JP4571870B2 - Exposure equipment - Google Patents

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JP4571870B2 JP2005026263A JP2005026263A JP4571870B2 JP 4571870 B2 JP4571870 B2 JP 4571870B2 JP 2005026263 A JP2005026263 A JP 2005026263A JP 2005026263 A JP2005026263 A JP 2005026263A JP 4571870 B2 JP4571870 B2 JP 4571870B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面または表面に被覆されたレジスト膜を、分割予定ラインに沿って露光する露光装置に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a resist film coated on a back surface or a front surface of a wafer having functional elements formed in regions partitioned by grid-like division lines on the surface along the division lines.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の機能素子を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより機能素子が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等の発光素子(機能素子)が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets formed in a lattice shape on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and functions such as IC and LSI are defined in the partitioned regions. An element is formed. Then, by cutting the semiconductor wafer along the planned dividing line, the region where the functional element is formed is divided to manufacture individual semiconductor chips. In addition, an optical device wafer in which a light emitting element (functional element) such as a gallium nitride compound semiconductor is laminated on the surface of a sapphire substrate is cut along a predetermined division line so that light from each light emitting diode, laser diode, etc. Divided into devices and widely used in electrical equipment.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつ被加工物を保持したチャックテーブルを加工送りすることにより、ウエーハをストリートに沿って切断する。(例えば、特許文献1参照。)
特開2001−85365号公報
The cutting along the division lines such as the above-described semiconductor wafer and optical device wafer is usually performed by a cutting device called a dicer. The cutting apparatus is configured to move a chuck table that holds a workpiece, a cutting unit that includes a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and the chuck table and the cutting unit. The wafer is cut along the street by feeding the chuck table holding the workpiece while rotating the cutting blade. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2001-85365 A

しかるに、上述した切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のチップの外周に細かな欠けが生じやすく、チップの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にレジスト膜を被覆し、該レジスト膜の分割予定ラインに対応する領域を露光することにより現像して除去し、その後、ウエーハをレジスト膜側からプラズマエッチング等によって分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている。   However, when the wafer is cut by the cutting blade of the above-described cutting apparatus, fine chips are likely to occur on the outer periphery of each divided chip, which causes a reduction in the bending strength of the chip. In order to solve such a problem, a resist film is coated on the back surface of the wafer, and a region corresponding to the planned dividing line of the resist film is developed and removed by exposure. Thereafter, the wafer is removed from the resist film side. There has been proposed a method of dividing a wafer along a planned division line by etching along the planned division line by plasma etching or the like.

而して、ウエーハの裏面に被覆されたレジスト膜の分割予定ラインに対応する領域を露光する露光工程においては、ウエーハに形成された分割予定ラインに対応したマスク部材を準備する必要があり、このマスク部材は分割予定ラインの間隔が異なるウエーハに対してその都度製作しなければならず、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。   Thus, in the exposure process for exposing the region corresponding to the planned division line of the resist film coated on the back surface of the wafer, it is necessary to prepare a mask member corresponding to the planned division line formed on the wafer. The mask member must be manufactured each time for wafers with different intervals between the lines to be divided, which is not always satisfactory in terms of productivity.

本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、分割予定ラインの間隔が異なるウエーハに対してもマスク部材をその都度製作することなく露光することができる露光装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to provide an exposure apparatus capable of exposing a wafer having different intervals between division scheduled lines without producing a mask member each time. There is.

上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面または表面に被覆されたレジスト膜を、分割予定ラインに沿って露光する露光装置であって、
ウエーハを保持する複数のチャックテーブルと、
複数のチャックテーブルに保持されたウエーハに形成された分割予定ラインを検出するアライメント手段と、
複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハの裏面または表面に被覆されたレジスト膜に、分割予定ラインに対応したライン光を同時に露光するライン露光手段と、
複数のチャックテーブルと該ライン露光手段とを相対的に移動し、該複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハに形成された分割予定ラインを該ライン光の露光位置に位置付ける複数のインデックス手段と、を具備し、
該ライン露光手段は、透明板に遮光層とライン状の光透過部が形成されたレチクルマスクを備えたマスク手段と、該レチクルマスクの該ライン状の光透過部を通してライン光を露光する発光手段とからなっており
該複数のインデックス手段は、該複数のチャックテーブルをそれぞれ該レチクルマスクの該ライン状の光透過部と直交する方向に移動し該複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハに形成されている所定方向に延びる分割予定ラインをライン光の露光位置に位置付ける割り出し送り手段と、該複数のチャックテーブルを回動して該チャックテーブルに保持されたウエーハに形成されている所定方向に延びる分割予定ラインと直交する方向の分割予定ラインを該スリットと平行に位置付ける回動手段とからなっている、
ことを特徴とする露光装置が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a resist film coated on the back surface or the surface of a wafer in which functional elements are formed in a region partitioned by lattice-like division lines on the surface is divided. An exposure apparatus that performs exposure along a planned line,
A plurality of chuck tables holding wafers;
An alignment means for detecting the dividing lines formed on the wafer held on the plurality of chuck table,
A resist film coated on the rear surface or the surface of each held wafer into said plurality of chuck table, and a line exposure means for simultaneously exposing the line light corresponding to the division lines,
And said plurality of chuck table and the line exposure unit move relative, a plurality of indexing means for positioning the dividing lines formed on the wafer held respectively in said plurality of chuck table to the exposure position of the line light , And
The line exposure unit includes a mask unit including a reticle mask in which a light shielding layer and a line-shaped light transmission portion are formed on a transparent plate, and a light-emitting unit that exposes line light through the line-shaped light transmission portion of the reticle mask. And consists of
The plurality of index means move the plurality of chuck tables in directions orthogonal to the line-shaped light transmission portions of the reticle mask, and are formed in predetermined directions formed on wafers respectively held by the plurality of chuck tables. And an index feeding means for positioning the line to be divided at the exposure position of the line light, and orthogonal to the line to be divided extending in a predetermined direction formed on the wafer held by the chuck table by rotating the plurality of chuck tables. It consists of rotating means that positions the division line in the direction to be parallel to the slit,
An exposure apparatus is provided.

