JP2000299273A - Peripheral aligner and its method - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等のデバイスの製造に用いられる基板の周辺の
不要なレジスト等の感光性材料を露光し、除去する周辺
露光装置及び方法に関する。特に本発明は、液晶表示素
子等の角型の大型基板への周辺露光に好適な周辺露光装
置及び方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a peripheral exposure apparatus and method for exposing and removing unnecessary photosensitive material such as a resist around a substrate used for manufacturing devices such as semiconductor elements and liquid crystal display elements. In particular, the present invention relates to an edge exposure apparatus and method suitable for edge exposure on a large rectangular substrate such as a liquid crystal display element.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の周辺露光装置は、特開平
6−283406に記載されているような構成をしてい
る。超高圧水銀ランプを光源にもち、楕円鏡によりその
第二焦点位置に光ファイバーを配置し、この射出側の形
状スリット状に形成された光ファイバーにて基板上に露
光光を導き、露光を行う。この光ファイバーが基板上を
走査することにより露光を行うのである。走査方向に
は、走査するためのガイドがあり、ほぼ等速に光ファイ
バーが移動するように制御され、この光ファイバーの射
出側は、2分岐され、各射出端がスリット形状角型基板
の同方向を走査するように構成されている。また、基板
の走査と直交する方向を露光する場合には、基板を90
°回転することにより露光を行う構成を採用している。2. Description of the Related Art A conventional peripheral exposure apparatus of this type has a configuration as described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-283406. An ultrahigh-pressure mercury lamp is used as a light source, an optical fiber is arranged at a second focal position by an elliptical mirror, and exposure light is guided onto a substrate by an optical fiber formed in a shape of a slit on the emission side to perform exposure. The optical fiber performs exposure by scanning over the substrate. In the scanning direction, there is a guide for scanning, and the optical fiber is controlled so as to move at a substantially constant speed.The emission side of this optical fiber is branched into two, and each emission end is directed in the same direction of the slit-shaped square substrate. It is configured to scan. When exposing in the direction orthogonal to the scanning of the substrate,
A configuration is adopted in which exposure is performed by rotating the lens by an angle.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
は、液晶表示素子には特に400nm以下の光に感度を
強く持つ感光性樹脂等の特殊な感光性材料を用いられる
ケースが増えてきている。そして、基板は、年々大型化
の道を辿り、最近では、600mm×750mm程度の
基板が多用されており、さらに大型の基板として、80
0ミリ角程度や、1000ミリ角程度の基板も検討され
ている。However, in recent years, the use of special photosensitive materials, such as photosensitive resins, having a high sensitivity to light having a wavelength of 400 nm or less, has been increasingly used for liquid crystal display elements. The size of substrates has been increasing year by year. Recently, substrates of about 600 mm × 750 mm have been frequently used.
Substrates of about 0 mm square and about 1000 mm square have been studied.
【0004】このように近年では、400nm以下の光
を用いる必然性があり、更に1m角のような大型の基板
に対応しなくてはならない要求がある。従来例で挙げた
ような周辺露光装置の場合には、光ファイバーを用いる
ため、特に400nm以下の光を用いるには、ファイバ
ーの繊維を石英ファイバーにしなければなくなってしま
う。一般に石英ファイバーは、多成分ファイバーに比べ
て光の取込み角度も小さいため、ファイバーとして大型
な基板に対応するためには、長く太い石英ファイバーが
必要で高価になってしまう。また、基板自体の大型化に
より、当然周辺露光するための露光幅も大きなものに対
応する必要がある。例えば、基板の外周100mmを露
光するためには、少なくともファイバーの幅も100m
mの幅が必要になるのである。ファイバーのスリット形
状を例えば5mm×100mmとすると、ファイバーの
入射側の径Φ1は、射出側の2分岐を考慮すると、 Φ1=2×√(2×5×100/π)=35.7mm となり、基板の外周を露光するためには、長くて、径の
太いものとなり、高価で極まりないものになってしま
う。更に、従来例の周辺露光装置で大型基板に対応させ
ようとすると、太いファイバー自体を基板上で走り回る
ような構成とする必要があるため、ファイバー自体にス
トレスが加わり断線してしまう可能性もでてくる。安価
なものであれば、交換部品的に交換することも可能であ
るが、高価であるがためにそれも難しい。As described above, in recent years, there is a necessity to use light of 400 nm or less, and furthermore, there is a demand to cope with a large substrate such as 1 m square. In the case of a peripheral exposure apparatus as described in the conventional example, since an optical fiber is used, in order to use light having a wavelength of 400 nm or less, the fiber must be made of quartz fiber. In general, since a quartz fiber has a smaller light taking-in angle than a multi-component fiber, a long and thick quartz fiber is required to cope with a large-sized substrate as a fiber, which is expensive. In addition, due to the increase in the size of the substrate itself, it is necessary to cope with a large exposure width for peripheral exposure. For example, in order to expose the outer periphery of the substrate to 100 mm, at least the width of the fiber is also 100 m.
A width of m is required. Assuming that the slit shape of the fiber is, for example, 5 mm × 100 mm, the diameter Φ1 on the incident side of the fiber becomes Φ1 = 2 × √ (2 × 5 × 100 / π) = 35.7 mm in consideration of two branches on the exit side. In order to expose the outer periphery of the substrate, the substrate becomes long and large in diameter, which is expensive and extremely inexpensive. Furthermore, if a conventional peripheral exposure apparatus is used to cope with a large substrate, it is necessary to make the thick fiber itself run around on the substrate, so that stress may be applied to the fiber itself and the fiber may be disconnected. Come. If it is inexpensive, it is possible to replace it as a replacement part, but it is expensive but also difficult.
【0005】また、周辺露光を行うことにより除去する
必要のある基板上のレジストの膜厚は一様ではなく、基
板の周辺部付近での膜厚は中央部に比べて厚くなりがち
である。そこで、膜厚の厚くなった部分に対して周辺露
光を行おうとする場合、この部分への露光エネルギー量
を増加させる必要がある。ここで、大きな露光領域が必
要な場合で、基板の外周部の露光量を上げようとする
と、従来例の装置ではファイバーの体積が更に増加し、
当然コストも増加してしまうといった問題が発生してし
まう。Further, the thickness of the resist on the substrate which needs to be removed by performing the peripheral exposure is not uniform, and the thickness near the peripheral portion of the substrate tends to be larger than that at the central portion. Therefore, when the peripheral exposure is to be performed on a portion having a large film thickness, it is necessary to increase the amount of exposure energy to this portion. Here, in the case where a large exposure area is required, if an attempt is made to increase the exposure amount of the outer peripheral portion of the substrate, the volume of the fiber further increases in the conventional apparatus,
Naturally, a problem such as an increase in cost occurs.
【0006】そこで、本発明は、上記の問題点に鑑み
て、露光光に400nm以下の光を用いる場合であって
も、大型の基板に対しても比較的容易でかつ安価で、か
つコストをかけずにスループットを向上させることが可
能であり、感光性材料が不均一な膜厚であっても良好に
周辺露光を行うことができる周辺露光装置を提供するこ
とを目的とする。Therefore, in view of the above problems, the present invention is relatively easy and inexpensive even for a large substrate even when light of 400 nm or less is used as the exposure light, and the cost is reduced. It is an object of the present invention to provide a peripheral exposure apparatus capable of improving the throughput without using the same and performing favorable peripheral exposure even when the photosensitive material has an uneven film thickness.
【0007】[0007]
【課題を解決する為の手段】上述の目的を達成するため
に、本発明にかかる周辺露光装置は、角型基板に塗布さ
れた感光性材料上の所定の回路パターンが転写される領
域とは異なる領域に対して露光光を照射する周辺露光装
置であって、露光光を供給する光源と;該光源からの露
光光を前記基板へ向ける照明光学系と;を有する。そし
て、前記照明光学系は、前記基板上に第1照射領域を形
成する第1部分照明系と、前記基板上で前記第1照射領
域と離れた第2照射領域を形成する第2部分照明系とを
備え、前記第1及び第2照射領域は互いに大きさが異な
り、前記第1及び第2照射領域の一部は前記基板上で重
畳して露光されるものである。In order to achieve the above-mentioned object, a peripheral exposure apparatus according to the present invention is directed to an area exposing a predetermined circuit pattern on a photosensitive material applied to a rectangular substrate. A peripheral exposure apparatus that irradiates different regions with exposure light, comprising: a light source that supplies exposure light; and an illumination optical system that directs exposure light from the light source to the substrate. The illumination optical system includes a first partial illumination system that forms a first irradiation area on the substrate, and a second partial illumination system that forms a second irradiation area on the substrate that is separated from the first irradiation area. Wherein the first and second irradiation areas are different in size from each other, and a part of the first and second irradiation areas is exposed on the substrate in a superimposed manner.
【0008】なお、上述の構成にかかる周辺露光装置に
おいては、前記第1及び第2部分照明系のうちの少なく
とも一方と前記基板との間に配置されて、前記基板上で
の照射領域を規定する露光領域規定手段をさらに備える
ことが好ましい。また、本発明において、前記第1照射
領域が形成される前記基板上の辺と、前記第2照射領域
が形成される前記基板上の辺とは異なる辺であることが
好ましい。[0008] In the peripheral exposure apparatus according to the above configuration, the peripheral exposure apparatus is disposed between at least one of the first and second partial illumination systems and the substrate to define an irradiation area on the substrate. It is preferable to further include an exposure area defining unit that performs the exposure. Further, in the present invention, it is preferable that a side on the substrate where the first irradiation area is formed is different from a side on the substrate where the second irradiation area is formed.
【0009】また、前記基板を略90°の整数倍ごとに
回転させる基板回転手段をさらに備えることが好まし
い。この基板回転手段を用いる場合には、前記第1及び
第2照射領域による周辺露光と、基板の回転とを交互に
行うことにより、前記第1及び第2照射領域の一部が基
板上で重畳して露光される。また、前記光源は、第1光
源と、該第1光源とは異なる第2光源とを備えることが
好ましく、このとき、該第1光源からの露光光が前記第
1部分照明系へ導かれ、かつ該第2光源からの露光光が
前記第2部分照明系へ導かれるように構成されることが
好ましい。Preferably, the apparatus further comprises a substrate rotating means for rotating the substrate at an integral multiple of about 90 °. In the case of using the substrate rotating means, the peripheral exposure by the first and second irradiation areas and the rotation of the substrate are alternately performed, so that the first and second irradiation areas partially overlap on the substrate. And is exposed. Preferably, the light source includes a first light source and a second light source different from the first light source. At this time, exposure light from the first light source is guided to the first partial illumination system, Preferably, the exposure light from the second light source is guided to the second partial illumination system.
【0010】また、前記光源からの露光光を分岐させ
て、少なくとも前記第1部分照明系と前記第2部分照明
光学系とへ導くための光束分岐手段をさらに備えること
が好ましい。また、前記第1及び第2照射領域のうちの
少なくとも一方と前記基板とは、前記基板への露光中に
相対移動することが好ましい。It is preferable that the apparatus further comprises a light beam branching unit for branching the exposure light from the light source and guiding it to at least the first partial illumination system and the second partial illumination optical system. It is preferable that at least one of the first and second irradiation areas and the substrate relatively move during exposure of the substrate.
【0011】また、前記第1及び第2照射領域のうちの
少なくとも一方は、露光中に前記基板に対して静止した
状態であることが好ましい。また、前記基板回転手段を
備えている場合、前記基板回転手段による回転中心位置
を含む領域に第3照射領域を形成することが好ましい。
このとき、該第3照射領域は、前記第1部分照明系によ
り形成されるか、前記第1及び第2部分照明系とは異な
る第3部分照明系により形成されることが好ましい。こ
のとき、第3照射領域の幅は、該第3照射領域に対応し
て形成される露光領域の短手方向の幅の1/2よりも大
きく設定することが好ましい。Preferably, at least one of the first and second irradiation areas is stationary with respect to the substrate during exposure. Further, when the substrate rotating means is provided, it is preferable to form a third irradiation area in a region including a center of rotation by the substrate rotating means.
At this time, it is preferable that the third irradiation region is formed by the first partial illumination system or a third partial illumination system different from the first and second partial illumination systems. At this time, it is preferable that the width of the third irradiation area is set to be larger than 幅 of the width in the short direction of the exposure area formed corresponding to the third irradiation area.
