of the exposure amount in the overlapping area 20a of the partial area 20 and the overlapping area 21a of the partial area 21 overlap It is important to make it small. 2 (c) showing the exposure amount with respect to the X position, in the exposure apparatus 100, in the partial area 20, the exposure amount of the overlapping area 20a faces the X direction Scanning exposure is performed so as to decrease linearly. The exposure apparatus 100 performs scanning exposure so that the exposure amount of the overlapping region 21a decreases linearly toward the -X direction in the partial region 21. Likewise, the partial region 21 and the partial region 22 are joined so that the overlapping region 21b of the partial region 21 overlaps the overlapping region 22a of the partial region 22. At this time, as shown in Fig. 2 (b), the variation of the exposure amount in the overlapping area 21b of the partial area 21 and the overlapping area 22a of the partial area 22 overlap It is important to make it small. Therefore, in the exposure apparatus 100, in the partial region 22, the exposure amount of the overlapping region 22a is reduced to -10 nm so that the exposure amount of the overlapping region 21b decreases linearly toward the X direction in the partial region 21, Scanning exposure is performed so as to decrease linearly as it goes toward the X direction. This makes it possible to reduce variations in the exposure amount in the region 23b in which the overlapping regions 20a and 21a are overlapped with each other and the overlapping regions 21b and 22a are overlapped with each other. 2 (b), when the exposure amounts of the regions other than the regions 23a and 23b are 100%, the regions 23a and 23b can be brought close to 100%. The exposure amount of the overlapped areas 23a and 23b can be brought close to the exposure amount of the area other than the overlap area in the partial area. That is, the fluctuation of the exposure amount in the entire region 23 including the plurality of partial regions 20 to 22 can be reduced.

이와 같이 복수의 부분 영역을 포함하는 전체 영역에 있어서 노광량의 변동을 작게 하기 위해서는, 각 부분 영역의 겹침 영역에서의 노광량 분포를 선형적으로 경사시키는 것이 필요하다. 따라서, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 투영 광학계(4)와 기판(10)의 사이에 조사 영역의 제1 방향(±X 방향)에서의 단부를 차광하는 제2 차광부(24)를 포함한다. 상술한 바와 같이, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에서는 슬릿광이 조사되는 기판 상의 조사 영역은 X 방향으로 긴 원호 형상이다. 그로 인해, 에지부의 형상이 직선 형상인 차광판을 사용하여 조사 영역의 X 방향에서의 단부를 차광해 버리면, 각 부분 영역의 노광에 있어서 겹침 영역의 노광량 분포(제1 방향)의 형상이 직선으로부터 벗어난다. 그 결과, 중복하여 노광된 겹침 영역에 있어서 노광량의 변동을 작게 하는 것이 곤란해져 버릴 수 있다. 그로 인해, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에서의 제2 차광부(24)는, 각 부분 영역의 노광에 있어서 겹침 영역의 노광량 분포(제1 방향)가 직선에 근접하도록 에지부의 형상이 곡선 형상으로 구성되어 있으며, 조사 영역의 X 방향에서의 단부를 곡선 형상으로 규정한다.In order to reduce the variation of the exposure amount in the entire region including the plurality of partial regions as described above, it is necessary to linearly tilt the exposure amount distribution in the overlapping region of each partial region. 1, the exposure apparatus 100 according to the first embodiment is provided with an end portion in the first direction (± X direction) of the irradiation region between the projection optical system 4 and the substrate 10 And a second light-shielding portion 24 for shielding light. As described above, in the exposure apparatus 100 according to the first embodiment, the irradiation area on the substrate to which the slit light is irradiated has a circular arc shape in the X direction. Therefore, when the end portion in the X direction of the irradiation region is shielded by using the light shielding plate whose shape of the edge portion is linear, the shape of the exposure amount distribution (first direction) of the overlapping region in the exposure of each partial region deviates from the straight line . As a result, it may become difficult to reduce the fluctuation of the exposure amount in the overlapping area which is overlapped and exposed. Therefore, the second light-shielding portion 24 of the exposure apparatus 100 of the first embodiment is configured such that the shape of the edge portion is set such that the exposure amount distribution (first direction) of the overlapping region in the exposure of each partial region is close to a straight line And the end portion of the irradiation region in the X direction is defined as a curved shape.