上記マスク手段は上記レチクルマスクを複数備えており、該複数のレチクルマスク間隔を調整する間隔調整手段を具備している。   The mask means includes a plurality of the reticle masks, and includes an interval adjusting means for adjusting the intervals between the plurality of reticle masks.

本発明による露光装置おいては、複数のインデックス手段によって複数のチャックテーブルを移動し、複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハに形成されている分割予定ラインを、レチクルマスクのライン状の光透過部を通して露光するライン光の露光位置に位置付けるので、マスク手段を分割予定ラインの間隔が異なるウエーハに対応してその都度製作する必要がない。 Oite the exposure apparatus according to the present invention, a plurality of moving a plurality of the chuck table by indexing means, the dividing lines are formed on the wafer held in a plurality of the chuck table, a line-shaped light reticle mask Since it is positioned at the exposure position of the line light to be exposed through the transmission part, it is not necessary to manufacture the mask means each time corresponding to wafers having different intervals between the division lines.

以下、本発明に従って構成された露光装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of an exposure apparatus constructed according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には本発明に従って構成された露光装置の斜視図が示されている。図示の実施形態における露光装置は、基台2と、後述するウエーハを保持する複数(図示の実施形態においては2個)のチャックテーブル3、3と、基台2上に配設され2個のチャックテーブルをそれぞれ支持する2個のインデックス手段4、4と、2個のチャックテーブル3、3にそれぞれ保持された後述するウエーハに形成された分割予定ラインを検出するアライメント手段5と、2個のチャックテーブル3、3に保持されたウエーハにライン光を露光するライン露光手段6とを具備している。   FIG. 1 is a perspective view of an exposure apparatus constructed according to the present invention. The exposure apparatus in the illustrated embodiment includes a base 2, a plurality of (two in the illustrated embodiment) chuck tables 3 and 3 that hold wafers, which will be described later, and two bases disposed on the base 2. Two index means 4 and 4 for supporting the chuck table, an alignment means 5 for detecting a division line formed on a wafer to be described later held on the two chuck tables 3 and 3 respectively, and two pieces Line exposure means 6 for exposing line light to the wafer held on the chuck tables 3 and 3 is provided.

上記2個のチャックテーブル3、3および2個のインデックス手段4、4について、図2を参照して説明する。なお、2個のチャックテーブル3、3および2個のインデックス手段4、4は同一構成であるため、以下一方の符号のみを記載する。
チャックテーブル3は、それぞれ多孔質材料から形成された吸着チャック31を具備しており、吸着チャック31上に後述するウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このチャックテーブル3は、インデックス手段4によって図1および図2において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっているとともに、回動可能に構成されている。
The two chuck tables 3, 3 and the two index means 4, 4 will be described with reference to FIG. Since the two chuck tables 3 and 3 and the two index means 4 and 4 have the same configuration, only one symbol will be described below.
Each chuck table 3 includes a suction chuck 31 formed of a porous material, and holds a wafer described later on the suction chuck 31 by suction means (not shown). The chuck table 3 is adapted to be moved in the indexing feed direction indicated by the arrow Y in FIGS. 1 and 2 by the index means 4 and is configured to be rotatable.

インデックス手段4は、基台2(図1参照)上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された支持台42と、該支持台42上に配設され上記チャックテーブル3を回転可能に支持する円筒部材43と、該円筒部材43内に配設されチャックテーブル3を回動する回動手段としてのパルスモータ44と、支持台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための割り出し送り手段45を具備している。   The index means 4 includes a pair of guide rails 41 and 41 arranged in parallel along the indexing feed direction indicated by the arrow Y on the base 2 (see FIG. 1), and the arrow Y on the guide rails 41 and 41. A support base 42 movably disposed in the indexing and feeding direction shown by FIG. 2, a cylindrical member 43 disposed on the support base 42 and rotatably supporting the chuck table 3, and disposed in the cylindrical member 43. And a pulse motor 44 as a rotating means for rotating the chuck table 3 and an index feed means 45 for moving the support base 42 along the pair of guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y. is doing.

上記支持台42は、その下面に上記一対の案内レール41、41と嵌合する一対の被案内溝421、421が設けられており、被案内溝421、421を一対の案内レール41、41に嵌合することにより、一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。上記回動手段としてのパルスモータ44は、チャックテーブル3を所定角度毎に回動することができる。上記割り出し送り手段45は、上記一対の案内レール41と41の間に平行に配設された雄ネジロッド451と、該雄ネジロッド451を回転駆動するためのパルスモータ452等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド451は、その一端が上記基台2に固定された軸受ブロック453に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ452の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド451は、支持台42の中央部下面に突出して設けられた雌ネジブロック423に形成された貫通雌ネジ穴423aに螺合されている。従って、パルスモータ452によって雄ネジロッド451を正転および逆転駆動することにより、支持台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The support base 42 is provided with a pair of guided grooves 421 and 421 that are fitted to the pair of guide rails 41 and 41 on the lower surface thereof, and the guided grooves 421 and 421 are formed into the pair of guide rails 41 and 41. By fitting, it is configured to be movable along the pair of guide rails 41, 41 in the indexing feed direction indicated by the arrow Y. The pulse motor 44 as the rotation means can rotate the chuck table 3 at every predetermined angle. The index feeding means 45 includes a male screw rod 451 disposed in parallel between the pair of guide rails 41 and 41, and a drive source such as a pulse motor 452 for rotating the male screw rod 451. . One end of the male screw rod 451 is rotatably supported by a bearing block 453 fixed to the base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 452. The male screw rod 451 is screwed into a through female screw hole 423a formed in a female screw block 423 provided to protrude from the lower surface of the center portion of the support base 42. Accordingly, when the male screw rod 451 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 452, the support base 42 is moved along the guide rails 41 and 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図1に戻って説明を続けると、上記アライメント手段5は、上記インデックス手段4を構成する一対の案内レール41、41の一端部上方に配設されている。このアライメント手段5は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段51を具備しており、撮像手段51は撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。撮像手段51は、基台2に立設された支持柱52に装着された支持部材53に支持アーム54を介して支持されている。なお、撮像手段51が取付けられた支持アーム54は、支持部材内に配設された図示しない移動手段によって図1において矢印Xで示す方向、即ち上記矢印Yで示す割り出し送り方向と直交する方向に移動せしめられるように構成されている。   Returning to FIG. 1 and continuing the description, the alignment means 5 is disposed above one end of the pair of guide rails 41, 41 constituting the index means 4. In the illustrated embodiment, the alignment unit 5 includes, in addition to a normal image sensor (CCD) that captures an image with visible light, an infrared illumination unit that irradiates a workpiece with infrared rays, and an infrared ray that is irradiated by the infrared illumination units. And an image pickup means 51 composed of an image pickup device (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared ray captured by the optical system, and the image pickup means 51 captures an image signal Is sent to control means (not shown). The imaging means 51 is supported by a support member 53 mounted on a support column 52 erected on the base 2 via a support arm 54. The support arm 54 to which the imaging means 51 is attached is moved in a direction indicated by an arrow X in FIG. 1, that is, a direction orthogonal to the index feed direction indicated by the arrow Y by a moving means (not shown) disposed in the support member. It is configured to be moved.