【0012】また、本発明は、前記感光性材料を前記角
型基板へ塗布する第1工程と;前記角型基板上の前記感
光性材料上の所定領域に回路パターンを転写する第2工
程と;上述の構成の何れかに記載の周辺露光装置を用い
て前記回路パターンが転写される領域に対して露光光を
照射する第3工程とを有する周辺露光方法であって、前
記第3工程は、前記第2工程の前または後に実行される
ものである。Further, the present invention provides a first step of applying the photosensitive material to the rectangular substrate; and a second step of transferring a circuit pattern to a predetermined area on the photosensitive material on the rectangular substrate. A third step of irradiating the region to which the circuit pattern is transferred with exposure light using the peripheral exposure apparatus according to any one of the above-described configurations, wherein the third step comprises: , Before or after the second step.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を液
晶表示基板製造に用いられる基板の周辺露光装置に用い
た実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の
周辺露光装置の第1の実施形態を示す装置概略図であ
る。なお、図1においてはXYZ座標系を採用してい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a substrate peripheral exposure apparatus used for manufacturing a liquid crystal display substrate will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an apparatus schematic diagram showing a first embodiment of a peripheral exposure apparatus of the present invention. In FIG. 1, an XYZ coordinate system is used.
【0014】図1に示す周辺露光装置は、角型基板22
の2つの辺のそれぞれに露光領域22A,22Bを形成
するための2つの照明ユニット1A,1Bを有してい
る。ここで、照明ユニット1Aは、基板22上の露光領
域22Aを一括露光するために、露光領域22Aを覆う
形状の照射領域ILAを形成する。この照射ユニット1
Aを構成する各部材は、露光領域22Aへの露光の際に
は静止状態となっている。すなわち、照射領域ILAは
露光動作中には基板22に対して静止状態である。The peripheral exposure apparatus shown in FIG.
Has two illumination units 1A and 1B for forming exposure areas 22A and 22B on each of the two sides. Here, the illumination unit 1A forms an irradiation area ILA having a shape covering the exposure area 22A in order to collectively expose the exposure area 22A on the substrate 22. This irradiation unit 1
Each of the members constituting A is in a stationary state when the exposure area 22A is exposed. That is, the irradiation area ILA is stationary with respect to the substrate 22 during the exposure operation.
【0015】図1において、例えば超高圧水銀ランプか
らなる光源10Aからの光は、第1焦点位置に光源10
Aが位置するように配置された楕円鏡11Aにより集光
され、例えば波長が400nm以下の光のみを反射させ
るダイクロイックミラー12Aにて所定波長域の光が反
射されて、楕円鏡11Aの第2焦点位置に光源像を形成
する。この光源像からの光は、コリメータレンズ14A
によりほぼコリメートされた後、オプティカルインテグ
レータ15Aに入射する。なお、楕円鏡11Aの第2焦
点位置近傍には、露光のON/OFFを行うためのシャ
ッター13Aが設けられている。In FIG. 1, light from a light source 10A, for example, an ultra-high pressure mercury lamp, is placed at a first focal position.
A is condensed by an elliptical mirror 11A arranged so that A is located, and a light in a predetermined wavelength range is reflected by a dichroic mirror 12A that reflects only light having a wavelength of 400 nm or less, for example, and the second focal point of the elliptical mirror 11A. A light source image is formed at the position. The light from the light source image is transmitted to the collimator lens 14A.
After being substantially collimated, the light enters the optical integrator 15A. Note that a shutter 13A for turning ON / OFF the exposure is provided near the second focal position of the elliptical mirror 11A.
【0016】また、本実施形態では、オプティカルイン
テグレータ15Aとして複数のエレメントをマトリック
ス状に集積してなるフライアイレンズを採用している。
ここでフライアイレンズ15Aを構成する各レンズエレ
メントの断面形状は照射領域ILAと相似の長方形状と
なる。そして複数のエレメントは通常、各々正レンズで
構成され、それらの射出側に複数の光源像(2次光源)
を形成する。フライアイレンズ15Aを通過した光は、
コンデンサ光学系としての凹面鏡16Aを介して基板上
に導かれる。この凹面鏡16Aは、その有効領域(光束
が照射される領域)の中心と凹面の曲率中心とで定まる
光軸を有し、凹面鏡16Aの光軸とフライアイレンズ1
5A(コリメータレンズ14A)の光軸とは所定角度を
なす。つまり凹面鏡16Aは軸外しで使用されている。In the present embodiment, a fly-eye lens in which a plurality of elements are integrated in a matrix is employed as the optical integrator 15A.
Here, the cross-sectional shape of each lens element constituting the fly-eye lens 15A is a rectangular shape similar to the irradiation area ILA. The plurality of elements are usually each constituted by a positive lens, and a plurality of light source images (secondary light sources) are provided on their emission sides.
To form The light that has passed through the fly-eye lens 15A is
The light is guided onto the substrate via a concave mirror 16A as a condenser optical system. The concave mirror 16A has an optical axis defined by the center of the effective area (area to which the light beam is irradiated) and the center of curvature of the concave surface, and the optical axis of the concave mirror 16A and the fly-eye lens 1
The optical axis of 5A (collimator lens 14A) forms a predetermined angle. That is, the concave mirror 16A is used off-axis.
【0017】フライアイレンズ15Aの複数のエレメン
トの長方形状の入射面の各々が、これら複数のエレメン
ト及び凹面鏡16Aによって所定倍率のもとで角型基板
22上にそれぞれ結像する。これにより、角型基板22
上にほぼ長方形状の照射領域ILAが形成される。この
ように、本実施形態における第1の照射ユニット1A
は、光源10、楕円鏡11A、ダイクロイックミラー1
2A、シャッター13A、コリメートレンズ14A、オ
プティカルインテグレータ15A、及び凹面鏡16Aで
構成されており、上記各部材のなかで楕円鏡11Aから
凹面鏡16Aまでの部材が第1部分照明系を構成してい
る。Each of the rectangular entrance surfaces of the plurality of elements of the fly-eye lens 15A forms an image on the rectangular substrate 22 at a predetermined magnification by the plurality of elements and the concave mirror 16A. Thereby, the square substrate 22
A substantially rectangular irradiation area ILA is formed thereon. Thus, the first irradiation unit 1A in the present embodiment
Is a light source 10, an elliptical mirror 11A, a dichroic mirror 1
It comprises a shutter 2A, a shutter 13A, a collimating lens 14A, an optical integrator 15A, and a concave mirror 16A, and among the above-mentioned members, members from the elliptical mirror 11A to the concave mirror 16A constitute a first partial illumination system.
【0018】そして、凹面鏡16Aと基板22との間、
すなわち照射ユニット1A(第1部分光学系)と基板2
2との間には、照射領域ILAの形状を規定するための
露光領域規定手段としてのブラインド17Aが配置され
ている。本実施形態のブラインド17Aは、図中X方向
に沿って移動可能に構成されており、これにより基板2
2上に形成される露光領域22AのX方向の幅を可変に
することができる。Then, between the concave mirror 16A and the substrate 22,
That is, the irradiation unit 1A (first partial optical system) and the substrate 2
Between them, a blind 17A as an exposure area defining means for defining the shape of the irradiation area ILA is arranged. The blind 17A of the present embodiment is configured to be movable along the X direction in the figure, and
The width in the X direction of the exposure region 22 </ b> A formed on the substrate 2 can be made variable.
【0019】本実施形態においては、照射ユニット1A
が形成する照射領域ILAにより、例えば700〜10
00mmぐらいの大型の基板の一辺を一括露光するた
め、フライアイレンズ15Aと凹面鏡16Aとの距離を
可能な限り近づけて光学系、特に凹面鏡16Aの小型化
を図っている。なお、本実施形態の照射ユニット1Aの
目的が周辺の不要なレジストを単に感光させるためであ
るため、照射ユニット1Aは基板側が非テレセントリッ
クな光学系である。例えば、照射ユニット1Aにて露光
できるエリア(照射領域ILA)の大きさを700×1
00mmの長方形状とした場合を考える。この場合、基
板22上において、ブラインド17Aにて規定される照
射領域ILAの回路パターン側(−X方向側)の端部
(エッジ)を精度良く露光することが必要となるが、こ
の方向(X方向)は照射領域ILAの短手方向に相当
し、照射ユニット1Aが基板側非テレセントリックであ
っても、像高が小さくなるため主光線の傾き角は小さな
範囲に収められる。In this embodiment, the irradiation unit 1A
For example, 700 to 10 depending on the irradiation area ILA formed by
To collectively expose one side of a large substrate of about 00 mm, the distance between the fly-eye lens 15A and the concave mirror 16A is made as short as possible to reduce the size of the optical system, particularly the concave mirror 16A. In addition, since the purpose of the irradiation unit 1A of the present embodiment is to simply expose unnecessary peripheral resists, the irradiation unit 1A is a non-telecentric optical system on the substrate side. For example, the size of the area (irradiation area ILA) that can be exposed by the irradiation unit 1A is 700 × 1
Consider the case of a 00 mm rectangular shape. In this case, it is necessary to accurately expose an end (edge) on the circuit pattern side (−X direction side) of the irradiation area ILA defined by the blind 17A on the substrate 22. In this direction (X Direction) corresponds to the short side direction of the irradiation area ILA. Even if the irradiation unit 1A is non-telecentric on the substrate side, the image height becomes small, so that the inclination angle of the principal ray falls within a small range.
【0020】なお、照射光学系が非テレセントリックで
あることによるブラインド17Aの位置と、照射領域I
LAのエッジの位置とのずれ(エッジのテレセン誤差)
は以下の手法で補正することができる。まず、ブライン
ド17AのXY平面内での位置と、このブラインド17
Aにより規定される照射領域ILAの回路パターン側の
端部のXY平面内での位置との関係を予め求めておき、
この関係を所定の記憶部へ記憶させておく。そして、こ
の記憶された関係にもどづいて、実際の露光位置(照射
領域ILAの端部の位置)とブラインド17Aの設定位
置とのオフセット管理を行えば、より正確な露光位置の
管理を行うことが可能になる。The position of the blind 17A due to the non-telecentric irradiation optical system and the irradiation area I
Deviation from LA edge position (edge telecentricity error)
Can be corrected by the following method. First, the position of the blind 17A in the XY plane and the blind 17A
The relationship between the position on the XY plane of the end of the irradiation area ILA on the circuit pattern side defined by A is obtained in advance,
This relationship is stored in a predetermined storage unit. By performing offset management between the actual exposure position (the position of the end of the irradiation area ILA) and the setting position of the blind 17A based on the stored relationship, more accurate exposure position management can be performed. Becomes possible.
【0021】また、凹面鏡16Aと基板22との距離を
大きく設定し、凹面鏡16A自体の焦点距離を長く設定
すれば、基板22上へ向かう光束の開口数(N.A.)
を小さくでき、ブラインド17Aで制限される照射領域
ILAの端部のエッジのボケを少なくすることができ
る。なお、本実施形態では、凹面鏡16AをYZ平面内
の軸を中心として回転可能に設けることにより、照射領
域ILA自体のX方向の位置を変更可能としている。If the distance between the concave mirror 16A and the substrate 22 is set to be large and the focal length of the concave mirror 16A itself is set to be long, the numerical aperture (N.A.)
And the blur at the edge of the end of the irradiation area ILA limited by the blind 17A can be reduced. In this embodiment, the position of the irradiation area ILA itself in the X direction can be changed by providing the concave mirror 16A so as to be rotatable about an axis in the YZ plane.
【0022】次に第2の照射ユニット1Bについて説明
する。図1において、100〜250w程度の小型の超
高圧水銀ランプからなる光源10Bからの光は、第1焦
点位置に光源10Bが位置するように配置された楕円鏡
11Bにより反射集光され、例えば400nm以下の波
長の光のみを通過させるためのダイクロイックフィルタ
18Bを透過した後、楕円鏡11Bの第2焦点位置近傍
に集光される。なお、楕円鏡11Bの第2焦点位置近傍
(楕円鏡11Bとロッド19bとの間)には露光のON
/OFFを行うためのシャッター13Bが設けられてい
る。Next, the second irradiation unit 1B will be described. In FIG. 1, light from a light source 10B composed of a small ultra-high-pressure mercury lamp of about 100 to 250 watts is reflected and condensed by an elliptical mirror 11B arranged so that the light source 10B is located at a first focal position. After passing through a dichroic filter 18B for passing only light of the following wavelengths, the light is collected near the second focal position of the elliptical mirror 11B. Note that exposure is turned on near the second focal position of the elliptical mirror 11B (between the elliptical mirror 11B and the rod 19b).