여기서, 제2 차광부(24)에 대하여 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 제2 차광부(24)의 예를 도시하는 도면이다. 도 3에 있어서는, 원호 형상의 조사 영역(25)도 함께 도시하고 있다. 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에 있어서 제2 차광부(24)는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 2개 구비되어 있으며, 조사 영역(25)의 X 방향에서의 2개의 단부를 차광하도록 각각 배치되어 있다. 이때, 조사 영역(25)의 X 방향의 단부의 형상을 규정하는 제2 차광부(24)의 에지부(24')의 형상은, 조사 영역(25)에서의 주사 방향측(-Y 방향측)의 경계 형상을 나타내는 함수를 g(x)라 하였을 때, 식 (1)에 의해 표시된다. 그리고, 제2 차광부(24)의 에지부(24')의 형상은, 조사 영역(25)의 외측을 향한 볼록 형상이 된다. 식 (1)은 함수 g(x)와 1차 함수를 더한 식이며, s는 조사 영역(25)의 주사 방향에서의 폭, a는 조사 영역(25)의 무게 중심과 겹침 영역의 사이의 X 방향(제1 방향)에서의 거리, b는 겹침 영역의 X 방향에서의 폭을 나타낸다.Here, the second light-shielding portion 24 will be described with reference to FIG. 3 is a diagram showing an example of the second light-shielding portion 24. As shown in Fig. In Fig. 3, an irradiation region 25 of an arc shape is also shown. The exposure apparatus 100 according to the first embodiment is provided with two second light shielding portions 24 as shown in Fig. 3A, and two of the irradiation regions 25 in the X direction Respectively. At this time, the shape of the edge portion 24 'of the second light-shielding portion 24 defining the shape of the end portion in the X direction of the irradiation region 25 is the same as the shape of the edge portion 24' (1), where g (x) is a function representing the boundary shape of the boundary surface. The shape of the edge portion 24 'of the second light-shielding portion 24 is a convex shape directed toward the outside of the irradiation region 25. S is the width in the scanning direction of the irradiation area 25 and a is the width in the X direction between the center of gravity of the irradiation area 25 and the overlapping area (First direction), and b represents the width in the X direction of the overlapping region.

y=g(x)+s(x-a)/b … (1)y = g (x) + s (x-a) / b ... (One)

또한, 제2 차광부(24)는 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 구성할 수도 있다. 제2 차광부(24)는, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 2개 구비되어 있으며, 조사 영역(25)의 X 방향에서의 2개의 단부를 차광하도록 각각 배치되어 있다. 이때, 조사 영역(25)의 X 방향의 단부의 형상을 규정하는 제2 차광부(24)의 에지부(24')의 형상은, 조사 영역(25)에서의 주사 방향측(-Y 방향측)의 경계 형상을 나타내는 함수를 g(x)로 하였을 때, 식 (2)에 의해 표시된다. 그리고, 제2 차광부(24)의 에지부(24')의 형상은 조사 영역(25)의 내측을 향한 볼록 형상이 된다. 식 (2)는 함수 g(x)와 1차 함수를 더한 식이며, s, a 및 b는 식 (1)과 마찬가지로, 조사 영역(25)의 주사 방향에서의 폭, 조사 영역(25)의 무게 중심과 겹침 영역의 사이의 X 방향에서의 거리 및 겹침 영역의 X 방향에서의 폭을 각각 나타낸다.Also, the second light-shielding portion 24 may be configured as shown in FIG. 3 (b). As shown in Fig. 3 (b), the second light-shielding portion 24 is provided at two positions, and is disposed so as to shield the two end portions of the irradiation region 25 in the X direction. At this time, the shape of the edge portion 24 'of the second light-shielding portion 24 defining the shape of the end portion in the X direction of the irradiation region 25 is the same as the shape of the edge portion 24' (2), where g (x) is a function representing the boundary shape of the boundary surface. The shape of the edge portion 24 'of the second light-shielding portion 24 is a convex shape directed toward the inside of the irradiation region 25. (1), the width of the irradiation area 25 in the scanning direction, the weight of the irradiation area 25 (weight) of the irradiation area 25, The distance in the X direction between the center and the overlapping area, and the width in the X direction of the overlapping area, respectively.

y=g(x)+s-s(x-a)/b … (2)y = g (x) + s-s (x-a) / b ... (2)

여기서, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에서는 동일한 형상의 2개의 제2 차광부(24)가 조사 영역(25)의 X 방향에서의 2개의 단부에 각각 배치되어 있지만, 그것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 2개의 제2 차광부(24) 중 한쪽을 식 (1)에 의해 표시되는 에지부(24')를 포함하는 형상으로 하고, 다른쪽을 식 (2)에 의해 표시되는 에지부(24')를 포함하는 형상으로 하여도 된다.3 (a) and 3 (b), the two second light blocking portions 24 having the same shape are disposed at the two ends of the irradiation region 25 in the X direction, It is not. For example, as shown in FIG. 3 (c), one of the two second light-shielding portions 24 may have a shape including an edge portion 24 'represented by Formula (1) May have a shape including the edge portion 24 'represented by the expression (2).