次に、ライン露光手段6について説明する。図示の実施形態におけるライン露光手段6は、マスク手段61と発光手段62とからなっている。マスク手段61は、上壁611と左側壁612と右側壁613と前端壁614によって形成されており、上記アライメント手段5の上方を覆うように基台2上に配設されている。このマスク手段61の上壁611には矩形状の開口611aが形成されており、この開口611aにレチクルマスク615が配設されている。レチクルマスク615は、図1および図3に示すように透明な合成石英ガラス板やソーダライム板材からなる透明板615aの表面にクロム膜等の金属膜によって形成された遮光層615bと、該遮光層615bに上記矢印Yで示す割り出し送り方向と直交する方向に電子ビーム描画等の手法によって形成された1本のライン状の光透過部615cとによって構成されている。なお、レチクルマスク615を形成する方法としては、透明板615aの表面にライン状の光透過部615cに相当にする線状のマスク部材を貼着して遮光層615bを形成し、その後マスク部材を剥離してライン状の光透過部615cを形成してもよい。このように構成されたレチクルマスク615を備えたマスク手段61内を上記チャックテーブル3が一対の案内レール41、41に沿って移動できるようになっている。ライン露光手段6を構成する発光手段62は、基台2に立設された支持柱63によって支持され、上記マスク手段61の上壁611に配設されたレチクルマスク615の上方位置に配設されており、ライン状の光透過部615cに向けて所定の光を照射する。   Next, the line exposure means 6 will be described. The line exposure unit 6 in the illustrated embodiment includes a mask unit 61 and a light emitting unit 62. The mask means 61 is formed by an upper wall 611, a left side wall 612, a right side wall 613, and a front end wall 614, and is disposed on the base 2 so as to cover the alignment means 5. A rectangular opening 611a is formed in the upper wall 611 of the mask means 61, and a reticle mask 615 is disposed in the opening 611a. As shown in FIGS. 1 and 3, the reticle mask 615 includes a light shielding layer 615b formed of a metal film such as a chromium film on the surface of a transparent plate 615a made of a transparent synthetic quartz glass plate or soda lime plate material, and the light shielding layer. 615b includes a single line-shaped light transmission portion 615c formed by a technique such as electron beam drawing in a direction orthogonal to the index feed direction indicated by the arrow Y. As a method of forming the reticle mask 615, a light-shielding layer 615b is formed by sticking a linear mask member corresponding to the line-shaped light transmitting portion 615c on the surface of the transparent plate 615a. It may be peeled off to form a line-shaped light transmission portion 615c. The chuck table 3 can move along a pair of guide rails 41 and 41 in the mask means 61 having the reticle mask 615 configured as described above. The light emitting means 62 constituting the line exposure means 6 is supported by a support column 63 erected on the base 2 and is disposed above the reticle mask 615 disposed on the upper wall 611 of the mask means 61. And irradiates predetermined light toward the line-shaped light transmission portion 615c.

図示の実施形態における露光装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
ここで、上記露光装置によって露光される被加工物としてのウエーハについて、図7を参照して説明する。図7に示すウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、表面10aには互いに平行な複数の分割予定ライン101によって格子状に形成されている。そして、ウエーハ10の表面10aには、複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域に機能素子としての回路102が形成されている。このように構成されたウエーハ10は、裏面が研削されその厚さが例えば100μmに形成されている。このウエーハ10を分割予定ライン101に沿ってエッチングして個々のチップに分割するには、図8に示すようにウエーハ10の裏面10bに感光性レジスト膜11を形成する(レジスト膜形成工程)。
The exposure apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
Here, a wafer as a workpiece to be exposed by the exposure apparatus will be described with reference to FIG. A wafer 10 shown in FIG. 7 is made of a silicon wafer, and is formed in a lattice shape on a surface 10a by a plurality of division lines 101 parallel to each other. On the surface 10 a of the wafer 10, circuits 102 as functional elements are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines 101. The wafer 10 configured as described above has a back surface ground and a thickness of, for example, 100 μm. In order to etch the wafer 10 along the planned dividing line 101 and divide it into individual chips, a photosensitive resist film 11 is formed on the back surface 10b of the wafer 10 as shown in FIG. 8 (resist film forming step).