A shutter 13B for performing / OFF is provided.
【0023】ダイクロイックフィルタ18Bを介した光
は、楕円鏡11Bの第2焦点位置近傍に位置決めされた
入射端面を持つロッド19Bに入射し、ロッド内壁で反
射を繰り返した後、基板22の近傍(基板22とわずか
な量のギャップをあけた位置)に位置決めされた射出端
から射出されて基板22に到達する。ここで、ロッド1
9Bの射出端の形状は、基板22上に形成される照射領
域ILBとほぼ相似形状としている。例えば、基板22
の最外周5mmの領域においてレジスト厚が厚くなると
すれば、5mm角以上のロッドとしてある。The light that has passed through the dichroic filter 18B is incident on a rod 19B having an incident end face positioned near the second focal point of the elliptical mirror 11B, and after being repeatedly reflected on the inner wall of the rod, the light is reflected near the substrate 22 (substrate). The light is emitted from the emission end positioned at a position where a small gap is formed between the substrate 22 and the substrate 22 and reaches the substrate 22. Here, rod 1
The shape of the emission end of 9B is substantially similar to the irradiation area ILB formed on the substrate 22. For example, the substrate 22
Assuming that the resist thickness increases in the region of the outermost periphery of 5 mm, the rod is 5 mm square or more.
【0024】そして、光源10B、楕円鏡11B、シャ
ッター13B、ダイクロイックフィルタ18B、及びロ
ッド19Bはランプハウス20B内に収められており、
このランプハウス20Bは図中Y方向に延びた形状の直
線ガイド21Bに沿って移動可能に設けられている。こ
こで、ランプハウス20Bごと直線ガイド21Bに沿っ
て移動させつつ、シャッター13Bを開いて基板22上
に露光光を照射すれば、基板22上では照射領域ILB
が図中Y方向に沿って移動することになり、X方向の所
定幅にわたって露光領域22Bを形成できる。なお、前
述の通り、ロッド19Bを5mm角とすると、基板22
B上にはX方向の幅が5mm程度の露光領域22Bがス
キャン露光されることになる。The light source 10B, the elliptical mirror 11B, the shutter 13B, the dichroic filter 18B, and the rod 19B are housed in a lamp house 20B.
The lamp house 20B is provided movably along a linear guide 21B extending in the Y direction in the figure. Here, when the shutter 13B is opened and the substrate 22 is irradiated with exposure light while moving the lamp house 20B along the linear guide 21B, the irradiation area ILB on the substrate 22 is obtained.
Move along the Y direction in the figure, and the exposure region 22B can be formed over a predetermined width in the X direction. As described above, if the rod 19B is 5 mm square, the substrate 22
On B, an exposure area 22B having a width of about 5 mm in the X direction is scanned and exposed.
【0025】なお、走査型露光部としての照射ユニット
1Bは、縦横サイズが異なる角型基板の縦辺と横辺とへ
の露光に対応するために、図中X方向に移動可能に構成
されており、これにより照射領域ILBのX方向の位置
を調整できる。このとき、ランプハウス20Bを、X方
向に移動可能に保持するX方向ガイドを介して直線ガイ
ド(Y方向ガイド)21Bに取り付けても良く、また直
線ガイド21B自体がX方向へ移動可能となるようにX
方向ガイドで保持しても良い。The irradiation unit 1B as a scanning type exposure unit is configured to be movable in the X direction in the figure in order to cope with exposure to the vertical and horizontal sides of a rectangular substrate having different vertical and horizontal sizes. Thus, the position of the irradiation area ILB in the X direction can be adjusted. At this time, the lamp house 20B may be attached to a linear guide (Y-direction guide) 21B via an X-direction guide that holds the lamp house 20B so as to be movable in the X direction, and the linear guide 21B itself can be moved in the X direction. To X
It may be held by a direction guide.
【0026】次に、露光動作について説明する。まず、
基板22が図示無きローダーのアーム(ロードアーム)
により装置内に搬入される。ここで、図1では不図示で
はあるが、周辺露光装置内の基板載置位置には、上下動
可能(Z方向に可動)なピンを備えた基板ホルダが位置
している。そして、ロードアームは基板ホルダ上のピン
に基板を載置し、このロードアームが退避した後、基板
ホルダ上のピンが下方に移動し、基板22がホルダ上に
吸着される。また、基板ホルダまたはその周囲には、基
板22のXY平面内での位置決めを行うための基準ピン
が設けられており、ロードアームが基板ホルダ上のピン
に基板22を載置する際、基板22を基準ピンに押し当
てて基板の位置合わせを行う。Next, the exposure operation will be described. First,
The substrate 22 is a loader arm (load arm) not shown.
Is carried into the apparatus. Here, although not shown in FIG. 1, a substrate holder provided with pins that can move up and down (movable in the Z direction) is located at a substrate mounting position in the peripheral exposure apparatus. Then, the load arm places the substrate on the pins on the substrate holder. After the load arm retreats, the pins on the substrate holder move downward, and the substrate 22 is sucked on the holder. A reference pin for positioning the substrate 22 in the XY plane is provided on or around the substrate holder. When the load arm places the substrate 22 on the pins on the substrate holder, Is pressed against the reference pin to align the substrate.
【0027】本実施形態では、基板22(を載置する基
板ホルダ)をZ軸を中心として回転させる基板回転ユニ
ット23が設けられており、基板22は、基板回転ユニ
ット23により90°の整数倍(90°、180°、2
70°、360°)ごとに回転される。なお、基板の位
置合わせにあたっては、ポテンシヨメータ等により基板
22の位置を計測した後、基板に補正をかけても構わな
いし、例えば、基板ホルダごと回転調整したり、走査の
ためのガイド自身を回転調整したり、ブラインドの位置
により補正をかけても構わない。この場合、基板ホルダ
をXY方向及びZ軸を中心とする回転方向(θ方向)で
微動可動となるように構成しておく。In the present embodiment, a substrate rotating unit 23 for rotating the substrate 22 (substrate holder on which the substrate 22 is placed) about the Z axis is provided, and the substrate 22 is rotated by an integer multiple of 90 ° by the substrate rotating unit 23. (90 °, 180 °, 2
70 °, 360 °). In positioning the substrate, after measuring the position of the substrate 22 using a potentiometer or the like, the substrate may be corrected. For example, the rotation of the substrate holder may be adjusted, or the guide itself for scanning may be used. You may adjust the rotation or apply correction depending on the position of the blind. In this case, the substrate holder is configured to be finely movable in a rotation direction (θ direction) around the XY directions and the Z axis.
【0028】ここで、照射ユニット1Aと基板22との
間に配置されるブラインド17Aは、ロードアームによ
る基板搬入時及び搬出時における基板22との干渉を避
けるために、基板22が載置される位置に対して10m
m程度上方(+Z方向)に設置されている。なお、ブラ
インド17Aと基板22との間隔により照射領域ILA
端部のボケ具合、すなわちエッジ精度が決定されるた
め、厳しいエッジ精度が要求される際にはブラインド1
7Aを基板22に可能な限り近接させる必要がある。こ
のような場合には、基板22の搬入時及び搬出時にブラ
インド17Aが基板22の搬入路(搬出路)から外れた
位置となるようにXY平面内で退避可能に構成する、あ
るいはブラインド17AをZ方向に可動に設けて基板2
2と干渉しないように構成すれば良い。Here, the substrate 17 is placed on the blind 17A disposed between the irradiation unit 1A and the substrate 22 in order to avoid interference with the substrate 22 when the load arm loads and unloads the substrate. 10m to position
It is installed about m above (+ Z direction). The irradiation area ILA depends on the distance between the blind 17A and the substrate 22.
Since the degree of edge blur, that is, the edge accuracy is determined, when strict edge accuracy is required, the blind 1
7A needs to be as close to the substrate 22 as possible. In such a case, the blind 17A is configured to be retractable in the XY plane such that the blind 17A is at a position deviated from the loading path (unloading path) of the substrate 22 when loading and unloading the substrate 22, or the blind 17A is Z Substrate 2 provided movably in the direction
2 should not be interfered.
【0029】次に、基板22上での照射領域の幅(X方
向の幅)が所望の値となるようにブラインド17Aを移
動させる。そして、各照射ユニット1A,1B内のシャ
ッター13A,13Bを開き、周辺露光を開始する。次
に走査露光部としての照射ユニット1Bにおける露光動
作について説明する。照射ユニット1Bにおいては、照
射ユニット1A側に設けられているブラインド17Aの
ような露光領域の幅(照射領域の幅)を可変に設定する
機構はなく、照射ユニット1B内のロッド19Bの射出
端面の形状により露光領域の幅(照射領域ILBのX方
向の幅)を設定している。Next, the blind 17A is moved so that the width (width in the X direction) of the irradiation area on the substrate 22 becomes a desired value. Then, the shutters 13A and 13B in each of the irradiation units 1A and 1B are opened to start the peripheral exposure. Next, an exposure operation in the irradiation unit 1B as a scanning exposure unit will be described. In the irradiation unit 1B, there is no mechanism for variably setting the width of the exposure region (width of the irradiation region) such as the blind 17A provided on the irradiation unit 1A side, and the irradiation end surface of the rod 19B in the irradiation unit 1B is not provided. The width of the exposure region (the width of the irradiation region ILB in the X direction) is set according to the shape.
【0030】なお、照射ユニット1Bは基板22に近接
して配置されているため、基板22を搬入または搬出す
る場合に基板22と照射ユニット1Bとが干渉する恐れ
があるが、このような場合には、基板22の搬入及び搬
出時において照射ユニット1Bを基板22と干渉しない
XY平面上の位置へ退避させる構成とすることが好まし
い。また、基板22を載置する基板ホルダが上下動(Z
方向に可動)する機構となっていれば、基板ホルダを下
げた状態(照射ユニット1Bと基板22との間隔を開け
た状態)で基板22の搬入及び搬出を行っても良い。ま
た、ランプハウス20B自体を上下動する構成としても
良い。Since the irradiation unit 1B is arranged close to the substrate 22, there is a possibility that the substrate 22 and the irradiation unit 1B may interfere when the substrate 22 is loaded or unloaded. It is preferable that the irradiation unit 1B be retracted to a position on the XY plane that does not interfere with the substrate 22 when the substrate 22 is loaded and unloaded. Further, the substrate holder on which the substrate 22 is placed is moved up and down (Z
If the mechanism is configured to be movable in the direction, the substrate 22 may be loaded and unloaded while the substrate holder is lowered (in a state where the distance between the irradiation unit 1B and the substrate 22 is increased). Further, the lamp house 20B itself may be configured to move up and down.
【0031】さて、基板22が基板ホルダ上に載置され
た後、照射ユニット1Bのロッド19Bの射出端面(照
射領域ILB)を基板22の端部へ移動させる。その
後、シャッター13Bを開いて照射領域ILBを基板2
2上に形成させつつ照射ユニット1BをY方向へ移動さ
せて、照射領域ILBを基板22の辺に沿って走査させ
る。このとき、照射ユニット1Bの移動速度(照射領域
ILBの走査速度)により、基板22(上の感光性材料
(レジスト))への露光エネルギー量が決定される。After the substrate 22 is placed on the substrate holder, the emission end face (irradiation area ILB) of the rod 19B of the irradiation unit 1B is moved to the end of the substrate 22. After that, the shutter 13B is opened and the irradiation area ILB is
The irradiation unit 1B is moved in the Y direction while being formed on the substrate 2, and the irradiation region ILB is scanned along the side of the substrate 22. At this time, the moving speed of the irradiation unit 1B (the scanning speed of the irradiation area ILB) changes the substrate 22 (the upper photosensitive material).
(Resist)) is determined.
【0032】ここで、照射ユニット1Aにおける露光量
の制御(シャッター13Aを開いている時間)は、基板
22が載置される基板ホルダ面内の近傍に配置した照度
センサを用いて照度を計測し、基板22(上に塗布され
た感光性材料)に必要な露光量を達成するための時間を
算出することにより行われる。また、照射ユニット1B
における露光量の制御(照射ユニット1Bの移動速度の
制御)は、基板22が載置される基板ホルダ面内の近傍
に配置した照度センサを用いて照度を計測し、基板22
(上に塗布された感光材料)に必要な露光量を達成する
ための走査速度(移動速度)を算出することにより行わ
れる。Here, the control of the exposure amount in the irradiation unit 1A (the time during which the shutter 13A is opened) is performed by measuring the illuminance using an illuminance sensor arranged near the surface of the substrate holder on which the substrate 22 is placed. , By calculating the time required to achieve the exposure amount required for the substrate 22 (the photosensitive material applied thereon). The irradiation unit 1B
(Control of the moving speed of the irradiation unit 1B) is performed by measuring the illuminance using an illuminance sensor arranged near the surface of the substrate holder on which the substrate 22 is placed.