이렇게 제2 차광부(24)를 구성함으로써, 각 부분 영역의 노광에 있어서 겹침 영역의 노광량 분포(제1 방향)의 형상을 직선에 근접시킬 수 있다. 이에 의해, 중복하여 노광된 겹침 영역에 있어서 노광량의 변동을 작게 할 수 있다. 또한, 제2 차광부(24)는 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시킴으로써, 겹침 영역의 X 방향의 폭 b를 유지한 채, 조사 영역(25)의 무게 중심과 겹침 영역의 사이의 X 방향에서의 거리 a만을 변화시킬 수 있다. 즉, 제2 차광부를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시킴으로써, 각 부분 영역의 노광에서의 겹침 영역의 노광량 분포의 형상 및 X 방향의 폭 b를 유지한 채, 겹침 영역을 제1 방향(±X 방향)으로 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 도 3의 (a)에 도시하는 제2 차광부(24)에 있어서, 당해 제2 차광부(24)를 주사 방향으로 이동시킨 경우에 대하여, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 제2 차광부(24)를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시켰을 때에 있어서, 조사 영역(25)에 대한 겹침 영역(26)의 위치를 도시하는 도면이다. 도 4의 (a)는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 조사 영역(25)에 대하여 조사 영역(25)의 무게 중심으로부터 거리 a만큼 X 방향으로 이격된 위치에 겹침 영역(26)이 배치되도록 제2 차광부(24)를 배치하였을 때의 도면이다. 이에 반하여, 제2 차광부(24)를 조사 영역(25)에 대하여 +Y 방향으로 이동시키면, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 겹침 영역(26)의 노광량 분포의 형상 및 X 방향의 폭 b를 유지한 채 겹침 영역(26)을 조사 영역(25)의 무게 중심에 근접시킬 수 있다. 또한, 제2 차광부(24)를 조사 영역(25)에 대하여 -Y 방향으로 이동시키면, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 겹침 영역의 노광량 분포의 형상 및 X 방향의 폭 b를 유지한 채 겹침 영역(26)을 조사 영역(25)의 무게 중심으로부터 멀어지게 할 수 있다. 이렇게 제2 차광부(24)를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시킴으로써, 조사 영역(25)에 대한 겹침 영역(26)의 X 방향의 위치를 조정할 수 있다. 여기서, 제2 차광부(24)를 주사 방향으로 구동하기 위한 액추에이터는, 예를 들어 모터나 실린더 등이 사용된다. 또한, 제2 차광부(24)의 주사 방향에서의 위치를 측정하기 위하여, 예를 들어 레이저 간섭계 등 제2 차광부(24)의 위치를 측정하는 위치 측정부를 노광 장치(100)에 설치하여도 된다.By configuring the second light-shielding portion 24 in this manner, the shape of the exposure amount distribution (first direction) of the overlapping region in the exposure of each partial region can be brought close to a straight line. This makes it possible to reduce the fluctuation of the exposure amount in the overlapping area which is overlapped and exposed. The second light-shielding portion 24 is moved in the scanning direction (+ -Y direction) to maintain the width b of the overlapping region in the X-direction and the X-direction between the center of gravity of the irradiation region 25 and the overlapping region Can be changed only by the distance &quot; a &quot; That is, by moving the second light blocking portion in the scanning direction (占 direction), while maintaining the shape of the exposure amount distribution and the width b in the X direction in the overlap region in the exposure of each partial region, X direction). For example, the case where the second light-shielding portion 24 is moved in the scanning direction in the second light-shielding portion 24 shown in FIG. 3A will be described with reference to FIG. 4 is a view showing the position of the overlapping region 26 with respect to the irradiation region 25 when the second light-shielding portion 24 is moved in the scanning direction (占 direction). 4A shows a state in which the overlap region 26 (see FIG. 3A) is formed at a position spaced apart from the center of gravity of the irradiation region 25 by the distance a in the X direction with respect to the irradiation region 25, The second light blocking portion 24 is disposed so that the second light blocking portion 24 is disposed. On the other hand, when the second light blocking portion 24 is moved in the + Y direction with respect to the irradiation region 25, as shown in FIG. 4B, the shape of the exposure amount distribution in the overlapping region 26 and the X- The overlapping region 26 can be brought close to the center of gravity of the irradiation region 25 while maintaining the width b of the irradiation region 25. When the second light-shielding portion 24 is moved in the -Y direction with respect to the irradiation region 25, as shown in Fig. 4 (c), the shape of the exposure amount distribution in the overlapping region and the width b in the X- It is possible to keep the overlapping region 26 away from the center of gravity of the irradiation region 25. [ The position of the overlapping area 26 in the X direction with respect to the irradiation area 25 can be adjusted by moving the second light blocking part 24 in the scanning direction (占 direction). Here, as an actuator for driving the second light-shielding portion 24 in the scanning direction, for example, a motor or a cylinder is used. Further, in order to measure the position of the second light-shielding portion 24 in the scanning direction, even if a position measuring portion for measuring the position of the second light-shielding portion 24 such as a laser interferometer is provided in the exposure apparatus 100 do.

제2 차광부(24)는, 예를 들어 조사 영역(25)의 전체면을 사용하여 기판(10)을 노광하는 경우 등, 조사 영역(25)의 제1 방향에서의 단부를 차광하지 않을 때에는, 조사 영역(25)으로부터 벗어난 위치로 이동할 수 있다. 예를 들어, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 제2 차광부(24)를 조사 영역(25)의 무게 중심으로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써, 제2 차광부(24)가 조사 영역(25)에 걸리지 않도록 제2 차광부(24)를 조사 영역(25)으로부터 벗어난 위치로 이동시킬 수 있다. 또한, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 제2 차광부(24)를 회전시킴으로써, 제2 차광부(24)가 조사 영역(25)에 걸리지 않도록 제2 차광부(24)를 조사 영역(25)으로부터 벗어난 위치로 이동시킬 수 있다.The second light-shielding portion 24 does not shield the end portion of the irradiation region 25 in the first direction, for example, when the entire surface of the irradiation region 25 is used to expose the substrate 10 , And can move to a position deviated from the irradiation area (25). 5 (a), by moving the second light-shielding portion 24 in a direction away from the center of gravity of the irradiation region 25, the second light-shielding portion 24 irradiates the irradiation region 25 The second light-shielding portion 24 can be moved to a position deviated from the irradiation region 25. 5B, by rotating the second light-shielding portion 24, the second light-shielding portion 24 is irradiated onto the irradiation region 25 so as to prevent the second light-shielding portion 24 from being caught in the irradiation region 25, (25).