次に、上述したレジスト膜形成工程によってウエーハ10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11を分割予定ライン101に沿って露光し、分割予定ライン101と対応する領域を除去する露光工程を実施する。
露光工程は、先ず上記露光装置の2個のチャックテーブル3、3上にそれぞれウエーハ10の表面10a側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより2個のチャックテーブル3、3上にそれぞれウエーハ10、10を吸引保持する。従って、ウエーハ10、10はそれぞれ裏面10bに形成された感光性レジスト膜11が上側となる。このようにして、2個のチャックテーブル3、3上にそれぞれウエーハ10、10を保持したならば、チャックテーブル3、3を矢印Yで示す方向に作動してウエーハ10、10をアライメント手段5を構成する撮像手段51の撮像領域に位置付ける。チャックテーブル3、3が撮像手段51の撮像領域に位置付けられると、撮像手段51および図示しない制御手段によってウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11における露光領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、先ず一方のチャックテーブル3に保持されたウエーハ10の直上に撮像手段51を位置付け、ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン101を検出し、この分割予定ライン101が上記マスク手段61を構成するレチクルマスク615のライン状の光透過部615cと平行に位置付けられようにアライメントを遂行する。もし、所定方向に形成されている分割予定ライン101とライン状の光透過部615cが平行に位置付けられていない場合には、上記インデックス手段4のパルスモータ44を作動してチャックテーブル3従ってウエーハ10を回動させることによって分割予定ライン101とライン状の光透過部615cが平行になるようにアライメントする。また、ウエーハ10に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン101に対しても、同様にアライメントが遂行される。このとき、ウエーハ10の分割予定ライン101が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段51が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されているので、ウエーハ10の裏面bに形成されたレジスト膜11側から透かしてウエーハ10を撮像することができる。このようにして、一方のチャックテーブル3に保持されたウエーハ10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11における露光領域を検出するアライメント作業を実施したならば、撮像手段51を図1において矢印Xで示す方向に移動して他方のチャックテーブル3に保持されたウエーハ10の直上に位置付け、他方のチャックテーブル3に保持されたウエーハ10に対して上述したアライメント作業を実行する。
Next, an exposure process is performed in which the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafer 10 by the above-described resist film forming process is exposed along the planned division line 101, and an area corresponding to the planned division line 101 is removed. To do.
In the exposure process, first, the surface 10a side of the wafer 10 is placed on the two chuck tables 3 and 3 of the exposure apparatus, respectively, and a suction means (not shown) is operated to place the wafer 10 on the two chuck tables 3 and 3. The wafers 10 and 10 are sucked and held respectively. Accordingly, the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of each of the wafers 10 and 10 is on the upper side. In this way, if the wafers 10 and 10 are held on the two chuck tables 3 and 3, respectively, the chuck tables 3 and 3 are operated in the direction indicated by the arrow Y to move the wafers 10 and 10 to the alignment means 5. It is positioned in the imaging area of the imaging means 51 to be configured. When the chuck tables 3 and 3 are positioned in the imaging area of the imaging means 51, an alignment operation for detecting an exposure area in the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 by the imaging means 51 and a control means (not shown). Execute. That is, first, the image pickup means 51 is positioned immediately above the wafer 10 held on one chuck table 3, and a division line 101 formed in a predetermined direction of the wafer 10 is detected. The division line 101 is the mask means. Alignment is performed so as to be positioned in parallel with the line-shaped light transmission portion 615c of the reticle mask 615 constituting 61. If the division-scheduled line 101 formed in a predetermined direction and the line-shaped light transmission portion 615c are not positioned in parallel, the pulse motor 44 of the index means 4 is operated to operate the chuck table 3 and the wafer 10 accordingly. Is aligned so that the division-scheduled line 101 and the line-shaped light transmission portion 615c are parallel to each other. In addition, alignment is similarly performed on the division line 101 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction formed on the wafer 10. At this time, the surface 10a on which the planned dividing line 101 of the wafer 10 is formed is positioned on the lower side. However, as described above, the imaging unit 51 is an infrared illumination unit, an optical system that captures infrared rays, and an electrical system corresponding to infrared rays. Since it is composed of an image sensor (infrared CCD) or the like that outputs a signal, the wafer 10 can be imaged through the resist film 11 formed on the back surface b of the wafer 10. When the alignment operation for detecting the exposure region in the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafer 10 held on one chuck table 3 is performed in this way, the imaging means 51 is moved to the arrow in FIG. The wafer is moved in the direction indicated by X and positioned immediately above the wafer 10 held on the other chuck table 3, and the above-described alignment operation is performed on the wafer 10 held on the other chuck table 3.

以上のようにしてチャックテーブル3、3上に保持されているウエーハ10、10に形成されている分割予定ライン101を検出し、露光領域のアライメントが行われたならば、図3に示すようにウエーハ10、10を保持したチャックテーブル3、3を矢印Y1で示す方向、即ち上記スリット611aと直交する方向に移動し、ウエーハ10、10に形成されている分割予定ライン101における図において最右端の分割予定ライン101をマスク手段61を構成するレチクルマスク615のライン状の光透過部615cの直下に位置付ける。次に、発光手段62を附勢し上記ライン状の光透過部615cを通してウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11にライン光を露光する(露光工程)。このライン光は、ウエーハ10、10に形成されている分割予定ライン101における図3において最右端の分割予定ライン101に対応した領域を露光する。このライン光による露光を1秒程度実施することにより、感光性レジスト膜11は分割予定ライン101に沿って露光され除去される。   As described above, when the division lines 101 formed on the wafers 10 and 10 held on the chuck tables 3 and 3 are detected and the exposure area is aligned, as shown in FIG. The chuck tables 3 and 3 holding the wafers 10 and 10 are moved in the direction indicated by the arrow Y1, that is, in the direction orthogonal to the slit 611a. The division line 101 is positioned immediately below the line-shaped light transmission portion 615c of the reticle mask 615 constituting the mask means 61. Next, the light emitting means 62 is energized to expose the line light to the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 through the line-shaped light transmission portion 615c (exposure process). This line light exposes a region corresponding to the rightmost division planned line 101 in FIG. 3 in the division planned lines 101 formed on the wafers 10 and 10. By performing the exposure with the line light for about 1 second, the photosensitive resist film 11 is exposed and removed along the division line 101.