This is performed by calculating a scanning speed (moving speed) for achieving an exposure amount necessary for (the photosensitive material applied thereon).
【0033】なお、照度センサは、上記のように基板ホ
ルダに隣接して設ける構成の代わりに、照射ユニット1
A,1Bの光路を通過する光の一部を取り出して照度セ
ンサへ導くように構成しても良い。また、基板ホルダ上
に設けてもかまわない。また、照度を計測する場合は、
露光中モニタを行っても構わないが、不要なレジストを
感光させることが目的であるので、複数枚毎に一度計測
するような構成をとっても構わない。The illuminance sensor is replaced with the irradiation unit 1 instead of the structure provided adjacent to the substrate holder as described above.
A part of the light passing through the light paths A and 1B may be extracted and guided to the illuminance sensor. Further, it may be provided on a substrate holder. Also, when measuring illuminance,
Monitoring during exposure may be performed, but since the purpose is to expose unnecessary resist, a configuration in which measurement is performed once for a plurality of sheets may be employed.
【0034】次に図2を参照して基板22に対する露光
領域の形成手順につき説明する。なお、以下の説明で
は、基板回転ユニット23が基板22の中心を軸として
基板22を回転させることを前提としている。図2にお
いて、まず照射ユニット1Aを用いて基板22上の露光
領域221Aを形成しつつ照射ユニット1Bを用いて基
板22上の露光領域221Bを形成する。次に基板回転
ユニット23によりXY平面内において基板22を90
°回転させる。そして、図2の例では基板22の縦横長
さが異なっているため、照射ユニット1A内の凹面鏡1
6Aを回転させて照射領域ILAを+X方向へ移動さ
せ、照射ユニット1B内のランプハウス20Bを−X方
向へ移動させて照射領域ILBを−X方向へ移動させ
る。その後、照射ユニット1Aを用いて基板22上の露
光領域222Aを形成し、照射ユニット1Bを用いて基
板22上の露光領域222Bを形成する。Next, a procedure for forming an exposure area on the substrate 22 will be described with reference to FIG. In the following description, it is assumed that the substrate rotating unit 23 rotates the substrate 22 about the center of the substrate 22 as an axis. In FIG. 2, first, an exposure area 221B on the substrate 22 is formed using the irradiation unit 1B while forming an exposure area 221A on the substrate 22 using the irradiation unit 1A. Next, the substrate 22 is moved 90 degrees in the XY plane by the substrate rotation unit 23.
Rotate °. In the example of FIG. 2, since the length and width of the substrate 22 are different, the concave mirror 1 in the irradiation unit 1A
By rotating 6A, the irradiation area ILA is moved in the + X direction, the lamp house 20B in the irradiation unit 1B is moved in the -X direction, and the irradiation area ILB is moved in the -X direction. Thereafter, an exposure area 222A on the substrate 22 is formed using the irradiation unit 1A, and an exposure area 222B on the substrate 22 is formed using the irradiation unit 1B.
【0035】そして、基板回転ユニット23により基板
22を90°回転させ、各照射ユニット1A,1BのX
方向の位置(照射領域ILA,ILBのX方向の位置)
を元の位置に戻した後、照射ユニット1Aにより露光領
域223Aを、照射ユニット1Bにより露光領域223
Bをそれぞれ形成する。最後に、基板回転ユニット23
により基板22を90°回転させ、各照射ユニット1
A,1BのX方向の位置(照射領域ILA,ILBのX
方向の位置)を2回目の露光位置(露光領域222A,
222Bへの露光時の位置)へ移動させた後、照射ユニ
ット1Aにより露光領域224Aを、照射ユニット1B
により露光領域224Bをそれぞれ形成する。Then, the substrate 22 is rotated by 90 ° by the substrate rotating unit 23, and the X of each of the irradiation units 1A and 1B is adjusted.
(Position in the X direction of the irradiation areas ILA and ILB)
Is returned to the original position, the exposure area 223A is changed by the irradiation unit 1A, and the exposure area 223 is changed by the irradiation unit 1B.
B are respectively formed. Finally, the substrate rotation unit 23
The substrate 22 is rotated by 90 ° by using
A, 1B position in the X direction (X of irradiation area ILA, ILB)
Direction position) is changed to a second exposure position (exposure area 222A,
After the exposure unit 224A is moved to the position at the time of exposure to the exposure unit 222B, the exposure area 224A is moved by the irradiation unit 1A.
To form exposure regions 224B.
【0036】この露光動作により、基板22の所定の辺
には露光領域221Aと露光領域223Bとが重畳した
状態で形成され、この辺と直交する辺には露光領域22
2Aと露光領域224Bとが重畳した状態で形成され、
上記所定の辺と対向する辺には露光領域223Aと露光
領域221Bとが重畳した状態で形成され、残りの辺に
は露光領域224Aと露光領域222Bとが重畳した状
態で形成される。ここで、2つの露光領域が重畳した領
域では、1つの露光領域が形成される領域よりも多くの
露光エネルギーとなり、感光性材料の膜厚が厚くても、
この感光性材料を除去するのに十分な露光エネルギーが
与えられる。By this exposure operation, an exposure area 221A and an exposure area 223B are formed on a predetermined side of the substrate 22 in a superimposed state.
2A and the exposure region 224B are formed in an overlapping state,
An exposure area 223A and an exposure area 221B are formed in an overlapping state on a side opposite to the predetermined side, and an exposure area 224A and an exposure area 222B are formed in an overlapping state on the remaining sides. Here, in the region where the two exposure regions overlap, the exposure energy becomes larger than that in the region where one exposure region is formed, and even if the photosensitive material is thicker,
Exposure energy sufficient to remove the photosensitive material is provided.
【0037】なお、4回目の露光の後に、基板回転ユニ
ット23により基板22をさらに90°回転させれば、
搬入時の向きと同じ向きで基板22を搬出することがで
きる。また、上述の例では、基板22の長辺及び短辺へ
の露光位置が異なることに対応して、照射領域ILAを
X方向へ移動させる構成としたが、照射領域ILAのX
方向の最大幅(ブラインド17Aがない状態のときの照
射領域ILAのX方向の幅)を、基板22上で必要とさ
れる照射領域の幅と、角型基板22の長辺と短辺との長
さの差の1/2との和よりも大きく設定し、ブラインド
17Aの移動可能な範囲を角型基板22の長辺と短辺と
の長さの差の1/2との和よりも大きく設定すれば良
い。If the substrate 22 is further rotated by 90 ° by the substrate rotation unit 23 after the fourth exposure,
The substrate 22 can be carried out in the same direction as the direction at the time of carrying in. In the above-described example, the irradiation area ILA is moved in the X direction in response to the different exposure positions on the long side and the short side of the substrate 22.
The maximum width in the direction (the width in the X direction of the irradiation area ILA when there is no blind 17A) is determined by the width of the irradiation area required on the substrate 22 and the long side and the short side of the rectangular substrate 22. It is set larger than the sum of 1/2 of the difference in length, and the movable range of the blind 17A is set to be larger than the sum of 1/2 of the difference in length between the long side and the short side of the rectangular substrate 22. You can set it larger.
【0038】例えば基板22のサイズが700×800
mmの長方形状である場合を考える。基板22の中心で
基板を回転させて互いに直交する辺への露光を行う場
合、800mm側の辺(基板22の長辺)を露光する場
合の照射領域の位置と、700mm側の辺(基板22の
短辺)を露光する場合の照射領域の位置とのX方向での
差は、それぞれ50mmずつとなる。例えば800mm
側の辺(長辺)を周辺露光した後に基板22を回転させ
て700mm側の辺(短辺)を周辺露光する場合には、
照射領域の位置を片側50mmずつ内側へ移動させる必
要がある。但し、照射領域ILAのX方向における最大
幅と、ブラインド17Aの移動可能範囲とを上記のよう
に設定すれば、ブラインド17Aの移動のみで照射領域
ILAのX方向の位置を設定することが可能となり、照
射ユニット1A内の凹面鏡を移動させる必要はなくな
り、照射ユニット1A内の各光学部材を固定的に配置す
ることができる。For example, if the size of the substrate 22 is 700 × 800
Consider the case of a rectangular shape of mm. When the substrate is rotated at the center of the substrate 22 to perform exposure on sides orthogonal to each other, the position of the irradiation area when exposing the 800 mm side (the long side of the substrate 22) and the 700 mm side (the substrate 22) The difference in the X direction from the position of the irradiation area when exposing (short side of) is 50 mm each. For example, 800mm
When the substrate 22 is rotated and the side (short side) on the 700 mm side is exposed after the peripheral exposure on the side (long side),
It is necessary to move the position of the irradiation area inward by 50 mm on each side. However, if the maximum width of the irradiation area ILA in the X direction and the movable range of the blind 17A are set as described above, it is possible to set the position of the irradiation area ILA in the X direction only by moving the blind 17A. Therefore, it is not necessary to move the concave mirror in the irradiation unit 1A, and each optical member in the irradiation unit 1A can be fixedly arranged.
【0039】なお、上述の例では、基板22への周辺露
光の後に基板を90°回転させる動作としたが、180
°回転させても良い。この場合の動作について以下に簡
単に説明する。図2において、まず照射ユニット1Aを
用いて基板22上の露光領域221Aを形成しつつ照射
ユニット1Bを用いて基板22上の露光領域221Bを
形成する。次に基板回転ユニット23によりXY平面内
において基板22を180°回転させる。その後、照射
ユニット1Aを用いて基板22上の露光領域223Aを
形成し、照射ユニット1Bを用いて基板22上の露光領
域223Bを形成する。In the above example, the substrate is rotated by 90 ° after the peripheral exposure on the substrate 22.
° may be rotated. The operation in this case will be briefly described below. In FIG. 2, first, an exposure area 221B on the substrate 22 is formed using the irradiation unit 1B while forming an exposure area 221A on the substrate 22 using the irradiation unit 1A. Next, the substrate 22 is rotated by 180 ° in the XY plane by the substrate rotation unit 23. Thereafter, an exposure area 223A on the substrate 22 is formed using the irradiation unit 1A, and an exposure area 223B on the substrate 22 is formed using the irradiation unit 1B.
【0040】その後、基板回転ユニット23を用いて基
板22を90°回転させ、照射ユニット1A内の凹面鏡
16Aを回転させて照射領域ILAを+X方向へ移動さ
せ、照射ユニット1B内のランプハウス20Bを−X方
向へ移動させて照射領域ILBを−X方向へ移動させ
る。そして、照射ユニット1Aにより露光領域222A
を、照射ユニット1Bにより露光領域222Bをそれぞ
れ形成する。Thereafter, the substrate 22 is rotated by 90 ° using the substrate rotation unit 23, the concave mirror 16A in the irradiation unit 1A is rotated to move the irradiation area ILA in the + X direction, and the lamp house 20B in the irradiation unit 1B is moved. The irradiation area ILB is moved in the −X direction by moving in the −X direction. Then, the irradiation area 222A is irradiated by the irradiation unit 1A.
Is formed in the exposure area 222B by the irradiation unit 1B.
【0041】なお、上記露光動作においては、露光領域
222A,222Bへの露光の後に基板22を90°回
転させて搬入時と同じ姿勢で基板22を搬出することが
好ましい。なお、角型基板22が正方形状である場合に
は、照射ユニット1A,1B(照明領域ILA,IL
B)のX方向への移動はさせなくとも良い。In the above-described exposure operation, it is preferable that the substrate 22 is rotated by 90 ° after the exposure of the exposure regions 222A and 222B, and the substrate 22 is unloaded in the same posture as when the substrate is loaded. When the square substrate 22 has a square shape, the irradiation units 1A and 1B (illumination regions ILA and IL
It is not necessary to move B) in the X direction.
【0042】次に、基板22上への露光時間の一例につ
いて簡単に数値を掲げる。基板22のサイズを700m
m角として、基板22の外周から5mm幅の領域に対し
て露光量100mJ/cm2で露光し、その領域より内
側であって外周から100mm幅までの領域に対して露
光量50mJ/cm2で露光する場合を考える。Next, numerical values of an example of the exposure time on the substrate 22 will be briefly described. The size of the substrate 22 is 700 m
As an m-square, a region of 5 mm width from the outer periphery of the substrate 22 is exposed at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 , and a region inside the region and extending from the outer periphery to a width of 100 mm at an exposure amount of 50 mJ / cm 2 Consider the case of exposure.