복수의 부분 영역을 이어붙여 전체 영역을 기판 상에 형성하는 공정에 대하여, 도 2 및 도 6을 참조하면서 설명한다. 여기에서는, 도 2에 도시한 바와 같이 3개의 부분 영역(20 내지 22)을 이어붙이는 경우를 상정한다. 도 2는 복수의 부분 영역을 이어붙여 전체 영역을 기판 상에 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 그 공정을 도시하는 흐름도이다. 여기서, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에서는 2개의 제2 차광부(24a 및 24b)가 구비되어 있다. 제2 차광부(24a)는 조사 영역(25)의 -X 방향측에서의 단부를 차광하고, 제2 차광부(24b)는 조사 영역(25)의 X 방향측에서의 단부를 차광한다.A process of forming a total area on a substrate by connecting a plurality of partial areas is described with reference to Figs. 2 and 6. Fig. Here, it is assumed that three partial regions 20 to 22 are connected as shown in Fig. Fig. 2 is a view for explaining a process of forming a plurality of partial regions by joining together to form an entire region on a substrate, and Fig. 6 is a flowchart showing the process. Here, in the exposure apparatus 100 of the first embodiment, two second light shielding portions 24a and 24b are provided. The second light-shielding portion 24a shields the end portion of the irradiation region 25 on the -X direction side and the second light-shielding portion 24b shields the end portion of the irradiation region 25 on the X direction side.

우선, 노광 장치(100)는 기판 상의 부분 영역(20)을 노광하는 공정을 행한다. S11에서는, 제어부(12)는 제2 차광부(24b)를 조사 영역의 X 방향측에서의 단부를 차광하도록 배치한다. S12에서는, 제어부(12)는 부분 영역(20)의 X 방향(제1 방향)에서의 폭에 따라 제2 차광부(24b)를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시킨다. S13에서는, 제어부(12)는 부분 영역(20)의 겹침 영역(20a)에서의 노광량 분포(X 방향)의 형상이 직선에 근접하고, 또한 겹침 영역(20a)의 폭(X 방향)과 노광량이 각각 목표값에 근접하도록 제2 차광부(24b)의 위치나 각도를 조정한다. S14에서는, 제어부(12)는 부분 영역(20)의 주사 노광을 행한다.First, the exposure apparatus 100 performs a step of exposing the partial region 20 on the substrate. In S11, the control section 12 disposes the second light-shielding section 24b so as to shield the end portion of the irradiation region on the X direction side. In step S12, the control section 12 moves the second light blocking section 24b in the scanning direction (占 direction) in accordance with the width of the partial area 20 in the X direction (first direction). The controller 12 determines that the shape of the exposure amount distribution (X direction) in the overlapping area 20a of the partial area 20 is close to a straight line and the width (X direction) of the overlapping area 20a and the exposure amount The position and angle of the second light-shielding portion 24b are adjusted so as to approach the target value. In S14, the control section 12 performs scanning exposure of the partial region 20. [