上述したようにウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11における図3において最右端の分割予定ライン101に対応した領域を除去したならば、インデックス手段4、4の割り出し送り手段45、45を構成するパルスモータ452、452を作動して、上記分割予定ラインの間隔分だけチャックテーブル3、3を矢印Y1で示す方向に移動する(割り出し工程)。この結果、チャックテーブル3、3に保持されたウエーハ10、10に形成された分割予定ライン101における図3において最右端から2番目の分割予定ライン101がマスク手段61を構成するレチクルマスク615のライン状の光透過部615cの直下に位置付けられる。そして、上記露光工程を実施する。このようにして、割り出し工程と露光工程を順次実施することにより、ウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11における所定方向の分割予定ライン101と対応する領域を除去することができる。次に、インデックス手段4、4のパルスモータ44、44を作動してチャックテーブル3、3を90度回動せしめる。この結果、チャックテーブル3、3に保持されたウエーハ10、10は、上記所定方向に対して直角に形成された分割予定ライン101がマスク手段61を構成するレチクルマスク615のライン状の光透過部615cと平行に位置付けられる。そして、上述した割り出し工程と露光工程を順次実施することにより、ウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11における上記所定方向と直角に形成された分割予定ラインと対応する領域が露光されて除去される。   As described above, if the region corresponding to the rightmost division planned line 101 in FIG. 3 in the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 is removed, the index feeding means of the index means 4 and 4 will be described. By operating the pulse motors 452 and 452 constituting 45 and 45, the chuck tables 3 and 3 are moved in the direction indicated by the arrow Y1 by the interval of the above-mentioned division lines (indexing step). As a result, in the planned division line 101 formed on the wafers 10 and 10 held by the chuck tables 3 and 3, the second division planned line 101 from the rightmost end in FIG. 3 is the line of the reticle mask 615 constituting the mask means 61. It is positioned directly under the light transmitting portion 615c. And the said exposure process is implemented. In this way, by sequentially performing the indexing step and the exposure step, the region corresponding to the predetermined division line 101 in the predetermined direction in the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 can be removed. it can. Next, the pulse motors 44, 44 of the index means 4, 4 are operated to rotate the chuck tables 3, 3 by 90 degrees. As a result, the wafers 10, 10 held on the chuck tables 3, 3 are line-shaped light transmitting portions of the reticle mask 615 in which the planned dividing line 101 formed perpendicular to the predetermined direction constitutes the mask means 61. It is positioned parallel to 615c. Then, by sequentially performing the indexing step and the exposure step described above, a region corresponding to the division lines formed at right angles to the predetermined direction in the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 is obtained. Exposed and removed.

以上のように図示の実施形態における露光装置においては、インデックス手段4、4のパルスモータ452、452を作動してチャックテーブル3、3をウエーハに形成された分割予定ラインの間隔分だけ移動する割り出し工程と、ウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11に上記ライン状の光透過部615cを通して光を照射する露光工程を順次実施するので、分割予定ラインの間隔が異なるウエーハに対応してマスク手段61をその都度製作する必要がない。また、図示の実施形態においては、2個のチャックテーブル3、3を備えているので、2個のウエーハ10、10を同時に露光することができる。なお、図示の実施形態においては、2個のチャックテーブル3、3を備えた例を示したが、チャックテーブルは3個以上でもよい。   As described above, in the exposure apparatus in the illustrated embodiment, the index motors 4 and 4 of the index means 4 and 4 are operated to move the chuck tables 3 and 3 by the interval of the scheduled division lines formed on the wafer. Since the process and the exposure process of irradiating light to the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 through the line-shaped light transmitting portion 615c are sequentially performed, the wafers with different intervals between the division lines are different. Correspondingly, it is not necessary to manufacture the mask means 61 each time. In the illustrated embodiment, since the two chuck tables 3 and 3 are provided, the two wafers 10 and 10 can be exposed simultaneously. In the illustrated embodiment, an example in which the two chuck tables 3 and 3 are provided is shown, but three or more chuck tables may be provided.

以上のようにして、ウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11における全ての分割予定ラインと対応する領域が露光され除去されたならば、ウエーハ10、10は次工程である例えばプラズマエッチング工程に搬送される。   If the regions corresponding to all the division lines in the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 are exposed and removed as described above, the wafers 10 and 10 are the next process. For example, it is transferred to a plasma etching process.

次に、マスク手段61の他の実施形態について図4および図5を参照して説明する。図4にはマスク手段61の他の実施形態を備えた露光装置が示されており、図5にはマスク手段61を構成する複数のレチクルマスクおよび複数のレチクルマスクの間隔を調整する間隔調整手段が示されている。なお、図4に示す実施形態においては、マスク手段61以外は上記図1に示す露光装置と実質的に同一であるため、同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。
図4および図5に示すマスク手段61は、上壁611に比較的大きな矩形状の開口611bが形成され、該開口611b部に3個のレチクルマスク71a、71b、71cがその間隔を調整可能に配設されている。3個のレチクルマスク71a、71b、71cは、上記図1および図3に示す実施形態におけるレチクルマスク615と同様に、それぞれ透明な合成石英ガラス板やソーダライム板材からなる透明板711の表面にクロム膜等の金属膜によって形成された遮光層712と、該遮光層712に上記矢印Yで示す割り出し送り方向と直交する方向に電子ビーム描画等の手法によって形成された1本のライン状の光透過部713とによって構成されている。このように構成された3個のレチクルマスク71a、71b、71cの両端には、それぞれL字状に形成された取付け部材714が装着されている。取付け部材714は、装着部714aと連結部714bとからなっており、装着部714aが3個のレチクルマスク71a、71b、71cの両端部にそれぞれ接着剤等によって装着される。
Next, another embodiment of the mask means 61 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows an exposure apparatus having another embodiment of the mask means 61. FIG. 5 shows a plurality of reticle masks constituting the mask means 61 and a distance adjusting means for adjusting the distance between the plurality of reticle masks. It is shown. 4 is substantially the same as the exposure apparatus shown in FIG. 1 except for the mask means 61, the same members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
The mask means 61 shown in FIGS. 4 and 5 has a relatively large rectangular opening 611b formed in the upper wall 611, and the three reticle masks 71a, 71b, 71c can adjust the interval in the opening 611b. It is arranged. The three reticle masks 71a, 71b, 71c are formed on the surface of a transparent plate 711 made of a transparent synthetic quartz glass plate or soda lime plate, respectively, like the reticle mask 615 in the embodiment shown in FIGS. A light shielding layer 712 formed of a metal film such as a film, and a single line-shaped light transmission formed in the light shielding layer 712 by a method such as electron beam drawing in a direction orthogonal to the index feed direction indicated by the arrow Y Part 713. At both ends of the three reticle masks 71a, 71b, 71c configured as described above, mounting members 714 formed in an L shape are mounted. The attachment member 714 includes a mounting portion 714a and a connecting portion 714b. The mounting portion 714a is mounted on both ends of the three reticle masks 71a, 71b, 71c by an adhesive or the like.