【0043】この場合、照射ユニット1Aを用いて一括
露光(静止露光)する領域を基板22の外周から100
mm幅に設定すると共にこの領域への露光量を50mJ
/cm2に設定し、照射ユニット1Bを用いて走査露光
する領域の幅を基板22の外周から5mmに設定すると
共にこの領域への露光量を50mJ/cm2に設定すれ
ば、基板22の外周から5mm幅の領域に対して露光量
100mJ/cm2で露光でき、この領域の内側の外周
から100mm幅の領域に対して露光量100mJ/c
m2で露光することができる。In this case, an area to be subjected to batch exposure (static exposure) using the irradiation unit 1A is set at 100
mm width and the exposure amount to this area is 50 mJ.
/ Cm 2 , the width of the region to be scanned and exposed using the irradiation unit 1B is set to 5 mm from the outer periphery of the substrate 22, and the amount of exposure to this region is set to 50 mJ / cm 2. Can be exposed at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 to an area having a width of 5 mm, and an exposure amount of 100 mJ / c can be applied to an area having a width of 100 mm from the inner periphery of this area.
It can be exposed in m 2.
【0044】また、本実施形態における照射ユニット1
Aでは、凹面鏡16Aを用いた照射光学系を例として記
載したが、凹面鏡16Aの代わりに、レンズ系と平面鏡
との組合わせ、レンズ系と凹面鏡との組合わせ、レンズ
系と凸面鏡との組合わせ、レンズ系のみ、フレネルレン
ズを用いた光学系とすることができる。また、オプティ
カルインテグレータとしてフライアイレンズを用いた
が、射出面形状が露光フィールドと相似形の長方形のロ
ッドインテグレータや、ランダムファイバー束を用いて
も構わない。Further, the irradiation unit 1 in the present embodiment
In A, the irradiation optical system using the concave mirror 16A is described as an example, but instead of the concave mirror 16A, a combination of a lens system and a plane mirror, a combination of a lens system and a concave mirror, and a combination of a lens system and a convex mirror are used. Only the lens system can be an optical system using a Fresnel lens. Although the fly-eye lens is used as the optical integrator, a rectangular rod integrator whose exit surface shape is similar to the exposure field or a random fiber bundle may be used.
【0045】次に図3を参照して本発明にかかる第2の
実施形態について説明する。なお、図3では図1と同様
にXYZ座標系を採用しており、図1と同様の機能を有
する部材には同じ符号を付している。図3において、第
2の実施形態にかかる周辺露光装置は、基板22上にお
けるX方向の幅が例えば100mm程度の照射領域IL
Aを形成し、かつこの照射領域ILAをY方向へ走査可
能な照射ユニット2Aと、基板22上におけるX方向の
幅が例えば30mm程度の照射領域ILBを形成し、か
つこの照射領域ILBをY方向へ走査可能な照射ユニッ
ト2Bとを有する。なお、図3では、基板22を90°
ごとに回転させる基板回転ユニットの図示を省略してい
る。Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 3, an XYZ coordinate system is adopted as in FIG. 1, and members having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 3, the peripheral exposure apparatus according to the second embodiment includes an irradiation area IL having a width in the X direction on the substrate 22 of, for example, about 100 mm.
A, and an irradiation unit 2A capable of scanning the irradiation area ILA in the Y direction, and an irradiation area ILB on the substrate 22 having a width in the X direction of, for example, about 30 mm, and forming the irradiation area ILB in the Y direction. And an irradiation unit 2B capable of scanning the Note that, in FIG.
The illustration of the substrate rotation unit that rotates each time is omitted.
【0046】第2実施形態において、照射ユニット2A
と照射ユニット2Bとの差異は、基板22上に形成され
る照射領域ILA,ILBの大きさの差に基づく点のみ
であり、その機能は両者とも同一であるため、以下では
照射ユニット2Aの構成のみの説明で代表させる。図3
において、光源10A、楕円鏡11A及びダイクロイッ
クミラー12Aの構成は図1と同様であるため説明を省
略する。そして、ダイクロイックミラー12Aを介した
楕円鏡11Aからの光は、その第2焦点位置に集光され
て光源像を形成した後、この第2焦点位置の近傍に入射
端面が位置決めされたロッド型インテグレータ(内面反
射型インテグレータ)19Aに入射する。このロッド型
インテグレータ19Aは、先に図1で説明したロッド1
9Bと同様の機能(入射光束を内面で繰り返し反射させ
ることによりその射出端面に均一な照度分布を形成する
機能)を有する。ここで、ロッド型インテグレータの射
出端面19Aは、基板22上に形成される照射領域IL
Aと相似形状となっている。In the second embodiment, the irradiation unit 2A
The difference between the irradiation unit 2B and the irradiation unit 2B is only based on the difference between the sizes of the irradiation regions ILA and ILB formed on the substrate 22, and the functions thereof are the same. Only the explanation is represented. FIG.
, The configurations of the light source 10A, the elliptical mirror 11A, and the dichroic mirror 12A are the same as those in FIG. Then, the light from the elliptical mirror 11A via the dichroic mirror 12A is condensed at the second focal position to form a light source image, and then the rod-type integrator whose incident end face is positioned near the second focal position (Internal reflection type integrator) It is incident on 19A. This rod-type integrator 19A is similar to the rod 1 described with reference to FIG.
9B has the same function as that of FIG. 9B (a function of forming a uniform illuminance distribution on the exit end face by repeatedly reflecting an incident light beam on the inner surface). Here, the emission end face 19A of the rod-type integrator corresponds to the irradiation area IL formed on the substrate 22.
It has a shape similar to A.
【0047】そして、ロッド型インテグレータ19Aの
射出側には、レンズ群24A,25Aを有するリレー光
学系と、このリレー光学系からの光を基板22へ向けて
偏向する光路折り曲げミラー30Aが配置されており、
このリレー光学系24A,25Aは、ロッド型インテグ
レータ19Aの射出端面の像を所定倍率のもとで基板2
2上に形成して照射領域ILAを形成する機能を有す
る。このとき、照射領域ILAを図中Y方向へ走査させ
るためには、光源10Aからリレー光学系24A,25
Aに至る光学系全体をY方向へ移動させても良いが、本
実施形態では、光学系の一部のみを移動させている。On the exit side of the rod-type integrator 19A, a relay optical system having lens groups 24A and 25A and an optical path bending mirror 30A for deflecting light from the relay optical system toward the substrate 22 are arranged. Yes,
The relay optical systems 24A and 25A convert the image of the exit end face of the rod-type integrator 19A into the substrate 2 under a predetermined magnification.
2 to form an irradiation region ILA. At this time, in order to scan the irradiation area ILA in the Y direction in FIG.
The entire optical system up to A may be moved in the Y direction, but in the present embodiment, only a part of the optical system is moved.
【0048】本実施形態において、リレー光学系を構成
するレンズ群24A,25Aの間には、複数の反射ミラ
ー26A〜29Aが配置されている。ここで、ミラー2
6A及びミラー29Aは、光源10A〜レンズ群24A
までの光学系に対して相対的に固定されており、ミラー
27A,28Aは、ミラー26Aに対してZ方向に沿っ
て移動可能となるようにユニット31A内に収められて
いる。また、レンズ群25A及び光路折り曲げミラー3
0Aは、。一体的にユニット32A内に保持されてお
り、このユニット32Aは図中Y方向に沿って移動可能
となっている。In this embodiment, a plurality of reflection mirrors 26A to 29A are arranged between the lens groups 24A and 25A constituting the relay optical system. Here, mirror 2
6A and the mirror 29A are arranged between the light source 10A and the lens group 24A.
The mirrors 27A and 28A are housed in the unit 31A so as to be movable in the Z direction with respect to the mirror 26A. Further, the lens group 25A and the optical path bending mirror 3
0A is. The unit 32A is integrally held in the unit 32A, and is movable along the Y direction in the figure.
【0049】上記構成において、ユニット32AをY方
向へ移動させると共に、レンズ群24A及びレンズ群2
5Aとの間の光路長が一定となるようにユニット31A
をZ方向へ移動させることにより、基板22上では照射
領域ILAがY方向に走査される。このとき、レンズ群
25A(ユニット32A)の移動によるレンズ群24A
との光路長の変化をミラー27A,28A(ユニット3
1A)の移動により補償しているため、リレー光学系2
4A,25Aに関するロッド型インテグレータ19Aの
射出端面と基板22との共役関係は一定に維持され、か
つ両者の倍率関係も一定に維持される。In the above configuration, the unit 32A is moved in the Y direction, and the lens group 24A and the lens group 2 are moved.
Unit 31A so that the optical path length between the unit 31A and the
Is moved in the Z direction, the irradiation area ILA on the substrate 22 is scanned in the Y direction. At this time, the lens group 24A due to the movement of the lens group 25A (unit 32A)
The change in the optical path length with respect to the mirrors 27A and 28A (unit 3
1A) is compensated by the movement of the relay optical system 2
The conjugate relationship between the emission end face of the rod-type integrator 19A and the substrate 22 with respect to 4A and 25A is kept constant, and the magnification relationship between them is also kept constant.
【0050】なお、各ユニット31A,32Aの連動機
構については、図3の例と同様なオプティカルトロンボ
ーン光学系を周辺露光装置に適用した特開平11−72
926号に記載してあるため、ここでの説明は省略す
る。また、図3の例において、ロッド型インテグレータ
19A,19Bの射出端面形状は矩形であることが好ま
しい。また、ロッド型インテグレータ19A,19Bの
射出端面の近傍に視野絞りを配置することにより、基板
22上の照射領域ILA,ILBのX方向の幅を規定で
き、この視野絞りの開口部のX方向の幅を可変とする
と、照射領域ILA,ILBのX方向の幅を可変にする
ことが可能である。As for the interlocking mechanism of the units 31A and 32A, an optical trombone optical system similar to the example in FIG.
926, so that the description here is omitted. Further, in the example of FIG. 3, it is preferable that the shape of the emission end face of the rod-type integrators 19A and 19B is rectangular. Further, by arranging the field stop near the exit end faces of the rod integrators 19A and 19B, the width of the irradiation areas ILA and ILB on the substrate 22 in the X direction can be defined. If the width is made variable, the width of the irradiation areas ILA and ILB in the X direction can be made variable.
【0051】この図3の例における露光動作は、上述に
おいて図2を参照して説明した第1の実施形態と同様で
あるため、説明は省略する。次に図4及び図5を参照し
て本発明にかかる第3の実施形態について説明する。な
お、図4においては、図1及び図3と同様にXYZ座標
系を採用している。第3の実施形態にかかる周辺露光装
置は、図1に示した第1の実施形態の周辺露光装置の構
成を基本として、それぞれの照射ユニットが光源を有す
るのではなく、1つの光源からの光を光束分岐手段とし
ての分岐ミラーで分岐している点が異なる。従って、以
下の説明では、図1に示した部材と同様の機能を有する
部材には同じ符号を付してある。なお、図4において
も、基板22を回転させる基板回転ユニットを図示省略
している。The exposure operation in the example of FIG. 3 is the same as that of the first embodiment described above with reference to FIG. 2, and a description thereof will be omitted. Next, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 4, an XYZ coordinate system is adopted as in FIGS. 1 and 3. The peripheral exposure apparatus according to the third embodiment is based on the configuration of the peripheral exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, and each irradiation unit does not have a light source but light from one light source. Is split by a splitting mirror as a light beam splitting means. Therefore, in the following description, members having the same functions as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 4, a substrate rotation unit for rotating the substrate 22 is not shown.
【0052】図4に示す周辺露光装置は、楕円鏡11A
の第2焦点位置近傍に分岐ミラー33が配置されている
点が図1の例とは異なる。この分岐ミラーは図5
(a),(b)に示す通り、光透過性材料からなる透明
基板331の中央部付近に反射膜332を蒸着したもの
である。図4に戻って、分岐ミラー33の光通過部分
(反射膜332が設けられていない領域)を通過した光
は、図1の例と同様に、コリメータレンズ14A、オプ
ティカルインテグレータ15A、凹面鏡16Aを順に介
して基板22上に照射領域ILAを形成する。なお、図
1の例と同様に、照射領域ILAのX方向の幅を規定す
るためのブラインド17Aが凹面鏡16Aと基板22と
の間に配置される。The peripheral exposure apparatus shown in FIG.