여기서, 제2 차광부(24)의 위치나 각도의 조정에 대하여, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은 제2 차광부(24)의 위치나 각도의 조정에 대하여 설명하기 위한 도면이다. 도 7에 있어서, 상기 도면은 겹침 영역의 X 위치에 대한 노광량 분포를 나타내며, 하기 도면은 겹침 영역의 X 위치에 대한 노광량의 변화량을 나타낸다. 제2 차광부(24)는 겹침 영역의 무게 중심을 중심으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있으며, 제2 차광부를 회전시키면, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 겹침 영역에서의 노광량 분포의 기울기를 바꿀 수 있다. 이때, 예를 들어 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 겹침 영역에서의 노광량 분포의 기울기를 파선과 같이 변화시킨 경우, 노광량의 변화량을 겹침 영역의 무게 중심으로부터 -X 방향측에 있어서는 증가시키고, X 방향측에 있어서는 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 차광부(24)를 회전시키면 겹침 영역에서의 노광량 분포의 선형성을 변화시킬 수 있기 때문에, 당해 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하도록 조정할 수도 있다. 제2 차광부(24)를 X 방향으로 이동시키면, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이 겹침 영역에서의 노광량 분포를 X 방향으로 시프트시킬 수 있다. 이때, 예를 들어 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이 겹침 영역에서의 노광량 분포를 파선과 같이 변화시킨 경우, 노광량의 변화량을 겹침 영역에서 거의 일정하게 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 차광부(24)를 X 방향으로 이동시키면 겹침 영역에서의 노광량 분포의 선형성을 변화시킬 수 있기 때문에, 당해 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하도록 조정할 수도 있다. 제2 차광부(24)를 Y 방향으로 이동시키면, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 겹침 영역이 -X 방향으로 이동하기 때문에, 겹침 영역에서의 노광량 분포를 Y 방향으로 시프트시킬 수 있다. 이때, 예를 들어 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이 겹침 영역에서의 노광량 분포를 파선과 같이 변화시킨 경우, 노광량의 변화량을 겹침 영역에서 거의 일정하게 증가시킬 수 있다.Here, adjustment of the position and angle of the second light-shielding portion 24 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a view for explaining the adjustment of the position and angle of the second light-shielding portion 24. FIG. In Fig. 7, the figure shows the exposure amount distribution with respect to the X position of the overlapping area, and the following figure shows the amount of change in the exposure amount with respect to the X position of the overlapping area. The second light-shielding portion 24 is configured to be rotatable about the center of gravity of the overlapping region. When the second light-shielding portion is rotated, as shown in FIG. 7A, the slope of the exposure amount distribution in the overlapping region Can be changed. At this time, when the slope of the exposure amount distribution in the overlapping area is changed as shown by the broken line, for example, as shown in FIG. 7A, the variation amount of the exposure amount is increased on the -X direction side from the center of gravity of the overlapping area , And can be reduced in the X direction. Further, since the linearity of the exposure amount distribution in the overlapping region can be changed by rotating the second light-shielding portion 24, the shape of the exposure amount distribution can be adjusted to be close to a straight line. When the second light blocking portion 24 is moved in the X direction, the exposure amount distribution in the overlapping region can be shifted in the X direction as shown in Fig. 7 (b). At this time, for example, as shown in Fig. 7B, when the exposure amount distribution in the overlapping area is changed as shown by the broken line, the variation amount of the exposure amount can be substantially constantly reduced in the overlapping area. When the second light-shielding portion 24 is moved in the X direction, the linearity of the exposure amount distribution in the overlapping region can be changed, so that the shape of the exposure amount distribution can be adjusted so as to approach the straight line. When the second light blocking portion 24 is moved in the Y direction, as shown in FIG. 7C, the overlapping region moves in the -X direction, so that the exposure amount distribution in the overlapping region can be shifted in the Y direction have. At this time, for example, as shown in FIG. 7C, when the exposure amount distribution in the overlapping area is changed as shown by the broken line, the variation amount of the exposure amount can be increased almost constantly in the overlapping area.

이어서, 노광 장치(100)는 부분 영역(20)의 노광이 종료된 후, 기판 상의 부분 영역(21)을 노광하는 공정을 행한다. S21에서는, 제어부(12)는 제2 차광부(24a 및 24b)를 조사 영역(25)의 ±X 방향측에서의 단부를 차광하도록 각각 배치한다. S22에서는, 제어부(12)는 부분 영역(20)의 겹침 영역(20a)에 부분 영역(21)의 겹침 영역(21a)이 중첩되도록 제2 차광부(24a)를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시키고, 제2 차광부(24a)의 에지부(24')를 겹침 영역(21a) 상에 배치한다. 또한, 제어부(12)는 부분 영역(21)의 X 방향에서의 폭에 따라 제2 차광부(24b)를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시킨다. S23에서는, 제어부(12)는 부분 영역(21)의 겹침 영역에서의 X 방향의 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하고, 또한 부분 영역(21)의 X 방향에서의 폭과 노광량이 각각 목표값에 근접하도록 제2 차광부(24a 및 24b)의 위치나 각도를 조정한다. S24에서는, 제어부(12)는 부분 영역(21)의 주사 노광을 행한다.Subsequently, the exposure apparatus 100 performs a step of exposing the partial region 21 on the substrate after the exposure of the partial region 20 is completed. In step S21, the control section 12 arranges the second light-shielding sections 24a and 24b so as to shield the ends of the irradiation region 25 in the + X direction. The control section 12 controls the second light blocking section 24a in the scanning direction (Y direction) so that the overlapping area 21a of the partial area 21 is superimposed on the overlapping area 20a of the partial area 20 in step S22 And the edge portion 24 'of the second light blocking portion 24a is disposed on the overlapping region 21a. Further, the control section 12 moves the second light blocking section 24b in the scanning direction (占 direction) in accordance with the width of the partial region 21 in the X direction. In S23, the control unit 12 determines whether or not the shape of the exposure amount distribution in the X direction in the overlapping area of the partial area 21 is close to a straight line, the width in the X direction of the partial area 21 and the exposure amount are respectively equal to the target value The positions and angles of the second light-shielding portions 24a and 24b are adjusted so as to be close to each other. In S24, the control section 12 performs scanning exposure of the partial region 21. [