図示の実施形態における露光装置は、レチクルマスク71a、71b、71c従ってライン状の光透過部713の間隔を調整する間隔調整手段72を具備している。間隔調整手段72は、上記レチクルマスク71a、71b、71cの両端に装着された取付け部材714、714の連結部714b、714bにそれぞれ一端が支軸73によって揺動可能に連結されたリンク721、722と、取付け部材714の714b、714bにそれぞれ一端が支軸73によって揺動可能に連結されたリンク723、724と、取付け部材714の714b、714bにそれぞれ一端が支軸73によって揺動可能に連結されたリンク725、726と、上記リンク723の他端に支軸73によって一端が揺動可能に連結されたリンク728と、上記リンク726の他端に支軸73によって一端が揺動可能に連結されたリンク729とからなるリンク機構を備えている。なお、上記リンク722の他端とリンク725の他端は支軸73によって互いに揺動可能に連結され、リンク722とリンク723およびリンク724とリンク725はそれぞれ中間部が支軸73によってそれぞれ揺動可能に連結されている。 The exposure apparatus in the illustrated embodiment includes an interval adjusting means 72 that adjusts the interval between the reticle masks 71a, 71b, 71c, and hence the line-shaped light transmission portion 713. The distance adjusting means 72 includes links 721 and 722 each having one end swingably connected to a connecting portion 714b and 714b of mounting members 714 and 714 attached to both ends of the reticle masks 71a, 71b, and 71c. One end of each of the attachment members 714 714 b and 714 b is pivotally connected to the support shaft 73 by a support shaft 73, and one end of each of the attachment members 714 is connected to the support members 714 b and 714 b to be swingable by a support shaft 73. One end of the link 725, 726 is pivotally connected to the other end of the link 723 by a support shaft 73, and one end of the link 726 is swingably connected to the other end of the link 726 by a support shaft 73. A link mechanism comprising a link 729 is provided. The other end of the link 722 and the other end of the link 725 are swingably connected to each other by a support shaft 73. The link 722 and the link 723 and the link 724 and the link 725 have their intermediate portions swinging by the support shaft 73, respectively. Connected as possible.

図示の実施形態における間隔調整手段72は、上記リンク機構を作動するための一対の作動手段74、74を具備している。作動手段74、74は、上記基台2(図4参照)上において割り出し送り手段45の一対の案内レール41と41の外側に平行に配設されている。この作動手段74、74は、それぞれ雄ネジロッド741と、該雄ネジロッド741を回転駆動するためのパルスモータ742等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド741は、その一端が上記基台2(図4参照)に固定された軸受ブロック743に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ742の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド741には、雌ネジブロック744に形成された貫通雌ネジ穴744aが螺合されている。このように構成された作動手段74におけるパルスモータ742のケースには上記リンク721、728の他端が支軸73によってそれぞれ揺動可能に連結され、雌ネジブロック744には上記リンク726、729の他端が支軸73によってそれぞれ揺動可能に連結されている。従って、パルスモータ742によって雄ネジロッド741を正転または逆転駆動することにより、雌ネジブロック744に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。この結果、リンク機構に取付け部材714を介して連結された3個のレチクルマスク71a、71b、71cは、その間隔が拡大または縮小せしめられる。   The interval adjusting means 72 in the illustrated embodiment includes a pair of operating means 74 and 74 for operating the link mechanism. The actuating means 74, 74 are arranged in parallel to the outside of the pair of guide rails 41 and 41 of the index feeding means 45 on the base 2 (see FIG. 4). Each of the operating means 74 and 74 includes a drive source such as a male screw rod 741 and a pulse motor 742 for rotationally driving the male screw rod 741. One end of the male screw rod 741 is rotatably supported by a bearing block 743 fixed to the base 2 (see FIG. 4), and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 742. The male screw rod 741 is screwed with a through female screw hole 744 a formed in the female screw block 744. The other ends of the links 721 and 728 are swingably connected to the case of the pulse motor 742 in the operating means 74 configured as described above by the support shaft 73, and the links 726 and 729 are connected to the female screw block 744. The other ends are connected to each other by pivots 73 so as to be swingable. Therefore, when the male screw rod 741 is driven forward or reversely by the pulse motor 742, the male screw rod 741 is moved along the female screw block 744 in the index feed direction indicated by the arrow Y. As a result, the intervals between the three reticle masks 71a, 71b, 71c connected to the link mechanism via the attachment member 714 are enlarged or reduced.

図4に戻って説明を続けると、上記レチクルマスク71aと71b間には蛇腹751が配設され、レチクルマスク71bと71c間には蛇腹752が配設されている。また、レチクルマスク71aとマスク手段61の上壁611に形成された開口611bの一方の縁辺との間には蛇腹753が配設され、レチクルマスク71cと開口611bの他方の縁辺との間には蛇腹754が配設されている。このようにマスク手段61の上壁611に形成された開口611b部に配設された蛇腹751、752、753、754は、上記発光手段62からの光を遮断するとともに、上記3個のレチクルマスク71a、71b、71cの移動を許容する機能を有する。   Returning to FIG. 4, the description is continued. A bellows 751 is disposed between the reticle masks 71a and 71b, and a bellows 752 is disposed between the reticle masks 71b and 71c. Also, a bellows 753 is disposed between the reticle mask 71a and one edge of the opening 611b formed in the upper wall 611 of the mask means 61, and between the reticle mask 71c and the other edge of the opening 611b. A bellows 754 is provided. As described above, the bellows 751, 752, 753, and 754 disposed in the opening 611b portion formed on the upper wall 611 of the mask means 61 block light from the light emitting means 62 and the three reticle masks. It has a function of allowing movement of 71a, 71b, 71c.