Is different from the example of FIG. 1 in that a branch mirror 33 is arranged near the second focal position. This split mirror is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a reflective film 332 is deposited near the center of a transparent substrate 331 made of a light transmitting material. Returning to FIG. 4, the light that has passed through the light passing portion of the splitting mirror 33 (the area where the reflection film 332 is not provided) passes through the collimator lens 14A, the optical integrator 15A, and the concave mirror 16A in the same manner as in the example of FIG. The irradiation area ILA is formed on the substrate 22 through the intermediary. As in the example of FIG. 1, a blind 17A for defining the width of the irradiation area ILA in the X direction is arranged between the concave mirror 16A and the substrate 22.
【0053】一方、分岐ミラー33の反射部分(反射膜
332)で反射された光束は、楕円鏡11の第2焦点位
置近傍に入射端が位置決めされた光ファイバー34Bに
入射する。この光ファイバー34Bの射出端は、基板2
2上の照射領域ILA形成位置と対向する辺の近接した
状態で位置決めされ、基板22上に照射領域ILBを形
成する。そして、光ファイバー34Bの射出端は、図中
Y方向に沿って延びた形状のY方向ガイド21Bに添っ
て移動可能に設けられており、光ファイバー34Bの射
出端のY方向への移動により、照射領域ILBを基板2
2上でY方向に走査でき、Y方向に延びた露光領域22
Bを形成することができる。On the other hand, the light beam reflected by the reflection part (reflection film 332) of the split mirror 33 enters the optical fiber 34B whose entrance end is positioned near the second focal position of the elliptical mirror 11. The exit end of the optical fiber 34B is
The irradiation area ILB is formed on the substrate 22 while being positioned close to the side opposite to the irradiation area ILA formation position on the substrate 2. The exit end of the optical fiber 34B is provided movably along a Y-direction guide 21B extending in the Y direction in the figure. ILB to substrate 2
2 can be scanned in the Y direction, and the exposure area 22 extends in the Y direction.
B can be formed.
【0054】第3の実施形態では、分岐ミラー33によ
って、楕円鏡11Aからの光束のうち、特に照度の高い
光軸近傍の光束のみを反射膜332で反射して光ファイ
バー34Bへ導くことにより、比較的高い照度が要求さ
れる照射領域ILBでの照度が十分なものとなるように
している。また、照射領域ILBの大きさは、照射領域
ILAの大きさよりも小さな領域、例えば基板22の外
周から5〜10mm程度の幅であるため、光ファイバー
34Bとして石英ファイバーを用いても、さほど高価に
はならない。なお、光ファイバー34Bにおいて、入射
端での複数のファイバ素線の密度よりも射出端での密度
を粗となるように構成すれば、光ファイバー34Bでの
射出端における可撓性を向上でき、光ファイバー34B
自体にストレスが加わることによる断線の危険性を低減
できる。In the third embodiment, of the light beams from the elliptical mirror 11A, only the light beams in the vicinity of the optical axis having a particularly high illuminance are reflected by the reflection film 332 and guided to the optical fiber 34B by the branching mirror 33. The illuminance in the irradiation area ILB where an extremely high illuminance is required is sufficient. Further, since the size of the irradiation region ILB is smaller than the size of the irradiation region ILA, for example, a width of about 5 to 10 mm from the outer periphery of the substrate 22, even if a quartz fiber is used as the optical fiber 34B, it is not so expensive. No. If the optical fiber 34B is configured such that the density at the exit end is lower than the density of the plurality of fiber wires at the entrance end, the flexibility at the exit end of the optical fiber 34B can be improved, and the optical fiber 34B
The risk of disconnection due to stress applied to itself can be reduced.
【0055】なお、第3の実施形態において、照射領域
ILAを形成する照射ユニット3Aは、光源10A〜凹
面鏡16Aまでの光学系であり、照射領域ILBを形成
する照射ユニット3Bは、光ファイバー34B及びY方
向ガイド21Bを有している。なお、光源10A、楕円
鏡11A、ダイクロイックミラー12Aは、照射ユニッ
ト3A及び3Bの共有となっている。In the third embodiment, the irradiation unit 3A for forming the irradiation area ILA is an optical system from the light source 10A to the concave mirror 16A, and the irradiation unit 3B for forming the irradiation area ILB includes the optical fibers 34B and Y. It has a direction guide 21B. The light source 10A, the elliptical mirror 11A, and the dichroic mirror 12A are shared by the irradiation units 3A and 3B.
【0056】この第3の実施形態における露光動作は、
上述した第1及び第2の実施形態と同様であるためここ
での説明は省略する。なお、第3の実施形態では、光束
分岐手段として、光束を波面分割する分岐ミラー33を
用いたが、その代わりに、光束を所定の光量比で振幅分
割するハーフミラーを用いることも可能である。このと
きには、光ファイバー34Bへ導かれる光量がコリメー
タレンズ14Aへ導かれる光量よりも大きくなるように
ハーフミラーの振幅分割比を設定することが好ましい。The exposure operation in the third embodiment is as follows.
Since this is the same as the first and second embodiments described above, the description here is omitted. In the third embodiment, the splitting mirror 33 that splits a light beam into a wavefront is used as the light beam splitting unit. However, a half mirror that splits the light beam by an amplitude at a predetermined light amount ratio may be used instead. . At this time, it is preferable to set the amplitude division ratio of the half mirror so that the amount of light guided to the optical fiber 34B is larger than the amount of light guided to the collimator lens 14A.
【0057】次に図6を参照して、本発明にかかる第4
の実施形態について説明する。なお、図6においてもX
YZ座標系を採用している。第4の実施形態の周辺露光
装置では、2つの照射ユニット4A,4Bにより基板2
2上に2つの照射領域ILA,ILBを形成しつつ、各
照射ユニット4A,4B中の一部の光学部材を回転させ
ることによりそれぞれの照射領域ILA,ILBを所定
の方向へ移動させて走査露光を行っている。Next, referring to FIG. 6, a fourth embodiment according to the present invention will be described.
An embodiment will be described. In FIG. 6, X
An YZ coordinate system is used. In the peripheral exposure apparatus according to the fourth embodiment, the two irradiation units 4A and 4B allow the substrate 2 to be exposed.
While forming two irradiation areas ILA and ILB on the surface 2, by rotating some of the optical members in each of the irradiation units 4 A and 4 B, the respective irradiation areas ILA and ILB are moved in a predetermined direction to perform scanning exposure. It is carried out.
【0058】なお、図6に示す周辺露光装置における2
つの照射ユニット4A,4Bの基本的な構成は、図1に
示したものと同様であるため、以下の説明では特に相違
点について説明する。また、図6において、2つの照射
ユニット4A,4B間の相違点は、基板22上に形成さ
れる照射領域の大きさ及び形状に関連する部分だけであ
るため、以下では照射ユニット4Aで代表させて説明す
る。図6に示す照射ユニット4Aの構成において、光源
10Aからコリメータレンズ14Aまでの構成は図1に
示した第1の実施形態のものと同様であるため説明を省
略する。第4の実施形態の照射ユニット4Aにおけるオ
プティカルインテグレータ35Aは、図1の例と同様に
所定の断面形状を有する複数のエレメントからなるフラ
イアイレンズであるが、基板22上での照射領域ILA
の形状がX方向に長手方向を持つ長方形状であることか
ら、複数のエレメントの各々の断面形状が図中X方向に
長手方向を有する長方形状である点が図1の例とは異な
る。The peripheral exposure device 2 shown in FIG.
The basic configuration of the two irradiation units 4A and 4B is the same as that shown in FIG. 1, and therefore, the following description will particularly describe the differences. In FIG. 6, the only difference between the two irradiation units 4A and 4B is a portion related to the size and shape of the irradiation area formed on the substrate 22. Will be explained. In the configuration of the irradiation unit 4A shown in FIG. 6, the configuration from the light source 10A to the collimator lens 14A is the same as that of the first embodiment shown in FIG. The optical integrator 35A in the irradiation unit 4A of the fourth embodiment is a fly-eye lens composed of a plurality of elements having a predetermined sectional shape as in the example of FIG.
Is different from the example of FIG. 1 in that each of the plurality of elements has a rectangular shape having a longitudinal direction in the X direction in the figure.
【0059】オプティカルインテグレータ35Aの射出
側に配置される凹面鏡36Aは、図1の凹面鏡16Aと
は異なり、図中X方向を中心として回転可能に設けられ
ている。この凹面鏡36Aの回転により、基板22上に
形成される照射領域ILAは、図中Y方向に沿って移動
する。その結果、基板22上にはY方向に伸びた形状の
露光領域22Aが形成される。The concave mirror 36A disposed on the exit side of the optical integrator 35A is provided rotatably about the X direction in the figure, unlike the concave mirror 16A of FIG. Due to the rotation of the concave mirror 36A, the irradiation area ILA formed on the substrate 22 moves along the Y direction in the drawing. As a result, an exposure region 22A having a shape extending in the Y direction is formed on the substrate 22.
【0060】第4の実施形態における照射ユニット4B
は、オプティカルインテグレータ35Bの構成が、照射
ユニット4Aのそれとは異なる。具体的には、オプティ
カルインテグレータ35Bを長方形状の断面を持つ複数
のエレメントからなるフライアイレンズとすることは、
照射ユニット4Aと同様であるが、照射ユニット4Bで
は、複数のエレメントの長手方向が照射ユニット4Aの
それとは光軸を中心として90°回転させた状態となる
ようになっている。すなわちオプティカルインテグレー
タ35A,35Bは、同一構成のフライアイレンズを、
その向きが光軸を中心として90°異なるように配置し
ている点が異なる。この構成により、照射ユニット4B
は、図中Y方向に長手方向を持つ長方形状の照射領域I
LBを基板22上に形成することになる。照射ユニット
4Bにおいても、オプティカルインテグレータ35Bの
射出側に配置される凹面鏡36BをX軸を中心として回
転させることにより、照射領域ILBを図中Y方向に沿
って走査させることができる。Irradiation unit 4B in the fourth embodiment
Differs from that of the irradiation unit 4A in the configuration of the optical integrator 35B. Specifically, when the optical integrator 35B is a fly-eye lens including a plurality of elements having a rectangular cross section,
The irradiation unit 4A is the same as the irradiation unit 4A except that the longitudinal direction of the plurality of elements is rotated by 90 ° about the optical axis with respect to that of the irradiation unit 4A. That is, the optical integrators 35A and 35B use fly-eye lenses having the same configuration,
The difference is that the directions are arranged so as to differ by 90 ° about the optical axis. With this configuration, the irradiation unit 4B
Is a rectangular irradiation area I having a longitudinal direction in the Y direction in the figure.
LB will be formed on the substrate 22. Also in the irradiation unit 4B, the irradiation area ILB can be scanned along the Y direction in the figure by rotating the concave mirror 36B disposed on the emission side of the optical integrator 35B about the X axis.
【0061】ここで、照射ユニット4A,4Bは、同一
構成の光学部材で構成されている(オプティカルインテ
グレータ35A,35Bの組み付け方向のみが異なる)
ため、製造時のイニシャルコストを削減できる利点があ
る。さて、第4の実施形態では、2つの照射領域IL
A,ILBをY方向に沿って走査させて露光領域22
A,22Bを形成しており、比較的低い露光量しか要求
されないがX方向の露光幅の広い露光領域22Aを、走
査直交方向(X方向)に長手方向を有する照射領域IL
Aで形成し、X方向の露光幅は狭いが高い露光量が要求
される露光領域22Bを、走査方向(Y方向)に長手方
向を有する照射領域ILBで形成している。これによ
り、光源10A,10Bの出力が同じで、各照射領域I
LA,ILBの走査速度が同程度である状態でも、露光
領域22Bの方の露光量を露光領域22Aよりも高くす
ることができる。このように、第4の実施形態では、ほ
ぼ同じ構成の2つの照射ユニット4A,4Bを用いなが
ら、高露光量の最外周の露光領域22Bと、低露光量の
若干内側までをカバーする露光領域22Aとを効率良く
周辺露光することができる。Here, the irradiation units 4A and 4B are composed of optical members having the same configuration (only the assembly directions of the optical integrators 35A and 35B are different).
Therefore, there is an advantage that the initial cost at the time of manufacturing can be reduced. Now, in the fourth embodiment, the two irradiation regions IL
A and ILB are scanned along the Y direction to expose
A and 22B are formed, and an exposure area 22A which requires a relatively low exposure amount but has a wide exposure width in the X direction is changed to an irradiation area IL having a longitudinal direction in the scanning orthogonal direction (X direction).