이어서, 노광 장치(100)는 부분 영역(21)의 노광이 종료된 후, 기판 상의 부분 영역(22)을 노광하는 공정을 행한다. S31에서는, 제어부(12)는 제2 차광부(24a)를 조사 영역(25)의 -X 방향측에서의 단부를 차광하도록 배치한다. S32에서는, 제어부(12)는 부분 영역(21)의 겹침 영역(21b)에 부분 영역(22)의 겹침 영역(22a)이 중첩되도록 제2 차광부(24a)를 주사 방향(±Y 방향)으로 이동시키고, 제2 차광부(24a)의 에지부(24')를 겹침 영역(21b) 상에 배치한다. S33에서는, 제어부(12)는 부분 영역(22)의 겹침 영역에서의 X 방향의 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하고, 또한 제3 부분 영역의 X 방향에서의 폭과 노광량이 각각 목표값에 근접하도록 제2 차광부(24a)의 위치나 각도를 조정한다. S34에서는, 제어부(12)는 부분 영역(22)의 주사 노광을 행한다.Subsequently, the exposure apparatus 100 performs a step of exposing the partial region 22 on the substrate after the exposure of the partial region 21 is completed. In S31, the control section 12 disposes the second light-shielding section 24a so as to shield the end portion of the irradiation region 25 on the -X direction side. The control section 12 controls the second light blocking section 24a in the scanning direction (Y direction) so that the overlapping area 22a of the partial area 22 overlaps the overlapping area 21b of the partial area 21 And the edge portion 24 'of the second light blocking portion 24a is disposed on the overlapping region 21b. In S33, the control unit 12 determines that the shape of the exposure amount distribution in the X direction in the overlapping area of the partial area 22 is close to a straight line, the width in the X direction of the third partial area and the exposure amount are close to the target value The position and angle of the second light-shielding portion 24a are adjusted. In S34, the control unit 12 performs the scanning exposure of the partial area 22.

여기서, 각 부분 영역(20 내지 22)의 겹침 영역의 폭의 목표값은 미리 설정되어 있거나, 혹은 원판(3)의 패턴과 최종적으로 기판 상에 형성되는 전체 영역과의 치수 정보에 기초하여 제어부(12)에 있어서 결정된다. 또한, 제2 차광부(24)의 이동은, 제2 차광부(24)의 주사 방향에서의 위치와 그 위치에 제2 차광부(24)가 배치되었을 때 제2 차광부(24)의 에지부(24')가 조사 영역(25)에 배치되는 X 방향에서의 위치와의 관계를 미리 취득해 두고, 당해 관계에 기초하여 행해진다. 혹은, 제2 차광부(24)의 이동은, 조사 영역(25)의 주사 방향측에서의 경계 형상을 나타내는 함수와, 제2 차광부(24)의 에지부(24')를 나타내는 함수를 사용하여 제어부(12)에 있어서 이동량을 결정하고, 당해 결정한 이동량에 기초하여 행해진다.Here, the target values of the widths of the overlapping regions of the partial regions 20 to 22 are set in advance, or are set in advance based on the dimension information between the pattern of the disk 3 and the entire region finally formed on the substrate, 12). The movement of the second light-shielding portion 24 is performed by moving the position of the second light-shielding portion 24 in the scanning direction and the position of the edge of the second light-shielding portion 24 when the second light- And the position in the X direction in which the part 24 'is disposed in the irradiation area 25 in advance, and is performed based on the relationship. Alternatively, the movement of the second light-shielding portion 24 may be performed by using a function representing the boundary shape of the irradiation region 25 on the scanning direction side and a function representing the edge portion 24 'of the second light- (12), and is performed based on the determined movement amount.

상술한 바와 같이, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)는 조사 영역(25)의 X 방향측(제1 방향측)의 단부를 차광하는 제2 차광부(24)를 포함한다. 그리고, 제2 차광부(24)는, 각 부분 영역의 노광에 있어서 겹침 영역의 노광량 분포(X 방향)의 형상이 직선에 근접하도록 에지부(24')의 형상이 곡선 형상으로 구성되어 있다. 이에 의해, 슬릿광이 조사되는 기판 상의 조사 영역(25)이 원호 형상이라도 중복하여 노광된 겹침 영역의 노광량의 변동을 작게 하고, 복수의 부분 영역을 포함하는 전체 영역에 있어서 노광량의 변동을 작게 할 수 있다. 여기서, 제1 실시 형태에서는 제2 차광부(24)를 투영 광학계(4)와 기판(10)의 사이에 배치하였지만, 그것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 슬릿 규정 부재(18)(제1 차광부) 부근이나, 원판(3)의 패턴면 부근, 혹은 원판(3)의 패턴면과 실질적으로 공액의 면에 배치하여도 된다. 또한, 본 발명은 노광광으로서 EUV광(극단 자외광(Extreme Ultraviolet광))을 사용하여 노광하는 노광 장치에도 적용할 수 있다.As described above, the exposure apparatus 100 of the first embodiment includes the second light-shielding portion 24 for shielding the end portion of the irradiation region 25 on the X direction side (first direction side). The shape of the edge portion 24 'is formed in a curved shape so that the shape of the exposure amount distribution (X direction) of the overlapping region is close to a straight line in the exposure of each partial region. Thus, even when the irradiation region 25 on the substrate to be irradiated with the slit light is in the circular arc shape, the fluctuation of the exposure amount in the overlapping exposure region is reduced, and the fluctuation of the exposure amount in the entire region including the plurality of partial regions is made small . Here, in the first embodiment, the second light blocking portion 24 is disposed between the projection optical system 4 and the substrate 10, but the present invention is not limited thereto. For example, it may be disposed near the slit defining member 18 (first light-shielding portion), near the pattern surface of the original plate 3, or on a surface substantially conjugate with the pattern surface of the original plate 3. [ The present invention can also be applied to an exposure apparatus that exposes EUV light (extreme ultraviolet light) as exposure light.