図4および図5に示すマスク手段61は以上のように構成されており、以下このマスク手段61を用いた露光作業について説明する。
まず、マスク手段61のレチクルマスク71a、71b、71cにそれぞれ形成されたライン状の光透過部713と713の間隔を、上述したウエーハ10、10に形成されている分割予定ライン101の間隔の整数倍で且つ最外側の分割予定ライン101と反対側の最外側の分割予定ライン101との間隔の3分の1の間隔になるように調整する。この調整は、上記間隔調整手段72のパルスモータ742を正転または逆転駆動することによって行う。このようにして、マスク手段61のレチクルマスク71a、71b、71cにそれぞれ形成されたライン状の光透過部713と713の間隔を調整したならば、上述したようにチャックテーブル3、3上に保持されているウエーハ10、10に形成された分割予定ライン101を検出し、露光領域のアライメントを実行する。そして、図6に示すようにウエーハ10、10を保持したチャックテーブル3をレチクルマスク71a、71b、71cの下方に移動し、レチクルマスク71aに形成されたライン状の光透過部713の直下にウエーハ10に形成されている分割予定ライン101における図において最右端の分割予定ライン101を位置付ける。この結果、レチクルマスク71bに形成されたライン状の光透過部713の直下にウエーハ10、10に形成されている全分割予定ライン101における図において最右端から3分の1に相当する分割予定ライン101が位置付けられ、レチクルマスク71cに形成されたライン状の光透過部713の直下にウエーハ10、10に形成されている全分割予定ライン101における図において最右端から3分の2に相当する分割予定ライン101が位置付けられる。
The mask means 61 shown in FIGS. 4 and 5 is configured as described above, and exposure work using the mask means 61 will be described below.
First, the interval between the line-shaped light transmitting portions 713 and 713 formed on the reticle masks 71a, 71b, and 71c of the mask means 61 is the integer of the interval between the planned division lines 101 formed on the wafers 10 and 10 described above. The distance is adjusted to be one third of the distance between the outermost scheduled division line 101 on the opposite side and the outermost scheduled division line 101 on the opposite side. This adjustment is performed by driving the pulse motor 742 of the interval adjusting means 72 forward or backward. In this way, if the distance between the line-shaped light transmitting portions 713 and 713 formed on the reticle masks 71a, 71b and 71c of the mask means 61 is adjusted, it is held on the chuck tables 3 and 3 as described above. The division planned lines 101 formed on the wafers 10 and 10 are detected, and alignment of the exposure area is executed. Then, as shown in FIG. 6, the chuck table 3 holding the wafers 10 and 10 is moved below the reticle masks 71a, 71b and 71c, and the wafer is directly under the line-shaped light transmitting portion 713 formed on the reticle mask 71a. The rightmost division planned line 101 in the figure of the division planned line 101 formed in FIG. As a result, the division planned line corresponding to one third from the rightmost end in the drawing of all the division planned lines 101 formed on the wafers 10 and 10 immediately below the line-shaped light transmission portion 713 formed on the reticle mask 71b. 101 is positioned, and the division corresponding to two-thirds from the rightmost end in the figure in the entire division planned line 101 formed on the wafers 10 and 10 just below the line-shaped light transmission portion 713 formed on the reticle mask 71c. A scheduled line 101 is positioned.

次に、発光手段62を附勢し上記レチクルマスク71a、71b、71cに形成されたライン状の光透過部713を通してウエーハ10、10の裏面10bに形成された感光性レジスト膜11にライン光を照射する(露光工程)。この結果、感光性レジスト膜11は、レチクルマスク71a、71b、71cに形成されたライン状の光透過部713の直下に位置するウエーハ10、10の3本の分割予定ライン101に沿って露光され除去される。   Next, the light emitting means 62 is energized, and line light is applied to the photosensitive resist film 11 formed on the back surface 10b of the wafers 10 and 10 through the line-shaped light transmitting portions 713 formed on the reticle masks 71a, 71b and 71c. Irradiate (exposure process). As a result, the photosensitive resist film 11 is exposed along the three scheduled division lines 101 of the wafers 10 and 10 located immediately below the line-shaped light transmission portions 713 formed on the reticle masks 71a, 71b, and 71c. Removed.

上述したように露光工程を実施したならば、上記インデックス手段4、4の割り出し送り手段45、45を構成するパルスモータ452、452を作動して、上記分割予定ライン101の間隔分だけチャックテーブル3、3を矢印Y1で示す方向に移動し(割り出し工程)、上記露光工程を実施することにより、ウエーハ10、10の3本の分割予定ライン101に沿って同時に露光することができる。このように図4乃至図6に示す実施形態においては、感光性レジスト膜11における複数本(図示の実施形態においては3本)の分割予定ライン101に対応した領域を同時に露光し除去することができるので、生産性が向上する。また、レチクルマスク71a、71b、71cに形成されたライン状の光透過部713の間隔は、間隔調整手段72のパルスモータ742を正転または逆転駆動することによって調整することができるので、分割予定ラインの間隔が異なるウエーハに対応することができる。   When the exposure process is performed as described above, the pulse motors 452 and 452 constituting the index feeding means 45 and 45 of the index means 4 and 4 are operated, and the chuck table 3 is spaced by the interval of the scheduled division line 101. 3 is moved in the direction indicated by the arrow Y1 (indexing step), and the above exposure step is performed, so that the wafers 10 and 10 can be exposed simultaneously along the three division lines 101. As described above, in the embodiment shown in FIGS. 4 to 6, the regions corresponding to the plurality of division lines 101 (three in the illustrated embodiment) in the photosensitive resist film 11 are simultaneously exposed and removed. This improves productivity. Further, the interval between the line-shaped light transmitting portions 713 formed on the reticle masks 71a, 71b, 71c can be adjusted by driving the pulse motor 742 of the interval adjusting unit 72 in the normal direction or the reverse direction. It is possible to cope with wafers having different line intervals.

なお、上述した実施形態においては、レチクルマスク615および71a、71b、71cの表面(上面)に遮光層615bおよび712を形成した例を示したが、遮光層615bおよび712はレチクルマスク615および71a、71b、71cの裏面(下面)に形成し、ウエーハ10と対面するように構成してもよい。また、上述した実施形態においては、2個のチャックテーブルを備えた例を示したが、チャックテーブルは1個でもよい。また、上述した実施形態においては、ウエーハ10、10の裏面に感光性レジスト膜11を被覆した例を示したが、感光性レジスト膜11はウエーハ10、10の表面に被覆してもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the light shielding layers 615b and 712 are formed on the surfaces (upper surfaces) of the reticle masks 615 and 71a, 71b, and 71c is shown. It may be formed on the back surface (lower surface) of 71b and 71c so as to face the wafer 10. In the above-described embodiment, an example in which two chuck tables are provided has been described. However, one chuck table may be provided. Further, in the above-described embodiment, an example in which the photosensitive resist film 11 is coated on the back surfaces of the wafers 10 and 10 has been described. However, the photosensitive resist film 11 may be coated on the surfaces of the wafers 10 and 10.