An exposure region 22B formed by A and having a small exposure width in the X direction but requiring a high exposure amount is formed by an irradiation region ILB having a longitudinal direction in the scanning direction (Y direction). As a result, the outputs of the light sources 10A and 10B are the same, and
Even when the scanning speeds of LA and ILB are almost the same, the exposure amount of the exposure region 22B can be made higher than that of the exposure region 22A. As described above, in the fourth embodiment, while using the two irradiation units 4A and 4B having substantially the same configuration, the outermost exposure region 22B having the high exposure amount and the exposure region covering slightly inside the low exposure amount are used. 22A can be efficiently exposed to the periphery.
【0062】なお、第4の実施形態において、各々の照
射ユニット4A,4Bごとに最適な光源を選択し、さら
に最適な照射領域を形成する光学系を別の構成としても
良い。第4の実施形態における露光動作は、2つの露光
領域を形成する際に2つの照射領域ILA,ILBの双
方を移動させる点だけが上記各実施形態とは異なるだけ
であるので、ここでの説明は省略する。In the fourth embodiment, it is also possible to select an optimum light source for each of the irradiation units 4A and 4B, and to use another optical system for forming an optimum irradiation area. The exposure operation in the fourth embodiment is different from the above embodiments only in that both of the two irradiation regions ILA and ILB are moved when two exposure regions are formed. Is omitted.
【0063】図6に示した第4の実施形態では、基板2
2上に形成される2つの露光領域22A,22Bを走査
露光で形成したが、この2つの露光領域を一括露光(静
止露光)で形成しても良い。図7は、全ての露光領域を
一括露光(静止露光)で形成する第5の実施形態にかか
る周辺露光装置の概略図である。なお、図7ではXYZ
座標系を採用しており、上述の各実施例と同様の機能を
有する部材には同じ符号を付してある。In the fourth embodiment shown in FIG.
Although the two exposure regions 22A and 22B formed on the substrate 2 are formed by scanning exposure, the two exposure regions may be formed by collective exposure (static exposure). FIG. 7 is a schematic view of a peripheral exposure apparatus according to a fifth embodiment in which all exposure regions are formed by collective exposure (static exposure). In FIG. 7, XYZ
Members employing the coordinate system and having the same functions as those of the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals.
【0064】この図7の周辺露光装置では、基板22上
に2つの露光領域22A,22Bを2つの照射ユニット
1A,5Bを用いてそれぞれ形成しているが、2つの照
射ユニットのうち照射ユニット1Aは、図1に示した第
1の実施形態の照射ユニット1Aと同一の構成・機能を
有しているものであるため、ここでは説明を省略する。In the peripheral exposure apparatus shown in FIG. 7, two exposure regions 22A and 22B are formed on the substrate 22 by using the two irradiation units 1A and 5B, respectively. Has the same configuration and function as the irradiation unit 1A of the first embodiment shown in FIG. 1, and therefore the description is omitted here.
【0065】図7に示す照射ユニット5Bは、g線(436
nm)、h線(404nm)及びi線(365nm)の波長を含む光を発
光する放電型光源としてのロングアーク型ランプ37B
と、そのロングアーク型ランプ37Bからの光を集光す
る反射鏡38Bとを有している。ここで、反射鏡38B
は、ロングアーク型ランプ37Bの発光長の方向(長手
方向)と直交する方向においてのみパワーを有する放物
面鏡とすることができる。The irradiation unit 5B shown in FIG.
nm), h-line (404 nm), and i-line (365 nm).
And a reflecting mirror 38B for condensing light from the long arc lamp 37B. Here, the reflecting mirror 38B
Can be a parabolic mirror having power only in a direction orthogonal to the direction of the light emission length (longitudinal direction) of the long arc lamp 37B.
【0066】なお、ロングアーク型ランプ37Bとして
は、ブラックライトや、高圧ロングアーク水銀灯、低圧
ロングアーク水銀灯などの棒状の発光部を有するものを
適用できる。第5実施形態では、電源のON/OFFに
より露光のON/OFFを行うことのできるブラックラ
イトをロングアーク型ランプ37Bとして適用してい
る。As the long arc lamp 37B, a lamp having a rod-shaped light emitting portion such as a black light, a high pressure long arc mercury lamp, a low pressure long arc mercury lamp, or the like can be used. In the fifth embodiment, a black light capable of performing exposure ON / OFF by power ON / OFF is applied as the long arc lamp 37B.
【0067】また、第5実施形態では、反射鏡38Bと
基板22との間に、基板22上の照射領域22BのX方
向の端部を規定するためのエッジ絞り39Bを配置して
いる。なお、このエッジ絞り39Bを図中X方向に可動
に設けて、反射鏡38Bを介したロングアーク型ランプ
37Bからの光を通過・遮光するためのシャッターとし
ても良い。In the fifth embodiment, an edge stop 39B for defining the end of the irradiation area 22B on the substrate 22 in the X direction is disposed between the reflecting mirror 38B and the substrate 22. Incidentally, the edge stop 39B may be provided movably in the X direction in the figure to serve as a shutter for passing and blocking light from the long arc lamp 37B via the reflecting mirror 38B.
【0068】本実施形態では、ロングアーク型ランプ3
7Bとして、ブラックライトのように低パワーのものを
適用しているため、ロングアーク型ランプ37Bと基板
22との間を近接させて必要となる照度を確保してい
る。しかしながら、ロングアーク型ランプ37Bと基板
22との間を近接して配置すればするほど、逆にエッジ
絞り39Bを回り込む光束が大きくなるため、照射領域
ILBの内側(+Y方向側)の端部を正確にすることが
困難となる。ただし、本実施形態では、照射領域ILB
の内側(+Y方向側)の端部がぼけて露光領域22Bの
内側(+Y方向側)の境界線がぼけたとしても、そのボ
ケた境界線よりも内側の領域を照射領域ILAにより露
光する構成であるため、問題は生じない。このように、
本実施形態では、2重露光を行うことを前提としている
ため、棒状光源と反射鏡とからなる簡単で安価な照射ユ
ニット5Bを用いたとしても、内側をエッジ精度よく露
光できる照射ユニット1Aを別に配置する構成であるた
め、非常に安価で単純な構成にもかかわらず、精度良く
周辺露光を行うことが可能になる。In this embodiment, the long arc lamp 3
Since a low power type such as a black light is used as 7B, the required illuminance is secured by bringing the long arc lamp 37B and the substrate 22 close to each other. However, the closer the distance between the long arc lamp 37B and the substrate 22 is, the larger the luminous flux going around the edge stop 39B is. Therefore, the inner (+ Y direction) end of the irradiation area ILB is It is difficult to make it accurate. However, in the present embodiment, the irradiation area ILB
Even if the edge inside (+ Y direction side) is blurred and the boundary line inside (+ Y direction side) of the exposure area 22B is blurred, an area inside the blurred boundary line is exposed by the irradiation area ILA. Therefore, no problem arises. in this way,
In the present embodiment, since it is assumed that double exposure is performed, even if a simple and inexpensive irradiation unit 5B composed of a rod-shaped light source and a reflecting mirror is used, an irradiation unit 1A capable of exposing the inside with high edge accuracy is separately provided. Since the arrangement is arranged, it is possible to perform peripheral exposure with high accuracy despite a very inexpensive and simple configuration.
【0069】なお、第5実施形態における露光動作は、
2つの露光領域を形成する際に2つの照射領域ILA,
ILBの双方を静止させた状態で一括露光する点だけが
上記各実施形態とは異なるだけであるので、ここでの説
明は省略する。なお、第5の実施形態において、照射ユ
ニット5B(及びエッジ絞り39B)は、X方向に移動
可能であることが好ましい。この構成により、角型基板
22の縦横の長さが異なっている場合にも対応でき、さ
らには基板22の搬入及び搬出時において照射ユニット
5Bを搬入路及び搬出路から退避させることも可能とな
る。Incidentally, the exposure operation in the fifth embodiment is as follows.
When forming two exposure areas, two irradiation areas ILA,
The only difference from the above-described embodiments is that the collective exposure is performed in a state where both ILBs are stationary, and thus the description thereof is omitted here. In the fifth embodiment, the irradiation unit 5B (and the edge stop 39B) is preferably movable in the X direction. With this configuration, it is possible to cope with the case where the vertical and horizontal lengths of the rectangular substrates 22 are different, and it is also possible to retract the irradiation unit 5B from the loading path and the loading path when loading and unloading the substrate 22. .
【0070】さて、上述の各実施例には、角型基板22
の周辺部のみを露光する例を示したが、1つの基板から
2面や4面、6面のパネルを形成する場合などの多面取
りを行う場合には、角型基板22の周辺部のみならず、
基板22の中央部に対しても露光を行うことになる。こ
の場合には、角型基板22上に複数の回路パターン領域
が形成され、これら複数の回路パターン領域の間及び基
板の周辺部に対して周辺露光を行う。通常の液晶表示素
子の場合には、TFTと呼ばれる薄膜トランジスタ部を
含む基板と色を表示するためのカラーフィルタを張り合
わせると言った工程が存在する。このときにカラーフィ
ルタのサイズによっては、パネル間で10〜30mm程
度の間隔を取る必要があるため、中央部の露光が必要と
なる。In each of the above embodiments, the square substrate 22
In the above example, only the peripheral portion of the rectangular substrate 22 is exposed when performing multi-panning such as forming a two-, four-, or six-panel panel from one substrate. Without
Exposure is also performed on the central portion of the substrate 22. In this case, a plurality of circuit pattern regions are formed on the square substrate 22, and peripheral exposure is performed between the plurality of circuit pattern regions and a peripheral portion of the substrate. In the case of an ordinary liquid crystal display element, there is a process of bonding a substrate including a thin film transistor portion called a TFT to a color filter for displaying a color. At this time, depending on the size of the color filter, it is necessary to provide an interval of about 10 to 30 mm between the panels, so that exposure at the center is required.
【0071】このような場合には、上述に説明した照射
ユニット1A〜4Aのうちの何れかを、基板22の中央
部直上に配置しても良いが、コストが高くなりすぎるの
で、照射ユニット1A〜4Aを露光領域22Aの長手方
向と交差する方向(例えばX方向)へ移動可能な構成を
とるのが望ましい。この場合、照射ユニット1A〜4A
の移動に連動させてブラインド17Aも移動させること
が好ましい。In such a case, any one of the irradiation units 1A to 4A described above may be arranged directly above the center of the substrate 22, but the cost becomes too high. 4A is desirably movable in a direction (for example, the X direction) intersecting with the longitudinal direction of the exposure region 22A. In this case, the irradiation units 1A to 4A
It is preferable to move the blind 17A in conjunction with the movement of the blind 17A.
【0072】なお、照射ユニット1A,3Aまたは4A
を用いる場合には、凹面鏡16A(36A)をY方向を
軸として回転可能に設け、照射領域ILA自体を基板2
2の中央部に形成させる構成でも良い。この場合におい
ても、照射領域ILAの移動に連動させてブラインド1
7Aも移動させることが好ましい。以下、図8を参照し
て、基板22の周辺部と中央部とに対して露光を行う際
の例について説明する。図8は基板22、照射領域、及
び露光領域規定手段としてのブラインドの配置関係を説
明するためのXY平面図であり、図8(a)は第1の変
形例を、図8(b)は第2の変形例を示す。図8
(a),(b)において、上述の各実施形態と同じ機能
を有する部材には同じ符号を付してあり、照射領域IL
Bにより露光領域22Bを形成する点は上述の各実施形
態と同様であるためここでの説明は省略する。The irradiation unit 1A, 3A or 4A
Is used, the concave mirror 16A (36A) is provided rotatably about the Y direction, and the irradiation area ILA itself is
2 may be formed at the center. Also in this case, the blind 1 is linked to the movement of the irradiation area ILA.
It is also preferable to move 7A. Hereinafter, an example in which exposure is performed on the peripheral portion and the central portion of the substrate 22 will be described with reference to FIG. 8A and 8B are XY plan views for explaining the arrangement relationship of the substrate 22, the irradiation area, and the blind as the exposure area defining means. FIG. 8A shows a first modification, and FIG. A second modification is shown. FIG.
In (a) and (b), members having the same functions as those in the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and the irradiation region IL
The point that the exposure region 22B is formed by B is the same as in each of the above-described embodiments, and a description thereof will be omitted.