<물품의 제조 방법의 실시 형태>&Lt; Embodiment of production method of article >

본 발명의 실시 형태에 관한 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 물품의 제조 방법은, 액정 표시 디바이스, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판(웨이퍼, 유리 플레이트 등)에 도포된 감광제에 상기 주사 노광 장치를 사용하여 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여 물품의 성능ㆍ품질ㆍ생산성ㆍ생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.The method of manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a micro device such as a semiconductor device or a device having a fine structure. Further, a method of manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing a liquid crystal display device, a flat panel display (FPD), and the like. The method of manufacturing an article according to the present embodiment includes a step of forming a latent image pattern on the photosensitive agent applied to a substrate (wafer, glass plate, etc.) (the step of exposing the substrate) using the scanning exposure apparatus, And developing the formed substrate. Such a manufacturing method also includes other well-known processes (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The method of manufacturing the article of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

이제까지 본 발명을 예시적인 실시형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않는다는 점이 이해되어야 한다.  이하의 특허청구범위의 범주는 모든 이러한 수정과 균등한 구조 및 기능을 포괄하는 최광의로 해석되어야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.

Claims (11)

슬릿광에 의해 기판을 주사 노광하는 노광 장치이며,
상기 노광 장치는, 각각의 주사 노광으로 노광되는 복수의 부분 영역이 주사 방향과 직교하는 제1 방향을 따라 일부 영역이 서로 중복하여 배열되는 겹침 노광을 행하고,
상기 슬릿광이 조사되는 상기 기판 상의 조사 영역의 상기 주사 방향측에서의 경계 형상이 곡선 형상이 되도록, 또한 상기 조사 영역의 상기 주사 방향에서의 폭이 일정해지도록 상기 조사 영역의 형상을 규정하는 제1 차광부와,
각 부분 영역의 노광에 있어서 상기 제1 방향에 인접하는 부분 영역의 일부와 중복되는 영역인 겹침 영역에서의 상기 제1 방향을 따른 노광량 분포가 경사진 분포가 되도록, 상기 조사 영역의 상기 제1 방향측의 단부의 형상을 규정하는 에지부를 포함하는 제2 차광부를 포함하며,
상기 제2 차광부는, 각 부분 영역의 노광에서의 상기 겹침 영역의 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하도록, 상기 에지부의 형상이 곡선 형상으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
An exposure apparatus which scans and exposes a substrate with slit light,
The exposure apparatus performs overlapping exposure in which a plurality of partial regions exposed by respective scan exposures are arranged in overlapping relation to each other in a first direction orthogonal to the scanning direction,
The first shape defining the shape of the irradiation area so that the boundary shape of the irradiation area on the substrate irradiated with the slit light is curved at the scanning direction side and the width of the irradiation area in the scanning direction becomes constant, The miners,
The exposure amount distribution along the first direction in the overlapping area which is an area overlapping with a part of the partial area adjacent to the first direction in the exposure of each partial area becomes a tilted distribution, And a second light-shielding portion including an edge portion defining a shape of an end of the light-
Wherein the edge portion of the second light-shielding portion is curved so that the shape of the distribution of the exposure amount of the overlapping region in the exposure of each partial region is close to a straight line.
제1항에 있어서,
상기 제2 차광부는, 상기 주사 방향으로 이동함으로써, 각 부분 영역의 노광에서의 상기 겹침 영역의 노광량 분포의 형상과 상기 겹침 영역의 상기 제1 방향의 폭을 유지한 채, 상기 조사 영역의 단부가 상기 제1 방향으로 시프트하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
The second light shielding portion moves in the scanning direction so that the shape of the distribution of the exposure amount of the overlapping area in the exposure of each partial area and the width of the overlapping area in the first direction are maintained, And shifts in the first direction.
제1항에 있어서,
상기 제2 차광부의 상기 에지부의 형상은, 상기 조사 영역에서의 상기 주사 방향측의 경계 형상을 나타내는 함수를 g(x), 상기 조사 영역의 상기 주사 방향에서의 폭을 s, 상기 조사 영역의 무게 중심과 상기 겹침 영역의 사이의 상기 제1 방향에서의 거리를 a, 상기 겹침 영역의 상기 제1 방향에서의 폭을 b, 상기 제1 방향을 x 및 상기 주사 방향을 y라고 하였을 때, y=g(x)+s(x-a)/b에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the shape of the edge portion of the second light-shielding portion is a function g (x) representing a boundary shape on the scanning direction side in the irradiation region, a width of the irradiation region in the scanning direction is s, A distance between the center of gravity and the overlapping region in the first direction is a, a width of the overlapping region in the first direction is b, a first direction is x, and a scanning direction is y, y = g (x) + s (xa) / b.
제1항에 있어서,
상기 제2 차광부의 상기 에지부의 형상은, 상기 조사 영역에서의 상기 주사 방향측의 경계 형상을 나타내는 함수를 g(x), 상기 조사 영역의 상기 주사 방향에서의 폭을 s, 상기 조사 영역의 무게 중심과 상기 겹침 영역의 사이의 상기 제1 방향에서의 거리를 a, 상기 겹침 영역의 상기 제1 방향에서의 폭을 b, 상기 제1 방향을 x 및 상기 주사 방향을 y라고 하였을 때, y=g(x)+s-s(x-a)/b에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the shape of the edge portion of the second light-shielding portion is a function g (x) representing a boundary shape on the scanning direction side in the irradiation region, a width of the irradiation region in the scanning direction is s, A distance between the center of gravity and the overlapping region in the first direction is a, a width of the overlapping region in the first direction is b, a first direction is x, and a scanning direction is y, y = g (x) + ss (xa) / b.
제1항에 있어서,
상기 제2 차광부의 이동을 제어하는 제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는, 상기 부분 영역의 상기 제1 방향에서의 폭에 따라, 상기 제2 차광부를 상기 주사 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
And a control unit for controlling the movement of the second light-shielding portion,
Wherein the control section moves the second light blocking section in the scanning direction in accordance with the width of the partial area in the first direction.
제5항에 있어서,
상기 제어부는, 각 부분 영역의 노광에서의 상기 겹침 영역의 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하도록 상기 제2 차광부를 상기 제1 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the control unit moves the second light-shielding portion in the first direction so that the shape of the exposure amount distribution of the overlapping region in the exposure of each partial region is close to a straight line.
제5항에 있어서,
상기 제2 차광부는, 상기 겹침 영역의 무게 중심을 중심으로 하여 회전 가능하게 구성되고,
상기 제어부는, 각 부분 영역의 노광에서의 상기 겹침 영역의 노광량 분포의 형상이 직선에 근접하도록 상기 제2 차광부를 회전시키는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the second light blocking portion is configured to be rotatable about a center of gravity of the overlapping region,
Wherein the control unit rotates the second light-shielding unit so that the shape of the distribution of the exposure amount of the overlapping area in the exposure of each partial area is close to a straight line.
제1항에 있어서,
상기 제1 차광부는, 상기 조사 영역에서의 상기 주사 방향측의 경계 형상이 원호 형상이 되도록 상기 조사 영역의 형상을 규정하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first light-shielding section defines the shape of the irradiation region such that a boundary shape of the irradiation region on the scanning direction side is an arc shape.
제1항에 있어서,
상기 제1 차광부는, 상기 조사 영역에서의 상기 주사 방향측의 경계 형상이 2차 이상의 함수로 표시되는 형상이 되도록 상기 조사 영역의 형상을 규정하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first light shielding portion defines the shape of the irradiation area such that the boundary shape on the scanning direction side in the irradiation area is a function expressed by a function of a second order or higher.
제1항에 있어서,
상기 슬릿광에 의해 원판의 패턴을 상기 기판 상에 투영하는 투영 광학계를 더 포함하고,
상기 제2 차광부는, 상기 투영 광학계와 상기 기판의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a projection optical system for projecting the pattern of the original plate onto the substrate by the slit light,
And the second light shielding portion is disposed between the projection optical system and the substrate.
제1항에 기재된 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
상기 공정에서 노광된 상기 기판을 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: exposing a substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
And a step of developing the exposed substrate in the process.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108700825B (en) * 2016-02-29 2021-07-23 株式会社尼康 Exposure apparatus, method for manufacturing flat panel display, method for manufacturing device, light shielding apparatus, and exposure method
CN105511236B (en) * 2016-02-29 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 Light conduction device and exposure machine
KR102567319B1 (en) * 2016-04-28 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for divisional exposure and method of fabricating liquid crystal display device using thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001215718A (en) * 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp Exposure system and exposure method
JP2002025897A (en) * 2000-07-10 2002-01-25 Nikon Corp Illuminating optical device, aligner provided with the illuminating optical device, and microdevice manufacturing method using the aligner
KR20080057166A (en) * 2006-12-19 2008-06-24 캐논 가부시끼가이샤 Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2013033071A (en) * 2011-07-29 2013-02-14 V Technology Co Ltd Scanning exposure device using microlens array