本発明に従って構成された露光装置の一実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows one Embodiment of the exposure apparatus comprised according to this invention. 図1に示す露光装置に装備されるチャックテーブルおよびインデックス手段の一実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows one Embodiment of the chuck table with which the exposure apparatus shown in FIG. 1 is equipped, and an index means. 図1に示す露光装置を構成するマスク手段のスリットの直下にチャックテーブルに保持されたウエーハの分割予定ラインを位置付けた状態を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which a wafer division schedule line held on a chuck table is positioned immediately below a slit of a mask means constituting the exposure apparatus shown in FIG. 1. 本発明に従って構成された露光装置の他の実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows other embodiment of the exposure apparatus comprised according to this invention. 図4に示す露光装置に装備されるマスク手段を構成するスリットプレートおよび間隔調整手段の斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a slit plate and an interval adjusting unit constituting a mask unit provided in the exposure apparatus shown in FIG. 4. 図4に示す露光装置を構成するマスク手段のスリットプレートに形成されたスリットの直下にチャックテーブルに保持されたウエーハの分割予定ラインを位置付けた状態を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which a division line of a wafer held on a chuck table is positioned immediately below a slit formed in a slit plate of a mask means constituting the exposure apparatus shown in FIG. 4. 被加工物であるウエーハの斜視図。The perspective view of the wafer which is a workpiece. 図7に示すウエーハの裏面に感光性レジスト膜が被覆された状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state by which the photosensitive resist film was coat | covered on the back surface of the wafer shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

2:基台
3:チャックテーブル
4:インデックス手段
41、41:案内レール
42:支持台
44:パルスモータ
45:割り出しし送り手段
451:雄ネジロッド
452:パルスモータ
453:雌ネジブロック
5:アライメント手段
52:撮像手段
6:ライン露光手段
61:マスク手段
615:レチクルマスク
615a:透明板
615b:遮光層
615c:ライン状の光透過部
62:発光手段
71a、71b、71c:レチクルマスク
711:透明板
712:遮光層
713:ライン状の光透過部
72:間隔調整手段
74:作動手段
741:雄ネジロッド
742:パルスモータ
751、752、753、754:蛇腹
10:ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
11:感光性レジスト膜
2: base 3: chuck table 4: index means 41, 41: guide rail 42: support base 44: pulse motor 45: index feed means 451: male screw rod 452: pulse motor 453: female screw block 5: alignment means 52 : Imaging means 6: line exposure means 61: mask means 615: reticle mask 615a: transparent plate 615b: light shielding layer 615c: light transmission part 62: light emitting means 71a, 71b, 71c: reticle mask 711: transparent plate 712: Light shielding layer 713: Line-shaped light transmitting portion 72: Space adjusting means 74: Actuating means 741: Male screw rod 742: Pulse motor 751, 752, 753, 754: Bellows 10: Wafer 101: Scheduled division line 102: Circuit 11: Photosensitive Resist film

Claims (2)

表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面または表面に被覆されたレジスト膜を、分割予定ラインに沿って露光する露光装置であって、
ウエーハを保持する複数のチャックテーブルと、
複数のチャックテーブルに保持されたウエーハに形成された分割予定ラインを検出するアライメント手段と、
複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハの裏面または表面に被覆されたレジスト膜に、分割予定ラインに対応したライン光を同時に露光するライン露光手段と、
複数のチャックテーブルと該ライン露光手段とを相対的に移動し、該複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハに形成された分割予定ラインを該ライン光の露光位置に位置付ける複数のインデックス手段と、を具備し、
該ライン露光手段は、透明板に遮光層とライン状の光透過部が形成されたレチクルマスクを備えたマスク手段と、該レチクルマスクの該ライン状の光透過部を通してライン光を露光する発光手段とからなっており
該複数のインデックス手段は、該複数のチャックテーブルをそれぞれ該レチクルマスクの該ライン状の光透過部と直交する方向に移動し該複数のチャックテーブルにそれぞれ保持されたウエーハに形成されている所定方向に延びる分割予定ラインをライン光の露光位置に位置付ける割り出し送り手段と、該複数のチャックテーブルを回動して該チャックテーブルに保持されたウエーハに形成されている所定方向に延びる分割予定ラインと直交する方向の分割予定ラインを該スリットと平行に位置付ける回動手段とからなっている、
ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that exposes a resist film coated on a back surface or a surface of a wafer in which a functional element is formed in a region partitioned by a grid-like division line on the surface, along the division line,
A plurality of chuck tables holding wafers;
An alignment means for detecting the dividing lines formed on the wafer held on the plurality of chuck table,
A resist film coated on the rear surface or the surface of each held wafer into said plurality of chuck table, and a line exposure means for simultaneously exposing the line light corresponding to the division lines,
And said plurality of chuck table and the line exposure unit move relative, a plurality of indexing means for positioning the dividing lines formed on the wafer held respectively in said plurality of chuck table to the exposure position of the line light , And
The line exposure unit includes a mask unit including a reticle mask in which a light shielding layer and a line-shaped light transmission portion are formed on a transparent plate, and a light-emitting unit that exposes line light through the line-shaped light transmission portion of the reticle mask. And consists of
The plurality of index means move the plurality of chuck tables in directions orthogonal to the line-shaped light transmission portions of the reticle mask, and are formed in predetermined directions formed on wafers respectively held by the plurality of chuck tables. And an index feeding means for positioning the line to be divided at the exposure position of the line light, and orthogonal to the line to be divided extending in a predetermined direction formed on the wafer held by the chuck table by rotating the plurality of chuck tables. It consists of rotating means that positions the division line in the direction to be parallel to the slit,
An exposure apparatus characterized by that.
該マスク手段は該レチクルマスクを複数備えており、該複数のレチクルマスク間隔を調整する間隔調整手段を具備している、請求項1記載の露光装置。   2. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said mask means comprises a plurality of said reticle masks, and further comprises an interval adjusting means for adjusting an interval between said plurality of reticle masks.
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