【0073】図8(a)において、上述の各実施形態の
周辺露光装置とは異なる点は、基板22の中央部の露光
領域22C(照射領域)を規定するためのブラインド1
72,173を設け、照射ユニットによって、基板22
の+X方向端部からブラインド173までを一括照明し
た点である。なお、図8(a)にはこの一括照明領域I
LLを破線で示している。FIG. 8A is different from the peripheral exposure apparatus of each of the above-described embodiments in that a blind 1 for defining an exposure area 22C (irradiation area) at the center of the substrate 22 is provided.
72, 173 are provided, and the substrate 22 is
The point from the end in the + X direction to the blind 173 is collectively illuminated. FIG. 8A shows this collective illumination area I.
LL is indicated by a broken line.
【0074】ここで、ブラインド17A及びブラインド
172は、図中X方向に移動可能であり、これらのブラ
インド17A,172間には図示無き遮光部が設けられ
ている。また、ブラインド173は、そのエッジ部分が
基板22の中心C(基板回転ユニットによる回転中心)
よりも多少−X方向側となるように固定した状態で設け
られている。なお、基板22の(回転)中心Cとブライ
ンド173のエッジとの距離は例えば1mm程度に設定
すれば良い。ブラインド17AのX方向の位置設定によ
り基板22の外周部に形成される露光領域22AのX方
向の幅が設定される。Here, the blind 17A and the blind 172 are movable in the X direction in the figure, and a light-shielding portion (not shown) is provided between the blinds 17A and 172. The edge of the blind 173 is located at the center C of the substrate 22 (the center of rotation by the substrate rotating unit).
It is provided in a fixed state so as to be slightly in the −X direction side. Note that the distance between the (rotation) center C of the substrate 22 and the edge of the blind 173 may be set to, for example, about 1 mm. By setting the position of the blind 17A in the X direction, the width in the X direction of the exposure region 22A formed on the outer peripheral portion of the substrate 22 is set.
【0075】さて、基板22の外周部への露光に関して
は前述の実施形態と同様に1つの辺に2つの露光領域2
2A,22Bが重畳された状態で形成されるが、基板2
2の中央部の露光に関しては、基板22を180°回転
させる前後2回の露光により、露光領域22Cがその短
手方向へ所定量ずれた状態で2箇所に形成される。ここ
で、互いにずれて形成される2つの露光領域22Cは、
露光領域22C自体が基板22の(回転)中心Cを含む
ように設定してあるため、互いに一部重複することにな
る。このとき、一部重複して形成される露光領域22C
の全体の幅は、ブラインド172のX方向での位置設定
により設定することができる。As to the exposure of the outer peripheral portion of the substrate 22, two exposure regions 2 are provided on one side in the same manner as in the above embodiment.
2A and 22B are formed in a superimposed state.
With respect to the exposure of the central portion of No. 2, two exposures before and after rotating the substrate 22 by 180 ° form two exposed regions 22C with a predetermined amount of displacement in the lateral direction. Here, the two exposure regions 22C formed to be shifted from each other are:
Since the exposure region 22C itself is set to include the (rotation) center C of the substrate 22, they partially overlap each other. At this time, the exposure region 22C formed so as to partially overlap
Can be set by setting the position of the blind 172 in the X direction.
【0076】なお、図8(b)に示すように、2つの露
光領域22A,22Cを一つの照射ユニットで一括露光
するのではなく、別々の照明領域ILLA,ILLCを
形成するために、2つの照射ユニットを設ける、あるい
は照射ユニットによる照射領域をX方向へ移動可能に構
成することも可能である。上記図8(a),(b)の例
においては、露光領域22A,22Cを一括照明により
形成したが、小さな照射領域を例えば図中Y方向へ移動
させる走査露光を行って露光領域22A,22Cを形成
しても良い。As shown in FIG. 8B, two exposure regions 22A and 22C are not collectively exposed by one irradiation unit, but two exposure regions 22A and 22C are formed to form separate illumination regions ILLA and ILLC. It is also possible to provide an irradiation unit or to configure the irradiation area of the irradiation unit to be movable in the X direction. In the examples of FIGS. 8A and 8B, the exposure regions 22A and 22C are formed by collective illumination. However, the exposure regions 22A and 22C are formed by performing a scanning exposure for moving a small irradiation region in the Y direction in the drawing. May be formed.
【0077】このように、図8の例では、2つのブライ
ンド172,173により、中央部に形成すべき露光領
域の露光幅の1/2よりも広い露光領域22Cを形成し
ているため、基板22の180°回転動作により中央部
の露光領域を上記露光幅とすることができる。また、上
述の各実施形態においては、2つの照射ユニットを、そ
れらが形成する露光領域22A,22Bが互いに平行と
なるように配置した例を示した。しかしながら、2つの
照射ユニットにより形成される露光領域同士が直交する
ように照射ユニットを配置しても構わない。また、照射
ユニットの数も2つのみには限られず、3つ、4つとし
ても当然構わない。As described above, in the example of FIG. 8, since the two blinds 172 and 173 form the exposure region 22C wider than 露 光 of the exposure width of the exposure region to be formed in the center portion, The central exposure area can be set to the above-described exposure width by performing the 180 ° rotation operation of 22. In each of the above-described embodiments, an example has been described in which two irradiation units are arranged such that the exposure regions 22A and 22B formed by the two irradiation units are parallel to each other. However, the irradiation units may be arranged so that the exposure regions formed by the two irradiation units are orthogonal to each other. Also, the number of irradiation units is not limited to only two, but may be three or four.
【0078】また、同一の辺を多重露光できるように静
止露光と走査露光、走査露光と走査露光、静止露光と静
止露光といったように配置しても構わない。また、上述
の各実施例においては、複数の照射ユニットにより形成
される複数の照射領域を基板22上の別の辺に形成する
例を示したが、基板22の1つの辺上の互いに異なる場
所に複数の照射領域を形成する構成でも良い。Further, arrangement may be made such that static exposure and scanning exposure, scanning exposure and scanning exposure, and still exposure and static exposure can be performed so that the same side can be subjected to multiple exposure. Further, in each of the above-described embodiments, the example in which the plurality of irradiation regions formed by the plurality of irradiation units are formed on different sides of the substrate 22 has been described. Alternatively, a configuration in which a plurality of irradiation areas are formed may be used.
【0079】また、上述の例では、光源として400n
m以下の波長の光を供給する超高圧水銀ランプを適用し
たが、本発明の光源としては超高圧水銀ランプには限定
されない。また、上記各実施形態は400nm以下の露
光光を用いることを前提としているが、本発明は400
nm以下の露光光を用いる装置のみには限定されない。In the above example, 400 n is used as the light source.
Although an ultra-high pressure mercury lamp that supplies light having a wavelength of less than m is used, the light source of the present invention is not limited to an ultra-high pressure mercury lamp. Further, each of the above embodiments is based on the assumption that an exposure light of 400 nm or less is used.
It is not limited only to an apparatus using exposure light of nm or less.
【0080】このように本発明は上述の実施形態に限定
されずに種々の構成をとり得る。As described above, the present invention can take various configurations without being limited to the above-described embodiments.
【0081】[0081]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、露光光に
400nm以下の光を用いて露光する場合であっても、
長くて太い石英ファイバーを用いることなく、露光幅の
拡大を容易にでき、基板の周辺部の露光量を上げること
が安価な構成で可能になる。As described above, according to the present invention, even when exposure is performed using light of 400 nm or less as exposure light,
The exposure width can be easily increased without using a long and thick quartz fiber, and the amount of exposure at the peripheral portion of the substrate can be increased with an inexpensive configuration.
【図1】本発明の第1の実施形態にかかる周辺露光装置
を概略的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing a peripheral exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】第1の実施形態の周辺露光装置による角型基板
上での露光領域を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an exposure area on a square substrate by the peripheral exposure apparatus of the first embodiment.
【図3】本発明の第2の実施形態にかかる周辺露光装置
を概略的に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing a peripheral exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施形態にかかる周辺露光装置
を概略的に示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view schematically showing a peripheral exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図5】第3の実施形態の周辺露光装置の光束分岐手段
の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a light beam branching unit of a peripheral exposure apparatus according to a third embodiment.
【図6】本発明の第4の実施形態にかかる周辺露光装置
を概略的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view schematically showing a peripheral exposure apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第5の実施形態にかかる周辺露光装置
を概略的に示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view schematically showing a peripheral exposure apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施形態の変形例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a modification of the embodiment of the present invention.
10A,10B:光源 1A〜4A,1B〜5B:照射ユニット ILA,ILB:照射領域 22:基板 22A,22B:露光領域 10A, 10B: Light source 1A to 4A, 1B to 5B: Irradiation unit ILA, ILB: Irradiation area 22: Substrate 22A, 22B: Exposure area
Claims (8)
の回路パターンが転写される領域とは異なる領域に対し
て露光光を照射する周辺露光装置であって、 露光光を供給する光源と、 該光源からの露光光を前記基板へ向ける照明光学系とを
有し、 前記照明光学系は、前記基板上に第1照射領域を形成す
る第1部分照明系と、前記基板上で前記第1照射領域と
離れた第2照射領域を形成する第2部分照明系とを備
え、 前記第1及び第2照射領域は互いに大きさが異なり、 前記第1及び第2照射領域の一部は前記基板上で重畳し
て露光されることを特徴とする周辺露光装置。1. A peripheral exposure apparatus for irradiating an exposure light to an area different from an area where a predetermined circuit pattern on a photosensitive material applied to a square substrate is transferred, and supplying the exposure light. A light source; and an illumination optical system for directing exposure light from the light source to the substrate, wherein the illumination optical system includes a first partial illumination system that forms a first irradiation area on the substrate, and an illumination optical system on the substrate. A second partial illumination system that forms a second irradiation area separated from the first irradiation area, wherein the first and second irradiation areas have different sizes from each other, and a part of the first and second irradiation areas. Is a peripheral exposure apparatus, which is superposed and exposed on the substrate.
の辺と、前記第2照射領域が形成される前記基板上の辺
とは異なる辺であることを特徴とする請求項1記載の周
辺露光装置。2. A side of the substrate on which the first irradiation region is formed is different from a side of the substrate on which the second irradiation region is formed. Peripheral exposure equipment.
せる基板回転手段をさらに備えることを特徴とする請求
項1または2記載の周辺露光装置。3. The peripheral exposure apparatus according to claim 1, further comprising substrate rotating means for rotating said substrate at every integral multiple of about 90 °.
異なる第2光源とを備え、 該第1光源からの露光光が前記第1部分照明系へ導か
れ、かつ該第2光源からの露光光が前記第2部分照明系
へ導かれるように構成されることを特徴とする請求項1
乃至3の何れか一項記載の周辺露光装置。4. The light source includes a first light source and a second light source different from the first light source, and exposure light from the first light source is guided to the first partial illumination system, and 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein exposure light from two light sources is guided to the second partial illumination system.
The peripheral exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3.
くとも前記第1部分照明系と前記第2部分照明光学系と
へ導くための光束分岐手段をさらに備えることを特徴と
する請求項1乃至3の何れか一項記載の周辺露光装置。5. A light beam splitting means for splitting exposure light from said light source and guiding it to at least said first partial illumination system and said second partial illumination optical system. The peripheral exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3.
とも一方と前記基板とは、前記基板への露光中に相対移
動することを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記
載の周辺露光装置。6. The apparatus according to claim 1, wherein at least one of the first and second irradiation areas and the substrate relatively move during exposure of the substrate. Peripheral exposure equipment.
とも一方は、露光中に前記基板に対して静止した状態で
あることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載
の周辺露光装置。7. The apparatus according to claim 1, wherein at least one of the first and second irradiation areas is stationary with respect to the substrate during exposure. Peripheral exposure device.
第1工程と、 前記角型基板上の前記感光性材料上の所定領域に回路パ
ターンを転写する第2工程と、 請求項1乃至7の何れか一項記載の周辺露光装置を用い
て前記回路パターンが転写される領域に対して露光光を
照射する第3工程とを有し、 前記第3工程は、前記第2工程の前または後に実行され
ることを特徴とする周辺露光方法。8. A first step of applying the photosensitive material to the square substrate, and a second step of transferring a circuit pattern to a predetermined area on the photosensitive material on the square substrate. A third step of irradiating exposure light to a region where the circuit pattern is transferred using the peripheral exposure apparatus according to any one of claims 7 to 7, wherein the third step is the same as that of the second step. A peripheral exposure method performed before or after.
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