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3316697B2 (en) * 1992-10-22 2002-08-19 株式会社ニコン Projection optical apparatus, laser apparatus, scanning exposure apparatus, scanning exposure method, and device manufacturing method using the method
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3316710B2 (en) * 1993-12-22 2002-08-19 株式会社ニコン Exposure equipment
JP3711586B2 (en) * 1995-06-02 2005-11-02 株式会社ニコン Scanning exposure equipment
JP4135824B2 (en) * 1998-03-04 2008-08-20 学校法人東京電機大学 Scan projection exposure method and scan projection exposure apparatus
JP2000284494A (en) * 1999-03-31 2000-10-13 Seiko Epson Corp Exposure device
JP2004335864A (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp Aligner and exposure method
KR101006435B1 (en) * 2003-09-01 2011-01-06 삼성전자주식회사 exposure mask and method for manufacturing a panel for a display device using the mask
JP2013238670A (en) * 2012-05-11 2013-11-28 Canon Inc Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device, and aperture plate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001215718A (en) * 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp Exposure system and exposure method
JP2002025897A (en) * 2000-07-10 2002-01-25 Nikon Corp Illuminating optical device, aligner provided with the illuminating optical device, and microdevice manufacturing method using the aligner
KR20080057166A (en) * 2006-12-19 2008-06-24 캐논 가부시끼가이샤 Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2013033071A (en) * 2011-07-29 2013-02-14 V Technology Co Ltd Scanning exposure device using microlens array

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